CN115849912B - 一种防弹陶瓷及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种防弹陶瓷及其制备方法，防弹陶瓷包括以下质量百分比的原料：TiB₂粉体：13‑19wt%，SiC粉体：11‑20wt%，B₄C粉体：60‑70wt%，石墨烯粉体：0.5‑2wt%，分散剂：0.5‑2wt%，粘结剂：1‑2wt%。TiB₂粉体、SiC粉体以及石墨烯粉体为纳米级粉体。本发明的防弹陶瓷克服了传统防弹陶瓷的脆性，具有良好的断裂韧性和冲击韧性，提高了力学性能，同时具有高强度和高硬度。本发明的防弹陶瓷能够显著改善防弹装甲的防护效果，延长使用寿命，有望替代目前广泛应用的碳化硅、氧化铝等陶瓷防弹装甲，具有可观的应用前景。

Description

一种防弹陶瓷及其制备方法

技术领域

本发明涉及防弹陶瓷技术领域，具体涉及一种防弹陶瓷及其制备方法。

背景技术

随着现代化科技的飞速发展，航空航天、军工、机械制造等领域也随之不断发展，对各种材料的性能需求也不断提高。相比传统金属材料，陶瓷材料具有低密度、高硬度以及在许多环境下的化学惰性，在装甲防护方面十分具有吸引力，已经广泛应用于防弹衣、车辆和飞机等装备的防护装甲中。

防弹陶瓷虽然具有较高的硬度、熔点，但是其塑性较差，受击后容易发生破碎，具有显著的脆性，并且断裂韧性以及冲击韧性不足，因而防护效果有限，所以防弹陶瓷的强韧化一直是研究重点。现有的防弹陶瓷强韧方法包括多元陶瓷体系复合、添加合金粉末、层状结构设计等。

然而上述增韧方式对防弹陶瓷力学性能的改善仍然是有限的，因此，需要进一步提升防弹陶瓷的力学性能。

发明内容

（一）要解决的技术问题

鉴于上述技术问题，本发明提供一种防弹陶瓷及其制备方法，以进一步提升防弹陶瓷的力学性能。

（二）技术方案

为了达到上述目的，本发明采用的主要技术方案包括：

第一方面，本发明提供一种防弹陶瓷，包括以下质量百分比的原料：

TiB₂粉体：13-19wt%，SiC粉体：11-20wt%，B₄C粉体：60-70wt%，石墨烯粉体：0.5-2wt%，分散剂：0.5-2wt%，粘结剂：1-2wt%；

所述TiB₂粉体、所述SiC粉体以及所述石墨烯粉体为纳米级粉体。

如上所述的防弹陶瓷，优选地，所述TiB₂粉体的粒径为20-80nm，所述SiC粉体的粒径为20-80nm，所述石墨烯粉体的粒径为20-80nm，所述B₄C粉体的粒径为0.1-0.5μm。

如上所述的防弹陶瓷，优选地，所述分散剂为聚乙二醇、聚丙烯酸、聚丙烯酰胺中的一种或几种。

第二方面，本发明还提供一种上述的防弹陶瓷的制备方法，包括如下步骤：

S1：配制含有TiB₂粉体、SiC粉体、B₄C粉体、石墨烯粉体、分散剂、粘结剂以及水的陶瓷浆料；陶瓷浆料中，TiB₂粉体占陶瓷浆料干重的13-19wt%，SiC粉体占陶瓷浆料干重的11-20wt%，B₄C粉体占陶瓷浆料干重的60-70wt%，石墨烯粉体占陶瓷浆料干重的0.5-2wt%，分散剂占陶瓷浆料干重的0.5-2wt%，粘结剂占陶瓷浆料干重的1-2wt%；

S2：对陶瓷浆料进行真空干燥处理，得到干燥粉体；

S3：将干燥粉体压制成型，得到陶瓷素坯；

S4：对陶瓷素坯进行预烧结，得到预烧结陶瓷；

S5：对预烧结陶瓷进行热压烧结，得到防弹陶瓷。

如上所述的防弹陶瓷的制备方法，优选地，步骤S1包括：

S11：将石墨烯粉体以及分散剂加入去离子水中，超声分散处理0.5-1h，得到石墨烯粉体分散液；

S12：将TiB₂粉体、SiC粉体加入去离子水中，将B₄C粉体加入去离子水中，分别超声分散处理10-20min，得到TiB₂-SiC悬浮液以及B₄C悬浮液，然后将TiB₂-SiC悬浮液加入石墨烯粉体分散液中，加入粘结剂，超声分散处理10-20min，再继续加入B₄C悬浮液，超声分散处理10-20min，得到陶瓷浆料。

如上所述的防弹陶瓷的制备方法，优选地，步骤S2中，将陶瓷浆料置于真空干燥机中，在60-70℃下干燥处理3-5h，然后进行机械破碎，过200-300目筛，得到干燥粉体。

如上所述的防弹陶瓷的制备方法，优选地，步骤S3中，干燥粉体的压制压力为15-20MPa，压制时间为20-30min。

如上所述的防弹陶瓷的制备方法，优选地，步骤S4中，向陶瓷素坯施加15-20MPa的压力，以5-10℃/min的升温速度升温至800-950℃，保温0.5-1.5h，再以15-20℃/min的升温速度升温至1800-2000℃，保温2-3h，然后随炉冷却至700-800℃。

如上所述的防弹陶瓷的制备方法，优选地，步骤S5中，向预烧结陶瓷施加50-100MPa的压力，以20-25℃/min的升温速度升温至2100-2200℃，保温3-4h，然后随炉冷却至室温，得到防弹陶瓷。

如上所述的防弹陶瓷的制备方法，优选地，步骤S4中，在氩气气氛中进行预烧结；

步骤S5中，在真空度为1-5Pa的真空环境或氩气气氛中进行热压烧结。

（三）有益效果

本发明通过纳米级的TiB₂、SiC以及石墨烯对B₄C陶瓷进行改性，纳米级的TiB₂和SiC晶粒细小，均匀地分布在B₄C基体中，能够抑制B₄C晶粒长大，进而增加陶瓷的硬度。TiB₂晶粒在裂纹发生过程中能够起到偏转和桥接作用，SiC颗粒在裂纹发生过程中能够起到偏转作用，能够有效缩减裂纹扩展过程中所释放的能量，遏制裂纹的扩展，实现B₄C陶瓷的增韧。

纳米级的石墨烯具有巨大的表面积，能够包裹在TiB₂、SiC的外侧，使TiB₂、SiC均匀分散。另外，本发明中的石墨烯还具有增韧作用，具体地，在较低的撞击下，石墨烯能够通过其本身具有的弹性以及较好的强度提高陶瓷韧性，而在较高的撞击下，石墨烯中的碳碳化学键会发生断裂，以此实现防弹陶瓷增韧。

本发明的防弹陶瓷克服了传统防弹陶瓷的脆性，具有良好的断裂韧性和冲击韧性，提高了力学性能，同时具有高强度和高硬度。本发明的防弹陶瓷能够显著改善防弹装甲的防护效果，延长使用寿命，有望替代目前广泛应用的碳化硅、氧化铝等陶瓷防弹装甲，具有可观的应用前景。

具体实施方式

为了更好的解释本发明，以便于理解，下面结合具体实施方式，对本发明作详细描述。

本发明提供一种防弹陶瓷，包括以下质量百分比的原料：TiB₂粉体：13-19wt%，SiC粉体：11-20wt%，B₄C粉体：60-70wt%，石墨烯粉体：0.5-2wt%，分散剂：0.5-2wt%，粘结剂：1-2wt%。具体地，TiB₂粉体、SiC粉体以及石墨烯粉体为纳米级粉体。TiB₂粉体的粒径为20-80nm，SiC粉体的粒径为20-80nm，石墨烯粉体的粒径为20-80nm，B₄C粉体的粒径为0.1-0.5μm。分散剂为聚乙二醇、聚丙烯酸、聚丙烯酰胺中的一种或几种。

上述原料中，石墨烯具有巨大的表面积，能够包裹在TiB₂、SiC的外侧，使TiB₂、SiC均匀分散在B₄C基体中。纳米级的TiB₂晶粒和SiC晶粒细小，能够通过均匀分布在B₄C基体起到抑制B₄C晶粒长大的作用，进而增加陶瓷的硬度。在韧性方面，TiB₂晶粒在裂纹发生过程中能够起到偏转和桥接作用，SiC颗粒在裂纹发生过程中能够起到偏转作用，因此能够有效缩减裂纹扩展过程中所释放的能量，遏制裂纹的扩展，实现陶瓷的增韧。本发明中的石墨烯还能够进一步对陶瓷增韧，在受到较低的撞击时，石墨烯能够通过其本身的弹性以及较好的强度提高陶瓷韧性，而在受到较高的撞击时，石墨烯中的碳碳化学键会发生断裂，以此实现防弹陶瓷增韧。分散剂的作用是促进石墨烯在B₄C基体中的均匀分散。

上述原料中，若石墨烯含量过低，低于0.5-2wt%，例如为0.2wt%时，则会导致TiB₂、SiC在B₄C基体中分散不均匀；若石墨烯含量过高，则会增加生产成本。因此，本发明中石墨烯的含量优选为0.5-2wt%。若TiB₂含量过低，低于13-19wt%，例如为8wt%时，防弹陶瓷的力学性能改善则会不显著，若TiB₂含量过高，则需要更高的烧结温度，增加生产难度。因此，本发明中TiB₂粉体的含量优选为13-19wt%。同样地，若SiC含量过低，低于11-20wt%，例如为7wt%时，防弹陶瓷的力学性能改善则会不显著。

本发明中，TiB₂粉体的粒径以及SiC粉体的粒径需要保持在20-80nm，若超出该范围，例如为500nm或者1μm时，抑制B₄C晶粒长大的作用则会失效，并且也无法被石墨烯包裹，无法均匀分布在石墨烯表面，使防弹陶瓷的硬度以及韧性大大降低。B₄C粉体的粒径需要保持在0.1-0.5μm，以确保防弹陶瓷具有较好的致密程度。

本发明还提供一种上述防弹陶瓷的制备方法，包括如下步骤：

S1：配制含有TiB₂粉体、SiC粉体、B₄C粉体、石墨烯粉体、分散剂、粘结剂以及水的陶瓷浆料，具体包括：S11：将石墨烯粉体以及分散剂加入去离子水中，超声分散处理0.5-1h，得到石墨烯粉体分散液。S12：将TiB₂粉体、SiC粉体加入去离子水中，将B₄C粉体加入去离子水中，分别超声分散处理10-20min，得到TiB₂-SiC悬浮液以及B₄C悬浮液，然后首先将TiB₂-SiC悬浮液加入石墨烯粉体分散液中，加入粘结剂，超声分散处理10-20min，再继续加入B₄C悬浮液，超声分散处理10-20min，得到陶瓷浆料。

上述步骤S11中，分散剂以及超声分散处理能够使石墨烯均匀分散在水中。步骤S12中，石墨烯的空间结构，其具有巨大的表面积以及超声分散处理有利于实现TiB₂、SiC在石墨烯表面的均匀分散。经过上述处理后，TiB₂、SiC纳米颗粒与石墨烯之间还具有良好的附着力，因而石墨烯在后续均匀分散在B₄C基体中之后，能够同时使TiB₂和SiC均匀分散在B₄C基体中。

上述陶瓷浆料中，TiB₂粉体占陶瓷浆料干重的13-19wt%，SiC粉体占陶瓷浆料干重的11-20wt%，B₄C粉体占陶瓷浆料干重的60-70wt%，石墨烯粉体占陶瓷浆料干重的0.5-2.wt%，分散剂占陶瓷浆料干重的0.5-2wt%，粘结剂占陶瓷浆料干重的1-2wt%。本发明中，陶瓷浆料干重表示除水以外的TiB₂粉体、SiC粉体、B₄C粉体、石墨烯粉体、分散剂以及粘结剂的重量。

S2：将陶瓷浆料置于真空干燥机中，在60-70℃下干燥处理3-5h，然后进行机械破碎，过200-300目筛，得到干燥粉体。上述真空度能够保证陶瓷浆料在较低温度下快速去除水分，若真空度太低，干燥速度会较慢，若真空度太高，则会造成物料暴溅。干燥后过200-300目筛，能够得到细小的干燥粉体，能够确保防弹陶瓷具有较高的致密程度。

S3：将干燥粉体压制成型，压制压力为15-20MPa，压制时间为20-30min，得到具有一定形状、尺寸和强度的陶瓷素坯。上述压制压力以及压制时间能够增加使气体尽可能地排出，使陶瓷颗粒间紧密接触，确保烧结后的防弹陶瓷具有较高的致密程度，避免出现鼓泡、夹层以及裂纹等缺陷。

S4：在氩气气氛中对陶瓷素坯进行预烧结，向陶瓷素坯施加15-20MPa的压力，以5-10℃/min的升温速度升温至800-950℃，保温0.5-1.5h，再以15-20℃/min的升温速度升温至1800-2000℃，保温2-3h，然后随炉冷却至700-800℃，得到预烧结陶瓷。

S5：在真空度为1-5Pa的真空环境或氩气气氛中对预烧结陶瓷进行热压烧结，向预烧结陶瓷施加50-100MPa的压力，以20-25℃/min的升温速度升温至2100-2200℃，保温3-4h，然后随炉冷却至室温，得到防弹陶瓷。

为了进一步明确本发明方案及其技术进步性，以下结合具体实施例和技术效果进行说明。

实施例1

本实施例提供一种防弹陶瓷的制备方法，包括如下步骤：

S1：将1g石墨烯粉体以及2g聚乙二醇加入去离子水中，超声分散处理1h，得到石墨烯粉体分散液。然后将16gTiB₂粉体、16gSiC粉体加入去离子水中，将64gB₄C粉体加入去离子水中，分别超声分散处理15min，得到TiB₂-SiC悬浮液和B₄C悬浮液。将TiB₂-SiC悬浮液加入石墨烯粉体分散液中，然后加入1g粘结剂，超声分散处理15min，再继续加入B₄C悬浮液，超声分散处理15min，得到陶瓷浆料。

上述TiB₂粉体的粒径为60nm，SiC粉体的粒径为60nm，石墨烯粉体的粒径为70nm，B₄C粉体的粒径为0.2μm。

S2：将上述陶瓷浆料置于真空干燥机中，在70℃下干燥处理3h，然后进行机械破碎，过300目筛，得到干燥粉体。

S3：保持压制压力为20MPa，将干燥粉体压制30min，得到陶瓷素坯。

S4：在氩气气氛中对陶瓷素坯进行预烧结，向陶瓷素坯施加20MPa的压力，以8℃/min的升温速度升温至900℃，保温1h，再以17℃/min的升温速度升温至1900℃，保温2.5h，然后随炉冷却至750℃，得到预烧结陶瓷。

S5：在真空度为1Pa的真空环境中对预烧结陶瓷进行热压烧结，向预烧结陶瓷施加80MPa的压力，以22℃/min的升温速度升温至2150℃，保温3.5h，然后随炉冷却至室温，得到防弹陶瓷。

实施例2

本实施例提供一种防弹陶瓷的制备方法，包括如下步骤：

S1：将2g石墨烯粉体以及2g聚丙烯酸加入去离子水中，超声分散处理0.8h，得到石墨烯粉体分散液。然后将13gTiB₂粉体、11gSiC粉体加入去离子水中，将70gB₄C粉体加入去离子水中，分别超声分散处理20min，得到TiB₂-SiC悬浮液和B₄C悬浮液。将TiB₂-SiC悬浮液加入石墨烯粉体分散液中，然后加入2g粘结剂，超声分散处理20min，再继续加入B₄C悬浮液，超声分散处理20min，得到陶瓷浆料。

上述TiB₂粉体的粒径为20nm，SiC粉体的粒径为20nm，石墨烯粉体的粒径为80nm，B₄C粉体的粒径为0.5μm。

S2：将上述陶瓷浆料置于真空干燥机中，在60℃下干燥处理5h，然后进行机械破碎，过200目筛，得到干燥粉体。

S3：保持压制压力为18MPa，将干燥粉体压制20min，得到陶瓷素坯。

S4：在氩气气氛中对陶瓷素坯进行预烧结，向陶瓷素坯施加18MPa的压力，以5℃/min的升温速度升温至800℃，保温1.5h，再以15℃/min的升温速度升温至1800℃，保温3h，然后随炉冷却至700℃，得到预烧结陶瓷。

S5：在真空度为5Pa的真空环境中对预烧结陶瓷进行热压烧结，向预烧结陶瓷施加100MPa的压力，以20℃/min的升温速度升温至2100℃，保温3h，然后随炉冷却至室温，得到防弹陶瓷。

实施例3

本实施例提供一种防弹陶瓷的制备方法，包括如下步骤：

S1：将0.5g石墨烯粉体以及0.5g聚丙烯酰胺加入去离子水中，超声分散处理0.5h，得到石墨烯粉体分散液。然后将17.5gTiB₂粉体、20gSiC粉体加入去离子水中，将60gB₄C粉体加入去离子水中，分别超声分散处理10min，得到TiB₂-SiC悬浮液和B₄C悬浮液。将TiB₂-SiC悬浮液加入石墨烯粉体分散液中，然后加入1.5g粘结剂，超声分散处理10min，再继续加入B₄C悬浮液，超声分散处理10min，得到陶瓷浆料。

上述TiB₂粉体的粒径为80nm，SiC粉体的粒径为80nm，石墨烯粉体的粒径为20nm，B₄C粉体的粒径为0.1μm。

S2：将上述陶瓷浆料置于真空干燥机中，在65℃下干燥处理4h，然后进行机械破碎，过250目筛，得到干燥粉体。

S3：保持压制压力为15MPa，将干燥粉体压制25min，得到陶瓷素坯。

S4：在氩气气氛中对陶瓷素坯进行预烧结，向陶瓷素坯施加15MPa的压力，以10℃/min的升温速度升温至950℃，保温0.5h，再以20℃/min的升温速度升温至2000℃，保温2h，然后随炉冷却至800℃，得到预烧结陶瓷。

S5：在真空度为2Pa的真空环境中对预烧结陶瓷进行热压烧结，向预烧结陶瓷施加50MPa的压力，以25℃/min的升温速度升温至2200℃，保温4h，然后随炉冷却至室温，得到防弹陶瓷。

实施例4

本实施例提供一种防弹陶瓷的制备方法，与实施例1的区别在于，步骤S1中，将1g石墨烯粉体以及2g聚丙烯酰胺加入去离子水中，超声分散处理1h，得到石墨烯粉体分散液。然后将19gTiB₂粉体、15gSiC粉体加入去离子水中，将62gB₄C粉体加入去离子水中，分别超声分散处理15min，得到TiB₂-SiC悬浮液和B₄C悬浮液。将TiB₂-SiC悬浮液加入石墨烯粉体分散液中，然后加入1g粘结剂，超声分散处理15min，再继续加入B₄C悬浮液，超声分散处理15min，得到陶瓷浆料。上述TiB₂粉体的粒径为20nm，SiC粉体的粒径为20nm，石墨烯粉体的粒径为40nm，B₄C粉体的粒径为0.3μm。

实施例5

本实施例提供一种防弹陶瓷的制备方法，与实施例1的区别在于，步骤S1中，将1g石墨烯粉体以及1g聚丙烯酰胺加入去离子水中，超声分散处理0.8h，得到石墨烯粉体分散液。然后将16gTiB₂粉体、15gSiC粉体加入去离子水中，将66gB₄C粉体加入去离子水中，分别超声分散处理20min，得到TiB₂-SiC悬浮液和B₄C悬浮液。将TiB₂-SiC悬浮液加入石墨烯粉体分散液中，然后加入1g粘结剂，超声分散处理20min，再继续加入B₄C悬浮液，超声分散处理20min，得到陶瓷浆料。

实施例6

本实施例提供一种防弹陶瓷的制备方法，与实施例1的区别在于，步骤S1中，TiB₂粉体的粒径为80nm，SiC粉体的粒径为80nm，石墨烯粉体的粒径为80nm，B₄C粉体的粒径为0.5μm。

实施例7

本实施例提供一种防弹陶瓷的制备方法，与实施例1的区别在于，步骤S1中，TiB₂粉体的粒径为30nm，SiC粉体的粒径为40nm，石墨烯粉体的粒径为80nm，B₄C粉体的粒径为0.4μm。

实施例8

本实施例提供一种防弹陶瓷的制备方法，与实施例1的区别在于，步骤S5中，在氩气气氛中对预烧结陶瓷进行热压烧结，向预烧结陶瓷施加50MPa的压力，以20℃/min的升温速度升温至2120℃，保温4h。

实施例9

本实施例提供一种防弹陶瓷的制备方法，与实施例1的区别在于，步骤S5中，在真空度为2Pa的真空环境中对预烧结陶瓷进行热压烧结，向预烧结陶瓷施加70MPa的压力，以25℃/min的升温速度升温至2170℃，保温4h。

对比例1

本对比例提供一种防弹陶瓷的制备方法，与实施例1的区别在于，步骤S1中，将0.1g石墨烯粉体以及0.5g聚丙烯酰胺加入去离子水中，超声分散处理0.5h，得到石墨烯粉体分散液。然后将8gTiB₂粉体、7gSiC粉体加入去离子水中，将84.4gB₄C粉体加入去离子水中，分别超声分散处理10min，得到TiB₂-SiC悬浮液和B₄C悬浮液。将TiB₂-SiC悬浮液加入石墨烯粉体分散液中，超声分散处理10min，再继续加入B₄C悬浮液，超声分散处理10min，得到陶瓷浆料。

对比例2

本对比例提供一种防弹陶瓷的制备方法，与实施例1的区别在于，石墨烯的添加量为0。

对比例3

本对比例提供一种防弹陶瓷的制备方法，与实施例1的区别在于，TiB₂粉体的添加量为0。

对比例4

本对比例提供一种防弹陶瓷的制备方法，与实施例1的区别在于，SiC粉体的添加量为0。

对比例5

本对比例提供一种防弹陶瓷的制备方法，与实施例1的区别在于，TiB₂粉体的粒径为300nm，SiC粉体的粒径为300nm。

对比例6

本对比例提供一种防弹陶瓷的制备方法，与实施例1的区别在于，步骤S5中，以25℃/min的升温速度升温至1700℃。

对实施例1-9以及对比例1-6制备得到的防弹陶瓷进行性能测试，结果如表1所示。

表1 各实施例以及对比例的防弹陶瓷的性能测试结果

通过表1可知，实施例1-9制备得到的防弹陶瓷都具有较高的相对致密度、抗弯强度、显微硬度、断裂韧性以及冲击韧性，整体的力学性能较高。对比例1-6制备得到的防弹陶瓷的各项性能略差。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种防弹陶瓷，其特征在于，包括以下质量百分比的原料：

TiB₂粉体：13-19wt%，SiC粉体：11-20wt%，B₄C粉体：60-70wt%，石墨烯粉体：0.5-2wt%，分散剂：0.5-2wt%，粘结剂：1-2wt%；

所述TiB₂粉体、所述SiC粉体以及所述石墨烯粉体为纳米级粉体；

所述TiB₂粉体的粒径为20-80nm，所述SiC粉体的粒径为20-80nm，所述石墨烯粉体的粒径为20-80nm，所述B₄C粉体的粒径为0.1-0.5μm；

所述防弹陶瓷的制备方法包括如下步骤：

S1：配制含有TiB₂粉体、SiC粉体、B₄C粉体、石墨烯粉体、分散剂、粘结剂以及水的陶瓷浆料；

S2：对陶瓷浆料进行真空干燥处理，得到干燥粉体；

S3：将干燥粉体压制成型，得到陶瓷素坯；

S4：对陶瓷素坯进行预烧结，得到预烧结陶瓷；

S5：对预烧结陶瓷进行热压烧结，得到防弹陶瓷。

2.根据权利要求1所述的防弹陶瓷，其特征在于，所述分散剂为聚乙二醇、聚丙烯酸、聚丙烯酰胺中的一种或几种。

3.一种基于权利要求1-2任一项所述的防弹陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S1包括：

S11：将石墨烯粉体以及分散剂加入去离子水中，超声分散处理0.5-1h，得到石墨烯粉体分散液；

S12：将TiB₂粉体、SiC粉体加入去离子水中，将B₄C粉体加入去离子水中，分别超声分散处理10-20min，得到TiB₂-SiC悬浮液以及B₄C悬浮液，然后将TiB₂-SiC悬浮液加入石墨烯粉体分散液中，加入粘结剂，超声分散处理10-20min，再继续加入B₄C悬浮液，超声分散处理10-20min，得到陶瓷浆料。

4.根据权利要求3所述的防弹陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S2中，将陶瓷浆料置于真空干燥机中，在60-70℃下干燥处理3-5h，然后进行机械破碎，过200-300目筛，得到干燥粉体。

5.根据权利要求3所述的防弹陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S3中，干燥粉体的压制压力为15-20MPa，压制时间为20-30min。

6.根据权利要求3所述的防弹陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S4中，向陶瓷素坯施加15-20MPa的压力，以5-10℃/min的升温速度升温至800-950℃，保温0.5-1.5h，再以15-20℃/min的升温速度升温至1800-2000℃，保温2-3h，然后随炉冷却至700-800℃。

7.根据权利要求3所述的防弹陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S5中，向预烧结陶瓷施加50-100MPa的压力，以20-25℃/min的升温速度升温至2100-2200℃，保温3-4h，然后随炉冷却至室温，得到防弹陶瓷。

8.根据权利要求3所述的防弹陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S4中，在氩气气氛中进行预烧结；

步骤S5中，在真空度为1-5Pa的真空环境或氩气气氛中进行热压烧结。