CN115838932A - 一种铜腐蚀液及其制备方法 - Google Patents

一种铜腐蚀液及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115838932A
CN115838932A CN202211717853.8A CN202211717853A CN115838932A CN 115838932 A CN115838932 A CN 115838932A CN 202211717853 A CN202211717853 A CN 202211717853A CN 115838932 A CN115838932 A CN 115838932A
Authority
CN
China
Prior art keywords
copper
acid
nitric acid
phosphoric acid
diaphragm pump
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211717853.8A
Other languages
English (en)
Inventor
李冬明
殷金虎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Jingjiu Microelectronic Materials Co ltd
Original Assignee
Jiangsu Jingjiu Microelectronic Materials Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Jingjiu Microelectronic Materials Co ltd filed Critical Jiangsu Jingjiu Microelectronic Materials Co ltd
Priority to CN202211717853.8A priority Critical patent/CN115838932A/zh
Publication of CN115838932A publication Critical patent/CN115838932A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明涉及腐蚀液技术领域,特别涉及铜腐蚀液,包括以下组分按照以下质量份制备而成:磷酸70‑80%;硝酸2–3%;乙酸9–11%。所述磷酸主要提供氢离子;当腐蚀完铜后,对铝起钝化保护作用;硝酸配合磷酸能起到很好的腐蚀效果,铜腐蚀更干净;乙酸作为替代老配比中的水,起到缓冲作用;让腐蚀更加均匀和可控。本发明不腐蚀铝、镓等金属层及硅片,只腐蚀铜,且铜腐蚀速率平稳均匀可控,成本低。

Description

一种铜腐蚀液及其制备方法
技术领域
本发明涉及腐蚀液技术领域,特别涉及铜腐蚀液。
背景技术
在半导体制造加工的湿电子腐蚀过程中,硅片表面会有铜、铝、镓等金属层,传统铜腐蚀液除了腐蚀铜金属层外,对其他金属层以及硅片均有不同程度的腐蚀,腐蚀速率快慢不均匀,而且由于传统铜腐蚀液成分复杂,成本高。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种铜腐蚀液,它不腐蚀铝、镓等金属层及硅片,只腐蚀铜,且铜腐蚀速率平稳均匀可控,成本低。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种铜腐蚀液,包括以下组分按照以下质量份制备而成:
磷酸 70-80%
硝酸 2–3%
乙酸 9–11%。
作为本发明所述铜腐蚀液的一种优选方案,包括以下组分按照以下质量份制备而成:
磷酸 78%
硝酸 2.6%
乙酸 10%。
作为本发明所述铜腐蚀液的一种优选方案,所述磷酸的浓度为85%~86%。
作为本发明所述铜腐蚀液的一种优选方案,所述硝酸的浓度为69%~72%。
一种铜腐蚀液的制备方法,包括如下的步骤:
(1)加乙酸:将乙酸通过隔膜泵抽入混合配制罐;控制溶液温度在10-30摄氏度;
(2)加硝酸:将硝酸通过隔膜泵抽入混合配制罐;
(3)加磷酸:将磷酸通过隔膜泵抽入混合配制罐;控制温度在10-30摄氏度;采用隔膜泵循环混合1-2小时将溶液混合均匀;
(4)过滤分装:通过滤芯直接过滤颗粒,过滤合格后进入成品分装系统分装储存。
作为本发明所述铜腐蚀液的制备方法的一种优选方案,所述步骤2中隔膜泵抽入硝酸时控制硝酸的流速为3~5L/min。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明铜腐蚀液不腐蚀铝、镓等金属层及硅片,只腐蚀铜,成本低。
本发明铜腐蚀液中金属离子含量下降至200ppb内;添加了表面活性剂,使腐蚀速率更加平稳,腐蚀更加均匀和可控。
具体实施方式
以下对本发明的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例1
本发明第一个实施例,该实施例提供了一种铜腐蚀液,它不腐蚀铝、镓等金属层及硅片,只腐蚀铜,且铜腐蚀速率平稳均匀可控,成本低。
具体的,包括以下组分按照以下质量份制备而成:
磷酸 70%
硝酸 2%
乙酸 9%。
优选的,所述磷酸的浓度为85%~86%。
优选的,所述硝酸的浓度为69%~72%。
上述铜腐蚀液的制备方法,包括如下的步骤:
(1)加乙酸:将乙酸通过隔膜泵抽入混合配制罐;控制溶液温度在10-30摄氏度;
(2)加硝酸:将硝酸通过隔膜泵抽入混合配制罐;控制硝酸的流速为3~5L/min;
(3)加磷酸:将磷酸通过隔膜泵抽入混合配制罐;控制温度在10-30摄氏度;采用隔膜泵循环混合1小时将溶液混合均匀;
(4)过滤分装:通过滤芯直接过滤颗粒,过滤合格后进入成品分装系统分装储存。
本实施例铜腐蚀液中金属离子含量下降至120ppb;所述铜腐蚀液不腐蚀铝、镓等金属层及硅片,只腐蚀铜,且铜腐蚀速率平稳均匀可控。
实施例2
本发明第二个实施例,该实施例提供了一种铜腐蚀液,它不腐蚀铝、镓等金属层及硅片,只腐蚀铜,且铜腐蚀速率平稳均匀可控,成本低。
具体的,包括以下组分按照以下质量份制备而成:
磷酸 78%
硝酸 2.6%
乙酸 10%。
优选的,所述磷酸的浓度为85%~86%。
优选的,所述硝酸的浓度为69%~72%。
上述铜腐蚀液的制备方法,包括如下的步骤:
(1)加乙酸:将乙酸通过隔膜泵抽入混合配制罐;控制溶液温度在10-30摄氏度;
(2)加硝酸:将硝酸通过隔膜泵抽入混合配制罐;控制硝酸的流速为3~5L/min;
(3)加磷酸:将磷酸通过隔膜泵抽入混合配制罐;控制温度在10-30摄氏度;采用隔膜泵循环混合1小时将溶液混合均匀;
(4)过滤分装:通过滤芯直接过滤颗粒,过滤合格后进入成品分装系统分装储存。
本实施例铜腐蚀液中金属离子含量下降至150ppb;所述铜腐蚀液不腐蚀铝、镓等金属层及硅片,只腐蚀铜,且铜腐蚀速率平稳均匀可控。
实施例3
本发明第三个实施例,该实施例提供了一种铜腐蚀液,它不腐蚀铝、镓等金属层及硅片,只腐蚀铜,且铜腐蚀速率平稳均匀可控,成本低。
具体的,包括以下组分按照以下质量份制备而成:
磷酸 80%
硝酸 3%
乙酸 11%。
优选的,所述磷酸的浓度为85%~86%。
优选的,所述硝酸的浓度为69%~72%。
上述铜腐蚀液的制备方法,包括如下的步骤:
(1)加乙酸:将乙酸通过隔膜泵抽入混合配制罐;控制溶液温度在10-30摄氏度;
(2)加硝酸:将硝酸通过隔膜泵抽入混合配制罐;控制硝酸的流速为3~5L/min;
(3)加磷酸:将磷酸通过隔膜泵抽入混合配制罐;控制温度在10-30摄氏度;采用隔膜泵循环混合1.5小时将溶液混合均匀;
(4)过滤分装:通过滤芯直接过滤颗粒,过滤合格后进入成品分装系统分装储存。
本实施例铜腐蚀液中金属离子含量下降至180ppb;所述铜腐蚀液不腐蚀铝、镓等金属层及硅片,只腐蚀铜,且铜腐蚀速率平稳均匀可控。
本发明磷酸主要提供氢离子;当腐蚀完铜后,对铝起钝化保护作用。硝酸配合磷酸能起到很好的腐蚀效果,铜腐蚀更干净。乙酸作为替代老配比中的水,起到缓冲作用;让腐蚀更加均匀和可控。本发明铜腐蚀液中金属离子含量下降至200ppb内;本发明铜腐蚀液及其制备方法生产成本低。
本发明采用隔膜泵压缩空气水洗,能够过滤空气中的微小颗粒;且效果显著,物美价廉。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种铜腐蚀液,其特征在于:包括以下组分按照以下质量份制备而成:
磷酸 70-80%
硝酸 2–3%
乙酸 9–11%。
2.根据权利要求1所述的铜腐蚀液,其特征在于:包括以下组分按照以下质量份制备而成:
磷酸 78%
硝酸 2.6%
乙酸 10%。
3.根据权利要求1或2所述的铜腐蚀液,其特征在于:所述磷酸的浓度为85%~86%。
4.根据权利要求1或2所述的铜腐蚀液,其特征在于:所述硝酸的浓度为69%~72%。
5.一种如权利要求1-4任一所述的铜腐蚀液的制备方法,其特征在于:包括如下的步骤:
(1)加乙酸:将乙酸通过隔膜泵抽入混合配制罐;控制溶液温度在10-30摄氏度;
(2)加硝酸:将硝酸通过隔膜泵抽入混合配制罐;
(3)加磷酸:将磷酸通过隔膜泵抽入混合配制罐;控制温度在10-30摄氏度;采用隔膜泵循环混合1-2小时将溶液混合均匀;
(4)过滤分装:通过滤芯直接过滤颗粒,过滤合格后进入成品分装系统分装储存。
6.根据权利要求5所述的铜腐蚀液的制备方法,其特征在于:所述步骤2中隔膜泵抽入硝酸时控制硝酸的流速为3~5L/min。
CN202211717853.8A 2022-12-30 2022-12-30 一种铜腐蚀液及其制备方法 Pending CN115838932A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211717853.8A CN115838932A (zh) 2022-12-30 2022-12-30 一种铜腐蚀液及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211717853.8A CN115838932A (zh) 2022-12-30 2022-12-30 一种铜腐蚀液及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115838932A true CN115838932A (zh) 2023-03-24

Family

ID=85577630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211717853.8A Pending CN115838932A (zh) 2022-12-30 2022-12-30 一种铜腐蚀液及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115838932A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5091046A (en) * 1990-12-31 1992-02-25 Hunter Robert F Caustic etching of aluminum with matte finish and low waste capability
CN1125782A (zh) * 1994-12-28 1996-07-03 马志坚 铜及铜合金表面精细蚀刻技术
DE10112066A1 (de) * 2001-03-12 2002-09-19 Basf Ag Verfahren zum Innenkorrosionsschutz von Flüssigkeitsbehältern
US20130341558A1 (en) * 2012-06-26 2013-12-26 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Etching solution for copper lead of tft array substrate
CN111871294A (zh) * 2020-07-23 2020-11-03 江阴市化学试剂厂有限公司 一种铜腐蚀液用生产线及其生产方法
JP2020204540A (ja) * 2019-06-18 2020-12-24 矢崎総業株式会社 金属の腐食検出装置及び腐食検出方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5091046A (en) * 1990-12-31 1992-02-25 Hunter Robert F Caustic etching of aluminum with matte finish and low waste capability
CN1125782A (zh) * 1994-12-28 1996-07-03 马志坚 铜及铜合金表面精细蚀刻技术
DE10112066A1 (de) * 2001-03-12 2002-09-19 Basf Ag Verfahren zum Innenkorrosionsschutz von Flüssigkeitsbehältern
US20130341558A1 (en) * 2012-06-26 2013-12-26 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Etching solution for copper lead of tft array substrate
JP2020204540A (ja) * 2019-06-18 2020-12-24 矢崎総業株式会社 金属の腐食検出装置及び腐食検出方法
CN111871294A (zh) * 2020-07-23 2020-11-03 江阴市化学试剂厂有限公司 一种铜腐蚀液用生产线及其生产方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102484060A (zh) 用于硅表面蚀刻的方法
CN111326410B (zh) 一种用于hit电池的防花篮印制绒液及其制绒方法
CN115838932A (zh) 一种铜腐蚀液及其制备方法
CN114891509B (zh) 一种高选择性的缓冲氧化物蚀刻液
CN114875406A (zh) 一种铜钼金属蚀刻液组合物及其制备方法
CN109706455B (zh) 一种高蚀刻速率与选择比的铝蚀刻液及其制备方法
CN106024675A (zh) 一种半导体硅晶片腐蚀液及其腐蚀方法
CN113621375B (zh) 一种石英晶片蚀刻添加剂及其制备方法
CN105463460A (zh) 一种基于纳米二氧化硅的电路板用蚀刻液的制备方法
CN107354513B (zh) 一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺
CN115786916A (zh) 一种铜蚀刻液及其制备方法与玻璃基板铜的蚀刻方法
CN114920658B (zh) 一种离子交换树脂纯化氢氧化胆碱的方法
CN110735144A (zh) 一种食品工厂管道用酸性清洗剂及其制备方法和应用
CN110528004A (zh) 一种高蚀刻速率及选择比的铝蚀刻液及其制备工艺
CN110223913A (zh) 一种去除InP半导体材料衬底的方法
CN116103652A (zh) 一种用于半导体及触控面板领域的厚铜蚀刻液
CN115261861B (zh) 一种减薄液及其制备方法和应用
CN116144365B (zh) 一种缓冲氧化腐蚀液及其制备方法和应用
CN115386877B (zh) 一种金属蚀刻液及其制备方法
CN111286738A (zh) 一种酸性铜蚀刻液的生产工艺
CN112764330B (zh) Pfa光刻胶再生剥离液及其制备方法与应用
CN114605922B (zh) 一种快速抛光的化学抛光液及其制备方法
CN102212825A (zh) 非添加剂型单晶硅片缓释蚀刻液的制备方法
CN116288352A (zh) 一种TiN和Ti金属薄膜蚀刻液及其制备方法
CN117721467A (zh) 半导体用铜蚀刻液及其在旋转喷淋工艺中的应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination