CN116598267A - 结型场效应晶体管 - Google Patents
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 32
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3192—Multilayer coating
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- B08B17/02—Preventing deposition of fouling or of dust
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B17/00—Insulators or insulating bodies characterised by their form
- H01B17/56—Insulating bodies
- H01B17/60—Composite insulating bodies
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明涉及结型场效应晶体管技术领域，提供结型场效应晶体管，包括晶体管主体、防尘套和固定座，所述晶体管主体的两端均设置有金属条，所述晶体管主体的顶部设置有绝缘结构，所述绝缘结构包括第一包裹层、泡沫层以及第二包裹层，所述第一包裹层设置于晶体管主体的顶端，所述晶体管主体两侧的顶部均固定有固定座。本发明通过设置有绝缘结构，将泡沫层与第二包裹层和第一包裹层的外侧相连接不受机械损伤和化学腐蚀、不接触水蒸汽受潮、防止接触导体触电,可增强机械强度和延长使用寿命，实现了该装置具有绝缘的功能，从而延长了该结型场效应晶体管的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及结型场效应晶体管技术领域，特别涉及结型场效应晶体管。
背景技术
结型场效应晶体管是一种具有放大功能的三端有源器件,是单极场效应管中最简单的一种,它可以分N沟道或者P沟道两种，其工作原理就是通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流的控制，其在使用时会用到结型场效应晶体管；
为此，公开号为CN208985987U的专利公开了一种结型场效应晶体管，结型场效应晶体管包括：衬底；第一导电类型漂移区；第一导电类型源区；第二导电类型栅区，呈包围式结构围绕于第一导电类型源区，结型场效应晶体管的沟道区包含由第二导电类型栅区所包围的限定区域；以及第一导电类型漏区，与第二导电类型栅区相隔设置。本发明沟道区的沟道开启和关闭通过P型栅区对该沟道区进行横向耗尽实现。因而，通过调整P型栅区之间的间距，就可以改变沟道区的宽度，进而改变夹断电压。本发明可以将多个具有不同夹断电压的结型场效应晶体管集成在同一电路里，可满足不同的电路性能要求，并有效节约制造成本；
上述中的结型场效应晶体管由于其不便绝缘，在日常使用过程中容易受潮，减少其使用寿命。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明的目的是提供结型场效应晶体管，用以解决现有的结型场效应晶体管不便绝缘的缺陷。
(二)发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：结型场效应晶体管，包括晶体管主体、防尘套和固定座，所述晶体管主体的两端均设置有金属条，所述晶体管主体的顶部设置有绝缘结构，所述绝缘结构包括第一包裹层、泡沫层以及第二包裹层，所述第一包裹层设置于晶体管主体的顶端，所述晶体管主体两侧的顶部均固定有固定座；
所述固定座的一侧设置有卡接结构；
所述卡接结构的一侧设置有防尘套。
使用该装置时，通过设置有绝缘结构，实现了该装置具有绝缘的功能，从而延长了该结型场效应晶体管的使用寿命；通过设置有卡接结构，实现了该装置便于拆卸的功能，从而延长了该结型场效应晶体管在使用时的适用性。
优选的，所述第一包裹层的顶端设置有泡沫层，所述泡沫层的顶端设置有第二包裹层。将泡沫层与第二包裹层和第一包裹层的外侧相连接不受机械损伤和化学腐蚀、不接触水蒸汽受潮、防止接触导体触电,可增强机械强度和延长使用寿命，实现了该装置具有绝缘的功能。
优选的，所述第二包裹层的主视截面呈梯形设计，所述泡沫层在第一包裹层的顶端呈等间距分布。
优选的，所述第一包裹层的底端和晶体管主体的顶端相连接，所述泡沫层的底端与第一包裹层的顶端相连接。
优选的，所述卡接结构包括连接座、连接杆、卡接块以及卡接槽，所述卡接槽开设于固定座的内部，所述卡接槽的内部均设置有卡接块，所述卡接块的一侧设置有连接杆，所述连接杆的一侧设置有连接座。推动连接座，使连接座和固定座相互接触，同时连接座会带动防尘套移动，在卡接槽的作用下，卡接块会移至卡接槽的内部，使卡接块和固定座通过卡接槽相互卡接，进而使防尘套和固定座相互固定，在防尘套的防护作用下，避免了金属条的表面落灰。
优选的，所述卡接块和固定座通过卡接槽构成卡合结构，所述卡接块的主视截面呈梯形设计。
优选的，所述卡接块的一侧与连接杆的一侧固定连接，所述连接杆在连接座的两端呈对称分布。
(三)有益效果
本发明提供的结型场效应晶体管，其优点在于：
通过设置有绝缘结构，将泡沫层与第二包裹层和第一包裹层的外侧相连接不受机械损伤和化学腐蚀、不接触水蒸汽受潮、防止接触导体触电,可增强机械强度和延长使用寿命，实现了该装置具有绝缘的功能，从而延长了该结型场效应晶体管的使用寿命；
通过设置有卡接结构，推动连接座，使连接座和固定座相互接触，同时连接座会带动防尘套移动，在卡接槽的作用下，卡接块会移至卡接槽的内部，使卡接块和固定座通过卡接槽相互卡接，进而使防尘套和固定座相互固定，在防尘套的防护作用下，避免了金属条的表面落灰，实现了该装置便于拆卸的功能，从而延长了该结型场效应晶体管在使用时的适用性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的主视剖面结构示意图；
图2为本发明的图1中A处放大结构示意图；
图3为本发明的绝缘结构结构示意图；
图4为本发明的侧视结构示意图；
图5为本发明的三维结构示意图。
图中的附图标记说明：1、晶体管主体；2、金属条；3、防尘套；4、固定座；5、绝缘结构；501、第一包裹层；502、泡沫层；503、第二包裹层；6、卡接结构；601、连接座；602、连接杆；603、卡接块；604、卡接槽。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例一
请参阅图1-5，本发明提供的结型场效应晶体管，包括晶体管主体1、防尘套3和固定座4，晶体管主体1的两端均设置有金属条2，晶体管主体1的顶部设置有绝缘结构5，绝缘结构5包括第一包裹层501、泡沫层502以及第二包裹层503，第一包裹层501设置于晶体管主体1的顶端，第一包裹层501的顶端设置有泡沫层502，泡沫层502的顶端设置有第二包裹层503，第二包裹层503的主视截面呈梯形设计，泡沫层502在第一包裹层501的顶端呈等间距分布，第一包裹层501的底端和晶体管主体1的顶端相连接，泡沫层502的底端与第一包裹层501的顶端相连接。
本实施例中，将泡沫层502与第二包裹层503和第一包裹层501的外侧相连接不受机械损伤和化学腐蚀、不接触水蒸汽受潮、防止接触导体触电,可增强机械强度和延长使用寿命。
实施例二
本实施例还包括：晶体管主体1两侧的顶部均固定有固定座4，固定座4的一侧设置有卡接结构6，卡接结构6包括连接座601、连接杆602、卡接块603以及卡接槽604，卡接槽604开设于固定座4的内部，卡接槽604的内部均设置有卡接块603，卡接块603的一侧设置有连接杆602，连接杆602的一侧设置有连接座601，卡接块603和固定座4通过卡接槽604构成卡合结构，卡接块603的主视截面呈梯形设计，卡接块603的一侧与连接杆602的一侧固定连接，连接杆602在连接座601的两端呈对称分布，卡接结构6的一侧设置有防尘套3。
本实施例中，推动连接座601，使连接座601和固定座4相互接触，同时连接座601会带动防尘套3移动，在卡接槽604的作用下，卡接块603会移至卡接槽604的内部，使卡接块603和固定座4通过卡接槽604相互卡接，进而使防尘套3和固定座4相互固定，在防尘套3的防护作用下，避免了金属条2的表面落灰。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (7)
1.结型场效应晶体管，包括晶体管主体(1)、防尘套(3)和固定座(4)，其特征在于：所述晶体管主体(1)的两端均设置有金属条(2)，所述晶体管主体(1)的顶部设置有绝缘结构(5)，所述绝缘结构(5)包括第一包裹层(501)、泡沫层(502)以及第二包裹层(503)，所述第一包裹层(501)设置于晶体管主体(1)的顶端，所述晶体管主体(1)两侧的顶部均固定有固定座(4)；
所述固定座(4)的一侧设置有卡接结构(6)；
所述卡接结构(6)的一侧设置有防尘套(3)。
2.根据权利要求1所述的结型场效应晶体管，其特征在于：所述第一包裹层(501)的顶端设置有泡沫层(502)，所述泡沫层(502)的顶端设置有第二包裹层(503)。
3.根据权利要求2所述的结型场效应晶体管，其特征在于：所述第二包裹层(503)的主视截面呈梯形设计，所述泡沫层(502)在第一包裹层(501)的顶端呈等间距分布。
4.根据权利要求2所述的结型场效应晶体管，其特征在于：所述第一包裹层(501)的底端和晶体管主体(1)的顶端相连接，所述泡沫层(502)的底端与第一包裹层(501)的顶端相连接。
5.根据权利要求1所述的结型场效应晶体管，其特征在于：所述卡接结构(6)包括连接座(601)、连接杆(602)、卡接块(603)以及卡接槽(604)，所述卡接槽(604)开设于固定座(4)的内部，所述卡接槽(604)的内部均设置有卡接块(603)，所述卡接块(603)的一侧设置有连接杆(602)，所述连接杆(602)的一侧设置有连接座(601)。
6.根据权利要求5所述的结型场效应晶体管，其特征在于：所述卡接块(603)和固定座(4)通过卡接槽(604)构成卡合结构，所述卡接块(603)的主视截面呈梯形设计。
7.根据权利要求5所述的结型场效应晶体管，其特征在于：所述卡接块(603)的一侧与连接杆(602)的一侧固定连接，所述连接杆(602)在连接座(601)的两端呈对称分布。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310622347.9A CN116598267B (zh) | 2023-05-30 | 2023-05-30 | 结型场效应晶体管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310622347.9A CN116598267B (zh) | 2023-05-30 | 2023-05-30 | 结型场效应晶体管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116598267A true CN116598267A (zh) | 2023-08-15 |
| CN116598267B CN116598267B (zh) | 2024-01-30 |
Family
ID=87598976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310622347.9A Active CN116598267B (zh) | 2023-05-30 | 2023-05-30 | 结型场效应晶体管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116598267B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01289147A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置用コンタクトピン |
| CN112038298A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-12-04 | 孙文 | 一种集成电子三极管 |
| CN213401152U (zh) * | 2020-11-25 | 2021-06-08 | 深圳市飞捷士科技有限公司 | 一种增强型的半导体晶体管 |
| CN216818321U (zh) * | 2021-11-03 | 2022-06-24 | 杭州上仓电子科技有限公司 | 一种精密电子工程用使用寿命长的三极管 |
| CN217306491U (zh) * | 2022-01-14 | 2022-08-26 | 深圳市集成蓝彩电子有限公司 | 一种真空半导体三极管 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01289147A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置用コンタクトピン |
| CN112038298A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-12-04 | 孙文 | 一种集成电子三极管 |
| CN213401152U (zh) * | 2020-11-25 | 2021-06-08 | 深圳市飞捷士科技有限公司 | 一种增强型的半导体晶体管 |
| CN216818321U (zh) * | 2021-11-03 | 2022-06-24 | 杭州上仓电子科技有限公司 | 一种精密电子工程用使用寿命长的三极管 |
| CN217306491U (zh) * | 2022-01-14 | 2022-08-26 | 深圳市集成蓝彩电子有限公司 | 一种真空半导体三极管 |
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| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |