JPH01240683A - 銅のエッチング液組成物およびエッチング方法 - Google Patents
銅のエッチング液組成物およびエッチング方法Info
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- JPH01240683A JPH01240683A JP6670988A JP6670988A JPH01240683A JP H01240683 A JPH01240683 A JP H01240683A JP 6670988 A JP6670988 A JP 6670988A JP 6670988 A JP6670988 A JP 6670988A JP H01240683 A JPH01240683 A JP H01240683A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/067—Etchants
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、プリント回路基板の製造における銅のエツチ
ング液組成物およびエツチング方法に関する。
ング液組成物およびエツチング方法に関する。
[従来の技術]
従来、銅のエツチングは、プリント回路基板の製造に欠
くことができないプロセスである。
くことができないプロセスである。
この銅のエツチング液としては、■塩化化第銑鉄系■塩
素酸ナトリウム系が知られているが最近、低価格で廃液
の処理が容易であり、かつ取り扱いの容易さ、および使
用後のエツチング液からの銅の回収や硫酸の再利用が比
較的容易なことから、硫酸と過酸化水素からなるエツチ
ング液系がプリント回路基板の製造に多用されるように
なってきた。プリント回路基板のエツチングでは、エツ
チング速度が一定でないと、エツチングにより形成され
た銅回路がサイドエツチングされ、個々の回路の回路幅
が不均一となるため、エツチング速度を一定にする必要
がある。しかしながら、この硫酸と過酸化水素からなる
エツチング液系にエツチング液の調製中またはプリント
回路基板のエツチング中に塩素イオンが2 ppm以上
混入してくると、エツチング速度が大幅に低下するとい
う問題がある。
の処理が容易であり、かつ取り扱いの容易さ、および使
用後のエツチング液からの銅の回収や硫酸の再利用が比
較的容易なことから、硫酸と過酸化水素からなるエツチ
ング液系がプリント回路基板の製造に多用されるように
なってきた。プリント回路基板のエツチングでは、エツ
チング速度が一定でないと、エツチングにより形成され
た銅回路がサイドエツチングされ、個々の回路の回路幅
が不均一となるため、エツチング速度を一定にする必要
がある。しかしながら、この硫酸と過酸化水素からなる
エツチング液系にエツチング液の調製中またはプリント
回路基板のエツチング中に塩素イオンが2 ppm以上
混入してくると、エツチング速度が大幅に低下するとい
う問題がある。
例えば、水道水中に含まれる塩素イオンは50〜250
ppmもあるため、水道水で洗浄したエツチング装置に
エツチング液を入れただけで、水道水中に含まれる塩素
イオンにより、2 PPm以上になりエツチング速度を
大幅に落とすことになる。
ppmもあるため、水道水で洗浄したエツチング装置に
エツチング液を入れただけで、水道水中に含まれる塩素
イオンにより、2 PPm以上になりエツチング速度を
大幅に落とすことになる。
従って、エツチング装置の洗浄も、プリント回路基板の
前処理も塩素イオンの入らない純水を使用する必要があ
る。さらに、塩化銅系のエツチング液を使用していた装
置を、硫酸と過酸化水素からなるエツチング液系に切り
換える場合、いくら純水で洗浄しても塩素イオンが残存
するということから、−度、塩化銅系のエツチング液を
使用した装置では、硫酸と過酸化水素からなるエツチン
グ液系の使用は実質上不可能であった。
前処理も塩素イオンの入らない純水を使用する必要があ
る。さらに、塩化銅系のエツチング液を使用していた装
置を、硫酸と過酸化水素からなるエツチング液系に切り
換える場合、いくら純水で洗浄しても塩素イオンが残存
するということから、−度、塩化銅系のエツチング液を
使用した装置では、硫酸と過酸化水素からなるエツチン
グ液系の使用は実質上不可能であった。
この問題を解決するために硝酸銀を添加することによっ
て塩素イオンを塩化銀として排除する方法が考えられは
したが、銀イオンの添加はエツチング液組成物である過
酸化水素を異常に不安定にし、期待するエツチング速度
の回復がみられない。
て塩素イオンを塩化銀として排除する方法が考えられは
したが、銀イオンの添加はエツチング液組成物である過
酸化水素を異常に不安定にし、期待するエツチング速度
の回復がみられない。
[発明の目的]
本発明者らは、前記の問題を解決するため、鋭意研究し
た結果、硫酸と過酸化水素からなるエツチング液系に塩
素イオンが混入することによるエツチング速度の低下を
防止することができ、また、−度、塩素イオンが入って
エツチング速度の低下したエツチング液を、ある程度回
復させることができる銅のエツチング液組成物およびエ
ツチング方法を提供するものである。
た結果、硫酸と過酸化水素からなるエツチング液系に塩
素イオンが混入することによるエツチング速度の低下を
防止することができ、また、−度、塩素イオンが入って
エツチング速度の低下したエツチング液を、ある程度回
復させることができる銅のエツチング液組成物およびエ
ツチング方法を提供するものである。
[発明の構成]
すなわち、本発明は、硫酸5〜25容量パーセント・と
過酸fヒ水素3〜20容量パーセントからなるエツチン
グ液に、ベンゾトリアゾールおよび/またはトリルトリ
アゾールを100〜50000ppm含有させた銅のエ
ツチング液組成物および上記のエツチング液組成物を用
いる銅のエツチング方法である。本発明は、硫酸と過酸
化水素からなるエツチング液系に塩素イオンが、混入す
ることによって起こるエツチング速度の低下を、防止す
ることおよび銅のエツチング速度を回復させることに関
する。
過酸fヒ水素3〜20容量パーセントからなるエツチン
グ液に、ベンゾトリアゾールおよび/またはトリルトリ
アゾールを100〜50000ppm含有させた銅のエ
ツチング液組成物および上記のエツチング液組成物を用
いる銅のエツチング方法である。本発明は、硫酸と過酸
化水素からなるエツチング液系に塩素イオンが、混入す
ることによって起こるエツチング速度の低下を、防止す
ることおよび銅のエツチング速度を回復させることに関
する。
本発明の銅のエツチング液組成物において、使用される
エツチング液の主成分である硫酸の濃度範囲は、5〜2
5容量パーセントであり、好ましくは8〜16容量パー
セント、過酸化水素の濃度範囲は3〜20容量パーセン
トであり、好ましくは6〜12容量パーセントである。
エツチング液の主成分である硫酸の濃度範囲は、5〜2
5容量パーセントであり、好ましくは8〜16容量パー
セント、過酸化水素の濃度範囲は3〜20容量パーセン
トであり、好ましくは6〜12容量パーセントである。
また、ベンゾトリアゾールおよび/またはトリルトリア
ゾールの濃度範囲は、100〜50000ppmであり
、好ましくは300〜20000ppm、さらに好まし
くは500〜12000ppmである。例えば、塩素イ
オンが低濃度(2〜30ppm)の場合に、エツチング
速度を回復させるには、ベンゾトリアゾールおよび/ま
なはトリルトリアゾールを100〜2500ppmの範
囲で添加するのが適当であり、また塩素イオンが、比較
的高濃度(30〜60 ppm )の場合には、250
0〜12’000 ppmのべ!シトリアゾールおよび
/またはトリルトリアゾールを添加すべきである。この
様にベンゾトリアゾールおよび/またはトリルトリアゾ
ールの添加量は、塩素イオンの量により適時変量される
。
ゾールの濃度範囲は、100〜50000ppmであり
、好ましくは300〜20000ppm、さらに好まし
くは500〜12000ppmである。例えば、塩素イ
オンが低濃度(2〜30ppm)の場合に、エツチング
速度を回復させるには、ベンゾトリアゾールおよび/ま
なはトリルトリアゾールを100〜2500ppmの範
囲で添加するのが適当であり、また塩素イオンが、比較
的高濃度(30〜60 ppm )の場合には、250
0〜12’000 ppmのべ!シトリアゾールおよび
/またはトリルトリアゾールを添加すべきである。この
様にベンゾトリアゾールおよび/またはトリルトリアゾ
ールの添加量は、塩素イオンの量により適時変量される
。
本発明によれば、エツチング前にあらかじめ、エツチン
グ液にベンゾトリアゾールおよび/またはトリルトリア
ゾールを加えておくと、たとえ塩素イオンが混入してい
てもエツチング速度の低下はなく、またエツチング途中
に塩素イオンが混入してきても、エツチング速度を回復
することができる。ベンゾトリアゾールおよびトリルト
リアゾールは、一般的な工業薬品として多量に生産され
、市販されている有機化合物であるため、価格的にも安
価であり、容易に入手可能なものである。
グ液にベンゾトリアゾールおよび/またはトリルトリア
ゾールを加えておくと、たとえ塩素イオンが混入してい
てもエツチング速度の低下はなく、またエツチング途中
に塩素イオンが混入してきても、エツチング速度を回復
することができる。ベンゾトリアゾールおよびトリルト
リアゾールは、一般的な工業薬品として多量に生産され
、市販されている有機化合物であるため、価格的にも安
価であり、容易に入手可能なものである。
また、エツチング液中の過酸化水素の安定性にも影響せ
ず、本発明のエツチング液組成物を2〜3週間放置して
、再度使用してもエツチング速度が低下することなく使
用できる。さらに、エツチング中において、塩素イオン
が増加することにより、エツチング速度が低下する場合
は、本発明の化合物を補充することによって、エツチン
グ速度を回復させることができる。また、本エツチング
液組成物に過酸化水素の安定剤が併用添加されることは
何ら差し支えない。
ず、本発明のエツチング液組成物を2〜3週間放置して
、再度使用してもエツチング速度が低下することなく使
用できる。さらに、エツチング中において、塩素イオン
が増加することにより、エツチング速度が低下する場合
は、本発明の化合物を補充することによって、エツチン
グ速度を回復させることができる。また、本エツチング
液組成物に過酸化水素の安定剤が併用添加されることは
何ら差し支えない。
これらの化合物のmlについては、不明瞭ではあるが、
産業上、非常に有効量な銅のエツチング組成物である。
産業上、非常に有効量な銅のエツチング組成物である。
[実施例]
以下に本発明を比較例および実施例により詳しく説明す
るが、この発明の範囲は本実施例の記載の態様に限定さ
れるものではない。
るが、この発明の範囲は本実施例の記載の態様に限定さ
れるものではない。
比較例(1)〜(6)および実施例(1)〜比較例(1
)〜(6)として、スプレー式エツチング装置[ツルミ
ニ業(株)製コに硫酸12容量パーセント、過酸化水素
8容量パーセントおよび蒸留水80容量パーセントから
なるエツチング液60リツトルを仕込み、ガラスエポキ
シ銅基板(62mmX 62mm、銅の厚さ18μ)を
エツチング液の吐出に対して、垂直方向にセットして、
エツチング液の吐出圧力を1.5kg/cm2、温度は
50±1℃の条件下で、塩素イオンを含まない状態での
エツチング速度を、エツチング液が噴射し始めてから完
全に銅が溶解するまでの時間で測定した。また、上記と
同じ装置および条件で塩素イオン(過酸化水素の分解に
対して、不活性な塩化ナトリウムを使用した。)を各々
2,5,10゜20.3oppm添加した場合のエツチ
ング速度の低下を測定した。
)〜(6)として、スプレー式エツチング装置[ツルミ
ニ業(株)製コに硫酸12容量パーセント、過酸化水素
8容量パーセントおよび蒸留水80容量パーセントから
なるエツチング液60リツトルを仕込み、ガラスエポキ
シ銅基板(62mmX 62mm、銅の厚さ18μ)を
エツチング液の吐出に対して、垂直方向にセットして、
エツチング液の吐出圧力を1.5kg/cm2、温度は
50±1℃の条件下で、塩素イオンを含まない状態での
エツチング速度を、エツチング液が噴射し始めてから完
全に銅が溶解するまでの時間で測定した。また、上記と
同じ装置および条件で塩素イオン(過酸化水素の分解に
対して、不活性な塩化ナトリウムを使用した。)を各々
2,5,10゜20.3oppm添加した場合のエツチ
ング速度の低下を測定した。
次に、本発明の実施例(1)〜(5)としては、同じ装
置および条件で塩素イオンを各々0,10゜20.30
.60ppmを含んだエツチング液にベンゾ?へリアゾ
ールの有効量を添加して、エツチング速度を調べな。実
施例(6)〜(10)としては、前記実施例(1)〜(
5)で使用したベンゾトリアゾールの代わりに、トリル
トリアゾールの有効量を添加した以外は同様な装置およ
び条件で、エツチング速度を調べた。それらの結果は表
−1に示すようにエツチング速度を相当回復させた。
置および条件で塩素イオンを各々0,10゜20.30
.60ppmを含んだエツチング液にベンゾ?へリアゾ
ールの有効量を添加して、エツチング速度を調べな。実
施例(6)〜(10)としては、前記実施例(1)〜(
5)で使用したベンゾトリアゾールの代わりに、トリル
トリアゾールの有効量を添加した以外は同様な装置およ
び条件で、エツチング速度を調べた。それらの結果は表
−1に示すようにエツチング速度を相当回復させた。
(以下余白)
継続試験
エツチング速度が回復した実施例(5)および(10)
のエツチング液の効果の継続性を′Vrt認するため、
これらエツチング液の7日、14日。
のエツチング液の効果の継続性を′Vrt認するため、
これらエツチング液の7日、14日。
21日後のエツチング速度を同じ装置及び条件で測定し
た結果は、表−2に示すようにエツチング速度の低下は
ほとんどなかった。
た結果は、表−2に示すようにエツチング速度の低下は
ほとんどなかった。
(以下余白)
[発明の効果]
以上述べたように本発明の銅のエツチング液組成物およ
びエツチング方法を用いれば、エツチング速度を著しく
低下させることなく、塩素イオンによる劣化を防ぐ効果
がある。
びエツチング方法を用いれば、エツチング速度を著しく
低下させることなく、塩素イオンによる劣化を防ぐ効果
がある。
また、エツチング液組成物の調製には、水道水、工業用
水が使用できるため、経済的にも有利であり、エツチン
グの処理時間が大幅に短縮できる。
水が使用できるため、経済的にも有利であり、エツチン
グの処理時間が大幅に短縮できる。
しかも、エツチング中に塩素イオンが増加してエツチン
グ速度が低下しても、本発明に有用なベンゾトリアゾー
ルまたはトリルトリアゾールを補充することによってエ
ツチング速度を回復させる効果かめる。
グ速度が低下しても、本発明に有用なベンゾトリアゾー
ルまたはトリルトリアゾールを補充することによってエ
ツチング速度を回復させる効果かめる。
Claims (4)
- (1)硫酸5〜25容量パーセントと過酸化水素3〜2
0容量パーセントからなるエッチング液にベンゾトリア
ゾールおよび/またはトリルトリアゾールを含有させた
銅のエッチング液組成物。 - (2)ベンゾチアゾールおよび/またはトリルトリアゾ
ールの含有量が100〜50000ppmである特許請
求の範囲第1項記載の銅のエッチング液組成物 - (3)硫酸5〜25容量パーセントと過酸化水素3〜2
0容量パーセントからなるエッチング液にベンゾトリア
ゾールおよび/またはトリルトリアゾールの有効量を添
加したエッチング液組成物を用いることを特徴とする銅
のエッチング方法。 - (4)ベンゾトリアゾールおよび/またはトリルトリア
ゾールの有効量が100〜50000ppmである特許
請求の範囲第3項記載の銅のエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6670988A JPH01240683A (ja) | 1988-03-19 | 1988-03-19 | 銅のエッチング液組成物およびエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6670988A JPH01240683A (ja) | 1988-03-19 | 1988-03-19 | 銅のエッチング液組成物およびエッチング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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- 1988-03-19 JP JP6670988A patent/JPH01240683A/ja active Pending
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