CN116417027A - 一种控制放大方法及电路、灵敏放大器和半导体存储器 - Google Patents

一种控制放大方法及电路、灵敏放大器和半导体存储器 Download PDF

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Abstract

本公开实施例提供了一种控制放大方法及电路、灵敏放大器和半导体存储器，该方法包括：接收预设指令，根据所述预设指令确定隔离电源值和控制指令信号；根据所述隔离电源值和所述控制指令信号生成隔离控制信号；所述放大电路根据预设指令接收所述隔离控制信号和目标待处理信号，对所述待处理信号进行处理，完成预设指令。这样，通过隔离电源值控制隔离控制信号的具体电压值，能够优化信号放大过程，提高信号放大速度，改善电路噪声大的问题。

Description

一种控制放大方法及电路、灵敏放大器和半导体存储器
技术领域
本公开涉及半导体存储器技术领域，尤其涉及一种控制放大方法及电路、灵敏放大器和半导体存储器。
背景技术
动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。在数据读取的过程中，每个存储单元的读出数据信号依次经由本地数据线、全局数据线和数据总线进行读出；反之，在数据写入的过程中，则写入数据信号依次经由数据总线、全局数据线和本地数据线向存储单元写入。
目前，在存储单元和本地数据线之间存在灵敏放大器，以提高存储单元内容的信号质量，存储数据需要经过该灵敏放大器放大后读出或写入，但是相关技术中数据信号的放大过程仍有不足，导致灵敏放大器的性能有待于提高。
发明内容
本公开提供了一种控制放大方法及电路、灵敏放大器和半导体存储器，能够优化信号放大过程。
本公开的技术方案是这样实现的：
第一方面，本公开实施例提供了一种控制放大方法，应用于放大电路；所述方法包括：
接收预设指令，根据所述预设指令确定隔离电源值和控制指令信号；
根据所述隔离电源值和所述控制指令信号生成隔离控制信号；
所述放大电路根据预设指令接收所述隔离控制信号和目标待处理信号，对所述待处理信号进行处理，完成预设指令。
在一些实施例中，所述预设指令至少包括以下的其中之一：读指令、刷新指令和写指令；
所述隔离电源值为第二电压值或第三电压值；
所述隔离控制信号为第一电压值、第二电压值和第三电压值中的一种；
所述第一电压值小于所述第二电压值，所述第二电压值小于所述第三电压值。
在一些实施例中，所述预设指令至少包括以下的其中之一：读指令、刷新指令和写指令；
所述隔离电源值为第二电压值或第三电压值；
所述隔离控制信号为第一电压值、第二电压值和第三电压值中的一种；
所述第一电压值大于所述第二电压值，所述第二电压值大于所述第三电压值。
在一些实施例中，所述根据所述第一电源切换信号和/或所述第二电源切换信号，确定所述隔离电源值，包括：
在所述第一电源切换信号具有第一电平状态且所述第二电源切换信号具有第二电平状态时，确定所述隔离电源值具有第一电压值；或者
所述第一电源切换信号具有第二电平状态且所述第二电源信号具有第一电平状态时，确定所述隔离电源值具有第二电压值；
其中，所述第一电压值和所述第二电压值均属于第二电平状态，且所述第一电压值大于所述第二电压值。
在一些实施例中，所述根据所述隔离电源值和所述控制指令信号生成隔离控制信号，包括：
在所述控制指令信号具有第二状态且所述隔离电源值具有第一电压值的情况下，确定所述隔离控制信号具有第一电压值；或者
在所述控制指令信号具有第二状态且所述隔离电源值具有第二电压值的情况下，确定所述隔离控制信号具有第二电压值；或者
在所述控制指令信号具有第一状态的情况下，确定所述隔离控制信号具有第三电压值；
其中，第一状态为第一电平状态或第二电平状态，第二状态为第一电平状态或第二电平状态，所述第一状态与所述第二状态所处的电平状态不同；所述第三电压值属于所述第一电平状态，且所述第三电压值小于所述第二电压值。
在一些实施例中，所述放大电路对所述待处理信号进行处理，包括：信号放大阶段，所述放大电路在信号放大阶段将所述待处理信号放大后写入存储单元；
在所述放大电路处于所述信号放大阶段中的一个阶段，控制所述隔离控制信号具有第一电压值；
所述预设指令为读指令或刷新指令，所述信号放大阶段包括第一放大阶段和第二放大阶段；
所述预设指令为写指令，所述信号放大阶段包括第一放大阶段、信号写入阶段和第二放大阶段。
在一些实施例中，在所述预设指令为读指令时，所述放大电路对所述待处理信号进行处理时包括：待机阶段、噪声消除阶段、第一电荷分享阶段、第二电荷分享阶段、第一放大阶段、第二放大阶段和预充阶段；
若所述放大电路处于所述噪声消除阶段或所述第一电荷分享阶段，则维持隔离控制信号具有第三电压值；或者
若所述放大电路处于所述第二电荷分享阶段或所述第一放大阶段，则维持所述隔离控制信号具有第一电压值；或者
若所述放大电路处于所述待机阶段或者所述预充阶段或所述第二放大阶段，则维持所述隔离控制信号具有第二电压值。
在一些实施例中，在所述预设指令为读指令时，所述放大电路对所述待处理信号进行处理时包括：待机阶段、噪声消除阶段、第一电荷分享阶段、第二电荷分享阶段、第一放大阶段、第二放大阶段和预充阶段；
若所述放大电路处于所述噪声消除阶段或所述第一电荷分享阶段，则维持隔离控制信号具有第三电压值；或者
若所述放大电路处于所述第二电荷分享阶段或所述第一放大阶段，则维持所述隔离控制信号具有第一电压值；或者
若所述放大电路处于所述待机阶段或者所述预充阶段或所述第二放大阶段，则维持所述隔离控制信号具有第二电压值。
在一些实施例中，在所述预设指令为刷新指令的情况下，所述放大电路对所述待处理信号进行处理时包括：待机阶段、噪声消除阶段、第一电荷分享阶段、第二电荷分享阶段、第一放大阶段、第二放大阶段和预充阶段；
若所述放大电路处于所述噪声消除阶段或者所述第一电荷分享阶段，则维持所述隔离控制信号具有第三电压值；或者
若所述放大电路处于所述待机阶段或所述第二放大阶段或者预充阶段，则确定所述隔离控制信号具有第二电压值；或者
若所述放大电路处于所述第二电荷分享阶段或所述第一放大阶段，则维持所述隔离控制信号具有第一电压值。
在一些实施例中，在所述预设指令为写指令的情况下，所述放大电路对所述待处理信号进行处理时包括：待机阶段、噪声消除阶段、电荷分享阶段、第一放大阶段、信号写入阶段、第二放大阶段和预充阶段；
若所述放大电路处于所述噪声消除阶段或电荷分享阶段或所述第一放大阶段，则维持所述隔离控制信号具有第三电压值；或者
若所述放大电路处于所述待机阶段或所述第二放大阶段或者预充阶段，则维持所述隔离控制信号具有第二电压值；或者
若所述放大电路处于所述信号写入阶段，则维持所述隔离控制信号具有第一电压值。
在一些实施例中，在所述预设指令为读指令时，所述放大电路的工作状态包括待机阶段、第一电荷分享阶段、第二电荷分享阶段、第一放大阶段、第二放大阶段和预充阶段；
若所述放大电路处于所述待机阶段或所述第二电荷分享阶段，则维持所述隔离控制信号具有第三电压值；或者
若所述放大电路处于信号处理状态或预充阶段，则维持所述隔离控制信号具有第二电压值；或者
若所述放大电路处于所述第一电荷分享阶段，则维持所述隔离控制信号具有第一电压值。
在一些实施例中，在所述预设指令为刷新指令的情况下，所述放大电路的工作状态包括待机阶段、第一电荷分享阶段、第二电荷分享阶段、第一放大阶段、第二放大阶段和预充阶段；
若所述放大电路处于所述第一电荷分享阶段，则维持所述隔离控制信号具有第三电压值；或者
若所述放大电路处于所述待机阶段或所述第二放大阶段或者预充阶段，则维持所述隔离控制信号具有第二电压值；或者
若所述放大电路处于所述第二电荷分享阶段或所述第一放大阶段，则维持所述隔离控制信号具有第一电压值。
在一些实施例中，在所述预设指令为写指令的情况下，所述放大电路对所述待处理信号进行处理时包括：待机阶段、电荷分享阶段、第一放大阶段、信号写入阶段、第二放大阶段和预充阶段；
若所述放大电路处于所述电荷分享阶段或所述第一放大阶段，则维持所述隔离控制信号具有第三电压值；或者
若所述放大电路处于所述待机阶段或第二放大阶段或者预充阶段，则维持所述隔离控制信号具有第二电压值；或者
若所述放大电路处于所述信号写入阶段，则维持所述隔离控制信号具有第一电压值。
在一些实施例中，所述放大电路处于所述待机阶段，用于将所述放大电路中的各节点电压维持在预设电位；
所述放大电路处于所述第一电荷分享阶段，目标存储单元根据所述预设指令形成待处理信号；
所述放大电路处于所述第二电荷分享阶段，响应于所述隔离控制信号，所述待处理信号传输至所述放大电路；
所述放大电路处于所述第一放大阶段，所述放大电路对所述待处理信号放大处理；
所述放大电路处于所述第二放大阶段，通过放大后的所述待处理信号，恢复所述目标存储单元的数据；
所述放大电路处于预充阶段，所述放大电路完成对所述目标存储单元的所述预设指令，将所述放大电路中的各节点电压恢复至预设电位。
在一些实施例中，在所述预设指令为写指令的情况下，所述放大电路处于写入阶段，所述放大电路接收写入信号，所述写入信号替换所述存储单元产生的信号形成所述待处理信号，所述放大电路对所述待处理信号进行放大处理。
在一些实施例中，所述放大电路处于噪声消除阶段，维持所述隔离电源值为第一电源值。
在一些实施例中，所述放大电路处于噪声消除阶段，所述放大电路通过响应隔离消除信号，对所述放大电路中的晶体管执行偏移消除操作。
第二方面，本公开实施例提供了一种控制放大电路，所述控制放大电路包括信号确定电路、隔离控制电路和放大电路；其中，
所述信号确定电路，用于在接收到预设指令之后，根据所述预设指令确定隔离电源值和控制指令信号；
所述隔离控制电路，用于接收所述隔离电源值和所述控制指令信号，并根据所述控制指令信号生成隔离控制信号；
所述放大电路，用于根据所述预设指令接收所述隔离控制信号和待处理信号，对所述待处理信号进行信号放大处理，完成预设指令。
在一些实施例中，所述隔离电源值和控制指令信号通过信号确定电路确定，所述隔离控制信号通过隔离控制电路确定；
所述信号确定电路包括第一信号确定电路、电源输出电路和第二信号确定电路；其中，
所述第一信号确定电路，用于在接收到所述预设指令之后，根据所述预设指令输出第一电源切换信号和/或第二电源切换信号；
所述电源输出电路，用于根据所述第一电源切换信号和/或所述第二电源切换信号，输出隔离电源值；
所述第二信号确定电路，用于根据所述预设指令，生成所述控制指令信号；
所述预设指令至少包括以下的其中之一：读指令、刷新指令和写指令。
在一些实施例中，所述电源输出电路，用于在所述第一电源切换信号具有第一电平状态，且所述第二电源切换信号具有第二电平状态时，确定所述隔离电源值具有第一电压值；或者
在所述第一电源切换信号具有第二电平状态且所述第二电源信号具有第一电平状态时，确定所述隔离电源值具有第二电压值；
其中，所述第一电压值和所述第二电压值均属于第二电平状态，且所述第一电压值大于所述第二电压值。
在一些实施例中，所述隔离控制电路，具体用于在所述控制指令信号具有第二状态且所述隔离电源值具有第一电压值的情况下，确定所述隔离控制信号具有第一电压值；或者
在所述控制指令信号具有第二状态且所述隔离电源值具有第二电压值的情况下，确定所述隔离控制信号具有第二电压值；或者
在所述控制指令信号具有第一状态的情况下，确定所述隔离控制信号具有第三电压值；
其中，第一状态为第一电平状态或第二电平状态，第二状态为第一电平状态或第二电平状态，所述第一状态与所述第二状态所处的电平状态不同；所述第三电压值属于所述第一电平状态，且所述第三电压值小于所述第二电压值。
在一些实施例中，所述电源输出电路包括第一预设电源、第二预设电源、第一开关管和第二开关管；其中，
所述第一开关管的第一端与所述第一电源切换信号连接，所述第二开关管的第一端与所述第二电源切换信号连接；
所述第一开关管的第二端与所述第一预设电源连接，所述第二开关管的第二端与所述第二预设电源连接；
所述第一开关管的第三端，与所述第二开关管的第三端连接，用于输出所述隔离电源值；
其中，所述第一预设电源用于输出所述第一电压值，所述第二预设电源用于输出所述第二电压值。
在一些实施例中，所述隔离控制电路包括第一反向器、第三开关管和第四开关管；其中，
所述第一反向器的输入端与所述控制指令信号连接，所述第一反向器的输出端分别与所述第三开关管的第一端和第四开关管的第一端连接；
所述第三开关管的第二端与所述隔离电源值连接，所述第四开关管的第三端与地信号连接；
所述第三开关管的第三端，与所述第四开关管的第二端连接，用于输出所述隔离控制信号。
在一些实施例中，所述放大电路包括控制电路和交叉耦合电路，交叉耦合电路包括第五开关管、第六开关管、第七开关管、第八开关管，控制电路包括第九开关管和第十开关管；
所述第五开关管的第一端，与所述第九开关管的第三端连接，用于接收所述待处理信号，所述第五开关管的第二端、所述第七开关管的第三端、所述第八开关管的第一端与第十开关管的第二端连接；
所述第六开关管的第一端，与所述第十开关管的第三端连接，用于接收参考待处理信号，所述第六开关管的第二端、所述第八开关管的第三端、所述第七开关管的第一端与第九开关管的第二端连接；
所述第五开关管的第三端、所述第六开关管的第三端与第一参考信号连接，所述第七开关管的第二端、所述第八开关管的第二端与第二参考信号连接，所述第九开关管的第一端、所述第十开关管的第一端与所述隔离控制信号连接。
在一些实施例中，所述放大电路还包括预充电路，且所述预充电路包括第十三开关管和第十四开关管；其中，
所述第十三开关管的第一端、所述第十四开关管的第一端与预充控制信号连接；
所述第十三开关管的第二端与第四预设电源连接，所述第十三开关管的第三端与所述第六开关管的第二端连接；
所述第十四开关管的第三端与所述第五开关管的第二端连接，所述第十四开关管的第二端与所述第六开关管的第二端连接。
在一些实施例中，所述放大电路还包括噪声消除电路，所述噪声消除电路包括第十五开关管和第十六开关管；其中，
所述第十五开关管的第一端、第十六开关管的第一端与噪声控制信号连接；
所述第十五开关管的第二端与所述第五开关管的第二端连接，所述第十五开关管的第三端与所述第五开关管的第一端连接；
所述第十六开关管的第二端与所述第六开关管的第二端连接，所述第十六开关管的第三端与所述第六开关管的第一端连接。
在一些实施例中，第一开关管、第二开关管、第三开关管、第七开关管和第八开关管为P型沟道场效应管；
第四开关管、第五开关管、第六开关管、第九开关管、第十开关管、第十一开关管、第十二开关管、第十三开关管、第十四开关管、第十五开关管和第十六开关管为N型沟道场效应管；
其中，所述P型沟道场效应管的第一端为栅极端，所述P型沟道场效应管的第二端为源极端，所述P型沟道场效应管的第三端为漏极端；所述N型沟道场效应管的第一端为栅极端，所述N型沟道场效应管的第二端为漏极端，所述N型沟道场效应管的第三端为源极端。
第三方面，本公开实施例提供了一种灵敏放大器，包括如第二方面中任一项所述的灵敏放大器。
第四方面，本公开实施例提供了一种半导体存储器，包括如第三方面中任一项所述的灵敏放大器。
本公开实施例提供了一种控制放大方法及电路、灵敏放大器和半导体存储器，该方法包括：接收预设指令，根据所述预设指令确定隔离电源值和控制指令信号；根据所述隔离电源值和所述控制指令信号生成隔离控制信号；所述放大电路根据预设指令接收所述隔离控制信号和目标待处理信号，对所述待处理信号进行处理，完成预设指令。这样，通过隔离电源值控制隔离控制信号的具体电压值，能够优化信号放大过程，至少部分改善信号放大速度慢和电路噪声大的问题。
附图说明
图1为一种灵敏放大器的应用场景示意图；
图2为本公开实施例提供的一种控制放大电路的组成结构示意图；
图3为本公开实施例提供的另一种控制放大电路的组成结构示意图；
图4为本公开实施例提供的一种控制放大电路的局部详细结构示意图；
图5为本公开实施例提供的另一种控制放大电路的局部详细结构示意图；
图6为本公开实施例提供的一种反向器的结构示意图；
图7为本公开实施例提供的又一种控制放大电路的局部详细结构示意图；
图8为本公开实施例提供的一种控制放大电路的应用场景示意图；
图9为本公开实施例提供的一种控制放大方法的流程示意图；
图10为本公开实施例提供的另一种控制放大电路的应用场景示意图；
图11为本公开实施例提供的一种信号时序示意图一；
图12为本公开实施例提供的一种信号时序示意图二；
图13为本公开实施例提供的一种信号时序示意图三；
图14为本公开实施例提供的一种信号时序示意图四；
图15为本公开实施例提供的一种灵敏放大器的组成结构示意图；
图16为本公开实施例提供的一种半导体存储器的组成结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关申请，而非对该申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关申请相关的部分。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本公开的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述本公开实施例的目的，不是旨在限制本公开。
在以下的描述中，涉及到“一些实施例”，其描述了所有可能实施例的子集，但是可以理解，“一些实施例”可以是所有可能实施例的相同子集或不同子集，并且可以在不冲突的情况下相互结合。
需要指出，本公开实施例所涉及的术语“第一\第二\第三”仅是用于区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序，可以理解地，“第一\第二\第三”在允许的情况下可以互换特定的顺序或先后次序，以使这里描述的本公开实施例能够以除了在这里图示或描述的以外的顺序实施。
P型沟道场效应管：空穴型场效应管；
N型沟道场效应管：电子型场效应管。
可以理解，在DRAM的工作过程中，需要利用灵敏放大器实现多种操作过程中的信号放大。参见图1，其示出了一种灵敏放大器的应用场景示意图。如图1所示，该应用场景包括第一信号线11、第二信号线12、灵敏放大器113。其中，
第一信号线11上具有第一开关111和第一电容112，用于传入待处理信号Vin+；第二信号线12上具有第二开关121和第一电容122，用于传入参考待处理信号Vin-，灵敏放大器113用于对待处理信号Vin+及参考待处理信号Vin-进行放大，待处理信号Vin+与参考待处理信号Vin-的具有ΔVin的电压差。在这里，第一开关111和第一电容112可视为一个存储单元，第二开关121和第二电容122可视为另一个存储单元。
具体地，灵敏放大器包括第一开关管131、第二开关管132、第三开关管133和第四开关管134。第一开关管131的第一端、第二开关管132的第一端、第三开关管133的第三端、第四开关管134的第二端均与参考待处理信号Vin-连接，第一开关管131的第三端、第二开关管132的第二端、第三开关管133的第一端、第四开关管134的第一端均与所述待处理信号Vin+连接。该应用场景中还存在第五开关管135和第六开关管136，第五开关管135的第一端与第一控制信号SAP连接，第五开关管135的第二端与电源信号VBLH连接，第五开关管135的第三端、第一开关管131的第二端和第三开关管133的第二端连接，形成第一参考信号端。第六开关管136的第一端与第二控制信号SAN连接，第六开关管136的第二端与地信号GND连接，第六开关管136的第二端、第二开关管132的第三端和第四开关管134的第三端连接，形成第二参考信号端。其中，第一开关管131、第三开关管132、第五开关管135为P型场效应管，P型场效应管的第一端为栅极引脚，P型场效应管的第二端为源极引脚，P型场效应管的第三端为漏极引脚；第二开关管132、第四开关管134和第六开关管136为N型场效应管，N型场效应管的第一端为栅极引脚，N型场效应管的第二端为漏极引脚，N型场效应管的第三端为源极引脚。
另外，在第一信号线11和第二信号线12之间还可以存在预充电路，且第三开关管133的第二端和第四开关管的第三端之间也可以存在预充电路，用于对第一参考信号端和第二参考信号端进行预充处理。
目前，灵敏放大器的信号放大速度较慢、电路容易产生噪声，影响了半导体存储器的性能。
本公开实施例提供了一种控制放大电路，包括：电源输出电路，用于接收电源切换信号，并根据电源切换信号生成预设电源信号；隔离控制电路，用于接收控制指令信号和预设电源信号，并根据控制指令信号生成隔离控制信号；放大电路，用于接收隔离控制信号和待处理信号，并基于隔离控制信号对待处理信号进行放大，得到目标放大信号。这样，利用电源切换信号能够对预设电源信号进行控制，后续可以通过改变电源切换信号来调整预设电源信号的具体电压值大小，进而调整隔离控制信号的具体电压值大小，优化信号放大过程，改善信号放大速度慢、容易产生噪声的问题。
本公开实施例提供了一种控制放大方法，包括：接收预设指令，根据所述预设指令确定隔离电源值和控制指令信号；根据所述隔离电源值和所述控制指令信号生成隔离控制信号；所述放大电路根据预设指令接收所述隔离控制信号和目标待处理信号，对所述待处理信号进行处理，完成预设指令。这样，通过隔离电源值控制隔离控制信号的具体电压值，能够优化信号放大过程，至少部分改善信号放大速度慢和电路噪声大的问题。
下面将结合附图对本公开各实施例进行详细说明。
在本公开的一实施例中，参见图2，其示出了本公开实施例提供的一种控制放大电路20的组成结构示意图。如图2所示，该控制放大电路20可以包括：
信号确定电路21，用于在接收到预设指令之后，根据预设指令确定隔离电源值和控制指令信号；
隔离控制电路22，用于接收隔离电源值和控制指令信号，并根据控制指令信号生成隔离控制信号；
放大电路23，用于根据预设指令接收隔离控制信号和待处理信号，对待处理信号进行信号放大处理，完成预设指令。
需要说明的是，本公开实施例提供的控制放大电路20可以应用在多种信号放大的场景中，例如以DRAM中的灵敏放大器。
在这里，预设指令可以是读指令、写指令或者刷新指令。具体地，对于控制放大电路20来说，通过信号确定电路21，在接收到预设指令后，确定隔离电源值和控制指令信号；通过隔离控制电路32，根据控制指令信号出隔离控制信号，且隔离控制信号的电压值收到隔离电源值的影响；通过放大电路23，根据隔离控制信号对待处理信号进行信号放大处理，以便完成预设指令。
在一些实施例中，在图2的基础上，如图3所示，所述隔离电源值和控制指令信号通过信号确定电路21确定，所述隔离控制信号通过隔离控制电路22确定；信号确定电路21包括第一信号确定电路211、电源输出电路212和第二信号确定电路213；其中，
第一信号确定电路211，用于在接收到预设指令之后，根据预设指令输出第一电源切换信号和/或第二电源切换信号；
电源输出电路212，用于根据第一电源切换信号和/或第二电源切换信号，输出隔离电源值；
第二信号确定电路213，用于根据预设指令，生成控制指令信号。
在这里，第一电源切换信号和/或第二电源切换信号在图3中用“电源切换信号”进行表示。
在一种具体的实施例中，电源输出电路212，用于在第一电源切换信号具有第一电平状态，且第二电源切换信号具有第二电平状态时，确定隔离电源值具有第一电压值；或者
在第一电源切换信号具有第二电平状态且第二电源信号具有第一电平状态时，确定隔离电源值具有第二电压值；
需要说明的是，第一电压值和第二电压值均属于第二电平状态，且第一电压值大于第二电压值。其中，对于P型场效应管来说，第一电平状态能够使其处于导通状态，第二电平状态能够使其处于关断状态；对于N型场效应管来说，第一电平状态能够使其处于关断状态，第二电平状态能够使其处于导通状态。在这里，由于不同开关管的规格不一样，不同开关管的第一电平状态可能是不相同的电压范围。
这样，利用电源切换信号能够对隔离电源值进行控制，后续可以通过改变电源切换信号来调整隔离电源值的具体电压值大小，进而调整隔离控制信号的具体电压值大小，优化信号放大过程，部分改善信号放大速度慢、容易产生噪声的问题。
在一些实施例中，隔离控制电路22，具体用于在控制指令信号具有第二状态且隔离电源值具有第一电压值的情况下，确定隔离控制信号具有第一电压值；或者在控制指令信号具有第二状态且隔离电源值具有第二电压值的情况下，确定隔离控制信号具有第二电压值；或者在控制指令信号具有第一状态的情况下，确定隔离控制信号具有第三电压值。
需要说明的是，第一状态为第一电平状态，第二状态为第二电平状态；或者，第一状态为第二电平状态，第二状态为第一电平状态。
换句话说，对于隔离控制电路22来说，若控制指令信号处于第一电平状态，且预设电源信号具有第一电压值，则隔离控制信号具有第一电压值；若控制指令信号处于第一电平状态，且预设电源信号具有第二电压值，则隔离控制信号具有第二电压值；若控制指令信号处于第二电平状态，则隔离控制信号具有第三电压值。
或者，若控制指令信号处于第二电平状态，且预设电源信号具有第一电压值的情况下，隔离控制信号具有第一电压值；在控制指令信号处于第二电平状态，且预设电源信号具有第二电压值的情况下，隔离控制信号具有第二电压值；控制指令信号处于第一电平状态的情况下，隔离控制信号具有第三电压值。
在这里，第三电压值属于第一电平状态，第一电压值和第二电压值均属于第二电平状态，且第三电压值低于第二电压值，第二电压值低于第一电压值。
这样，隔离控制信号存在三种不同的电压值，可以提供更多的放大电路控制方法，以便优化信号放大过程，部分改善信号放大速度慢、电路噪声大的问题。
以下以电源切换信号同时包括第一电源切换信号和第二电源切换信号为例，提供一种电源输出电路212的可行结构。
在图3的基础上，如图4所示，电源输出电路212包括第一预设电源VisoH、第二预设电源VisoL、第一开关管301和第二开关管302；其中，
第一开关管301的第一端与第一电源切换信号连接，第二开关管302的第一端与第二电源切换信号连接；
第一开关管301的第二端与第一预设电源VisoH连接，第二开关管302的第二端与第二预设电源VisoL连接；
第一开关管301的第三端，与第二开关管302的第三端连接，用于输出隔离电源值VisoInt。
在这里，第一预设电源VisoH用于输出第一电压值，第二预设电源VisoL用于输出第二电压值。
需要说明的是，如图4所示，第一开关管301、第二开关管302均为P型场效应管。在后续说明中，P型场效应管的第一端为栅极引脚，P型场效应管的第二端为源级引脚，P型场效应管的第三端为漏极引脚。
需要说明的是，在第一电源切换信号处于第一电平状态且第二电源切换信号处于第二电平状态时，第一开关管301导通且第二开关管302关断，所以隔离电源值VisoInt与第一预设电源VisoH的电压值相同，即隔离电源值VisoInt为第一电压值；在第一电源切换信号处于第二电平状态且第二电源切换信号处于第一电平状态时，第一开关管301关断且第二开关管302导通，所以隔离电源值VisoInt与第二预设电源VisoL的电压值相同，即隔离电源值VisoInt为第二电压值。
以下针对第一状态为第一电平状态，第二状态为第二电平状态的情况，给出一种隔离控制电路的可行结构。在一些实施例中，如图4所示，隔离控制电路22电路包括第一反向器321、第三开关管303和第四开关管304；其中，
第一反向器321的输入端与控制指令信号连接，第一反向器321的输出端分别与第三开关管303的第一端和第四开关管304的第一端连接；
第三开关管303的第二端与隔离电源值VisoInt连接，第四开关管304的第三端与地信号连接；
第三开关管303的第三端，与第四开关管304的第二端连接，用于输出隔离控制信号Iso。
需要说明的是，第三开关管303为P型场效应管，第四开关管304为N型场效应管。在后续说明中，N型场效应管的第一端为栅极引脚，N型场效应管的第二端为漏级引脚，N型场效应管的第三端为源级引脚。
这样，在控制指令信号处于第一电平状态的情况下，第三开关管303处于关断状态，第四开关管304处于导通状态，从而隔离控制信号Iso具有第三电压值，相当于接地电位；在控制指令信号处于第二电平状态的情况下，第三开关管303处于导通状态，第四开关管304处于关断状态，从而隔离控制信号Iso的电压值与隔离电源值的电压值VisoInt相同，即第一电压值或者第二电压值。
另外，针对第一状态为第二电平状态，第二状态为第一电平状态的情况，隔离控制电路22电路也可仅包括第三开关管303和第四开关管304，信号控制电路25的输出端与第三开关管303的第一端和第四开关管304的第一端连接，其他连接不变；
此时，控制指令信号处于第二电平状态的情况下，第三开关管303处于关断状态，第四开关管304处于导通状态，从而隔离控制信号Iso具有第三电压值，相当于接地电位；在控制指令信号处于第一电平状态的情况下，第三开关管303处于导通状态，第四开关管304处于关断状态，从而隔离控制信号Iso的电压值与预设电源信号的电压值VisoInt相同，即第一电压值或者第二电压值。
这样，通过以上处理，隔离控制电路输出隔离控制信号，从而放大电路根据隔离控制信号对待处理信号进行信号放大，得到目标放大信号。
需要说明的是，以DRAM为例，放大电路23通过位线连接目标存储单元，通过互补位线连接互补存储单元。在初始状态，位线和互补位线上的电位是相同的。在位线上的目标存储单元(预设指令的对象)开启后，该存储单元与位线进行电荷分享，从而位线上的电位升高或者降低；互补位线上的存储单元始终是关闭的，因此互补位线上的电位不变。由于位线上的电位升高和降低，位线和互补位线之间的压差会发生变化，从而放大电路23中的部分器件接通，执行信号放大处理。此时，放大电路23从位线上接收的信号可以视为待处理信号，放大电路23从互补位线上接收的信号可以视为参考待处理信号。
放大电路23在放大阶段，将隔离控制信号Iso设置于第一电压值，加快待处理信号在目标存储单元与放大电路之间的传输速度，在放大电路23内部节点却能够迅速达到低参考电位或高参考电位的过程中，同样会快速将位线或互补位线拉高或拉低，提高信号放大速度。
后续，放大电路23完成信号放大过程，具体说明参见后续内容。
在一些实施例中，在图3的基础上，如图5和图8所示，放大电路23包括控制电路和交叉耦合电路，交叉耦合电路包括第五开关管305、第六开关管306、第七开关管307、第八开关管308，控制电路包括第九开关管309和第十开关管310；
第五开关管305的第一端，与第九开关管309的第三端连接，且均与位线Bla连接，用于接收待处理信号，第五开关管305的第二端、第七开关管307的第三端、第八开关管308的第一端与第十开关管的第二端连接；第五开关管305的第二端、第七开关管307的第三端、第八开关管308的第一端及第十开关管310的第二端均连接在互补读出位线saBLb上。
第六开关管306的第一端，与第十开关管310的第三端连接，且均与互补位线Blb连接，用于接收参考待处理信号，第六开关管306的第二端、第八开关管308的第三端、第七开关管的第一端与第九开关管的第二端连接；第六开关管306的第二端、第八开关管308的第三端、第七开关管307的第一端及第九开关管309的第二端连接均连接在读出位线saBLa上。
第五开关管305的第三端、第六开关管306的第三端与第一参考信号NCS连接，第七开关管307的第二端、第八开关管308的第二端与第二参考信号PCS连接，第九开关管309的第一端、第十开关管310的第一端与隔离控制信号Iso连接。
如图5所示，第五开关管305、第六开关管306、第九开关管309和第十开关管310为N型场效应管，第七开关管307和第八开关管308为P型场效应管。
这样，在隔离控制信号Iso处于第二电平状态(具有第一电压值或者第二电压值)的情况下，控制电路232中的第九开关管309和第十开关管310是导通的，交叉耦合电路231接收待处理信号；在隔离控制信号Iso处于第一电平状态(具有第三电压值)的情况下，控制电路232中的第九开关管309和第十开关管310是关断的，交叉耦合电路231无法与外部进行信号传输。
在一些实施例中，如图5所示，放大电路23还包括第一参考电路和第二参考电路，第一参考电路包括n个第十一开关管(例如图5中的第十一开关管311-1、第十一开关管311-2、第十一开关管311-3)，第二参考电路包括m个第十二开关管(例如图5中的第十二开关管312-1、第十二开关管312-2、第十二开关管312-3)，n和m均为正整数；
第十一开关管的第一端与第一参考控制信号连接，第十一开关管的第三端与地信号连接；第十一开关管的第二端，与第一参考电路的输出端连接，用于输出第一参考信号NCS；
第十二开关管的第一端，与第二参考控制信号连接，第十二开关管的第二端与第三预设电源连接；第十二开关管的第二端，与第二参考电路的输出端连接，用于输出第二参考信号PCS。
需要说明的是，图5中示出了3个第十一开关管，但实际应用场景中第十一开关管可以更多或者更少。另外，第一参考控制信号pdn的数量也为多个，且一个第一参考控制信号pdn对应一个第十一开关管。多个第一参考控制信号pdn的电平状态可以是不同的，即pdn1、pdn2和pdn3各自的电平状态是单独变化的。也就是说，一个第十一开关管被一个第一参考控制信号pdn单独进行控制。
如图5所示，所有的第十一开关管可以为N型场效应管。以第十一开关管311-1为例，在第一参考控制信号pdn1为第一电平状态的情况下，第十一开关管311-1是关断的；在第一参考控制信号pdn1为第二电平状态的情况下，第十一开关管311-1是导通的。
这样，通过处于导通状态的第十一开关管调节第一参考信号NCS的电位，从而为交叉耦合电路提供低参考电位。除此之外，不同的第十一开关管各自连接一个单独的地电位，这些地电位的具体电压值可以不相同，以提供不同的第一参考信号NCS电压降低速度。另外，通过控制处于导通状态的第十一开关管数量，也可以控制第一参考信号NCS电压降低速度。这样，通过控制电压调整速度不同，可以减少信号放大过程中待处理信号在电压快速降低时产生的噪声。
还需要说明的是，图5中示出了3个第十二开关管，但实际应用场景中第十二开关管可以更多或者更少。另外，第二参考控制信号pup的数量也为多个，且一个第二参考控制信号pup对应一个第十二开关管。多个第二参考控制信号pup的电平状态可以是不同的，即pup1、pup2和pup3各自的电平状态是单独变化的。也就是说，一个第十二开关管被一个第二参考控制信号pup单独进行控制。
如图5所示，第十二开关管可以为N型场效应管。因此，以第十二开关管312-1为例，在第二参考控制信号pup1为第一电平状态的情况下，第十二开关管312-1是关断的；在第一参考控制信号pup1为第二电平状态的情况下，第十一开关管312-1是导通的。
这样，处于导通状态的第十二开关管将第二参考信号PCS充电至第二电平状态(高参考电位)，以实现为交叉耦合电路提供高参考电位。不同的第十二开关管各自连接一个单独的第三预设电源，这些第三预设电源的电压值可以不相同，以提供第二参考信号PCS不同的电压升高速度。另外，通过控制处于导通状态的第十二开关管数量，也可以控制电压升高速度。这样，通过控制电压升高速度不同，可以减少信号放大过程中第二参考信号在电压快速升高时产生的噪声。
第一参考信号和第二参考信号还连接有第四预设电源，能够在第二参考控制信号pup1为第一电平状态的情况下和第一参考控制信号pdn1全部处于第二电平状态时，维持第一参考信号NCS和第二参考信号PCS在参考电压值。
在一些实施例中，如图5所示，放大电路23还包括第一信号建立电路和第二信号建立电路，第一信号建立电路包括个第二反向器(例如图5中的第二反向器322-1、第二反向器322-2、第二反向器322-3)，第二信号建立电路包括m个第三反向器(例如图5中的第三反向器323-1、第三反向器323-2、第三反向器323-3)；其中，
第二反向器的输入端与第一控制输入信号(例如图5中的Vpd1、Vpd2、Vpd3)连接，第二反向器的输出端用于输出第一参考控制信号(例如图5中的pdn1、pdn2、pdn3)；其中，在n个第二反向器中，每个第十一开关管的第一参考控制信号通过一个第二反向器输出；
第三反向器的输入端与第二控制输入信号(例如图5中的Vpu1、Vpu2、Vpu3)连接，第三反向器的输出端用于输出第二参考控制信号(例如图5中的pup1、pup2、pup3)；其中，在m个第三反向器中，每个第十二开关管的第二参考控制信号通过一个第三反向器输出。
需要说明的是，如图5所示，第二反向器的输入端还与电源信号Vncsg连接。在第一控制输入信号处于第一电平状态的情况下，第二反向器根据电源信号Vncsg输出处于第二电平状态的第一参考控制信号，在第一控制输入信号处于第二电平状态的情况下，第二反向器输出处于第一电平状态的第一参考控制信号。
应理解，第一控制输入信号的数量也是多个，一个第二反向器用于接收一个第一控制输入信号，且这些第一控制输入信号的电平状态可以是不同的。以图5中的第一控制输入信号为例，在第一控制输入信号Vpd1处于第一电平状态的情况下，第二反向器322-1输出处于第二电平状态的第一参考控制信号pdn1，此时第十一开关管311-1处于导通状态；反之，在第一控制输入信号Vpd1处于第二电平状态的情况下，第二反向器322-1输出处于第一电平状态的第一参考控制信号pdn1，此时第十一开关管311-1处于关断状态。
还需要说明的是，第三反向器的输入端还与电源信号Vpcsg连接。在第二控制输入信号处于第一电平状态的情况下，第三反向器根据电源信号Vpcsg输出处于第二电平状态的第二参考控制信号，在第二控制输入信号处于第二电平状态的情况下，第三反向器输出处于第一电平状态的第二参考控制信号。
类似地，第二控制输入信号的数量也是多个，一个第三反向器用于接收一个第二控制输入信号，且这些第二控制输入信号的电平状态可以是不同的。以图5中的第二控制输入信号为例，在第二控制输入信号Vpu1处于第一电平状态的情况下，第三反向器323-1输出处于第二电平状态的第二参考控制信号pup1，此时第十二开关管312-1处于导通状态；反之，在第二控制输入信号Vpu1处于第二电平状态的情况下，第三反向器323-1输出处于第一电平状态的第二参考控制信号pup1，此时第十二开关管312-1处于关断状态。
第二反向器和第三反向器可采用相同的电路结构，例如通过一个N型场效应管和一个P型场效应管实现。参见图6，其示出了本公开实施例提供的反向器的结构示意图。第二反向器322具体结构如图6(a)所示，第三反向器的具体结构如图6(b)所示。
这样，通过信号建立电路和参考电路，能够为放大电路提供第一参考信号和第二参考信号，实现待处理信号在放大过程，抑制待处理信号的电压升高或电压降低时产生的噪声。
在一些实施例中，如图5所示，放大电路23还包括预充电路，且预充电路包括第十三开关管313和第十四开关管314；其中，
第十三开关管313的第一端、第十四开关管314的第一端与预充信号Eq连接；
第十三开关管313的第二端与第四预设电源连接，第十三开关管313的第三端与第六开关管306的第二端连接；
第十四开关管314的第三端与第五开关管305的第二端连接，第十四开关管314的第二端与第六开关管306的第二端连接。
在这里，第十三开关管313和第十四开关管314均为N型场效应管。
这样，预充电路响应于预充信号Eq，为放大电路23进行预充处理，在预充处理结束后使得放大电路23的各电路节点处于相同的电压值。
在一些实施例中，如图7所示，放大电路23还包括噪声消除电路，噪声消除电路包括第十五开关管315和第十六开关管316；其中，
第十五开关管315的第一端、第十六开关管316的第一端与噪声消除信号Nc连接；
第十五开关管315的第二端与第五开关管305的第二端连接，第十五开关管315的第三端与第五开关管305的第一端连接；
第十六开关管316的第二端与第六开关管306的第二端连接，第十六开关管316的第三端与第六开关管306的第一端连接。
在这里，第十五开关管315和第十六开关管316均为N型场效应管。因此，在噪声消除信号处于第二电平状态的情况下，第十五开关管315和第十六开关管316处于接通状态，以使得第五开关管305的第一端和第三端短接，且第六开关管306的第一端和第三端短接，并控制第一参考信号NCS处于低参考电位，第二参考信号PCS处于高参考电位，从而对第五开关管305和第六开关管306进行偏移消除操作。这样，可以进一步消除信号放大过程中的开关管的阈值差异，提高放大过程中对待处理信号感测的准确性。
特别地，图4～图7仅为控制放大电路的一种可选电路结构，其中，第一开关管301、第二开关管302、第三开关管303、第七开关管307和第八开关管308为P型沟道场效应管；第四开关管304、第五开关管305、第六开关管306、第九开关管309、第十开关管310、第十一开关管311、第十二开关管312、第十三开关管313、第十四开关管314、第十五开关管315和第十六开关管316为N型沟道场效应管。当然，以上开关管的选型并不构成本公开实施例的限制，在实际应用场景中，可以通过多种类型的电路器件实现前述的电路控制逻辑，可以依据实际应用场景进行具体选择。
综上可知，在本公开实施例中，通过增加电源切换电路，从而提供具有两个电压值(第一电压值或第二电压值)的预设电源信号，进而隔离控制电路可以根据预设电源信号输出具有三个不同电压值(第一电压值、第二电压值或者第三电压值)的隔离控制信号。在放大电路处于非工作状态时，可以将预设电源信号的电压下降至第二电压值，以减少隔离控制电路中的开关管漏电现象，避免开关管失效，能够延长隔离控制电路的使用寿命；另外，在放大电路工作的不同阶段，调整隔离控制信号的电压值处于第一电压值或第二电压值，加快待处理信号的电压变化速度，优化信号放大过程，以改善信号放大速度慢、电路噪声大的问题。
在本公开的另一实施例中，参见图8，其示出了本公开实施例提供的一种控制放大电路的应用场景示意图。如图8所示，在该应用场景中，存在位线Bla、互补位线Blb、读出位线saBla、互补读出位线saBlb和控制放大电路20。在位线Bla上设置有第一存储单元51，在互补位线Blb上设置有第二存储单元52。在这里，第一存储单元51和第二存储单元52均可各自作为预设指令的对象。
控制放大电路20包括第一信号确定电路211、电源输出电路212、第二信号确定电路213、隔离控制电路22和放大电路23。在这里，电源输出电路212包括第一开关管301和第二开关管302，隔离控制电路23包括第三开关管303、第四开关管304和第一反向器321。放大电路23可以包括第五开关管305、第六开关管306、第七开关管307、第八开关管308、第九开关管309、第十开关管310、3个第十一开关管(图8中的第十一开关管311-1、第十一开关管311-2和第十一开关管311-3)、3个第十二开关管(图8中的第十二开关管312-1、第十二开关管312-2和第十二开关管312-3)、第十三开关管313、第十四开关管314、第十五开关管3153个第二反向器(图8中的第二反向器322-1、第二反向器322-2、第二反向器322-3)和3个第三反向器(图8中的第三反向器323、第三反向器323、第三反向器323)构成，各器件的连接关系和类型如图8所示，其电路的工作原理具体可参见前述内容，在此不做赘述。
在图8的基础上，参见图10，其示出了本公开实施例提供的另一种控制放大电路20的应用场景示意图。如图10所示，放大电路中还具有第十五开关管315和第十六开关管316。第十五开关管315的第二端连接互补读出位线saBlb，第十五开关管315的第三端连接位线Bla，第十六开关管316的第二端连接读出位线saBla，第十六开关管316的第三端连接互补位线Blb。响应于偏移消除信号Nc，通过控制第一参考信号NCS处于低电位，第二参考信号PCS处于高参考电位，对第九开关管309和第十开关管310进行偏移消除操作。
基于以上电路结构，对放大电路23的控制方法进行简要说明。
参见图9，其示出了本公开实施例提供的一种控制放大方法的流程示意图。如图9所示，该控制放大方法可以包括：
S401：接收预设指令，根据预设指令确定隔离电源值和控制指令信号。
具体地，在一些实施例中，所述根据预设指令确定隔离电源值，可以包括：
根据预设指令，获取第一电源切换信号和/或第二电源切换信号；
根据第一电源切换信号和/或第二电源切换信号，确定隔离电源值。
需要说明的是，隔离电源值可以是根据一个信号确定的，也可以是根据两个信号确定的，具体需要根据实际应用场景进行选择。
需要说明的是，所述预设指令至少包括以下的其中之一：读指令、刷新指令和写指令；所述隔离电源值为第二电压值或第三电压值；所述隔离控制信号为第一电压值、第二电压值和第三电压值中的一种；所述第一电压值大于所述第二电压值，所述第二电压值大于所述第三电压值，第一电压值和第二电压值均属于第二电平状态，第三电压值属于第一电平状态。
在一些实施例中，所述根据第一电源切换信号和/或第二电源切换信号，确定隔离电源值，可以包括：
在第一电源切换信号具有第一电平状态且第二电源切换信号具有第二电平状态时，确定隔离电源值具有第一电压值；或者
第一电源切换信号具有第二电平状态且第二电源信号具有第一电平状态时，确定隔离电源值具有第二电压值。
这样，在接收到预设指令后，确定隔离电源值和控制指令信号，且隔离电源值的大小可以灵活调整，后期提供多种控制策略，改善信号放大速度慢、电路噪声大的问题。
S402：根据隔离电源值和控制指令信号生成隔离控制信号。
需要说明的是，隔离电源值和控制指令信号可以决定隔离控制信号的电压值。
在一些实施例中，所述根据所述隔离电源值和所述控制指令信号生成隔离控制信号，可以包括：
在控制指令信号具有第二状态且隔离电源值具有第一电压值的情况下，确定隔离控制信号具有第一电压值；或者
在控制指令信号具有第二状态且隔离电源值具有第二电压值的情况下，确定隔离控制信号具有第二电压值；或者
在控制指令信号具有第一状态的情况下，确定隔离控制信号具有第三电压值。
在这里，第一状态为第一电平状态，且第二状态为第二电平状态；或者第一状态为第二电平状态，且第二状态为第一电平状态。
这样，隔离控制信号存在三种不同的电压值，可以提供更多的控制手段，以便优化信号放大过程，改善信号放大速度慢、电路噪声大的问题。
S403：放大电路根据预设指令接收隔离控制信号和待处理信号，对待处理信号进行处理，完成预设指令。
这样，在接收到预设指令之后，确定隔离控制信号和待处理信号，从而放大电路可以根据隔离控制信号对待处理信号进行处理，以完成预设指令。另外，由于隔离控制信号存在三种不同的电压值，可以提供更多的控制手段，以便优化信号放大过程，部分改善信号放大速度慢、电路噪声大的问题。
具体地，在一些实施例中，对于图8所示的放大电路23，其工作阶段包括待机阶段、第一电荷分享阶段、第二电荷分享阶段、第一放大阶段、第二放大阶段和预充阶段。该方法还可以包括，
放大电路处于待机阶段，用于将放大电路中的各节点电压维持在预设电位；
放大电路处于第一电荷分享阶段，目标存储单元根据预设指令形成待处理信号；
放大电路处于第二电荷分享阶段，响应于隔离控制信号，待处理信号传输至放大电路；
放大电路处于第一放大阶段，放大电路对待处理信号放大处理；
放大电路处于第二放大阶段，通过放大后的待处理信号，恢复目标存储单元的数据；
预充阶段，放大电路完成对目标存储单元的预设指令，将放大电路中的各节点电压恢复至预设电位。
需要说明的是，如图8所示，在待机阶段，位线Bla/互补位线Blb、读出位线saBla/互补读出位线saBlb、第一参考信号NCS/第二参考信号PCS通过第四预设电源维持在预设电位，以便后续根据接收到的预设指令进行工作。此时，隔离控制信号Iso需要处于第二电平状态，第九开关管309和第十开关管310处于导通状态。
假设预设指令的目标存储单元为第一存储单元51。在接收到预设指令后，进入第一电荷分享阶段，开启第一存储单元51便于第一存储单元51与位线Bla接通，从而第一存储单元51与位线Bla进行电荷分享。此时，隔离控制信号Iso需要处于第一电平状态，第九开关管309和第十开关管310处于关断状态，使得位线Bla与读出位线saBla不接通，互补位线Blb与互补读出位线saBlb也不接通，避免影响第一存储单元51与位线Bla之间的电荷分享。
在结束第一电荷分享阶段后，需要位线Bla与读出位线Bla接通，且互补位线Blb与互补读出位线saBlb接通，放大电路23进入第二电荷分享阶段，此时位线Bla与读出位线Bla进行电荷分享，且位线Bla与读出位线Bla进行电荷分享，互补位线Blb与互补读出位线saBlb进行电荷分享。此时，隔离控制信号Iso需要处于第二电平状态，第九开关管309和第十开关管310处于导通状态，以接通位线Bla和读出位线Bla，且接通互补位线Blb和互补读出位线saBlb。
在结束第二电荷分享阶段后，放大电路23进入第一放大阶段，通过放大电路23对读出位线Bla的和互补读出位线saBlb的电位进行放大。
在结束第一放大阶段后，放大电路23进入第二放大阶段，需要利用读出位线Bla上的经过放大的电位，经由位线Bla与第一存储单元51的连接向第一存储单元51重新写入数据，从而恢复第一存储单元51的数据；应理解，此时，互补读出位线saBlb上的经过放大的电位也会向互补位线Blb传递，但是由于互补位线Blb上的存储单元并没有开启，因此不会向存储单元写入。
在结束第二放大阶段之后，需要关闭第一存储单元51，并断开目标存储单元和位线Bla之间的连接，此时可视为完成了预设指令。然后，放大电路进入预充阶段，然后将位线Bla、互补位线Blb、读出位线saBla和互补读出位线saBlb恢复至预设电位。
另外，对于第一放大阶段、第二放大阶段和预充阶段，隔离控制信号均维持第二电平状态，第九开关管309和第十开关管310处于接通状态，从而保持位线Bla和读出位线Bla接通，且互补位线Blb和互补读出位线saBlb接通。
在结束预充阶段后，放大电路再次进入待机阶段，以准备下一次操作。
这样，通过以上几个阶段，通过放大电路23对待处理信号进行了放大，以便完成预设指令。
在此基础上，如图8和图10所示，由于电源输出电路212所输出的隔离电源值VisoInt可以具有第一电压值或者第二电压值；所以，隔离控制电路22所输出的隔离控制信号Iso可以具有第一电压值、第二电压值、第三电压值。换句话说，在隔离控制信号Iso处于第二电平状态的基础上，还可以进一步控制隔离控制信号Iso处于第一电压值还是第二电压值。
以下针对图10的应用场景，对于隔离控制信号在放大电路的不同工作阶段的变化规律进行详细说明。
在一些实施例中，所述放大电路对所述待处理信号进行处理，可以包括：
在所述放大电路处于所述信号放大阶段中的一个阶段，控制所述隔离控制信号具有第一电压值；
所述预设指令为读指令或刷新指令，所述信号放大阶段包括第一放大阶段和第二放大阶段；
所述预设指令为写指令，所述信号放大阶段包括第一放大阶段、信号写入阶段和第二放大阶段。
这样，在信号放大阶段中的一个阶段，通过控制隔离控制信号具有第一电压值，可以加快待处理信号的变化速度，同时在信号放大阶段中的其他阶段，通过控制隔离控制信号具有第二电压值，可以节省功耗，提高电路使用寿命。如此，对信号放大过程进行了优化。
以下针对读指令、刷新指令和写指令，分别进行详细叙述。
在一种具体的实施例中，预设指令为读指令。放大电路对待处理信号进行处理时包括：待机阶段、噪声消除阶段、第一电荷分享阶段、第二电荷分享阶段、第一放大阶段、第二放大阶段和预充阶段；该方法还包括：
若放大电路处于噪声消除阶段或第一电荷分享阶段，则维持隔离控制信号具有第三电压值；或者若放大电路处于待机阶段或第二电荷分享阶段或第一放大阶段，则维持隔离控制信号具有第二电压值；或者若放大电路处于预充阶段或第二放大阶段，则维持隔离控制信号具有第一电压值。
需要说明的是，参见图11，其示出了本公开实施例提供的一种读操作的信号时序示意图。在图11中，VisoInt是指前述的预设电源信号，可以为第一电压值、第二电压值；Iso是指前述的隔离控制信号，可以为第一电压值、第二电压值、第三电压值；Eq是指前述的预充信号，Nc是指前述的噪声消除信号；SanEn是指前述的第一参考控制信号，SapEn是指前述的第二参考控制信号；WL是指字线开启信号，在WL为第二电平状态时，目标存储单元所在的字线开启，从而目标存储单元和位线接通，在WL为第一电平状态时，目标存储单元关所在的字线关闭，从而目标存储单元和位线不接通；NCS/PCS是指第一参考信号/第二参考信号，第一参考信号具有第四电压值和第五电压值，第二参考信号具有第四电压值和第六电压值，第四电压值即是指前述的预设电位，切第四电压值介于第五电压值和第六电压值之间；Bla是指位线，Blb是指互补位线，saBla是指读出位线，saBlb是指互补读出位线。
如图11所示，在放大电路处于待机阶段时，预设电源信号VisoInt维持第二电压值，隔离控制信号Iso维持第二电压值，预充信号Eq和噪声消除信号Nc处于第二电平状态，第一参考控制信号SanEn/第二参考控制信号SapEn均处于第一电平状态，字线开启信号WL处于第一点评状态，第一参考信号NCS/第二参考信号PCS维持第四电压值，位线Bla/互补位线Blb以及读出位线saBla/互补读出位线saBlb均处于第四电压值。此时，放大电路23的各电路节点处于一相同电压值，为执行用户的操作指令做好前期准备。
假设目标存储单元为第一存储单元51，在用户发送了针对目标存储单元的读指令后，放大电路23由待机阶段进入噪声消除阶段，此时隔离控制信号Iso由第二电压值调整为第三电压值，预充信号Eq由第二电平状态调整为第一电平状态，第一参考控制信号SanEn/第二参考控制信号SapEn均由第一电平状态调整为第二电平状态，所以第一参考信号NCS由第四电压值向第五电压值变化，第二参考信号PCS由第四电压值向第六电压值变化，而噪声消除信号Nc仍保持第二电平状态，从而对放大电路23进行噪声消除处理。之后，第一参考控制信号SanEn/第二参考控制信号SapEn切换至第一电平状态，第一参考信号NCS和第二参考信号PCS继续由预充电电源供电恢复至第四电压值。
在结束噪声消除阶段后，字线开启信号WL变化为第二电平状态，目标存储单元所在的字线调整为开启状态，从而放大电路23进入第一电荷分享阶段，此时对目标存储单元(例如第一存储单元51)进行读取。如图11所示，以第一存储单元51所存储的数据为“0”为例，在第一电荷分享阶段结束后，位线Bla电压降低，即产生了待处理信号，互补位线Blb则形成参考待处理信号。另外，在第一电荷分享阶段，预设电源信号维持第二电压值，隔离控制信号Iso维持第三电压值，使得位线Bla与读出位线saBla不接通，位线Blb与saBlb不接通。预充信号Eq、噪声消除信号Nc、第一参考控制信号SanEn/第二参考控制信号SapEn均处于第一电平状态。
在结束第一电荷分享阶段后，放大电路23进入第二电荷分享阶段。在第二电荷分享阶段，隔离控制信号Iso维持第二电压值，使得位线Bla与读出位线saBla接通，位线Blb与saBlb接通，从而放大电路23将待处理信号和参考待处理信号接收到内部节点，将读出位线saBla的电压降低，可以视为位线Bla/互补位线Blb与读出位线saBla/互补读出位线saBlb进行读电荷分享。另外，除隔离控制信号Iso之外的其他信号均维持前一阶段的电压值。
在结束第二电荷分享阶段后，放大电路23进入第一放大阶段，第一参考控制信号SanEn/第二参考控制信号SapEn由第一电平状态调整为第二电平状态，从而第一参考信号NCS由向第五电压值变化，第二参考信号PCS由第四电压值向第六电压值变化，读出位线saBla的电压降低，使第九开关管309打开，第二参考信号PCS对互补读出位线saBlb的电压拉高，使第六开关管306打开，第一参考信号NCS对读出位线saBla的电压拉低，从而放大电路23能够根据第一参考信号NCS/第二参考信号PCS对待处理信号(位线Bla的信号)/参考待处理信号(互补位线Blb的信号)进行放大，隔离控制信号Iso仍然维持第二电压值，以完成对待处理信号(位线Bla的信号)/参考待处理信号(互补位线Blb)上的信号放大。
另外，若第一存储单元51所存储的数据为“1”，第一放大阶段位线Bla的电压会拉高，由于隔离控制信号Iso处于第二电压值，能够抑制位线Bla/互补位线Blb上的升高速率，降低位线Bla/互补位线Blb上的噪声，但是处于放大电路23内部的读出位线saBla/互补读出位线saBlb上的信号可以很快的达到高参考电位/低参考电位。
在结束第一放大阶段后，放大电路23进入第二放大阶段，此时预设电源信号VisoInt维持第一电压值，隔离控制信号Iso维持第一电压值，增加第九开关管309和第十开关管310的导通程度，从而完成对待处理信号(位线Bla的信号)/参考待处理信号(互补位线Blb)上的信号放大，放大后的信号经由后续模块进行输出得到目标放大信号，完成读指令。在这一阶段，位线Bla电压的降低或升高还会将数据重新写入目标存储单元，避免由于读指令造成数据失效。如图11所示，在第二放大阶段结束前，第一参考控制信号SanEn/第二参考控制信号SapEn恢复为第一电平状态。
在结束第二放大阶段后，放大电路23进入预充阶段，预充信号Eq和噪声消除信号Nc调整为第二电平状态，此时，第一参考信号NCS/第二参考信号PCS将恢复至第四电压值，位线Bla/互补位线Blb、读出位线saBla/互补读出位线saBlb将恢复至相同的电压值。
在结束预充阶段后，放大电路23再次进入待机阶段，以准备下一次操作。
这样，本公开实施例提供的控制放大电路20至少具有以下优点：一方面，在待机阶段，隔离控制信号为第二电平状态中的较低电压值(第二电压值)，能够避免开关管漏电的问题，较少器件失效现象，提高半导体存储器的使用寿命；另一方面，在由待机阶段进入噪声消除阶段时，隔离控制信号需要由第二电平状态调整为第一电平状态，由于本公开实施例的隔离控制信号在待机阶段具有较低电压值，所以电平状态调整较快，能够提升信号处理的速度；又一方面，在进入第二信号分享阶段后，由于隔离控制信号为第二电平状态中的较低电压值(第二电压值)，能够减少待处理信号电压升高过程中的噪声，提高放大裕度；再一方面，通过控制3个第十一开关管的状态，可以调整第一参考信号的放电速度，从而减少待处理信号电位降低过程中的噪声。
在另一种具体的实施例中，预设指令为读指令时，也可以采用另一种放大控制方法：
若所述放大电路处于所述噪声消除阶段或所述第一电荷分享阶段，则维持隔离控制信号具有第三电压值；或者若所述放大电路处于所述第二电荷分享阶段或所述第一放大阶段，则维持所述隔离控制信号具有第一电压值；或者若所述放大电路处于所述待机阶段或者所述预充阶段或所述第二放大阶段，则维持所述隔离控制信号具有第二电压值。
需要说明的是，参见图12，其示出了本公开实施例提供的另一种读操作的信号时序示意图。放大过程各阶段预充信号Eq、噪声消除信号Nc、第二参考控制信号SapEn、第一参考信号NCS、第二参考信号PCS、位线Bla、互补位线Blb、读出位线saBla及互补读出位线saBlb均与图11放大过程相同。另外，第一一参考控制信号SapEn1用于控制部分第十一开关管的导通或者关断，第一二参考控制信号SapEn2用于控制另外部分第十一开关管的导通和关断，从而节省能耗。
本公开实施例中，在第二电荷分享阶段或所述第一放大阶段，需要维持隔离控制信号具有第一电压值，第九开关管309和第十开关管310的导通速度增大，能够提高位线Bla与读出位线saBla之间的信号传输速度，加快待处理信号的放大过程和重新写入的过程，节约信号放大时间，减小第九开关管309和第十开关管310处于高压状态的时间，延长使用寿命。另外，隔离电源值在噪声消除阶段就提前变化为第一电压值，能够减少后续隔离控制信号电压升高所需要的时间。
以上针对读操作的两种放大控制方法均可，可根据实际应用场景进行选用。
在又一种具体的实施例中，预设指令为刷新指令。放大电路对待处理信号进行处理时包括：待机阶段、噪声消除阶段、第一电荷分享阶段、第二电荷分享阶段、第一放大阶段、第二放大阶段和预充阶段；该方法还包括：
若放大电路处于噪声消除阶段或者第一电荷分享阶段，则维持隔离控制信号具有第三电压值；或者若放大电路处于待机阶段或第二放大阶段或者预充阶段，则确定隔离控制信号具有第二电压值；或者若放大电路处于第二电荷分享阶段或第一放大阶段，则维持隔离控制信号具有第一电压值。
在一些实施例中，所述放大电路处于噪声消除阶段，维持所述隔离电源值为第一电源值。
需要说明的是，参见图13，其示出了本公开实施例提供的一种刷新操作的信号时序示意图。图13中各信号的状态可参照图11理解。特别地，图13中预充信号Eq、噪声消除信号Nc、第一参考控制信号SanEn、第二参考控制信号SapEn、字线开启信号WL、第一参考信号NCS、第二参考信号PCS的变化规律均与图11相同，以下仅对隔离电源值VisoInt和隔离控制信号Iso在不同工作阶段的变化进行说明。
在待机阶段，图13与图11相同，隔离电源值VisoInt同样为第二电压值，隔离控制信号Iso同样为第二电压值。
在噪声消除阶段，隔离控制信号Iso同样从第二电压值降低为第三电压值。但是，隔离电源值VisoInt提前调整为第一电压值，从而提高后续隔离电源信号Iso由第三电压值向第一电压值的变化速度，加快信号传输速度。
在第一电荷分享阶段，隔离电源值Iso仍维持第一电压值，隔离电源值VisoInt仍维持第一电压值，即控制位线Bla与读出位线saBla不接通，位线Blb与saBlb不接通。
在第二电荷分享阶段，隔离电源值VisoInt维持第一电压值，隔离电源信号Iso直接由第三电压值升高为第一电压值。原因是：隔离电源值的生成位置通常与放大电路距离较远，而通过将隔离电源值VisoInt提前切换至第一电压值，不仅与操作指令信号相匹配，能够减少第一电压值的传输时间，提高第九开关管309和第十开关管310的导通速度。
在第一放大阶段，隔离电源值Iso仍维持第一电压值，隔离控制信号Iso仍维持第一电压值。原因是：第九开关管309和第十开关管310在第一电压值的作用下，导通程度增加，读出位线saBLa的电压变化会迅速传输给位线BLa，位线BLa的电压变化也会传输至第一存储单元51，而实现待处理信号的快速放大和重新写入，并且缩短第九开关管309和第十开关管310在高压作用下的时间，提高第九开关管309和第十开关管310的使用寿命。
在第二放大阶段，隔离电源值VisoInt调整为第二电压值，隔离控制信号Iso调整为第二电压值。原因是：在第一放大阶段，位线BLa的电压会达到最终电压值的80-90％，基本完成待处理信号的放大，此时调整隔离控制信号Iso为第二电压值，能够继续将位线BLa的电压变化至最终电压值，降低第九开关管309和第十开关管310的消耗，从而缩短信号放大时间。
在预充阶段，预充信号Eq和噪声消除信号Nc调整为第二电平状态，从而对各个电路节点进行预充。
这样，如图13所示，对于刷新指令，通过在tRAS所示的时间段内将隔离电源值升高为第一电压值，所以可以加快隔离控制信号的电压升高过程，增加第二电荷分享阶段和第一放大阶段中的电荷传输速度，加快信号传输速度。
本公开实施例提供的控制放大电路20至少具有以下优点：一方面，在待机阶段，隔离控制信号为第二电平状态中的较低电压值(第二电压值)，能够避免开关管漏电的问题，较少器件失效现象，提高半导体存储器的使用寿命；另一方面，在由待机阶段进入噪声消除阶段时，隔离控制信号需要由第二电平状态调整为第一电平状态，由于本公开实施例的隔离控制信号在待机阶段具有较低电压值，所以电平状态调整较快，能够提升信号处理的速度。
在又一种具体的实施例中，预设指令为写指令。放大电路对待处理信号进行处理时包括：待机阶段、噪声消除阶段、电荷分享阶段(第一电荷分享阶段和第二电荷分享阶段)、第一放大阶段、信号写入阶段、第二放大阶段和预充阶段；该方法还包括：
若放大电路处于噪声消除阶段或电荷分享阶段或第一放大阶段，则维持隔离控制信号具有第三电压值；或者
若放大电路处于待机阶段或第二放大阶段或者预充阶段，则维持隔离控制信号具有第二电压值；或者
若放大电路处于信号写入阶段，则维持隔离控制信号具有第一电压值。
需要说明的是，参见图14，其示出了本公开实施例提供的一种刷新操作的信号时序示意图，以存储数据为“0”，写入数据为“1”进行说明。图14中各信号的状态可参照图11理解。
特别地，图14中预充信号Eq、噪声消除信号Nc、第一参考控制信号SanEn、第二参考控制信号SapEn、字线开启信号WL、第一参考信号NCS、第二参考信号PCS的变化规律均与图11相同，以下仅对隔离电源值VisoInt和隔离控制信号Iso在不同工作阶段的变化进行说明。
在待机阶段、噪声消除阶段和第一电荷分享阶段，隔离电源值VisoInt和隔离控制信号Iso在图14和图11中的变化规律相同，在此不做赘述。
在第二电荷分享阶段和第一放大阶段，隔离控制信号Iso并不会由第三电压值升高，而是继续保持第三电压值。原因是：第一存储单元51开启后，与位线Bla连接，于位线Bla上形成待处理信号，由于待处理信号由存储单元形成，而写入指令需要将新的写入信号传输至存储单元，在第二电荷分享阶段，写入信号还没有传输至位线Bla上，放大电路只能处理存储单元形成的待处理信号，无需对待处理信号进行快速处理，但高于位线Bla的互补位线Blb电压会使第六开关管306部分导通，第二参考电位NCS逐渐拉低读出位线saBla的电压，使第六开关管306部分导通，第一参考电位PCS逐渐拉高互补读出位线saBlb的电压，进而影响第九开关管309和第十开关管310的关断状态，位线Bla的电压会缓慢降低，互补位线Blb的电压缓慢升高。隔离控制信号Iso维持第三电压值能够延长放大电路的关闭时间，减小放大电路消耗。
在信号写入阶段，隔离控制信号由第三电压值升高至第一电压值。此时写入的高电压信号传输至位线BLa上，位线BLa的电压在写入信号的作用下快速升高，第五开关管305迅速打开，第一参考信号NCS拉低互补读出位线saBlb的电压，促进第八开关管308的打开，第二参考信号PCS拉高读出位线saBla的电压，此时导通程度大的第九开关管309和第十开关管310，能够进一步加快位线BLa电压的变化，快速达到最大电压值，BLa电压的变化会导致相连接的存储单元的电压也迅速变化，存储数据由“0”转“1”。隔离控制信号由第三电压值升高至第一电压值能够提高信号写入的速度，保证数据写入质量。
在第二放大阶段，隔离控制信号由第一电压值降低至第二电压值。原因是：由于信号写入在前一阶段基本完成，隔离控制信号设置为第二电压值，能够继续维持写入信号的电压，保证写入指令的完成，并降低第九开关管309和第十开关管310功耗。
在预充阶段，预充信号Eq和噪声消除信号Nc调整为第二电平状态，从而对各个电路节点进行预充。
这样，如图14所示，对于写指令，在数据写入操作之后紧跟预充操作时，由于在数据写入操作之后的tWR时间内隔离电源值由第二电压值切换到第一电压值，实现快速写操作，在其他的时间隔离电源值处于第二电压值实现省电。
还需要说明的是，本公开实施例保护的是隔离控制信号在时序上的变化规律，放大电路的工作阶段仅是辅助说明，因此放大电路的工作阶段在本公开实施例中并不具有额外的限定意义。事实上，放大电路的工作阶段可以具有多种命名以及区分方式。
另外，对于图8所示出的不具有噪声消除功能的放大电路来说，其可以不具有噪声消除阶段，因此，在一些实施例中，针对读指令，放大电路的工作状态包括待机阶段、第一电荷分享阶段、第二电荷分享阶段、第一放大阶段、第二放大阶段和预充阶段；所示放大电路根据预设指令接收隔离控制信号和待处理信号，可以包括：
若放大电路处于待机阶段或第二电荷分享阶段，则维持隔离控制信号具有第三电压值；或者若放大电路处于信号处理状态或预充阶段，则维持隔离控制信号具有第二电压值；或者若放大电路处于第一电荷分享阶段，则维持隔离控制信号具有第一电压值。
在另一些实施例中，针对刷新指令，放大电路的工作状态包括待机阶段、第一电荷分享阶段、第二电荷分享阶段、第一放大阶段、第二放大阶段和预充阶段；所示放大电路根据预设指令接收隔离控制信号和待处理信号，可以包括：
若放大电路处于第一电荷分享阶段，则维持隔离控制信号具有第三电压值；或者若放大电路处于待机阶段或第二放大阶段或者预充阶段，则维持隔离控制信号具有第二电压值；或者若放大电路处于第二电荷分享阶段或第一放大阶段，则维持隔离控制信号具有第一电压值。
在又一些实施例中，针对写指令，放大电路的工作状态包括待机阶段、电荷分享阶段、第一放大阶段、信号写入阶段、第二放大阶段和预充阶段；所示放大电路根据预设指令接收隔离控制信号和待处理信号，可以包括：
若放大电路处于电荷分享阶段或第一放大阶段，则维持隔离控制信号具有第三电压值；或者若放大电路处于待机阶段或第二放大阶段或者预充阶段，则维持隔离控制信号具有第二电压值；或者若放大电路处于信号写入阶段，则维持隔离控制信号具有第一电压值。
这样，在完成预设操作中的过程中，隔离电源值具有至少三个电压值，并根据放大电路进行的具体工作阶段进行切换，能够优化信号放大过程，部分改善信号放大速度慢、电路噪声大的问题。
特别地，以上各个阶段和信号变化规律可参照前述实施例进行理解。
本公开实施例提供了一种控制放大方法，该方法包括：接收预设指令，根据所述预设指令确定隔离电源值和控制指令信号；根据所述隔离电源值和所述控制指令信号生成隔离控制信号；所述放大电路根据预设指令接收所述隔离控制信号和目标待处理信号，对所述待处理信号进行处理，完成预设指令。这样，通过隔离电源值控制隔离控制信号的具体电压值，能够优化信号放大过程，至少部分改善信号放大速度慢和电路噪声大的问题。
在本公开的又一实施例中，参见图15，其示出了本公开实施例提供的一种灵敏放大器60的组成结构示意图。如图15所示，灵敏放大器60可以包括前述实施例任一项所述的控制放大电路20。
这样，由于灵敏放大器60可以包括前述实施例任一项所述的控制放大电路20，能够利用电源切换信号能够对隔离电源值进行控制，后续可以通过改变电源切换信号来调整隔离电源值的具体电压值大小，从而改善信号放大速度慢和电路噪声大的问题。
在本公开的再一实施例中，参见图16，其示出了本公开实施例提供的一种半导体存储器70的组成结构示意图。如图16所示，半导体存储器70可以包括前述实施例任一项所述的灵敏放大器60。
在本公开实施例中，半导体存储器70可以为DRAM芯片。
这样，由于半导体存储器70包括前述的灵敏放大器60，能够利用电源切换信号能够对隔离电源值进行控制，后续可以通过改变电源切换信号来调整隔离电源值的具体电压值大小，从而改善信号放大速度慢和电路噪声大的问题。
以上，仅为本公开的较佳实施例而已，并非用于限定本公开的保护范围。
需要说明的是，在本公开中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
上述本公开实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
本公开所提供的几个方法实施例中所揭露的方法，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的方法实施例。
本公开所提供的几个产品实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的产品实施例。
本公开所提供的几个方法或设备实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的方法实施例或设备实施例。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (26)

1.一种控制放大方法，其特征在于，应用于放大电路；所述方法包括：
接收预设指令，根据所述预设指令确定隔离电源值和控制指令信号；
根据所述隔离电源值和所述控制指令信号生成隔离控制信号；
所述放大电路根据预设指令接收所述隔离控制信号和目标待处理信号，对所述待处理信号进行处理，完成预设指令。
2.根据权利要求1所述的控制放大方法，其特征在于，所述预设指令至少包括以下的其中之一：读指令、刷新指令和写指令；
所述隔离电源值为第二电压值或第三电压值；
所述隔离控制信号为第一电压值、第二电压值和第三电压值中的一种；
所述第一电压值大于所述第二电压值，所述第二电压值大于所述第三电压值。
3.根据权利要求2所述的控制放大方法，其特征在于，所述根据所述预设指令确定隔离电源值，包括：
根据所述预设指令，获取第一电源切换信号和/或第二电源切换信号；
根据所述第一电源切换信号和/或所述第二电源切换信号，确定所述隔离电源值；
所述根据所述第一电源切换信号和/或所述第二电源切换信号，确定所述隔离电源值，包括：
在所述第一电源切换信号具有第一电平状态且所述第二电源切换信号具有第二电平状态时，确定所述隔离电源值具有第一电压值；或者
所述第一电源切换信号具有第二电平状态且所述第二电源信号具有第一电平状态时，确定所述隔离电源值具有第二电压值；
其中，所述第一电压值和所述第二电压值均属于第二电平状态。
4.根据权利要求2所述的控制放大方法，其特征在于，所述根据所述隔离电源值和所述控制指令信号生成隔离控制信号，包括：
在所述控制指令信号具有第二状态且所述隔离电源值具有第一电压值的情况下，确定所述隔离控制信号具有第一电压值；或者
在所述控制指令信号具有第二状态且所述隔离电源值具有第二电压值的情况下，确定所述隔离控制信号具有第二电压值；或者
在所述控制指令信号具有第一状态的情况下，确定所述隔离控制信号具有第三电压值；
其中，第一状态为第一电平状态或第二电平状态，第二状态为第一电平状态或第二电平状态，所述第一状态与所述第二状态所处的电平状态不同；所述第三电压值属于所述第一电平状态。
5.根据权利要求2所述的控制放大方法，其特征在于，所述放大电路对所述待处理信号进行处理，包括：信号放大阶段，所述放大电路在信号放大阶段将所述待处理信号放大后写入存储单元；
在所述放大电路处于所述信号放大阶段中的一个阶段，控制所述隔离控制信号具有第一电压值；
所述预设指令为读指令或刷新指令，所述信号放大阶段包括第一放大阶段和第二放大阶段；
所述预设指令为写指令，所述信号放大阶段包括第一放大阶段、信号写入阶段和第二放大阶段。
6.根据权利要求2所述的控制放大方法，其特征在于，在所述预设指令为读指令时，所述放大电路对所述待处理信号进行处理时包括：待机阶段、噪声消除阶段、第一电荷分享阶段、第二电荷分享阶段、第一放大阶段、第二放大阶段和预充阶段；所述方法还包括：
若所述放大电路处于所述噪声消除阶段或所述第一电荷分享阶段，则维持隔离控制信号具有第三电压值；或者
若所述放大电路处于所述待机阶段或所述第二电荷分享阶段或所述第一放大阶段，则维持所述隔离控制信号具有第二电压值；或者
若所述放大电路处于所述预充阶段或所述第二放大阶段，则维持所述隔离控制信号具有第一电压值。
7.根据权利要求2所述的控制放大方法，其特征在于，在所述预设指令为读指令时，所述放大电路对所述待处理信号进行处理时包括：待机阶段、噪声消除阶段、第一电荷分享阶段、第二电荷分享阶段、第一放大阶段、第二放大阶段和预充阶段；所述方法还包括：
若所述放大电路处于所述噪声消除阶段或所述第一电荷分享阶段，则维持隔离控制信号具有第三电压值；或者
若所述放大电路处于所述第二电荷分享阶段或所述第一放大阶段，则维持所述隔离控制信号具有第一电压值；或者
若所述放大电路处于所述待机阶段或者所述预充阶段或所述第二放大阶段，则维持所述隔离控制信号具有第二电压值。
8.根据权利要求2所述的控制放大方法，其特征在于，在所述预设指令为刷新指令的情况下，所述放大电路对所述待处理信号进行处理时包括：待机阶段、噪声消除阶段、第一电荷分享阶段、第二电荷分享阶段、第一放大阶段、第二放大阶段和预充阶段；所述方法还包括：
若所述放大电路处于所述噪声消除阶段或者所述第一电荷分享阶段，则维持所述隔离控制信号具有第三电压值；或者
若所述放大电路处于所述待机阶段或所述第二放大阶段或者预充阶段，则确定所述隔离控制信号具有第二电压值；或者
若所述放大电路处于所述第二电荷分享阶段或所述第一放大阶段，则维持所述隔离控制信号具有第一电压值。
9.根据权利要求2所述的控制放大方法，其特征在于，在所述预设指令为写指令的情况下，所述放大电路对所述待处理信号进行处理时包括：待机阶段、噪声消除阶段、电荷分享阶段、第一放大阶段、信号写入阶段、第二放大阶段和预充阶段；所述方法还包括：
若所述放大电路处于所述噪声消除阶段或电荷分享阶段或所述第一放大阶段，则维持所述隔离控制信号具有第三电压值；或者
若所述放大电路处于所述待机阶段或所述第二放大阶段或者预充阶段，则维持所述隔离控制信号具有第二电压值；或者
若所述放大电路处于所述信号写入阶段，则维持所述隔离控制信号具有第一电压值。
10.根据权利要求2所述的控制放大方法，其特征在于，在所述预设指令为读指令时，所述放大电路的工作状态包括待机阶段、第一电荷分享阶段、第二电荷分享阶段、第一放大阶段、第二放大阶段和预充阶段；所述方法还包括：
若所述放大电路处于所述待机阶段或所述第二电荷分享阶段，则维持所述隔离控制信号具有第三电压值；或者
若所述放大电路处于信号处理状态或预充阶段，则维持所述隔离控制信号具有第二电压值；或者
若所述放大电路处于所述第一电荷分享阶段，则维持所述隔离控制信号具有第一电压值。
11.根据权利要求2所述的控制放大方法，其特征在于，在所述预设指令为刷新指令的情况下，所述放大电路的工作状态包括待机阶段、第一电荷分享阶段、第二电荷分享阶段、第一放大阶段、第二放大阶段和预充阶段；所述方法还包括：
若所述放大电路处于所述第一电荷分享阶段，则维持所述隔离控制信号具有第三电压值；或者
若所述放大电路处于所述待机阶段或所述第二放大阶段或者预充阶段，则维持所述隔离控制信号具有第二电压值；或者
若所述放大电路处于所述第二电荷分享阶段或所述第一放大阶段，则维持所述隔离控制信号具有第一电压值。
12.根据权利要求2所述的控制放大方法，其特征在于，在所述预设指令为写指令的情况下，所述放大电路对所述待处理信号进行处理时包括：待机阶段、电荷分享阶段、第一放大阶段、信号写入阶段、第二放大阶段和预充阶段；
若所述放大电路处于所述电荷分享阶段或所述第一放大阶段，则维持所述隔离控制信号具有第三电压值；或者
若所述放大电路处于所述待机阶段或第二放大阶段或者预充阶段，则维持所述隔离控制信号具有第二电压值；或者
若所述放大电路处于所述信号写入阶段，则维持所述隔离控制信号具有第一电压值。
13.根据权利要求6-12任一项所述的控制放大方法，其特征在于，所述方法还包括：
所述放大电路处于所述待机阶段，用于将所述放大电路中的各节点电压维持在预设电位；
所述放大电路处于所述第一电荷分享阶段，目标存储单元根据所述预设指令形成待处理信号；
所述放大电路处于所述第二电荷分享阶段，响应于所述隔离控制信号，所述待处理信号传输至所述放大电路；
所述放大电路处于所述第一放大阶段，所述放大电路对所述待处理信号放大处理；
所述放大电路处于所述第二放大阶段，通过放大后的所述待处理信号，恢复所述目标存储单元的数据；
所述放大电路处于预充阶段，所述放大电路完成对所述目标存储单元的所述预设指令，将所述放大电路中的各节点电压恢复至预设电位。
14.根据权利要求13所述的控制放大方法，其特征在于，在所述预设指令为写指令的情况下，所述放大电路处于信号写入阶段，所述放大电路接收写入信号，所述写入信号替换所述存储单元产生的信号形成所述待处理信号，所述放大电路对所述待处理信号进行放大处理。
15.根据权利要求7或8所述的控制放大方法，其特征在于，所述方法还包括：
所述放大电路处于噪声消除阶段，维持所述隔离电源值为第一电源值。
16.根据权利要求6-9任一项所述的控制放大方法，其特征在于，所述放大电路处于噪声消除阶段，所述放大电路通过响应隔离消除信号，对所述放大电路中的晶体管执行偏移消除操作。
17.一种应用于权利要求1-16所述的控制放大电路，其特征在于，所述控制放大电路包括信号确定电路、隔离控制电路和放大电路；其中，
所述信号确定电路，用于在接收到预设指令之后，根据所述预设指令确定隔离电源值和控制指令信号；
所述隔离控制电路，用于接收所述隔离电源值和所述控制指令信号，并根据所述控制指令信号生成隔离控制信号；
所述放大电路，用于根据所述预设指令接收所述隔离控制信号和待处理信号，对所述待处理信号进行信号放大处理，完成预设指令。
18.根据权利要求17所述的控制放大电路，其特征在于，所述隔离电源值和控制指令信号通过信号确定电路确定，所述隔离控制信号通过隔离控制电路确定；
所述信号确定电路包括第一信号确定电路、电源输出电路和第二信号确定电路；其中，
所述第一信号确定电路，用于在接收到所述预设指令之后，根据所述预设指令输出第一电源切换信号和/或第二电源切换信号；
所述电源输出电路，用于根据所述第一电源切换信号和/或所述第二电源切换信号，输出隔离电源值；
所述第二信号确定电路，用于根据所述预设指令，生成所述控制指令信号；
所述预设指令至少包括以下的其中之一：读指令、刷新指令和写指令。
19.根据权利要求18所述的控制放大电路，其特征在于，
所述电源输出电路，用于在所述第一电源切换信号具有第一电平状态，且所述第二电源切换信号具有第二电平状态时，确定所述隔离电源值具有第一电压值；或者
在所述第一电源切换信号具有第二电平状态且所述第二电源信号具有第一电平状态时，确定所述隔离电源值具有第二电压值；
其中，所述第一电压值和所述第二电压值均属于第二电平状态，且所述第一电压值大于所述第二电压值。
20.根据权利要求19所述的控制放大电路，其特征在于，
所述隔离控制电路，具体用于在所述控制指令信号具有第二状态且所述隔离电源值具有第一电压值的情况下，确定所述隔离控制信号具有第一电压值；或者
在所述控制指令信号具有第二状态且所述隔离电源值具有第二电压值的情况下，确定所述隔离控制信号具有第二电压值；或者
在所述控制指令信号具有第一状态的情况下，确定所述隔离控制信号具有第三电压值；
其中，第一状态为第一电平状态或第二电平状态，第二状态为第一电平状态或第二电平状态，所述第一状态与所述第二状态所处的电平状态不同；所述第三电压值属于所述第一电平状态，且所述第三电压值小于所述第二电压值。
21.根据权利要求20所述的控制放大电路，其特征在于，所述电源输出电路包括第一预设电源、第二预设电源、第一开关管和第二开关管；其中，
所述第一开关管的第一端与所述第一电源切换信号连接，所述第二开关管的第一端与所述第二电源切换信号连接；
所述第一开关管的第二端与所述第一预设电源连接，所述第二开关管的第二端与所述第二预设电源连接；
所述第一开关管的第三端，与所述第二开关管的第三端连接，用于输出所述隔离电源值；
其中，所述第一预设电源用于输出所述第一电压值，所述第二预设电源用于输出所述第二电压值；
所述隔离控制电路包括第一反向器、第三开关管和第四开关管；其中，
所述第一反向器的输入端与所述控制指令信号连接，所述第一反向器的输出端分别与所述第三开关管的第一端和第四开关管的第一端连接；
所述第三开关管的第二端与所述隔离电源值连接，所述第四开关管的第三端与地信号连接；
所述第三开关管的第三端，与所述第四开关管的第二端连接，用于输出所述隔离控制信号。
22.根据权利要求21所述的控制放大电路，其特征在于，所述放大电路包括控制电路和交叉耦合电路，交叉耦合电路包括第五开关管、第六开关管、第七开关管、第八开关管，控制电路包括第九开关管和第十开关管；
所述第五开关管的第一端，与所述第九开关管的第三端连接，用于接收所述待处理信号，所述第五开关管的第二端、所述第七开关管的第三端、所述第八开关管的第一端与第十开关管的第二端连接；
所述第六开关管的第一端，与所述第十开关管的第三端连接，用于接收参考待处理信号，所述第六开关管的第二端、所述第八开关管的第三端、所述第七开关管的第一端与第九开关管的第二端连接；
所述第五开关管的第三端、所述第六开关管的第三端与第一参考信号连接，所述第七开关管的第二端、所述第八开关管的第二端与第二参考信号连接，所述第九开关管的第一端、所述第十开关管的第一端与所述隔离控制信号连接。
23.根据权利要求22所述的控制放大电路，其特征在于，所述放大电路还包括预充电路，且所述预充电路包括第十三开关管和第十四开关管；其中，
所述第十三开关管的第一端、所述第十四开关管的第一端与预充控制信号连接；
所述第十三开关管的第二端与第四预设电源连接，所述第十三开关管的第三端与所述第六开关管的第二端连接；
所述第十四开关管的第三端与所述第五开关管的第二端连接，所述第十四开关管的第二端与所述第六开关管的第二端连接；
所述放大电路还包括噪声消除电路，所述噪声消除电路包括第十五开关管和第十六开关管；其中，
所述第十五开关管的第一端、第十六开关管的第一端与噪声控制信号连接；
所述第十五开关管的第二端与所述第五开关管的第二端连接，所述第十五开关管的第三端与所述第五开关管的第一端连接；
所述第十六开关管的第二端与所述第六开关管的第二端连接，所述第十六开关管的第三端与所述第六开关管的第一端连接。
24.根据权利要求18至23任一项所述的控制放大电路，其特征在于，第一开关管、第二开关管、第三开关管、第七开关管和第八开关管为P型沟道场效应管；
第四开关管、第五开关管、第六开关管、第九开关管、第十开关管、第十三开关管、第十四开关管、第十五开关管和第十六开关管为N型沟道场效应管；
其中，所述P型沟道场效应管的第一端为栅极端，所述P型沟道场效应管的第二端为源极端，所述P型沟道场效应管的第三端为漏极端；所述N型沟道场效应管的第一端为栅极端，所述N型沟道场效应管的第二端为漏极端，所述N型沟道场效应管的第三端为源极端。
25.一种灵敏放大器，其特征在于，包括如权利要求17至24任一项所述的控制放大电路。
26.一种半导体存储器，其特征在于，包括如权利要求25所述的灵敏放大器。
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