CN115959915B - 一种低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料及其制备方法和应用 - Google Patents
一种低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料及其制备方法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115959915B CN115959915B CN202211642031.8A CN202211642031A CN115959915B CN 115959915 B CN115959915 B CN 115959915B CN 202211642031 A CN202211642031 A CN 202211642031A CN 115959915 B CN115959915 B CN 115959915B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- low
- powder
- ceramic
- temperature
- modifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 167
- 239000010445 mica Substances 0.000 claims abstract description 116
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 claims abstract description 116
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 151
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 claims description 87
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 86
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 70
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 claims description 56
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 39
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 36
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 21
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 20
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 20
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 19
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 claims description 18
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 claims description 4
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 claims description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 34
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 241000276425 Xiphophorus maculatus Species 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 19
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 18
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 18
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 16
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 16
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- -1 acrylic ester Chemical class 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003668 SrAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000011534 incubation Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/10—Process efficiency
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明涉及一种低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料及其制备方法和应用。所述低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料包括：Sr(1‑x)K2xAl2B2O7陶瓷相基体、以及分散在Sr(1‑x)K2xAl2B2O7陶瓷相基体中的片状云母相，其中0≤x≤0.4；所述片状云母相的质量为低温烧结材料总质量的0～30％，优选为0～20％。
Description
技术领域
本发明涉及一种低温烧结材料，具体涉及一种具有近零温度系数、低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料及其制备方法和应用，特别涉及一种Sr(1-x)K2xAl2B2O7/片状云母低温烧结材料及其制备方法和应用，属于低温烧结材料领域。
背景技术
低温烧结陶瓷技术低温烧结，就是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带，作为电路基板材料，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个无源元件埋入其中，然后叠压在一起，在850℃烧结，制成三维电路网络的无源集成组件，也可制成内置无源元件的三维电路基板，在其表面可以贴装IC和有源器件，制成无源/有源集成的功能模块。
近年来，低温烧结材料已被广泛应用于航空航天、军事、无线通讯、电子设备、无线通讯、汽车电子、化工生物医疗和环境能源等领域，随着军用电子整机，通讯类电子产品及消费类电子产品迅速向短、小、轻、薄方向发展，微波多芯片组件(MMCM)技术因具有重量轻、体积小、成本低和可靠性高的技术特点而被广泛应用。多层片式元件是实现这一技术的有效途径，从经济和环保角度考虑，微波元器件的片式化，需要微波介质材料能与熔点较低，电导率高的贱价金属Cu或Ag的电极烧结，这就要求微波介质陶瓷材料能与Cu或Ag低温烧结，为此人们开发出新型的低温烧结陶瓷技术，广泛应用与航空航天、5G基站、汽车雷达等通讯领域，作为其中的基础、共性以及关键性材料。纵观近几年国内外低温烧结陶瓷材料的研究现状，可将低温烧结材料体系分为三大类：(1)微晶玻璃基低温烧结陶瓷；(2)微波介质陶瓷基低温烧结陶瓷；(3)新型低温烧结温度微波介质陶瓷。
在大多数的低温烧结的研究中，用于微波多芯片组件(MMCM)的低温烧结材料需要合适的介电常数以满足电路设计，其次所需较高的抗弯强度以调高材料的可靠性，近零温度系数以保证微波器件随工作环境温度变化的稳定性，目前很多材料体系都难以做到介电常数低，近零温度系数，抗弯强度也一般较小，无法满足越来越高要求的基板应用。
发明内容
针对低温烧结介电常数较高和膨胀系数过高等缺点，本发明的目的在于提供一种由流延制备、等静压成型制备的低介、低损耗、高强度低温烧结材料及其制备方法。一种介电常数在5～7，介电损耗低于5×10-3(10GHz)，成本低，且易于大批量生产的Sr(1-x)K2xAl2B2O7/片状云母低温烧结材料及其制备方法，以及一种由该复合材料制得的基板材料。
一方面，本发明提供了一种低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料，包括：Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷相基体、以及分散在Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷相基体中的片状云母相，其中0≤x≤0.4；所述片状云母相的质量为低温烧结材料总质量的0～30％，优选为0～25％，更优选为0～20％。较佳的，所述Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷相基体的质量为低温烧结材料总质量的60～100％，优选为80～100％。
较佳的，所述片状云母相的直径为5～50μm，厚度为0.1～2μm。
较佳的，所述低温烧结材料的介电常数为5～7，介电损耗低于5×10-3(10GHz)；所述低温烧结材料的抗弯强度为250～350MPa；
所述低温烧结材料的温度系数为0±30ppm/℃。
另一方面，本发明提供了一种低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料，包括：
(1)将片状云母粉体、Sr(1-x)K2xAl2B2O7粉体、溶剂和粘结剂混合，再经流延成型，得到Sr(1-x)K2xAl2B2O7/片状云母膜带；
(2)将多个Sr(1-x)K2xAl2B2O7/片状云母膜带叠层后热等静压成型，然后在800～950℃下烧结，得到Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷/片状云母低温烧结材料。
较佳的，优选采用改性剂溶液改性片状云母粉体，得到改性后的片状云母粉体；优选地，将片状云母粉体置于改性剂溶液中，经磁力搅拌、抽滤和烘干，得到改性后的片状云母粉体；
所述改性剂溶液中改性剂选自聚硅氮烷、丙烯酸酯、乙烯基硅氧烷、甲基丙烯酸、顺酐、苯乙烯、乙酸乙烯酯、丙烯腈中的至少一种；
所述改性剂溶液的浓度为10～20wt％，优选为5wt％；
所述改性剂的总量为片状云母粉体质量的0～5wt％。
较佳的，采用改性剂溶液改性Sr(1-x)K2xAl2B2O7粉体，得到改性后的Sr(1-x)K2xAl2B2O7粉体；优选地，将Sr(1-x)K2xAl2B2O7粉体置于改性剂溶液中，经磁力搅拌、抽滤和烘干，得到改性后的Sr(1-x)K2xAl2B2O7粉体；
所述改性剂溶液中改性剂选自聚硅氮烷、丙烯酸酯、乙烯基硅氧烷、甲基丙烯酸、顺酐、苯乙烯、乙酸乙烯酯、丙烯腈中的至少一种，优选聚硅氮烷或乙烯基硅氧烷等；
所述改性剂溶液的浓度为10～20wt％，优选为5wt％；
所述改性剂的总量为Sr(1-x)K2xAlB2O7粉体质量的0～5wt％，优选为0～1wt％。
较佳的，所述磁力搅拌的转速为200～400转/分钟，时间为2～10小时、优选5小时；所述烘干的温度为70～130℃、优选为120℃，时间为2～10小时。
较佳的，所述流延成型的温度为50～70℃，所用刮刀厚度为100～600μm；
所述热压成型的热压温度为50～85℃，热压压力为30～70MPa；
所述烧结的时间为1～4小时。
本发明还提供了一种低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料在移动通讯中应用。
有益效果：
本发明中，制得的Sr(1-x)K2xAl2B2O7/片状云母低温烧结材料的介电常数低且可调节(5～7)，介电损耗低于5×10-3。该Sr(1-x)K2xAl2B2O7/片状云母低温烧结材料在保留优良介电性能的前提下具备良好的加工性能，可满足新一代通讯材料的要求。
具体实施方式
以下通过下述实施方式进一步说明本发明，应理解，下述实施方式仅用于说明本发明，而非限制本发明。
在此公开一种微波介质陶瓷及一种玻璃组成的低温烧结材料。该微波介质陶瓷为含有Sr、K、Al、B、O等主要元素的微波介质陶瓷。该云母为含有K、Al、Si、O和H五种主要元素。
具体地，微波介质陶瓷的化学通式为Sr(1-x)K2xAl2B2O7，本公开的微波介质陶瓷兼具介电常数和低介电损耗。例如，介电常数可为5～7，介电损耗可为5×10-4～10×10-4。
具体地，用于复合的云母的化学通式为KAl2(AlSi3O10)·(OH)2。
在本公开中，Sr(1-x)K2xAl2B2O7/片状云母低温烧结材料的组成包括：Sr(1-x)K2xAl2B2O7、以及片状云母。将SrCO3粉、Al2O3粉、K2CO3粉、B2O3粉按化学式Sr(1-x)K2xAl2B2O7称量并混合，在850～950℃下煅烧1～4小时，得到Sr(1-x)K2xAl2B2O7粉体。例如，煅烧温度为900℃，保温时间为4h。
将Sr(1-x)K2xAlB2O7/片状云母复合，由于Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷本身具备较低介电常数和较低介电损耗，并且烧结温度较低，与片状云母复合后，其样品致密程度高，使复合材料具备可调的介电常数和更低的介电损耗。
该低温烧结材料中，Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷作为基体，片状云母可作为增强相。一实施方式中，该低温烧结材料形成为低温烧结材料。
该低温烧结材料中，Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷的质量可为Sr(1-x)K2xAl2B2O7/片状云母复合总质量的80～100％。片状云母的质量可为Sr(1-x)K2xAl2B2O7/片状云母复合总质量的0～20％(优选不为0)。在该质量分数下，可以使复合材料的具有更低的介电常数、介电损耗和较高的抗弯强度，例如介电常数为5～7，介电损耗低于1×10-3(10GHz)，频率温度系数为0±15ppm/K，抗弯强度高于200MPa。更优选地，片状云母的质量为Sr(1-x)K2xAl2B2O7/片状云母复合总质量的5～15％。
一优选实施方式中，使用的低温烧结材料中的微波介质陶瓷粉体粒径0.5μm～2μm。采用微米级别粉体表面能低，不易团聚，减少颗粒间的气孔。可以起到降低介电损耗，提高抗弯强度的作用。
低温烧结材料可由Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷粉体和片状云母混合，进一步进行流延、叠层、等静压成型，可到得到基板材料。
其中，微波介质陶瓷粉的粒径可为1μm～5μm。微波介质陶瓷粉、片状云母粉可以是将通过上述方法制得的微波介质陶瓷球磨而得。
将片状云母粉体用偶联剂进行改性，得到改性的片状云母陶瓷粉。通过改性，可以改变无机材料表面的亲水性，增加Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷粉体与片状云母的结和力，达到减少界面气孔，起到降低损耗、提高抗弯强度的目的。片状云母粉体的直径为5～50μm，厚度为0.1～2μm。
改性使用的偶联剂为聚硅氮烷，聚硅氮烷可以在陶瓷表面形成亲玻璃层的界面层，在加强两相结合力的同时进一步降低复合材料的气孔率。偶联剂的用量可为所用粉体的0～1.5％(质量分数)，优选为1％～1.5％。
一个示例中，将片状云母粉体置于浓度为10wt％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为陶瓷的0～1.5wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干，得到改性的陶瓷粉。
将改性的片状云母粉与Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷粉体混合均匀。将片状云母与Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷按照Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷/片状云母低温烧结材料的组成(优选，片状云母：Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷＝(0～20wt％)：(80～100wt％)，更优选为(0-10wt％)：(90-100wt％)称取原料进行混合，置于三维混料机中混合均匀后加入溶剂(例如，水、甲苯、酒精中的至少一种)、粘结剂，浆料置于流延机中，在50～70℃范围内流延，得到流延膜带。溶剂加入量可为Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷粉体和片状云母粉体总质量的40～60wt％。所述粘结剂可为PVB、乙基纤维素和PVA中的至少一种，加入量可为Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷和片状云母粉体总质量的5～15wt％。所用刮刀厚度为100～600μm。
将多个流延膜带进行叠层热等静压成型(其中，热等静压温度为50～85℃，热等静压的压力为30～70MPa)再在800～950℃下低温烧结1～4小时，最终得到低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料。
将低温烧结材料通过破碎或研磨，得到低温烧结陶瓷粉体(粒径可为0.5μm～2μm)。
下面进一步例举实施例以详细说明本发明。同样应理解，以下实施例只用于对本发明进行进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。下述示例具体的工艺参数等也仅是合适范围中的一个示例，即本领域技术人员可以通过本文的说明做合适的范围内选择，而并非要限定于下文示例的具体数值。下述实施例和对比例中，若无特殊说明，片状云母粉体的直径为5～50μm，厚度为0.1～2μm。
实施例1
(1)将SrCO3粉、Al2O3粉、K2CO3粉、B2O3粉按Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷混合均匀，在三维混料机上混合均匀，煅烧温度为900℃，保温时间为4h；
(2)将煅烧后的Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷，加入去离子水作为球磨介质，二次球磨10小时后，经过过筛，得到D50为1μm的Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷粉体；
(3)将片状云母粉体置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(4)将Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为陶瓷的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(5)将Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷：片状云母以80wt％：20wt％进行混合，置于三维混料机中混合均匀后加入酒精、粘结剂，浆料置于流延机中，在60℃范围内流延，得到流延膜带；
(6)将上述流延膜带进行叠层热等静压成型，热等静压温度为75℃，热等静压压力为70MPa，再经850℃烧结2小时，最终得到低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
实施例2
(1)将SrCO3粉、Al2O3粉、K2CO3粉、B2O3粉按Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷混合均匀，在三维混料机上混合均匀，煅烧温度为900℃，保温时间为4h；
(2)将煅烧后的Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷，加入去离子水作为球磨介质，二次球磨10小时后，经过过筛，得到D50为1μm的Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷粉体；
(3)将片状云母粉体置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(4)将Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为陶瓷的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(5)将Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷：片状云母以85wt％：15wt％进行混合，置于三维混料机中混合均匀后加入酒精、粘结剂，浆料置于流延机中，在60℃范围内流延，得到流延膜带；
(6)将上述流延膜带进行叠层热等静压成型，热等静压温度为75℃，热等静压压力为70MPa，再经850℃烧结2小时，最终得到低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
实施例3
(1)将SrCO3粉、Al2O3粉、K2CO3粉、B2O3粉按Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷混合均匀，在三维混料机上混合均匀，煅烧温度为900℃，保温时间为4h；
(2)将煅烧后的Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷，加入去离子水作为球磨介质，二次球磨10小时后，经过过筛，得到D50为1μm的Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷粉体；
(3)将片状云母粉体置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(4)将Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为陶瓷的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(5)将Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷：片状云母以90wt％：10wt％进行混合，置于三维混料机中混合均匀后加入酒精、粘结剂，浆料置于流延机中，在60℃范围内流延，得到流延膜带；
(6)将上述流延膜带进行叠层热等静压成型，热等静压温度为75℃，热等静压压力为70MPa，再经850℃烧结2小时，最终得到低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
实施例4
(1)将SrCO3粉、Al2O3粉、K2CO3粉、B2O3粉按Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷混合均匀，在三维混料机上混合均匀，煅烧温度为900℃，保温时间为4h；
(2)将煅烧后的Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷，加入去离子水作为球磨介质，二次球磨10小时后，经过过筛，得到D50为1μm的Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷粉体；
(3)将片状云母粉体置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(4)将Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为陶瓷的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(5)将Sr0.9K0.2Al2B2O7陶瓷：片状云母以95wt％：5wt％进行混合，置于三维混料机中混合均匀后加入酒精、粘结剂，浆料置于流延机中，在60℃范围内流延，得到流延膜带；
(6)将上述流延膜带进行叠层热等静压成型，热等静压温度为75℃，热等静压压力为70MPa，再经850℃烧结2小时，最终得到低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
实施例5
(1)将SrCO3粉、Al2O3粉、K2CO3粉、B2O3粉按Sr0.8K0.4Al2B2O7陶瓷混合均匀，在三维混料机上混合均匀，煅烧温度为900℃，保温时间为4h；
(2)将煅烧后的Sr0.8K0.4Al2B2O7陶瓷，加入去离子水作为球磨介质，二次球磨10小时后，经过过筛，得到D50为1μm的Sr0.8K0.4Al2B2O7陶瓷粉体；
(3)将片状云母粉体置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(4)将Sr0.8K0.4Al2B2O7陶瓷置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为陶瓷的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(5)将Sr0.8K0.4Al2B2O7陶瓷：片状云母以80wt％：20wt％进行混合，置于三维混料机中混合均匀后加入酒精、粘结剂，浆料置于流延机中，在60℃范围内流延，得到流延膜带；
(6)将上述流延膜带进行叠层热等静压成型，热等静压温度为75℃，热等静压压力为70MPa，再经850℃烧结2小时，最终得到低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
实施例6
(1)将SrCO3粉、Al2O3粉、K2CO3粉、B2O3粉按Sr0.8K0.4Al2B2O7陶瓷混合均匀，在三维混料机上混合均匀，煅烧温度为900℃，保温时间为4h；
(2)将煅烧后的Sr0.8K0.4Al2B2O7陶瓷，加入去离子水作为球磨介质，二次球磨10小时后，经过过筛，得到D50为1μm的Sr0.8K0.4Al2B2O7陶瓷粉体；
(3)将片状云母粉体置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(4)将Sr0.8K0.4Al2B2O7陶瓷置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为陶瓷的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(5)将Sr0.8K0.4Al2B2O7陶瓷：片状云母以85wt％：15wt％进行混合，置于三维混料机中混合均匀后加入酒精、粘结剂，浆料置于流延机中，在60℃范围内流延，得到流延膜带；
(6)将上述流延膜带进行叠层热等静压成型，热等静压温度为75℃，热等静压压力为70MPa，再经850℃烧结2小时，最终得到低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
实施例7
(1)将SrCO3粉、Al2O3粉、K2CO3粉、B2O3粉按Sr0.8K0.4Al2B2O7陶瓷混合均匀，在三维混料机上混合均匀，煅烧温度为900℃，保温时间为4h；
(2)将煅烧后的Sr0.8K0.4Al2B2O7陶瓷，加入去离子水作为球磨介质，二次球磨10小时后，经过过筛，得到D50为1μm的Sr0.8K0.4Al2B2O7陶瓷粉体；
(3)将片状云母粉体置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(4)将Sr0.8K0.4Al2B2O7陶瓷置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为陶瓷的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(5)将Sr0.8K0.4Al2B2O7陶瓷：片状云母以90wt％：10wt％进行混合，置于三维混料机中混合均匀后加入酒精、粘结剂，浆料置于流延机中，在60℃范围内流延，得到流延膜带；
(6)将上述流延膜带进行叠层热等静压成型，热等静压温度为75℃，热等静压压力为70MPa，再经850℃烧结2小时，最终得到低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
实施例8
(1)将SrCO3粉、Al2O3粉、K2CO3粉、B2O3粉按Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷混合均匀，在三维混料机上混合均匀，煅烧温度为900℃，保温时间为4h；
(2)将煅烧后的Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷，加入去离子水作为球磨介质，二次球磨10小时后，经过过筛，得到D50为1μm的Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷粉体；
(3)将片状云母粉体置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(4)将Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为陶瓷的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(5)将Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷：片状云母以95wt％：5wt％进行混合，置于三维混料机中混合均匀后加入酒精、粘结剂，浆料置于流延机中，在60℃范围内流延，得到流延膜带；
(6)将上述流延膜带进行叠层热等静压成型，热等静压温度为75℃，热等静压压力为70MPa，再经850℃烧结2小时，最终得到低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
实施例9
(1)将SrCO3粉、Al2O3粉、K2CO3粉、B2O3粉按Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷混合均匀，在三维混料机上混合均匀，煅烧温度为900℃，保温时间为4h；
(2)将煅烧后的Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷，加入去离子水作为球磨介质，二次球磨10小时后，经过过筛，得到D50为1μm的Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷粉体；
(3)将片状云母粉体置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(4)将Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为陶瓷的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(5)将Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷：片状云母以80wt％：20wt％进行混合，置于三维混料机中混合均匀后加入酒精、粘结剂，浆料置于流延机中，在60℃范围内流延，得到流延膜带；
(6)将上述流延膜带进行叠层热等静压成型，热等静压温度为75℃，热等静压压力为70MPa，再经850℃烧结2小时，最终得到低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
实施例10
(1)将SrCO3粉、Al2O3粉、K2CO3粉、B2O3粉按Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷混合均匀，在三维混料机上混合均匀，煅烧温度为900℃，保温时间为4h；
(2)将煅烧后的Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷，加入去离子水作为球磨介质，二次球磨10小时后，经过过筛，得到D50为1μm的Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷粉体；
(3)将片状云母粉体置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(4)将Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为陶瓷的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(5)将Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷：片状云母以85wt％：15wt％进行混合，置于三维混料机中混合均匀后加入酒精、粘结剂，浆料置于流延机中，在60℃范围内流延，得到流延膜带；
(6)将上述流延膜带进行叠层热等静压成型，热等静压温度为75℃，热等静压压力为70MPa，再经850℃烧结2小时，最终得到低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
实施例11
(1)将SrCO3粉、Al2O3粉、K2CO3粉、B2O3粉按Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷混合均匀，在三维混料机上混合均匀，煅烧温度为900℃，保温时间为4h；
(2)将煅烧后的Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷，加入去离子水作为球磨介质，二次球磨10小时后，经过过筛，得到D50为1μm的Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷粉体；
(3)将片状云母粉体置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(4)将Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为陶瓷的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(5)将Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷：片状云母以90wt％：10wt％进行混合，置于三维混料机中混合均匀后加入酒精、粘结剂，浆料置于流延机中，在60℃范围内流延，得到流延膜带；
(6)将上述流延膜带进行叠层热等静压成型，热等静压温度为75℃，热等静压压力为70MPa，再经850℃烧结2小时，最终得到低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
实施例12
(1)将SrCO3粉、Al2O3粉、K2CO3粉、B2O3粉按Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷混合均匀，在三维混料机上混合均匀，煅烧温度为900℃，保温时间为4h；
(2)将煅烧后的Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷，加入去离子水作为球磨介质，二次球磨10小时后，经过过筛，得到D50为1μm的Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷粉体；
(3)将片状云母粉体置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(4)将Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为陶瓷的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(5)将Sr0.7K0.6Al2B2O7陶瓷：片状云母以95wt％：5wt％进行混合，置于三维混料机中混合均匀后加入酒精、粘结剂，浆料置于流延机中，在60℃范围内流延，得到流延膜带；
(6)将上述流延膜带进行叠层热等静压成型，热等静压温度为75℃，热等静压压力为70MPa，再经850℃烧结2小时，最终得到低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
实施例13
(1)将SrCO3粉、Al2O3粉、K2CO3粉、B2O3粉按Sr0.6K0.8Al2B2O7陶瓷混合均匀，在三维混料机上混合均匀，煅烧温度为900℃，保温时间为4h；
(2)将煅烧后的Sr0.6K0.8Al2B2O7陶瓷，加入去离子水作为球磨介质，二次球磨10小时后，经过过筛，得到D50为1μm的Sr0.6K0.8AlB2O7陶瓷粉体；
(3)将片状云母粉体置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(4)将Sr0.6K0.8Al2B2O7陶瓷置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为陶瓷的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(5)将Sr0.6K0.8Al2B2O7陶瓷：片状云母以80wt％：20wt％进行混合，置于三维混料机中混合均匀后加入酒精、粘结剂，浆料置于流延机中，在60℃范围内流延，得到流延膜带；
(6)将上述流延膜带进行叠层热等静压成型，热等静压温度为75℃，热等静压压力为70MPa，再经850℃烧结2小时，最终得到低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
实施例14
(1)将SrCO3粉、Al2O3粉、K2CO3粉、B2O3粉按Sr0.6K0.8Al2B2O7陶瓷混合均匀，在三维混料机上混合均匀，煅烧温度为900℃，保温时间为4h；
(2)将煅烧后的Sr0.6K0.8Al2B2O7陶瓷，加入去离子水作为球磨介质，二次球磨10小时后，经过过筛，得到D50为1μm的Sr0.6K0.8AlB2O7陶瓷粉体；
(3)将片状云母粉体置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(4)将Sr0.6K0.8Al2B2O7陶瓷置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为陶瓷的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(5)将Sr0.6K0.8Al2B2O7陶瓷：片状云母以85wt％：15wt％进行混合，置于三维混料机中混合均匀后加入酒精、粘结剂，浆料置于流延机中，在60℃范围内流延，得到流延膜带；
(6)将上述流延膜带进行叠层热等静压成型，热等静压温度为75℃，热等静压压力为70MPa，再经850℃烧结2小时，最终得到低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
实施例15
(1)将SrCO3粉、Al2O3粉、K2CO3粉、B2O3粉按Sr0.6K0.8Al2B2O7陶瓷混合均匀，在三维混料机上混合均匀，煅烧温度为900℃，保温时间为4h；
(2)将煅烧后的Sr0.6K0.8Al2B2O7陶瓷，加入去离子水作为球磨介质，二次球磨10小时后，经过过筛，得到D50为1μm的Sr0.6K0.8Al2B2O7陶瓷粉体；
(3)将片状云母粉体置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(4)将Sr0.6K0.8Al2B2O7陶瓷置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为陶瓷的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(5)将Sr0.6K0.8Al2B2O7陶瓷：片状云母以90wt％：10wt％进行混合，置于三维混料机中混合均匀后加入酒精、粘结剂，浆料置于流延机中，在60℃范围内流延，得到流延膜带；
(6)将上述流延膜带进行叠层热等静压成型，热等静压温度为75℃，热等静压压力为70MPa，再经850℃烧结2小时，最终得到低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
实施例16
(1)将SrCO3粉、Al2O3粉、K2CO3粉、B2O3粉按Sr0.6K0.8Al2B2O7陶瓷混合均匀，在三维混料机上混合均匀，煅烧温度为900℃，保温时间为4h；
(2)将煅烧后的Sr0.6K0.8Al2B2O7陶瓷，加入去离子水作为球磨介质，二次球磨10小时后，经过过筛，得到D50为1μm的Sr0.6K0.8Al2B2O7陶瓷粉体；
(3)将片状云母粉体置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(4)将Sr0.6K0.8Al2B2O7陶瓷置于浓度为10％的聚硅氮烷溶液中，聚硅氮烷总量为陶瓷的1wt％，磁力搅拌5小时，再经过抽滤后，120℃烘干；
(5)将Sr0.6K0.8Al2B2O7陶瓷：片状云母以95wt％：5wt％进行混合，置于三维混料机中混合均匀后加入酒精、粘结剂，浆料置于流延机中，在60℃范围内流延，得到流延膜带；
(6)将上述流延膜带进行叠层热等静压成型，热等静压温度为75℃，热等静压压力为70MPa，再经850℃烧结2小时，最终得到低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
实施例17
本实施例17中低温烧结材料的制备过程参照实施例1，区别在于：陶瓷分子式为SrAl2B2O7。
实施例18
本实施例18中低温烧结材料的制备过程参照实施例1，区别在于：片状云母粉含量为0wt％。
实施例19
本实施例19中低温烧结材料的制备过程参照实施例1，区别在于：片状云母粉含量为25wt％。
实施例20
本实施例20中低温烧结材料的制备过程参照实施例1，区别在于：步骤(3)中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的0wt％；步骤(4)中，聚硅氮烷的添加量为陶瓷粉质量的1wt％。
实施例21
本实施例21中低温烧结材料的制备过程参照实施例1，区别在于：步骤(3)中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的1wt％；步骤(4)中，聚硅氮烷的添加量为陶瓷粉质量的0wt％。
实施例22
本实施例22中低温烧结材料的制备过程参照实施例1，区别在于：步骤(3)中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的0wt％；步骤(4)中，聚硅氮烷的添加量为陶瓷粉质量的0wt％。
实施例23
本实施例23中低温烧结材料的制备过程参照实施例1，区别在于：步骤(3)中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的0wt％；步骤(4)中，聚硅氮烷的添加量为陶瓷粉质量的2wt％。
实施例24
本实施例24中低温烧结材料的制备过程参照实施例1，区别在于：步骤(3)中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的2wt％；步骤(4)中，聚硅氮烷的添加量为陶瓷粉质量的0wt％。
实施例25
本实施例25中低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料的制备过程参照实施例1，区别在于：陶瓷Sr0.9K0.2Al2B2O7添加量少量为70wt％。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
实施例26
本实施例26中低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料的制备过程参照实施例1，区别在于：步骤(3)中，聚硅氮烷总量为片状云母粉体的2wt％；步骤(4)中，聚硅氮烷的添加量为陶瓷粉质量的2wt％。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
对比例1
本对比例1中低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料的制备过程参照实施例1，区别在于：陶瓷分子式为Sr0.5KAl2B2O7。工艺参数列于表2，最终得到基板材料其性能测试结果如表2所示。
表1为低介电常数、低介电损耗、高强度的低温烧结材料的制备及组成：
。
表2为高强度低温烧结材料的性能参数：
。
Claims (9)
1.一种低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料，其特征在于，包括：Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷相基体、以及分散在Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷相基体中的片状云母相，其中0＜x≤0.4；所述片状云母相的质量为低温烧结材料总质量的30%以下且不为0；
所述片状云母相为采用改性剂溶液改性片状云母粉体得到改性后的片状云母粉体；其中将片状云母粉体置于改性剂溶液中，经磁力搅拌、抽滤和烘干，得到改性后的片状云母粉体；所述改性剂溶液中改性剂为聚硅氮烷；所述改性剂溶液的浓度为10～20wt%；所述改性剂的总量为片状云母粉体质量的5wt%以下且不为0；
所述Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷相基体为采用改性剂溶液改性Sr(1-x)K2xAl2B2O7粉体得到改性后的Sr(1-x)K2xAl2B2O7粉体；其中将Sr(1-x)K2xAl2B2O7粉体置于改性剂溶液中，经磁力搅拌、抽滤和烘干，得到改性后的Sr(1-x)K2xAl2B2O7粉体；所述改性剂溶液中改性剂为聚硅氮烷；所述改性剂溶液的浓度为10～20wt%；所述改性剂的总量为Sr(1-x)K2xAl2B2O7粉体质量的5wt%且不为0。
2.根据权利要求1所述的低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料，其特征在于，所述片状云母相的直径为5～50μm，厚度为0.1～2μm。
3.根据权利要求1所述的低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料，其特征在于，所述Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷相基体的质量为低温烧结材料总质量的60%以上且小于100%。
4.根据权利要求3所述的低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料，其特征在于，所述Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷相基体的质量为低温烧结材料总质量的80以上且小于100%。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料，其特征在于，所述低温烧结材料的介电常数为5～7，介电损耗低于5×10-3（10GHz）；
所述低温烧结材料的抗弯强度为250～350MPa；
所述低温烧结材料的温度系数为0±30ppm/℃。
6.一种如权利要求1-5中任一项所述的低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料的制备方法，其特征在于，包括：
（1）将改性后的片状云母粉体、改性后的Sr(1-x)K2xAl2B2O7粉体、溶剂和粘结剂混合，再经流延成型，得到Sr(1-x)K2xAl2B2O7/片状云母膜带；
（2）将多个Sr(1-x)K2xAl2B2O7/片状云母膜带叠层后热等静压成型，然后在800～950℃下烧结，得到Sr(1-x)K2xAl2B2O7陶瓷/片状云母低温烧结材料；
其中，采用改性剂溶液改性片状云母粉体，得到改性后的片状云母粉体；将片状云母粉体置于改性剂溶液中，经磁力搅拌、抽滤和烘干，得到改性后的片状云母粉体；所述改性剂溶液中改性剂为聚硅氮烷；所述改性剂溶液的浓度为10～20wt%；所述改性剂的总量为片状云母粉体质量的5wt%以下且不为0；
采用改性剂溶液改性Sr(1-x)K2xAl2B2O7粉体，得到改性后的Sr(1-x)K2xAl2B2O7粉体；将Sr(1-x)K2xAl2B2O7粉体置于改性剂溶液中，经磁力搅拌、抽滤和烘干，得到改性后的Sr(1-x)K2xAl2B2O7粉体；所述改性剂溶液中改性剂为聚硅氮烷；所述改性剂溶液的浓度为10～20wt%；所述改性剂的总量为Sr(1-x)K2xAl2B2O7粉体质量的5wt%以下且不为0。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述磁力搅拌的转速为200～400转/分钟，时间为2～10小时；所述烘干的温度为70～130℃，时间为2～10小时。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述流延成型的温度为50～70℃，所用刮刀厚度为100～600μm；
所述热等静压成型的热等静压温度为50～85℃，热等静压压力为30～70MPa；
所述烧结的时间为1～4小时。
9.一种如权利要求1-5中任一项所述的低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料在移动通讯中应用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211642031.8A CN115959915B (zh) | 2022-12-20 | 2022-12-20 | 一种低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211642031.8A CN115959915B (zh) | 2022-12-20 | 2022-12-20 | 一种低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料及其制备方法和应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115959915A CN115959915A (zh) | 2023-04-14 |
| CN115959915B true CN115959915B (zh) | 2023-12-08 |
Family
ID=87362937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211642031.8A Active CN115959915B (zh) | 2022-12-20 | 2022-12-20 | 一种低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115959915B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06127977A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-05-10 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 低誘電率高強度ガラスセラミックス組成物 |
| JP2003155479A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Konica Corp | 蛍光体およびそれを用いた真空紫外線励起発光素子 |
| CN101230485A (zh) * | 2007-01-26 | 2008-07-30 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法 |
| CN105802617A (zh) * | 2016-04-07 | 2016-07-27 | 上海应用技术学院 | 一种提高SrAl2B2O7:Tb3+绿色荧光粉发光性能的方法 |
| CN110128114A (zh) * | 2019-05-09 | 2019-08-16 | 深圳市信维通信股份有限公司 | 一种低温共烧陶瓷介质材料及其制备方法 |
-
2022
- 2022-12-20 CN CN202211642031.8A patent/CN115959915B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06127977A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-05-10 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 低誘電率高強度ガラスセラミックス組成物 |
| JP2003155479A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Konica Corp | 蛍光体およびそれを用いた真空紫外線励起発光素子 |
| CN101230485A (zh) * | 2007-01-26 | 2008-07-30 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法 |
| CN105802617A (zh) * | 2016-04-07 | 2016-07-27 | 上海应用技术学院 | 一种提高SrAl2B2O7:Tb3+绿色荧光粉发光性能的方法 |
| CN110128114A (zh) * | 2019-05-09 | 2019-08-16 | 深圳市信维通信股份有限公司 | 一种低温共烧陶瓷介质材料及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 电子基板用玻璃/陶瓷复合材料的低温共烧与性能;梁琦;肖东;林慧兴;孟范成;;现代技术陶瓷(第02期);全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115959915A (zh) | 2023-04-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108570202B (zh) | 聚四氟乙烯复合基板材料的制备方法 | |
| CN101981631A (zh) | 复合材料及其制造方法 | |
| JP6616653B2 (ja) | 電磁波吸収体及び膜形成用ペースト | |
| CN102643543A (zh) | 复合电介质材料、采用其制作的覆铜箔半固化片以及覆铜箔层压板 | |
| CN109650871B (zh) | 一种ZnAl2O4陶瓷体系材料及其制备方法 | |
| CN109337409B (zh) | 一种改性六方氮化硼粉体及其制备方法和应用 | |
| CN103811149B (zh) | 滤波器芯片元件及其制备方法 | |
| KR20210005691A (ko) | 전파 흡수 적층 필름, 그 제조 방법, 및 그것을 포함하는 소자 | |
| CN104016664A (zh) | 一种低介电常数微波陶瓷材料的制备方法 | |
| WO2004102589A1 (ja) | 絶縁材料、フィルム、回路基板及びこれらの製造方法 | |
| CN101717245A (zh) | 一种低温共烧陶瓷基板材料及其制备方法 | |
| Alias | Structural and dielectric properties of glass-ceramic substrate with varied sintering temperatures | |
| CN115557783B (zh) | 一种低膨胀低介电常数低损耗的低温共烧材料及其制备方法 | |
| CN113150484B (zh) | 一种用于高频覆铜板的coc基复合基板材料及制备方法 | |
| CN115959915B (zh) | 一种低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料及其制备方法和应用 | |
| JP2019527667A (ja) | セラミックとポリマーとの複合材、その作製方法および使用 | |
| CN100351203C (zh) | 陶瓷基板用组合物、陶瓷基板、陶瓷基板的制造方法及玻璃组合物 | |
| KR20230073189A (ko) | 전자기파 노이즈 억제 시트 및 고주파 전자 장치 | |
| KR101088632B1 (ko) | 비아 페이스트 조성물 | |
| KR101573372B1 (ko) | 저온 경화형 도전성 페이스트 조성물 및 그 제조방법 | |
| CN111303626A (zh) | 5g天线柔性绝缘散热片及其制备工艺 | |
| CN115557784B (zh) | 一种mzta陶瓷材料及其制备方法和应用 | |
| JP2007048703A (ja) | 複合誘電体材料及びこれを用いたプリプレグ、金属箔塗工物、成形体、複合誘電体基板、多層基板 | |
| CN115557788B (zh) | 一种BSZT/BBSMZ/片状Al2O3低温共烧材料及其制备方法 | |
| JP2015229772A (ja) | 熱伝導性ペーストの製造と製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |