CN116511516A - 一种新型铜基纳米材料及其在抗氧化和抑菌方面的应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种新型铜基纳米材料及其在抗氧化和抑菌方面的应用。首次以CSIA恒温扩增产物为模板,通过化学还原法合成了两种铜基纳米材料CSIA‑Cu@Pt和CSIA‑Cu@Ag。并且发现CSIA‑Cu@Pt具有类过氧化物酶活性,对TMB和H2O2的KM分别为0.01 mM和0.05 mM,Vmax分别是1.674×10‑7 M‑1 s和97.29×10‑7 M‑1 s;CSIA‑Cu@Ag具有抑菌活性,抑菌机制主要是由于纳米材料的加入引起了细菌内部的氧化应激,进而导致DNA的氧化损伤,引起细菌破裂。

Description

一种新型铜基纳米材料及其在抗氧化和抑菌方面的应用
技术领域
本发明属于材料合成领域,具体涉及一种铜基核酸纳米材料的制备及应用。
背景技术
纳米材料因其特殊的理化性质,被广泛应用于食品安全检测、生物抑菌、纳米酶等领域的创新研究。目前已有数百种纳米材料被生产,特别是合金纳米材料,由于其独特的电子、光学、催化或光催化性能,通常会提供单一成份所不具备的性质,因此受到更广泛的关注。由于铜在地壳中的总量丰富,在储量和价格上具有天然优势;核酸作为纳米材料的模板不仅可以赋予靶向性,还可以提高生物相容性、低毒性,但是以恒温扩增产物为模板的合成纳米材料至今没有报道,因此本发明在CSIA扩增产物的基础上,尝试合成新的铜基核酸纳米材料,以拓展其生物学功能,实现新型纳米材料的应用推广。
发明内容
本发明的目的是开发一种新型的铜基纳米材料合成方法,拓展其生物学功能。首次以恒温扩增的双链核酸产物为模板,既能够为纳米材料合成提供充足的原料,又能够为前体金属离子提供结合位点,且能够提高纳米材料的生物相容性。本发明成功合成了两种CSIA-Cu@Pt和CSIA-Cu@Ag纳米材料。
本发明采用的技术方案是:
本发明的第一方面,一种新型铜基纳米材料的合成方法,以CSIA恒温扩增产物为模板,在铜离子和其他前体金属离子存在下,通过化学还原方法合成含有铜元素的纳米材料。
其中CSIA恒温扩增产物是指通过CSIA扩增技术获得的双链核酸产物。
其中CSIA扩增技术是以一条三叶草结构的核酸序列为模板,在恒温条件下,无需引物,通过聚合酶作用即可发生指数扩增的反应;
具体的,三叶草结构的核酸序列是指5’端和3’端均能形成发卡结构,且中间通过连接区域连接;5’端发卡序列的GC含量在0%~20%;3’端发卡序列的GC含量在0%~50%;连接区域为富AT序列或富T序列或富A序列;其中聚合酶是指具有5’→3’聚合酶活性,且能够催化dNTP加入核苷酸链的3'-OH末端并形成新的核酸链;
具体的,CSIA恒温扩增是以SEQ ID NO.1为模板序列,在Bst 2.0 DNA聚合酶作用下,扩增条件为70℃ 30 min。
其中双链核酸产物是高AT含量的核酸序列,可以与前体金属离子结合提供位点,并用于纳米材料的合成。
同时该合成方法在铜基纳米材料合成中的应用。
本发明的第二方面,一种新型抗氧化铜基纳米材料,利用第一方面合成方法,在前体金属离子为K2PtCl4和CuSO4时,合成具有过氧化物酶活性的CSIA-Cu@Pt纳米材料,可以发挥其抗氧化活性,在抗氧化和纳米酶领域进行应用。
本发明的第三方面,一种新型抑菌铜基纳米材料,利用第一方面合成方法,在前体金属离子为AgNO3和CuSO4时,合成具有抑菌活性的CSIA-Cu@Ag纳米材料。其抑菌机制是由于纳米材料的加入引起了细菌内部的氧化应激,进而导致DNA的氧化损伤,引起细菌破裂。
借由上述技术方案,本发明至少具有下列优点及有益效果:
首次以CSIA恒温扩增的双链核酸产物为模板,合成新型的铜基纳米材料;该扩增技术无需引物,在恒温条件下即可完成指数扩增,合成产物为富AT含量的双链核酸,且可以作为金属离子的结合位点。
研究发现CSIA-Cu@Pt具有优异的类过氧化物酶活性,其酶活可以与天然HRP具有更优的酶活;而CSIA-Cu@Ag具有良好的抑菌功能,拓展了铜基纳米材料的生物学功能。
附图说明
图1 CSIA恒温扩增原理图。
图2纳米材料的紫外吸收光谱图。
图3不同组成的CSIA-Cu@Pt和CSIA-Cu@Ag吸收光谱。
图4不同组成的CSIA-Cu@Pt和CSIA-Cu@Ag荧光光谱。
图5CSIA-Cu@Pt和CSIA-Cu@Ag的酶活测定。
图6CSIA-Cu@Pt催化条件优化。
图7CSIA-Cu@Pt的动力学分析。
图8 CSIA-Cu@Pt和CSIA-Cu@Ag的抑菌效果。
图9 CISA-Cu@Ag对E.coilS.aureus的MIC测定。
图10 CISA-Cu@Ag对E.coilS.aureus的生长曲线。
图11 CSIA-Cu@Ag处理E.coilS.aureus的ROS变化和DNA损伤注:A为胞内ROS产量;B为实验组和对照组在524 nm处荧光差值;C为DNA损伤情况,M是Marker 2000,1是CSIA-Cu@Ag处理的E.coil,2是CSIA-Cu@Ag处理的S.aureus,3是E.coil,4是S.aureus
图12 CSIA-Cu@Ag对E.coilS.aureus细胞形态的影响。注:A为E.coil对照组,B为CSIA-Cu@Ag对E.coil处组理,C为S.aureus对照组,D为CSIA-Cu@Ag对S.aureus对处组理。
图13 CSIA-Cu@Ag组分对于抑菌的必要性。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1 CSIA扩增以及扩增产物的纯化
CSIA恒温扩增方法是以一条三叶草结构的核酸序列为模板,在恒温条件下,无需引物,通过聚合酶作用即可发生指数扩增的反应(图1)。模板是由三个发卡结构组成的,其中发卡1和发卡3是为了维持该特殊结构所设计,发卡2是为了提高产物的AT含量,并连接发卡1和发卡3。基于上述扩增即可实现核酸序列的体外人工指数放大。该扩增方法的扩增产物是模板的N个重复单元,富含大量的富AT序列,可以为金属离子提供结合位点,进而生成新型纳米材料。相较于其他恒温扩增检测方法CSIA扩增仅需要一个三叶草结构的模板就可以在Bst 2.0 DNA聚合酶存在的条件下进行恒温扩增,整个反应体系简单、反应条件要求低、扩增效率高。相较于LAMP恒温扩增,本方法不需要设计复杂的内外引物,也不需要考虑引物之间的相互影响,同时本方法不存在假阳性的问题,因此基于CSIA恒温扩增检测方法的传感器准确性更高、可操作性更强。相较于RCA恒温扩增,本方法的扩增时间仅需要30min,大大缩短了恒温反应时间,确保CSIA扩增技术在现场快速检测中的应用前景。相较于无酶恒温扩增技术HCR、CHA,本方法仅需要一条核酸模板,不需要设计复杂的发卡序列,且无需考虑背景值的问题。
具体的扩增机制研究表明CSIA扩增模板的设计基本遵从以下原则:发卡2连接区域优选富AT序列和富A序列,且连接区域越长越有利于CSIA的扩增;对模板5’端的发卡序列GC%含量要维持在10%~20%为优(发卡1),3’端的发卡序列GC%含量在10%~50%范围(发卡3)。结合CuNCs荧光信号,连接区域最好选择其富AT序列,且序列长度越长越有利于CuNCs的合成,同时葡萄糖的稳定剂同样能提升恒温扩增产物-CuNCs荧光,另外富AT区域弱相互作用和丰富的二级结构也有利于CuNCs的有序排列。简而言之,可以通过上述原则体外人工调控CSIA扩增产物,促使合成更有利于CuNCs合成的模板。另外人们还可以通过理性的人工设计,生成更多特异性的核酸模板,为核酸纳米技术的发展提供原料。本发明首次采用CSIA恒温扩增产物为模板合成新型纳米材料。
本发明中具体CSIA的反应体系如表1所示,实验条件为70 ℃ 30 min。其中Self-T-20AT模板的核酸序列为:TTGTTAACAATTGTTAACAATATATATATATATATATATAGTTACTCCTTTTGGAGTAAC(SEQ ID NO.1)。
表1 恒温扩增的反应体系
扩增反应结束后,利用醇沉的方法纯化CSIA扩增产物,V(DNA):V(无水乙醇):V(NaAC, 3M pH 5.2)=10:20:1,混匀置于-20℃ 3h,12000 rmp 10 min 倒去上清,加入1mL70%乙醇,上下颠倒几次,12000 rmp 10 min 倒去上清,55℃烘干,10 min,最后加入原来1/10体积的ddH2O。用Nanodrop进行浓度测定,并调整浓度为100 ng/μL,4℃储存备用。
实施例2 铜基核酸纳米材料的合成与表征
以CSIA扩增产物为模板,通过化学还原法合成CSIA-Cu@Pt、CSIA-Cu@Ag纳米材料,具体合成体系如表2所示,其中AgNO3/K2PtCl4的浓度根据实际情况进行优化。
表 2 纳米材料合成体系
将上述合成的纳米材料在室温下合成12 h,12000 rmp 10 min离心,用H2O清洗两次,4℃ 备用。后文中利用AgNO3/K2PtCl4的浓度表示纳米材料的浓度。由图2的紫外吸收光谱图可知,CSIA-CuNCs在340 nm处有明显吸收峰,这代表CuNCs的成功合成;而CSIA-Cu@Pt和CSIA-Cu@Ag在400 nm处有肩峰出现,表明不同于CSIA-CuNCs的新纳米材料合成,且在12h后仍表现出稳定的吸收峰,表明新纳米材料具有良好的稳定性。
由于不同的金属离子组成会直接影响纳米材料的理化性质,因此本发明分别选择了1:1-1:10的Cu:Pt和Cu:Ag进行铜基纳米材料的合成,其吸收光谱和荧光光谱分别如图3和图4所示。由吸收光谱可知CSIA-Cu@Pt和CSIA-Cu@Ag随着Pt2+和Ag+的含量增加,CSIA-Cu@Pt和CSIA-Cu@Ag的产量也逐渐增加。由荧光光谱可知CSIA-Cu@Pt不具有荧光特性,这可能是由于金属离子之间的电子转移所致;而CSIA-Cu@Ag具有荧光特性,但与CSIA-CuNCs相比其发射峰发生了大约10 nm的红移,且在Cu:Ag=1:1和1:2时的荧光强度比CSIA-CuNCs荧光更高;而继续提高Ag+浓度时,CSIA-Cu@Ag的荧光会降低。根据Vazquez-Vazquez等人的研究成果,大尺寸铜纳米粒子的荧光性质会消失,因此推测Ag+浓度增加可能是CSIA-Cu@Ag的尺寸发生了变化。在12 h后CSIA-Cu@Ag的荧光虽然消失,但实验过程中CSIA-Cu@Ag的荧光衰减效率比CSIA-CuNCs更慢,因此可以考虑通过杂化其他金属离子提高CuNCs的荧光稳定性。
实施例3核酸纳米材料的酶活特性
以TMB为底物,验证上述合成纳米材料是否具有类过氧化物酶酶活。具体操作为取上述纳米材料5 μL,加入到95 μL显色体系中混匀,室温孵育10 min,测量OD652nm。显色体系包括75 μL pH 5.0的0.2 mM NaAC缓冲液,40 μL的10 mM H2O2以及10 μL 10 mM TMB。由图5可知,CSIA-Cu@Pt具有较高的类过氧化物酶酶活,且呈现出明显的时间依赖性,Cu:Pt=1:9时CSIA-Cu@Pt的酶活最高;而CSIA-Cu@Ag催化底物TMB的能力极低,几乎不具备类过氧化物酶活性。
为了获得更好的CSIA-Cu@Pt类过氧化物酶酶活,进一步优化CSIA-Cu@Pt的催化条件,由图6可知当H2O2为4 mM,TMB为1 mM,在pH=5的0.2 mM NaAC条件下可以获得最大催化活性。
为了进一步了解CSIA-Cu@Pt的催化性能,在最优条件下对5 μL 1:9的CSIA-Cu@Pt进行稳态动力学分析,首先固定H2O2的浓度为10 mM,然后变化TMB浓度(分别为0.05,0.1,0.5,1,2.5,5,10,20,30 mM),测定CSIA-Cu@Pt在pH 5.0 NaAC条件下反应10 min后的OD652nm吸光度。另外,固定10 mM TMB,变化H2O2浓度(分别为0.005,0.01,0.05,0.1,0.25,0.5,0.75,1,2.5,5,10 mM),测定CSIA-Cu@Pt在pH 5.0 NaAC条件下反应10 min后的OD652nm吸光度。然后根据Michaelis-Menten方程V0=(Vmax·[S])/(KM+[S])和Lineweaver-Burk双倒数1/V0=KM/Vmax(1/[S]+1/[KM])作图,为对CSIA-Cu@Pt纳米材料的Vmax和KM进行计算,其中Vmax代表最大反应速率,KM是米氏常数,[S]是底物浓度。TMB ε652nm为 3.9× 104 M-1 cm-1,所有的测量都至少重复三次,并取平均值以保证准确性。结果如图7所示,由图可知CSIA-Cu@Pt对TMB和H2O2的KM分别为0.01 mM和0.05 mM。KM代表CSIA-Cu@Pt对底物的亲和性,数值越小亲和性越高。与已知的HRP进行比较(TMB KM= 0.32 mM,H2O2 KM= 0.05 mM)可知,新合成的CSIA-Cu@Pt对TMB的亲和性提升了32倍,对H2O2的亲和性保持不变。另外,Vmax表示反应速率,数值越大反应速率越快。CSIA-Cu@Pt对TMB和H2O2的Vmax分别是1.674×10-7 M-1 s和97.29×10-7 M-1 s,相较于HRP的Vmax,新合成的CSIA-Cu@Pt具有更快的反应速率。上述结果表明CSIA-Cu@Pt纳米材料具有与天然酶相当的亲和性和反应速率,因此可以考虑将CSIA-Cu@Pt纳米材料作为HRP的有效替代。
实施例4 核酸纳米材料的酶活特性
选择E.coilS.aureus作为革兰氏阴性菌和革兰氏阳性菌的典型菌进行抑菌效果验证。图8结果表明CSIA-Cu@Ag对于E.coilS.aureus都具有抑菌效果,且Cu:Ag=1:1时对E.coil的抑菌效果最好,随着Cu:Ag的增加CSIA-Cu@Ag对于E.coil的抑菌效果并没有明显增加;当Cu:Ag=1:6~1:8时都能够完全抑制S.aureus的生长,但当Cu:Ag=1:9和1:10时其抑菌效果则消失了,该现象还有待进一步研究。而CSIA-Cu@Pt对于E.coilS.aureus几乎没有抑菌效果,虽然很多文献有报道具有类过氧化物酶活性的纳米酶可以催化H2O2产生大量ROS进而抑菌细菌生长,但在本发明中具有类过氧化物酶活性的CSIA-Cu@Pt并没有表现出抑菌效果,甚至出现了促细菌生长的现象。这可能是由于CSIA-Cu@Pt除了具有类过氧化物酶活性外,该纳米材料可能在整个过程被降解释放Cu2+,而该微量元素作为细菌生长的必需微量元素可以促进细菌生长,提高耐受性,进而免受ROS影响。综上所述,CSIA-Cu@Pt不适合作为抑菌剂,而CSIA-Cu@Ag可以做为抑菌剂进一步研究。
由于CISA-Cu@Ag对E.coilS.aureus具有抑菌功能,因此通过抑制90%细菌生长的MIC来确定新纳米材料的抑菌能力。其中Cu:Ag=1:1的CSIA-Cu@Ag被用在E.coil抑菌实验,Cu:Ag=1:6的CSIA-Cu@Ag被用在S.aureus的抑菌实验。结果如图9所示,CISA-Cu@Ag对E.coil的MIC值为12.8 mM,对S.aureus的MIC值为9.6 mM,表明CISA-Cu@Ag对S.aureus具有更高的抑菌能力。而图中在高浓度下细菌浓度出现了负增长这可能是由于纳米材料自身具有一定的淡黄色,因此影响了OD600的测量结果。进一步利用不同浓度的CSIA-Cu@Ag对E.coilS.aureus生长情况进行观察,结果如图10所示,E.coilS.aureus在CSIA-Cu@Ag的处理下生长曲线出现明显延迟,并且随着用量的增加抑制效果越明显。
进一步从三个方面对CSIA-Cu@Ag的抑菌机制进行探究,包括胞内ROS的变化、DNA损伤和细菌形态变化。利用试剂盒对CSIA-Cu@Ag处理的E.coilS.aureus进行ROS含量测定,结果如图11A、B所示,CSIA-Cu@Ag处理组的ROS明显高于对照组的ROS含量,这表明CSIA-Cu@Ag会引起细菌内部的氧化应激,进而可能破坏胞内的氧化平衡,引起氧化损伤。而CSIA-Cu@Ag处理组和对照组的菌体进行热裂解提取DNA,跑胶结果显示CSIA-Cu@Ag处理组出现明显的弥散条带,且出现更短的DNA片段(图11C),这证明CSIA-Cu@Ag造成了DNA损伤。而由图12可知CSIA-Cu@Ag处理能够影响细菌的形态,其中E.coil受CSIA-Cu@Ag影响呈短杆状,部分菌落出现皱缩、破裂;而S.aureus则表现出大面积的皱缩、坍塌状态,有些菌落出现细胞质外泄。由此可知CSIA-Cu@Ag对于E.coilS.aureus的抑制主要是由于纳米材料的加入引起了细菌内部的氧化应激,进而导致DNA的氧化损伤,引起细菌破裂。
此外,为了证明CSIA-Cu@Ag组分在纳米材料抑菌过程中发挥的作用,分别合成了CuNCs、CSIA-CuNCs、AgNCs、CSIA-AgNCs、Cu@Ag、CSIA-Cu@Ag六种材料进行实验。结果如图13所示,只有CSIA-Cu@Ag纳米材料表现出良好的抑菌效果,这也证明了纳米材料中的核酸模板、前体金属离子Cu2+/Ag+都是必不可少的组分。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种新型铜基纳米材料的合成方法,其特征在于,以CSIA恒温扩增产物为模板,在铜离子和其他前体金属离子存在下,通过化学还原方法合成含有铜元素的纳米材料;
所述CSIA恒温扩增产物是指通过CSIA扩增技术获得的双链核酸产物;
所述CSIA扩增技术是以一条三叶草结构的核酸序列为模板,在恒温条件下,无需引物,通过聚合酶作用即可发生指数扩增的反应;
所述双链核酸产物是高AT含量的核酸序列,可以与前体金属离子结合提供位点,并用于纳米材料的合成。
2.根据权利要求1所述的合成方法,其特征在于,CSIA恒温扩增是以SEQ ID NO.1为模板序列,在Bst 2.0 DNA聚合酶作用下,扩增条件为70℃ 30 min。
3.一种新型抗氧化铜基纳米材料,其特征在于,利用权利要求1所述的合成方法,前体金属离子为K2PtCl4和CuSO4,合成具有过氧化物酶活性的CSIA-Cu@Pt纳米材料。
4.一种新型抑菌铜基纳米材料,其特征在于,利用权利要求1所述的合成方法,前体金属离子为AgNO3和CuSO4,合成具有抑菌活性的CSIA-Cu@Ag纳米材料。
5.根据权利要求4所述的新型抑菌铜基纳米材料,其特征在于,抑菌机制是由于CSIA-Cu@Ag纳米材料的加入引起了细菌内部的氧化应激,进而导致DNA的氧化损伤,引起细菌破裂。
6.根据权利要求1所述的合成方法在铜基纳米材料合成中的应用。
7.根据权利要求3所述的新型抗氧化铜基纳米材料在抗氧化领域的应用。
8.根据权利要求3所述的新型抗氧化铜基纳米材料在类过氧化物酶中的应用。
9.根据权利要求4所述的新型抑菌铜基纳米材料在抑菌领域的应用。
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