TWI833514B - 用於處理基板之設備及方法 - Google Patents

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TWI833514B TW111149297A TW111149297A TWI833514B TW I833514 B TWI833514 B TW I833514B TW 111149297 A TW111149297 A TW 111149297A TW 111149297 A TW111149297 A TW 111149297A TW I833514 B TWI833514 B TW I833514B
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崔叡珍
崔恩赫
姜兌昊
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Abstract

本發明之用於處理基板之設備包括緩衝單元、反向單元、第一轉移腔室、第二轉移腔室、第一清洗腔室、及第二清洗腔室。第一轉移腔室、反向單元、及第二轉移腔室在一個方向上依序配置。第一清洗腔室佈置於第一轉移腔室的一側處,且第二清洗腔室佈置於第二轉移腔室的一側處。設置於第一轉移腔室中的第一主轉移機器人在緩衝單元、反向單元、及第一清洗腔室之間直接轉移基板。設置於第二轉移腔室中的第二主轉移機器人在緩衝單元、反向單元、及第二清洗腔室之間直接轉移基板。

Description

用於處理基板之設備及方法
本發明係關於一種用於處理基板之設備及方法,更具體地,係關於一種用基板反向單元處理基板之設備及其方法。
半導體製程包括清洗基板上的薄膜、異物、及顆粒的製程。製程包括用於清洗其上形成有圖案的基板之上表面的上表面清洗製程,及用於清洗未形成圖案的基板之後表面的後表面清洗製程。一般而言,藉由在基板之上表面置放成朝上的狀態下將清洗液體供應至基板之上表面來執行表面清洗製程。此外,在基板之後表面置放成朝上時,藉由在將液體供應至基板之後表面的同時用刷子擦洗基板之後表面來執行後表面清洗製程。為了執行如上所述的上清洗製程及後清洗製程兩者,用於處理基板之設備設置有反向單元,反向單元將基板之上表面與後表面之位置反向。
一般而言,緩衝單元與反向單元彼此堆疊於分度集區與處理集區之間,且轉移機器人分別配置於緩衝單元及反向單元的兩側上。轉移單元在緩衝單元與反向單元之間轉移基板。此外,處理集區具有主轉移路徑,主轉移機器人沿主轉移路徑行進,且在主運輸路徑的兩側上,沿主轉移路徑配置執行上清洗製程的上清洗腔室及執行後清洗製程的後清洗腔室。主轉移機器人在緩衝單元、反向單元、複數個上表面清洗腔室、及複數個後表面清洗腔室之間轉移基板。
然而,在具有上述結構的用於處理基板之設備中,由於一個主轉移機器人負責基板在緩衝單元、反向單元、複數個上表面清洗腔室、及複數個後表面清洗腔室之間全部轉移,故主轉移機器人中承擔了大量負荷。為此,基 板不能快速轉移至下一單元或腔室,且可能在單元或腔室中等待很長時間。
本發明致力於提供一種用於處理基板之設備,前述設備具有可改善基板之轉移效率的結構。
本發明亦致力於提供一種用於處理基板之設備,前述設備具有能夠減少基板在設置於用於處理基板之設備中的單元或腔室中的等待時間的結構。
本發明之目的不限於此,一般技藝人士將自以下描述清楚地理解未提及之其他目的。
本發明之例示性實施例提供一種用於處理基板之設備,前述設備包括分度模組及相鄰於分度模組佈置的處理集區。分度模組包括在其上容納基板的一個或複數個裝載埠、及設置有分度機器人的分度框架,分度機器人在置放於裝載埠中的容器與處理集區之間轉移基板。處理集區包括緩衝單元、反向單元、處理腔室、及轉移腔室,基板暫時留在緩衝單元中;反向單元經組態以將基板反向,從而改變基板之圖案表面與非圖案表面之位置;處理腔室經組態以處理基板;轉移腔室設置有在緩衝單元、反向單元、及處理腔室之間轉移基板的主轉移機器人。緩衝單元及反向單元佈置成在垂直方向上堆疊,當自頂部觀察時,分度框架及緩衝框架配置於第一方向上。轉移腔室包括佈置於緩衝單元的一側上的第一轉移腔室及佈置於緩衝器單元的另一側上的第二轉移腔室,當自頂部觀察時,第一轉移腔室、緩衝單元、及第二轉移腔室配置於垂直於第一方向的第二方向上。處理腔室包括配置於第一轉移腔室的一側上的第一清洗腔室及配置於第二轉移腔室的另一側上的第二清洗腔室,當自頂部觀察時,第一轉移腔室及第一清洗腔室配置於平行於第一方向的方向上,且當自頂部觀察時,第二轉移腔室及第二清洗腔室配置於平行於第一方向的方向上。設置於第一轉移腔室中的主轉移機器人設置成在緩衝單元、反向單元、及第一清洗腔室 之間直接轉移基板。設置於第二轉移腔室中的主轉移機器人設置成在緩衝單元、反向單元、及第二清洗腔室之間直接轉移基板。
根據例示性實施例,第一清洗腔室及第二清洗腔室可配置於平行於第二方向的方向上。
根據例示性實施例,第一清洗腔室可包括經組態以支撐並旋轉基板的支撐單元、經組態以清洗由支撐單元支撐的基板的刷子單元、及經組態以將處理液體供應至由支撐單元支撐的基板的液體供應單元。
根據例示性實施例,可以複數形式提供第一清洗腔室,且複數個第一清洗腔室可彼此堆疊地佈置。
根據例示性實施例,第一清洗腔室與第二清洗腔室可以相同的結構設置。
根據例示性實施例,用於處理基板之設備進一步包括控制器,控制器經組態以控制處理集區,且控制器可控制處理腔室,使得當基板以基板之圖案表面朝上的方式置放於支撐單元上時藉由將處理液體供應至基板之圖案表面來清洗基板之圖案表面;並控制處理腔室,使得當基板以基板之非圖案表面朝上的方式置放於支撐單元上時用刷子單元來清洗基板之非圖案表面。
根據例示性實施例,緩衝單元包括主緩衝器及佈置成與主緩衝器堆疊的次緩衝器,且主轉移機器人能夠分別將基板轉移至主緩衝器及次緩衝器。
根據例示性實施例,次緩衝器可佈置於主緩衝器與反向單元之間。
根據例示性實施例,可設置複數個反向單元,反向單元可彼此堆疊,且複數個反向單元可彼此相鄰地佈置。
根據例示性實施例,主轉移機器人包括底板及安裝於底板上的手,手可設置成可相對於底板向前及向後移動,且底板能夠在第三方向上移動,及在平行於第一方向之移動、平行於第二方向之移動、在分別垂直於第一方向 及第二方向的第三方向上之移動中進行旋轉運動,且前述旋轉運動繞第三方向作為軸。
根據例示性實施例,複數個手可設置成主轉移機器人,且複數個手可設置成可彼此獨立地向前及向後移動。
本發明之另一例示性實施例提供一種用於處理基板之設備,前述設備包括分度集區以及相鄰於分度集區佈置的第一製程集區及第二製程集區。分度集區包括其上容納有基板的一個或複數個裝載埠,及設置有分度機器人的分度框架,分度機器人在置放於裝載埠中的容器與第一製程集區之間、及在置放於裝載埠中的容器與第二製程集區之間轉移基板。第一製程集區及第二製程集區在垂直方向上堆疊。第一製程集區及第二製程集區中之各者均包括緩衝單元、反向單元、處理腔室,及轉移腔室,基板暫時留在緩衝單元中;反向單元經組態以將基板反向,使得基板之圖案表面與非圖案表面之位置經改變;處理腔室經組態以處理基板;轉移腔室設置有主轉移機器人,主轉移機器人在緩衝單元、反向單元、及處理腔室之間轉移基板。緩衝單元與反向單元佈置成在垂直方向上堆疊,且當自頂部觀察時,分度框架及緩衝單元配置於第一方向上。轉移腔室包括佈置於緩衝單元的一側上的第一轉移腔室及佈置於緩衝器單元的另一側上的第二轉移腔室,且當自頂部觀察時,第一轉移腔室、緩衝單元、及第二轉移腔室配置於垂直於第一方向的第二方向上。處理腔室包括配置於第一轉移腔室的一側上的第一清洗腔室、及配置於第二轉移腔室之另一側上的第二清洗腔室,當自頂部觀察時,第一轉移腔室及第一清洗腔室配置於平行於第一方向的方向上,當自頂部觀察時,第二轉移腔室及第二清洗腔室配置於平行於第一方向的方向上,且第一清洗腔室及第二清洗腔室配置於平行於第二方向的方向上。設置於第一轉移腔室中的主轉移機器人設置成在緩衝單元、反向單元、及第一清洗腔室之間直接轉移基板,而設置於第二轉移腔室中的主轉移機器人設置成在緩衝單元、反向單元、及第二清洗腔室之間直接轉移基板。
根據例示性實施例,設置於第一製程集區中的第一清洗腔室及第二清洗腔室、以及設置於第二製程集區中的第一清洗腔室及第二清洗腔室各自包括經組態以支撐並旋轉基板的支撐單元、經組態以清洗由支撐單元支撐的基板的刷子單元、及經組態以將處理液體供應至由支撐單元支撐的基板的液體供應單元。
根據例示性實施例,用於處理基板之設備進一步包括控制器,控制器經組態以控制第一製程集區及第二製程集區。控制器控制處理腔室,使得當基板以基板之圖案表面朝上的方式置放於支撐單元上時,藉由將處理液體供應至基板之圖案表面來清洗基板之圖案表面,並控制處理腔室,使得當基板以基板之非圖案表面朝上的方式置放於支撐單元上時,用刷子單元來清洗基板之非圖案表面。
根據例示性實施例,緩衝單元包括主緩衝器及佈置成與主緩衝器堆疊的次緩衝器,且主轉移機器人可設置成分別將基板轉移至主緩衝器及次緩衝器,第一製程集區可佈置於第二製程集區上。在第一製程集區中,主緩衝器可佈置於反向單元之下,且次緩衝器佈置於主緩衝器與反向單元之間,而在第二製程集區中,主緩衝器可佈置於反向單元之上,且次緩衝器佈置於主緩衝器與反向單元之間。
根據例示性實施例,主轉移機器人包括底板及安裝於底板上的複數個手,複數個手設置成可彼此獨立地向前及向後移動,且底板能夠在第三方向上移動,及在平行於第一方向之移動、平行於第二方向之移動、在分別垂直於第一方向及第二方向的第三方向上之移動中進行旋轉移動,且前述旋轉移動繞第三方向。
此外,本發明提供一種用於使用上述用於處理基板之設備來處理基板之方法。用於處理基板之方法包括自置放於裝載埠中的容器帶出基板及用分度機器人將基板轉移至緩衝單元;用設置於第一轉移腔室中的主轉移機器人 或設置於第二轉移腔室中的主轉移機器人將基板轉移至第一清洗腔室或第二清洗腔室;在第一清洗腔室或第二清洗腔室中在基板之圖案表面及非圖案表面中之一者上處理第一製程;用設置於第一轉移腔室中的主轉移機器人或設置於第二轉移腔室中的主轉移機器人將在其上完成第一製程的基板自第一清洗腔室及第二清洗腔室中之一者轉移至反向單元;在反向單元中將基板之圖案表面與非圖案表面之位置反向;用設置於第一轉移腔室中的主轉移機器人或設置於第二轉移腔室中的主轉移機器人將基板自反向單元轉移至第一清洗腔室或第二清洗腔室;在第一清洗腔室或第二清洗腔室中在基板之圖案表面或非圖案表面中之另一者上處理第二製程;用設置於第一轉移腔室中的主轉移機器人或設置於第二轉移腔室中的主轉移機器人將在其上完成第二製程的基板轉移至緩衝單元;及用分度機器人將在其上完成第二製程的基板自緩衝單元帶入置放於裝載埠中的容器中。
根據例示性實施例,當用分度機器人將基板帶出置放於裝載埠中的容器並轉移至緩衝單元時,基板可以其圖案表面朝上的方式佈置,在執行第一製程之處理之前,帶入緩衝單元中的基板可用設置於第一轉移腔室中的主轉移機器人或設置於第二轉移腔室中的主轉移機器人轉移至反向單元,在反向單元中,基板之圖案表面與非圖案表面之位置可反向,且第一製程之處理可處理具有朝上的基板之非圖案表面的基板之非圖案表面。
根據例示性實施例,第一製程之處理可使用刷子來處理基板之非圖案表面,而第二製程之處理可藉由將處理液供應至具有朝上的基板之圖案表面的基板之圖案表面來處理基板。
根據例示性實施例,第一清洗腔室與第二清洗腔室可以相同的結構設置,且第一清洗腔室及第二清洗腔室中之各者均能夠處理基板之圖案表面及非圖案表面兩者。
根據本發明之例示性實施例,改善用於處理基板之設備中的基板 之轉移效率係可能的。
此外,根據本發明之例示性實施例,減少用於處理基板之設備中的單元或腔室中的等待時間係可能的。
此外,根據本發明之例示性實施例,減少用於處理基板之設備所佔用的佔用面積係可能的。
本發明之效果不限於上述效果,熟習此項技術者將自本說明書及隨附圖式清楚地理解未提及之效果。
1:用於處理基板之設備
10:分度集區
12:裝載埠
14:分度框架
20:處理集區
22:第一製程集區
24:第二製程集區
30:控制器
80:容器
92:第一方向
94:第二方向
96:第三方向
120:分度機器人
121:導引軌道
122:驅動集區
123:支撐軸
124:底板
124a:導引孔
126:手
127:垂直驅動器
128:旋轉驅動器
129:支架
140:導引軌道
300:反向單元
300a:第一反向單元
300b:第二反向單元
310:殼體
320:反向構件
330:旋轉主體
340:第一夾持器
342:支撐件
344:夾持銷
350:第二夾持器
360:直線驅動器
370:旋轉驅動器
400:緩衝單元
401:(第一)主緩衝器
402:(第一)次緩衝器
403:第二主緩衝器
404:第二次緩衝器
410:框架
412:底部板
414:支撐柱
420:支撐件
420a:第一支撐件
420b:第二支撐件
420c:第三支撐件
422:垂直桿
424:內部突起
426:支撐銷
460:殼體
470:支撐件
472:垂直桿
474:內部突起
476:支撐銷
480:支撐銷
490:支撐銷
492:上部主體
494:接觸表面
496:下部主體
500:轉移腔室
501:第一轉移腔室
502:第二轉移腔室
503:第三轉移腔室
504:第四轉移腔室
510:導引軌道
520:主轉移機器人
520a:第一主轉移機器人/第一反向機器人
520b:第二主轉移機器人/第二反向機器人
520c:第三主轉移機器人
520d:第四主轉移機器人
522:驅動集區
523:支撐軸
524:底板
524a:第一導引孔
524b:第二導引孔
526:手
526a:第一手
526b:第二手
531:旋轉驅動器
532:垂直驅動器
533a:第一支架
533b:第二支架
600:處理腔室
601:第一清洗腔室
602:第二清洗腔室
603:第三清洗腔室
610:殼體
620:杯
621:處理空間
622:第一收集筒
622a:入口
622b:收集空間
622c:液體排放管
624:第二收集筒
624a:入口
624b:收集空間
624c:液體排放管
626:第三收集筒
626a:入口
626b:收集空間
626c:液體排放管
630:支撐單元
632:旋轉卡盤
632a:支撐銷
632b:卡盤銷
634:驅動軸
636:旋轉驅動器
640:液體供應單元
642:第一噴嘴
642a:臂
644:第二噴嘴
644a:臂
646:第三噴嘴
646a:臂
650:提升單元
660:刷子單元
661:主體
662:刷子
663:旋轉軸
664:旋轉驅動器
665:臂
666:按壓驅動器
667:驅動器
700:組件容納空間
I-I:線
II-II:線
S10、S12、S14、S16、S18、S20、S22、S24、S26、S28、S30:步驟
W:基板
圖1係示意性圖示根據本發明之例示性實施例的用於處理基板之設備之俯視圖。
圖2係沿圖1之線I-I截取之視圖。
圖3係沿圖1之線II-II截取之視圖。
圖4係示意性圖示分度機器人之實例之透視圖。
圖5示意性圖示第一主轉移機器人之實例。
圖6係示意性圖示主緩衝器之結構之透視圖。
圖7係圖6之主緩衝器之俯視圖。
圖8係示意性圖示次緩衝器之透視圖。
圖9係圖8之次緩衝器之俯視圖。
圖10係示意性圖示設置於主緩衝器或次緩衝器中的支撐銷之實例之橫截面圖。
圖11係示意性圖示設置於主緩衝器或次緩衝器中的支撐銷之另一實例之橫截面圖。
圖12係示意性圖示反向單元之結構之橫截面圖。
圖13至圖16係依序圖示基板由反向單元反向的操作實例之視圖。
圖17係示意性圖示第一清洗腔室之實例之橫截面圖。
圖18係依序圖示使用圖1之用於處理基板之設備來轉移及處理基板之製程之實例。
圖19係依序圖示在圖1之用於處理基板之設備中經由其轉移基板的路徑之視圖。
以下將參考隨附圖式更詳細地描述本發明之例示性實施例。可以各種形式修改本發明之例示性實施例,且不應將本發明之範疇解譯為受下述例示性實施例之限制。提供本例示性實施例係為了向熟習此項技術者更全面地解釋本發明。因此,圖式中組件之形狀經誇大以強調更清晰之描述。
圖1係示意性圖示根據本發明之例示性實施例的用於處理基板之設備之俯視圖。圖2係沿圖1之線I-I截取之視圖。圖3係沿圖1之線II-II截取之視圖。
參考圖1至圖3,用於處理基板之設備1包括分度集區10、處理集區20、及控制器30。根據例示性實施例,分度集區10及處理集區20佈置於一個方向上。以下,分度集區10及處理集區20之配置方向係指第一方向92,當自頂部觀察時,垂直於第一方向92的方向係指第二方向94,垂直於第一方向92及第二方向94兩者的方向係指第三方向96。
分度集區10將基板W自容納有基板W的容器80轉移至處理集區20,並在容器80中容納在處理集區20中經處理的基板W。分度集區10之縱向方向設置為第二方向94。分度集區10具有裝載埠12及分度框架14。裝載埠12基於分度框架14相對於處理集區20設置。容納有基板W的容器80置放於裝載埠12中。可設置複數個裝載埠12,且複數個裝載埠12可佈置於第二方向94上。
可使用諸如前開式統一艙(front open unified pod;FOUP)的密封容器80作為容器80。容器80可藉由諸如高架傳輸機、高架輸送機、或自動導引車輛的轉移裝置(未圖示)、或操作者置放於裝載埠12中。基板W具有兩個表面。兩個表面中之一者設置為其上形成有圖案的圖案表面,而另一表面設置為其上未 形成圖案的非圖案表面。基板W可容納於容器80中,同時圖案表面朝上。
分度機器人120設置於分度框架14中。在分度框架14內,可設置導引軌道140,其縱向方向設置為第二方向,且分度機器人120可設置成可在導引軌道140上移動。
圖4係示意性圖示分度機器人之實例之透視圖。參考圖4,分度機器人120包括驅動集區122、底板124、及手126。驅動集區122安裝於導引軌道121上,並沿導引軌道121在平行於第二方向94的方向上線性移動。底板124藉由支撐軸123耦接至驅動集區122。支撐軸123安裝於驅動集區122上,以藉由旋轉驅動器128基於其中心軸可旋轉。舉例而言,旋轉驅動器128可係馬達。此外,支撐軸123藉由垂直驅動器127在支撐軸123之縱向方向上移動。舉例而言,垂直驅動器127可係氣缸或馬達。
手126支撐基板W。設置複數個手126。手126安裝於底板124上,從而向前及向後線性移動。設置複數個手126。舉例而言,可設置四個手126。手126設置成在垂直方向上彼此間隔開。根據例示性實施例,可在底板124的一側上形成導引孔124a,且可設置支架129以經由導引孔124a耦接至底板124。或者,手126可設置成彼此獨立地向前及向後移動。
處理集區20具有第一製程集區22及第二製程集區24。第一製程集區22與第二製程集區24可佈置成彼此堆疊。第一製程集區22可佈置於第二製程集區24上。
第一製程集區22具有緩衝單元400、反向單元300、轉移腔室500、及處理腔室600。緩衝單元400相鄰於分度框架14佈置。分度框架14及緩衝單元400配置於第一方向92上。分度框架14及反向單元300配置於第一方向92上。反向單元300佈置成與緩衝單元400在第三方向96上堆疊。舉例而言,反向單元300佈置於緩衝單元400之上。
根據例示性實施例,設置兩個轉移腔室500。以下,兩個轉移腔 室500係指第一轉移腔室501及第二轉移腔室502。基於反向單元300,第一轉移腔室501佈置於反向單元300的一側上,而第二轉移腔室502佈置於反向單元300的另一側上。當自頂部觀察時,第一轉移腔室501、反向單元300、及第二轉移腔室502依序配置於平行於第二方向94的方向上。
導引軌道510及主轉移機器人520各個佈置於第一轉移腔室501及第二轉移腔室502中。導引軌道510設置於其縱向方向平行於第三方向96的方向上。主轉移機器人520安裝於導引軌道510上,並設置成可沿導引軌道510移動。導引軌道510導引主轉移機器人520之垂直移動。以下,佈置於第一轉移腔室501中的主轉移機器人520係指第一主轉移機器人520a,而佈置於第二轉移腔室502中的主轉移機器人520係指第二主轉移機器人520b。第一主轉移機器人520a與第二主轉移機器人520b可以相同的結構設置。以下將主要描述第一主轉移機器人520a之結構。
圖5示意性圖示第一主轉移機器人之實例。第一主轉移機器人520a具有驅動集區522、底板524、及手526。
驅動集區522安裝於導引軌道510上,且沿導引軌道510在平行於第三方向96的方向上線性移動。底板524藉由支撐軸523安裝於驅動集區522上。支撐軸523安裝於驅動集區522上,從而藉由旋轉驅動器531可基於其中心軸旋轉。舉例而言,旋轉驅動器531可係馬達。此外,支撐軸523可設置成藉由垂直驅動器532在支撐軸523之縱向方向上可移動。舉例而言,垂直驅動器532可係氣缸或馬達。
手526支撐基板W。設置複數個手526。手526安裝於底板524上以向前及向後線性移動。設置複數個手526。舉例而言,可設置兩個手526。手526佈置成在垂直方向上彼此面對。手526設置成在垂直方向上彼此間隔開。手526中佈置於上部的手係指第一手526a,而手526中佈置於下部的手係指第二手526b。第一手526a及第二手526b設置成彼此獨立地向前或向後移動。第一手526a 耦接至第一支架533a。第二手526b耦接至第二支架533b。在底板524的側部上形成第一導引孔524a及第二導引孔524b。第一導引孔524a及第二導引孔524b形成為在垂直方向上彼此間隔開。第一支架533a經由第一導引孔524a耦接至底板524,並藉由第一驅動器(未圖示)沿第一導引孔524a向前及向後移動。第二支架533b經由第二導引孔524b耦接至底板524,並藉由第二驅動器(未圖示)沿第二導引孔524b向前及向後移動。馬達可用作第一驅動器及第二驅動器。
由於上述結構,當自第三方向96觀察時,第一主轉移機器人520a在第一轉移腔室501中不在平行於第一方向92的方向或平行於第二方向94的方向上線性移動,而係固定於預定位置中。
處理腔室600在基板W上執行預定處理。根據例示性實施例,預定處理可係移除基板W上的異物的清洗處理。處理腔室600包括第一清洗腔室601及第二清洗腔室602。
第一清洗腔室601相鄰於第一轉移腔室501佈置。基於第一轉移腔室501,分度框架14設置於第一轉移腔室501的一側上,而第一清洗腔室601佈置於第一轉移腔室501之另一側上。當自頂部觀察時,在平行於第一方向92的方向上依序配置分度框架14、第一轉移腔室501、及第一清洗腔室601。根據例示性實施例,設置複數個第一清洗腔室601。舉例而言,可設置兩個第一清洗腔室601。複數個第一清洗腔室601佈置成在垂直方向上堆疊。複數個第一清洗腔室601具有相同的結構並可處理相同類型之基板。
第二清洗腔室602相鄰於第二轉移腔室502佈置。基於第二轉移腔室502,分度框架14置放於第二轉移腔室502的一側上,而第二清洗腔室602置放於第二轉移腔室502之另一側上。當自頂部觀察時,在平行於第二方向94的方向上依序配置分度框架14、第二轉移腔室502、及第二清洗腔室602。根據例示性實施,設置複數個第二清洗腔室602。複數個第二清洗腔室602佈置成在垂直方向上堆疊。複數個第二清洗腔室602具有相同的結構並可處理相同類型之基板 W。此外,第一清洗腔室601與第二清洗腔室602具有相同結構並可執行相同類型之基板W處理。由於上述配置,當自頂部觀察時,第一清洗腔室601及第二清洗腔室602佈置於平行於第二方向94的方向上並彼此間隔開。
第一清洗腔室601與第二清洗腔室602之間的空間設置為組件容納空間700。根據例示性實施例,儲存於組件容納空間700中的組件可係電組件或閥單元。或者,除電設備或閥單元以外,組件可係用於液體供應系統中的各種類型之組件。或者,第一清洗腔室601與第二清洗腔室602之間的空間可設置為操作者在緩衝單元400、反向單元300、第一清洗腔室601、或第二清洗腔室602的維護期間進入的通道。在這種情況下,門(未圖示)可安裝於緩衝單元400、反向單元300、第一清洗腔室601、或第二清洗腔室602中面對組件容納空間700的表面上,使得操作者可進入組件容納空間700中其內部空間。
緩衝單元400提供一空間,在容器80與處理腔室600之間轉移的基板W暫時留在前述空間中。緩衝單元400具有主緩衝器401及次緩衝器402。基板W在帶出容器80之後立即暫時留在主緩衝器401中。此外,基板W在即將帶入容器80中之前暫時留在主緩衝器401中。
圖6係示意性圖示主緩衝器之結構之透視圖,且圖7係圖6之主緩衝器之俯視圖。參考圖6及圖7,主緩衝器401包括框架410及支撐件420。框架410具有底部板412及支撐柱414。當自頂部觀察時,底部板412可以實質上矩形形狀設置。支撐柱414分別安裝於底部板412的四個角上。支撐柱414可支撐佈置於主緩衝器401之上的次緩衝器402。支撐柱414之間的空間設置為主轉移機器人520的手526或分度機器人120的手126之移動通道。
支撐件420安裝於底部板412上。設置三個支撐件420。支撐件420安裝於由支撐柱414圍繞的空間中。支撐件420彼此組合以支撐帶入主緩衝器401中的基板W。支撐件可以相同的結構設置。以下,三個支撐件420分別係指第一支撐件420a、第二支撐件420b、及第三支撐件420c。第一支撐件420a可佈置於與 相鄰於組件容納空間700的區域中。第二支撐件420b可佈置於相鄰於面對分度框架14的表面與面對第一轉移腔室501的表面在主緩衝器401中相交的邊緣的區域中。第三支撐件420c可佈置於相鄰於面對分度框架14的表面與面對第二轉移腔室502的表面在主緩衝器401中相交的邊緣的區域中。
由於上述結構,分度機器人120的手126可移動至第二支撐件420b與第三支撐件420c之間的空間,第一主轉移機器人520a的手526可移動至第一支撐件420a與第二支撐件420b之間的空間,且第二主轉移機器人520b的手526可移動至第一支撐件420a與第三支撐件420c之間的空間。
根據例示性實施例,支撐件420中之各者具有垂直桿422、內部突起424、及支撐銷426。垂直桿422之縱向方向設置於垂直方向上。複數個內部突起424佈置於垂直桿422之縱向方向上。舉例而言,可將八個內部突起424提供至垂直桿422中之各者。內部突起424設置成在垂直方向上彼此間隔開。支撐銷426安裝於內部突起424之上表面上。一個支撐銷426可安裝於內部突起424中之各者上。
次緩衝器402佈置成與主緩衝器401堆疊。根據例示性實施例,次緩衝器402可佈置於主緩衝器401之上。在自處理集區20轉移基板W期間,在基板W自容器80帶入主緩衝器401中之後及在基板W即將自主緩衝器401帶入容器80中之前,基板W可立即暫時留在次緩衝器402中。根據例示性實施例,當基板W轉移至主緩衝器401、反向單元300、及處理腔室600中之一者時,若難以將基板W直接轉移至對應於轉移靶點的主緩衝器401、反向單元300、及處理腔室600,則可將基板W暫時留在次緩衝器402中。
圖8係示意性圖示次緩衝器之透視圖,且圖9係圖8之次緩衝器之俯視圖。參考圖8及圖9,次緩衝器402包括殼體460及支撐件470。殼體460可以實質上矩形六面體形狀設置。在殼體460中,面對第一轉移腔室501的表面及面對第二轉移腔室502的表面可係打開的。殼體460中面對分度框架14的表面及面 對組件容納空間700的表面可設置為阻擋壁。支撐件470佈置於殼體460中。可設置四個支撐件470。支撐件470可分別佈置於殼體的四個邊緣區域中。
根據例示性實施例,支撐件470具有垂直桿472、內部突起474、及支撐銷476。垂直桿472之縱向方向設置於垂直方向上。複數個內部突起474佈置於垂直桿472之縱向方向上。舉例而言,四個內部突起474可設置於垂直桿472中之各者中。內部突起474設置成在垂直方向上彼此間隔開。支撐銷476安裝於內部突起474之上表面上。一個支撐銷476可安裝於內部突起474中之各者上。
圖10係示意性圖示設置於主緩衝器或次緩衝器中的支撐銷之實例之橫截面圖。參考圖10,支撐銷480支撐基板W之底表面。支撐銷480之上部末端可以向上凸起的形狀設置。舉例而言,支撐銷480之上部末端可以半球形狀設置。基板W可與支撐銷480之上部末端接觸。
圖11係示意性圖示設置至主緩衝器或次緩衝器的支撐銷之另一實例之橫截面圖。參考圖11,支撐銷490支撐基板W並對準基板W。支撐銷490具有上部主體492、接觸表面494、及下部主體496。接觸表面494支撐基板W的下表面之邊緣。當自頂部觀察時,接觸表面494可以圓形形狀設置。上部主體492自接觸表面494向上突出。上部主體492之底表面設置成具有比接觸表面小的直徑。上部主體492之上表面設置成具有比上部主體492之底表面小的直徑。當自頂部觀察時,上部主體492與接觸表面494可同心地設置。當自正面觀察時,上部主體492之側部設置為傾斜表面。舉例而言,上部主體492可以圓錐形狀設置。下部主體496自接觸表面494向下突出。下部主體496固定地安裝於內部突起424及474上。傾斜表面導引基板W的向下移動,從而即使當基板W在基板W錯位的狀態下帶入次緩衝器402時,基板W亦可正常置放於接觸表面上。
在圖10之支撐銷480之結構中,基板由支撐銷之上部末端支撐。因此,與圖11之支撐銷490之結構相比,圖10之支撐銷480之結構可在內部突起之間提供更窄的垂直間隙。因此,可在垂直方向上限定的空間內提供更大數目 之內部突起。
在圖11之支撐銷490之結構中,傾斜表面可對準基板W之位置。因此,與圖10之支撐銷480之結構相比,圖11中的支撐銷490之結構可使轉移期間在手上位置扭曲的基板W對準。
根據例示性實施例,主緩衝器401中的支撐銷426及次緩衝器402中的支撐銷476可以與圖10中的支撐銷480相同的結構設置。或者,主緩衝器401中的支撐銷426及次緩衝器402中的支撐銷476可以與圖11中的支撐銷490相同的結構設置。或者,主緩衝器401中的支撐銷426可以圖10中的支撐銷480及圖11中的支撐銷490的結構中之一者設置,而次緩衝器402中的支撐銷476可以圖10中的支撐銷480及圖11中的支撐銷490的結構中之另一者設置。
根據例示性實施例,由於基板W自容器80帶出之後及在基板W即將帶入容器80中之前均立即儲存於主緩衝器401中,故主緩衝器401的支撐銷426可以與圖10之支撐銷480相同的結構設置,從而可在垂直方向上自相對頻繁使用的主緩衝器401設置更大數目的內部突起424。此外,針對相對較少使用的次緩衝器402,次緩衝器402中的支撐銷476可以與圖11之支撐銷490相同的結構設置,具有對準功能,從而在轉移基板W期間校正基板W之扭曲位置。
反向單元300將基板W之圖案表面與非圖案表面之位置反向。反向單元300佈置於緩衝單元400之上。根據例示性實施例,反向單元300可佈置於次緩衝器402之上。可設置複數個反向單元300。舉例而言,可設置兩個反向單元300。複數個反向單元300可佈置成彼此堆疊。複數個反向單元300可彼此相鄰地佈置。
圖12係示意性圖示反向單元結構之橫截面圖。反向單元300具有殼體310及反向構件320。殼體310具有實質上六面體形狀。在殼體310之側表面中,基板W經由其進入的入口(未圖示)可形成於面對第一轉移腔室501之側表面及面對第二轉移腔室502之側表面上。反向構件320佈置於殼體310中。
反向構件320具有旋轉主體330、第一夾持器340、第二夾持器350、直線驅動器360、及旋轉驅動器370。第一夾持器340及第二夾持器350安裝於旋轉主體330中。第一夾持器340佈置成在垂直方向上面對第二夾持器350。第一夾持器340及第二夾持器350安裝於旋轉主體330中以改變其間的間隔距離。直線驅動器360移動第一夾持器340及第二夾持器350,使得第一夾持器340與第二夾持器350之間的間隔距離根據接觸位置及間隔位置而改變。接觸位置係第一夾持器340與第二夾持器350組合並夾持置放於第一夾持器340與第二夾持器350之間的基板W的位置。間隔位置係第一夾持器340與第二夾持器350之間的間隙變寬,使得基板W可在第一夾持器340與第二夾持器350之間帶入或帶出的位置。根據例示性實施例,第一夾持器340及第二夾持器350安裝於旋轉主體330中,從而可調整第一夾持器340與第二夾持器350之間的距離。
根據例示性實施例,第一夾持器340具有支撐件342及夾持銷344。支撐件342安裝於旋轉主體330上。支撐件342可以碟形形狀設置。或者,支撐件342可以實質上環形形狀設置。夾持銷344耦接至支撐件342。根據例示性實施例,設置四個夾持銷344。當執行反向時,夾持銷344支撐基板W的一末端。根據例示性實施例,夾持銷344具有帶有導引表面的接觸表面。接觸表面佈置於導引表面內部。接觸表面可設置為朝嚮導引表面傾斜的傾斜表面。導引表面佈置於由反向構件320反向的基板W外部。導引表面防止基板W在反向期間自反向構件320偏離。第二夾持器350具有與第一夾持器340相同的結構。第一夾持器340與第二夾持器350可以相對於支撐於其間的基板W彼此對稱的結構設置。旋轉驅動器370使旋轉主體330旋轉。
圖13至圖16依序圖示基板由反向單元反向之操作實例。首先,如圖13中所示,在第一夾持器340與第二夾持器350彼此間隔開的狀態下,在第一夾持器340與第二夾持器350之間轉移基板W。在這種情況下,基板W可經佈置,使得其圖案表面朝上。接著,如圖14中所示,移動第一夾持器340及第二夾持器 350,使得第一夾持器340與第二夾持器350佈置於接觸位置中,且基板W由第一夾持器340與第二夾持器350夾持。接著,如圖15中所示,旋轉驅動器370使旋轉主體330旋轉。藉由旋轉主體330之旋轉,第一夾持器340與第二夾持器350之位置在垂直方向上經改變,且佈置於第一夾持器340與第二夾持器350之間的基板W之圖案佈置成朝下。接著,如圖16中所示,移動第一夾持器340及第二夾持器350,使得第一夾持器340與第二夾持器350佈置於間隔位置中,並藉由第一主轉移機器人520a或第二主轉移機器人520b將基板W自反向單元300轉移至外部。
第一清洗腔室601及第二清洗腔室602對基板W進行清洗。第一清洗腔室601與第二清洗腔室602可以相同的結構設置,並可執行同一製程。根據例示性實施例,第一清洗腔室601在基板W上執行第一製程及第二製程。第一製程係在基板W之非圖案表面佈置成朝上的狀態下處理基板W的製程。第二製程係在基板W之圖案表面佈置成朝上的狀態下處理基板W的製程。
根據例示性實施例,第一製程包括使用刷子清洗基板W之非圖案表面的製程。此外,第一製程可包括在用刷子清洗基板W之非圖案表面之前或在用刷子清洗基板W之非圖案表面之後在基板W之非圖案表面上執行的額外製程。舉例而言,第一製程可包括將處理液供應至基板W之非圖案表面以處理基板W之非圖案表面的製程,及/或在用刷子清洗基板W之非圖案表面之後,對基板W之非圖案表面進行乾燥的製程。處理液體可包括溶劑,諸如化學品、水、或酒精。此外,在使用刷子清洗基板W之非圖案表面的同時,可將處理液體供應至基板W之非圖案表面。
第二製程包括使用處理液體清洗基板W之圖案表面的製程。此外,第二製程可包括乾燥製程,其中在用處理液體清洗基板W之圖案表面之後,自基板W之圖案表面移除處理液體。處理液體可包括化學品、水、或酒精。舉例而言,第二製程可包括藉由將化學品供應至基板W之圖案表面來自基板W之圖案表面移除異物或薄膜的移除製程、將水供應至基板W之圖案表面並用水自基 板W之圖案表面移除化學品的沖洗製程、及將諸如異丙醇的有機溶劑供應至基板W之圖案表面並用有機溶劑替換水的替換製程。或者,可省略沖洗製程及替換製程中之一者。此外,可藉由使用不同類型之化學品依序地多次執行移除製程。
圖17係示意性圖示第一清洗腔室之實例之橫截面圖。第一清洗腔室601具有殼體610、杯620、支撐單元630、液體供應單元640、提升單元650及刷子單元660。
殼體610通常以矩形六面體形狀設置。在殼體610的面對第一轉移腔室501的表面上形成有在其中帶出基板W的帶入口(未圖示)。基板W藉由第一主轉移機器人520a經由帶入口帶入或帶出殼體610。杯620、液體供應單元640、刷子單元660、及提升單元650佈置於殼體610中。
杯620具有上部打開的處理空間621。藉由在處理空間621中執行第一製程或第二製程來處理基板W。支撐單元630在處理空間621中支撐基板W。液體供應單元640將處理液體供應至由支撐單元630支撐的基板W上。提升單元650調整杯620與支撐單元630之間的相對高度。
根據例示性實施例,杯620具有複數個收集筒(622、624及626)。收集筒(622、624及626)中之各者具有用於回收用於處理基板W的液體的收集空間622b、624b及626b。收集筒(622、624、及626)中之各者以圍繞支撐單元630的環形形狀設置。在處理基板W的製程期間,藉由基板W之旋轉而散射的處理液體經由收集筒(622、624及626)中之各者的入口622a、624a及626a流動至收集空間中。根據例示性實施例,杯620具有第一收集筒622、第二收集筒624、及第三收集筒626。第一收集筒622配置成圍繞支撐單元630,第二收集筒624配置成圍繞第一收集筒622,且第三收集筒626配置成圍繞第二收集筒624。流動至第二收集筒624中的(第二)入口624a可佈置於流動至第一收集筒622中的(第一)入口622a之上,流動至第三收集筒626中的第(三入)口626a可佈置於第二入口624a之上。液 體排放管622c、624c及626c耦接至收集筒(622、624及626)中之各者。收集筒之數目可根據使用的處理液體之數目及待回收或丟棄的處理液體之數目而不同地改變。
支撐單元630具有旋轉卡盤632及驅動軸634。旋轉卡盤632之上表面以實質圓形形狀設置,並具有比基板W之直徑大的直徑。在旋轉卡盤632之中心部分設置支撐基板W之後表面的支撐銷632a,且支撐銷632a之上部末端設置成自旋轉卡盤632突出,使得基板W與支撐板以預定距離間隔開。卡盤銷632b設置於旋轉卡盤632之邊緣中。卡盤銷632b設置成自支撐板向上突出。卡盤銷632b支撐基板W之側面,使得當基板W旋轉時基板W不會自支撐單元630偏離。驅動軸634由旋轉驅動器636驅動,連接至基板W的底表面之中心,並基於其中心軸旋轉旋轉卡盤632。
液體供應單元640具有第一噴嘴642、第二噴嘴644、及第三噴嘴646。第一噴嘴642將化學品供應至基板W。第二噴嘴644將水供應至基板W。水可為純水或去離子水。第三噴嘴646將有機溶液供應至基板W。有機溶劑可係異丙醇。
第一噴嘴642、第二噴嘴644、及第三噴嘴646分別由不同的臂642a、644a及646a支撐。臂642a、644a及646a中之各者耦接至各個驅動器(未圖示)。噴嘴(642、644、及646)中之各者可藉由驅動器中之各者在製程位置與等待位置之間移動。製程位置係噴嘴(642、644及646)將處理液體供應至基板W的位置,而等待位置係未供應處理液體至基板W時噴嘴(642、644及646)中之各者等待的位置。舉例而言,當自頂部觀察時,製程位置可係與杯620重疊的位置,而等待位置可係杯620之外部區域。驅動器中之各者可擺動或線性移動臂642a、644a及646a中之各者。或者,第一噴嘴642、第二噴嘴644、及第三噴嘴646可全部安裝於同一臂上並同時移動。
除第一噴嘴642、第二噴嘴644、及第三噴嘴646以外,液體供應 單元640可進一步包括一個或複數個噴嘴。添加之噴嘴可將不同類型之處理液體供應至基板W。
刷子單元660具有主體661、刷子662、旋轉軸663、旋轉驅動器664、及按壓驅動器666。主體661具有圓板形狀。主體661藉由臂665的一個末端中的旋轉軸663耦接至臂665。刷子662安裝於主體661之底表面上。刷子662可以由彈性材料製成的板子形狀設置。或者,刷子662可具有複數個毛。旋轉驅動器664繞作為中心軸的旋轉軸663旋轉主體661,刷子662耦接至主體661。刷子662可藉由驅動器667在製程位置與等待位置之間移動。製程位置係用刷子662按壓基板W並進行清洗的位置,而等待位置係在未處理基板W時刷子662等待的位置。舉例而言,製程位置可係當自頂部觀察時與杯620重疊的位置,而等待位置可係當自頂部觀察時杯620之外部區域。按壓驅動器666按壓刷子662,使得刷子662可在刷子662面對基板W的狀態下按壓基板W。可使用氣缸作為按壓驅動器666。或者,可使用馬達作為按壓驅動器。按壓驅動器666可設置成向下按壓包括主體661的整個臂665。或者,按壓驅動器666可安裝於主體661之上表面上,以將主體661向下按壓至臂665。
提升單元650在垂直方向上移動杯620。杯620與基板W之間的相對高度藉由杯620之垂直移動而改變。因此,由於回收處理液體的收集筒(622、624及626)根據供應至基板W的液體之類型而改變,故液體可經分離及回收。與上述配置不同,杯620係固定地安裝的,且提升單元650可在垂直方向上移動支撐單元630。
第二製程集區24具有與第一製程集區22基本相同或類似的組態。第二製程集區24具有緩衝單元400、反向單元300、處理腔室600、及轉移腔室500。當自頂部觀察時,第一製程集區22之緩衝單元400、反向單元300、處理腔室600及轉移腔室500具有與緩衝單元400、反向單元300、處理腔室600、及轉移腔室500相同的配置。
然而,在第二製程集區24中,緩衝單元400佈置於反向單元300之上。此外,在第二製程集區24之緩衝單元400中,主緩衝器401佈置於次緩衝器402上。亦即,基於佈置於第一製程集區22與第二製程集區24之間的任何水平面,設置於第一製程集區22中的緩衝單元400及反向單元300可與設置於第二製程集區24中的緩衝單元400及反向單元300對稱。因此,佈置於第一製程集區22中的主緩衝器401與佈置於第二製程集區24中的主緩衝器401彼此相鄰,而次緩衝器402及反向單元300佈置於遠離主緩衝器401的方向上。
以下,為了區分設置於第一製程集區22中的組件與設置於第二製程集區24中的組件,設置於第二製程集區24中的第一轉移腔室、第二轉移腔室、第一清洗腔室、第二清洗腔室、第一主轉移機器人、及第二主轉移機器人分別係指第三轉移腔室503、第四轉移腔室504、第三清洗腔室603、第四清洗腔室604、第三主轉移機器人520c、及第四主轉移機器人520d。此外,設置於第一製程集區22中的主緩衝器、次緩衝器、及反向單元係指(第一)主緩衝器401、(第一)次緩衝器402、及第一反向單元300a,而設置於第二製程集區24中的主緩衝器、次緩衝器、及反向單元係指第二主緩衝器403、第二次緩衝器404、及第二反向單元300b。
根據例示性實施例,分度機器人120在置放於裝載埠12中的容器80與(第一)主緩衝器401之間、及在置放於裝載埠12中的容器80與第二主緩衝器403之間轉移基板W。(第一)主緩衝器401與第二主緩衝器403彼此相鄰地配置,且分度機器人120僅在容器80、(第一)主緩衝器401、及第二主緩衝器403之間轉移基板W。因此,分度機器人120之垂直移動距離可比當(第一)主緩衝器401在垂直方向上遠離第二主緩衝器403時的移動距離短。
第一主轉移機器人520a及第二主轉移機器人520b在第一製程集區22中的單元與清洗腔室之間轉移基板(W)。具體地,第一主轉移機器人520a在(第一)主緩衝器401、(第一)次緩衝器402、第一反向單元300a、及第一清洗腔室 601之間直接轉移基板W。第二主轉移機器人520b在(第一)主緩衝器401、(第一)次緩衝器402、第一反向單元300a、及第二清洗腔室602之間直接轉移基板W。此外,第三主轉移機器人520c及第四主轉移機器人520d在設置於第二製程集區24中的單元與腔室之間轉移基板W。具體地,第三主轉移機器人520c在第二主緩衝器403、第二次緩衝器404、第二反向單元300b、及第三清洗腔室603之間直接轉移基板W。第四主轉移機器人520d在第二主緩衝器403、第二次緩衝器404、第二反向單元300b、及第四清洗腔室604之間直接轉移基板W。
控制器30控制分度機器人120、主轉移機器人520、及清洗腔室。
圖18係依序圖示使用圖1之基板處理設備轉移及處理基板的製程之實例之流程圖,且圖19係依序圖示在圖1之用於處理基板之設備中經由其轉移基板之路徑。在圖19中,為了便於描述,圖示轉移腔室設置於緩衝單元與反向單元及清洗腔室之間。
當容器80置放於裝載埠12中時,分度機器人120自容器80帶出第一基板W1,並將第一基板W1帶入(第一)主緩衝器401中(步驟S10)。在這種情況下,第一基板W1經佈置,使得其圖案表面朝上。第一主轉移機器人520a或第二主轉移機器人520b自(第一)主緩衝器401帶出第一基板W1,並將第一基板W1帶入第一反向單元300a中(步驟S12)。當其他基板W供應至全部第一反向單元300a且第一基板W1不能帶入第一反向單元300a中時,第一反向機器人520a或第二反向機器人520b將第一基板W1自(第一)主緩衝器401帶入(第一)次緩衝器402中。接著,當第一反向單元300a中之任意者為空時,第一反向機器人520a或第二反向機器人520b將次緩衝器402中的第一基板W1返回至為空的第一反向單元300a。
在第一反向單元300a中,第一基板W1之圖案表面與非圖案表面之位置反向(步驟S14)。第一主轉移機器人520a自第一反向單元300a帶出第一基板W1,並將第一基板W1帶入第一清洗腔室601中(步驟S16)。在這種情況下,第一基板W1經佈置,使得其非圖案表面朝上。
第一清洗腔室601在第一基板W1之非圖案化表面上執行第一製程(步驟S18)。在第一製程期間,第一基板W1之非圖案表面藉由刷子單元660來清洗。此外,可在基板W之非圖案的表面上執行化學處理、沖洗處理、或乾燥處理。
當第一製程完成時,第一主轉移機器人520a自第一清洗腔室601帶出基板W,並將基板W轉移至空的第一反向單元300a(步驟S20)。在第一反向單元300a中,第一基板W1之圖案表面與非圖案表面之位置反向(步驟S22)。
將第一基板W1轉移至第一清洗腔室601及第二清洗腔室602中基板W可帶入的清洗腔室(步驟S24)。舉例而言,當其他基板W帶入全部第二清洗腔室602中時,或當第二主轉移機器人520b正在轉移另一基板W時,第一主轉移機器人520a自第一反向單元300a帶出第一基板W1並將第一基板W1帶入第一清洗腔室601中。相反,當其他基板W帶入全部第一清洗腔室601中時,或當第二主轉移機器人520b正在轉移另一基板時,第一主轉移機器人520a自第一反向單元300a帶出第一基板W1並將第一基板W1轉移至第二清洗腔室602中。若第一基板W1不能轉移至全部第一清洗腔室601及全部第二清洗腔室602,則用第一主轉移機器人520a及第二主轉移機器人520b中之一者自第一反向單元300a帶出第一基板W1,並轉移至(第一)次緩衝器402。接著,當將先前已經處理之基板W自第一清洗腔室601及第二清洗腔室602中之一者帶出時,將第一基板W1自(第一)次緩衝器402帶出至第一主轉移機器人520a或第二主轉移機器人520b,並將第一基板W1帶入第一清洗腔室601或第二清洗腔室602中。
舉例而言,當藉由第二主轉移機器人520b將第一基板W1帶入第二清洗腔室602中時,第二清洗腔室602在第一基板W1上執行第二製程(步驟S26)。第一基板W1佈置於第二清洗腔室602中,使得其圖案表面朝上,並藉由將處理液體供應至第一基板W1之圖案表面來處理基板W。舉例而言,化學處理、沖洗處理、有機溶劑處理、及乾燥處理全部係依序執行的,或執行其中選擇之 處理中之一些。
接著,第二主轉移機器人520b自第二清洗腔室602帶出第一基板W1,並將第一基板W1帶入(第一)主緩衝器401中(步驟S28)。在這種情況下,基板W保持其圖案表面朝上的狀態。若主緩衝器401中沒有空的空間,則第二主轉移機器人520b將自第二清洗腔室602帶出的第一基板W1帶入(第一)次緩衝器402中。接著,當(第一)主緩衝器401中產生空的空間時,將第一基板W1自(第一)次緩衝器402帶出至第一主轉移機器人520a或第二主轉移機器人520b,接著帶入(第一)主緩衝器401中。
接著,分度機器人120自(第一)主緩衝器401帶出第一基板W1,並將第一基板W1載入置放於裝載埠12中的容器80中(步驟S30)。
如上前述,在將第一基板W1自容器80轉移至(第一)主緩衝器401之後,藉由分度機器人120將係後續基板W的第二基板W2自容器80轉移至第二主緩衝器403。類似於第一基板W1,第二基板W2以容器80、第二主緩衝器403、第二反向單元300b、第三清洗腔室603或第四清洗腔室604、第二反向腔室300b、第三清洗腔室603或第四清洗腔室604、第二主緩衝器403、及容器80之次序進行轉移。第二基板W2可帶出並臨時儲存於轉移路徑中的第二次緩衝器404中。
在上述實例中,已描述第一基板W1自容器80轉移至第一製程集區22,接著第二基板W2自容器80轉移至第二製程集區24。然而,在將基板W1自容器80轉移至第一製程集區22之後,可將第一基板W1與第二基板W2之間的另一基板W轉移至第一製程集區22。舉例而言,考慮正在由第一製程集區22處理的基板W之數目及正在由第二製程集區24處理的基板W之數目,將自容器80帶出的基板W轉移至第一製程集區22及第二製程集區24中之一者。
根據本發明之例示性實施例,自容器80帶入(第一)主緩衝器401中的基板W不轉移至第二製程集區24,但在第一製程集區22中在基板W上執行第一製程及第二製程兩者,這與在將同一基板W轉移至第一製程集區22及第二製程 集區24時執行第一製程及第二製程的情況相比,可進一步簡化轉移路徑。
根據本發明之例示性實施例,由於第一主轉移機器人520a及第二主轉移機器人520b各個僅將基板W轉移至設置於用於處理基板之設備的一側處的清洗腔室(601及602),故基板W可藉由第一主轉移機器人520a及第二轉移機器人520b同時轉移至第一清洗腔室601及第二清洗腔室602。
根據本發明之例示性實施例,第一清洗腔室601及第二清洗腔室602設置於第一製程集區22中,以具有相同的結構,從而分別執行第一製程及第二製程。因此,與第一清洗腔室601僅清洗基板W之圖案表面而第二清洗腔室602僅清洗基板之非圖案表面的結構相比,本結構設置有更多可選擇並用於執行第一製程或第二製程的清洗腔室。因此,即使難以將新的基板W帶入第一清洗腔室601或第二清洗腔室602中之一者中,但由於存在較大數目的可選擇之清洗腔室,故可縮短基板W在緩衝單元400或反向單元300中等待的時間。
根據本發明之例示性實施例,首先執行對基板W之非圖案表面的處理的第一製程,接著執行對基板W之圖案表面的處理的第二製程。在執行第一製程的過程中,異物或顆粒可附著於基板W之圖案表面。在這種情況下,藉由在第一製程之後執行第二製程,可在第二製程中移除附著於基板之圖案表面的異物或顆粒。
在上述實例中,已描述設置兩個處理集區作為實例。然而,可設置僅一個處理集區。或者,可設置三個或三個以上處理集區。
在上述實例中,第一清洗腔室601與第二清洗腔室602以相同的結構設置,且第一清洗腔室601及第二清洗腔室602中之各者均設置成具有能夠執行第一製程及第二製程的結構。然而,相比之下,第一清洗腔室601可設置成執行第一製程及第二製程中的僅第一製程,而第二清洗腔室602可設置成執行第一製程及第二製程中的僅第二製程。
在上述實例中,已描述緩衝單元400包括主緩衝器401及次緩衝器 402。然而,與此相反,緩衝單元400可僅包括主緩衝器401。
在上述實例中,在第一製程集區22中,在帶入第一製程集區22中的基板W上執行第一製程及第二製程兩者,且在第二製程集區24中,在帶入第二製程集區24中的基板上執行第一製程及第二製程兩者。然而,與此相反,可轉移基板W,從而在第一製程集區22及第二製程集區24中之一者中在基板W上執行第一製程,並在另一處理集區中在基板W上執行第二製程。
在上述實例中,已描述執行第一製程以使用刷子來清洗基板W之非圖案表面,並執行第二製程以使用處理液體來清洗基板W之圖案表面。然而,第一製程可係除刷子清洗以外的處理基板W之非圖案表面的另一類型之製程。此外,第二製程可係除使用處理液體清洗以外的用於處理基板W之圖案表面的另一類型之製程。
上述詳細描述說明了本發明。此外,上述內容圖示並描述本發明之例示性實施例,且本發明可用於各種其他組合、修改、及環境中。亦即,上述內容可在本說明書中揭示之本發明概念之範疇內、等效於本揭示內容之範疇的範疇內、及/或本領域的技術或知識之範疇內進行修改或校正。上述例示性實施例描述用於實施本發明之技術精神的最佳狀態,且在本發明之特定應用領域及用途中所需的各種改變係可能的。因此,以上對本發明的詳細描述並不旨在將本發明限制於所揭示之實施例。此外,隨附申請專利範圍應解譯為亦包括其他例示性實施例。
1:用於處理基板之設備
10:分度集區
12:裝載埠
14:分度框架
20:處理集區
22:第一製程集區
24:第二製程集區
30:控制器
80:容器
92:第一方向
94:第二方向
96:第三方向
120:分度機器人
122:驅動集區
140:導引軌道
300:反向單元
300a:第一反向單元
500:轉移腔室
501:第一轉移腔室
502:第二轉移腔室
520a:第一主轉移機器人
520b:第二主轉移機器人
526:手
600:處理腔室
601:第一清洗腔室
602:第二清洗腔室
700:組件容納空間
I-I:線
II-II:線

Claims (20)

  1. 一種用於處理基板之設備,其包含: 分度集區;及 處理集區,其相鄰於前述分度集區佈置, 其中前述分度集區包括: 一個或複數個裝載埠,前述基板容納於前述裝載埠上;及 分度框架,其設置有分度機器人,前述分度機器人在置放於前述裝載埠中的容器與前述處理集區之間轉移前述基板,且 前述處理集區包括: 緩衝單元,前述基板暫時留在前述緩衝單元中; 反向單元,其經組態以將前述基板反向,使得前述基板之圖案表面與非圖案表面之位置經改變; 處理腔室,其經組態以處理前述基板;及 轉移腔室,其設置有主轉移機器人,前述主轉移機器人在前述緩衝單元、前述反向單元、及前述處理腔室之間轉移前述基板, 其中前述緩衝單元與前述反向單元佈置成在垂直方向上堆疊, 當自頂部觀察時,前述分度框架及前述緩衝單元配置於第一方向上, 前述轉移腔室包括: 第一轉移腔室,其佈置於前述緩衝單元的一側上;及 第二轉移腔室,其佈置於前述緩衝單元的另一側上, 當自頂部觀察時,前述第一轉移腔室、前述緩衝單元、及前述第二轉移腔室配置於垂直於前述第一方向的第二方向上, 前述處理腔室包括: 第一清洗腔室,其配置於前述第一轉移腔室的一側上;及 第二清洗腔室,其配置於前述第二轉移腔室的另一側上, 當自頂部觀察時,前述第一轉移腔室及前述第一清洗腔室配置於平行於前述第一方向的方向上, 當自頂部觀察時,前述第二轉移腔室及前述第二清洗腔室配置於平行於前述第一方向的方向上, 設置於前述第一轉移腔室中的前述主轉移機器人設置成在前述緩衝單元、前述反向單元、及前述第一清洗腔室之間直接轉移前述基板,且 設置於前述第二轉移腔室中的前述主轉移機器人設置成在前述緩衝單元、前述反向單元、及前述第二清洗腔室之間直接轉移前述基板。
  2. 如請求項1所述之用於處理基板之設備,其中前述第一清洗腔室及前述第二清洗腔室配置於平行於前述第二方向的方向上。
  3. 如請求項1所述之用於處理基板之設備,其中前述第一清洗腔室包括: 支撐單元,其經組態以支撐並旋轉前述基板; 刷子單元,其經組態以清洗由前述支撐單元支撐的前述基板;及 液體供應單元,其經組態以將處理液體供應至由前述支撐單元支撐的前述基板。
  4. 如請求項3所述之用於處理基板之設備,其中前述第一清洗腔室以複數形式設置,且 複數個前述第一清洗腔室佈置成彼此堆疊。
  5. 如請求項4所述之用於處理基板之設備,其中前述第一清洗腔室與前述第二清洗腔室以相同的結構設置。
  6. 如請求項4所述之用於處理基板之設備,其進一步包含:經組態以控制前述處理集區的控制器, 其中前述控制器經組態以: 控制前述處理腔室,使得當前述基板以前述基板之前述圖案表面朝上的方式置放於前述支撐單元上時,藉由用前述液體供應單元將處理液體供應至前述基板之前述圖案表面來清洗前述基板之前述圖案表面,及 控制前述處理腔室,使得當前述基板以前述基板之前述非圖案表面朝上的方式置放於前述支撐單元上時,用前述刷子單元來清洗前述基板之前述非圖案表面。
  7. 如請求項1所述之用於處理基板之設備,其中前述緩衝單元包括: 主緩衝器;及 次緩衝器,其佈置成與前述主緩衝器堆疊, 其中前述主轉移機器人能夠將基板分別轉移至前述主緩衝器及前述次緩衝器。
  8. 如請求項7所述之用於處理基板之設備,其中前述次緩衝器佈置於前述主緩衝器與前述反向單元之間。
  9. 如請求項1所述之用於處理基板之設備,其中設置複數個反向單元, 複數個前述反向單元彼此堆疊,且 複數個前述反向單元彼此相鄰地佈置。
  10. 如請求項1所述之用於處理基板之設備,其中前述主轉移機器人包括: 底板;及 手,其安裝於前述底板上, 其中前述手設置成可相對於前述底板向前及向後移動,且 前述底板能夠在第三方向上移動,及在平行於前述第一方向之移動、平行於前述第二方向之移動、在分別垂直於前述第一方向及前述第二方向的前述第三方向上之移動中進行旋轉移動,且前述旋轉移動繞前述第三方向作為軸。
  11. 如請求項10所述之用於處理基板之設備,其中複數個前述手設置成前述主轉移機器人;且 複數個前述手設置成能夠彼此獨立地向前及向後移動。
  12. 一種用於處理基板之設備,其包含: 分度集區;及 第一製程集區及第二製程集區,其相鄰於前述分度集區佈置, 其中前述分度集區包括: 一個或複數個裝載埠,前述基板容納於前述裝載埠上; 分度框架,其設置有分度機器人,前述分度機器人在置放於前述裝載埠中的容器與前述第一製程集區之間、及在置放於前述裝載埠中的前述容器與前述第二製程集區之間轉移前述基板,且 前述第一製程集區與前述第二製程集區在垂直方向上堆疊, 其中前述第一製程集區及前述第二製程集區中之各者包括: 緩衝單元,前述基板暫時留在前述緩衝單元中; 反向單元,其經組態以將前述基板反向,使得前述基板之圖案表面與非圖案表面之位置經改變; 處理腔室,其經組態以處理前述基板;及 轉移腔室,其設置有主轉移機器人,前述主轉移機器人在前述緩衝單元、前述反向單元、及前述處理腔室之間轉移前述基板, 其中前述緩衝單元與前述反向單元佈置成在垂直方向上堆疊, 當自頂部觀察時,前述分度框架及前述緩衝單元配置於第一方向上, 前述轉移腔室包括: 第一轉移腔室,其佈置於前述緩衝單元的一側上;及 第二轉移腔室,其佈置於前述緩衝單元的另一側上, 當自頂部觀察時,前述第一轉移腔室、前述緩衝單元、及前述第二轉移腔室配置於垂直於前述第一方向的第二方向上, 前述處理腔室包括: 第一清洗腔室,其配置於前述第一轉移腔室的一側上;及 第二清洗腔室,其配置於前述第二轉移腔室的另一側上, 當自頂部觀察時,前述第一轉移腔室及前述第一清洗腔室配置於平行於前述第一方向的方向上, 當自頂部觀察時,前述第二轉移腔室及前述第二清洗腔室配置於平行於前述第一方向的方向上, 前述第一清洗腔室及前述第二清洗腔室配置於平行於前述第二方向的方向上, 設置於前述第一轉移腔室中的前述主轉移機器人設置成在前述緩衝單元、前述反向單元、及前述第一清洗腔室之間直接轉移前述基板,且 設置於前述第二轉移腔室中的前述主轉移機器人設置成在前述緩衝單元、前述反向單元、及前述第二清洗腔室之間直接轉移前述基板。
  13. 如請求項12所述之用於處理基板之設備,其中設置於前述第一製程集區中的前述第一清洗腔室及前述第二清洗腔室、以及設置於前述第二製程集區中的前述第一清洗腔室及前述第二清洗腔室各自包括: 支撐單元,其經組態以支撐並旋轉前述基板; 刷子單元,其經組態以清洗由前述支撐單元支撐的前述基板;及 液體供應單元,其經組態以將處理液體供應至由前述支撐單元支撐的前述基板。
  14. 如請求項13所述之用於處理基板之設備,其進一步包含控制器,前述控制器經組態以控制前述第一製程集區及前述第二製程集區, 其中前述控制器經組態以: 控制前述處理腔室,使得當前述基板以前述基板之前述圖案表面朝上的方式置放於前述支撐單元上時,藉由用前述液體供應單元將處理液體供應至前述基板之前述圖案表面來清洗前述基板之前述圖案表面,及 控制前述處理腔室,使得當前述基板以前述基板之前述非圖案表面朝上的方式置放於前述支撐單元上時,用前述刷子單元來清洗前述基板之前述非圖案表面。
  15. 如請求項12所述之用於處理基板之設備,其中前述緩衝單元包括: 主緩衝器;及 次緩衝器,其設置成與前述主緩衝器堆疊, 其中前述主轉移機器人設置成將前述基板分別轉移至前述主緩衝器及前述次緩衝器, 前述第一製程集區設置於前述第二製程集區上, 在前述第一製程集區中,前述主緩衝器佈置於前述反向單元之下,且前述次緩衝器佈置於前述主緩衝器與前述反向單元之間,且 在前述第二製程集區中,前述主緩衝器佈置於前述反向單元之上,且前述次緩衝器佈置於前述主緩衝器與前述反向單元之間。
  16. 如請求項12所述之用於處理基板之設備,其中前述主轉移機器人包括: 底板;及 複數個手,其安裝於前述底板上, 其中複數個前述手設置成能夠彼此獨立地向前及向後移動,且 前述底板能夠在第三方向上移動,及在平行於前述第一方向之移動、平行於前述第二方向之移動、在分別垂直於前述第一方向及前述第二方向的前述第三方向上之移動中進行旋轉移動,且前述旋轉移動繞前述第三方向。
  17. 一種使用如請求項1所述之用於處理基板之設備來處理基板之方法,前述方法包含以下步驟: 自置放於前述裝載埠中的前述容器帶出前述基板,並用前述分度機器人將前述基板轉移至前述緩衝單元; 用設置於前述第一轉移腔室中的前述主轉移機器人或設置於前述第二轉移腔室中的前述主轉移機器人將前述基板轉移至前述第一清洗腔室或前述第二清洗腔室; 在前述第一清洗腔室或前述第二清洗腔室中,在前述基板之圖案表面及非圖案表面中之一者上處理第一製程; 用設置於前述第一轉移腔室中的前述主轉移機器人或設置於前述第二轉移腔室中的前述主轉移機器人將在其上完成前述第一製程的前述基板自前述第一清洗腔室及前述第二清洗腔室中之一者轉移至前述反向單元; 在前述反向單元中將前述基板之前述圖案表面與前述非圖案表面之位置反向; 用設置於前述第一轉移腔室中的前述主轉移機器人或設置於前述第二轉移腔室內的前述主轉移機器人將前述基板自前述反向單元轉移至前述第一清洗腔室或前述第二清洗腔室; 在前述第一清洗腔室或前述第二清洗腔室中在前述基板之前述圖案表面或前述非圖案表面中之另一者上處理第二製程; 用設置於前述第一轉移腔室中的前述主轉移機器人或設置於前述第二轉移腔室中的前述主轉移機器人將在其上完成前述第二製程的前述基板轉移至前述緩衝單元;及 將在其上完成前述第二製程的前述基板自前述緩衝單元帶入置放於前述裝載埠中的前述容器中。
  18. 如請求項17所述之處理基板之方法,其中當用前述分度機器人將前述基板帶出置放於前述裝載埠中的前述容器並轉移至前述緩衝單元時,前述基板以其圖案表面朝上的方式佈置, 在執行前述第一製程之前述處理之前,用設置於前述第一轉移腔室中的前述主轉移機器人或設置於前述第二轉移腔室中的前述主轉移機器人將帶入前述緩衝單元中的前述基板轉移至前述反向單元, 在前述反向單元中,將前述基板之前述圖案表面與前述非圖案表面之前述位置反向,且 前述第一製程之前述處理係對具有朝上的前述基板之前述非圖案表面的前述基板之前述非圖案表面進行處理。
  19. 如請求項18所述之處理基板之方法,其中前述第一製程之前述處理係使用刷子來處理前述基板之前述非圖案化表面,且 前述第二製程之前述處理係藉由將處理液體供應至具有朝上的前述基板之前述圖案表面的前述基板之前述圖案表面來對前述基板進行處理。
  20. 如請求項17所述之處理基板之方法,其中前述第一清洗腔室與前述第二清洗腔室以相同的結構設置,且 前述第一清洗腔室及前述第二清洗腔室中之各者均能夠處理前述基板之前述圖案表面及前述非圖案表面兩者。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010104207A1 (ja) * 2009-03-12 2010-09-16 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法
TW201308475A (zh) * 2011-04-19 2013-02-16 Tokyo Electron Ltd 基板處理方法、程式、電腦記憶媒體、基板處理裝置及壓印系統
WO2013042726A1 (ja) * 2011-09-20 2013-03-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
TW201921577A (zh) * 2017-08-30 2019-06-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板反轉裝置、基板處理裝置、基板支撐裝置、基板反轉方法、基板處理方法以及基板支撐方法
US20200198903A1 (en) * 2018-12-21 2020-06-25 Semes Co., Ltd. Reversing unit and substrate treating apparatus including the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5181306B2 (ja) 2009-01-30 2013-04-10 セメス株式会社 基板処理システム、露光前後処理ユニット及び基板処理方法
JP6425639B2 (ja) 2015-04-08 2018-11-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
KR20170074377A (ko) 2015-12-22 2017-06-30 삼성전자주식회사 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
TW202201480A (zh) 2020-04-13 2022-01-01 日商東京威力科創股份有限公司 接合系統
JP7442386B2 (ja) 2020-05-14 2024-03-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010104207A1 (ja) * 2009-03-12 2010-09-16 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法
TW201308475A (zh) * 2011-04-19 2013-02-16 Tokyo Electron Ltd 基板處理方法、程式、電腦記憶媒體、基板處理裝置及壓印系統
WO2013042726A1 (ja) * 2011-09-20 2013-03-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
TW201921577A (zh) * 2017-08-30 2019-06-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板反轉裝置、基板處理裝置、基板支撐裝置、基板反轉方法、基板處理方法以及基板支撐方法
US20200198903A1 (en) * 2018-12-21 2020-06-25 Semes Co., Ltd. Reversing unit and substrate treating apparatus including the same

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