CN116344391A - 用于处理基板的设备及方法 - Google Patents

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崔叡珍
崔恩赫
姜兑昊
金永珍
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Abstract

本发明的用于处理基板的设备包括缓冲单元、反向单元、第一转移腔室、第二转移腔室、第一清洗腔室、及第二清洗腔室。第一转移腔室、反向单元、及第二转移腔室在一个方向上依序配置。第一清洗腔室布置于第一转移腔室的一侧处，且第二清洗腔室布置于第二转移腔室的一侧处。设置于第一转移腔室中的第一主转移机械手在缓冲单元、反向单元、及第一清洗腔室之间直接转移基板。设置于第二转移腔室中的第二主转移机械手在缓冲单元、反向单元、及第二清洗腔室之间直接转移基板。

Description

用于处理基板的设备及方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月24日提交韩国专利局的、申请号为10-2021-0186890以及2022年4月8日提交韩国专利局的、申请号为10-2022-0043812的韩国专利申请的优先权和权益，它们的全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明是关于一种用于处理基板的设备及方法，更具体地，是关于一种用基板反向单元处理基板的设备及其方法。
背景技术
半导体工艺包括清洗基板上的薄膜、异物、及颗粒的工艺。工艺包括用于清洗其上形成有图案的基板的上表面的上表面清洗工艺，及用于清洗未形成图案的基板的后表面的后表面清洗工艺。一般而言，通过在基板的上表面放置成朝上的状态下将清洗液体供应至基板的上表面来执行表面清洗工艺。此外，在基板的后表面放置成朝上时，通过在将液体供应至基板的后表面的同时用刷子擦洗基板的后表面来执行后表面清洗工艺。为了执行如上所述的上清洗工艺及后清洗工艺两者，用于处理基板的设备设置有反向单元，反向单元将基板的上表面与后表面的位置反向。
一般而言，缓冲单元与反向单元彼此堆叠于索引模块与处理模块之间，且转移机械手分别配置于缓冲单元及反向单元的两侧上。转移单元在缓冲单元与反向单元之间转移基板。此外，处理模块具有主转移路径，主转移机械手沿主转移路径行进，且在主运输路径的两侧上，沿主转移路径配置执行上清洗工艺的上清洗腔室及执行后清洗工艺的后清洗腔室。主转移机械手在缓冲单元、反向单元、多个上表面清洗腔室、及多个后表面清洗腔室之间转移基板。
然而，在具有上述结构的用于处理基板的设备中，由于一个主转移机械手负责基板在缓冲单元、反向单元、多个上表面清洗腔室、及多个后表面清洗腔室之间全部转移，故主转移机械手中承担了大量负荷。为此，基板不能快速转移至下一单元或腔室，且可能在单元或腔室中等待很长时间。
发明内容
本发明致力于提供一种用于处理基板的设备，所述设备具有可改善基板的转移效率的结构。
本发明也致力于提供一种用于处理基板的设备，所述设备具有能够减少基板在设置于用于处理基板的设备中的单元或腔室中的等待时间的结构。
本发明的目的不限于此，本领域技术人员将自以下描述清楚地理解未提及的其他目的。
本发明的例示性实施方案提供一种用于处理基板的设备，所述设备包括索引模块及相邻于索引模块布置的处理模块。索引模块包括在其上容纳基板的一个或多个装载端口、及设置有索引机械手的索引框架，索引机械手在放置于装载端口中的容器与处理模块之间转移基板。处理模块包括缓冲单元、反向单元、处理腔室、及转移腔室，基板暂时留在缓冲单元中；反向单元配置为将基板反向，从而改变基板的图案表面与非图案表面的位置；处理腔室配置为处理基板；转移腔室设置有在缓冲单元、反向单元、及处理腔室之间转移基板的主转移机械手。缓冲单元及反向单元布置成在垂直方向上堆叠，当自顶部观察时，索引框架及缓冲框架配置于第一方向上。转移腔室包括布置于缓冲单元的一侧上的第一转移腔室及布置于缓冲器单元的另一侧上的第二转移腔室，当自顶部观察时，第一转移腔室、缓冲单元、及第二转移腔室配置于垂直于第一方向的第二方向上。处理腔室包括配置于第一转移腔室的一侧上的第一清洗腔室及配置于第二转移腔室的另一侧上的第二清洗腔室，当自顶部观察时，第一转移腔室及第一清洗腔室配置在平行于第一方向的方向上，且当自顶部观察时，第二转移腔室及第二清洗腔室配置在平行于第一方向的方向上。设置于第一转移腔室中的主转移机械手设置成在缓冲单元、反向单元、及第一清洗腔室之间直接转移基板。设置于第二转移腔室中的主转移机械手设置成在缓冲单元、反向单元、及第二清洗腔室之间直接转移基板。
根据例示性实施方案，第一清洗腔室及第二清洗腔室可配置在平行于第二方向的方向上。
根据例示性实施方案，第一清洗腔室可包括配置为支承并旋转基板的支承单元、配置为清洗由支承单元支承的基板的刷子单元、及配置为将处理液体供应至由支承单元支承的基板的液体供应单元。
根据例示性实施方案，可以多个形式提供第一清洗腔室，且多个第一清洗腔室可彼此堆叠地布置。
根据例示性实施方案，第一清洗腔室与第二清洗腔室可以相同的结构设置。
根据例示性实施方案，用于处理基板的设备进一步包括控制器，控制器配置为控制处理模块，且控制器可控制处理腔室，使得当基板以基板的图案表面朝上的方式放置于支承单元上时通过将处理液体供应至基板的图案表面来清洗基板的图案表面；并控制处理腔室，使得当基板以基板的非图案表面朝上的方式放置于支承单元上时用刷子单元来清洗基板的非图案表面。
根据例示性实施方案，缓冲单元包括主缓冲器及布置成与主缓冲器堆叠的次缓冲器，且主转移机械手能够将基板分别转移至主缓冲器及次缓冲器。
根据例示性实施方案，次缓冲器可布置于主缓冲器与反向单元之间。
根据例示性实施方案，可设置多个反向单元，反向单元可彼此堆叠，且多个反向单位可彼此相邻地布置。
根据例示性实施方案，主转移机械手包括底板及安装于底板上的手，手可设置成可相对于底板向前及向后移动，且底板能够在第三方向上移动，及在平行于第一方向的移动、平行于第二方向的移动、在分别垂直于第一方向及第二方向的第三方向上的移动中进行旋转运动，且所述旋转运动绕作为轴的第三方向。
根据例示性实施方案，多个手可设置成主转移机械手，且多个手可设置成可彼此独立地向前及向后移动。
本发明的另一例示性实施方案提供一种用于处理基板的设备，所述设备包括索引模块以及相邻于索引模块布置的第一工艺模块及第二工艺模块。索引模块包括其上容纳有基板的一个或多个装载端口，及设置有索引机械手的索引框架，索引机械手在放置于装载端口中的容器与第一工艺模块之间、及在放置于装置端口中的容器与第二工艺模块之间转移基板。第一工艺模块及第二工艺模块在垂直方向上堆叠。第一工艺模块及第二工艺模块中的每一者均包括缓冲单元、反向单元、处理腔室，及转移腔室，基板暂时留在缓冲单元中；反向单元配置为将基板反向，使得基板的图案表面与非图案表面的位置经改变；处理腔室配置为处理基板；转移腔室设置有主转移机械手，主转移机械手在缓冲单元、反向单元、及处理腔室之间转移基板。缓冲单元与反向单元布置成在垂直方向上堆叠，且当自顶部观察时，索引框架及缓冲单元配置于第一方向上。转移腔室包括布置于缓冲单元的一侧上的第一转移腔室及布置于缓冲器单元的另一侧上的第二转移腔室，且当自顶部观察时，第一转移腔室、缓冲单元、及第二转移腔室配置于垂直于第一方向的第二方向上。处理腔室包括配置于第一转移腔室的一侧上的第一清洗腔室、及配置于第二转移腔室的另一侧上的第二清洗腔室，当自顶部观察时，第一转移腔室及第一清洗腔室配置在平行于第一方向的方向上，当自顶部观察时，第二转移腔室及第二清洗腔室配置在平行于第一方向的方向上，且第一清洗腔室及第二清洗腔室配置在平行于第二方向的方向上。设置于第一转移腔室中的主转移机械手设置成在缓冲单元、反向单元、及第一清洗腔室之间直接转移基板，而设置于第二转移腔室中的主转移机械手设置成在缓冲单元、反向单元、及第二清洗腔室之间直接转移基板。
根据例示性实施方案，设置于第一工艺模块中的第一清洗腔室及第二清洗腔室、以及设置于第二工艺模块中的第一清洗腔室及第二清洗腔室各自包括配置为支承并旋转基板的支承单元、配置为清洗由支承单元支承的基板的刷子单元、及配置为将处理液体供应至由支承单元支承的基板的液体供应单元。
根据例示性实施方案，用于处理基板的设备进一步包括控制器，控制器配置为控制第一工艺模块及第二工艺模块。控制器控制处理腔室，使得当基板以基板的图案表面朝上的方式放置于支承单元上时，通过将处理液体供应至基板的图案表面来清洗基板的图案表面，并控制处理腔室，使得当基板以基板的非图案表面朝上的方式放置于支承单元上时，用刷子单元来清洗基板的非图案表面。
根据例示性实施方案，缓冲单元包括主缓冲器及布置成与主缓冲器堆叠的次缓冲器，且主转移机械手可设置成将基板分别转移至主缓冲器及次缓冲器，第一工艺模块可布置于第二工艺模块上。在第一工艺模块中，主缓冲器可布置于反向单元之下，且次缓冲器布置于主缓冲器与反向单元之间，而在第二工艺模块中，主缓冲器可布置于反向单元之上，且次缓冲器布置于主缓冲器与反向单元之间。
根据例示性实施方案，主转移机械手包括底板及安装于底板上的多个手，多个手设置成可彼此独立地向前及向后移动，且底板能够在第三方向上移动，及在平行于第一方向的移动、平行于第二方向的移动、在分别垂直于第一方向及第二方向的第三方向上的移动中进行旋转移动，且所述旋转移动绕第三方向。
此外，本发明提供一种用于使用上述用于处理基板的设备来处理基板的方法。用于处理基板的方法包括自放置于装载端口中的容器带出基板及用索引机械手将基板转移至缓冲单元；用设置于第一转移腔室中的主转移机械手或设置于第二转移腔室中的主转移机械手将基板转移至第一清洗腔室或第二清洗腔室；在第一清洗腔室或第二清洗腔室中在基板的图案表面及非图案表面中的一者上处理第一工艺；用设置于第一转移腔室中的主转移机械手或设置于第二转移腔室中的主转移机械手将在其上完成第一工艺的基板自第一清洗腔室及第二清洗腔室中的一者转移至反向单元；在反向单元中将基板的图案表面与非图案表面的位置反向；用设置于第一转移腔室中的主转移机械手或设置于第二转移腔室中的主转移机械手将基板自反向单元转移至第一清洗腔室或第二清洗腔室；在第一清洗腔室或第二清洗腔室中在基板的图案表面或非图案表面中的另一者上处理第二工艺；用设置于第一转移腔室中的主转移机械手或设置于第二转移腔室中的主转移机械手将在其上完成第二工艺的基板转移至缓冲单元；及用索引机械手将在其上完成第二工艺的基板自缓冲单元带入放置于装载端口中的容器中。
根据例示性实施方案，当用索引机械手将基板带出放置于装载端口中的容器并转移至缓冲单元时，基板可以其图案表面朝上的方式布置，在执行第一工艺的处理之前，带入缓冲单元中的基板可用设置于第一转移腔室中的主转移机械手或设置于第二转移腔室中的主转移机械手转移至反向单元，在反向单元中，基板的图案表面与非图案表面的位置可反向，且第一工艺的处理可处理具有朝上的基板的非图案表面的基板的非图案表面。
根据例示性实施方案，第一工艺的处理可使用刷子来处理基板的非图案表面，而第二工艺的处理可通过将处理液供应至具有朝上的基板的图案表面的基板的图案表面来处理基板。
根据例示性实施方案，第一清洗腔室与第二清洗腔室可以相同的结构设置，且第一清洗腔室及第二清洗腔室中的每一者均能够处理基板的图案表面及非图案表面两者。
根据本发明的例示性实施方案，改善用于处理基板的设备中的基板的转移效率是可能的。
此外，根据本发明的例示性实施方案，减少用于处理基板的设备中的单元或腔室中的等待时间是可能的。
此外，根据本发明的例示性实施方案，减少用于处理基板的设备所占用的占用面积是可能的。
本发明的效果不限于上述效果，熟习此项技术者将自本说明书及随附图式清楚地理解未提及的效果。
附图说明
图1是示意性图示根据本发明的例示性实施方案的用于处理基板的设备的俯视图。
图2是沿图1的线I-I截取的视图。
图3是沿图1的线II-II截取的视图。
图4是示意性图示索引机械手的实例的透视图。
图5示意性图示第一主转移机械手的实例。
图6是示意性图示主缓冲器的结构的透视图。
图7是图6的主缓冲器的俯视图。
图8是示意性图示次缓冲器的透视图。
图9是图8的次缓冲器的俯视图。
图10是示意性图示设置于主缓冲器或次缓冲器中的支承销的实例的横截面图。
图11是示意性图示设置于主缓冲器或次缓冲器中的支承销的另一实例的横截面图。
图12是示意性图示反向单元的结构的横截面图。
图13至图16是依序图示基板由反向单元反向的操作实例的视图。
图17是示意性图示第一清洗腔室的实例的横截面图。
图18是依序图示使用图1的用于处理基板的设备来转移及处理基板的工艺的实例。
图19是依序图示在图1的用于处理基板的设备中经由其转移基板的路径的视图。
【符号说明】
1：用于处理基板的设备10：索引模块12：装载端口14：索引框架20：处理模块22：第一工艺模块24：第二工艺模块30：控制器
80：容器92：第一方向94：第二方向96：第三方向
120：索引机械手121：导引轨道122：驱动模块123：支承轴
124：底板124a：导引孔126：手127：垂直驱动器
128：旋转驱动器129：支架140：导引轨道300：反向单元
300a：第一反向单元300b：第二反向单元310：壳体
320：反向构件330：旋转主体340：第一夹持器342：支承件
344：夹持销350：第二夹持器360：直线驱动器
370：旋转驱动器400：缓冲单元401：(第一)主缓冲器
402：(第一)次缓冲器403：第二主缓冲器404：第二次缓冲器
410：框架412：底部板414：支承柱420：支承件
420a：第一支承件420b：第二支承件420c：第三支承件
422：垂直杆424：内部突起426：支承销460：壳体
470：支承件472：垂直杆474：内部突起476：支承销
480：支承销490：支承销492：上部主体494：接触表面
496：下部主体500：转移腔室501：第一转移腔室
502：第二转移腔室503：第三转移腔室504：第四转移腔室
510：导引轨道520：主转移机械手
520a：第一主转移机械手/第一反向机械手
520b：第二主转移机械手/第二反向机械手
520c：第三主转移机械手520d：第四主转移机械手522：驱动模块
523：支承轴524：底板524a：第一导引孔524b：第二导引孔
526：手526a：第一手526b：第二手531：旋转驱动器
532：垂直驱动器533a：第一支架533b：第二支架600：处理腔室
601：第一清洗腔室602：第二清洗腔室603：第三清洗腔室
610：壳体620：杯621：处理空间622：第一收集筒622a：入口
622b：收集空间622c：液体排放管624：第二收集筒624a：入口
624b：收集空间624c：液体排放管626：第三收集筒626a：入口
626b：收集空间626c：液体排放管630：支承单元632：旋转卡盘
632a：支承销632b：卡盘销634：驱动轴636：旋转驱动器
640：液体供应单元642：第一喷嘴642a：臂644：第二喷嘴
644a：臂646：第三喷嘴646a：臂650：提升单元660：刷子单元
661：主体662：刷子663：旋转轴664：旋转驱动器665：臂666：按压驱动器667：驱动器700：组件容纳空间I-I：线II-II：线
S10、S12、S14、S16、S18、S20、S22、S24、S26、S28、S30：步骤W：基板
具体实施方式
以下将参考随附图式更详细地描述本发明的例示性实施方案。可以各种形式修改本发明的例示性实施方案，且不应将本发明的范畴解译为受下述例示性实施方案的限制。提供本例示性实施方案是为了向本领域技术人员更全面地解释本发明。因此，图式中组件的形状经夸大以强调更清晰的描述。
图1是示意性图示根据本发明的例示性实施方案的用于处理基板的设备的俯视图。图2是沿图1的线I-I截取的视图。图3是沿图1的线II-II截取的视图。
参考图1至图3，用于处理基板的设备1包括索引模块10、处理模块20、及控制器30。根据例示性实施方案，索引模块10及处理模块20布置于一个方向上。以下，索引模块10及处理模块20的配置方向是指第一方向92，当自顶部观察时，垂直于第一方向92的方向是指第二方向94，垂直于第一方向92及第二方向94两者的方向是指第三方向96。
索引模块10将基板W自容纳有基板W的容器80转移至处理模块20，并在容器80中容纳在处理模块20中经处理的基板W。索引模块10的纵向方向设置为第二方向94。索引模块10具有装载端口12及索引框架14。装载端口12基于索引框架14相对于处理模块20设置。容纳有基板W的容器80放置于装载端口12中。可设置多个装载端口12，且多个装载端口12可布置于第二方向94上。
可使用诸如前开式晶圆盒(front open unified pod；FOUP)的密封容器80作为容器80。容器80可通过诸如高架传输机、高架输送机、或自动导引车辆的转移装置(未图标)、或操作者放置于装载端口12中。基板W具有两个表面。两个表面中的一者设置为其上形成有图案的图案表面，而另一表面设置为其上未形成图案的非图案表面。基板W可容纳于容器80中，同时图案表面朝上。
索引机械手120设置于索引框架14中。在索引框架14内，可设置导引轨道140，其纵向方向设置为第二方向，且索引机械手120可设置成可在导引轨道140上移动。
图4是示意性图示索引机械手的实例的透视图。参考图4，索引机械手120包括驱动模块122、底板124、及手126。驱动模块122安装于导引轨道121上，并沿导引轨道121在平行于第二方向94的方向上线性移动。底板124通过支承轴123耦接至驱动模块122。支承轴123安装于驱动模块122上，以通过旋转驱动器128基于其中心轴可旋转。举例而言，旋转驱动器128可以是马达。此外，支承轴123通过垂直驱动器127在支承轴123的纵向方向上移动。举例而言，垂直驱动器127可以是气缸或马达。
手126支承基板W。设置多个手126。手126安装于底板124上，从而向前及向后线性移动。设置多个手126。举例而言，可设置四个手126。手126设置成在垂直方向上彼此间隔开。根据例示性实施方案，可在底板124的一侧上形成导引孔124a，且可设置支架129以经由导引孔124a耦接至底板124。或者，手126可设置成彼此独立地向前及向后移动。
处理模块20具有第一工艺模块22及第二工艺模块24。第一工艺模块22与第二工艺模块24可布置成彼此堆叠。第一工艺模块22可布置于第二工艺模块24上。
第一工艺模块22具有缓冲单元400、反向单元300、转移腔室500、及处理腔室600。缓冲单元400相邻于索引框架14布置。索引框架14及缓冲单元400配置于第一方向92上。索引框架14及反向单元300配置于第一方向92上。反向单元300布置成与缓冲单元400在第三方向96上堆叠。举例而言，反向单元300布置于缓冲单元400之上。
根据例示性实施方案，设置两个转移腔室500。以下，两个转移腔室500是指第一转移腔室501及第二转移腔室502。基于反向单元300，第一转移腔室501布置于反向单元300的一侧上，而第二转移腔室502布置于反向单元300的另一侧上。当自顶部观察时，第一转移腔室501、反向单元300、及第二转移腔室502依序配置在平行于第二方向94的方向上。
导引轨道510及主转移机械手520各个布置于第一转移腔室501及第二转移腔室502中。导引轨道510设置于其纵向方向平行于第三方向96的方向上。主转移机械手520安装于导引轨道510上，并设置成可沿导引轨道510移动。导引轨道510导引主转移机械手520的垂直移动。以下，布置于第一转移腔室501中的主转移机械手520是指第一主转移机械手520a，而布置于第二转移腔室502中的主转移机械手520是指第二主转移机械手520b。第一主转移机械手520a与第二主转移机械手520b可以相同的结构设置。以下将主要描述第一主转移机械手520a的结构。
图5示意性图示第一主转移机械手的实例。第一主转移机械手520a具有驱动模块522、底板524、及手526。
驱动模块522安装于导引轨道510上，且沿导引轨道510在平行于第三方向96的方向上线性移动。底板524通过支承轴523安装于驱动模块522上。支承轴523安装于驱动模块522上，从而通过旋转驱动器531可基于其中心轴旋转。举例而言，旋转驱动器531可以是马达。此外，支承轴523可设置成通过垂直驱动器532在支承轴523的纵向方向上可移动。举例而言，垂直驱动器532可以是气缸或马达。
手526支承基板W。设置多个手526。手526安装于底板524上以向前及向后线性移动。设置多个手526。举例而言，可设置两个手526。手526布置成在垂直方向上彼此面对。手526设置成在垂直方向上彼此间隔开。手526中布置于上部的手是指第一手526a，而手526中布置于下部的手是指第二手526b。第一手526a及第二手526b设置成彼此独立地向前或向后移动。第一手526a耦接至第一支架533a。第二手526b耦接至第二支架533b。在底板524的侧部上形成第一导引孔524a及第二导引孔524b。第一导引孔524a及第二导引孔524b形成为在垂直方向上彼此间隔开。第一支架533a经由第一导引孔524a耦接至底板524，并通过第一驱动器(未图标)沿第一导引孔524a向前及向后移动。第二支架533b经由第二导引孔524b耦接至底板524，并通过第二驱动器(未图标)沿第二导引孔524b向前及向后移动。马达可用作第一驱动器及第二驱动器。
由于上述结构，当自第三方向96观察时，第一主转移机械手520a在第一转移腔室501中不在平行于第一方向92的方向或平行于第二方向94的方向上线性移动，而是固定于预定位置中。
处理腔室600在基板W上执行预定处理。根据例示性实施方案，预定处理可以是移除基板W上的异物的清洗处理。处理腔室600包括第一清洗腔室601及第二清洗腔室602。
第一清洗腔室601相邻于第一转移腔室501布置。基于第一转移腔室501，索引框架14设置于第一转移腔室501的一侧上，而第一清洗腔室601布置于第一转移腔室501的另一侧上。当自顶部观察时，在平行于第一方向92的方向上依序配置索引框架14、第一转移腔室501、及第一清洗腔室601。根据例示性实施方案，设置多个第一清洗腔室601。举例而言，可设置两个第一清洗腔室601。多个第一清洗腔室601布置成在垂直方向上堆叠。多个第一清洗腔室601具有相同的结构并可处理相同类型的基板。
第二清洗腔室602相邻于第二转移腔室502布置。基于第二转移腔室502，索引框架14放置于第二转移腔室502的一侧上，而第二清洗腔室602放置于第二转移腔室502的另一侧上。当自顶部观察时，在平行于第二方向94的方向上依序配置索引框架14、第二转移腔室502、及第二清洗腔室602。根据例示性实施，设置多个第二清洗腔室602。多个第二清洗腔室602布置成在垂直方向上堆叠。多个第二清洗腔室602具有相同的结构并可处理相同类型的基板W。此外，第一清洗腔室601与第二清洗腔室602具有相同结构并可执行相同类型的基板W处理。由于上述配置，当自顶部观察时，第一清洗腔室601及第二清洗腔室602布置在平行于第二方向94的方向上并彼此间隔开。
第一清洗腔室601与第二清洗腔室602之间的空间设置为组件容纳空间700。根据例示性实施方案，储存于组件容纳空间700中的组件可以是电组件或阀单元。或者，除电设备或阀单元以外，组件可以是用于液体供应系统中的各种类型的组件。或者，第一清洗腔室601与第二清洗腔室602之间的空间可设置为操作者在缓冲单元400、反向单元300、第一清洗腔室601、或第二清洗腔室602的维护期间进入的通道。在这种情况下，门(未图示)可安装于缓冲单元400、反向单元300、第一清洗腔室601、或第二清洗腔室602中面对组件容纳空间700的表面上，使得操作者可进入组件容纳空间700中其内部空间。
缓冲单元400提供一空间，在容器80与处理腔室600之间转移的基板W暂时留在所述空间中。缓冲单元400具有主缓冲器401及次缓冲器402。基板W在带出容器80之后立即暂时留在主缓冲器401中。此外，基板W在即将带入容器80中之前暂时留在主缓冲器401中。
图6是示意性图示主缓冲器的结构的透视图，且图7是图6的主缓冲器的俯视图。参考图6及图7，主缓冲器401包括框架410及支承件420。框架410具有底部板412及支承柱414。当自顶部观察时，底部板412可以以大致上矩形形状设置。支承柱414分别安装于底部板412的四个角上。支承柱414可支承布置于主缓冲器401之上的次缓冲器402。支承柱414之间的空间设置为主转移机械手520的手526或索引机械手120的手126的移动通道。
支承件420安装于底部板412上。设置三个支承件420。支承件420安装于由支承柱414围绕的空间中。支承件420彼此组合以支承带入主缓冲器401中的基板W。支承件可以相同的结构设置。以下，三个支承件420分别是指第一支承件420a、第二支承件420b、及第三支承件420c。第一支承件420a可布置于与相邻于组件容纳空间700的区域中。第二支承件420b可布置于相邻于面对索引框架14的表面与面对第一转移腔室501的表面在主缓冲器401中相交的边缘的区域中。第三支承件420c可布置于相邻于面对索引框架14的表面与面对第二转移腔室502的表面在主缓冲器401中相交的边缘的区域中。
由于上述结构，索引机械手120的手126可移动至第二支承件420b与第三支承件420c之间的空间，第一主转移机械手520a的手526可移动至第一支承件420a与第二支承件420b之间的空间，且第二主转移机械手520b的手526可移动至第一支承件420a与第三支承件420c之间的空间。
根据例示性实施方案，支承件420中的各者具有垂直杆422、内部突起424、及支承销426。垂直杆422的纵向方向设置于垂直方向上。多个内部突起424布置于垂直杆422的纵向方向上。举例而言，可将八个内部突起424提供至垂直杆422中的各者。内部突起424设置成在垂直方向上彼此间隔开。支承销426安装于内部突起424的上表面上。一个支承销426可安装于内部突起424中的各者上。
次缓冲器402布置成与主缓冲器401堆叠。根据例示性实施方案，次缓冲器402可布置于主缓冲器401之上。在自处理模块20转移基板W期间，在基板W自容器80带入主缓冲器401中之后及在基板W即将自主缓冲器401带入容器80中之前，基板W可立即暂时留在次缓冲器402中。根据例示性实施方案，当基板W转移至主缓冲器401、反向单元300、及处理腔室600中的一者时，若难以将基板W直接转移至对应于转移靶点的主缓冲器401、反向单元300、及处理腔室600，则可将基板W暂时留在次缓冲器402中。
图8是示意性图示次缓冲器的透视图，且图9是图8的次缓冲器的俯视图。参考图8及图9，次缓冲器402包括壳体460及支承件470。壳体460可以以大致上矩形六面体形状设置。在壳体460中，面对第一转移腔室501的表面及面对第二转移腔室502的表面可以是打开的。壳体460中面对索引框架14的表面及面对组件容纳空间700的表面可设置为阻挡壁。支承件470布置于壳体460中。可设置四个支承件470。支承件470可分别布置于壳体的四个边缘区域中。
根据例示性实施方案，支承件470具有垂直杆472、内部突起474、及支承销476。垂直杆472的纵向方向设置于垂直方向上。多个内部突起474布置于垂直杆472的纵向方向上。举例而言，四个内部突起474可设置于垂直杆472中的各者中。内部突起474设置成在垂直方向上彼此间隔开。支承销476安装于内部突起474的上表面上。一个支承销476可安装于内部突起474中的各者上。
图10是示意性图示设置于主缓冲器或次缓冲器中的支承销的实例的横截面图。参考图10，支承销480支承基板W的底表面。支承销480的上部末端可以以向上凸起的形状设置。举例而言，支承销480的上部末端可以以半球形状设置。基板W可与支承销480的上部末端接触。
图11是示意性图示设置至主缓冲器或次缓冲器的支承销的另一实例的横截面图。参考图11，支承销490支承基板W并对准基板W。支承销490具有上部主体492、接触表面494、及下部主体496。接触表面494支承基板W的下表面的边缘。当自顶部观察时，接触表面494可以以圆形形状设置。上部主体492自接触表面494向上突出。上部主体492的底表面设置成具有比接触表面小的直径。上部主体492的上表面设置成具有比上部主体492的底表面小的直径。当自顶部观察时，上部主体492与接触表面494可同心地设置。当自正面观察时，上部主体492的侧部设置为倾斜表面。举例而言，上部主体492可以以圆锥形状设置。下部主体496自接触表面494向下突出。下部主体496固定地安装于内部突起424及474上。倾斜表面导引基板W的向下移动，从而即使当基板W在基板W错位的状态下带入次缓冲器402时，基板W也可正常放置于接触表面上。
在图10的支承销480的结构中，基板由支承销的上部末端支承。因此，与图11的支承销490的结构相比，图10的支承销480的结构可在内部突起之间提供更窄的垂直间隙。因此，可在垂直方向上限定的空间内提供更大数目的内部突起。
在图11的支承销490的结构中，倾斜表面可对准基板W的位置。因此，与图10的支承销480的结构相比，图11中的支承销490的结构可使转移期间在手上位置扭曲的基板W对准。
根据例示性实施方案，主缓冲器401中的支承销426及次缓冲器402中的支承销476可以与图10中的支承销480相同的结构设置。或者，主缓冲器401中的支承销426及次缓冲器402中的支承销476可以与图11中的支承销490相同的结构设置。或者，主缓冲器401中的支承销426可以以图10中的支承销480及图11中的支承销490的结构中的一者设置，而次缓冲器402中的支承销476可以以图10中的支承销480及图11中的支承销490的结构中的另一者设置。
根据例示性实施方案，由于基板W自容器80带出之后及在基板W即将带入容器80中之前均立即储存于主缓冲器401中，故主缓冲器401的支承销426可以以与图10的支承销480相同的结构设置，从而可在垂直方向上自相对频繁使用的主缓冲器401设置更大数目的内部突起424。此外，针对相对较少使用的次缓冲器402，次缓冲器402中的支承销476可以以与图11的支承销490相同的结构设置，具有对准功能，从而在转移基板W期间校正基板W的扭曲位置。
反向单元300将基板W的图案表面与非图案表面的位置反向。反向单元300布置于缓冲单元400之上。根据例示性实施方案，反向单元300可布置于次缓冲器402之上。可设置多个反向单元300。举例而言，可设置两个反向单元300。多个反向单元300可布置成彼此堆叠。多个反向单元300可彼此相邻地布置。
图12是示意性图示反向单元结构的横截面图。反向单元300具有壳体310及反向构件320。壳体310具有大致上六面体形状。在壳体310的侧表面中，基板W经由其进入的入口(未图示)可形成于面对第一转移腔室501的侧表面及面对第二转移腔室502的侧表面上。反向构件320布置于壳体310中。
反向构件320具有旋转主体330、第一夹持器340、第二夹持器350、直线驱动器360、及旋转驱动器370。第一夹持器340及第二夹持器350安装于旋转主体330中。第一夹持器340布置成在垂直方向上面对第二夹持器350。第一夹持器340及第二夹持器350安装于旋转主体330中以改变其间的间隔距离。直线驱动器360移动第一夹持器340及第二夹持器350，使得第一夹持器340与第二夹持器350之间的间隔距离根据接触位置及间隔位置而改变。接触位置是第一夹持器340与第二夹持器350组合并夹持放置于第一夹持器340与第二夹持器350之间的基板W的位置。间隔位置是第一夹持器340与第二夹持器350之间的间隙变宽，使得基板W可在第一夹持器340与第二夹持器350之间带入或带出的位置。根据例示性实施方案，第一夹持器340及第二夹持器350安装于旋转主体330中，从而可调整第一夹持器340与第二夹持器350之间的距离。
根据例示性实施方案，第一夹持器340具有支承件342及夹持销344。支承件342安装于旋转主体330上。支承件342可以一碟形形状设置。或者，支承件342可以以大致上环形形状设置。夹持销344耦接至支承件342。根据例示性实施方案，设置四个夹持销344。当执行反向时，夹持销344支承基板W的一末端。根据例示性实施方案，夹持销344具有带有导引表面的接触表面。接触表面布置于导引表面内部。接触表面可设置为朝向导引表面倾斜的倾斜表面。导引表面布置于由反向构件320反向的基板W外部。导引表面防止基板W在反向期间自反向构件320偏离。第二夹持器350具有与第一夹持器340相同的结构。第一夹持器340与第二夹持器350可以以相对于支承于其间的基板W彼此对称的结构设置。旋转驱动器370使旋转主体330旋转。
图13至图16依序图示基板由反向单元反向的操作实例。首先，如图13中所示，在第一夹持器340与第二夹持器350彼此间隔开的状态下，在第一夹持器340与第二夹持器350之间转移基板W。在这种情况下，基板W可被布置，使得其图案表面朝上。接着，如图14中所示，移动第一夹持器340及第二夹持器350，使得第一夹持器340与第二夹持器350布置于接触位置中，且基板W由第一夹持器340与第二夹持器350夹持。接着，如图15中所示，旋转驱动器370使旋转主体330旋转。通过旋转主体330的旋转，第一夹持器340与第二夹持器350的位置在垂直方向上改变，且布置于第一夹持器340与第二夹持器350之间的基板W的图案布置成朝下。接着，如图16中所示，移动第一夹持器340及第二夹持器350，使得第一夹持器340与第二夹持器350布置于间隔位置中，并通过第一主转移机械手520a或第二主转移机械手520b将基板W自反向单元300转移至外部。
第一清洗腔室601及第二清洗腔室602对基板W进行清洗。第一清洗腔室601与第二清洗腔室602可以以相同的结构设置，并可执行同一工艺。根据例示性实施方案，第一清洗腔室601在基板W上执行第一工艺及第二工艺。第一工艺是在基板W的非图案表面布置成朝上的状态下处理基板W的工艺。第二工艺是在基板W的图案表面布置成朝上的状态下处理基板W的工艺。
根据例示性实施方案，第一工艺包括使用刷子清洗基板W的非图案表面的工艺。此外，第一工艺可包括在用刷子清洗基板W的非图案表面之前或在用刷子清洗基板W的非图案表面之后在基板W的非图案表面上执行的额外工艺。举例而言，第一工艺可包括将处理液供应至基板W的非图案表面以处理基板W的非图案表面的工艺，及/或在用刷子清洗基板W的非图案表面之后，对基板W的非图案表面进行干燥的工艺。处理液体可包括溶剂，诸如化学品、水、或酒精。此外，在使用刷子清洗基板W的非图案表面的同时，可将处理液体供应至基板W的非图案表面。
第二工艺包括使用处理液体清洗基板W的图案表面的工艺。此外，第二工艺可包括干燥工艺，其中在用处理液体清洗基板W的图案表面之后，自基板W的图案表面移除处理液体。处理液体可包括化学品、水、或酒精。举例而言，第二工艺可包括通过将化学品供应至基板W的图案表面来自基板W的图案表面移除异物或薄膜的移除工艺、将水供应至基板W的图案表面并用水自基板W的图案表面移除化学品的冲洗工艺、及将诸如异丙醇的有机溶剂供应至基板W的图案表面并用有机溶剂替换水的替换工艺。或者，可省略冲洗工艺及替换工艺中之一者。此外，可通过使用不同类型的化学品依序地多次执行移除工艺。
图17是示意性图示第一清洗腔室的实例的横截面图。第一清洗腔室601具有壳体610、杯620、支承单元630、液体供应单元640、提升单元650及刷子单元660。
壳体610通常以矩形六面体形状设置。在壳体610的面对第一转移腔室501的表面上形成有在其中带出基板W的带入口(未图示)。基板W通过第一主转移机械手520a经由带入口带入或带出壳体610。杯620、液体供应单元640、刷子单元660、及提升单元650布置于壳体610中。
杯620具有上部打开的处理空间621。通过在处理空间621中执行第一工艺或第二工艺来处理基板W。支承单元630在处理空间621中支承基板W。液体供应单元640将处理液体供应至由支承单元630支承的基板W上。提升单元650调整杯620与支承单元630之间的相对高度。
根据例示性实施方案，杯620具有多个收集筒(622、624及626)。收集筒(622、624及626)中的各者具有用于回收用于处理基板W的液体的收集空间622b、624b及626b。收集筒(622、624、及626)中的各者以围绕支承单元630的环形形状设置。在处理基板W的工艺期间，通过基板W的旋转而散射的处理液体经由收集筒(622、624及626)中的各者的入口622a、624a及626a流动至收集空间中。根据例示性实施方案，杯620具有第一收集筒622、第二收集筒624、及第三收集筒626。第一收集筒622配置成围绕支承单元630，第二收集筒624配置成围绕第一收集筒622，且第三收集筒626配置成围绕第二收集筒624。流动至第二收集筒624中的(第二)入口624a可布置于流动至第一收集筒622中的(第一)入口622a之上，流动至第三收集筒626中的第(三入)口626a可布置于第二入口626b之上。液体排放管622c、624c及626c耦接至收集筒(622、624及626)中的各者。收集筒的数目可根据使用的处理液体的数目及待回收或丢弃的处理液体的数目而不同地改变。
支承单元630具有旋转卡盘632及驱动轴634。旋转卡盘632的上表面以大致圆形形状设置，并具有比基板W的直径大的直径。在旋转卡盘632的中心部分设置支承基板W的后表面的支承销632a，且支承销632a的上部末端设置成自旋转卡盘632突出，使得基板W与支承板以预定距离间隔开。卡盘销632b设置于旋转卡盘632的边缘中。卡盘销632b设置成自支承板向上突出。卡盘销632b支承基板W的侧面，使得当基板W旋转时基板W不会自支承单元630偏离。驱动轴634由旋转驱动器636驱动，连接至基板W的底表面的中心，并基于其中心轴旋转旋转卡盘632。
液体供应单元640具有第一喷嘴642、第二喷嘴644、及第三喷嘴646。第一喷嘴642将化学品供应至基板W。第二喷嘴644将水供应至基板W。水可为纯水或去离子水。第三喷嘴646将有机溶液供应至基板W。有机溶剂可以是异丙醇。
第一喷嘴642、第二喷嘴644、及第三喷嘴646分别由不同的臂642a、644a及646a支承。臂642a、644a及646a中的各者耦接至各个驱动器(未图标)。喷嘴(642、644、及646)中的各者可通过驱动器中的各者在工艺位置与等待位置之间移动。工艺位置是喷嘴(642、644及646)将处理液体供应至基板W的位置，而等待位置是未供应处理液体至基板W时喷嘴(642、644及646)中的各者等待的位置。举例而言，当自顶部观察时，工艺位置可以是与杯620重叠的位置，而等待位置可以是杯620的外部区域。驱动器中的各者可摆动或线性移动臂642a、644a及646a中的各者。或者，第一喷嘴642、第二喷嘴644、及第三喷嘴646可全部安装于同一臂上并同时移动。
除第一喷嘴642、第二喷嘴644、及第三喷嘴646以外，液体供应单元640可进一步包括一个或多个喷嘴。添加的喷嘴可将不同类型的处理液体供应至基板W。
刷子单元660具有主体661、刷子662、旋转轴663、旋转驱动器664、及按压驱动器666。主体661具有圆板形状。主体661通过臂665的一个末端中的旋转轴663耦接至臂665。刷子662安装于主体661的底表面上。刷子662可以由弹性材料制成的板子形状设置。或者，刷子662可具有多个毛。旋转驱动器664绕作为中心轴的旋转轴663旋转主体661，刷子662耦接至主体661。刷子662可通过驱动器667在工艺位置与等待位置之间移动。工艺位置是用刷子662按压基板W并进行清洗的位置，而等待位置是在未处理基板W时刷子662等待的位置。举例而言，工艺位置可以是当自顶部观察时与杯620重叠的位置，而等待位置可以是当自顶部观察时杯620的外部区域。按压驱动器666按压刷子662，使得刷子662可在刷子662面对基板W的状态下按压基板W。可使用气缸作为按压驱动器666。或者，可使用马达作为按压驱动器。按压驱动器666可设置成向下按压包括主体661的整个臂665。或者，按压驱动器666可安装于主体661的上表面上，以将主体661向下按压至臂665。
提升单元650在垂直方向上移动杯620。杯620与基板W之间的相对高度通过杯620的垂直移动而改变。因此，由于回收处理液体的收集筒(622、624及626)根据供应至基板W的液体的类型而改变，故液体可经分离及回收。与上述配置不同，杯620是固定地安装的，且提升单元650可在垂直方向上移动支承单元630。
第二工艺模块24具有与第一工艺模块22基本相同或类似的配置。第二工艺模块24具有缓冲单元400、反向单元300、处理腔室600、及转移腔室500。当自顶部观察时，第一工艺模块22的缓冲单元400、反向单元300、处理腔室600及转移腔室500具有与缓冲单元400、反向单元300、处理腔室600、及转移腔室500相同的配置。
然而，在第二工艺模块24中，缓冲单元400布置于反向单元300之上。此外，在第二工艺模块24的缓冲单元400中，主缓冲器401布置于次缓冲器402上。也即，基于布置于第一工艺模块22与第二工艺模块24之间的任何水平面，设置于第一工艺模块22中的缓冲单元400及反向单元300可与设置于第二工艺模块24中的缓冲单位400及反向单位300对称。因此，布置于第一工艺模块22中的主缓冲器401与布置于第二工艺模块24中的主缓冲器401彼此相邻，而次缓冲器402及反向单元300布置于远离主缓冲器401的方向上。
以下，为了区分设置于第一工艺模块22中的组件与设置于第二工艺模块24中的组件，设置于第二工艺模块24中的第一转移腔室、第二转移腔室、第一清洗腔室、第二清洗腔室、第一主转移机械手、及第二主转移机械手分别是指第三转移腔室503、第四转移腔室504、第三清洗腔室603、第四清洗腔室604、第三主转移机械手520c、及第四主转移机械手520d。此外，设置于第一工艺模块22中的主缓冲器、次缓冲器、及反向单元是指(第一)主缓冲器401、(第一)次缓冲器402、及第一反向单元300a，而设置于第二工艺模块24中的主缓冲器、次缓冲器、及反向单元是指第二主缓冲器403、第二次缓冲器404、及第二反向单元300b。
根据例示性实施方案，索引机械手120在放置于装载端口12中的容器80与(第一)主缓冲器401之间、及在放置于装载端口12中的容器80与第二主缓冲器403之间转移基板W。(第一)主缓冲器401与第二主缓冲器403彼此相邻地配置，且索引机械手120仅在容器80、(第一)主缓冲器401、及第二主缓冲器403之间转移基板W。因此，索引机械手120的垂直移动距离可比当(第一)主缓冲器401在垂直方向上远离第二主缓冲器403时的移动距离短。
第一主转移机械手520a及第二主转移机械手520b在第一工艺模块22中的单元与清洗腔室之间转移基板(W)。具体地，第一主转移机械手520a在(第一)主缓冲器401、(第一)次缓冲器402、第一反向单元300a、及第一清洗腔室601之间直接转移基板W。第二主转移机械手520b在(第一)主缓冲器401、(第一)次缓冲器402、第一反向单元300a、及第二清洗腔室602之间直接转移基板W。此外，第三主转移机械手520c及第四主转移机械手520d在设置于第二工艺模块24中的单元与腔室之间转移基板W。具体地，第三主转移机械手520c在第二主缓冲器403、第二次缓冲器404、第二反向单元300b、及第三清洗腔室603之间直接转移基板W。第四主转移机械手520d在第二主缓冲器403、第二次缓冲器404、第二反向单元300b、及第四清洗腔室604之间直接转移基板W。
控制器30控制索引机械手120、主转移机械手520、及清洗腔室。
图18是依序图示使用图1的基板处理设备转移及处理基板的工艺的实例的流程图，且图19是依序图示在图1的用于处理基板的设备中经由其转移基板的路径。在图19中，为了便于描述，图示转移腔室设置于缓冲单元与反向单元及清洗腔室之间。
当容器80放置于装载端口12中时，索引机械手120自容器80带出第一基板W1，并将第一基板W1带入(第一)主缓冲器401中(步骤S10)。在这种情况下，第一基板W1经布置，使得其图案表面朝上。第一主转移机械手520a或第二主转移机械手520b自(第一)主缓冲器401带出第一基板W1，并将第一基板W1带入第一反向单元300a中(步骤S12)。当其他基板W供应至全部第一反向单元300a且第一基板W1不能带入第一反向单元300a中时，第一反向机械手520a或第二反向机械手520b将第一基板W1自(第一)主缓冲器401带入(第一)次缓冲器402中。接着，当第一反向单元300a中的任意者为空时，第一反向机械手520a或第二反向机械手520b将次缓冲器402中的第一基板W1返回至为空的第一反向单元300a。
在第一反向单元300a中，第一基板W1的图案表面与非图案表面的位置反向(步骤S14)。第一主转移机械手520a自第一反向单元300a带出第一基板W1，并将第一基板W1带入第一清洗腔室601中(步骤S16)。在这种情况下，第一基板W1经布置，使得其非图案表面朝上。
第一清洗腔室601在第一基板W1的非图案表面上执行第一工艺(步骤S18)。在第一工艺期间，第一基板W1的非图案表面通过刷子单元660来清洗。此外，可在基板W的非图案的表面上执行化学处理、冲洗处理、或干燥处理。
当第一工艺完成时，第一主转移机械手520a自第一清洗腔室601带出基板W，并将基板W转移至空的第一反向单元300a(步骤S20)。在第一反向单元300a中，第一基板W1的图案表面与非图案表面的位置反向(步骤S22)。
将第一基板W1转移至第一清洗腔室601及第二清洗腔室602中基板W可带入的清洗腔室(步骤S24)。举例而言，当其他基板W带入全部第二清洗腔室602中时，或当第二主转移机械手520b正在转移另一基板W时，第一主转移机械手520a自第一反向单元300a带出第一基板W1并将第一基板W1带入第一清洗腔室601中。相反，当其他基板W带入全部第一清洗腔室601中时，或当第二主转移机械手520b正在转移另一基板时，第一主转移机械手520a自第一反向单元300a带出第一基板W1并将第一基板W1转移至第二清洗腔室602中。若第一基板W1不能转移至全部第一清洗腔室601及全部第二清洗腔室602，则用第一主转移机械手520a及第二主转移机械手520b中的一者自第一反向单元300a带出第一基板W1，并转移至(第一)次缓冲器402。接着，当将先前已经处理的基板W自第一清洗腔室601及第二清洗腔室602中的一者带出时，将第一基板W1自(第一)次缓冲器402带出至第一主转移机械手520a或第二主转移机械手520b，并将第一基板W1带入第一清洗腔室601或第二清洗腔室602中。
举例而言，当通过第二主转移机械手520b将第一基板W1带入第二清洗腔室602中时，第二清洗腔室602在第一基板W1上执行第二工艺(步骤S26)。第一基板W1布置于第二清洗腔室602中，使得其图案表面朝上，并通过将处理液体供应至第一基板W1的图案表面来处理基板W。举例而言，化学处理、冲洗处理、有机溶剂处理、及干燥处理全部是依序执行的，或执行其中选择的处理中的一些。
接着，第二主转移机械手520b自第二清洗腔室602带出第一基板W1，并将第一基板W1带入(第一)主缓冲器401中(步骤S28)。在这种情况下，基板W保持其图案表面朝上的状态。若主缓冲器401中没有空的空间，则第二主转移机械手520b将自第二清洗腔室602带出的第一基板W1带入(第一)次缓冲器402中。接着，当(第一)主缓冲器401中产生空的空间时，将第一基板W1自(第一)次缓冲器402带出至第一主转移机械手520a或第二主转移机械手520，接着带入(第一)主缓冲器401中。
接着，索引机械手120自(第一)主缓冲器401带出第一基板W1，并将第一基板W1载入放置于装载端口12中的容器80中(步骤S30)。
如上所述，在将第一基板W1自容器80转移至(第一)主缓冲器401之后，通过索引机械手120将是后续基板W的第二基板W2自容器80转移至第二主缓冲器403。类似于第一基板W1，第二基板W2以容器80、第二主缓冲器403、第二反向单元300b、第三清洗腔室603或第四清洗腔室604、第二反向腔室300b、第三清洗腔室603或第四清洗腔室604、第二主缓冲器403、及容器80的次序进行转移。第二基板W2可带出并临时储存于转移路径中的第二次缓冲器404中。
在上述实例中，已描述第一基板W1自容器80转移至第一工艺模块22，接着第二基板W2自容器80转移至第二工艺模块24。然而，在将基板W1自容器80转移至第一工艺模块22之后，可将第一基板W1与第二基板W2之间的另一基板W转移至第一工艺模块22。举例而言，考虑正在由第一工艺模块22处理的基板W的数目及正在由第二工艺模块24处理的基板W的数目，将自容器80带出的基板W转移至第一工艺模块22及第二工艺模块24中的一者。
根据本发明的例示性实施方案，自容器80带入(第一)主缓冲器401中的基板W不转移至第二工艺模块24，但在第一工艺模块22中在基板W上执行第一工艺及第二工艺两者，这与在将同一基板W转移至第一工艺模块22及第二工艺模块24时执行第一工艺及第二工艺的情况相比，可进一步简化转移路径。
根据本发明的例示性实施方案，由于第一主转移机械手520a及第二主转移机械手520b各个仅将基板W转移至设置于用于处理基板的设备的一侧处的清洗腔室601和602，故基板W可通过第一主转移机械手520a及第二转移机械手520b同时转移至第一清洗腔室601及第二清洗腔室602。
根据本发明的例示性实施方案，第一清洗腔室601及第二清洗腔室602设置于第一工艺模块22中，以具有相同的结构，从而分别执行第一工艺及第二工艺。因此，与第一清洗腔室601仅清洗基板W的图案表面而第二清洗腔室602仅清洗基板的非图案表面的结构相比，本结构设置有更多可选择并用于执行第一工艺或第二工艺的清洗腔室。因此，即使难以将新的基板W带入第一清洗腔室601或第二清洗腔室602中的一者中，但由于存在较大数目的可选择的清洗腔室，故可缩短基板W在缓冲单元400或反向单元300中等待的时间。
根据本发明的例示性实施方案，首先执行对基板W的非图案表面的处理的第一工艺，接着执行对基板W的图案表面的处理的第二工艺。在执行第一工艺的过程中，异物或颗粒可附着于基板W的图案表面。在这种情况下，通过在第一工艺之后执行第二工艺，可在第二工艺中移除附着于基板的图案表面的异物或颗粒。
在上述实例中，已描述设置两个处理模块作为实例。然而，可设置仅一个处理模块。或者，可设置三个或三个以上处理模块。
在上述实例中，第一清洗腔室601与第二清洗腔室602以相同的结构设置，且第一清洗腔室601及第二清洗腔室602中的各者均设置成具有能够执行第一工艺及第二工艺的结构。然而，相比之下，第一清洗腔室601可设置成执行第一工艺及第二工艺中的仅第一工艺，而第二清洗腔室602可设置成执行第一工艺及第二工艺中的仅第二工艺。
在上述实例中，已描述缓冲单元400包括主缓冲器401及次缓冲器402。然而，与此相反，缓冲单元400可仅包括主缓冲器401。
在上述实例中，在第一工艺模块22中，在带入第一工艺模块24中的基板W上执行第一工艺及第二工艺两者，且在第二工艺模块24中，在带入第二工艺模块24中的基板上执行第一工艺及第二工艺两者。然而，与此相反，可转移基板W，从而在第一工艺模块22及第二工艺模块24中的一者中在基板W上执行第一工艺，并在另一处理模块中在基板W上执行第二工艺。
在上述实例中，已描述执行第一工艺以使用刷子来清洗基板W的非图案表面，并执行第二工艺以使用处理液体来清洗基板W的图案表面。然而，第一工艺可以是除刷子清洗以外的处理基板W的非图案表面的另一类型的工艺。此外，第二工艺可以是除使用处理液体清洗以外的用于处理基板W的图案表面的另一类型的工艺。
上述详细描述说明了本发明。此外，上述内容图示并描述本发明的例示性实施方案，且本发明可用于各种其他组合、修改、及环境中。也即，上述内容可在本说明书中揭示的本发明概念的范畴内、等效于本揭示内容的范畴的范畴内、及/或本领域的技术或知识的范畴内进行修改或校正。上述例示性实施方案描述用于实施本发明的技术精神的最佳状态，且在本发明的特定应用领域及用途中所需的各种改变是可能的。因此，以上对本发明的详细描述并不旨在将本发明限制于所揭示的实施方案。此外，随附申请专利范围应解译为也包括其他例示性实施方案。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的设备，其包含：
索引模块；及
处理模块，其相邻于所述索引模块布置，
其中，所述索引模块包括：
一个或多个装载端口，所述基板容纳于所述装载端口上；及
索引框架，其设置有索引机械手，所述索引机械手在放置于所述装载端口中的容器与所述处理模块之间转移所述基板，且
所述处理模块包括：
缓冲单元，所述基板暂时留在所述缓冲单元中；
反向单元，其配置为将所述基板反向，使得所述基板的图案表面与非图案表面的位置改变；
处理腔室，其配置为处理所述基板；及
转移腔室，其设置有主转移机械手，所述主转移机械手在所述缓冲单元、所述反向单元、及所述处理腔室之间转移所述基板，
其中，所述缓冲单元与所述反向单元布置成在垂直方向上堆叠，
当自顶部观察时，所述索引框架及所述缓冲单元配置于第一方向上，
所述转移腔室包括：
第一转移腔室，其布置于所述缓冲单元的一侧上；及
第二转移腔室，其布置于所述缓冲单元的另一侧上，
当自顶部观察时，所述第一转移腔室、所述缓冲单元、及所述第二转移腔室配置于垂直于所述第一方向的第二方向上，
所述处理腔室包括：
第一清洗腔室，其配置于所述第一转移腔室的一侧上；及
第二清洗腔室，其配置于所述第二转移腔室的另一侧上，
当自顶部观察时，所述第一转移腔室及所述第一清洗腔室配置在平行于所述第一方向的方向上，
当自顶部观察时，所述第二转移腔室及所述第二清洗腔室配置在平行于所述第一方向的方向上，
设置于所述第一转移腔室中的所述主转移机械手设置成在所述缓冲单元、所述反向单元、及所述第一清洗腔室之间直接转移所述基板，且
设置于所述第二转移腔室中的所述主转移机械手设置成在所述缓冲单元、所述反向单元、及所述第二清洗腔室之间直接转移所述基板。
2.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备，其中，所述第一清洗腔室及所述第二清洗腔室配置在平行于所述第二方向的方向上。
3.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备，其中，所述第一清洗腔室包括：
支承单元，其配置为支承并旋转所述基板；
刷子单元，其配置为清洗由所述支承单元支承的所述基板；及
液体供应单元，其配置为将处理液体供应至由所述支承单元支承的所述基板。
4.根据权利要求3所述的用于处理基板的设备，其中，所述第一清洗腔室以多个形式设置，且
多个所述第一清洗腔室布置成彼此堆叠。
5.根据权利要求4所述的用于处理基板的设备，其中，所述第一清洗腔室与所述第二清洗腔室以相同的结构设置。
6.根据权利要求4所述的用于处理基板的设备，其进一步包含：配置为控制所述处理模块的控制器，
其中，所述控制器配置为：
控制所述处理腔室，使得当所述基板以所述基板的所述图案表面朝上的方式放置于所述支承单元上时，通过用所述液体供应单元将处理液体供应至所述基板的所述图案表面来清洗所述基板的所述图案表面，及
控制所述处理腔室，使得当所述基板以所述基板的所述非图案表面朝上的方式放置于所述支承单元上时，用所述刷子单元来清洗所述基板的所述非图案表面。
7.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备，其中，所述缓冲单元包括：
主缓冲器；及
次缓冲器，其布置成与所述主缓冲器堆叠，
其中，所述主转移机械手能够将基板分别转移至所述主缓冲器及所述次缓冲器。
8.根据权利要求7所述的用于处理基板的设备，其中，所述次缓冲器布置于所述主缓冲器与所述反向单元之间。
9.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备，其中，设置多个反向单元，
多个所述反向单元彼此堆叠，且
多个所述反向单元彼此相邻地布置。
10.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备，其中，所述主转移机械手包括：
底板；及
手，其安装于所述底板上，
其中，所述手设置成可相对于所述底板向前及向后移动，且
所述底板能够在第三方向上移动，及在平行于所述第一方向的移动、平行于所述第二方向的移动、在分别垂直于所述第一方向及所述第二方向的所述第三方向上的移动中进行旋转移动，且所述旋转移动绕作为轴的所述第三方向。
11.根据权利要求10所述的用于处理基板的设备，其中，多个所述手设置成所述主转移机械手；且
多个所述手设置成能够彼此独立地向前及向后移动。
12.一种用于处理基板的设备，其包含：
索引模块；及
第一工艺模块及第二工艺模块，所述工艺模块及所述第二工艺模块相邻于所述索引模块布置，
其中，所述索引模块包括：
一个，或多个装载端口，所述基板容纳于所述装载端口上；
索引框架，其设置有索引机械手，所述索引机械手在放置于所述装载端口中的容器与所述第一工艺模块之间、及在放置于所述装载端口中的所述容器与所述第二工艺模块之间转移所述基板，且
所述第一工艺模块与所述第二工艺模块在垂直方向上堆叠，
其中，所述第一工艺模块及所述第二工艺模块中的每一者包括：
缓冲单元，所述基板暂时留在所述缓冲单元中；
反向单元，其配置为将所述基板反向，使得所述基板的图案表面与非图案表面的位置改变；
处理腔室，其配置为处理所述基板；及
转移腔室，其设置有主转移机械手，所述主转移机械手在所述缓冲单元、所述反向单元、及所述处理腔室之间转移所述基板，
其中，所述缓冲单元与所述反向单元布置成在垂直方向上堆叠，
当自顶部观察时，所述索引框架及所述缓冲单元配置于第一方向上，
所述转移腔室包括：
第一转移腔室，其布置于所述缓冲单元的一侧上；及
第二转移腔室，其布置于所述缓冲单元的另一侧上，
当自顶部观察时，所述第一转移腔室、所述缓冲单元、及所述第二转移腔室配置于垂直于所述第一方向的第二方向上，
所述处理腔室包括：
第一清洗腔室，其配置于所述第一转移腔室的一侧上；及
第二清洗腔室，其配置于所述第二转移腔室的另一侧上，
当自顶部观察时，所述第一转移腔室及所述第一清洗腔室配置在平行于所述第一方向的方向上，
当自顶部观察时，所述第二转移腔室及所述第二清洗腔室配置在平行于所述第一方向的方向上，
所述第一清洗腔室及所述第二清洗腔室配置在平行于所述第二方向的方向上，
设置于所述第一转移腔室中的所述主转移机械手设置成在所述缓冲单元、所述反向单元、及所述第一清洗腔室之间直接转移所述基板，且
设置于所述第二转移腔室中的所述主转移机械手设置成在所述缓冲单元、所述反向单元、及所述第二清洗腔室之间直接转移所述基板。
13.根据权利要求12所述的用于处理基板的设备，其中，设置于所述第一工艺模块中的所述第一清洗腔室及所述第二清洗腔室、以及设置于所述第二工艺模块中的所述第一清洗腔室及所述第二清洗腔室各自包括：
支承单元，其配置为支承并旋转所述基板；
刷子单元，其配置为清洗由所述支承单元支承的所述基板；及
液体供应单元，其配置为将处理液体供应至由所述支承单元支承的所述基板。
14.根据权利要求13所述的用于处理基板的设备，其进一步包含控制器，所述控制器配置为控制所述第一工艺模块及所述第二工艺模块，
其中，所述控制器配置为：
控制所述处理腔室，使得当所述基板以所述基板的所述图案表面朝上的方式放置于所述支承单元上时，通过用所述液体供应单元将处理液体供应至所述基板的所述图案表面来清洗所述基板的所述图案表面，及
控制所述处理腔室，使得当所述基板以所述基板的所述非图案表面朝上的方式放置于所述支承单元上时，用所述刷子单元来清洗所述基板的所述非图案表面。
15.根据权利要求12所述的用于处理基板的设备，其中，所述缓冲单元包括：
主缓冲器；及
次缓冲器，其设置成与所述主缓冲器堆叠，
其中，所述主转移机械手设置成将所述基板分别转移至所述主缓冲器及所述次缓冲器，
所述第一工艺模块设置于所述第二工艺模块上，
在所述第一工艺模块中，所述主缓冲器布置于所述反向单元之下，且所述次缓冲器布置于所述主缓冲器与所述反向单元之间，且
在所述第二工艺模块中，所述主缓冲器布置于所述反向单元之上，且所述次缓冲器布置于所述主缓冲器与所述反向单元之间。
16.根据权利要求12所述的用于处理基板的设备，其中，所述主转移机械手包括：
底板；及
多个手，其安装于所述底板上，
其中，多个所述手设置成能够彼此独立地向前及向后移动，且
所述底板能够在第三方向上移动，及在平行于所述第一方向的移动、平行于所述第二方向的移动、在分别垂直于所述第一方向及所述第二方向的所述第三方向上的移动中进行旋转移动，且所述旋转移动绕所述第三方向。
17.一种使用根据权利要求1所述的用于处理基板的设备来处理基板的方法，所述方法包含以下步骤：
自放置于所述装载端口中的所述容器带出所述基板，并用所述索引机械手将所述基板转移至所述缓冲单元；
用设置于所述第一转移腔室中的所述主转移机械手或设置于所述第二转移腔室中的所述主转移机械手将所述基板转移至所述第一清洗腔室或所述第二清洗腔室；
在所述第一清洗腔室或所述第二清洗腔室中，在所述基板的图案表面及非图案表面中的一者上处理第一工艺；
用设置于所述第一转移腔室中的所述主转移机械手或设置于所述第二转移腔室中的所述主转移机械手将在其上完成所述第一工艺的所述基板自所述第一清洗腔室及所述第二清洗腔室中的一者转移至所述反向单元；
在所述反向单元中将所述基板的所述图案表面与所述非图案表面的位置反向；
用设置于所述第一转移腔室中的所述主转移机械手或设置于所述第二转移腔室内的所述主转移机械手将所述基板自所述反向单元转移至所述第一清洗腔室或所述第二清洗腔室；
在所述第一清洗腔室或所述第二清洗腔室中在所述基板的所述图案表面或所述非图案表面中的另一者上处理第二工艺；
用设置于所述第一转移腔室中的所述主转移机械手或设置于所述第二转移腔室中的所述主转移机械手将在其上完成所述第二工艺的所述基板转移至所述缓冲单元；及
将在其上完成所述第二工艺的所述基板自所述缓冲单元带入放置于所述装载端口中的所述容器中。
18.根据权利要求17所述的处理基板的方法，其中，当用所述索引机械手将所述基板带出放置于所述装载端口中的所述容器并转移至所述缓冲单元时，所述基板以其图案表面朝上的方式布置，
在执行所述第一工艺的所述处理之前，用设置于所述第一转移腔室中的所述主转移机械手或设置于所述第二转移腔室中的所述主转移机械手将带入所述缓冲单元中的所述基板转移至所述反向单元，
在所述反向单元中，将所述基板的所述图案表面与所述非图案表面的所述位置反向，且
所述第一工艺的所述处理是对具有朝上的所述基板的所述非图案表面的所述基板的所述非图案表面进行处理。
19.根据权利要求18所述的处理基板的方法，其中，所述第一工艺的所述处理是使用刷子来处理所述基板的所述非图案表面，且
所述第二工艺的所述处理是通过将处理液体供应至具有朝上的所述基板的所述图案表面的所述基板的所述图案表面来对所述基板进行处理。
20.根据权利要求17所述的处理基板的方法，其中，所述第一清洗腔室与所述第二清洗腔室以相同的结构设置，且
所述第一清洗腔室及所述第二清洗腔室中的每一者均能够处理所述基板的所述图案表面及所述非图案表面两者。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5181306B2 (ja) 2009-01-30 2013-04-10 セメス株式会社 基板処理システム、露光前後処理ユニット及び基板処理方法
JP5295829B2 (ja) * 2009-03-12 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法
JP5355615B2 (ja) * 2011-04-19 2013-11-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、基板処理装置及びインプリントシステム
JP2013065769A (ja) * 2011-09-20 2013-04-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6425639B2 (ja) 2015-04-08 2018-11-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
KR20170074377A (ko) 2015-12-22 2017-06-30 삼성전자주식회사 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
JP7061439B2 (ja) * 2017-08-30 2022-04-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板反転装置、基板処理装置および基板支持装置
KR20200078773A (ko) * 2018-12-21 2020-07-02 세메스 주식회사 반전 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
TW202201480A (zh) 2020-04-13 2022-01-01 日商東京威力科創股份有限公司 接合系統
JP7442386B2 (ja) 2020-05-14 2024-03-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

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