CN116695048A - 钇基喷涂涂层和制造方法 - Google Patents

钇基喷涂涂层和制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116695048A
CN116695048A CN202310896312.4A CN202310896312A CN116695048A CN 116695048 A CN116695048 A CN 116695048A CN 202310896312 A CN202310896312 A CN 202310896312A CN 116695048 A CN116695048 A CN 116695048A
Authority
CN
China
Prior art keywords
acid
yttrium
coating
particles
spray coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310896312.4A
Other languages
English (en)
Inventor
高井康
浜谷典明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of CN116695048A publication Critical patent/CN116695048A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/04Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/04Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
    • C23C4/06Metallic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D1/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/04Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
    • C23C4/10Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
    • C23C4/11Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/04Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
    • C23C4/10Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/12Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
    • C23C4/134Plasma spraying
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/18After-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/18After-treatment
    • C23C4/185Separation of the coating from the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458Vessel
    • H01J37/32477Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495Means for protecting the vessel against plasma

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

本发明涉及钇基喷涂涂层和制造方法。通过将氧化钇、氟化钇或氧氟化钇热喷涂到基材上以形成10‑500μm厚的涂层,并且用有机酸、无机酸或其混合物的清洁液对该涂层进行化学清洁直至该涂层表面具有300nm以下的尺寸的颗粒的粒数变为不多于5个颗粒/mm2,从而得到钇基喷涂涂层。该钇基喷涂涂层即使在卤素气体等离子体气氛中也显示出高耐腐蚀性并且防止钇基颗粒在蚀刻处理过程中剥落。

Description

钇基喷涂涂层和制造方法
本申请是申请号为201610616268.7、申请日为2016年07月29日、发明名称为“钇基喷涂涂层和制造方法”的中国专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本非临时申请根据35U.S.C.§119(a)要求于2015年7月31日在日本提交的专利申请No.2015-151568的优先权,由此通过引用将其全部内容并入本文。
技术领域
本发明涉及通过热喷涂氧化钇、氟化钇和/或氧氟化钇而形成的钇基喷涂涂层,其适合作为半导体器件制造工艺中遇到的在腐蚀性等离子体气氛中使用的部件和物品上的低起灰涂层。
背景技术
在用于制造半导体器件的现有技术方法中,常常在腐蚀性卤素系气体等离子体气氛中进行处理。典型的腐蚀性卤素系气体为氟系气体例如SF6、CF4、CHF3、ClF3和HF以及氯系气体例如Cl2、BCl3和HCl。用于这样的处理的装置典型地包括在它们的表面上具有耐腐蚀的涂层的部件或组件。例如,已知具有通过将氧化钇(专利文献1)和氟化钇(专利文献2和3)喷涂于金属铝和氧化铝陶瓷基材的表面而形成的涂层的部件或组件完全耐腐蚀并且在实际中使用。
随着目前的半导体技术以更高的集成度为目标,相互连接部的尺寸接近20nm以下。器件制造工艺中,钇基颗粒在蚀刻处理过程中可能从部件上的钇基涂层的表面剥落并且掉落到硅片上而干扰该蚀刻处理。这使得半导体器件的制造产量降低。存在着从钇基涂层表面剥落的钇基颗粒的数目在蚀刻处理的初期高并且随着蚀刻时间的经过而减小的倾向。通过引用也将涉及喷涂技术的专利文献4和5并入本文。
引用文献列表
专利文献1:JP 4006596(USP 6,852,433)
专利文献2:JP 3523222(USP 6,685,991)
专利文献3:JP-A 2011-514933(US 20090214825)
专利文献4:JP-A 2008-133528(USP 8,349,450)
专利文献5:JP 4591722(US 20130122218)
发明内容
本发明的目的是提供通过热喷涂选自氧化钇、氟化钇和氧氟化钇中的一种或多种化合物而形成的钇基喷涂涂层,其能够基本上防止在蚀刻或类似处理过程中钇基颗粒从该涂层表面剥落,并因此在半导体器件制造工艺过程中适合用作在腐蚀性等离子体气氛中使用的部件或物品上的低起灰涂层。
通过等离子体喷涂形成氧化钇、氟化钇或氧氟化钇的涂层时,在等离子体焰中颗粒材料被熔化为小滴,然后小滴在基材上沉积并且凝固以形成涂层。如果材料颗粒的大小太小,一些颗粒可能没有进入焰中,而是以未熔化状态沉积在该涂层上。而且,一旦颗粒熔化,有时小滴可能在该涂层上爆裂为更为细小的小滴,其将作为更为细小的颗粒沉积在该涂层上。在喷涂过程中在该涂层表面上沉积的这样细小(未熔化或爆裂)的颗粒被后续的小滴覆盖并因此融入到致密涂层中,而在接近喷涂的结束在该涂层表面上沉积的异物颗粒原样地保持结合。难以通过超纯水清洁、超声清洁等将该结合的颗粒除去。如果细颗粒在蚀刻处理过程中剥落,它们成为起灰源。专利文献5提供了通过抛光或喷砂来将粘附颗粒(即,通过超纯水清洁或超声清洁不能除去的颗粒)物理去除。但是,由于该处理自身就产生细颗粒,因此例如抛光这样的物理去除并不太有效。
本发明人已发现通过热喷涂选自氧化钇、氟化钇和氧氟化钇中的一种或多种化合物以形成10-500μm厚的涂层,并且使用有机酸或无机酸或其混合物的含水溶液的形式的清洁液对该涂层进行化学清洁以有效地将固定于该涂层表面的钇基颗粒除去直至该涂层表面具有300nm以下的大小的颗粒的粒数成为不多于5个颗粒/mm2,从而得到改进的钇基喷涂涂层。由于得到的钇基喷涂涂层防止钇基颗粒剥落以防止在随后的蚀刻处理过程中引起不良影响,因此其适合在半导体器件制造工艺中用作在腐蚀性等离子体气氛中使用的部件和物品上的低起灰涂层。
一方面,本发明提供钇基喷涂涂层,其包括选自由氧化钇、氟化钇和氧氟化钇组成的组中的一种或多种化合物并且具有10-500μm的厚度,其中具有300nm以下的大小的颗粒以每平方毫米不多于5个颗粒的粒数存在于该涂层表面上。
优选地,该钇基喷涂涂层具有80-400μm的厚度。
典型地,将该钇基喷涂涂层喷涂到金属铝、氧化铝或金属硅的基材的表面上。
另一方面,本发明提供制备钇基喷涂涂层的方法,包括下述步骤:热喷涂颗粒喷涂材料以形成具有10-500μm的厚度的钇基喷涂涂层,该颗粒喷涂材料包括选自由氧化钇、氟化钇和氧氟化钇组成的组中的至少一种化合物;和用清洁液对该涂层的表面进行化学清洁直至具有300nm以下的大小的颗粒的粒数为每平方毫米的该涂层表面不多于5个颗粒,该清洁液为有机酸含水溶液、无机酸含水溶液或有机酸/无机酸含水溶液。
该清洁液优选为选自由单官能羧酸、二官能羧酸、三官能羧酸、羟基酸、磺酸、硝酸、硫酸、碳酸、氢氟酸、和酸式氟化铵或其混合物组成的组中的酸的含水溶液。典型地,该单官能羧酸为甲酸或乙酸,该二官能羧酸为马来酸、酒石酸或邻苯二甲酸,该三官能羧酸为柠檬酸,该羟基酸为乳酸,并且该磺酸为甲磺酸。
优选的实施方案中,该化学清洁步骤包括将该钇基喷涂涂层浸入该清洁液中以将该涂层从其表面溶解到至少0.01μm的深度,以由此将该涂层表面上的300nm以下的大小的颗粒除去。
本发明的有利效果
本发明的钇基喷涂涂层在腐蚀性卤素系气体等离子体气氛中处理过程中显示出高耐腐蚀性,并且防止起灰,该起灰是半导体器件制造工艺中蚀刻或类似处理过程中钇基颗粒剥落的结果,其对于改善半导体器件的制造产量有效。因此该钇基喷涂涂层适合用作暴露于腐蚀性等离子体气氛的部件和物品上的低起灰涂层。
附图说明
图1、2、3和4分别为实施例1、2、3和4中的钇基喷涂涂层的表面的SEM像。
图5和6分别为比较例1和2中的钇基喷涂涂层的表面的SEM像。
具体实施方式
通过将选自氧化钇、氟化钇和氧氟化钇中的一种或多种化合物热喷涂而形成本发明的钇基喷涂涂层。
对基材的热喷涂优选为大气等离子体喷涂或真空等离子体喷涂。在此使用的等离子体气体可以为氮/氢、氩/氢、氩/氦、氩/氮、氩单独、或氮气单独,但并不限于此。考虑半导体制造设备的部件或组件时,进行热喷涂的基材的实例包括,但并不限于,不锈钢、铝、镍、铬、锌、及其合金、金属硅、氧化铝、氮化铝、氮化硅、碳化硅、和石英玻璃的基材。对热喷涂氧化钇、氟化钇或氧氟化钇的条件并无特别限制。可取决于基材的种类、颗粒大小和喷涂材料的组成、以及得到的喷涂组件的具体用途来适当地确定热喷涂条件。
例如,在金属铝基材上形成氧化钇涂层时,可通过使用具有约20μm的平均粒径D50的氧化钇粉末和40L/min的氩和5L/min的氢的气体混合物的氩/氢大气等离子体喷涂来将其沉积。可取决于喷涂组件的具体用途来适当地确定热喷涂条件,该热喷涂条件包括喷射距离、电流值和电压值。同样,可适当地调节氩气和氢气的供给速率。
喷涂涂层,即钇基喷涂涂层应具有10-500μm的厚度。小于10μm厚的涂层可能耐腐蚀性较低或者在下述的清洁步骤中使基材表面部分地暴露。由于耐腐蚀性的进一步改善不可预期,因此大于500μm厚的涂层可能仅仅增加成本。该涂层的厚度优选为80-400μm,更优选为100-400μm,进一步优选为100-300μm。
根据本发明,然后用预选的清洁液对该钇基喷涂涂层的表面进行清洁以除去固定于表面的钇基颗粒直至该涂层表面上具有300nm以下的大小的钇基颗粒的粒数(或数目)成为不多于5个颗粒/平方毫米(mm2)。当然,最优选该涂层表面上具有300nm以下的大小的钇基颗粒的粒数为0。只要该粒数不多于5个颗粒/mm2,在半导体器件制造工艺中蚀刻处理过程中就不会发生导致生产产量显著损失的程度的起灰。本文中使用的钇基颗粒的“大小”是指在扫描电子显微镜(SEM)等下通过显微镜检查所测定的各个颗粒的最大直径。由图5和6的图像可以看到,在喷涂涂层表面上不存在或只存在少许大小超过300nm的颗粒。具有300nm以下的大小的颗粒的去除意味着基本上全部抑制颗粒的除去。
该清洁液为有机酸的含水溶液、无机酸的含水溶液或有机酸和无机酸混合的含水溶液。对该有机酸并无特别限制,只要其为水溶性。适合的有机酸包括,但并不限于,单官能羧酸例如甲酸和乙酸,二官能羧酸例如马来酸、酒石酸和邻苯二甲酸,三官能羧酸例如柠檬酸,羟基酸例如乳酸,和磺酸例如甲磺酸。其中,优选酒石酸和柠檬酸,原因在于它们可食用、无毒并且容易处理。对无机酸并无特别限制,只要其为水溶性。适合的无机酸包括硝酸、硫酸、碳酸、氢氟酸、和酸式氟化铵。
对清洁技术并无特别限制。优选地,将其表面上形成有钇基喷涂涂层的基材的形式的部件或组件全部浸入该清洁液中,原因在于该技术有效并且高效。对于容易在酸中溶解的金属铝和硅的那些基材,在将强酸用于清洁时,优选地用树脂带或树脂片将应避免被酸腐蚀的基材的区域掩蔽。将弱的有机酸,例如羧酸或羟基酸例如邻苯二甲酸、酒石酸或柠檬酸用于清洁时,可以没有掩蔽地进行清洁。对于那些耐酸性的石英玻璃或Al2O3陶瓷的基材,即使使用强酸溶液例如硝酸也可以没有掩蔽地进行清洁。一些情况下,可将基于酸和盐的组合的缓冲溶液用作清洁液。
用清洁液对钇基喷涂涂层进行化学清洁以从该涂层表面溶解薄层,以除去成为起灰源的具有300nm以下的大小的颗粒。溶解深度优选为距离最初涂层表面的至少0.01μm。尽管溶解深度的上限并不严格,但溶解深度优选为20μm以下。更优选地,该溶解深度为距离涂层表面的1-20μm。小于0.01μm的溶解深度可能不足以除去具有300nm以下的尺寸的颗粒并且无法达到不多于5个颗粒/mm2的粒数。超过20μm的溶解深度可能仅仅使涂层更薄而没有进一步改善颗粒的去除。
清洁后,用超纯水对该涂层进行冲洗以彻底地除去酸并且在真空中或在大气压下干燥。
在SEM下观察干涂层表面的二次电子像(放大倍率×10,000或更大)时,可检测到该涂层表面上具有300nm以下的大小的钇基颗粒。根据本发明,通过该清洁步骤将钇基颗粒从该涂层表面除去直至在表面上颗粒的粒数达到不多于5个颗粒/mm2
实施例
以下通过例示而非通过限制来给出实施例。
实施例1-4和比较例1和2
喷涂涂层的制备
通过将表1中所示的涂覆材料热喷涂到表1中所示的材料的基材的表面上,将该涂覆的基材浸入清洁液中以清洁该涂层表面,用超纯水充分地冲洗,并且真空干燥,从而得到钇基喷涂涂层,该清洁液为表1中所示的清洁剂的含水溶液。在SEM下观察这样得到的钇基涂层的表面,并且对该表面上具有300nm以下的大小的钇基颗粒进行检查和计数。将结果示于表1中并且将SEM像示于图1-6中。应指出地是,通过使用40L/min的氩和8L/min的氢的气体混合物的大气等离子体喷涂,形成了该钇基喷涂涂层。
表1
由表1和图1-6可以看到,实施例1-4中的钇基喷涂涂层在它们的表面上不带有颗粒,而大量的颗粒出现在省略了用酸的含水溶液或清洁剂清洁的比较例1和2中的钇基喷涂涂层上。容易推测这些颗粒在蚀刻处理过程中引起灰尘产生。使用其上沉积有实施例1-4的钇基喷涂涂层的部件或组件时,基本上防止起灰,该起灰是半导体器件制造工艺中蚀刻处理过程中钇基颗粒剥落的结果。这会最终改善半导体器件的制造产量。
通过引用将日本专利申请No.2015-151568并入本文中。
尽管已对一些优选的实施方案进行了说明,但根据上述教导可对其进行许多变形和改变。因此可理解,在不脱离所附权利要求的范围的情况下可在具体说明以外实施本发明。

Claims (3)

1.制备钇基喷涂涂层的方法,包括下述步骤:
向容易在酸中溶解的基材上喷涂喷涂材料以形成具有10-500μm的厚度的钇基喷涂涂层,其中,所述喷涂材料包括选自由氧化钇、氟化钇和氧氟化钇组成的组中的至少一种的颗粒,用有机酸含水溶液对所述钇基喷涂涂层的表面进行化学清洁直至每平方毫米的所述涂层表面具有300nm以下的大小的颗粒的粒数为不多于5个颗粒,
所述有机酸含水溶液为选自由单官能羧酸、二官能羧酸、三官能羧酸、羟基酸和磺酸组成的组中的一种的含水溶液或者两种以上的混合含水溶液。
2.根据权利要求1所述的制备钇基喷涂涂层的方法,其中,所述容易在酸中溶解的基材选自由不锈钢、铝、镍、铬、锌、及其合金、以及金属硅组成的组。
3.根据权利要求1或2所述的制备钇基喷涂涂层的方法,其中,所述单官能羧酸为甲酸或乙酸,所述二官能羧酸为马来酸、酒石酸或邻苯二甲酸,所述三官能羧酸为柠檬酸,所述羟基酸为乳酸,并且所述磺酸为甲磺酸。
CN202310896312.4A 2015-07-31 2016-07-29 钇基喷涂涂层和制造方法 Pending CN116695048A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015151568A JP6500681B2 (ja) 2015-07-31 2015-07-31 イットリウム系溶射皮膜、及びその製造方法
JP2015-151568 2015-07-31
CN201610616268.7A CN106399896A (zh) 2015-07-31 2016-07-29 钇基喷涂涂层和制造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610616268.7A Division CN106399896A (zh) 2015-07-31 2016-07-29 钇基喷涂涂层和制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116695048A true CN116695048A (zh) 2023-09-05

Family

ID=57886442

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610616268.7A Pending CN106399896A (zh) 2015-07-31 2016-07-29 钇基喷涂涂层和制造方法
CN202310896312.4A Pending CN116695048A (zh) 2015-07-31 2016-07-29 钇基喷涂涂层和制造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610616268.7A Pending CN106399896A (zh) 2015-07-31 2016-07-29 钇基喷涂涂层和制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US20170029628A1 (zh)
JP (1) JP6500681B2 (zh)
KR (4) KR20170015236A (zh)
CN (2) CN106399896A (zh)
TW (1) TWI687548B (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11572617B2 (en) 2016-05-03 2023-02-07 Applied Materials, Inc. Protective metal oxy-fluoride coatings
KR102536087B1 (ko) * 2017-03-01 2023-05-24 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 용사 피막, 용사용 분말, 용사용 분말의 제조 방법, 및 용사 피막의 제조 방법
US20180327892A1 (en) * 2017-05-10 2018-11-15 Applied Materials, Inc. Metal oxy-flouride films for chamber components
WO2019026818A1 (ja) 2017-07-31 2019-02-07 株式会社 東芝 部品および半導体製造装置
KR102027128B1 (ko) * 2017-08-11 2019-10-01 (주)단단 Yof계 분말의 제조방법
WO2019044850A1 (ja) 2017-09-01 2019-03-07 学校法人 芝浦工業大学 部品および半導体製造装置
KR102395660B1 (ko) 2017-12-19 2022-05-10 (주)코미코 용사 재료 및 그 용사 재료로 제조된 용사 피막
JP7286851B2 (ja) * 2018-04-20 2023-06-05 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置の運転方法およびプラズマ処理装置用部材
JP7147675B2 (ja) * 2018-05-18 2022-10-05 信越化学工業株式会社 溶射材料、及び溶射部材の製造方法
CN114250436B (zh) * 2020-09-25 2024-03-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 耐腐蚀涂层制备方法、半导体零部件和等离子体反应装置
KR102266658B1 (ko) * 2020-12-10 2021-06-18 주식회사 미코 용사용 이트륨계 과립 분말 및 이를 이용한 용사 피막
KR102266655B1 (ko) * 2020-12-10 2021-06-18 (주)코미코 이트륨계 과립 분말을 이용한 용사 피막의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 이트륨계 용사 피막
CN114649179A (zh) * 2020-12-18 2022-06-21 中微半导体设备(上海)股份有限公司 半导体零部件、等离子处理装置及耐腐蚀涂层的形成方法
CN112831744A (zh) * 2020-12-31 2021-05-25 沈阳富创精密设备股份有限公司 一种应用于半导体设备的陶瓷涂层的制备方法
JP7214935B1 (ja) * 2021-06-07 2023-01-30 株式会社新菱 イットリウム系薄膜の密着性を改善する方法
JP7358655B2 (ja) 2021-08-23 2023-10-10 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS523222B1 (zh) 1971-07-29 1977-01-26
JPS523222A (en) 1975-06-24 1977-01-11 Hiraki Takehara Sound adsorbing wall body
JPS636596A (ja) 1986-06-26 1988-01-12 富士通株式会社 マトリツクス表示パネルの駆動方法
US6071616A (en) * 1996-12-05 2000-06-06 Texas Instruments Incorporated Opaque low reflecting coating aperture on glass
JP3523222B2 (ja) 2000-07-31 2004-04-26 信越化学工業株式会社 溶射材料およびその製造方法
JP4006596B2 (ja) 2002-07-19 2007-11-14 信越化学工業株式会社 希土類酸化物溶射部材および溶射用粉
EP1524682B1 (en) * 2003-10-17 2011-10-05 Tosoh Corporation Component for vacuum apparatus, production method thereof and apparatus using the same
US7494723B2 (en) * 2005-07-29 2009-02-24 Tocalo Co., Ltd. Y2O3 spray-coated member and production method thereof
JP4643478B2 (ja) * 2006-03-20 2011-03-02 トーカロ株式会社 半導体加工装置用セラミック被覆部材の製造方法
JP5159204B2 (ja) 2006-10-31 2013-03-06 株式会社フジミインコーポレーテッド 溶射用粉末、溶射皮膜の形成方法、耐プラズマ性部材、及びプラズマ処理チャンバー
JP4952257B2 (ja) * 2007-01-11 2012-06-13 東ソー株式会社 半導体製造装置用部材の洗浄用組成物及びそれを用いた洗浄方法
US8114473B2 (en) * 2007-04-27 2012-02-14 Toto Ltd. Composite structure and production method thereof
JP4591722B2 (ja) * 2008-01-24 2010-12-01 信越化学工業株式会社 セラミックス溶射部材の製造方法
US20090214825A1 (en) 2008-02-26 2009-08-27 Applied Materials, Inc. Ceramic coating comprising yttrium which is resistant to a reducing plasma
CN102296263B (zh) * 2010-06-25 2013-04-24 中国科学院微电子研究所 等离子体刻蚀工艺腔室内表面的改性处理方法
JP5521184B2 (ja) * 2012-01-17 2014-06-11 トーカロ株式会社 フッ化物溶射皮膜被覆部材の製造方法
US8734907B2 (en) * 2012-02-02 2014-05-27 Sematech, Inc. Coating of shield surfaces in deposition systems
US20150140906A1 (en) * 2012-04-27 2015-05-21 Fujimi Incorporated Cleaning agent for alloy material, and method for producing alloy material
JP5939084B2 (ja) * 2012-08-22 2016-06-22 信越化学工業株式会社 希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料の製造方法
US20160254125A1 (en) * 2015-02-27 2016-09-01 Lam Research Corporation Method for coating surfaces

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210114371A (ko) 2021-09-23
JP2017031457A (ja) 2017-02-09
TW201718912A (zh) 2017-06-01
KR20230011461A (ko) 2023-01-20
US20240043983A1 (en) 2024-02-08
KR102602620B1 (ko) 2023-11-16
CN106399896A (zh) 2017-02-15
KR20210009410A (ko) 2021-01-26
KR20170015236A (ko) 2017-02-08
US20170029628A1 (en) 2017-02-02
JP6500681B2 (ja) 2019-04-17
TWI687548B (zh) 2020-03-11
US20170253955A1 (en) 2017-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102602620B1 (ko) 이트륨계 용사 피막 및 그의 제조 방법
CN107287545B (zh) 氟化钇喷涂涂层、用于其的喷涂材料以及包括喷涂涂层的抗腐蚀涂层
JP4985928B2 (ja) 多層コート耐食性部材
JP4813115B2 (ja) 半導体製造装置用部材及びその洗浄方法
KR101304082B1 (ko) 내식성 다층 부재
US9447365B2 (en) Enhanced cleaning process of chamber used plasma spray coating without damaging coating
US9999907B2 (en) Cleaning process that precipitates yttrium oxy-flouride
TWI580486B (zh) Treatment of contaminants in workpieces with yttrium oxide coating
JP2007530788A (ja) 半導体被覆基板の製造方法
KR101132084B1 (ko) 초저의 유전체 식각율을 갖는 세정 조성물
KR101043588B1 (ko) 내 플라즈마 세라믹 코팅막 형성방법
TWI700742B (zh) 用於塗敷石英表面的石英表面處理方法
JP2007009256A (ja) 希土類金属部材及びその製造方法
JP6583505B2 (ja) イットリウム系溶射皮膜の製造方法
JP3497846B2 (ja) セラミックス部材の洗浄方法
JP5365165B2 (ja) ウエハ
JP2007063070A (ja) 耐プラズマ性イットリア焼結体の製造方法
TWI676714B (zh) 清洗方法
JP2008153272A (ja) 半導体製造装置用部品の洗浄方法及び洗浄液組成物
TWI569894B (zh) Pollutant Treatment Method for Sprinkler with Silicon Carbide Coated
JP2009124129A (ja) ウエハ

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination