CN1167287C - 使用不同的编码速率的蜂窝系统间的软越区切换 - Google Patents

使用不同的编码速率的蜂窝系统间的软越区切换 Download PDF

Info

Publication number
CN1167287C
CN1167287C CNB021071128A CN02107112A CN1167287C CN 1167287 C CN1167287 C CN 1167287C CN B021071128 A CNB021071128 A CN B021071128A CN 02107112 A CN02107112 A CN 02107112A CN 1167287 C CN1167287 C CN 1167287C
Authority
CN
China
Prior art keywords
signal
branched measurement
despreader
measurement value
code element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB021071128A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1381998A (zh
Inventor
½
陈江南
̹��
罗恩·罗特斯坦
�¬
尤达·卢斯
A��¬���
卢阿伊A·雅卢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Mobility LLC
Google Technology Holdings LLC
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of CN1381998A publication Critical patent/CN1381998A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1167287C publication Critical patent/CN1167287C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L1/00Arrangements for detecting or preventing errors in the information received
    • H04L1/004Arrangements for detecting or preventing errors in the information received by using forward error control
    • H04L1/0045Arrangements at the receiver end
    • H04L1/0054Maximum-likelihood or sequential decoding, e.g. Viterbi, Fano, ZJ algorithms
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B7/00Radio transmission systems, i.e. using radiation field
    • H04B7/02Diversity systems; Multi-antenna system, i.e. transmission or reception using multiple antennas
    • H04B7/022Site diversity; Macro-diversity
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04WWIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
    • H04W36/00Hand-off or reselection arrangements
    • H04W36/16Performing reselection for specific purposes
    • H04W36/18Performing reselection for specific purposes for allowing seamless reselection, e.g. soft reselection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Mobile Radio Communication Systems (AREA)
  • Error Detection And Correction (AREA)

Abstract

从不同基站(BTSA和BTSB)向接收机(200)提供接收信号。使用第一速率卷积编码器对BTSA的信号进行编码,而使用第二速率卷积编码器对BTSB的信号进行编码。由于多基站链路会导致对于每个发送位收到不同数量的码元,因而不能对各链路接收的码元进行简单合并。因此,在本发明的优选实施例中,最终的码元被传送至多路分支度量电路(210-211),由此得到码元的分支度量值(μi)。对基站的第i个分支度量值进行计算后,各基站的分支度量值被发送到合并器(212)对其进行合并。

Description

使用不同的编码速率的蜂窝系统间的软越区切换
技术领域
本发明一般地涉及蜂窝通信系统,更具体地,本发明涉及这种使用不同编码速率的系统间的软越区切换。
背景技术
在蜂窝式通信系统内的传输过程中,对被发送的数据以几种方式进行防差错处理,然后发送。防止差错的一种方式是采用卷积编码。在编码期间,卷积编码器使用某种编码算法以固定编码速率(r)将输入的数据位编码为数据码元,此编码算法有利于对数据码元进行连续最大似然解码,使之成为数据位(例如,卷积或分块编码算法)。例如,卷积编码器以一个数据位的固定编码速率将(以特定的位速率接收的)输入数据位编码为n个数据码元(速率1/n),使得卷积编码器以n*r千码元/秒的速率将数据码元输出。
图1例举说明了此种卷积编码器。编码器的存储器100的特性由表示其状态的v位二进制数X=x0x1…xv-1进行描述。对于每个输入位,编码器输出基于输入数据位和v状态位的n个数据位,然后,过渡到下一个状态。具体来说,对于进入编码器的每一位,都要把这一位存储在最左边的存储位置,并且所有预存的数据位被向右移位。通过对所示的特定移位寄存器单元的内容进行异运算,可以在每一位时间内实现两种计算(g0和g1)。
当前的第二代码分多址(CDMA)系统对下行链路使用1/2速率的卷积编码,对上行链路进行1/4速率的卷积编码,而第三代系统能够使用1/3,1/4,或1/16速率的卷积编码。当具有第二代和第三代性能(双重模式)的移动装置在采用两种不同编码速率的系统之间进行系统间的软越区切换时,存在着某种问题。在此系统中,不能实现复合多级前向链路。原因在于多级空中接口系统的不同编码器速率产生不同数量的编码码元(具有相同的编码器约束长度K,例如K=9),并且这些码元不能被合并。因此,需要一种用于在采用不同编码速率的系统之间进行软越区切换的装置和方法。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明提供了一种用于接收多个信号的方法,其中所述的多个信号中每一个信号都使用不同的编码速率,该方法包括步骤:接收以第一编码速率编码的第一组多个码元;产生所述第一组多个码元的第一分支度量值;接收以第二编码速率编码的第二组多个码元;产生所述第二组多个码元的第二分支度量值;以及合并所述第一和第二分支度量值。
本发明相应地还提供了一种用于执行上述接收方法的设备,该设备包括:第一信号通道,该通道包括:第一解扩器,用于解扩多个信号中的第一信号以生成第一解扩信号;第二解扩器,与第一解扩器相连,用于进一步解扩所述第一解扩信号以生成第二解扩信号;第一解交织器,与第二解扩器相连,用于解交织所述第二解扩信号以生成第一解交织信号;第一分支度量确定器,与所述第一解交织器相连,用于根据所述第一解交织信号输出第一分支度量值;第二信号通道,该通道包括:第三解扩器,用于解扩所述多个信号中的第二信号以生成第三解扩信号;第四解扩器,与第三解扩器相连,用于进一步解扩所述第三解扩信号以生成第四解扩信号;第二解交织器,与第四解扩器相连,用于解交织所述第四解扩信号以生成第二解交织信号;第二分支度量确定器,与所述第二解交织器相连,用于根据所述第二解交织信号输出第二分支度量值;以及合并器,该合并器将所述第一和第二分支度量值作为输入,并输出合并的分支度量值。
附图说明
图1示出现有技术卷积编码器的方框图;
图2示出根据本发明优选实施例的移动接收机的方框图;
图3示出根据本发明优选实施例的图2所示解码器的方框图;
图4示出根据本发明优选实施例的图3所示解码器操作的流程图;
图5示出根据本发明的变换实施例的解码器的方框图。
具体实施方式
为了解决上述问题,在这里提供采用不同编码速率的蜂窝式系统间的软越区切换。提供从不同基站(BTSA和BTSB)接收信号的接收机。使用第一速率卷积编码器对来自BTSA的信号进行编码,而使用第二速率卷积编码器对发自BTSB的同一信号进行编码。由于多级基站链路可以为所发送信号的每一位产生不同数目的接收的码元,故而不能对每个链路接收的码元进行简单的组合。因此,在本发明的优选实施例中,合成码元被传递到多分支度量电路,在电路中获得对码元的分支度量值(μi)。完成对基站的第i分支度量值的计算后,各基站的分支度量值被传递到对其进行合成的合并器。
由于来自各个基站的分支度量值被加在一起形成了合并分支度量值,因此能够为系统(世代)间软越区切换实现软越区切换的分集合并增益。这为采用不同卷积编码方案的系统所实现的软越区切换提供了分集利益。
本发明包括一种含有第一信号通道和第二信号通道的装置。第一信号通道包括第一解扩器,耦合到第一解扩器的第二解扩器,耦合到第二解扩器的第一解交织器,耦合到第一解交织器的第一分支度量确定器,其中第一分支度量确定器输出第一分支度量值。第二信号通道包括第三解扩器,耦合到第三解扩器的第四解扩器,耦合到第四解扩器的第二解交织器,耦合到第二解交织器的第二分支度量确定器,其中第二分支度量确定器输出第二分支度量值。最后,此装置包括一个具有作为输入的第一和第二分支度量值并且输出合并分支度量值的合并器。
本发明还包括一种装置,该装置包含:第一分支度量发生器,具有作为输入的第一组多个码元并且输出第一组多个码元的第一分支度量值;第二分支度量发生器,具有作为输入的第二组多个码元并且输出第二组多个码元的第二分支度量值;以及合并器,具有作为输入的第一和第二分支度量值并且输出合并分支度量值。
此外,本发明包括一种方法。该方法包括步骤:接收第一组多个码元,以及为第一组多个码元生成第一分支度量值。接收第二组多个码元,并且为第二组多个码元生成第二分支度量值。最后,将第一和第二分支度量值进行合并。
下面将针对移动单元接收机内现存的功能,给出优选实施例和变换实施例的说明。本技术领域内的一种或常规技术认识到,也可以在蜂窝基础结构装置的接收机内(例如,基站接收机)实施优选或变换
实施例。
现在对附图进行说明,其中相同的数字代表同一组件,图2是根据本发明优选实施例的接收机200的方框图。如图所示,接收机200从不同基站(BTSA和BTSB)接收两个信号。为了便于下述讨论,采用第一速率的卷积编码器对来自BTSA的信号进行编码,而采用第二速率的卷积编码器对发自BTSB的信号进行编码。信号在射频前端201被接收,并且通过降频变频器202对其进行降频变换。降频变换的信号通过模数转换(A/D)电路203被转换为数字格式。将最终数字信号分解进入两个信号通道(第一和第二),进行解扩操作。具体来说,经过混频器(解扩器)204-205将第一和第二伪噪声(PN)码加到各个信号通道。经过解扩器206-207将解扩了的信号进一步解扩并且解调。更具体地说,利用特定通道和信元的扩频码对信号进行解扩,以恢复所发送的信息。第一解扩器204对发自第一基站(BTSA)的数据进行解扩,第二解扩器205对发自第二基站(BTSB)的数据进行解扩。
由解交织器208-209对所发送的信息进行解交织,产生不同链路的解调码元。更具体地,对于由BTSA采用速率1/n的编码器发送的每一位,最后由解交织器将n个码元(r1 A,r2 A,...,rn A)输出。例如,如果BTSA使用速率1/3的卷积编码器,则为BTSA接收信号的解交织器会输出三个码元(r1 A,r2 A,r3 A)。根据上述讨论,由于多级基站链路可以产生为所发送的各位接收的不同数目的码元,故不能对各链路接收的码元简单地进行合并。因此,在本发明的优选实施例中,最终的码元被传递到多级分支度量确定器(电路210-211),由此获得码元的分支度量值(μi)。
分支度量值的生成方法为本技术领域所熟知,一般由下式计算:其中
m i = Σ i = 1 n s ij r ij
n=1,2,3,…,是对应一个输入位由编码器输出的编码码元的数目;
sij=+/-1,是卷积编码器的第i状态(或分支)输出的第j个码元;
rij=是卷积编码器的第i分支(或状态)接收序列的第j个码元,以及
i表示编码器的第i状态(或分支)。
例如,对于其基站A、B、和C分别采用1/2,1/3,1/4速率卷积编码的三路系统间的软越区切换,基站A、B、和C的第i分支的分支度量值为:
μ i A = s i 1 A * r i 1 A + s i 2 A * r i 2 A
μ i B = s i 1 B * r i 1 B + s i 2 B * r i 2 B + s i 3 B * r i 3 B
μ i C = s i 1 C * r i 1 C + s i 2 C * r i 2 C + s i 3 C * r i 3 C + s i 4 C * r i 4 C
由此,根据本发明的优选实施例,第一分支度量确定器210为采用第一编码方案生成的码元生成分支度量值,第二分支度量确定器211为采用第二编码方案生成的码元生成分支度量值。
计算出基站的第i分支度量值后,将各基站的分支度量值传递到合并器212,进行合并后输出。更具体地,第i分支最终的分支度量值将输出为:
μ i = m i A + m i B + m i C
由于来自各基站的分支度量值相加后构成了合并分支度量值,因此对于系统(世代)间软越区切换达到了软越区切换的分集合并增益。
完成求和运算后,为了进一步解码将相加的度量值继续传递。此解码过程为本技术领域所熟知,并且采用N.J.,Prentice Hall,1988年出版的《数字通信基础和应用》中所描述的维特比(Viterbi)算法。
值得注意的是,在前述讨论中说明了发自两个或三个基站的两个或三个信号的接收过程。在本技术领域的普通技术人员明白,可以将本发明应用于接收多个信号源(即,基站或移动装置)发来的三个以上的信号。此三个以上的信号被接收的情况中,接收机对于接收的每个信号需要增加一个信号分支。具体来说,如果三个信号是从三个不同基站接收的,图2中接收机将需要增加另一个信号分支,以产生第三基站的分支度量值。第三基站的分支度量值将通过合并器212与另两个基站的分支度量值合并。在示出图2解码器方框图的图3中对此予以说明。如图3所示,三个分支度量发生器301-303从三个基站(A、B、和C)接收码元。显然,基站A使用速率1/2的卷积编码器,而基站B和C分别使用速率1/3和1/4的卷积编码器。如所示,分支度量发生器301-303为输入码元生成分支度量值,并且将此分支度量值输出到合并器304。合并器304将来自各个接收机接收通道的分支度量值进行合并。这样为系统(世代)间软越区切换生成了软越区切换的分集合并增益。更具体地,由于先确定分支度量值再合并接收通道,接收机能够对采用不同卷积编码速率编码的信号进行合并。
图4是示出根据本发明优选实施例的图3所示解码器操作的流程图。逻辑流程始于从多基站接收多码元的步骤401。在本发明的优选实施例中,对同一信息序列采用不同卷积编码方案发送来自各基站的码元。具体地,多基站的各编码器采用不同编码速率。在步骤403中,根据从各个基站接收的码元,为多基站的各个基站确定分支度量值。具体地,利用从第一基站接收的码元确定第一基站的分支度量值,而利用从第二基站接收的码元确定第二基站的分支度量值。确定了多基站的分支度量值后,将这些分支度量值合并以生成合并的分支度量值(步骤405)。最后,在步骤407中,利用合并的分支度量值对接收到的传输信息进行解码。
在某些情形中,帧结构将依据所采用的卷积编码速率而有所不同。例如,IS-95A/B的1/4和1/8帧不含有循环冗余校验位(CRC位),而对于1/4和1/8帧,IS-2000标准要求6位循环冗余校验(CRC)。因此,合并器304不能实现对帧的简单合并。为了解决此问题,在变换方案中提供逻辑电路系统。在变换方案中,此逻辑电路系统仅通过在用于后代协议的CRC位存在的位置处插入零,来实现对不含CRC位的帧的扩展。图5是根据本发明的变换实施例的解码器500的方框图。如所示出的,已将逻辑电路系统501插至分支度量发生器301-303之前。逻辑电路系统501用于按不同时间周期将零插入所接收的帧。下面说明根据本发明变换实施例的解码器500的操作。
逻辑流程开始,逻辑电路系统501为多个接收信号确定编码器速率。第一步,确定CRC位在各种帧格式内所存在的位置。逻辑流程继续执行第二步,确定是否所有帧格式相同。如果是相同的,逻辑流程继续执行第三步,将接收的码元传递给分支度量发生器301-303。但是,如果确定接收的帧的帧格式不相同,逻辑流程继续执行第四步,逻辑单元501将零插入不含有CRC位的帧中。逻辑流程继续执行第三步。
在本发明的变换实施例中,插入帧中的CRC位的个数由含有CRC位的那些帧的帧格式确定。例如,如果帧包含6个CRC位,则逻辑单元501将在那些不含有CRC位的帧中的适合点处插入6个零,以便可以对那些帧进行恰当的合并。下面说明此插入方式。从BTSA接收的帧有6个CRC位进入逻辑单元501,而从BTSB接收的帧不含有CRC位。在本发明的变换实施例中,逻辑单元501会将6个零插入到从BTSB接收的帧的合适点处。
尽管参照特定体实施例对本发明进行详细表示和说明,显然在本发明实质范围内,本技术领域内的普通技术人员可以在形式和细节方面对其进行各种变换。这些变换均属于所附权利要求所述的本发明范围。

Claims (10)

1.一种用于接收多个信号的方法,其中所述的多个信号中每一个信号都使用不同的编码速率,该方法包括步骤:
接收以第一编码速率编码的第一组多个码元;
产生所述第一组多个码元的第一分支度量值;
接收以第二编码速率编码的第二组多个码元;
产生所述第二组多个码元的第二分支度量值;以及
合并所述第一和第二分支度量值。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一组多个码元是基于第一卷积编码方案。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述第二组多个码元是基于第二卷积编码方案。
4.根据权利要求2所述的方法,其中所述第一组多个码元是从第一基站接收的。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述第二组多个码元是基于第二卷积编码方案,并且是从第二基站接收的。
6.一种用于执行权利要求1所述接收方法的设备,该设备包括:
第一信号通道,该通道包括:
第一解扩器,用于解扩多个信号中的第一信号以生成第一解扩信号;
第二解扩器,与第一解扩器相连,用于进一步解扩所述第一解扩信号以生成第二解扩信号;
第一解交织器,与第二解扩器相连,用于解交织所述第二解扩信号以生成第一解交织信号;
第一分支度量确定器,与所述第一解交织器相连,用于根据所述第一解交织信号输出第一分支度量值;
第二信号通道,该通道包括:
第三解扩器,用于解扩所述多个信号中的第二信号以生成第三解扩信号;
第四解扩器,与第三解扩器相连,用于进一步解扩所述第三解扩信号以生成第四解扩信号;
第二解交织器,与第四解扩器相连,用于解交织所述第四解扩信号以生成第二解交织信号;
第二分支度量确定器,与所述第二解交织器相连,用于根据所述第二解交织信号输出第二分支度量值;以及
合并器,该合并器将所述第一和第二分支度量值作为输入,并输出合并的分支度量值。
7.根据权利要求6所述的设备,其中所述第一解扩器对发自第一基站的数据进行解扩。
8.根据权利要求7所述的设备,其中所述第三解扩器对发自第二基站的数据进行解扩。
9.根据权利要求6所述的设备,其中所述第一分支度量值是采用第一卷积编码方案得到的分支度量值。
10.根据权利要求9所述的设备,其中所述第二分支度量值是采用第二卷积编码方案得到的分支度量值。
CNB021071128A 2001-03-08 2002-03-08 使用不同的编码速率的蜂窝系统间的软越区切换 Expired - Lifetime CN1167287C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/801,891 US7046719B2 (en) 2001-03-08 2001-03-08 Soft handoff between cellular systems employing different encoding rates
US09/801,891 2001-03-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1381998A CN1381998A (zh) 2002-11-27
CN1167287C true CN1167287C (zh) 2004-09-15

Family

ID=25182288

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021071128A Expired - Lifetime CN1167287C (zh) 2001-03-08 2002-03-08 使用不同的编码速率的蜂窝系统间的软越区切换

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7046719B2 (zh)
KR (1) KR100470010B1 (zh)
CN (1) CN1167287C (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6768908B1 (en) * 2000-04-07 2004-07-27 Motorola, Inc. Method and apparatus for soft handoff communications in a communication system operating according to IS-95B and IS-95C standards
US7633895B2 (en) * 2002-06-24 2009-12-15 Qualcomm Incorporated Orthogonal code division multiple access on return link of satellite links
US8107542B1 (en) 2004-04-16 2012-01-31 Marvell International Ltd. Soft decoding of coded bit-streams
TWI371982B (en) * 2008-10-03 2012-09-01 Ind Tech Res Inst Adaptive handover apparatus and method in a heterogeneous network environment
KR101881431B1 (ko) * 2014-05-08 2018-07-24 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 소프트 스위치 비율을 제어하는 장치 및 방법

Family Cites Families (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4404265A (en) 1969-10-01 1983-09-13 Rockwell International Corporation Epitaxial composite and method of making
GB1319311A (en) 1970-06-04 1973-06-06 North American Rockwell Epitaxial composite and method of making
US3802967A (en) 1971-08-27 1974-04-09 Rca Corp Iii-v compound on insulating substrate and its preparation and use
JPS528835A (en) 1975-07-11 1977-01-24 Fujitsu Ltd Connector for fiber optics
JPS5413455A (en) 1977-07-01 1979-01-31 Hitachi Ltd Uniformly expanding device for tube
JPS558742A (en) 1978-06-30 1980-01-22 Matsushita Electric Works Ltd Waterproof facial beauty instrument
JPS58158944A (ja) 1982-03-16 1983-09-21 Futaba Corp 半導体装置
US4482906A (en) 1982-06-30 1984-11-13 International Business Machines Corporation Gallium aluminum arsenide integrated circuit structure using germanium
US4933956A (en) * 1983-04-14 1990-06-12 Codex Corporation Simplified decoding of lattices and codes
JPS6110818A (ja) 1984-06-25 1986-01-18 オムロン株式会社 電歪アクチユエ−タの駆動回路
US4661176A (en) 1985-02-27 1987-04-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Process for improving the quality of epitaxial silicon films grown on insulating substrates utilizing oxygen ion conductor substrates
US4846926A (en) 1985-08-26 1989-07-11 Ford Aerospace & Communications Corporation HcCdTe epitaxially grown on crystalline support
CA1292550C (en) 1985-09-03 1991-11-26 Masayoshi Umeno Epitaxial gallium arsenide semiconductor wafer and method of producing the same
US4774205A (en) 1986-06-13 1988-09-27 Massachusetts Institute Of Technology Monolithic integration of silicon and gallium arsenide devices
JPS633499A (ja) 1986-06-23 1988-01-08 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 電子部品の装着状態検出方法
US4891091A (en) 1986-07-14 1990-01-02 Gte Laboratories Incorporated Method of epitaxially growing compound semiconductor materials
JPS6319836A (ja) 1986-07-14 1988-01-27 Toshiba Corp 半導体ウエ−ハの搬送方式
JPH0695554B2 (ja) 1987-10-12 1994-11-24 工業技術院長 単結晶マグネシアスピネル膜の形成方法
JPH0239A (ja) 1987-10-20 1990-01-05 Konica Corp 高コントラストハロゲン化銀写真感光材料
US4912087A (en) 1988-04-15 1990-03-27 Ford Motor Company Rapid thermal annealing of superconducting oxide precursor films on Si and SiO2 substrates
JPH01289108A (ja) 1988-05-17 1989-11-21 Fujitsu Ltd ヘテロエピタキシャル成長方法
US5221367A (en) 1988-08-03 1993-06-22 International Business Machines, Corp. Strained defect-free epitaxial mismatched heterostructures and method of fabrication
US4963949A (en) 1988-09-30 1990-10-16 The United States Of America As Represented Of The United States Department Of Energy Substrate structures for InP-based devices
US4999842A (en) 1989-03-01 1991-03-12 At&T Bell Laboratories Quantum well vertical cavity laser
FR2650704B1 (fr) 1989-08-01 1994-05-06 Thomson Csf Procede de fabrication par epitaxie de couches monocristallines de materiaux a parametres de mailles differents
US5310707A (en) 1990-03-28 1994-05-10 Superconductivity Research Laboratory International Substrate material for the preparation of oxide superconductors
EP0449327B1 (en) * 1990-03-30 1998-07-15 Nec Corporation Noise-immune space diversity receiver
FR2661040A1 (fr) 1990-04-13 1991-10-18 Thomson Csf Procede d'adaptation entre deux materiaux semiconducteurs cristallises, et dispositif semiconducteur.
US5173474A (en) 1990-04-18 1992-12-22 Xerox Corporation Silicon substrate having an epitaxial superconducting layer thereon and method of making same
US5358925A (en) 1990-04-18 1994-10-25 Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Silicon substrate having YSZ epitaxial barrier layer and an epitaxial superconducting layer
US5164359A (en) 1990-04-20 1992-11-17 Eaton Corporation Monolithic integrated circuit having compound semiconductor layer epitaxially grown on ceramic substrate
DE4029060C2 (de) 1990-09-13 1994-01-13 Forschungszentrum Juelich Gmbh Verfahren zur Herstellung von Bauteilen für elektronische, elektrooptische und optische Bauelemente
US5418216A (en) 1990-11-30 1995-05-23 Fork; David K. Superconducting thin films on epitaxial magnesium oxide grown on silicon
US5225031A (en) 1991-04-10 1993-07-06 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Process for depositing an oxide epitaxially onto a silicon substrate and structures prepared with the process
US5482003A (en) 1991-04-10 1996-01-09 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Process for depositing epitaxial alkaline earth oxide onto a substrate and structures prepared with the process
US5221413A (en) 1991-04-24 1993-06-22 At&T Bell Laboratories Method for making low defect density semiconductor heterostructure and devices made thereby
JPH0548072A (ja) 1991-08-12 1993-02-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体素子
JP2610076B2 (ja) 1992-02-28 1997-05-14 松下電器産業株式会社 ハイブリッド集積回路とその製造方法
US5270298A (en) 1992-03-05 1993-12-14 Bell Communications Research, Inc. Cubic metal oxide thin film epitaxially grown on silicon
US5155658A (en) 1992-03-05 1992-10-13 Bell Communications Research, Inc. Crystallographically aligned ferroelectric films usable in memories and method of crystallographically aligning perovskite films
EP0568064B1 (en) 1992-05-01 1999-07-14 Texas Instruments Incorporated Pb/Bi-containing high-dielectric constant oxides using a non-Pb/Bi-containing perovskite as a buffer layer
US5326721A (en) 1992-05-01 1994-07-05 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating high-dielectric constant oxides on semiconductors using a GE buffer layer
DE69230260T2 (de) 1992-08-07 2000-07-13 Asahi Chemical Ind Halbleiteranordnung auf nitridbasis und verfahren zu ihrer herstellung
US5514484A (en) 1992-11-05 1996-05-07 Fuji Xerox Co., Ltd. Oriented ferroelectric thin film
JPH06151872A (ja) 1992-11-09 1994-05-31 Mitsubishi Kasei Corp Fet素子
EP0600303B1 (en) 1992-12-01 2002-02-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabrication of dielectric thin film
US5248564A (en) 1992-12-09 1993-09-28 Bell Communications Research, Inc. C-axis perovskite thin films grown on silicon dioxide
US5347157A (en) 1992-12-17 1994-09-13 Eastman Kodak Company Multilayer structure having a (111)-oriented buffer layer
JP3248636B2 (ja) 1993-02-03 2002-01-21 日本電信電話株式会社 複合半導体回路装置の作製方法
CA2116736C (en) * 1993-03-05 1999-08-10 Edward M. Roney, Iv Decoder selection
JP3425185B2 (ja) 1993-03-26 2003-07-07 日本オプネクスト株式会社 半導体素子
JPH06327862A (ja) 1993-05-19 1994-11-29 Brother Ind Ltd 自動制御ミシンにおける故障箇所検出装置
US5456205A (en) 1993-06-01 1995-10-10 Midwest Research Institute System for monitoring the growth of crystalline films on stationary substrates
US5450812A (en) 1993-07-30 1995-09-19 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Process for growing a film epitaxially upon an oxide surface and structures formed with the process
US5757844A (en) * 1993-10-13 1998-05-26 Ntt Mobile Communications Network Inc Spread spectrum receiver
EP0668660A1 (en) * 1994-02-18 1995-08-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Maximum likelihood decoder and decoding method
US6469357B1 (en) 1994-03-23 2002-10-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising an oxide layer on a GaAs or GaN-based semiconductor body
US5478653A (en) 1994-04-04 1995-12-26 Guenzer; Charles S. Bismuth titanate as a template layer for growth of crystallographically oriented silicon
US5828080A (en) 1994-08-17 1998-10-27 Tdk Corporation Oxide thin film, electronic device substrate and electronic device
US5916315A (en) * 1994-08-23 1999-06-29 Ampex Systems Corporation Viterbi detector for class II partial response equalized miller-squared signals
US5635741A (en) 1994-09-30 1997-06-03 Texas Instruments Incorporated Barium strontium titanate (BST) thin films by erbium donor doping
JP2701761B2 (ja) * 1994-11-02 1998-01-21 日本電気株式会社 送信ビットレート判別方法及び装置
JP2605641B2 (ja) * 1994-11-14 1997-04-30 日本電気株式会社 可変ビットレート判別方法及び装置
JP2689926B2 (ja) * 1994-12-05 1997-12-10 日本電気株式会社 ダイバーシティ受信機
US5670798A (en) 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
US5753934A (en) 1995-08-04 1998-05-19 Tok Corporation Multilayer thin film, substrate for electronic device, electronic device, and preparation of multilayer oxide thin film
US5796757A (en) * 1995-09-15 1998-08-18 Nokia Mobile Phones Ltd. Methods and apparatus for performing rate determination with a variable rate viterbi decoder
US6108317A (en) * 1995-11-01 2000-08-22 Stm Wireless, Inc. Cyclic code phase multiple access for inbound satellite communications
FR2744578B1 (fr) 1996-02-06 1998-04-30 Motorola Semiconducteurs Amlificateur hautes frequences
US5830270A (en) 1996-08-05 1998-11-03 Lockheed Martin Energy Systems, Inc. CaTiO3 Interfacial template structure on semiconductor-based material and the growth of electroceramic thin-films in the perovskite class
JP3654392B2 (ja) * 1996-09-02 2005-06-02 ソニー株式会社 データ受信装置および方法
US6108372A (en) * 1996-10-30 2000-08-22 Qualcomm Inc. Method and apparatus for decoding variable rate data using hypothesis testing to determine data rate
US5912068A (en) 1996-12-05 1999-06-15 The Regents Of The University Of California Epitaxial oxides on amorphous SiO2 on single crystal silicon
US5741724A (en) 1996-12-27 1998-04-21 Motorola Method of growing gallium nitride on a spinel substrate
JP3535527B2 (ja) 1997-06-24 2004-06-07 マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー 傾斜GeSi層と平坦化を用いたゲルマニウム・オン・シリコンの貫通転位の制御
JP3813740B2 (ja) 1997-07-11 2006-08-23 Tdk株式会社 電子デバイス用基板
US6002375A (en) 1997-09-02 1999-12-14 Motorola, Inc. Multi-substrate radio-frequency circuit
EP1036412A1 (en) 1997-09-16 2000-09-20 Massachusetts Institute Of Technology CO-PLANAR Si AND Ge COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCING SAME
US6012160A (en) * 1997-10-03 2000-01-04 Ericsson Inc. Method for protecting important data bits using less important data bits
JP3521711B2 (ja) 1997-10-22 2004-04-19 松下電器産業株式会社 カラオケ再生装置
JPH11123868A (ja) 1997-10-24 1999-05-11 Mitsubishi Kagaku Polyester Film Kk 白色ポリエステル被記録媒体
JP3861409B2 (ja) * 1997-10-24 2006-12-20 ソニー株式会社 ディジタル信号再生装置
US7031408B2 (en) * 1997-12-10 2006-04-18 Adtran Inc. Mechanism for reducing recovery time after path loss in coded data communication system having sequential decoder
KR100557177B1 (ko) * 1998-04-04 2006-07-21 삼성전자주식회사 적응 채널 부호/복호화 방법 및 그 부호/복호 장치
US6055179A (en) 1998-05-19 2000-04-25 Canon Kk Memory device utilizing giant magnetoresistance effect
US6064078A (en) 1998-05-22 2000-05-16 Xerox Corporation Formation of group III-V nitride films on sapphire substrates with reduced dislocation densities
US6888175B1 (en) 1998-05-29 2005-05-03 Massachusetts Institute Of Technology Compound semiconductor structure with lattice and polarity matched heteroepitaxial layers
US6113690A (en) 1998-06-08 2000-09-05 Motorola, Inc. Method of preparing crystalline alkaline earth metal oxides on a Si substrate
US5978365A (en) * 1998-07-07 1999-11-02 Orbital Sciences Corporation Communications system handoff operation combining turbo coding and soft handoff techniques
US5999815A (en) * 1998-07-08 1999-12-07 Motorola, Inc. Method and apparatus for implementing diversity for a dual-mode communication unit
US6103008A (en) 1998-07-30 2000-08-15 Ut-Battelle, Llc Silicon-integrated thin-film structure for electro-optic applications
US6487255B1 (en) * 1998-08-31 2002-11-26 Ericsson Inc. Information generation for coherent demodulation of differentially encoded signals
US6355939B1 (en) 1998-11-03 2002-03-12 Lockheed Martin Corporation Multi-band infrared photodetector
US6143072A (en) 1999-04-06 2000-11-07 Ut-Battelle, Llc Generic process for preparing a crystalline oxide upon a group IV semiconductor substrate
IL141800A0 (en) * 1999-07-06 2002-03-10 Samsung Electronics Co Ltd Rate matching device and method for a data communication system
KR100321985B1 (ko) * 1999-07-12 2002-02-06 윤종용 서로 다른 두 개의 부호분할다중접속 이동통신시스템에서 핸드오프 가능한 변복조 장치 및 그 핸드오프 방법
US6574289B1 (en) * 1999-10-26 2003-06-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for determining frame rate of a data frame in a communication system by using apriori knowledge of data frame
US6697422B1 (en) * 2000-03-17 2004-02-24 Lucent Technologies Inc. Variable encoding levels for encoding in-band control messages in wireless telecommunication systems
KR100360251B1 (ko) * 2000-03-29 2002-11-08 엘지전자 주식회사 통신시스템의 핸드오프 처리장치 및 이동체 수신기
US6768908B1 (en) * 2000-04-07 2004-07-27 Motorola, Inc. Method and apparatus for soft handoff communications in a communication system operating according to IS-95B and IS-95C standards
US7035317B2 (en) * 2000-09-21 2006-04-25 North Carolina State University Single-user decoder metrics for subtractive interference cancellation detectors in code-division multiple-access (CDMA) communication systems with time dependence variance residual multiple-access interference (RMAI)

Also Published As

Publication number Publication date
US20020154682A1 (en) 2002-10-24
US7046719B2 (en) 2006-05-16
KR100470010B1 (ko) 2005-02-04
CN1381998A (zh) 2002-11-27
KR20020072252A (ko) 2002-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5638408A (en) Variable transmission bit rate discrimination method and apparatus
US6147964A (en) Method and apparatus for performing rate determination using orthogonal rate-dependent walsh covering codes
CN100568848C (zh) 移动通信系统中接收分组数据控制信道的装置和方法
US7162675B2 (en) Error detection methods in wireless communication systems
CA2204057C (en) Variable rate coding for wireless applications
US7793189B2 (en) Error control apparatus
US6934321B2 (en) W-CDMA transmission rate estimation method and device
Stankovic et al. Fast algorithm for rate-based optimal error protection of embedded codes
US6810078B2 (en) Blind rate determination
US6209116B1 (en) Adaptable overlays for forward error correction schemes based on trellis codes
KR19990076915A (ko) 데이터 전송방법 및 신호 엔코딩 장치
CN1167287C (zh) 使用不同的编码速率的蜂窝系统间的软越区切换
CA2340366C (en) Memory architecture for map decoder
CN1422460A (zh) 时隙模式译码器状态的量度初始化
US7634703B2 (en) Linear approximation of the max* operation for log-map decoding
CN100581089C (zh) TD-SCDMA系统中的Woven卷积码纠错编、译码器
AU2655899A (en) Method and apparatus for performing rate determination using orthogonal rate-dependent walsh covering codes
JP3514213B2 (ja) 直接連接畳込み符号器、及び、直接連接畳込み符号化方法
Falahati et al. Convolutional coding schemes for variable rate, unequal error protection, and packet data services
KR100240868B1 (ko) 다중비율 전송 시스템
Falahati et al. Convolutional coding and ARQ schemes for wireless communications
CN1337097A (zh) 减少符号间干扰的扩展频谱传输系统
Orten et al. Sequential decoding for wireless communications

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: MOTOROLA MOBILE CO., LTD

Free format text: FORMER OWNER: MOTOROLA INC.

Effective date: 20110120

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20110120

Address after: Illinois State

Patentee after: MOTOROLA MOBILITY, Inc.

Address before: Illinois, USA

Patentee before: Motorola, Inc.

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Illinois State

Patentee after: MOTOROLA MOBILITY LLC

Address before: Illinois State

Patentee before: MOTOROLA MOBILITY, Inc.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20160303

Address after: California, USA

Patentee after: Google Technology Holdings LLC

Address before: Illinois State

Patentee before: MOTOROLA MOBILITY LLC

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20040915

CX01 Expiry of patent term