JP7358655B2 - プラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法 - Google Patents
プラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7358655B2 JP7358655B2 JP2022551293A JP2022551293A JP7358655B2 JP 7358655 B2 JP7358655 B2 JP 7358655B2 JP 2022551293 A JP2022551293 A JP 2022551293A JP 2022551293 A JP2022551293 A JP 2022551293A JP 7358655 B2 JP7358655 B2 JP 7358655B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- plasma
- plasma processing
- protective film
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 61
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 50
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims description 27
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 238000010828 elution Methods 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 16
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 21
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 13
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 6
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- CHBIYWIUHAZZNR-UHFFFAOYSA-N [Y].FOF Chemical compound [Y].FOF CHBIYWIUHAZZNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- -1 oxo yttrium Chemical compound 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229940105963 yttrium fluoride Drugs 0.000 description 1
- RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K yttrium(iii) fluoride Chemical compound F[Y](F)F RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
- H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/31—Processing objects on a macro-scale
- H01J2237/3151—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
本発明はプラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法に関するものである。
電子デバイスや磁気メモリの製造において、微細加工には、プラズマエッチングが適用されている。プラズマエッチングを行うプラズマ処理装置の処理室内壁はエッチングプロセス時に高周波プラズマとエッチングガスに曝されるため、内壁表面は耐プラズマ性に優れた皮膜を形成し保護している。
特許文献１（特開２００９－１７６７８７号公報）には、プラズマエッチング装置のアース部皮膜材料を、Ａｌ２Ｏ３、ＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３またはＹＦ３のいずれか一種類、もしくは２種類以上で構成することが記載されている。また、特許文献２（特開２０１７－３１４５７号公報）には、表面に溶射皮膜が製膜された基材を有機酸に浸漬する洗浄方法が記載されている。
耐プラズマ性を有する上記皮膜は、表面粗さ（Ｒａ）および気孔率を低く抑えることが求められているため、皮膜形成後にその表面を研磨するなどの後処理が行われる。しかし、後処理により、肉厚の薄い領域または静電気吸着した内壁材などを原因とする表面付着異物の放出により、エッチング対象に異物が付着し易くなる。そのため、後処理後の異物発生を低くする洗浄方法が必要となっている。
本発明の目的は、信頼性の高いプラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法を提供することにある。
その他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される実施の形態のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
代表的な実施の形態によるプラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法は、真空容器内部に配置された処理室内に載置された処理対象のウエハを当該処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置の処理室内部に配置された基材の表面に形成され、プラズマに対する耐性を有する材料を含むプラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法であって、（ａ）表面にイットリウムを含む皮膜を備えた基材を用意する工程、（ｂ）基材を希硝酸液に浸漬し、皮膜に対し超音波照射を行うことで洗浄を行う工程、を有し、（ｂ）工程では、洗浄中にイットリウムの溶出速度を検出し、超音波照射を開始してからのイットリウムの溶出速度が、順に第１減少、第１増加、第２減少を経た後であって、第２増加が起きる前に洗浄を停止するものである。
代表的な実施の形態によれば、信頼性の高いプラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法を提供することが可能となる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、実施の形態では、特に必要なときを除き、同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
＜改善の余地の詳細＞
電子デバイスなどの製造工程では、プラズマエッチングが適用される場合がある。プラズマエッチングに用いられるプラズマ処理装置の処理室は、真空容器内部に配置されるため、アルミニウム、ステンレス等の金属から構成されている。プラズマ処理装置の処理室内壁はエッチングプロセス時に高周波プラズマとエッチングガスに曝されるため、内壁表面には耐プラズマ性に優れた皮膜を形成し保護する。このような保護皮膜としては、酸化イットリウム製の皮膜が用いられることが考えられる。
電子デバイスなどの製造工程では、プラズマエッチングが適用される場合がある。プラズマエッチングに用いられるプラズマ処理装置の処理室は、真空容器内部に配置されるため、アルミニウム、ステンレス等の金属から構成されている。プラズマ処理装置の処理室内壁はエッチングプロセス時に高周波プラズマとエッチングガスに曝されるため、内壁表面には耐プラズマ性に優れた皮膜を形成し保護する。このような保護皮膜としては、酸化イットリウム製の皮膜が用いられることが考えられる。
処理室での異物発生は、エッチング対象への異物付着に起因した製造不良を引き起こし、歩留まりの低下の原因となる。このため、処理室での異物発生を抑制することが重要である。処理室内における異物発生は、内壁材の結晶サイズや相比率と相関がある。
酸化イットリウムを材料として含む上記皮膜は、例えば大気プラズマ溶射法などを用いて製膜される。大気プラズマ溶射法では、１０～６０μｍサイズの原料粉を輸送ガスと伴にプラズマ炎に導入し、溶融、半溶融状態になった原料粒子を基材表面に噴射して付着させて膜を形成する。一方で、このプラズマ溶射法は、表面凹凸が大きいこと、または膜の内部に多数の気孔が形成され、これらの気孔内部に進入した粒子が膜自体または他の部材と反応を生起して、膜を消耗または腐食を生起させる原因となるなどの課題がある。
このため、上記皮膜については、表面粗さ（Ｒａ）および気孔率を低く抑えることが求められている。そこで、皮膜形成後には、研磨などによる後処理が行われる。しかし、この後処理により、皮膜の肉厚の薄い領域または皮膜に静電気吸着した内壁材などを原因とする表面付着異物がプラズマエッチング装置の稼働初期に放出される場合がある。そのため、後処理後の異物発生を低くする洗浄方法と、後処理の良否の検査方法が必要となっている。
大気プラズマ溶射法は、製膜時に空気を巻き込んだり、急冷による割れが発生する製膜方法である。このため、皮膜の表面は、これら原因とする表面凹凸および埋もれた気孔（空隙）を含んでいる。すなわち、皮膜の表面には周囲より密着性の弱い部分が生じる。また、凹凸低減を目的として上記研磨処理を行うと、埋もれた気孔が開口して肉厚が薄い部分が生じる場合、または、研磨で除去された皮膜材が静電気で表面に再付着する場合がある。そのため皮膜は、これらを原因とする初期異物が発生し易い表面状態になっている。
また、後処理の良否の検査方法の１つとしては、処理室の内壁を構成する部材の表面の皮膜に対しては、その膜の形成後あるいは後処理後の当該皮膜の気孔率、表面粗さ（Ｒａ）、結晶子のサイズ、相比率等の値を検出し、これらを予め定められた仕様の許容範囲と比較して評価する方法がある。
しかし、上記検査方法は、皮膜を形成後にその気孔率、表面粗さ（Ｒａ～算術平均粗さ）、結晶子サイズ、相比率等の膜の特性について所定の許容範囲と比較し評価することは行われず、例えば、当該部材の検査は外観の検査のみに留まる。また、内壁を構成する部材の表面に形成された皮膜が部材個々の配置された箇所において、所期の特性および性能（気孔率、表面粗さ、残留応力、結晶子サイズ、相比率など）を有しているか否かは判明しない。そのため、上記検査を行うのみでは、洗浄工程の信頼性を高めることは困難である。
また、後処理の良否を調べる他の検査方法としては、処理室の内部の部材からその一部を切り出して検査を行う方法がある。しかし、この検査方法では、検査を行う対象の部材の一部分を部材から切断した後に当該部分を洗浄するなどの作業が必要となる。このため、検査の対象となる部分の皮膜は、同じ種類の他の部材のものとは同じ過程で形成されたものではなくなる。さらに、切断する工程において検査の対象となる皮膜の表面に異物が発生し、検査の精度が損なわれる虞がある。
また、後処理の良否を調べる他の検査方法としては、ある種類の部材複数の表面に溶射により皮膜が形成される場合に、任意の１個の部材と他の部材とでできるだけ同じ性能または形状等特性を有した皮膜が形成されるされるように、部材の一部を切り出して検査に用いたり、複数個製作する製品の１個を検査に用いる方法がある。しかし、この検査方法では、部材の寸法が大きいと、部材の単価が大きくなり、検査の実施のためにプラズマ処理装置の製造コストが増大する。
以上のように、上記技術では、プラズマ処理装置の信頼性や処理の歩留まりが損なわれており、また、製造のコストの増大の原因となっていた。
このため、プラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄工程については、当該洗浄工程を含む後処理後の異物発生を抑制することよる洗浄方法の信頼性の向上という改善の余地がある。
（実施の形態）
本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置の構成を、図１および図２を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。本図に示すプラズマ処理装置は、真空容器内部の処理室内にプラズマを形成して当該処理室内に配置された半導体ウエハなどの試料の表面に予め形成されたマスク層およびその下方の処理対象の膜層とを有する膜構造をプラズマを用いてエッチング処理するプラズマエッチング装置である。
本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置の構成を、図１および図２を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。本図に示すプラズマ処理装置は、真空容器内部の処理室内にプラズマを形成して当該処理室内に配置された半導体ウエハなどの試料の表面に予め形成されたマスク層およびその下方の処理対象の膜層とを有する膜構造をプラズマを用いてエッチング処理するプラズマエッチング装置である。
図１に示す実施の形態のプラズマ処理装置１００は、一部が円筒形を有する金属製の真空容器１を有している。また、プラズマ処理装置１００は、真空容器１の上部に配置され真空容器１内部の減圧された空間にプラズマを形成するための電界または磁界を生起する生成器を有し生起された電界または磁界を内部空間に供給するプラズマ形成部を有している。また、プラズマ処理装置１００は、真空容器１下部に配置されて真空容器１と接続され真空容器１内部の空間を排気して減圧する真空ポンプを有する排気部を有している。真空容器１は、その外側の側壁が別の真空容器１であって処理対象の試料であるウエハが減圧された内部の搬送用の空間で搬送される搬送容器と連結される。真空容器１の側壁には当該側壁を水平方向に貫通して真空容器１内部と外部とを連通する通路であってウエハが内側を通り搬送されるゲートが備えられている。当該ゲートの外側の開口部の外周を囲む真空容器１の側壁の箇所において、搬送容器が連結されて真空容器１の内部の空間と搬送容器内部の空間とが連通可能に構成される。
真空容器１は内部に処理対象の試料が配置されプラズマが形成される空間である処理室７を有している。処理室７は上部に配置され円筒形を有してプラズマ１５が形成される放電部を有し、放電部と連通された下部の空間内には円筒形を有した試料台であるステージ６が配置されている。ステージ６には、被処理基板となるウエハ４が載置される面である円形の上面を有している。また、ステージ６は、その内部にウエハ４を加熱するヒータと冷却する冷媒が内部を通流する冷媒流路が配置されると共に、ステージ６の円形の上面と当該上面に載せられたウエハ４の裏面との間に伝熱ガスであるヘリウム（Ｈｅ）ガスを供給するための管路を備えている。
さらに、ステージ６の内部には金属製の電極が配置されて、プラズマ１５を用いたウエハ４の処理中にウエハ４上に電位を形成するための高周波電力を当該電極に供給する高周波電源１４がインピーダンス整合器１３を介して電気的に接続されている。プラズマ１５の形成中に高周波電力によりウエハ４上に形成されるバイアス電位とプラズマとの電位差によりウエハ４の表面にウエハ４内部のイオン等荷電粒子が誘引されエッチング処理が促進される。
ウエハ４は搬送容器内部の搬送用の空間内に配置されたロボットアーム等の搬送装置（図示しない）のアームの先端部に載せられて処理室７に搬送された後、ステージ６上に載置される。ステージ６に載置されたウエハ４は、静電吸着用の電極に直流電圧が印加されることによって生起された静電気力により誘電体製の皮膜上面に吸着されて保持される。
真空容器１の放電部を囲む円筒形の側壁部材の上端部の上方には、円板形状を有したシャワープレート２および窓部材３がリング状の部材を挟んで載せられている。窓部材３は放電部外周の側壁部材４１と共に真空容器１を構成する。窓部材３の外周縁部の下面と側壁部材の上端部上面とこれらの間に配置されたリング状部材同士の間には、Ｏリング等のシール部材が挟まれてこれらの部材が接続されて、真空容器１内部の処理室７と外部の大気圧の雰囲気との間が気密に区画される。
窓部材３は、後述のように、プラズマ１５を形成するためのマイクロ波の電界が透過するセラミクス（本実施の形態では石英）から構成された円板状の部材で、その下方には所定の大きさの間隙８をあけて、複数の貫通穴９が中央部に備えられたシャワープレート２が配置されている。シャワープレート２は処理室７の内部に面してその天井面を構成し、ガス流量制御手段（図示しない）で流量が所定の値に調節された処理ガスが間隙８内部に導入され、間隙８内で拡散した後貫通孔を通して処理室７内部に上方から導入される。なお、処理ガスは、リング状部材に接続された処理ガス供給配管５０上に配置されたバルブ５１が開いて間隙８に導入される。
また、真空容器１の底部には処理室７内部と外部とを連通して、処理室７内部のプラズマ１５やウエハ４の処理中に生成された生成物、処理ガスの粒子が排出される通路が備えられている。当該通路の処理室７内側の円形の開口は排気口として上方に配置されたステージ６の直下方で中心軸同士が上方から見て同じと見なせる位置に配置されている。真空容器１の底面には、排気部の真空ポンプを構成するターボ分子ポンプ１２およびターボ分子ポンプ１２の下流側に配置されたドライポンプ１１が連結されている。さらに、ターボ分子ポンプ１２の入り口は排気口と排気配管で接続されている。
ターボ分子ポンプ１２とドライポンプ１１との間を連結する排気配管上にはバルブ１８が配置され、バルブ１８とドライポンプ１１との間の排気配管の箇所には、真空容器１の底面に接続されて処理室７の底部と連通された別の排気配管１０が接続されている。この別の排気配管１０はその途中に２つの管路に分岐した後再度１つに合流するように接続され、分岐部の各々上にはバルブ１７、１９が配置されている。バルブ１７とバルブ１９のうち、バルブ１７は、処理室７を大気圧から真空にドライポンプ１１でゆっくり排気するためのスロー排気用のバルブであり、バルブ１９は、ドライポンプ１１で高速に排気するためのメイン排気用のバルブである。
処理室７には、その内部の圧力を検出するための圧力センサ７５が備えられている。本実施の形態の排気口の上方であってステージ６の底面との間の処理室７の下部の空間には、この空間内で上下方向に移動して排気口を開閉すると共に排気口の開口面積を増減させ排気の流量またはその速度を調節する円板形状を有した圧力調整板１６が配置されている。処理室７内の圧力は、シャワープレート２の貫通孔であるガス導入口を通して処理室７内に導入される処理ガスあるいは他のガスと排気口からの排気との流量または速度のバランスにより増減される。例えば、処理室７内にシャワープレート２からガスが流量または速度をウエハ４の処理の条件に応じた所定の値にされて導入されつつ、圧力調整板１６が上下方向の位置を調整されることで当該処理の条件に応じた処理室７の圧力が実現されるように排気の流量または速度が調節される。
真空容器１上部の処理室７の放電部外周を囲む金属製の側壁および窓部材３の上方と外周側の箇所にはプラズマ形成部が配置されている。プラズマ形成部は、プラズマ１５を形成するためのマイクロ波の電界を出力するマグネトロン発振器２０と、マイクロ波を処理室７まで伝搬させるための導波管２１とを有している。導波管２１は、水平方向（図上左右方向）に延在して断面が矩形または方形を有した方形部と、方形部の一端部に接続され上下方向に延在する円筒形状を有した円形部とを有し、方形部の他端部にはマグネトロン発振器２０が配置されている。
円形部の下端は、窓部材３の上方に配置され円形部の直径より大きい窓部材３と同じと見做せる程度の近似した大きさの直径を有した円筒形の空洞部の上端と接続されている。さらに、空洞部の上方とその外周側および放電部を囲む真空容器１の側壁の外周側で処理室７の放電部を囲む箇所には、直流電力が供給され磁界を発生する手段であるリング状のソレノイドコイル２２、２３が備えられている。
処理室７の側壁部材４１の内側の壁面は放電部内に形成されるプラズマ１５に曝される面であるが、プラズマ１５の電位を安定させるために処理室７内にアースとして機能する部品を有する必要がある。本実施の形態では、放電部内にアースとして機能するリング状のアース電極４０がステージ６の上方でステージ６上面を囲んで配置されている。アース電極４０は、ステンレス合金またはアルミニウム合金などの金属製の部材を母材として構成されている。アース電極４０は、プラズマ１５に曝されるため、プラズマ１５内の反応性または腐食性の高い粒子との相互作用を受けて、生成した生成物による腐食、金属汚染または異物の発生源となる虞が高い。
そのため、このような問題を抑制するため、図１の左下部分に拡大して示される断面図に模式的に示されるように、本実施の形態のアース電極４０の表面には耐プラズマ性の高い材料から成る皮膜４２が、アース電極４０の表面を覆って配置されている。皮膜４２が当該表面を覆うことによって、アース電極４０は、アースとして機能を維持しつつプラズマによるアース電極４０への腐食等のダメージを抑制することができる。なお、皮膜４２は積層膜でもよい。
一方、本実施の形態の真空容器１の放電部を囲む側壁部材４１は、ステンレス合金またはアルミニウム合金等の金属製の基材から構成されているものの、アースとしての機能を有さない。側壁部材４１がプラズマ１５に曝されることにより腐食や金属汚染、異物が発生することを抑制するため、側壁部材４１の内側表面には不動態化処理、溶射、ＰＶＤまたはＣＶＤなどの表面処理が施されている。また、側壁部材４１の基材が直接にプラズマ１５に曝されることを防止するため、以下のようなセラミクス製の部品が形成されていてもよい。すなわち、円筒形状を有した側壁部材４１の内側側壁面と処理室７の放電部との間に、リング状または円筒形状を有した例えば酸化イットリウムや石英等のセラミクス製の部品が、内側側壁面に沿って当該内側壁面をプラズマ１５に対して覆うように配置されていてもよい。側壁部材４１とプラズマ１５との間の当該部品によって、側壁部材４１とプラズマ１５との接触が阻害され、プラズマ１５による表面処理された側壁部材４１の消耗が抑制される。
図２は、図１に示すアース電極を構成する部品の構成の概略を模式的に示す斜視図である。図２では、図１に示すリング状あるいは円筒形状を有するアース電極４０を斜め下側の箇所から上側に向けて見た場合の図を示している。
本図に示すように、アース電極４０は全体が所定の厚さを有した円筒形を備え、上下方向の中心軸周りに各々同じ値の内径を有する内側側壁と外側側壁とを有している。さらに、アース電極４０は円筒形の主側壁部分と主側壁部分の上端からさらに上方に配置されたリング形状の電極部とを備えており、電極部の外周壁面は上下方向の中心軸からの半径位置が下方の主側壁部分より小さくされている。円筒形の主側壁部分の上下方向の中段部分には、ゲート４９を構成する貫通孔の矩形状の開口部４３が配置されている。
アース電極４０が処理室７内部に取り付けられた状態で、アース電極４０は、内側側壁と処理室７との間に配置される。アース電極４０は、下部がステージ６の外周側でこれを囲む真空容器１の側壁部材４１の内側壁面をプラズマ１５に対して覆い、上部が放電部を囲む側壁部材４１の内側に配置されて当該側壁部材４１の内側壁面をプラズマ１５に対して覆うだけの上下方向の長さを有している。この形状により、側壁部材４１をプラズマ１５の相互作用から保護する。
＜プラズマ処理装置用保護皮膜の形成方法および洗浄方法＞
次に、本実施の形態に関し、皮膜（溶射皮膜）の形成から、皮膜形成後の後処理を行う工程について、図３～図５を用いて説明する。
次に、本実施の形態に関し、皮膜（溶射皮膜）の形成から、皮膜形成後の後処理を行う工程について、図３～図５を用いて説明する。
図３のフローでは、プラズマ処理装置用のアース電極を保護する耐プラズマ性の皮膜の形成工程（従来技術１）と、当該皮膜の形成後に行う第１後処理（従来技術２）と、第２後処理（本実施の形態の実施例）とを行う手順を示すものである。
ここでは、まず、アース電極を用意し、アース電極の表面の脱脂処理を行う（ステップＳ１）。ここで用意し、脱脂処理するアース電極は、図１のプラズマ処理装置１００に組み込まれる前の単体の電極である。
次に、アース電極の表面に対し、皮膜形成の前処理としてサンドブラスト処理を行う（ステップＳ２）。ここでは、アース電極に対して研磨材（粒子）の吹き付けを行う。これにより、アース電極の表面の清浄化および粗面化を行うことで、後に形成する皮膜の密着性を向上させる。次に、アース電極の表面の脱脂処理を行う（ステップＳ３）。
次に、アース電極の表面に、大気プラズマ溶射（ＡＰＳ：Atmospheric Plasma Spraying）法により皮膜を形成する（ステップＳ４）。ここでは、ＹＦ３（フッ化イットリウム）から成る皮膜を形成する。皮膜の材料は、その他に、ＹＯＦ（オキソフッ化イットリウム）、Ｙ２Ｏ３（オキソイットリウム）またはＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）を用いてもよい。大気プラズマ溶射法は大気圧にされた雰囲気中において皮膜を対象物の表面に溶射により形成する方法であり、大気中に形成したプラズマで原料粉を溶融させて溶融または半溶融状態の原料を対象物表面に吹き付けて積層させ皮膜を形成する。ここまでのステップＳ１～Ｓ４の工程を、従来技術１とする。
次に、皮膜が形成されたアース電極を純水中に浸漬し、超音波洗浄を行う（ステップＳ５）。次に、アース電極に対し薬液処理を行い（ステップＳ６）、その後、再度アース電極を純水中に浸漬して超音波洗浄を行う（ステップＳ７）。次に、アース電極に対し研磨処理を行い（ステップＳ８）、その後、再度アース電極を純水中に浸漬して超音波洗浄を行う（ステップＳ９）。ここまでのステップＳ５～Ｓ９の工程（第１後処理）を、従来技術２とする。
次に、皮膜を備えたアース電極を希硝酸中に浸漬し、これに対し超音波照射を行う（ステップＳ１０）。次に、アース電極に対し純水洗浄を行う（ステップＳ１１）。ここまでのステップＳ１０、Ｓ１１の工程（第２後処理）を、本実施の形態の実施例とする。以上により、皮膜の形成と後処理（第１後処理および第２後処理）とを終了する。この後、アース電極４０は、図１に示すプラズマ処理装置１００に組み込まれる。
本実施の形態では、従来行っていた皮膜形成工程（ステップＳ１～Ｓ４）および第１後処理（ステップＳ５～Ｓ９）に加えて、希硝酸中における超音波洗浄（ステップＳ１０）を、以下に説明する条件で行うことを主な特徴とするものである。すなわち、本実施の形態は、希硝酸中で超音波照射を行う洗浄により、周囲との結合が弱い部分を酸溶解と超音波振動により除去することに主な特徴がある。
図４に示すように、第１後処理を終えた後（ステップＳ９の直後）において、皮膜４２の表面は、凹凸、気孔および表面付着異物を有する状態となっている。表面付着異物としては、具体的には、皮膜４２の表面において、皮膜４２との間に水により吸着している水吸着物４３ａがある。また、表面付着異物としては、皮膜４２の表面に対し静電吸着している静電吸着物４３ｂがある。また、表面付着異物としては、皮膜４２の表面の凹凸により応力固定された応力固定物４３ｃがある。これらの表面付着異物の多くは、第１後処理の研磨工程などで皮膜４２から分離した異物であり、それらの材料は皮膜４２の材料と同じである。
また、狭弱部４２ａは、皮膜４２の一部であるが、厚さが小さい部分であるために周囲との結合が弱い部分である。狭弱部４２ａが折れたり溶解することで、表面異物が発生する。本実施の形態の希硝酸中での超音波洗浄（ステップＳ１０）は、これらの表面付着異物と狭弱部４２ａを除去することで、後処理の後に皮膜の表面状態に起因して異物が発生することを防ぐものである。
しかし、希硝酸中での超音波洗浄を長時間行うと、洗浄開始時には表面に露出してない内部の気孔４２ｃが、当該洗浄により開口され、表面積が増加する。すなわち、皮膜４２の表面近傍の皮膜４２内には、気孔４２ｃが多数形成されている。皮膜４２の表面に特に近い気孔４２ｃと当該表面との間には、皮膜４２の一部であって厚さの小さい薄部４２ｂが存在する。このような薄部４２ｂが長時間の希硝酸超音波洗浄により溶解すると、薄部４２ｂが形成されていた箇所が開口部となり、気孔４２ｃが解放される。その結果、皮膜４２の表面積が増加する。
希硝酸超音波洗浄の時間とイットリウムの溶出速度について、図５に示す。ここでいう溶出速度は、該当時間の前の測定点（マーカ）から該当時間までに溶出したイットリウムの単位時間当たりの溶出量（重さ）である。図５に示すグラフのうち、本実施の形態の実施例は、黒い四角のプロットから成るグラフであり、ここでは当該グラフに関し説明する。なお、図５に示す各グラフは、複数のプロットを所定の時間毎に平均化したものである。
図５に示すように、希硝酸超音波洗浄を開始すると、まず、第１局面１Ａとして、イットリウムの溶出速度が大きく減少する。この第１局面１Ａでは、図４に示す水吸着物４３ａと静電吸着物４３ｂとが皮膜４２の表面から溶出、分離されるのであり、それらの除去によりイットリウムの溶出速度が大きく減少している。
希硝酸超音波洗浄の開始から１０分前後の第２局面１Ｂでは、減少していたイットリウムの溶出速度が一旦増加し、その後減少する。第２局面１Ｂでは、図４に示す残りの静電吸着物４３ｂと、応力固定物４３ｃが溶出、分離される。さらに、第２局面１Ｂでは、挟弱部４２ａが溶出し、これに伴い挟弱部４２ａに接続されていた先端部が皮膜４２から分離して溶出する。このため、第２局面１Ｂでは、減少していたイットリウムの溶出速度が一旦増加する。その後は、表面付着異物および挟弱部４２ａの溶出などによる減少により、溶出速度は減少する。
ここで、さらに希硝酸超音波洗浄を続けると、希硝酸超音波洗浄の開始から６０分を経過した頃から、イットリウムの溶出速度が大きく増加する第３局面１Ｃに入る。第３局面１Ｃでは、その直前に比べて、イットリウムの溶出速度が１．５倍以上に増加する。これは、図４に示す薄部４２ｂが溶出して気孔４２ｃが解放されることで皮膜４２の表面積が増加することに起因している。このように皮膜４２の表面積が増加した状態でステップＳ１１の純水洗浄を行い、プラズマ処理装置に組み込んだアース電極は、皮膜４２から異物が放出され易い状態にある。すなわち、希硝酸超音波洗浄を行う時間を規定せずに長時間希硝酸超音波洗浄を行うと、後処理を行ったにも関わらず、異物の発生を効果的に抑制できないことが考えられる。したがって、希硝酸超音波洗浄は、第３局面１Ｃにおける溶出速度の増加が始まる前に停止する必要がある。
そこで、本実施の形態の形態の主な特徴として、ステップＳ１０における希硝酸超音波洗浄工程では、洗浄対象であるアース電極を希硝酸液に浸漬し、超音波照射を開始してイットリウムの溶出速度（溶出量）が、減少（第１局面１Ａ）した後、再度増加して再度減少（第２局面１Ｂ）した後、再度増加（第３局面１Ｃ）が起きる前に、洗浄を停止する。言い換えれば、当該洗浄工程では、洗浄中にイットリウムの溶出速度を検出し、超音波照射を開始してからのイットリウムの溶出速度が、順に第１減少、第１増加、第２減少を経た後であって、第２増加が起きる前に洗浄を停止する。例えば、本実施の形態では、超音波照射を開始してから１０分または２０分経過後であって、６０分が経過するまでに洗浄を停止する。
これにより、皮膜製膜後の後処理で発生した内壁材表面の異物源を除去し、かつ、気孔４２ｃの露出を抑制した状態で後処理を終了することができる。すなわち、皮膜４２の表面積が過剰に増加することを防げるため、アース電極をプラズマ処理装置に組み込んだ後に皮膜４２の表面状態に起因する異物発生を抑制できる。この結果、プラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法の信頼性を高めることができる。
また、第１局面１Ａと第２局面１Ｂのそれぞれのイットリウムの溶出速度（溶出量）を求め、付着異物指標とすることで、洗浄の検査指標として利用できる。つまり、それらの溶出速度は、洗浄が所望のタイミングで終了しているかどうか、または、洗浄を終了すべきタイミングがいつであるかの判定基準となる。これにより、皮膜４２の品質を管理することができる。このような洗浄を行ったアース電極を用いることで、プラズマ処理装置の処理室内の異物の発生を抑制し、ウエハの処理の歩留まりを向上することができる。以上より、上記した改善の余地を解消できる。
ここで、上述した希硝酸超音波洗浄で用いる希硝酸の濃度について説明する。図５において、本実施の形態の実施例は、黒い四角のプロットにより示されている。ここでは、希硝酸の濃度は中程度（０．００１ｍｏｌ／リットル以上、０．０５ｍｏｌ／リットル以下）に設定されている。また、黒い丸のプロットから成るグラフは、希硝酸の濃度が０．０５ｍｏｌ／リットルより高く設定された比較例のグラフである。また、黒い三角のプロットから成るグラフは、希硝酸の濃度が０．００１ｍｏｌ／リットルより低く設定された比較例のグラフである。また、白い丸のプロットから成るグラフは、希硝酸ではなく純水に対象物を浸漬して超音波洗浄した場合の比較例のグラフである。
純水での超音波洗浄（白い丸のグラフ）で示すように、希硝酸を用いずとも、第１局面１Ａでは溶出速度が大きく低下し、第３局面１Ｃでは物理破壊により気孔４２ｃは露出するため、イットリウムの溶出速度は増加する。また、希硝酸濃度が高い場合（黒い丸のグラフ）、本実施の形態の実施例の第２局面１Ｂで確認できた溶出速度の増加が、第１局面１Ａ側に近いタイミングで発生するため、最初の溶出速度の増加を確認することが困難となる。その場合、最初の溶出速度の増加の後、再増加の前に洗浄を停止するという本実施の形態の希硝酸超音波洗浄を行うことが困難となる。したがって、第１局面１Ａと第２局面１Ｂとを分離するために、希硝酸濃度は０．０５ｍｏｌ／リットル以下である必要がある。
また希硝酸濃度が低い場合（黒い三角のグラフ）、本実施の形態の実施例の第２局面１Ｂで確認できた溶出速度の増加が生じる前に、第３局面１Ｃでの増加を起きる。つまり、超音波による物理破壊だけで第３局面１Ｃ（照射上限）に達しする。このため、最初の溶出速度の増加の後、再増加の前に洗浄を停止するという本実施の形態の希硝酸超音波洗浄を行うことが困難となる。さらに、第２局面１Ｂにおける狭弱部４２ａおよび応力固定物４３ｃの除去ができないため、十分な洗浄を行えない。したがって、希硝酸濃度は、０．００１ｍｏｌ／リットル以上とする必要がある。
図６の表に、本発明者らが行った実験の結果を示す。図６の表には、図１に示すプラズマ処理装置１００を用いてプラズマエッチングを行った場合に、ウエハの表面に落ちる異物物の個数を示している。従来技術１（後処理なし）の場合、つまり、図３のステップＳ４でアース電極および皮膜の準備工程を終了し、第１後処理および第２後処理を行わない場合には、異物量は１００を超える。また、第１後処理を行う従来技術２の場合、つまり、図３のステップＳ９で後処理を終了する場合には、異物量は５．６７であった。
これに対し、第１後処理に続いて第２後処理を行った本実施の形態の実施例の場合、つまり、図３のステップＳ１１で後処理を終了した場合には、異物量は３．７６であった。このように、希硝酸超中で超音波照射を開始し、イットリウムの溶出速度が、減少した後、再度増加してから再度減少した後、再度増加が起きる前に洗浄を停止する後処理を行う本実施の形態では、異物源を効果的に除去できる。
以上、本発明者らによってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
本発明は、プラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法に幅広く利用することができる。
１ 真空容器
４ ウエハ
１５ プラズマ
４０ アース電極
４１ 側壁部材
４２ 皮膜
４２ａ 狭弱部
４２ｂ 薄部
４２ｃ 気孔
４３ａ 水吸着物
４３ｂ 静電吸着物
４３ｃ 応力固定物
１００ プラズマ処理装置
４ ウエハ
１５ プラズマ
４０ アース電極
４１ 側壁部材
４２ 皮膜
４２ａ 狭弱部
４２ｂ 薄部
４２ｃ 気孔
４３ａ 水吸着物
４３ｂ 静電吸着物
４３ｃ 応力固定物
１００ プラズマ処理装置
Claims (6)
- 真空容器内部に配置された処理室内に載置された処理対象のウエハを当該処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置の処理室内部に配置された基材の表面に形成され、前記プラズマに対する耐性を有する材料を含むプラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法であって、
（ａ）表面にイットリウムを含むプラズマ処理装置用保護皮膜を備えた前記基材を用意する工程、
（ｂ）前記基材を希硝酸液に浸漬し、前記プラズマ処理装置用保護皮膜に対し超音波照射を行うことで洗浄を行う工程、
を有し、
前記（ｂ）工程では、前記超音波照射を開始してからのイットリウムの溶出速度が、順に第１減少、第１増加、第２減少を経た後であって、第２増加が起きる前に洗浄を停止する、プラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法。 - 請求項１記載のプラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法において、
前記希硝酸液の希硝酸濃度は、０．０５ｍｏｌ／リットル以下である、プラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法。 - 請求項１記載のプラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法において、
前記希硝酸液の希硝酸濃度は、０．００１ｍｏｌ／リットル以上である、プラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法。 - 請求項１記載のプラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法において、
前記希硝酸液の希硝酸濃度は、０．００１ｍｏｌ／リットル以上、０．０５ｍｏｌ／リットル以下である、プラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法。 - 請求項１記載のプラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法において、
前記（ｂ）工程では、前記超音波照射を開始してから６０分経過前に洗浄を停止する、プラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法。 - 請求項５記載のプラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法において、
前記（ｂ）工程では、前記超音波照射を開始してから１０分経過後に洗浄を停止する、プラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2021/030850 WO2023026331A1 (ja) | 2021-08-23 | 2021-08-23 | プラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2023026331A1 JPWO2023026331A1 (ja) | 2023-03-02 |
| JPWO2023026331A5 JPWO2023026331A5 (ja) | 2023-08-02 |
| JP7358655B2 true JP7358655B2 (ja) | 2023-10-10 |
Family
ID=85321630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022551293A Active JP7358655B2 (ja) | 2021-08-23 | 2021-08-23 | プラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240203708A1 (ja) |
| JP (1) | JP7358655B2 (ja) |
| KR (1) | KR20230031187A (ja) |
| CN (1) | CN116018669A (ja) |
| WO (1) | WO2023026331A1 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007007782A1 (ja) | 2005-07-14 | 2007-01-18 | Tohoku University | 多層構造体及びその洗浄方法 |
| JP2009174000A (ja) | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | セラミックス溶射部材及びその製造方法ならびにセラミックス溶射部材用研磨メディア |
| JP2019519091A (ja) | 2016-04-01 | 2019-07-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | オキシフッ化物を沈殿させるクリーニングプロセス |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009176787A (ja) | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Hitachi High-Technologies Corp | エッチング処理装置及びエッチング処理室用部材 |
| JP6500681B2 (ja) * | 2015-07-31 | 2019-04-17 | 信越化学工業株式会社 | イットリウム系溶射皮膜、及びその製造方法 |
-
2021
- 2021-08-23 WO PCT/JP2021/030850 patent/WO2023026331A1/ja active Application Filing
- 2021-08-23 JP JP2022551293A patent/JP7358655B2/ja active Active
- 2021-08-23 CN CN202180017270.1A patent/CN116018669A/zh active Pending
- 2021-08-23 US US17/802,639 patent/US20240203708A1/en active Pending
- 2021-08-23 KR KR1020227029775A patent/KR20230031187A/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007007782A1 (ja) | 2005-07-14 | 2007-01-18 | Tohoku University | 多層構造体及びその洗浄方法 |
| JP2009174000A (ja) | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | セラミックス溶射部材及びその製造方法ならびにセラミックス溶射部材用研磨メディア |
| JP2019519091A (ja) | 2016-04-01 | 2019-07-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | オキシフッ化物を沈殿させるクリーニングプロセス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240203708A1 (en) | 2024-06-20 |
| WO2023026331A1 (ja) | 2023-03-02 |
| JPWO2023026331A1 (ja) | 2023-03-02 |
| KR20230031187A (ko) | 2023-03-07 |
| CN116018669A (zh) | 2023-04-25 |
| TW202309976A (zh) | 2023-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI778245B (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理裝置用構件、和電漿處理裝置之製造方法及電漿處理裝置用構件之製造方法 | |
| JP4856978B2 (ja) | プラズマエッチング装置及び処理室の内壁の形成方法 | |
| TWI763755B (zh) | 氣體供給裝置、電漿處理裝置及氣體供給裝置之製造方法 | |
| US20080314321A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JPWO2002048421A1 (ja) | プラズマ処理容器の再生方法，プラズマ処理容器内部材，プラズマ処理容器内部材の製造方法，及びプラズマ処理装置 | |
| JP7358655B2 (ja) | プラズマ処理装置用保護皮膜の洗浄方法 | |
| TWI849469B (zh) | 電漿處理裝置用保護皮膜之洗淨方法 | |
| US20190341230A1 (en) | Ceramic liner with integrated faraday shielding | |
| JP6397680B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の運転方法 | |
| JP2015141956A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| WO2022009340A1 (ja) | プラズマ処理装置のカバー部材、プラズマ処理および被膜の製造方法 | |
| TWI816448B (zh) | 內壁構件的再生方法 | |
| TWI757852B (zh) | 電漿處理裝置之零件的製造方法及零件之檢查方法 | |
| KR100819530B1 (ko) | 플라즈마 에칭장치 및 플라즈마 처리실 내 부재의 형성방법 | |
| TWI830599B (zh) | 內壁構件的再生方法 | |
| US20170032988A1 (en) | Plasma treatment apparatus | |
| JP7286851B2 (ja) | プラズマ処理装置の運転方法およびプラズマ処理装置用部材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A527 Effective date: 20220825 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220825 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230829 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230927 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7358655 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |