CN116096121A - 一种光电器件及其制备方法、显示装置 - Google Patents

一种光电器件及其制备方法、显示装置 Download PDF

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Abstract

本申请公开一种光电器件及其制备方法、显示装置。本申请的光电器件，包括层叠设置的阳极、发光层、电子功能层和阴极；其中，电子功能层的材料包括二维蒙脱土纳米片。其中，二维蒙脱土纳米片具有各向异性导电的特性，使电子功能层在垂直于膜层具有较大禁带宽度而在膜层沿面方向具有良好的导电性，一方面阻碍电荷穿过界面，起到电荷阻挡层作用，提高器件电荷注入平衡；另一方面，诱导电荷延界面延展方向导通，将电荷沿面方向均匀传输至发光层，避免电荷局部聚集，从而提高器件发光均匀性。

Description

一种光电器件及其制备方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种光电器件及其制备方法、显示装置。
背景技术
QLED(Quantum-Dot Light Emitting Diode)是基于量子点技术的电致发光二极管，具有自发光、无需背光模组、视角宽、对比度高、全固化、适用于挠曲性面板、温度特性好、响应速度快和节能环保等一系列优异特性，已经成为新型显示技术的研究热点和重点发展方向。QLED为薄膜叠层器件结构，通常由阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极构成。其中，常用的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等材料为有机小分子材料或无机纳米材料，非常适合通过溶液法沉积薄膜。因此，基于柔性、大尺寸、降低成本等因素考量，喷墨打印等溶液法正逐渐成为QLED显示技术进行量产开发的新型制造技术。
但是，溶液法制备QLED面临诸多问题亟待解决，比较典型的问题是器件性能一致性、器件老化稳定性等。器件性能一致性问题主要体现为发光不均匀，其本质上是由于薄膜厚度不均匀、薄膜表面缺陷(针孔、团聚等)、薄膜应力释放、薄膜间的粘合程度以及材料本身均一性等因素导致的薄膜各区域导电性差异，即电流优先从薄膜面内电阻低的区域通过而造成该区域发光亮度高于其他区域。目前，技术开发主要聚焦于通过材料稳定性提升、墨水工艺优化等来提高成膜质量，进而提高器件发光均匀性。关于器件老化稳定性，从QLED器件本身的角度，诸多研究总结指出，器件寿命退化主要源于空穴功能层退化、界面电荷聚集、电子功能层表面缺陷态抑制或电荷迁移率改变等因素，而电荷注入不平衡则是引起上述因素的重要原因之一。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种光电器件及其制备方法、显示装置，旨在改善光电器件的发光不均匀和光电电荷注入不平衡的问题。
本申请实施例是这样实现的，提供一种光电器件，包括层叠设置的阳极、发光层、电子功能层和阴极；其中，所述电子功能层的材料包括二维蒙脱土纳米片。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述电子功能层的材料为所述二维蒙脱土纳米片。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述二维蒙脱土纳米片包括无机改性或有机改性得到的二维蒙脱土纳米片；其中，所述无机改性包括使用无机酸、无机盐中的至少一种进行改性；所述有机改性包括使用有机酸、表面活性剂、聚合物单体、偶联剂中的至少一种进行改性。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述无机酸改性中的无机酸选自硫酸、盐酸、硝酸、磷酸中的至少一种；所述有机酸选自羧酸、磺酸、亚磺酸、硫羧酸中的至少一种；所述无机盐选自铝、镁、锌、铜、钠等的卤盐、硝酸盐、硫酸盐、磷酸盐、羧酸盐、磺酸盐、亚磺酸盐、硫羧酸盐中的至少一种；所述表面活性剂选自阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂中的至少一种；所述聚合物单体选自甲基丙烯酸甲酯、N-乙烯基吡咯烷酮、吡咯、对苯二甲酸乙二醇酯、萘二甲酸乙二醇酯中的至少一种；所述偶联剂选自硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、聚氨酯偶联剂中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述电子功能层的材料为包括所述二维蒙脱土纳米片与聚合物的复合材料；所述聚合物选自PMMA、PI、PAI、PE中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述复合材料中，所述聚合物与所述二维蒙脱土纳米片的质量比大于0：1且小于等于5：1
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阳极选自金属电极、碳电极以及掺杂或非掺杂金属氧化物电极中的一种或者多种形成的复合电极；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的至少一种；和/或所述阴极选自金属电极、碳电极以及掺杂或非掺杂金属氧化物电极中的一种或者多种形成的复合电极；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的至少一种；和/或所述发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述光电器件还包括空穴传输层，所述空穴传输层位于所述阳极与所述发光层之间；和/或所述光电器件还包括空穴注入层，所述空穴注入层位于所述阳极面向阴极一侧的表面；和/或所述光电器件还包括电子传输层，所述电子传输层位于所述电子功能层与所述阴极之间；和/或所述光电器件还包括电子注入层，所述电子注入层位于所述阴极面向阳极一侧的表面。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述电子功能层的厚度范围为1nm-50nm。
相应的，本申请实施例还提供一种光电器件的制备方法，包括如下步骤：提供基板，在所述基板上依次形成阳极和发光层；通过溶液法在所述发光层上设置包括二维蒙脱土纳米片的溶液，得到电子功能层；在所述电子功能层上形成阴极。
相应的，本申请实施例还提供一种光电器件的制备方法，包括如下步骤：提供基板，在所述基板上形成阴极；通过溶液法在所述阴极上设置包括二维蒙脱土纳米片的溶液，得到电子功能层；在所述电子功能层上依次形成发光层和阳极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述二维蒙脱土纳米片包括无机改性或有机改性得到的二维蒙脱土纳米片；其中，所述无机改性包括使用无机酸、无机盐中的至少一种进行改性；所述有机改性包括使用有机酸、表面活性剂、聚合物单体、偶联剂中的至少一种进行改性；和/或所述包括二维蒙脱土纳米片的溶液为包括所述二维蒙脱土纳米片与聚合物的复合材料的溶液；所述聚合物选自PMMA、PI、PAI、PE中的至少一种；和/或所述阳极选自金属电极、碳电极以及掺杂或非掺杂金属氧化物电极中的一种或者多种形成的复合电极；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的至少一种；和/或所述阴极选自金属电极、碳电极以及掺杂或非掺杂金属氧化物电极中的一种或者多种形成的复合电极；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的至少一种；和/或所述发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种。
相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述光电器件。
本申请的光电器件，包括层叠设置的阳极、发光层、电子功能层和阴极；其中，电子功能层的材料包括二维蒙脱土纳米片。其中，二维蒙脱土纳米片具有各向异性导电的特性，使电子功能层在垂直于膜层具有较大禁带宽度而在膜层沿面方向具有良好的导电性，一方面阻碍电荷穿过界面，起到电荷阻挡层作用，提高器件电荷注入平衡；另一方面，诱导电荷延界面延展方向导通，将电荷沿面方向均匀传输至发光层，避免电荷局部聚集，从而提高器件发光均匀性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种光电器件的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的一种光电器件的制备方法流程图；
图3是本申请实施例提供的另一种光电器件的制备方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”具体为附图中的图面方向。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本发明的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所述范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
请参阅图1，本申请实施例提供一种光电器件100，光电器件100包括依次层叠的阳极20、发光层30、电子功能层10及阴极40。
电子功能层10的材料包括二维蒙脱土纳米片。其中，蒙脱土(Montmorillonite，MMT)是一种2:1型铝硅酸盐矿物，即两层硅氧四面体中间夹一层铝氧八面体，其晶体结构式为Mx(Al2-xMgx)[Si4O10](OH)2。蒙脱土可通过机械剥离等方法制备为二维纳米片材料，二维纳米片材料具有优异的机械、光学以及电学性能。且二维蒙脱土纳米片还具有电导各向异性的特性，在垂直于面方向具有较大的禁带宽度(4-9eV)，而在沿面方向却有较高的电导率(大于10-3S/m)。
本实施例中，包括二维蒙脱土纳米片的电子功能层10一方面阻碍电荷穿过与发光层30连接的界面，起到电荷阻挡层作用，提高光电器件100电荷注入平衡；另一方面，诱导电荷延界面延展方向导通，将电荷沿面方向均匀传输至发光层30，避免电荷局部聚集，从而提高光电器件100发光均匀性。而提高光电器件100电荷注入平衡和发光均匀性也进一步提高了光电器件100性能一致性、老化稳定性和寿命。
可以理解的，电子功能层10的材料可以仅为二维蒙脱土纳米片，不包含其他材料。在其他实施例中，电子功能层10的材料除了包括二维蒙脱土纳米片之外，还可以包括其他材料，比如本领域已知的电子阻挡材料等。
在一个实施例中，电子功能层的材料为包括二维蒙脱土纳米片与聚合物的复合材料。其中，聚合物可以选自PMMA、PI、PAI、PE中的至少一种。其中，二维蒙脱土纳米片定向排布在聚合物薄膜表面或内部，二维蒙脱土纳米片面方向与聚合物薄膜表面平行。聚合物在复合材料中作为二维蒙脱土纳米片的负载基体，调控拓宽功能层禁带宽度。进一步的，复合材料中聚合物与二维纳米片质量比大于0：1且小于等于5：1。复合材料中聚合物含量过多导致功能层导电性变差，不利于载流子迁移。
具体的，二维蒙脱土纳米片可以选自钙基二维蒙脱土纳米片、钠基二维蒙脱土纳米片、钠-钙基二维蒙脱土纳米片、镁基二维蒙脱土纳米片中的至少一种。其中，钙基、钠基、钠-钙基、镁基是根据天然蒙脱土层间可交换阳离子的种类划分的。不同阳离子基的二维蒙脱土纳米片均具有较好的各向异性导电的特性，但其他方面的性质可能具有一些差异，比如钠基蒙脱土比钙基蒙脱土有更好的膨胀性、热稳定性等。
本实施例中的二维蒙脱土纳米片，可以为天然蒙脱土经过机械剥离等方法制备得到的二维纳米片材料，也可以是对二维纳米片材料进行不同的改性处理得到的改性二维蒙脱土纳米片，以调控二维蒙脱土纳米片中阳离子浓度、导电性能和疏水性等性质，以提高通过溶液法制备包括二维蒙脱土纳米片的电子功能层10的可行性，以及提高电子功能层10的热稳定性和导电性。
在一实施例中，二维蒙脱土纳米片包括无机改性或有机改性得到的二维蒙脱土纳米片；其中，无机改性包括使用无机酸、无机盐中的至少一种进行改性；有机改性包括使用有机酸、表面活性剂、聚合物单体、偶联剂中的至少一种进行改性。不同改性方式对应的改性二维蒙脱土纳米片，可以通过市售直接购买获得，也可以通过本领域已知的改性方法制备得到。
具体的，使用无机酸或有机酸改性，即可以通过无机酸或有机酸对二维蒙脱土纳米片进行改性。其中，无机酸可以选自硫酸、盐酸、硝酸、磷酸中的至少一种，有机酸改性中的有机酸选自羧酸、磺酸、亚磺酸、硫羧酸中的至少一种。无机酸或有机酸改性使二维蒙脱土纳米片层间部分阳离子转变为酸的可溶性盐类而溶出，从而削弱了原来层间的结合力，提高层间距和热稳定性。
其中，无机盐改性中的无机盐可以选自铝、镁、锌、铜、钠等的卤盐、硝酸盐、硫酸盐、磷酸盐、羧酸盐、磺酸盐、亚磺酸盐、硫羧酸盐中的至少一种。无机盐改性对二维蒙脱土纳米片进行阳离子交换，相比于钙基、镁基，钠基蒙脱土在溶液分散性、热稳定性和导电性等性能更优，有利提高溶液法制备电子功能层10可行性以及电子功能层10的热稳定性和薄膜导电性。
其中，有机改性包括使用表面活性剂、聚合物单体、偶联剂中的至少一种有机物对二维蒙脱土纳米片进行改性。由于蒙脱土中无机离子为疏油性，不利于其在聚合物基体中的分散，通过表面活性剂、聚合物单体或偶联剂等有机改性，旨在改变蒙脱土表面的高极性，使蒙脱土层间由亲水性转变为亲油性，降低其表面能，同时使蒙脱土的层间距增大，有利于溶液法制备电子功能层10。
其中，表面活性剂可以选自阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂中的至少一种。聚合物单体可以选自甲基丙烯酸甲酯、N-乙烯基吡咯烷酮、吡咯、对苯二甲酸乙二醇酯、萘二甲酸乙二醇酯中的至少一种。聚合物单体不进行聚合，其作用与表面活性剂一致，且溶解性等性质对器件不会产生负面影响。其中，偶联剂可以选自硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、聚氨酯偶联剂中的至少一种。
在一个实施例中，电子功能层的厚度范围可以为1nm-50nm，比如厚度可以为5nm、10nm、20nm、50nm等。电子功能层厚度过厚可能会影响器件的导电性，厚度过小可能无法形成均匀的电子功能层，无法起到均匀的电导各向异性。
阳极20的材料为本领域已知用于阳极的材料，阴极40的材料为本领域已知用于阴极的材料。阳极20和阴极40的材料例如可以是金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，金属例如可以是Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的一种或多种；碳材料例如可以是石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，也包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，复合电极包括但不限于是AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。阳极20的厚度例如可以是10nm至100nm，比如10nm、30nm、40nm、50nm、60nm、80nm、100nm等；阴极40的厚度例如可以是15nm至100nm，比如15nm、30nm、40nm、50nm、60nm、80nm、100nm等。
发光层30可以为量子点发光层，此时光电器件100可以为量子点发光器件。发光层30的厚度可以为常规量子点发光器件中发光层的厚度范围，例如可以是10nm至60nm，比如10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、40nm、50nm、60nm等，或者发光层30的厚度可以为10-25nm。
其中，量子点发光层的材料为本领域已知用于量子点发光层的量子点，例如，红色量子点、绿色量子点及蓝色量子点中的一种。量子点可以选自但不限于单一结构量子点以及核壳结构量子点中的至少一种。例如，单一结构量子点可以选自但不限于II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的一种或多种。作为示例，II-VI族化合物可以选自但不限于CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS；CdZnSeS、CdZnSeTe和CdZnSTe中的一种或多种；III-V族化合物可以选自但不限于InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP和InAlNP中的一种或多种；I-III-VI族化合物可以选自但不限于CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的一种或多种。核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种。
进一步参阅图1，在一实施例中，光电器件100还可以包括空穴传输层50，空穴传输层50位于阳极20与发光层30之间。空穴传输层50的材料可以选自具有空穴传输能力的有机材料，包括但不限于是聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)(poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCATA)、4,4’-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的一种或多种。空穴传输层50的材料还可以选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于是掺杂或非掺杂的NiO、WO3、MoO3以及CuO中的一种或多种。空穴传输层50的厚度为常规空穴传输层的厚度，例如可以是10nm至100nm，比如10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、100nm等。或者，空穴传输层50的厚度范围可以为20-60nm。
进一步的，在一个实施例中，光电器件100还可以包括空穴注入层60，空穴注入层60位于阳极20面向阴极40一侧的表面。当光电器件100包括空穴注入层60和空穴传输层50时，空穴注入层60位于阳极20和空穴传输层50之间；而当光电器件100包括空穴注入层60而不包括空穴传输层50时，空穴注入层60位于阳极20和发光层30之间。以上两种不同情况下，空穴注入层60均位于阳极20面向阴极40一侧的表面，与阳极20接触连接。空穴注入层60的材料为本领域已知用于空穴注入层的材料，空穴注入层60的材料可以选自具有空穴注入能力的材料，包括但不限于是聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)(PEDOT)、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HATCN)、聚酯碳酸铜(CuPc)、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种。空穴注入层60的厚度可以为常规空穴注入层的厚度，例如可以是20nm至80nm，比如20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、80nm等。或者，空穴注入层60的厚度范围可以为20-60nm。
进一步的，在一个实施例中，光电器件100还可以包括电子传输层70，电子传输层70位于电子功能层10与阴极40之间。电子传输层70的材料可以为本领域已知用于电子传输层的材料。例如，可以选自但不限于无机纳米晶材料、掺杂无机纳米晶材料、有机材料中的一种或多种。无机纳米晶材料可以包括：ZnO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2、Ta2O3、Ga2O3、SiO2、Al2O3、CaO中的一种或多种，掺杂无机纳米晶材料包括氧化锌掺杂物、二氧化钛掺杂物、二氧化锡掺杂物的一种或多种，其中，掺杂无机纳米晶材料为掺杂其他元素的无机材料，掺杂元素选自于Mg、Ca、Li、Ga、Al、Co、Mn等；有机材料可以包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇缩丁醛中的一种或两种。电子传输层70的厚度可以为常规电子传输层的厚度，例如可以是20nm至60nm，比如20nm、30nm、40nm、50nm、60nm等。或者，电子传输层70的厚度范围可以为25-60nm。
进一步的，在一个实施例中，光电器件100还可以包括电子注入层80，电子注入层80位于阴极40面向阳极20一侧的表面。即，电子注入层80的一侧表面与阴极40面向阳极20一侧的表面连接。在光电器件100包括电子传输层70时，电子注入层80位于阴极40与电子传输层70之间；当光电器件100不包括电子传输层70时，电子注入层80位于阴极40与电子功能层10之间。电子注入层80的材料可以为本领域已知用于电子注入层的材料。例如，可以选自但不限于LiF，MgP，MgF2，Al2O3、Ga2O3、ZnO、Cs2CO3、RbBr、Rb2CO3、LiF/Yb。电子注入层80的厚度可以为常规电子注入层的厚度，例如可以是10-30nm，比如10nm、20nm、30nm等。
可以理解，光电器件100除上述各功能层外，还可以增设一些常规用于光电器件的有助于提升光电器件性能的功能层，例如空穴阻挡层、界面修饰层等。
可以理解，光电器件100的各层的材料以及厚度等，可以依据光电器件100的发光需求进行调整。
在本申请的一些实施例中，光电器件100为量子点发光二极管，光电器件100可以是正置型结构的量子点发光二极管，也可以是倒置型结构的量子点发光二极管。正置型结构的量子点发光二极管的衬底与阳极连接，倒置型结构的量子点发光二极管的衬底与阴极连接。
本申请实施例还提供一种显示装置，包括本申请提供的光电器件。显示装置可以为任何具有显示功能的电子产品，电子产品包括但不限于是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、数码摄像机、智能可穿戴设备、智能称重电子秤、车载显示器、电视机或电子书阅读器，其中，智能可穿戴设备例如可以是智能手环、智能手表、虚拟现实(VirtualReality,VR)头盔等。
请参阅图2，本申请实施例提供一种光电器件100的制备方法，光电器件100为正置型量子点发光二极管，具体包括如下步骤：
步骤S21：提供基板，在基板上依次形成阳极20和发光层30。
步骤S22：通过溶液法在发光层30上设置包括二维蒙脱土纳米片的溶液，得到电子功能层10。
步骤S23：在电子功能层10上形成阴极40。
进一步地，步骤S22中二维蒙脱土纳米片，可以通过市售购买得到，也可以通过常用方法制备得到。二维蒙脱土纳米片的制备方法可以为：提供块体蒙脱土，通过机械剥离法或球磨法得到二维蒙脱土纳米片初产物，利用N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮或乙醚等有机溶剂对其初产物进行溶解分散，进行初步过滤，得到滤液为二维蒙脱土纳米片分散液初液；超声处理分散液初液，并再次过滤，得到二维蒙脱土纳米片。第一次过滤处理的过滤网孔较大，是为了过滤去除较大的未剥离的固体，第二次过滤的过滤网孔较小，去除滤液，得到的滤饼为尺寸相对均一且纯度较高的二维蒙脱土纳米片。进一步的，还可以对此得到的二维蒙脱土纳米片进行酸改性、无机盐改性或有机改性等改性方式处理得到的二维蒙脱土纳米片。而改性的方法可以为常规改性方法，此处不进行限定。
可以理解，在光电器件100还包括空穴传输层50和/或空穴注入层60时，步骤S21为：提供基板，在基板上依次形成阳极20、空穴注入层60和/或空穴传输层50、发光层30。在光电器件100还包括电子传输层70和/或电子注入层80时，步骤S23为：在电子功能层10上依次形成电子传输层70和/或电子注入层80、阴极40。
具体的，步骤S1和步骤S23中，形成阳极20、发光层30、阴极40、空穴传输层50、空穴注入层60、电子传输层70和电子注入层80的方法，可采用本领域常规技术实现，包括但不限于是溶液法和沉积法，其中，溶液法包括但不限于是旋涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂或浇铸；沉积法包括化学法和物理法，化学法包括但不限于是化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法或共沉淀法。物理法包括但不限于是热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法或脉冲激光沉积法。当采用溶液法制备包括电子功能层10在内的各层结构时，需增设干燥处理工序。其中，干燥处理，可以为退火工艺处理。其中，“退火工艺”包括所有能使湿膜获得更高能量，从而由湿膜状态转变为干燥状态的处理工艺，例如“退火工艺”可以仅指热处理工艺，即将湿膜加热至特定温度，然后保持特定时间以使湿膜中的溶剂充分挥发；又如“退火工艺”还可以包括依序进行的热处理工艺和冷却工艺，即将湿膜加热至特定温度，然后保持特定时间以使第一湿膜中的溶剂充分挥发，再以适宜的速度冷却以消除残余应力而减少干燥的空穴传输薄膜发生层变形与裂纹的风险。
其中，阳极20、发光层30、阴极40、空穴传输层50、空穴注入层60、电子传输层70和电子注入层80各层的材料，可以参考上文中的相关描述，此处不进行赘述。
请参阅图3，本申请实施例提供另一种光电器件100的制备方法，光电器件100为倒置型量子点发光二极管，具体包括如下步骤：
步骤S31：提供基板，在基板上形成阴极40。
步骤S32：通过溶液法在阴极40上设置包括二维蒙脱土纳米片的溶液，得到电子功能层10。
步骤S33：在电子功能层10上依次形成发光层30及阳极20。
可以理解，在光电器件100还包括空穴传输层50和/或空穴注入层60时，步骤S33为：在电子功能层10上依次形成发光层30、空穴传输层50和/或空穴注入层60、阳极20。在光电器件100还包括电子传输层70和/或电子注入层80时，步骤S31为：提供基板，在基板上形成阴极40在电子功能层10上依次形成电子传输层70和/或电子注入层80、阴极40。
本实施例中形成阳极20、发光层30、阴极40、空穴传输层50、空穴注入层60、电子传输层70和电子注入层80的方法可以参阅上一实施例中的相关描述，此处不进行赘述。
可以理解，在光电器件100还包括电子阻挡层、空穴阻挡层和/或界面修饰层等其它功能层时，所述光电器件100的制备方法还包括形成所述各功能层的步骤。
可以理解的是，光电器件100的制备方法还可以包括封装步骤，封装材料可以是丙烯酸树脂或环氧树脂，封装可以是机器封装或手动封装，可以采用紫外固化胶封，进行封装步骤的环境中氧气和水的浓度均低于0.1ppm，以保证光电器件100的稳定性。
需要说明的是，本实施例中电子功能层10的制备方法中使用的包括二维蒙脱土纳米片的溶液，其中的二维蒙脱土纳米片可以包括无机改性或有机改性得到的二维蒙脱土纳米片；其中，无机改性包括使用无机酸、无机盐中的至少一种进行改性；有机改性包括使用有机酸、表面活性剂、聚合物单体、偶联剂中的至少一种进行改性。另外，制备包括二维蒙脱土纳米片的溶液也可以为包括二维蒙脱土纳米片与聚合物的复合材料的溶液，从而形成的电子功能层10中包括二维蒙脱土纳米片与聚合物的复合材料。其中，聚合物选自PMMA、PI、PAI、PE中的至少一种。其中，改性二维蒙脱土纳米片以及二维蒙脱土纳米片与聚合物的复合材料的具体描述可以参考上文中的相关描述，此处不进行赘述。
下面通过具体实施例、对比例和实验例对本申请的技术方案及技术效果进行详细说明，以下实施例仅仅是本申请的部分实施例，并非对本申请作出具体限定。
实施例1
本实施例提供一种量子点电致发光二极管，为正置型结构，其制备方法包括如下步骤：
提供ITO基板，衬底玻璃厚度为0.55mm，ITO厚度为50nm，将ITO基板清洗干净并烘干后，紫外臭氧处理15min，以作为阳极20和衬底。
在常温常压的大气环境下，在ITO基板的一侧旋涂PEDOT溶液，然后置于150℃下恒温热处理15min，得到空穴注入层60，其厚度为35nm。
在常温常压的氮气环境下，在空穴注入层60上旋涂浓度为9mg/mL的TFB-氯苯溶液，然后置于150℃下恒温热处理30min，得到空穴传输层50，其厚度为40nm。
在常温常压的氮气环境下，在空穴传输层50上旋涂浓度为10mg/mL的绿色量子点CdSe/ZnS-正辛烷溶液，然后置于80℃下恒温热处理10min，得到发光层30，其厚度为15nm。
准备浓度为35mg/mL的钙基蒙脱土纳米片-N,N-二甲基甲酰胺分散液，在常温常压的氮气环境下，在发光层30上旋涂此纳米片分散液，然后置于120℃下恒温热处理30min，得到电子功能层10，其厚度为15nm。
在常温常压的氮气环境下，在电子功能层10上旋涂浓度为30mg/mL的纳米氧化锌-乙醇溶液，然后置于80℃下热处理30min，得到电子传输层70，其厚度为40nm。
采用真空蒸镀法在电子传输层70上沉积银Ag，得到阴极40，厚度为50nm。
封装得到正置量子点电致发光二极管。
实施例2
本实施例提供了一种量子点电致发光二极管，相较于实施例1的量子点电致发光二极管，本实施例的量子点电致发光二极管的区别之处仅在于：电子功能层10包括的二维蒙脱土纳米片为经乙酸改性的蒙脱土纳米片。其制备方法为：准备浓度为35mg/mL的经乙酸改性的蒙脱土纳米片-N,N-二甲基甲酰胺分散液，在常温常压的氮气环境下，在发光层30上旋涂此纳米片分散液，然后置于120℃下恒温热处理30min，得到电子功能层10，其厚度为15nm。
实施例3
本实施例提供了一种量子点电致发光二极管，相较于实施例1的量子点电致发光二极管，本实施例的量子点电致发光二极管的区别之处仅在于：电子功能层10包括的二维蒙脱土纳米片为NaCl改性的蒙脱土纳米片。其制备方法为：准备浓度为35mg/mL的NaCl改性的蒙脱土纳米片-N,N-二甲基甲酰胺分散液，在常温常压的氮气环境下，在发光层30上旋涂此纳米片分散液，然后置于120℃下恒温热处理30min，得到电子功能层10，其厚度为15nm。
实施例4
本实施例提供了一种量子点电致发光二极管，相较于实施例1的量子点电致发光二极管，本实施例的量子点电致发光二极管的区别之处仅在于：电子功能层10包括的二维蒙脱土纳米片为十八烷基三甲基季铵盐改性的蒙脱土纳米片。其制备方法为：准备浓度为35mg/mL的十八烷基三甲基季铵盐改性的蒙脱土纳米片-N,N-二甲基甲酰胺分散液，在常温常压的氮气环境下，在发光层30上旋涂此纳米片分散液，然后置于120℃下恒温热处理30min，得到电子功能层10，其厚度为15nm。
实施例5
本实施例提供了一种量子点电致发光二极管，相较于实施例1的量子点电致发光二极管，本实施例的量子点电致发光二极管的区别之处仅在于：电子功能层10包括的二维蒙脱土纳米片为N-乙烯基吡咯烷酮改性的蒙脱土纳米片。其制备方法为：准备浓度为35mg/mL的N-乙烯基吡咯烷酮改性的蒙脱土纳米片-N,N-二甲基甲酰胺分散液，在常温常压的氮气环境下，在发光层30上旋涂此纳米片分散液，然后置于120℃下恒温热处理30min，得到电子功能层10，其厚度为15nm。
实施例6
本实施例提供了一种量子点电致发光二极管，相较于实施例1的量子点电致发光二极管，本实施例的量子点电致发光二极管的区别之处仅在于：电子功能层10包括的二维蒙脱土纳米片为乙烯基三乙氧基硅烷改性的蒙脱土纳米片。其制备方法为：准备浓度为35mg/mL的乙烯基三乙氧基硅烷改性的蒙脱土纳米片-N,N-二甲基甲酰胺分散液，在常温常压的氮气环境下，在发光层30上旋涂此纳米片分散液，然后置于120℃下恒温热处理30min，得到电子功能层10，其厚度为15nm。
实施例7
本实施例提供了一种量子点电致发光二极管，相较于实施例1的量子点电致发光二极管，本实施例的量子点电致发光二极管的区别之处仅在于：电子功能层10电子功能层的材料为包括钙基二维蒙脱土纳米片与PMMA聚合物的复合材料。其制备方法为：准备浓度为35mg/mL的PMMA与蒙脱土纳米片-N,N-二甲基甲酰胺混合溶液，在常温常压的氮气环境下，在发光层30上旋涂此纳米片分散液，然后置于120℃下恒温热处理30min，得到电子功能层10，其厚度为15nm。
实施例8
本实施例提供了一种量子点电致发光二极管，相较于实施例1的量子点电致发光二极管，本实施例的量子点电致发光二极管的区别之处仅在于：电子功能层10厚度为5nm。
实施例9
本实施例提供了一种量子点电致发光二极管，相较于实施例1的量子点电致发光二极管，本实施例的量子点电致发光二极管的区别之处仅在于：电子功能层10厚度为50nm。
对比例
本实施例提供了一种量子点电致发光二极管，相较于实施例1的量子点电致发光二极管，本实施例的量子点电致发光二极管的区别之处仅在于：在发光层30和电子传输层70之间不包括电子功能层10。其制备方法中也相应不包括电子功能层10的制备过程，直接在发光层30上形成电子传输层70。
通过硅光电测试仪器和成像亮度计对实施例1至实施例8以及对比例的量子点电致发光二极管进行性能检测，性能测试的项目为：外量子效率(EQE,％)、电致发光(EL)均匀性以及在量子点电致发光二极管在1000nits下亮度由100％衰减至95％所需的时间(T95@1000nits,h)，性能测试结果详见下表1。
表1：
Figure BDA0003338773300000181
由表1可知，相较于对比例EQE为11.2％、EL均匀性为85.1％、T95为4500h的量子点电致发光二极管，实施例1至实施例9的量子点电致发光二极管的性能具有明显优势。实施例1至实施例9中，量子点发光二极管的EQE可达18.1％至23.8％，EL均匀性可达92.1％至99.2％，T95@1000nits可达8000h至14500h，在器件整体的发光效率、发光均匀性以及器件寿命等多个方面相对于对比例而言均显著提高。
实施例1、实施例8和实施例9中发光二极管的电子功能层中包括钙基二维蒙脱土纳米片，实施例2至实施例6中的发光二极管的电子功能层中分别包括的酸改性、无机盐改性等多种不同方式对钙基二维蒙脱土纳米片进行改性得到的改性二维蒙脱土纳米片，实施例7中发光二极管的电子功能层为包括钙基二维蒙脱土纳米片与PMMA聚合物的复合材料，均能够提高发光二极管的外量子效率、发光均匀性和寿命。因此，可以说明本申请的包括电子功能层的量子点电致发光二极管能够提高器件电荷注入平衡从而提高发光效率、以及诱导电荷延界面延展方向导通，将电荷沿面方向均匀传输至发光层，避免电荷局部聚集，从而提高器件发光均匀性和器件寿命，其中，电子功能层的材料包括二维蒙脱土纳米片。
实施例1、实施例8和实施例9中发光二极管的电子功能层中均包括钙基二维蒙脱土纳米片，电子功能层的厚度分别为15nm、5nm和50nm，发光器件的EL均匀性处在同一水平，说明电子功能层厚度在满足各处具备均匀电导各向异性的情况下，厚度的变化对发光均匀性的影响较小。而电子功能层厚度增大，可能会对器件EQE和寿命产生一定的负面影响。
以上对本申请实施例所提供的光电器件及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (13)

1.一种光电器件，其特征在于，包括层叠设置的阳极、发光层、电子功能层和阴极；
其中，所述电子功能层的材料包括二维蒙脱土纳米片。
2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述电子功能层的材料为所述二维蒙脱土纳米片。
3.根据权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述二维蒙脱土纳米片包括无机改性或有机改性得到的二维蒙脱土纳米片；
其中，所述无机改性包括使用无机酸、无机盐中的至少一种进行改性；所述有机改性包括使用有机酸、表面活性剂、聚合物单体、偶联剂中的至少一种进行改性。
4.根据权利要求3所述的光电器件，其特征在于，所述无机酸选自硫酸、盐酸、硝酸、磷酸中的至少一种；
所述有机酸选自羧酸、磺酸、亚磺酸、硫羧酸中的至少一种；
所述无机盐选自铝、镁、锌、铜、钠的卤盐、硝酸盐、硫酸盐、磷酸盐、羧酸盐、磺酸盐、亚磺酸盐、硫羧酸盐中的至少一种；
所述表面活性剂选自阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂中的至少一种；
所述聚合物单体选自甲基丙烯酸甲酯、N-乙烯基吡咯烷酮、吡咯、对苯二甲酸乙二醇酯、萘二甲酸乙二醇酯中的至少一种；
所述偶联剂选自硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、聚氨酯偶联剂中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述电子功能层的材料为包括所述二维蒙脱土纳米片与聚合物的复合材料；所述聚合物选自PMMA、PI、PAI、PE中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的光电器件，其特征在于，所述复合材料中，所述聚合物与所述二维蒙脱土纳米片的质量比大于0：1且小于等于5：1。
7.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述阳极选自金属电极、碳电极以及掺杂或非掺杂金属氧化物电极中的一种或者多种形成的复合电极；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的至少一种；和/或
所述阴极选自金属电极、碳电极以及掺杂或非掺杂金属氧化物电极中的一种或者多种形成的复合电极；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的至少一种；和/或
所述发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括空穴传输层，所述空穴传输层位于所述阳极与所述发光层之间；和/或
所述光电器件还包括空穴注入层，所述空穴注入层位于所述阳极面向阴极一侧的表面；和/或
所述光电器件还包括电子传输层，所述电子传输层位于所述电子功能层与所述阴极之间；和/或
所述光电器件还包括电子注入层，所述电子注入层位于所述阴极面向阳极一侧的表面。
9.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述电子功能层的厚度为1nm-50nm。
10.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供基板，在所述基板上依次形成阳极和发光层；
通过溶液法在所述发光层上设置包括二维蒙脱土纳米片的溶液，得到电子功能层；
在所述电子功能层上形成阴极。
11.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括
提供基板，在所述基板上形成阴极；
通过溶液法在所述阴极上设置包括二维蒙脱土纳米片的溶液，得到电子功能层；
在所述电子功能层上依次形成发光层和阳极。
12.根据权利要求10或11所述的制备方法，其特征在于，所述二维蒙脱土纳米片包括无机改性或有机改性得到的二维蒙脱土纳米片；其中，所述无机改性包括使用无机酸、无机盐中的至少一种进行改性；所述有机改性包括使用有机酸、表面活性剂、聚合物单体、偶联剂中的至少一种进行改性；和/或
所述包括二维蒙脱土纳米片的溶液为包括所述二维蒙脱土纳米片与聚合物的复合材料的溶液；所述聚合物选自PMMA、PI、PAI、PE中的至少一种；和/或
所述阳极选自金属电极、碳电极以及掺杂或非掺杂金属氧化物电极中的一种或者多种形成的复合电极；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的至少一种；和/或
所述阴极选自金属电极、碳电极以及掺杂或非掺杂金属氧化物电极中的一种或者多种形成的复合电极；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的至少一种；和/或
所述发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种。
13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-9任意一项所述的光电器件。
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