CN101230485A - 一种去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 144
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 title abstract description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title abstract 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 41
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 22
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 16
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 3
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 34
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 12
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008676 import Effects 0.000 description 6
- 229910015999 BaAl Inorganic materials 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910003668 SrAl Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- -1 CH 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
一种去除紫外吸收的含铝光学晶体生长方法，将高纯度含Al、B和M化合物与NaF混配后置入坩埚中，M为K、Na、Rb、Ca、Sr、Ba、Y或Yb；升温至完全熔化；转移至密闭的还原性气体氛围生长炉中生长；在饱和温度以上5～20℃引入籽晶，恒温10～30分钟后，降至饱和温度；待晶体长至所需尺度，使晶体脱离液面，以不大于30℃/h速率降至室温，取出晶体。该方法采用高纯度原料并在还原性气体氛围中生长晶体，有效地消除了晶体在紫外区域的非本征吸收，266nm吸收系数降至0.1cm－1以下，为在Nd－基激光四倍频266nm和频193nm谐波光输出器件的应用扫清了障碍。
Description
技术领域
本发明涉及一种光学晶体的生长方法，特别涉及一种去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法，该方法可以去除由于晶体中的过渡金属杂质离子产生的紫外非本征吸收。
背景技术
近年来全固态紫外激光器得到了飞速发展，紫外光源在军事、医疗、光刻技术上有广泛应用，如何获得高功率的紫外输出一直是人们研究的重点。许多优秀的非线性光学晶体，如K2Al2B2O7[1]，BaAl2B2O7[2]，BaAlBO3F2[3]，YAl3(BO3)4[4]，YbAl3(BO3)4[5]等，可通过激光倍频和和频的方法实现紫外谐波光输出，产生Nd:YAG四倍频(266nm)、五倍频(213nm)或者更短的谐波光输出。然而，通过测量这类晶体的透过光谱或粉末的反射光谱发现，这类化合物在200-300nm之间均存在不同程度的光学吸收，下面以K2Al2B2O7为例进行说明。
在非线性光学晶体材料中，化学式为K2Al2B2O7(简称KABO)的非线性光学晶体，具有优秀的非线性光学性质，它属于空间群P321，倍频系数d11＝0.45pm/V，透过光谱范围在3600-180nm之间，可实现Nd:YAG激光四倍频(266nm)，其最短倍频波输出波长为225.5nm，而且此晶体还可通过和频方法实现193nm谐波光输出。此晶体使用于Nd-基激光的四倍频谐波光的输出器件中，与BBO(β-BaB2O4)和CLBO(CsLiB6O10)晶体相比较，它的优势在于：BBO在266nm和193nm波段受到光折变效应的影响，CLBO在室温下容易潮解，而KABO晶体恰无上述两个缺点。同时此晶体易于生长，并具有良好的机械加工性能。因此有望取代BBO、CLBO在四倍频266nm及和频193nm中的应用。但是，KABO存在的最大问题是在200-300nm波段产生非本征吸收，严重影响了四倍频谐波光输出功率。如文献[6]中介绍的，当KABO晶体长度超过4.5mm，在200-300nm波段就有超过85％的输出光波能量被晶体吸收。根据公式e-αl＝T，其中l为晶体的厚度，α为晶体的吸收系数。扣除两个表面的光反射约10％(在266nm波段)的损耗，计算出此晶体在266nm波段吸收系数为2.7cm-1(后面计算的吸收系数都是按照这个公式，都指的是266nm波段的吸收系数)。由于KABO晶体紫外吸收比较严重，从而使此晶体不能获得Nd-基激光四倍频的有效功率输出，限制了它的应用。图1示出了多块KABO晶体的紫外透过图谱(归一至d＝1mm)，透过率大小参差不齐，吸收系数随不同晶体有很大的变化。然而到目前为止，引起吸收的原因还不清楚，也没有找到合适的去除吸收的方法。
另外两种晶体，BaAlBO3F2的紫外截止波长位于165nm，YAl3(BO3)4的紫外截止波长也位于160nm，但是在200～300nm区域都出现了非本征吸收，透过光谱与KABO晶体的光谱类似，也限制了它们作为紫外非线性光学晶体的应用。图2示出了BaAlBO3F2晶体的紫外透过光谱。
发明内容
本发明的目的在于寻找晶体产生紫外非本征吸收的原因，提供一种去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法。
以K2Al2B2O7等晶体为例，如文献[7]Doris Ehrt，“UV-absorption and radiationeffects in different glasses doped with iron and tin in the ppm range”C.R.Chimie5(2002)679-692中介绍的掺杂Fe的硼酸盐玻璃的紫外吸收光谱，Fe3+在200-300nm波段会产生吸收，与K2Al2B2O7晶体的紫外吸收光谱有相似之处。本发明采用一系列生长条件、结合杂质元素含量分析(ICP-AES)等测试手段，确定了KABO紫外吸收的原因是杂质Fe3+产生的。当全部采用分析纯原料生长晶体时，所得到的晶体中杂质Fe含量较高，导致厚度为1mm的晶体在270nm波段的透过率接近零(图3)；为了降低Fe的含量，采用高纯原料进行晶体生长，并对生长炉膛进行清洁处理，生长出吸收系数为1.0cm-1的K2Al2B2O7晶体。按照相位匹配方向切出5×5×4.36mm3的KABO器件并进行Nd:YAG激光四倍频实验，266nm谐波光输出效率达26％，大大高于以前3.6mm长的晶体所获得的13％的谐波光转换效率。但是采用高纯原料后，仍然很难使吸收系数(α266nm)降低至1.0cm-1以下。所以，本发明的方法采取在还原性气氛中进行晶体生长，使高价杂质金属离子被还原成低价态，从而达到去除紫外吸收的目的；在还原性气氛下生长的KABO晶体的紫外透过图谱如图4所示，已经成功去除了300-200nm的非本征吸收，为这种晶体在Nd-基激光的四倍频(266nm)和和频193nm谐波光应用方面扫清了障碍。
本发明的技术方案如下：
本发明提供的可去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法，包括如下步骤：
1)配料：
将纯度为99.9％-99.999％的高纯度含Al化合物、含B化合物和含M化合物按其所含Al∶B∶M摩尔比为1∶(1～1.2)∶(0.5～1)的比例配料，或者按Al∶B∶M摩尔比为3∶(4～4.2)∶1的比例配料，并进行固相合成反应分别生成M2Al2B2O7、MAl2B2O7或者MAl3(BO3)4之后，再与NaF按摩尔比1∶(1.5～2)比例混合配料；
或者将纯度为99.9％-99.999％的高纯度含Al化合物、含B化合物、含M化合物和NaF按其所含Al∶B∶M∶NaF摩尔比为1∶(1～1.2)∶(0.5～1)∶(1.5～2)的比例配料或者摩尔比为3∶(4～4.2)∶1∶(1.5～2)的比例配料；
所述含Al化合物为Al2O3；
所述含B化合物为B2O3或H3BO3；
所述含M化合物为M的氧化物M2O、MO或M2O3；
或者为含M的碳酸盐M2CO3或MCO3；
或者为含M的氟化物MF2其中M为K、Na、Rb、Ca、Sr、Ba、Y或Yb；
2)下籽晶并进行晶体生长：
将上述混配料研磨混合均匀后置入铂金坩埚中，在马弗炉中缓慢升温至400℃～600℃，并恒温10小时以上，再升温至900℃～1000℃，使混配料熔化生成熔体，再冷却至室温；坩埚置于普通电阻炉中，升温进行搅拌24～48小时，使溶液混合均匀。搅拌完毕，冷却下来。
将上述冷却后的铂金坩埚，置于密闭的提拉炉或者密闭的竖直管式高温电阻炉炉膛中，缓慢抽真空，然后往炉膛里注入还原性气体，使炉膛保持(0～0.2)的正压。升温使得熔体熔化，在高温下放置几个小时使得熔体混合均匀，然后降温至饱和温度以上5～20℃；将已固定在籽晶杆上的籽晶缓慢地引入至熔体表面或熔体中，恒温10～30分钟后，降温至饱和温度，进行晶体生长；
在晶体生长过程中，以饱和温度作为降温的起始温度，以0.1～0.5℃/天的速率降温，同时以10-30转/分的速率旋转晶体，在800℃～1000 ℃进行晶体生长；
所述还原性气体包括所有具有还原性或弱还原性质的气体，主要包括H2、N2、Ar、CO、CH4、NH3其中的任一种气体或几种气体的混合气体；或者为H2的体积比含量在0～100％范围内的与上述气体混合的混合气体；或者为H2的体积比含量为0～5％的与上述多种气体混合的混合气体；
3)待晶体生长到所需尺度后，提升籽晶杆，使晶体脱离液面，并以不大于30℃/h的速率降温至室温，便得到去除紫外吸收的含铝光学晶体。
本发明的关键技术在于：所采用的原料纯度为99.9％-99.999％的高纯度原料，而且在晶体生长过程中，密闭的炉膛里始终流通着还原性气体，这里包括所有具有还原性或弱还原性的气体，举例来说，常见的有N2、Ar、CO、H2、CH4等，通入密闭炉膛里的气体可以是所有还原性气体中的一种或几种的混合气体；该条件下生长的晶体，足以保证金属杂质离子被还原成低价态，从而可去除光学晶体中的紫外非本征吸收。
本发明提供的去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法，具有普遍性，仅通过提高原料纯度，很难完全去除晶体中的杂质离子，必须在还原性气氛下进行晶体生长，才能达到去除紫外吸收的目的，以K2Al2B2O7为例：
1)可以稳定地生长出K2Al2B2O7晶体。如果使用大尺寸坩埚，适当延长生长周期，还可获得相应较大尺寸的单晶体；
2)可以彻底去除晶体的紫外非本征吸收；
3)可以大大提高K2Al2B2O7晶体作为Nd-基激光四倍频266nm和和频193nm器件的性能，我们采用4.36mm长度的晶体(吸收系数约1.2cm-1)已经获得Nd:YAG激光四倍频的输出效率(指从532nm→266nm的倍频转换效率)达26％，高于以前3.6mm晶体的输出效率13％；如果进一步去除紫外吸收，有望获得更高功率的四倍频谐波光输出；
4)该工艺生长晶体对设备要求比在空气中生长晶体要求高，但操作仍很简单。
具体实施方式
实施例1：
准备密闭的竖直管式高温电阻炉，准备100％N2的还原性气体。
以99.99％纯度的Al2O3、H3BO3、K2CO3、NaF为原料，按摩尔比Al2O3∶H3BO3∶K2CO3∶NaF＝1∶2.0∶1∶2配料，称取51克Al2O3、62克H3BO3、69克K2CO3、42克NaF，原料中硼酸可用相应量的氧化硼替换，K2CO3可以用K2O代替。将称取的原料研磨混合均匀后置于Φ60mm×70mm的铂坩埚中，放入马弗炉升温至500℃，恒温12小时，再升温至940℃，使原料分批熔于铂坩埚中，熔料完毕冷却下来。把盛有上述熔料的坩埚放入竖直式单晶生长炉中，快速升温至950℃，使上述熔料完全熔化，该温度下恒温24～48小时，同时进行搅拌，使高温溶液充分均化。搅拌完毕，将坩埚转移至密闭竖直管式高温电阻炉中进行晶体生长。首先，电阻炉里抽真空，再注入还原性气体(100％N2)，并缓慢升温至950℃使原料熔化。用籽晶尝试法确定晶体生长的饱和温度为860℃，将上述高温溶液降温至870℃，将K2Al2B2O7籽晶缓慢地导入坩埚上方，籽晶接触液面，籽晶以20转/分的速率旋转，恒温15分钟后，降温至饱和温度，然后以0.1℃/天的速率降温，进行晶体生长。待晶体生长结束后，使晶体脱离液面，以20℃/小时速率降至室温，获得K2Al2B2O7晶体。KABO晶体的紫外透过图谱如图4所示，可见，在200～300nm范围以内，已经消除了如图1所示的非本征吸收，在266nm处的吸收系数可以降低至0.1cm-1，可以大大提高Nd:YAG激光四倍频的输出功率。以上方案同样适合密闭的提拉炉，如果K的氧化物或碳酸盐替换成Na、Rb的氧化物或碳酸盐，就是Na2Al2B2O7、Rb2Al2B2O7的晶体生长，如果K的氧化物或碳酸盐替换成Ca、Sr、Ba的氧化物或碳酸盐，就是CaAl2B2O7、SrAl2B2O7、BaAl2B2O7的晶体生长，过程是类似的。
实施例2：
准备密闭的竖直管式高温电阻炉，准备(98％N2+2％H2)的还原性气体。
以99.9％纯度的Al2O3、H3BO3、K2CO3、NaF为原料，按摩尔比Al2O3∶H3BO3∶K2CO3∶NaF＝1∶2.2∶1∶1.8配料，称取51克Al2O3、68克H3BO3、69克K2CO3、38克NaF，原料中硼酸可用相应量的氧化硼替换，K2CO3可以用K2O代替。将称取的原料研磨混合均匀后置于Φ60mm×70mm的铂坩埚中，放入马弗炉升温至500℃，恒温12小时，再升温至950℃，使原料分批熔于铂坩埚中，熔料完毕冷却下来。把盛有上述熔料的坩埚放入竖直式单晶生长炉中，快速升温至960℃，使上述熔料完全熔化，该温度下恒温24小时，同时进行搅拌，使高温溶液充分均化。搅拌完毕，将坩埚转移至密闭竖直管式电阻炉中进行晶体生长。首先，电阻炉里抽真空，再注入还原性气体(98％N2+2％H2)，并缓慢升温至950℃使原料熔化。用籽晶尝试法寻找晶体生长的饱和温度为850℃，将上述高温溶液降温至860℃，将K2Al2B2O7籽晶缓慢导入坩埚上方，使之接触液面，籽晶以25转/分的速率旋转，恒温15分钟，降温至850℃，然后以0.1℃/天的速率降温，进行晶体生长。待晶体生长结束后，使晶体脱离液面，以25℃/小时速率降至室温，获得K2Al2B2O7晶体。KABO晶体的紫外透过图谱如图4所示，可见，在200～300nm范围以内，已经消除了如图1所示的非本征吸收，在266nm处的吸收系数可以降低至0.1cm-1，可以大大提高Nd:YAG四倍频激光的输出功率。以上方案同样适合密闭的提拉炉，如果K的氧化物或碳酸盐替换成Na、Rb的氧化物或碳酸盐，就是Na2Al2B2O7、Rb2Al2B2O7的晶体生长，如果K的氧化物或碳酸盐替换成Ca、Sr、Ba的氧化物或碳酸盐，就是CaAl2B2O7、SrAl2B2O7、BaAl2B2O7的晶体生长，过程是类似的。
实施例3：
准备密闭的竖直管式高温电阻炉，准备(97％N2+3％H2)的还原性气体。
以99.999％纯度的Al2O3、H3BO3、K2CO3、NaF为原料，按摩尔比Al2O3∶H3BO3∶K2CO3∶NaF＝1∶2.1∶1∶1.7配料，称取51克Al2O3、65克H3BO3、69克K2CO3、36克NaF，原料中硼酸可用相应量的氧化硼替换，K2CO3可以用K2O代替。将称取的原料研磨混合均匀后置于Φ60mm×70mm的铂坩埚中，放入马弗炉升温至500℃，恒温15小时，再升温至960℃，将原料分批熔于铂坩埚中，熔料完毕冷却下来。把盛有上述熔料的坩埚放入竖直式单晶生长炉中，快速升温至980℃，使上述熔料完全熔化，该温度下恒温24小时，同时进行搅拌，使高温溶液充分均化。搅拌完毕，将坩埚转移至密闭竖直管式电阻炉中进行晶体生长。首先，电阻炉里抽真空，再注入还原性气体(97％N2+3％H2)，并缓慢升温至940℃使原料熔化。用籽晶尝试法寻找晶体生长的饱和温度为835℃，将上述高温溶液降温至850℃，将K2Al2B2O7籽晶缓慢地导入坩埚上方，使之部分浸没于溶液中，籽晶以30转/分的速率旋转，恒温15分钟，降温至835℃，然后以0.1℃/天的速率降温，进行晶体生长。待晶体生长结束后，使晶体脱离液面，以20℃/小时速率降至室温，获得K2Al2B2O7晶体。KABO晶体的紫外透过图谱如图4所示，可见，在200～300nm范围以内，已经消除了如图1所示的非本征吸收，在266nm处的吸收系数可以降低至0.1cm-1，可以大大提高Nd:YAG激光四倍频的输出功率。以上方案同样适合密闭的提拉炉，如果K的氧化物或碳酸盐替换成Na、Rb的氧化物或碳酸盐，就是Na2Al2B2O7、Rb2Al2B2O7的晶体生长；如果K的氧化物或碳酸盐替换成Ca、Sr、Ba的氧化物或碳酸盐，就是CaAl2B2O7、SrAl2B2O7、BaAl2B2O7的晶体生长，过程是类似的。
实施例4：准备密闭的竖直管式高温电阻炉，准备(95％Ar+5％H2)的还原性气体。
以99.99％纯度的Al2O3、B2O3、BaF2、NaF为原料，按摩尔比Al2O3∶B2O3∶BaF2∶NaF＝1∶1.1∶2∶2进行配料，称取51克Al2O3、39克B2O3、175克BaF2，42克NaF，原料中氧化硼可用相应量的硼酸替换。将称取的原料研磨混合均匀后置于Φ60mm×70mm的铂坩埚中，放入马弗炉升温至500℃，恒温10小时，再升温至950℃。将原料分批熔于铂坩埚中，熔料完毕冷却下来。把盛有上述熔料的坩埚放入竖直式单晶生长炉中，快速升温至980℃，使上述熔料完全熔化，在该温度下恒温30小时，同时进行搅拌，使高温溶液充分均化。搅拌完毕，将坩埚转移至密闭竖直管式电阻炉中进行晶体生长。首先，电阻炉里抽真空，再注入还原性气体(95％Ar+5％H2)，并缓慢升温至955℃使原料熔化。用籽晶尝试法寻找晶体生长的饱和温度为860℃，将上述高温溶液降温至875℃，将BaAlBO3F2籽晶缓慢的导入坩埚上方，使之完全浸没于溶液中，籽晶以25转/分的速率旋转，恒温15分钟，降温至860℃，然后以0.1℃/天的速率降温，进行晶体生长。待晶体生长结束后，使晶体脱离液面，以20℃/小时速率降至室温，获得BaAlBO3F2晶体。以上方案同样适合密闭的提拉炉。这样生长的BaAlBO3F2晶体消除了200～300nm范围的非本征吸收，透过光谱与图4类似。
实施例5：准备密闭的竖直管式高温电阻炉，准备(95％N2+5％H2)的还原性气体。
以99.9％纯度的Al2O3、B2O3、BaF2、NaF为原料，按摩尔比Al2O3∶B2O3∶BaF2∶NaF＝1∶1.2∶2∶3进行配料，称取51克Al2O3、42克B2O3、175克BaF2，60克NaF，原料中氧化硼可用相应量的硼酸替换。将称取的原料研磨混合均匀后置于Φ60mm×70mm的铂坩埚中，放入马弗炉升温至500℃，恒温12小时，再升温至970℃。将原料分批熔于铂坩埚中，熔料完毕冷却下来。把盛有上述熔料的坩埚放入竖直式单晶生长炉中，快速升温至990℃，使上述熔料完全熔化，该温度下恒温24小时，同时进行搅拌，使高温溶液充分均化。搅拌完毕，将坩埚转移至密闭竖直管式电阻炉中进行晶体生长。首先，电阻炉里抽真空，再注入还原性气体(95％N2+5％H2)，并缓慢升温至950℃使原料熔化。用籽晶尝试法寻找晶体生长的饱和温度为850℃，将上述高温溶液降温至865℃，将BaAlBO3F2籽晶缓慢地导入坩埚上方，使之接触液面，籽晶以20转/分的速率旋转，恒温20分钟后降温至850℃，然后以0.1℃/天的速率降温，进行晶体生长。待晶体生长结束后，使晶体脱离液面，以20℃/小时速率降至室温，获得BaAlBO3F2晶体。以上方案同样适合密闭的提拉炉。这样生长的BaAlBO3F2晶体消除了200～300nm范围的非本征吸收，透过光谱与图4类似。
实施例6：准备密闭的提拉炉，准备(96％N2+4％H2)的还原性气体。
以99.99％纯度的Al2O3、B2O3、Y2O3、NaF为原料，按摩尔比Al2O3∶B2O3∶Y2O3∶NaF＝3∶4∶1∶4.5进行配料，称取61.2克Al2O3、56克B2O3、46克Y2O3、38克NaF，原料中氧化硼可用相应量的硼酸替换。将称取的原料研磨混合均匀后置于Φ60mm×70mm的铂坩埚中，放入马弗炉升温至550℃，恒温12小时，再升温至960℃。将原料分批熔于铂坩埚中，熔料完毕冷却下来。把盛有上述熔料的坩埚放入竖直式单晶生长炉中，快速升温至1000℃，使上述熔料完全熔化，该温度下恒温28小时，同时进行搅拌，使高温溶液充分均化。搅拌完毕，将坩埚转移至密闭竖直管式电阻炉中进行晶体生长。首先，电阻炉里抽真空，再注入还原性气体(96％N2+4％H2)，并缓慢升温至955℃使原料熔化。用籽晶尝试法寻找晶体生长的饱和温度为870℃，将上述高温溶液降温至890℃，将YAl3(BO3)4籽晶缓慢地导入坩埚上方，使之接触液面，籽晶以30转/分的速率旋转，恒温20分钟后降温至870℃，然后以0.1℃/天的速率降温，进行晶体生长。待晶体生长结束后，使晶体脱离液面，以20℃/小时速率降至室温，获得YAl3(BO3)4晶体。以上方案同样适合密闭的提拉炉。Y2O3可以换成Yb2O3，其他步骤类似，就是YbAl3(BO3)4的晶体生长。这样生长的YAl3(BO3)4晶体消除了200～300nm范围的非本征吸收，透过光谱与图4类似。
以上只针对几种非线性光学晶体进行了具体案例分析，晶体生长方法具有普遍性，对已经存在的和以后新发现的材料，凡在200-300nm波段出现类似的非本征吸收峰，均可采取通过还原性气体进行还原的生长方法去除紫外吸收。
参考文献：
[1]Ning Ye，Wenrong Zeng，Jie Jiang，et al.J.Opt.Soc.Am.B，Vol.17，No.5，May 2000
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[3]Z.Hu，M.Yoshimura，K.Muramatsu，et al.Jpn.J.Appl.Phys.2002，41，L1131-1133.
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Claims (5)
1.一种可去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法，包括如下步骤：
1)配料：
将纯度为99.9％-99.999％的高纯度含Al化合物、含B化合物和含M化合物按其所含Al∶B∶M摩尔比为1∶(1～1.2)∶(0.5～1)的比例配料，或者按照比例Al∶B∶M摩尔比为3∶(4～4.2)∶1的比例配料，并进行固相合成反应分别生成M2Al2B2O7、MAl2B2O7或者MAl3(BO3)4之后，再与NaF按摩尔比为1∶(1.5～2)比例混合配料；
或者将纯度为99.9％-99.999％的高纯度含Al化合物、含B化合物、含M化合物和NaF按其所含Al∶B∶M∶NaF摩尔比为1∶(1～1.2)∶(0.5～1)∶(1.5～2)的比例配料或者摩尔比为3∶(4～4.2)∶1∶(1.5～2)的比例配料；
所述含Al化合物为Al2O3；
所述含B化合物为B2O3或H3BO3；
所述含M化合物为M的氧化物M2O、MO或M2O3；
或者为含M的碳酸盐M2CO3或MCO3；
或者为含M的氟化物MF2；其中M为K、Na、Rb、Ca、Sr、Ba、Y或Yb；
2)下籽晶并进行晶体生长：
将上述混配料研磨混合均匀后置入铂坩埚中，在马弗炉中缓慢升温至400～600℃，并恒温10小时以上，再升温至900℃～1000℃，使混配料熔化生成熔体，再冷却至室温；铂坩埚置于普通电阻炉中，升温进行搅拌24～48小时，使溶液混合均匀。搅拌完毕，冷却下来。
将上述铂金坩埚置于密闭提拉炉或者密闭竖直管式高温电阻炉中，抽真空，并往炉膛里充还原性气体，升温使得熔体熔化，降温至饱和温度以上5～20℃；将籽晶缓慢地引入至溶液表面或溶液中，恒温10～30分钟后，降温至饱和温度，进行晶体生长；
在晶体生长过程中，以饱和温度作为降温的起始温度，以0.1～0.5℃/天的速率降温，同时以10-30转/分的速率旋转晶体，在800℃～1000℃进行晶体生长；
3)待晶体生长到所需尺度后，提升籽晶杆，使晶体脱离液面，并以不大于30℃/h的速率降温至室温，便得到去除紫外吸收的含铝光学晶体。
2.按权利要求1所述的可去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法，其特征在于，所述还原性气体包括所有具有还原性或弱还原性质的气体，主要包括N2、Ar、CO、H2、CH4、NH3中的任一种气体或几种气体的混合气体。
3.按权利要求1所述的可去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法，其特征在于，所述还原性气体为H2的体积比含量在0～100％范围内的与N2、Ar、CO、CH4或NH3混合的混合气体。
4.按权利要求1所述的可去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法，其特征在于，所述还原性气体为H2的体积比含量为0～5％范围内的与N2、Ar、CO、CH4或NH3气体混合的混合气体；
5.按权利要求4所述的可去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法，其特征在于，所述还原性气体为H2的体积比含量为5％的与N2为95％N2混合的混合气体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2007100865124A CN101230485B (zh) | 2007-01-26 | 2007-03-12 | 一种去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200710063118 | 2007-01-26 | ||
| CN200710063118.9 | 2007-01-26 | ||
| CN2007100865124A CN101230485B (zh) | 2007-01-26 | 2007-03-12 | 一种去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101230485A true CN101230485A (zh) | 2008-07-30 |
| CN101230485B CN101230485B (zh) | 2011-08-31 |
Family
ID=39897288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2007100865124A Expired - Fee Related CN101230485B (zh) | 2007-01-26 | 2007-03-12 | 一种去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101230485B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102828245A (zh) * | 2011-06-15 | 2012-12-19 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种氟硼铍酸钙钠非线性光学晶体及生长方法和用途 |
| CN112194466A (zh) * | 2020-10-09 | 2021-01-08 | 电子科技大学 | 一种低介低损Ca-Al-B基微波介质陶瓷材料 |
| CN115959915A (zh) * | 2022-12-20 | 2023-04-14 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1075845C (zh) * | 1997-10-28 | 2001-12-05 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 非线性光学晶体硼酸铝氧钡 |
-
2007
- 2007-03-12 CN CN2007100865124A patent/CN101230485B/zh not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| CN102828245A (zh) * | 2011-06-15 | 2012-12-19 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种氟硼铍酸钙钠非线性光学晶体及生长方法和用途 |
| CN102828245B (zh) * | 2011-06-15 | 2014-12-31 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种氟硼铍酸钙钠非线性光学晶体及生长方法和用途 |
| CN112194466A (zh) * | 2020-10-09 | 2021-01-08 | 电子科技大学 | 一种低介低损Ca-Al-B基微波介质陶瓷材料 |
| CN115959915A (zh) * | 2022-12-20 | 2023-04-14 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料及其制备方法和应用 |
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|---|---|
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