CN113529086A - 适用于硫酸-双氧水体系的减铜加速剂 - Google Patents
适用于硫酸-双氧水体系的减铜加速剂 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113529086A CN113529086A CN202110858067.9A CN202110858067A CN113529086A CN 113529086 A CN113529086 A CN 113529086A CN 202110858067 A CN202110858067 A CN 202110858067A CN 113529086 A CN113529086 A CN 113529086A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- copper
- hydrogen peroxide
- stabilizer
- accelerator
- sulfuric acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 62
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 62
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 62
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 17
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 76
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000000415 inactivating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- LUBJCRLGQSPQNN-UHFFFAOYSA-N 1-Phenylurea Chemical compound NC(=O)NC1=CC=CC=C1 LUBJCRLGQSPQNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- FEPBITJSIHRMRT-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzenesulfonic acid Chemical group OC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 FEPBITJSIHRMRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- LPULCTXGGDJCTO-UHFFFAOYSA-N 6-methylheptan-1-amine Chemical compound CC(C)CCCCCN LPULCTXGGDJCTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 11
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- -1 chlorine ions Chemical class 0.000 claims description 8
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N hexamethylenetetramine Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3 VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 claims description 5
- 239000008103 glucose Substances 0.000 claims description 5
- 239000011684 sodium molybdate Substances 0.000 claims description 5
- 235000015393 sodium molybdate Nutrition 0.000 claims description 5
- TVXXNOYZHKPKGW-UHFFFAOYSA-N sodium molybdate (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O TVXXNOYZHKPKGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- MACMNSLOLFMQKL-UHFFFAOYSA-N 1-sulfanyltriazole Chemical compound SN1C=CN=N1 MACMNSLOLFMQKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SPXOTSHWBDUUMT-UHFFFAOYSA-N 138-42-1 Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 SPXOTSHWBDUUMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LBOQZDCAYYCJBU-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole;5-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound C1=C(C)C=CC2=NNN=C21.CC1=CC=CC2=NNN=C12 LBOQZDCAYYCJBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical compound NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims description 3
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N diglycerol Chemical compound OCC(O)COCC(O)CO GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000010299 hexamethylene tetramine Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000004312 hexamethylene tetramine Substances 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 claims description 2
- 229940105990 diglycerin Drugs 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 12
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- SWTRHHHJWDJOEL-UHFFFAOYSA-N [Cu].OO.S(O)(O)(=O)=O Chemical compound [Cu].OO.S(O)(O)(=O)=O SWTRHHHJWDJOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAEKNCDIHIGLFI-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+);2-ethylhexanoate Chemical compound [Co+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O QAEKNCDIHIGLFI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QNIVIMYXGGFTAK-UHFFFAOYSA-N octodrine Chemical compound CC(C)CCCC(C)N QNIVIMYXGGFTAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/067—Etchants
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
本发明涉及一种适用于硫酸‑双氧水体系的减铜加速剂,包括双氧水稳定剂,用于减少双氧水的裂解,该双氧水稳定剂的添加量为1‑10g/L;加速剂,用于增加咬铜速率,该加速剂的添加量为1‑20g/L;铜离子稳定剂,用于使铜离子失去活性,稳定双氧水以及咬铜量的作用,该铜离子稳定剂的添加量为1‑20g/L;抗氯添加剂,用于稳定咬铜量,该抗氯添加剂的添加量为1‑20g/L。本发明的优点是:1.在硫酸‑双氧水蚀刻液的基础上,咬铜速率提升40%以上;通过添加减铜加速剂,与双氧水协同作用,进一步增加咬铜速率;2.在铜离子45g/L时,依然能有较高的咬铜速率,且双氧水裂解慢;通过添加铜离子稳定剂,与槽液中游离的铜离子螯合,使得铜离子失去原有的一些活性,进而起到稳定双氧水以及咬铜量的作用。
Description
技术领域
本发明涉及一种适用于硫酸-双氧水体系的减铜加速剂,属于减铜工艺领域。
背景技术
减铜工艺是PCB线路板行业中前处理工序中的一种,主要是将铜基材板的铜厚度蚀刻减到后续工艺中的要求铜厚,一般为几微米-十几微米左右,一般多采用硫酸-双氧水蚀刻液。
减铜工艺的最大要求就是蚀刻速率快,且铜离子稳定性好,双氧水稳定性好。目前,所使用的硫酸-双氧水减铜药水中,一般只添加双氧水安定剂,减少双氧水的裂解,但不能增加其咬铜速率,而减铜速率往往与PCB板厂的产能有关,因此,需要开发一款能明显提高减铜速率的减铜加速剂;在减铜的过程中,铜离子浓度不断增加,而铜离子的浓度增加往往会导致咬铜速率变慢以及双氧水裂解变快,因此需要在减铜药水中添加铜离子稳定剂,稳定减铜速率,同时还需要添加双氧水稳定剂减少其裂解;目前,市面上用到的减铜药水,在减铜速率过快时(一般会采用提高双氧水的办法),会有针孔或麻点出现,这一现象往往会导致良率变差,影响下一步制程;硫酸-双氧水体系中,如果混入了氯离子,哪怕只有1ppm,都会造成咬铜量急剧下降,甚至降低90%以上,因此一般只能使用纯水来生产,这也会增加生产成本。
发明内容
为克服现有技术的缺陷,本发明提供一种适用于硫酸-双氧水体系的减铜加速剂,本发明的技术方案是:
一种适用于硫酸-双氧水体系的减铜加速剂,包括
双氧水稳定剂,用于减少双氧水的裂解,该双氧水稳定剂的添加量为1-10g/L;
加速剂,用于增加咬铜速率,该加速剂的添加量为1-20g/L;
铜离子稳定剂,用于使铜离子失去活性,稳定双氧水以及咬铜量的作用,该铜离子稳定剂的添加量为1-20g/L;
抗氯添加剂,用于稳定咬铜量,减少氯离子对双氧水对干扰,该抗氯添加剂的添加量为1-20g/L。
所述的双氧水稳定剂为二乙二醇丁醚、1,4-丁二醇、二乙二醇乙醚、丙二醇、二丙二醇、正丁醇、丙醇、二甘油或乙二醇中的一种。
所述的加速剂为为对羟基苯磺酸、钼酸钠、乙二醇丁醚、对硝基苯磺酸或含有贵金属离子的物质。
所述的铜离子稳定剂为葡萄糖、苯并三氮唑、咪唑、尿素、六次甲基四胺、甲基-1H-苯并三唑,5-氨基四氮唑、3-氨基-1.2.4-三唑、3-巯基-1.2.3-三唑或噻唑中的一种。
所述的抗氯添加剂为异辛胺、环己胺或苯基脲中的一种。
本发明的优点是:
1.在硫酸-双氧水蚀刻液的基础上,咬铜速率提升40%以上;通过添加减铜加速剂,与双氧水协同作用,进一步增加咬铜速率;
2. 在铜离子45g/L时,依然能有较高的咬铜速率,且双氧水裂解慢;通过添加铜离子稳定剂,与槽液中游离的铜离子螯合,使得铜离子失去原有的一些活性,进而起到稳定双氧水以及咬铜量的作用;
3. 在减铜速率很快时,没有针孔的现象出现;通过添加铜面保护剂,在减铜的同时起到保护铜面的作用;
4. 在氯离子浓度为20ppm以上时,仍然有良好的减铜速率;通过添加抗氯安定剂,在氯离子浓度较高时,起到稳定咬铜量的作用。
具体实施方式
下面结合具体实施例来进一步描述本发明,本发明的优点和特点将会随着描述而更为清楚。但这些实施例仅是范例性的,并不对本发明的范围构成任何限制。本领域技术人员应该理解的是,在不偏离本发明的精神和范围下可以对本发明技术方案的细节和形式进行修改或替换,但这些修改和替换均落入本发明的保护范围内。
本发明涉及一种适用于硫酸-双氧水体系的减铜加速剂,包括
双氧水稳定剂,用于减少双氧水的裂解,该双氧水稳定剂的添加量为1-10g/L;加速剂,用于增加咬铜速率,该加速剂的添加量为1-20g/L;
铜离子稳定剂,用于使铜离子失去活性,稳定双氧水以及咬铜量的作用,该铜离子稳定剂的添加量为1-20g/L;抗氯添加剂,用于稳定咬铜量,减少氯离子对双氧水对干扰,该抗氯添加剂的添加量为1-20g/L。
具体实施例如下:
双氧水稳定剂g/L | 加速剂g/L | 铜离子稳定剂g/L | 抗氯添加剂g/L | 铜离子浓度g/L | 氯离子浓度ppm | 减铜速率um/min | |
比较例1 | 乙二醇丁醚 | 二丙二醇甲醚 | 咪唑 | / | 0 | 0 | 2.67 |
比较例2 | 乙二醇丁醚 | 二丙二醇甲醚 | 咪唑 | / | 0 | 20 | 0.05 |
比较例3 | 乙二醇丁醚 | 二丙二醇甲醚 | 咪唑 | / | 45 | 0 | 0.59 |
实施例1 | 二乙二醇丁醚1 | 对羟基苯磺酸1 | 苯并三氮唑1 | 异辛胺1 | 0 | 0 | 3.84 |
实施例2 | 二乙二醇丁醚1 | 对羟基苯磺酸1 | 苯并三氮唑1 | 异辛胺1 | 45 | 0 | 2.45 |
实施例3 | 二乙二醇丁醚3 | 对羟基苯磺酸2 | 苯并三氮唑2 | 异辛胺3 | 0 | 20 | 3.02 |
实施例4 | 二乙二醇丁醚3 | 钼酸钠2 | 苯并三氮唑3 | 异辛胺4 | 0 | 0 | 4.01 |
实施例5 | 二乙二醇丁醚5 | 钼酸钠3 | 苯并三氮唑4 | 异辛胺5 | 45 | 0 | 2.75 |
实施例6 | 二乙二醇丁醚6 | 钼酸钠6 | 苯并三氮唑8 | 异辛胺6 | 0 | 20 | 3.11 |
实施例7 | 二乙二醇丁醚7 | 对羟基苯磺酸8 | 苯并三氮唑9 | 苯基脲10 | 0 | 0 | 3.89 |
实施例8 | 二乙二醇丁醚8 | 对羟基苯磺酸5 | 苯并三氮唑7 | 苯基脲8 | 45 | 0 | 1.55 |
实施例9 | 二乙二醇丁醚9 | 对羟基苯磺酸10 | 苯并三氮唑12 | 苯基脲10 | 0 | 20 | 1.65 |
实施例10 | 二乙二醇丁醚3 | 对羟基苯磺酸13 | 葡萄糖14 | 异辛胺12 | 0 | 0 | 3.95 |
实施例11 | 二乙二醇丁醚10 | 对羟基苯磺酸16 | 葡萄糖15 | 异辛胺15 | 45 | 0 | 2.39 |
实施例12 | 二乙二醇丁醚10 | 对羟基苯磺酸20 | 葡萄糖20 | 异辛胺20 | 0 | 20 | 3.11 |
以上所有的示例,硫酸浓度为100g/L,35%双氧水浓度为70g/L,温度为30度。
所述的双氧水稳定剂还可以为1,4-丁二醇、二乙二醇乙醚、丙二醇、二丙二醇、正丁醇、丙醇、二甘油或乙二醇中的一种。
所述的加速剂还可以为乙二醇丁醚、对硝基苯磺酸或含有贵金属离子的物质。
所述的铜离子稳定剂还可以为咪唑、尿素、六次甲基四胺、甲基-1H-苯并三唑,5-氨基四氮唑、3-氨基-1.2.4-三唑、3-巯基-1.2.3-三唑或噻唑中的一种。
所述的抗氯添加剂为异辛胺、环己胺或苯基脲中的一种。
基于以上实施例,可以得知:
1.在硫酸-双氧水蚀刻液的基础上,本发明的减铜加速剂咬铜速率提升40%以上;
2.在铜离子45g/L时,依然能有较高的咬铜速率,且双氧水裂解慢;
3.在减铜速率很快时,没有针孔或麻点的现象出现
4.在氯离子浓度为20ppm以上时,仍然有良好的减铜速率。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种适用于硫酸-双氧水体系的减铜加速剂,其特征在于,包括
双氧水稳定剂,用于减少双氧水的裂解,该双氧水稳定剂的添加量为1-10g/L;
加速剂,用于增加咬铜速率,该加速剂的添加量为1-20g/L;
铜离子稳定剂,用于使铜离子失去活性,稳定双氧水以及咬铜量的作用,该铜离子稳定剂的添加量为1-20g/L;
抗氯添加剂,用于稳定咬铜量,减少氯离子对双氧水对干扰,该抗氯添加剂的添加量为1-20g/L。
2.根据权利要求1所述的一种适用于硫酸-双氧水体系的减铜加速剂,其特征在于,所述的双氧水稳定剂为二乙二醇丁醚、1,4-丁二醇、二乙二醇乙醚、丙二醇、二丙二醇、正丁醇、丙醇、二甘油或乙二醇中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种适用于硫酸-双氧水体系的减铜加速剂,其特征在于,所述的加速剂为为对羟基苯磺酸、钼酸钠、乙二醇丁醚、对硝基苯磺酸或含有贵金属离子的物质。
4.根据权利要求1所述的一种适用于硫酸-双氧水体系的减铜加速剂,其特征在于,所述的铜离子稳定剂为葡萄糖、苯并三氮唑、咪唑、尿素、六次甲基四胺、甲基-1H-苯并三唑,5-氨基四氮唑、3-氨基-1.2.4-三唑、3-巯基-1.2.3-三唑或噻唑中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种适用于硫酸-双氧水体系的减铜加速剂,其特征在于,所述的抗氯添加剂为异辛胺、环己胺或苯基脲中的一种。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110858067.9A CN113529086A (zh) | 2021-07-28 | 2021-07-28 | 适用于硫酸-双氧水体系的减铜加速剂 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110858067.9A CN113529086A (zh) | 2021-07-28 | 2021-07-28 | 适用于硫酸-双氧水体系的减铜加速剂 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113529086A true CN113529086A (zh) | 2021-10-22 |
Family
ID=78121254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110858067.9A Pending CN113529086A (zh) | 2021-07-28 | 2021-07-28 | 适用于硫酸-双氧水体系的减铜加速剂 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113529086A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113981447A (zh) * | 2021-11-10 | 2022-01-28 | 纳然电子技术(苏州)有限公司 | 一种蚀刻液 |
CN115074734A (zh) * | 2022-08-22 | 2022-09-20 | 深圳市板明科技股份有限公司 | 一种铝基材线路板用减铜添加剂及其制备方法和使用方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4437928A (en) * | 1983-08-22 | 1984-03-20 | Dart Industries Inc. | Dissolution of metals utilizing a glycol ether |
CN109652804A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-04-19 | 湖南互连微电子材料有限公司 | 一种新型pcb减铜蚀刻液以及制作工艺 |
CN110923713A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-03-27 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 一种用于铜钼及合金膜的刻蚀液及其制备方法 |
CN111155091A (zh) * | 2020-02-13 | 2020-05-15 | Tcl华星光电技术有限公司 | 蚀刻液、添加剂及金属布线的制作方法 |
CN111206249A (zh) * | 2020-03-28 | 2020-05-29 | 黄钟扬 | 一种抗氯离子铜面微蚀剂及其制备方法 |
CN111647888A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-09-11 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种长蚀刻寿命的铜蚀刻液 |
CN111809182A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-10-23 | 江苏和达电子科技有限公司 | 一种用于铜/钼(铌)/igzo膜层的刻蚀液及其制备方法和应用 |
CN112795923A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-05-14 | 江苏和达电子科技有限公司 | 一种铜蚀刻液组合物及其制备方法和应用 |
-
2021
- 2021-07-28 CN CN202110858067.9A patent/CN113529086A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4437928A (en) * | 1983-08-22 | 1984-03-20 | Dart Industries Inc. | Dissolution of metals utilizing a glycol ether |
CN109652804A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-04-19 | 湖南互连微电子材料有限公司 | 一种新型pcb减铜蚀刻液以及制作工艺 |
CN110923713A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-03-27 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 一种用于铜钼及合金膜的刻蚀液及其制备方法 |
CN111155091A (zh) * | 2020-02-13 | 2020-05-15 | Tcl华星光电技术有限公司 | 蚀刻液、添加剂及金属布线的制作方法 |
CN111206249A (zh) * | 2020-03-28 | 2020-05-29 | 黄钟扬 | 一种抗氯离子铜面微蚀剂及其制备方法 |
CN111647888A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-09-11 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种长蚀刻寿命的铜蚀刻液 |
CN111809182A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-10-23 | 江苏和达电子科技有限公司 | 一种用于铜/钼(铌)/igzo膜层的刻蚀液及其制备方法和应用 |
CN112795923A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-05-14 | 江苏和达电子科技有限公司 | 一种铜蚀刻液组合物及其制备方法和应用 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113981447A (zh) * | 2021-11-10 | 2022-01-28 | 纳然电子技术(苏州)有限公司 | 一种蚀刻液 |
CN115074734A (zh) * | 2022-08-22 | 2022-09-20 | 深圳市板明科技股份有限公司 | 一种铝基材线路板用减铜添加剂及其制备方法和使用方法 |
CN115074734B (zh) * | 2022-08-22 | 2022-11-08 | 深圳市板明科技股份有限公司 | 一种铝基材线路板用减铜添加剂及其制备方法和使用方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN113529086A (zh) | 适用于硫酸-双氧水体系的减铜加速剂 | |
CN104498951B (zh) | 一种双氧水系铜钼合金膜用蚀刻液 | |
US4040863A (en) | Method of treating surface of copper and its alloys | |
US4859281A (en) | Etching of copper and copper bearing alloys | |
EP0609342B1 (fr) | Composition stabilisante de solutions de peroxydes inorganiques | |
CN110923713B (zh) | 一种用于铜钼及合金膜的刻蚀液及其制备方法 | |
JPH0379778A (ja) | 銅のエッチング液組成物およびエッチング方法 | |
CN111647888A (zh) | 一种长蚀刻寿命的铜蚀刻液 | |
US4437928A (en) | Dissolution of metals utilizing a glycol ether | |
CN110592604A (zh) | 一种环保型光亮酸洗剂及其配制方法 | |
CN112351593A (zh) | 一种印制电路板osp微蚀前处理液及微蚀方法 | |
CN112111740A (zh) | 镍磷镀层的褪除液、制备方法以及镍磷层的褪除方法 | |
US4437931A (en) | Dissolution of metals | |
US3466208A (en) | Solution and method for dissolving copper | |
US4174253A (en) | Dissolution of metals utilizing a H2 O2 -H2 SO4 solution catalyzed with hydroxy substituted cycloparaffins | |
JPH01240683A (ja) | 銅のエッチング液組成物およびエッチング方法 | |
US4158593A (en) | Dissolution of metals utilizing a H2 O2 -sulfuric acid solution catalyzed with selenium compounds | |
CN111850561B (zh) | 一种硫酸双氧水体系的蚀铜加速剂及蚀刻药水 | |
US4437930A (en) | Dissolution of metals utilizing ε-caprolactam | |
CN111778508A (zh) | 一种减少铜基材损耗的退镍液及退镍方法 | |
US4437932A (en) | Dissolution of metals utilizing a furan derivative | |
US4437929A (en) | Dissolution of metals utilizing pyrrolidone | |
CN114892173B (zh) | 一种碱性蚀刻液循环再生工艺 | |
US4525240A (en) | Dissolution of metals utilizing tungsten | |
CN112852429B (zh) | 一种银金属薄膜层蚀刻液及其制备、应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211022 |