CN115386877B - 一种金属蚀刻液及其制备方法 - Google Patents
一种金属蚀刻液及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115386877B CN115386877B CN202111226379.4A CN202111226379A CN115386877B CN 115386877 B CN115386877 B CN 115386877B CN 202111226379 A CN202111226379 A CN 202111226379A CN 115386877 B CN115386877 B CN 115386877B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal
- etching
- etching solution
- hydroxyl
- containing polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 title abstract description 32
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical group NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- -1 carboxyl compound Chemical class 0.000 claims description 5
- DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N molybdenum niobium Chemical compound [Nb].[Mo] DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- LUBJCRLGQSPQNN-UHFFFAOYSA-N 1-Phenylurea Chemical group NC(=O)NC1=CC=CC=C1 LUBJCRLGQSPQNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 abstract description 7
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 abstract description 7
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 abstract description 7
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 102220491117 Putative postmeiotic segregation increased 2-like protein 1_C23F_mutation Human genes 0.000 abstract description 2
- 238000003421 catalytic decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 2
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 2
- 241000607479 Yersinia pestis Species 0.000 abstract 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 abstract 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 abstract 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 5
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 4
- 239000012972 dimethylethanolamine Substances 0.000 description 4
- 229940102253 isopropanolamine Drugs 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical group O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical compound NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANUQVPMOKIYKBZ-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Ni].[Mo] Chemical compound [Ti].[Ni].[Mo] ANUQVPMOKIYKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N carbonic acid monoamide Natural products NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N diisopropanolamine Chemical compound CC(O)CNCC(C)O LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043276 diisopropanolamine Drugs 0.000 description 1
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- KJAMZCVTJDTESW-UHFFFAOYSA-N tiracizine Chemical compound C1CC2=CC=CC=C2N(C(=O)CN(C)C)C2=CC(NC(=O)OCC)=CC=C21 KJAMZCVTJDTESW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
本发明属于C23F技术领域,更具体的涉及一种性能优异的金属蚀刻液及其制备方法。一种性能优异的金属蚀刻液组合物,制备原料包括氧化剂和含羟基聚合物;所述的含羟基聚合物的数均分子量为200‑10000。经本发明提供的金属蚀刻液组合物通过位阻型缓蚀剂聚乙烯醇的加入,可以减弱金属的侧蚀刻,减小线宽损失;pH稳定剂的加入,可以保证体系中存在合适的氢离子浓度,稳定了对金属的去除能力;经过本申请中丙二酸、苹果酸的加入,可以螯合金属离子,减弱金属离子对过氧化氢的催化分解作用,在稳定体系pH的同时可以稳定双氧水的分解,并且可以满足超高清中小尺寸面板的生产需求,生产过程无环境有害物加入,环保度高,废液处理成本低,在企业生产中具有较高的推广价值。
Description
技术领域
本发明属于C23F技术领域,更具体的涉及一种性能优异的金属蚀刻液及其制备方法。
背景技术
随着科技的发展技术的进步,液晶显示屏面板的制造领域的竞争也日趋激烈,为了生产高清晰度和高刷新率的中小尺寸的产品,有些研究者或者企业使用高世代线进行生产,但是此方法对金属导线的选择和蚀刻有了更高的要求。
但是传统的蚀刻常常以铜作为基本材质,并以钼、钼铌、钼钛镍作为界面层,为了满足制备得到高清晰度和高刷新率的中小尺寸的产品常常要求线宽损失小于0.5μm,锥角在50°左右,但是现阶段的药液很难达到上述要求。如专利公开号为CN113106454A的中国发明专利公开了一种蚀刻液和铜/钼金属线的蚀刻方法,在公开的专利中通过过氧化氢、有机酸、稳定剂、抑制剂、酸碱调节剂和无机盐的方案,制备得到一种蚀刻速率适中,稳定性号的蚀刻液,但是公开专利中的线宽损失为0.7μm以上,不符合现阶段高清晰度和高刷新率的中小尺寸的产品否认要求。
为了保证线宽损失小于0.5μm,锥角在50°左右,并且解决不同金属同步蚀刻时无倒角、裂缝、拖尾现象出现,仍需要开发一种性能优异的金属蚀刻液。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明的第一方面提供了一种性能优异的金属蚀刻液组合物,制备原料包括氧化剂和含羟基聚合物;所述的含羟基聚合物的数均分子量为200-2000。
在一些优选的实施方式中,所述的氧化剂为过氧化氢。
在一些优选的实施方式中,所述的含羟基聚合物选自聚乙烯醇、聚乙二醇、聚丙二醇中的至少一种。
在一些优选的实施方式中,所述的含羟基聚合物为聚乙烯醇和/或聚乙二醇。
进一步优选的,所述的含羟基聚合物为聚乙烯醇。
在一些优选的实施方式中,所述的含羟基聚合物的数均分子量为300-5000。
进一步优选的,所述的含羟基聚合物的数均分子量为300-3000。
在实验过程中申请人发现,在本体系中加入不同分子量的含羟基聚合物可以改变蚀刻液在基板表面的浸润性能,尤其数均分子量为300-3000的聚乙烯醇在本体系中使用时,其会因为含有的活性基团会促进与体系中其他活性物质的相互作用,稳定双氧水的分解,并且可以在光刻胶的下部形成空间位阻效应,减少蚀刻液对金属膜的侧蚀效应。
该聚合物对铜离子具有一定的络合作用,所以在高通离子浓度时,会产生絮状物,造成基板污染和滤芯堵塞。数均分子量低于200时,无法起到其应有的空间位阻效应,无法起到抑制侧蚀的作用。
在一些优选的实施方式中,制备原料还包括:分解抑制剂、pH稳定剂、缓蚀剂、溶剂。
在一些优选的实施方式中,所述的氧化剂和分解抑制剂的重量比为(50-100):1。
进一步优选的,所述的氧化剂和分解抑制剂的重量比为70:1。
在一些优选的实施方式中,所述的分解抑制剂为苯基脲。
在一些优选的实施方式中,所述的缓蚀剂包括但不限于3-氨基三氮唑、5-氨基四氮唑,1,2,4-三氮唑。
在一些优选的实施方式中,所述的pH稳定剂选自有机酸、无机酸、有机碱、无机碱中的至少一种。
在一些优选的实施方式中,所述的pH稳定剂为有机碱。
进一步优选的,所述的有机碱为醇胺化合物。
进一步优选的,所述的醇胺化合物包括但不限于二甲基乙醇胺、异丙醇胺、三异丙醇胺、二异丙醇胺、三乙醇胺。
在一些优选的实施方式中,所述的pH稳定剂还包括含羧基化合物。
进一步优选的,所述的含羧基化合物包括但不限于硫酸、硝酸、氨基甲酸、氨基乙酸、乙二酸、丙二酸、丁二酸、苹果酸、柠檬酸、亚氨基二乙酸、三乙酸胺、酒石酸中的至少一种。
进一步优选的,所述的含羧酸化合物为硝酸、丙二酸、苹果酸。
在一些优选的实施方式中,制备原料按重量百分比计,包括:氧化剂5-30%、含羟基聚合物0.1-5%、分解抑制剂0.01-1%、pH稳定剂2-30%、缓蚀剂0.01-1%、溶剂补充余量至100%。
在一些优选的实施方式中,制备原料按重量百分比计,包括:氧化剂5-10%、含羟基聚合物0.5-2%、分解抑制剂0.01-0.5%、pH稳定剂3-14%、缓蚀剂0.01-0.5%、溶剂补充余量至100%。
进一步优选的,所述的溶剂为去离子水。
本发明的第二方面提供了一种性能优异的金属蚀刻液组合物的制备方法,包括以下步骤:
将制备原料混合,在40℃下搅拌至完全溶解,静置,即得。
有益效果:经本发明提供的性能优异的金属蚀刻液组合物具有以下优点:
1.经本发明提供的金属蚀刻液组合物通过pH稳定剂的加入,可以保证体系中存在合适的氢离子浓度,提升了对金属的去除能力,并且,经过本申请中丙二酸、苹果酸的加入,可以螯合金属离子,减弱金属离子对过氧化氢的催化分解作用,在稳定体系pH的同时可以稳定双氧水的分解;
2.经本发明提供的金属蚀刻液组合物通过有机碱的加入,尤其是醇胺类有机碱的加入,可以对铜离子进行进一步络合,稳定过氧化氢的分解速率,稳定蚀刻环境,避免环境对蚀刻速率的影响,保证了蚀刻的质量;
3.经本发明提供的金属蚀刻液组合物通过含羟基聚合物的加入,可以改变蚀刻液对基板表面的润湿性能,质在光刻胶的下部空缺处形成空间位阻效应,减少蚀刻液对金属膜的侧蚀效应;
4.经本发明提供的蚀刻液组合物在蚀刻过程中,单边线宽损失达到0.40μm左右,锥角在50°左右(46°-53°),不会导致后续工序的断线等不良现象出现,并且可以满足超高清中小尺寸面板的生产需求,生产过程无环境有害物加入,环保度高,废液处理成本低,在企业生产中具有较高的推广价值。
具体实施方式
实施例
实施例1
一种性能优异的金属蚀刻液组合物,制备原料按重量百分比计,组成如下:
其中,所述的聚乙烯醇的数均分子量为300-3000,购于济南创世化工有限公司;
一种性能优异的金属蚀刻液组合物的制备方法,包括以下步骤:
将制备原料混合,在40℃下搅拌至完全溶解,静置,即得。
实施例2
一种性能优异的金属蚀刻液组合物,制备原料按重量百分比计,组成如下:
原料名称 | 用量% |
过氧化氢 | 7 |
硝酸 | 2.27 |
丙二酸 | 1.85 |
苹果酸 | 0.94 |
二甲基乙醇胺 | 3.28 |
异丙醇胺 | 1.96 |
聚乙烯醇 | 2 |
5-氨基四氮唑 | 0.04 |
苯基脲 | 0.1 |
水 | 80.56 |
其中,所述的聚乙烯醇的数均分子量为300-3000,购于济南创世化工有限公司;
一种性能优异的金属蚀刻液组合物的制备方法,包括以下步骤:
将制备原料混合,在40℃下搅拌至完全溶解,静置,即得。
实施例3
一种性能优异的金属蚀刻液组合物,制备原料按重量百分比计,组成如下:
原料名称 | 用量% |
过氧化氢 | 7 |
硝酸 | 2.27 |
丙二酸 | 1.85 |
苹果酸 | 0.94 |
二甲基乙醇胺 | 3.28 |
异丙醇胺 | 1.96 |
聚乙烯醇 | 0.5 |
5-氨基四氮唑 | 0.04 |
苯基脲 | 0.1 |
水 | 82.06 |
其中,所述的聚乙烯醇的数均分子量为300-3000,购于济南创世化工有限公司;
一种性能优异的金属蚀刻液组合物的制备方法,包括以下步骤:
将制备原料混合,在40℃下搅拌至完全溶解,静置,即得。
对比例1
一种性能优异的金属蚀刻液组合物,制备原料按重量百分比计,组成如下:
一种性能优异的金属蚀刻液组合物的制备方法,包括以下步骤:
将制备原料混合,在40℃下搅拌至完全溶解,静置,即得。
对比例2
一种性能优异的金属蚀刻液组合物,制备原料按重量百分比计,组成如下:
原料名称 | 用量% |
过氧化氢 | 7 |
硝酸 | 2.27 |
丙二酸 | 1.85 |
苹果酸 | 0.94 |
二甲基乙醇胺 | 3.28 |
异丙醇胺 | 1.96 |
聚乙烯醇 | 3 |
5-氨基四氮唑 | 0.04 |
苯基脲 | 0.1 |
水 | 79.56 |
其中,所述的聚乙烯醇的数均分子量为300-3000,购于济南创世化工有限公司;
一种性能优异的金属蚀刻液组合物的制备方法,包括以下步骤:
将制备原料混合,在40℃下搅拌至完全溶解,静置,即得。
对比例3
一种性能优异的金属蚀刻液组合物,制备原料按重量百分比计,组成如下:
其中,所述的聚乙烯醇的数均分子量为27000,型号P816862,购于麦克林试剂官网;
一种性能优异的金属蚀刻液组合物的制备方法,包括以下步骤:
将制备原料混合,在40℃下搅拌至完全溶解,静置,即得。
性能测试:
将实施例1-3和对比例1-3制备得到的蚀刻液,温度控制在30℃,将厚度为2000A的铜模和厚度为250A的钼铌膜面板置于蚀刻机台面上进行蚀刻,将蚀刻速率和蚀刻效果记录于下表。
通过以上性能测试结果显示:聚乙烯醇的添加量和分子量都对蚀刻液产生较大的影响,影响蚀刻结果,进而影响其在高清晰度和高刷新率的中小尺寸的产品中的应用价值。
Claims (3)
1.一种对厚度为的铜膜和厚度为/>的钼铌膜面板进行蚀刻的蚀刻液组合物,其特征在于,制备原料按重量百分比计,由以下物质组成:氧化剂5-10%、含羟基聚合物0.5-2%、分解抑制剂0.01-0.5%、pH稳定剂3-14%、缓蚀剂0.01-0.5%、溶剂补充余量至100%;
所述的分解抑制剂为苯基脲;
所述的缓蚀剂为5-氨基四氮唑;
所述的含羟基聚合物为聚乙烯醇,所述聚乙烯醇的数均分子量为300-3000;
所述的氧化剂为过氧化氢;
所述pH稳定剂包括有机碱和羧基化合物;
所述的氧化剂和分解抑制剂的重量比为70:1。
2.根据权利要求1所述的对厚度为的铜膜和厚度为/>的钼铌膜面板进行蚀刻的蚀刻液组合物,其特征在于,所述的pH稳定剂选自有机酸、无机酸、有机碱、无机碱中的至少一种。
3.一种根据权利要求2所述的对厚度为的铜膜和厚度为/>的钼铌膜面板进行蚀刻的蚀刻液组合物的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将制备原料混合,在40℃下搅拌至完全溶解,静置,即得。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111226379.4A CN115386877B (zh) | 2021-10-21 | 2021-10-21 | 一种金属蚀刻液及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111226379.4A CN115386877B (zh) | 2021-10-21 | 2021-10-21 | 一种金属蚀刻液及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115386877A CN115386877A (zh) | 2022-11-25 |
CN115386877B true CN115386877B (zh) | 2024-02-20 |
Family
ID=84114292
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111226379.4A Active CN115386877B (zh) | 2021-10-21 | 2021-10-21 | 一种金属蚀刻液及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115386877B (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108950557A (zh) * | 2018-07-19 | 2018-12-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种铜/钼蚀刻液组合物及其应用 |
CN111155091A (zh) * | 2020-02-13 | 2020-05-15 | Tcl华星光电技术有限公司 | 蚀刻液、添加剂及金属布线的制作方法 |
CN111621786A (zh) * | 2019-02-28 | 2020-09-04 | 易案爱富科技有限公司 | 金属膜蚀刻组合物 |
CN112877695A (zh) * | 2021-01-11 | 2021-06-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 铜铝膜蚀刻液 |
-
2021
- 2021-10-21 CN CN202111226379.4A patent/CN115386877B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108950557A (zh) * | 2018-07-19 | 2018-12-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种铜/钼蚀刻液组合物及其应用 |
WO2020015193A1 (zh) * | 2018-07-19 | 2020-01-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 铜/钼蚀刻液组合物及其应用 |
CN111621786A (zh) * | 2019-02-28 | 2020-09-04 | 易案爱富科技有限公司 | 金属膜蚀刻组合物 |
CN111155091A (zh) * | 2020-02-13 | 2020-05-15 | Tcl华星光电技术有限公司 | 蚀刻液、添加剂及金属布线的制作方法 |
CN112877695A (zh) * | 2021-01-11 | 2021-06-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 铜铝膜蚀刻液 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115386877A (zh) | 2022-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE60215084T2 (de) | Schleifmittelzusammensetzung und Polierverfahren unter Verwendung derselben | |
DE60128301T2 (de) | Schleifmittelzusammensetzung und diese verwendendes Polierverfahren | |
DE60210833T2 (de) | Polierzusammensetzung und diese verwendendes Polierverfahren | |
DE69724187T2 (de) | Suspension zum chemisch-mechanischen Polieren mit fluorierten Additiven und Verfahren zur Benutzung dieser Suspension | |
EP2229431B1 (de) | Textur- und reinigungsmedium zur oberflächenbehandlung von wafern und dessen verwendung | |
CN110004449A (zh) | 稳定型化学机械抛光后清洗液、其制备方法和应用 | |
DE102005042096B4 (de) | Polierzusammensetzung und Polierverfahren unter Verwendung derselben | |
DE60118015T2 (de) | Fotoresist-entfernungs-/reinigungszusammensetzungen mit aromatischen säureinhibitoren | |
CN104388090B (zh) | 一种草酸系ito蚀刻液及其制备方法和应用 | |
CN111423883A (zh) | 一种有源矩阵有机发光二极体显示器用阳极蚀刻液 | |
CN111809182A (zh) | 一种用于铜/钼(铌)/igzo膜层的刻蚀液及其制备方法和应用 | |
CN115386877B (zh) | 一种金属蚀刻液及其制备方法 | |
DE112012000662T5 (de) | Polierzusammensetzung und Polierverfahren unter Verwendung derselben | |
US20080029487A1 (en) | Fine Treatment Agent and Fine Treatment Method Using Same | |
EP1826254B1 (de) | Poliermittel enthaltend Gluconsäure | |
CN110079803A (zh) | 刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法 | |
CN113529086A (zh) | 适用于硫酸-双氧水体系的减铜加速剂 | |
CN114908342B (zh) | 一种沉锡药水及线路板沉锡方法 | |
CN111117336A (zh) | 改性氧化石墨烯分散液及其制备方法和在涂料中的应用 | |
JPH0214479B2 (zh) | ||
CN115386878A (zh) | 一种铜金属蚀刻液组合物及其使用方法 | |
CN113544248B (zh) | 半导体晶片清洗液组合物及利用其的清洗方法 | |
CN105525292A (zh) | 一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液的制备方法 | |
CN115369405B (zh) | 一种双氧水系金属蚀刻液组合物及其使用方法 | |
CN113355673A (zh) | 一种铜、钛叠层金属蚀刻液及制备方法和实时净化系统 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |