CN116113293A - 一种光电器件及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开一种光电器件及其制备方法、显示装置。本申请的光电器件，括层叠设置的阳极、发光层及阴极，在阳极与发光层之间设置有第一缓冲层；和/或在发光层与阴极之间设置有第二缓冲层；其中，第一缓冲层和第二缓冲层的材料包括双硼氮桥联联吡啶类化合物。n型共轭的双硼氮桥联联吡啶类化合物有利于出入和传导载流子，降低空穴跃迁势垒、提高空穴传输速率，能够提高LUMO能级和电子注入势垒，降低电子传输速率，从而实现平衡电子传输速率与空穴传输速率的目的，提高器件效率。

Description

一种光电器件及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种光电器件及其制备方法、显示装置。

背景技术

量子点电致光电器件(QLED)是由阴极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层(即电子传输薄膜)和阳极构成的多功能层复合结构，当受到电或光刺激时，阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。QLED由于其具有发射波长可调、发射带宽窄、发光效率高、低成本及可利用印刷工艺制备等优点，得到越来越多的关注。

然而，由于蓝色量子点的禁带宽度较大，而且其HOMO较深，一般大于-6eV。而目前所用到的空穴传输材料其HOMO能级一般在-5.4eV左右，因此，相比红、绿量子点，其空穴由传输层跃迁至量子点发光层所需克服的势垒更大，空穴注入更加困难，导致蓝光量子点器件效率低。因此，如何提高蓝光量子点器件效率成为一大问题。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种光电器件及其制备方法、显示装置，旨在改善蓝光量子点器件效率低的问题。

本申请实施例是这样实现的，提供一种光电器件，包括层叠设置的阳极、发光层及阴极，在所述阳极与所述发光层之间设置有第一缓冲层；和/或

在所述发光层与所述阴极之间设置有第二缓冲层；

其中，所述第一缓冲层的材料包括双硼氮桥联联吡啶类化合物；所述第二缓冲层的材料包括双硼氮桥联联吡啶类化合物。

进一步地，所述第一缓冲层的材料包括金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物；所述第二缓冲层的材料包括金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物。

进一步地，所述第一缓冲层的材料为金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物；所述第二缓冲层的材料为金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述双硼氮桥联联吡啶类化合物具有如式(Ⅰ)所示的结构：

式(Ⅰ)中，n为1-5的整数；R₁为氰基或甲氧基；R₂为氰基或甲氧基；R₃为氰基或甲氧基；R₄为氰基或甲氧基；R₅为直链烷烃，碳原子数量为1-5；R₆为直链烷烃，碳原子数量为1-5。

进一步地，所述双硼氮桥联联吡啶类化合物与所述金属有机框架材料的质量比为(3-6):10。

本申请还提供另一种电子传输薄膜，所述第一缓冲层的厚度范围为15-40nm，所述第二缓冲层的厚度范围为0-35nm；或所述第二缓冲层的厚度范围为15-35nm，所述第一缓冲层的厚度范围为0-40nm。

进一步地，所述发光层为蓝色量子点发光层，所述蓝色量子点发光层的材料包括II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种；所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe以及CdZnSTe中的至少一种；所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP以及InAlNP；所述I-III-VI族化合物选自CuInS₂、CuInSe₂和AgInS₂中的至少一种。

进一步地，所述阳极选自金属电极、碳电极以及掺杂或非掺杂金属氧化物电极中的一种或者多种形成的复合电极；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO₂/Ag/TiO₂、TiO₂/Al/TiO₂、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO₂/Ag/TiO₂以及TiO₂/Al/TiO₂中的至少一种；和/或所述阴极选自金属电极、碳电极以及掺杂或非掺杂金属氧化物电极中的一种或者多种形成的复合电极；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO₂/Ag/TiO₂、TiO₂/Al/TiO₂、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO₂/Ag/TiO₂以及TiO₂/Al/TiO₂中的至少一种。

进一步地，所述光电器件还包括空穴传输层，所述空穴传输层设置于所述阳极与所述第一缓冲层之间；和/或所述光电器件还包括空穴注入层，所述空穴注入层设置于所述阳极与所述第一缓冲层之间或所述阳极与所述空穴传输层之间；和/或所述光电器件还包括电子传输层，所述电子传输层设置于所述第二缓冲层与所述阴极之间。

进一步地，所述空穴传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4’-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的至少一种；和/或所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、酞菁铜、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的至少一种。

相应的，本申请实施例还提供一种光电器件的制备方法，所述光电器件为正置光电器件，所述制备方法包括如下步骤：提供阳极；在所述阳极上形成发光层；在所述发光层上形成阴极；其中，所述制备方法还包括：在形成所述发光层之前，先在所述阳极上形成第一缓冲层；和/或在形成所述阴极之前，先在所述发光层上形成第二缓冲层；所述第一缓冲层的材料包括双硼氮桥联联吡啶类化合物，所述第二缓冲层的材料包括双硼氮桥联联吡啶类化合物。

进一步地，所述在所述阳极上形成第一缓冲层的步骤，包括：提供第一混合材料，通过溶液法将所述第一混合材料设置在所述阳极上，干燥处理得到第一缓冲层；所述在所述发光层上形成第二缓冲层的步骤，包括：提供第二混合材料，通过溶液法将所述第二混合材料设置在所述发光层上，干燥处理得到第二缓冲层；其中，所述第一混合材料为金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物的混合材料，所述第二混合材料金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物的混合材料。

相应的，本申请实施例还提供另一种光电器件的制备方法，所述光电器件为倒置光电器件，所述制备方法包括如下步骤：提供阴极；在所述阴极上形成发光层；在所述发光层上形成阳极；其中，所述制备方法还包括：在形成所述发光层之前，先在所述阴极上形成第二缓冲层，和/或在形成所述阳极之前，先在所述发光层上形成第一缓冲层；所述第一缓冲层包括双硼氮桥联联吡啶类化合物，所述第二缓冲层的材料包括双硼氮桥联联吡啶类化合物。

进一步地，所述在所述阴极上形成第二缓冲层的步骤，包括：提供第二混合材料，通过溶液法将所述第二混合材料设置在所述阴极上，干燥处理得到第二缓冲层；所述在所述发光层上形成第一缓冲层的步骤，包括：提供第一混合材料，通过溶液法将所述第一混合材料设置在所述发光层上，干燥处理得到第一缓冲层；其中，所述第一混合材料为金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物的混合材料，所述第二混合材料金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物的混合材料。

相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述光电器件。

本申请的光电器件，括层叠设置的阳极、发光层及阴极，在阳极与发光层之间设置有第一缓冲层；和/或在发光层与阴极之间设置有第二缓冲层；其中，第一缓冲层的材料包括双硼氮桥联联吡啶类化合物；第二缓冲层的材料包括双硼氮桥联联吡啶类化合物。

其中，双硼氮桥联联吡啶类化合物为n型共轭结构，有利于出入和传导载流子。作为介于阳极与发光层之间的第一缓冲层，能够降低空穴跃迁势垒、提高空穴传输速率，从而实现平衡电子传输速率与空穴传输速率的目的，提高器件效率。而作为介于发光层与阴极之间的第二缓冲层，其材料中双硼氮桥联联吡啶类化合物中含有强给电子基团：甲酰基、氰基，能够提高LUMO能级，提高电子注入势垒，降低电子传输速率，从而实现平衡电子传输速率与空穴传输速率的目的，提高器件效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种光电器件的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的一种光电器件的制备方法流程示意图；

图3是本申请实施例提供的另一种光电器件的制备方法流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”具体为附图中的图面方向。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本发明的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所述范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。

请参阅图1，本申请实施例还提供一种光电器件100，光电器件100包括依次层叠的阳极20、发光层30及阴极40。

阳极20材料为本领域已知用于阳极的材料，阴极40的材料为本领域已知用于阴极的材料。阳极20和阴极40的材料例如可以是金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，金属例如可以是Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的一种或多种；碳材料例如可以是石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，也包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，复合电极包括但不限于是AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO₂/Ag/TiO₂、TiO₂/Al/TiO₂、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO₂/Ag/TiO₂以及TiO₂/Al/TiO₂中的一种或多种。

阳极20的厚度为本领域已知的阳极极厚度，例如可以是50nm至80nm，比如50nm、60nm、70nm、80nm等。阴极40的厚度为本领域已知的阴极厚度，例如可以是80nm至150nm，比如80nm、100nm、120nm、150nm等。

发光层30可以为量子点发光层，此时光电器件100可以为量子点光电器件。发光层30的厚度可以为本领域已知的量子点光电器件中发光层的厚度范围，例如可以是10nm至80nm，比如10nm、20nm、50nm、80nm等。

其中，量子点发光层的材料为本领域已知用于量子点发光层的蓝色量子点，量子点可以选自但不限于单一结构量子点以及核壳结构量子点中的至少一种。例如，量子点可以选自但不限于II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种；所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe以及CdZnSTe中的至少一种；所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP以及InAlNP；所述I-III-VI族化合物选自CuInS₂、CuInSe₂和AgInS₂中的至少一种。

在本实施例中的光电器件100，在阳极20与发光层30之间设置有第一缓冲层11，和/或在发光层30与阴极40之间设置有第二缓冲层12。即在光电器件100中可以包括第一缓冲层11，或者可以包括第二缓冲层12，也可以同时包括第一缓冲层11和第二缓冲层12。

其中，第一缓冲层11的材料可以包括双硼氮桥联联吡啶类化合物。第二缓冲层12的材料可以包括双硼氮桥联联吡啶类化合物。可以理解的，第一缓冲层11的材料可以只为双硼氮桥联联吡啶类化合物，不包括其他材料，当然也可以还包括其他材料，比如其他空穴缓冲材料。同样的，第二缓冲层12的材料可以只为双硼氮桥联联吡啶类化合物，不包括其他材料，当然也可以还包括其他材料，比如其他电子缓冲材料。由于双硼氮桥联联吡啶类化合物为n型共轭结构，有利于出入和传导载流子。作为介于阳极与发光层之间的第一缓冲层，能够降低空穴跃迁势垒、提高空穴传输速率，从而实现平衡电子传输速率与空穴传输速率的目的，提高器件效率。而作为介于发光层与阴极之间的第二缓冲层，其材料中双硼氮桥联联吡啶类化合物中含有强给电子基团：甲酰基、氰基，能够提高LUMO能级，提高电子注入势垒，降低电子传输速率，从而实现平衡电子传输速率与空穴传输速率的目的，提高器件效率。

进一步的，第一缓冲层11的材料可以包括金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物。也就是说，第一缓冲层11的材料可以为金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物，也可以除了含金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物之外还含有其他空穴缓冲材料。

第二缓冲层12的材料可以包括金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物。也就是说，第二缓冲层12的材料可以为金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物，也可以除了含金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物之外还含有其他电子缓冲材料。

第一缓冲层11的材料与第二缓冲层12的材料可以相同，也可以不同。可以理解的，金属有机框架材料的种类不同、双硼氮桥联联吡啶类化合物的种类不同、或者金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物的比例不同，上述三种中包含任意一种情况，均表示第一缓冲层11的材料与第二缓冲层12的材料不同。

本实施例中的金属有机框架材料(Metal Organic Frameworks,MOFs)，可以为本领域已知的金属有机框架材料，可以选自MOF-74、MAF-2、MAF-3、MAF-6、ZIF-8、MIL-88、MIL-101、HKUST-1、PCN-333中的任意一种。

金属有机框架材料是由有机配体和金属离子或团簇通过配位键自组装形成的具有分子内孔隙的有机-无机杂化材料，是一种配位聚合物，其具有三维的孔结构，是以金属离子为连接点，有机配体支撑构成空间3D延伸，具有稳定性好、高孔隙率、低密度、大比表面积、孔径可调等诸多优点。本实施例中，金属有机框架材料可以为IRMOFs(isoreticularmetal-organic frameworks，网状金属和有机骨架)材料、MAF(metal azolateframeworks，金属多氮唑框架)材料、ZIFs(zeolite-imidazolate frameworks，沸石咪唑酯骨架)材料、MILs(materials of Institute Lavoisier，拉瓦锡材料研究所骨架)材料、PCNs(pocket-channel frameworks，孔-通道骨架材料)材料等。

其中，IRMOFs主要是通过[Zn₄O₆]+金属簇与羧酸基有机配体键合而成的重复网络拓扑结构，具有较大的孔穴及孔容。且羧酸基有机配体倾向于与金属离子形成簇，从而在某种程度上阻止MOFs的相互贯穿。MAF材料是具有分子筛拓扑结构金属多氮唑框架材料。ZIFs材料是由Zn或者Co与咪唑(或咪唑衍生物)环上面的N以四配位的方式自组装而成，其孔结构类似于一种硅铝酸盐沸石。MILs材料可以使用三价过渡金属离子(如Fe、Al及Cr)与羧酸基配体(如对苯二甲酸、均苯三甲酸)配位而成。PCNs材料通过Cu离子作为金属节点与三羧酸基配体配位而成，PCNs材料中同时有孔型结构和三维正交通道，通过小窗口连接。HKUST-1(Hongkong University of Science and Technology-1)是一种典型的PCN，其采用Cu₂(COO)₄簇与均苯三甲酸配位而成，并具有两种孔结构：一种是正交孔，另一种是直三维正交通道，这些孔彼此共享着一些互相贯通。

本实施例中，双硼氮桥联联吡啶类化合物为小分子化合物，能够负载在金属有机框架材料中。且双硼氮桥联联吡啶类化合物具有n型共轭结构，有利于出入和传导载流子。在一实施例中，双硼氮桥联联吡啶类化合物具有如式(Ⅰ)所示的结构：

式(Ⅰ)中，n为1-5的整数；R₁为氰基或甲氧基；R₂为氰基或甲氧基；R₃为氰基或甲氧基；R₄为氰基或甲氧基；R₅为直链烷烃，碳原子数量为1-5；R₆为直链烷烃，碳原子数量为1-5。

当n＝1时即为单体，1＜n≤5时为小分子多聚体。n为1-5的整数，则双硼氮桥联联吡啶类化合物为双硼氮桥联联吡啶单体或者双硼氮桥联联吡啶小分子多聚体，能够与金属有机框架材料均匀混合，均匀负载在金属有机框架材料表面以及孔隙中，金属有机框架材料能够实现对双硼氮桥联联吡啶类化合物的包裹。R₁、R₂、R₃和R₄分别可以为氰基或甲氧基，氰基或甲氧基为强给电子基团，能够提高LUMO能级，提高电子注入势垒。可以理解的，除非特别指出具体的立体化学或异构形式，否则意指所有手性、非对映异构、外消旋形式和所有几何异构形式。

本实施例中，包括金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物的材料中，双硼氮桥联联吡啶类化合物能够负载在金属有机框架材料的表面和空隙内，从而使得双硼氮桥联联吡啶类化合物能够分散均匀。其中双硼氮桥联联吡啶类化合物为n型共轭结构，有利于出入和传导载流子。作为介于阳极20与发光层30之间的第一缓冲层11，其材料包括金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物，可以降低空穴跃迁势垒、提高空穴传输速率，实现平衡电子传输速率与空穴传输速率的目的，提高器件效率。且第一缓冲层11的材料具有一定的疏水性可以有效隔绝水气，一方面可以降低双硼氮桥联联吡啶类化合物的氧化过程，同时还可以有效解决与发光层30相邻的薄膜层结构易受潮而对发光层30造成破坏的问题。

而作为介于发光层30与阴极40之间的第二缓冲层12，其材料包括金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物，双硼氮桥联联吡啶类化合物中含有强给电子基团：甲酰基、氰基，可以提高LUMO能级，提高电子注入势垒，降低电子传输速率，且金属有机框架材料的介电作用可以有效调节材料的电阻率，从而有效地降低电子迁移速率，实现平衡电子传输速率与空穴传输速率的目的。

在一实施例中，在第一缓冲层11和/或第二缓冲层12的材料中，双硼氮桥联联吡啶类化合物与金属有机框架材料的质量比为(3-6):10。即双硼氮桥联联吡啶类化合物与金属有机框架材料的质量比范围为3:10-6:10，比如质量比可以为3:10、4:10、5:10、6:10等。双硼氮桥联联吡啶类化合物占比过少，其作为缓冲层效果会降低；而双硼氮桥联联吡啶类化合物占比过多，金属有机框架材料无法完全包覆双硼氮桥联联吡啶类化合物，而影响使用效果。

在一实施例中，第一缓冲层的厚度范围为15-40nm，第二缓冲层的厚度范围为0-35nm；或第二缓冲层的厚度范围为15-35nm，第一缓冲层的厚度范围为0-40nm。即光电器件100只包括第一缓冲层11时，第一缓冲层11的厚度范围为15-40nm。若厚度过小则无法起到降低空穴跃迁势垒、提高空穴传输速率的作用，而厚度过大则使光电器件100的电阻太大，影响器件性能。而光电器件100只包括第二缓冲层12，第二缓冲层12的厚度范围为15-35nm。若厚度过小则无法起到提高电子注入势垒，降低电子传输速率的作用，而厚度过大则使光电器件100的电阻太大，影响器件性能。光电器件100包括第一缓冲层11和第二缓冲层12，在第一缓冲层11满足厚度范围15-40nm时，第二缓冲层12的厚度大于0且小于等于35nm即可；而在第二缓冲层12的厚度范围为15-35nm时，第一缓冲层11的厚度大于0且小于等于40nm即可。即至少一层缓冲薄膜满足厚度范围，则能够起到降低空穴跃迁势垒、提高空穴传输速率和提高电子注入势垒，降低电子传输速率的作用，另一层缓冲薄膜的厚度仅需大于0且小于等于对应厚度范围的最大值即可。若另一层缓冲薄膜厚度为0，则相当于上述只有一层缓冲薄膜的情况。

第一缓冲层11的厚度范围为15-40nm；和/或第二缓冲层12的厚度范围为15-35nm。当光电器件100中包括第一缓冲层11时，第一缓冲层11的厚度在15-40nm的范围内。若厚度过小则无法起到降低空穴跃迁势垒、提高空穴传输速率的作用，而厚度过大则使光电器件100的电阻太大，影响器件性能。当光电器件100中包括有第二缓冲层12时，第二缓冲层12的厚度在15-35nm的范围内。进一步参阅图1，在一实施例中，光电器件100还可以包括空穴传输层(HTL)50，空穴传输层50位于阳极20与发光层30之间。当光电器件100包括有第一缓冲层11时，空穴传输层50位于发光层30与第一缓冲层11之间。空穴传输层50的材料可以选自具有空穴传输能力的有机材料，包括但不限于是聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)(poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCATA)、4,4’-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的一种或多种。空穴传输层50的材料还可以选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于是掺杂或非掺杂的NiO、MoO₃、WO₃以及CuO中的一种或多种。空穴传输层50的厚度例如可以是20nm至80nm，比如、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、80nm等。

进一步参阅图1，在一实施例中，光电器件100还可以包括空穴注入层60。空穴注入层60位于阳极20与发光层30之间。当光电器件100包括空穴传输层50时，空穴注入层60位于阳极20与空穴传输层50之间。空穴注入层60的材料可以选自具有空穴注入能力的材料，包括但不限于是聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HATCN)、MCC、酞菁铜(CuPc)、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种。空穴注入层60的厚度例如可以是20nm至80nm，比如20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、80nm等。

进一步参阅图1，在一实施例中，光电器件100还可以包括电子传输层70。电子传输层70位于发光层30与阴极40之间。当光电器件100包括有第二缓冲层12时，电子传输层70位于发光层30与电子传输层70之间。电子传输层70的材料可以为本领域已知用于电子传输层的材料。例如，可以选自但不限于无机纳米晶材料、掺杂无机纳米晶材料、有机材料中的一种或多种。无机纳米晶材料可以包括：ZnO、NiO、W₂O₃、Mo₂O₃、TiO₂、SnO、ZrO₂、Ta₂O₃、Ga₂O₃、SiO₂、Al₂O₃、CaO中的一种或多种，掺杂无机纳米晶材料包括氧化锌掺杂物、二氧化钛掺杂物、二氧化锡掺杂物的一种或多种，其中，掺杂无机纳米晶材料为掺杂其他元素的无机材料，掺杂元素选自于Mg、Ca、Li、Ga、Al、Co、Mn等；有机材料可以包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇缩丁醛中的一种或两种。电子传输层70的厚度例如可以是20nm至60nm，比如20nm、30nm、40nm、50nm、60nm等。

在一个具体实施例中，光电器件100中可以包括依次层叠的阳极20、空穴注入层60、空穴传输层50、第一缓冲层11、发光层30、电子传输层70及阴极40。在另一个具体实施例中，光电器件100中可以包括依次层叠的阳极20、空穴注入层60、空穴传输层50、发光层30、第二缓冲层12、电子传输层70及阴极40。在又一具体实施例中，光电器件100中可以包括依次层叠的阳极20、空穴注入层60、空穴传输层50、第一缓冲层11、发光层30、第二缓冲层12、电子传输层70及阴极40。

可以理解的，光电器件100除上述各功能层外，还可以增设一些常规用于光电器件的有助于提升光电器件性能的功能层，例如电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层、界面修饰层等。可以理解，光电器件100的各层的材料以及厚度可以依据光电器件100的发光需求进行调整。

在本申请的一些实施例中，光电器件100为量子点发光二极管，光电器件100可以是正置型结构的量子点发光二极管，也可以是倒置型结构的量子点发光二极管。正置型结构的量子点发光二极管的衬底与阳极连接，结构可以为玻璃基板-阳极-空穴注入层-空穴传输层-量子点发光层-电子传输层-阴极。倒置型结构的量子点发光二极管的衬底与阴极连接，其结构可以为玻璃基板-阴极-电子传输层-量子点发光层-空穴传输层-空穴注入层-阳极。

本申请实施例还提供一种显示装置，包括本申请提供的光电器件。显示装置可以为任何具有显示功能的电子产品，电子产品包括但不限于是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、数码摄像机、智能可穿戴设备、智能称重电子秤、车载显示器、电视机或电子书阅读器，其中，智能可穿戴设备例如可以是智能手环、智能手表、虚拟现实(VirtualReality，VR)头盔等。

本申请实施例还提供一种光电器件100的制备方法。请参阅图2，图2是本申请实施例提供的一种光电器件的制备方法流程示意图。本实施例中，光电器件为正置型量子点发光二极管，具体包括如下步骤：

步骤S21：提供阳极。

步骤S22：在阳极上形成发光层。

步骤S23：在发光层上形成阴极。

在光电器件包括第一缓冲层时，在形成发光层之前，先在阳极上形成第一缓冲层。即步骤S22为：在阳极上形成第一缓冲层，在第一缓冲层上形成发光层。第一缓冲层的材料包括双硼氮桥联联吡啶类化合物。

进一步的，可以通过将第一混合材料设置在阳极上，得到第一缓冲层；第一混合材料为包括金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物的混合材料；在第一缓冲层上形成发光层。

在光电器件包括第二缓冲层时，在形成阴极之前，先在发光层上形成第二缓冲层。即步骤S23为：在发光层形成第二缓冲层，在第二缓冲层上形成阴极。第二缓冲层的材料包括双硼氮桥联联吡啶类化合物。

进一步的，可以通过将第二混合材料设置在发光层上，得到第二缓冲层；其中，所述第二混合材料为包括金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物的混合材料；在第二缓冲层上形成阴极。

在光电器件包括第一缓冲层和第二缓冲层时，步骤S22和步骤S23可以参考光电器件包括第一缓冲层时和光电器件包括第二缓冲层时的相关描述，此处不进行赘述。

可以理解，在光电器件包括空穴传输层时，步骤S22为：在阳极上形成空穴传输层；在空穴传输层上形成发光层，或者在空穴传输层上形成第一缓冲层，在第一缓冲层上形成发光层。

在光电器件还包括空穴注入层时，步骤S22为：在阳极上依次形成空穴注入层和空穴传输层；在空穴传输层上形成发光层，或者在空穴传输层上形成第一缓冲层，在第一缓冲层上形成发光层。

在光电器件包括电子传输层时，步骤S23为：在发光层上形成电子传输层，或者在发光层上形成有第二缓冲层，在第二缓冲层上形成电子传输层；在电子传输层上形成阴极。

请参阅图3，图3是本申请实施例提供的另一种光电器件的制备方法流程示意图。本实施例中的光电器件为倒置型量子点发光二极管，具体包括如下步骤：

步骤S31：提供阴极。

步骤S32：在阴极上形成发光层。

步骤S33：在发光层上形成阳极。

在光电器件包括第一缓冲层时，在形成阳极之前，先在发光层上形成第一缓冲层。即步骤S33为：在发光层上形成第一缓冲层，在第一缓冲层上形成阳极。其中，第一缓冲层的材料包括双硼氮桥联联吡啶类化合物。

进一步的，可以通过将第一混合材料设置在发光层上，得到第一缓冲层；在第一缓冲层上形成阳极。其中，第一混合材料为包括金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物的混合材料。

在光电器件包括第二缓冲层时，在形成发光层之前，先在阴极上形成第二缓冲层。即步骤S32为：在阴极上形成第二缓冲层，在第二缓冲层上形成阳极。其中，第二缓冲层的材料包括双硼氮桥联联吡啶类化合物。

进一步的，可以通过将第二混合材料设置在阴极上，得到第二缓冲层；在第二缓冲层上形成发光层；其中，所述第二混合材料为包括金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物的混合材料。

在光电器件包括第一缓冲层和第二缓冲层时，步骤S32和步骤S33可以参考光电器件包括第一缓冲层时和光电器件包括第二缓冲层时的相关描述，此处不进行赘述。

可以理解，在光电器件包括空穴传输层时，步骤S33为：在发光层上形成空穴传输层，或者在发光层上形成第一缓冲层，在第一缓冲层上形成空穴传输层；在空穴传输层上形成阳极。

在光电器件还包括空穴注入层时，步骤S33为：在发光层上形成空穴传输层，或者在发光层上形成第一缓冲层，在第一缓冲层上形成空穴传输层；在空穴传输层上依次形成空穴注入层和阳极。

在光电器件包括电子传输层时，步骤S32为：在阴极上形成电子传输层；在电子传输层上形成发光层，或者在电子传输层上依次形成第二缓冲层和发光层。

在光电器件100的制备方法的实施例中，第一混合材料和第二混合材料可以相同混合材料，也可以不同混合材料。可以理解的是，混合材料中，金属有机框架材料的种类不同，或者双硼氮桥联联吡啶类化合物种类不同，或者金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物的含量比例不同，三种情况中包括任意一种情况则为不同的混合材料。

具体的，可以采用溶液法将第一混合材料设置在阳极或发光层上，干燥处理得到第一缓冲层。可以采用溶液法将第二混合材料设置在发光层或阴极上，干燥处理得到第二缓冲层。溶液法包括但不限于是旋涂、滴涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂、蒸镀或浇铸。本申请中的干燥处理，可以为退火工艺处理。其中，“退火工艺”包括所有能使湿膜获得更高能量，从而由湿膜状态转变为干燥状态的处理工艺，例如“退火工艺”可以仅指热处理工艺，即将湿膜加热至特定温度，然后保持特定时间以使湿膜中的溶剂充分挥发；又如“退火工艺”还可以包括依序进行的热处理工艺和冷却工艺，即将湿膜加热至特定温度，然后保持特定时间以使第一湿膜中的溶剂充分挥发，再以适宜的速度冷却以消除残余应力而减少干燥的空穴传输薄膜发生层变形与裂纹的风险。

可以理解，在光电器件还包括电子阻挡层、空穴阻挡层和/或界面修饰层等其它功能层时，所述光电器件的制备方法还包括形成所述各功能层的步骤。

需要说明的是，本申请中阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极以及其他功能层均可采用本领域常规技术制备，包括但不限于溶液法和沉积法，其中，溶液法包括但不限于是旋涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂或浇铸；沉积法包括化学法和物理法，化学法包括但不限于是化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法或共沉淀法，物理法包括但不限于是热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法或脉冲激光沉积法。当采用溶液法制备阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极以及其他功能层时，需增设干燥处理工序。

可以理解的是，光电器件的制备方法还可以包括封装步骤，封装材料可以是丙烯酸树脂或环氧树脂，封装可以是机器封装或手动封装，可以采用紫外固化胶封。

下面通过具体实施例、对比例和实验例对本申请的技术方案及技术效果进行详细说明，以下实施例仅仅是本申请的部分实施例，并非对本申请作出具体限定。

实施例1

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，量子点发光二极管为正置型结构，结构组成参阅图1，本实施例的量子点发光二极管包括依次层叠设置的阳极20、空穴注入层60、空穴传输层50、第一缓冲层11、发光层30、第二缓冲层12、电子传输层70及阴极40。量子点发光二极管中各个层结构的材料和厚度为：

阳极20的材料为ITO，一面设置有衬底，ITO与衬底形成的整体为ITO基板。

空穴注入层60的材料为PEDOT:PSS，厚度为30nm。

空穴传输层50的材料为TFB，厚度为30nm。

第一缓冲层11的材料为5质量份双硼氮桥联联吡啶类化合物与10质量份MCF-62形成的材料，厚度为15nm。其中，双硼氮桥联联吡啶类化合物的结构为如式(Ⅱ)所示的结构：

发光层30的材料为蓝色量子点，核壳结构CdSe/CdZnS/ZnS，厚度为30nm。

第二缓冲层12的材料与第一缓冲层11的材料相同，厚度为30nm。

电子传输层70的材料为ZnO，厚度为30nm

及阴极40材料为Ag，厚度为80nm。

本实施例中量子点发光二极管的制备方法包括如下步骤：

对ITO基板进行预处理：将图案化的ITO基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水及异丙醇中进行超声清洗，置于洁净烘箱内烘干备用。对烘干的ITO基板表面采用紫外-臭氧处理5分钟，以进一步除去ITO基板表面附着的有机物，并提高ITO的功函数。

在阳极20远离衬底一侧表面沉积PEDOT:PSS材料，于150℃下干燥处理，形成空穴注入层60。

在氮气气氛中，在空穴注入层60远离阳极20一侧表面沉积一层TFB，于150℃下干燥处理，形成空穴传输层50。

制备混合物溶液：将5质量份如式(Ⅱ)所示结构的双硼氮桥联联吡啶类化合物与10质量份MCF-62溶于氯仿中，在1500rpm转速下分散20min备用。将混合溶液加入乙醇清洗，然后离心沉降，得到混合材料沉淀物。将混合材料沉淀物溶解于氯苯中，得到混合材料溶液。在空穴传输层50远离空穴注入层60一侧表面旋涂混合材料溶液，并在100℃下干燥处理5分钟，去除溶剂形成第一缓冲层11。

在第一缓冲层11远离空穴传输层50一侧沉积蓝色量子点材料，在100℃下干燥处理10分钟，去除残留溶剂形成发光层30。

在发光层30远离第一缓冲层11一侧旋涂混合材料溶液，并在100℃下干燥处理5分钟，去除溶剂形成第二缓冲层12。旋涂制备第二缓冲层12的混合材料溶液即为旋涂形成第一缓冲层11的混合物溶液。

在第二缓冲层12远离发光层30一侧沉积ZnO，在80℃下退火处理30分钟，形成电子传输层70。

在电子传输层70远离第二缓冲层12一侧，采用蒸镀法沉积Ag，形成阴极40。

紫外固化胶封装，得到量子点发光二极管。

实施例2

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，区别之处仅在于：第一缓冲层11的厚度为30nm，第二缓冲层12的厚度为15nm。

实施例3

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，区别之处仅在于：第一缓冲层11的厚度为20nm，第二缓冲层12的厚度为20nm。

实施例4

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，区别之处仅在于：第一缓冲层11的厚度为10nm，第二缓冲层12的厚度为30nm。

实施例5

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，区别之处仅在于：第一缓冲层11的厚度为15nm，第二缓冲层12的厚度为10nm。

实施例6

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，区别之处仅在于：第一缓冲层11的厚度为20nm，不含第二缓冲层12，即第二缓冲层12的厚度为0nm。

实施例7

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，区别之处仅在于：第二缓冲层12的厚度为20nm，不含第一缓冲层11，即第一缓冲层11的厚度为0nm。

实施例8

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，区别之处仅在于：阴极40的材料为Al，电子传输层70的材料为W₂O₃。

实施例9

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，区别之处仅在于：阳极20的材料为IZO，空穴传输层50的材料为Poly-TPD。

实施例10

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，本实施例的量子点发光二极管的区别之处仅在于：第一缓冲层11的材料为双硼氮桥联联吡啶类化合物，第二缓冲层12的材料与第一缓冲层11的材料相同。

对比例1

本对比例1提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，本实施例的量子点发光二极管的区别之处仅在于：不包括第一缓冲层11和第二缓冲层12。

对实施例1-9以及对比例1中的量子点发光二极管进行性能测试，测试指标包括外量子效率(EQE，％)和最大亮度(cd/m²)。性能测试结果详见下表1。

表1：

由表1可知，与对比例1相比，实施例1-10中量子点发光二极管包括有第一缓冲层11和/或第二缓冲层12，外量子效率EQE增大，且最大亮度也显著增大，可以说明双硼氮桥联联吡啶类化合物作为缓冲层材料或者金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物的混合材料作为缓冲层，能够提高蓝色量子点的器件效率，提高器件的光学性能和电学性能。

实施例1-5的量子点发光二极管包括有第一缓冲层11和第二缓冲层12，不同在于厚度的改变。在第一缓冲层11的厚度满足15-40nm范围时，第二缓冲层12的厚度可以小于15-35nm的厚度范围，比如10nm，或者在第二缓冲层12的厚度满足15-35nm的厚度范围而第一缓冲层11的厚度小于15-40nm范围时，比如10nm，依然能够提高蓝色量子点的器件效率，提高器件的光学性能和电学性能。而实施例1-3中，第一缓冲层11的厚度满足15-40nm厚度范围且第二缓冲层12满足15-35nm的厚度范围时，第一缓冲层11厚度较小且第二缓冲层12厚度较大，有更大的EQE和更大的最大亮度。

实施例6和实施例7的发光器件的仅包括一层缓冲薄膜，即第一缓冲层11或第二缓冲层12，与对比例1相比，外量子效率EQE与最大亮度均有明显的增大。而实施例6或实施例7与实施例3相比，第一缓冲层11的厚度相同或第二缓冲层12的厚度相同，外量子效率EQE从9.2％或9.5％增大到12.7％，最大亮度从4010cd/m²或4030cd/m²增大到4820cd/m²。由此可以说明，量子点发光二极管中包括第一缓冲层11或第二缓冲层12，能够提高器件效率、性能和亮度，而包括第一缓冲层11和第二缓冲层12这两层缓冲薄膜，与仅包括一层缓冲薄膜相比，能够进一步提高器件效率、性能和亮度。

实施例1、实施例8-9与对比例1相比，在不同的阳极材料、阴极材料、电子传输层材料和空穴传输层材料制成的量子点发光二极管，由于其中包括第一缓冲层11和第二缓冲层12，能够显著提高器件效率、性能和亮度。

实施例1与实施例10相比，实施例1的量子点发光二极管的器件效率和最大亮度均更大。而实施例1中缓冲层材料为金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物的混合材料，实施例10中缓冲层的材料为双硼氮桥联联吡啶类化合物。可能是由于金属有机框架材料的结构，能够负载双硼氮桥联联吡啶类化合物在其表面和空隙内，使得双硼氮桥联联吡啶类化合物能够分散均匀，从而提高了双硼氮桥联联吡啶类化合物作为缓冲材料的效果，且金属有机框架材料具有一定的疏水性可以有效隔绝水气，一方面可以降低双硼氮桥联联吡啶类化合物的氧化过程，同时还可以有效解决与发光层30相邻的薄膜层结构易受潮而对发光层30造成破坏的问题，进一步提高器件性能和寿命。

以上对本申请实施例所提供的光电器件及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (15)

1.一种光电器件，包括层叠设置的阳极、发光层及阴极，其特征在于，在所述阳极与所述发光层之间设置有第一缓冲层；和/或

在所述发光层与所述阴极之间设置有第二缓冲层；

其中，所述第一缓冲层的材料包括双硼氮桥联联吡啶类化合物；所述第二缓冲层的材料包括双硼氮桥联联吡啶类化合物。

2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述第一缓冲层的材料还包括金属有机框架材料；或所述第二缓冲层的材料还包括金属有机框架材料。

3.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述第一缓冲层的材料为金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物；所述第二缓冲层的材料为金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物。

4.根据权利要求1-3任一项所述的光电器件，其特征在于，所述双硼氮桥联联吡啶类化合物具有如式(Ⅰ)所示的结构：

式(Ⅰ)中，n为1-5的整数；R₁为氰基或甲氧基；R₂为氰基或甲氧基；R₃为氰基或甲氧基；R₄为氰基或甲氧基；R₅为直链烷烃，碳原子数量为1-5；R₆为直链烷烃，碳原子数量为1-5。

5.根据权利要求2或3所述的光电器件，其特征在于，所述双硼氮桥联联吡啶类化合物与所述金属有机框架材料的质量比为(3-6):10。

6.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述第一缓冲层的厚度范围为15-40nm，所述第二缓冲层的厚度范围为0-35nm；或所述第二缓冲层的厚度范围为15-35nm，所述第一缓冲层的厚度范围为0-40nm。

7.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述发光层为蓝色量子点发光层，所述蓝色量子点发光层的材料包括II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种；所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe以及CdZnSTe中的至少一种；所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP以及InAlNP；所述I-III-VI族化合物选自CuInS₂、CuInSe₂和AgInS₂中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述阳极选自金属电极、碳电极以及掺杂或非掺杂金属氧化物电极中的一种或者多种形成的复合电极；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO₂/Ag/TiO₂、TiO₂/Al/TiO₂、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO₂/Ag/TiO₂以及TiO₂/Al/TiO₂中的至少一种；和/或

所述阴极选自金属电极、碳电极以及掺杂或非掺杂金属氧化物电极中的一种或者多种形成的复合电极；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO₂/Ag/TiO₂、TiO₂/Al/TiO₂、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO₂/Ag/TiO₂以及TiO₂/Al/TiO₂中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括空穴传输层，所述空穴传输层设置于所述阳极与所述第一缓冲层之间；和/或

所述光电器件还包括空穴注入层，所述空穴注入层设置于所述阳极与所述第一缓冲层之间或所述阳极与所述空穴传输层之间；和/或

所述光电器件还包括电子传输层，所述电子传输层设置于所述第二缓冲层与所述阴极之间。

10.根据权利要求9所述的光电器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4’-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的至少一种；和/或

所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、酞菁铜、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的至少一种。

11.一种光电器件的制备方法，其特征在于，所述光电器件为正置光电器件，所述制备方法包括如下步骤：

提供阳极；

在所述阳极上形成发光层；

在所述发光层上形成阴极；

其中，所述制备方法还包括：在形成所述发光层之前，先在所述阳极上形成第一缓冲层；和/或在形成所述阴极之前，先在所述发光层上形成第二缓冲层；所述第一缓冲层的材料包括双硼氮桥联联吡啶类化合物，所述第二缓冲层的材料包括双硼氮桥联联吡啶类化合物。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述在所述阳极上形成第一缓冲层的步骤，包括：

提供第一混合材料，通过溶液法将所述第一混合材料设置在所述阳极上，干燥处理得到第一缓冲层；

所述在所述发光层上形成第二缓冲层的步骤，包括：

提供第二混合材料，通过溶液法将所述第二混合材料设置在所述发光层上，干燥处理得到第二缓冲层；

其中，所述第一混合材料为金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物的混合材料，所述第二混合材料金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物的混合材料。

13.一种光电器件的制备方法，其特征在于，所述光电器件为倒置光电器件，所述制备方法包括如下步骤：

提供阴极；

在所述阴极上形成发光层；

在所述发光层上形成阳极；

其中，所述制备方法还包括：在形成所述发光层之前，先在所述阴极上形成第二缓冲层；和/或在形成所述阳极之前，先在所述发光层上形成第一缓冲层；所述第一缓冲层包括双硼氮桥联联吡啶类化合物，所述第二缓冲层的材料包括双硼氮桥联联吡啶类化合物。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述在所述阴极上形成第二缓冲层的步骤，包括：

提供第二混合材料，通过溶液法将所述第二混合材料设置在所述阴极上，干燥处理得到第二缓冲层；

所述在所述发光层上形成第一缓冲层的步骤，包括：

提供第一混合材料，通过溶液法将所述第一混合材料设置在所述发光层上，干燥处理得到第一缓冲层；

其中，所述第一混合材料为金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物的混合材料，所述第二混合材料金属有机框架材料与双硼氮桥联联吡啶类化合物的混合材料。

15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-10任意一项所述的光电器件。

Images