CN112795923A - 一种铜蚀刻液组合物及其制备方法和应用 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种铜蚀刻液组合物及其制备方法和应用，所述铜蚀刻液包括主剂和辅剂，所述主剂和辅剂中至少一者中含有三聚氰胺和/或其衍生物。本发明的铜蚀刻液组合物价格低廉，且经所述铜蚀刻液处理过的铜/钼膜层表面无金属残留、无倒角、无裂缝、且具有较小的关键尺寸损失(CD‑loss)、较适当的锥角(taper angle)、较高的铜负载量、较小的CD‑loss变化量和较小锥角变化量。

Description

一种铜蚀刻液组合物及其制备方法和应用

技术领域

本发明属于蚀刻液领域，涉及一种铜蚀刻液组合物及其制备方法和应用。

背景技术

液晶显示装置(LCD，Liquid Crystal Display)包括液晶显示面板及背光模组。通常液晶显示面板包括CF(Color Filter)基板、TFT(Thin Film Transistor)阵列基板、及设于CF基板与TFT阵列基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)。通过给TFT阵列基板供电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线投射到CF基板产生画面。

TFT-LCD等微电路在制造时，通过在TFT阵列基板上形成铝、铝合金、铜和铜合金等导电性金属膜或二氧化硅、氮化硅等绝缘膜，并在其上均匀的涂抹光刻胶，然后通过刻有图案的薄膜，进行光照射成像，再用蚀刻液(湿式蚀刻法)或腐蚀性的气体(干式蚀刻法)对未被光刻胶掩盖的金属层或绝缘膜上进行蚀刻，待其形成预期形状后，剥离去除不需要的光刻胶等一系列的光刻工程而完成。

大型显示器的栅极及数据金属配线所使用的铜合金，与使用铝铬配线相比，具有阻抗低、机械强度高、抗电迁移更佳且没有环境问题等优点，然而铜与玻璃基板及绝缘膜的粘附性较差且易扩散为氧化硅膜，所以通常使用钛、钼等作为下层薄膜金属。

由于钼不容易被一般的蚀刻液蚀刻，或者蚀刻速度较慢，因此常会出现蚀刻完成时仍有钼的残留，为了避免钼残留而延长蚀刻时间，又会导致较大的关键尺寸损失(CD-loss，critical dimension-loss，即PR光阻胶边界与金属膜边界的差值)的问题。现有技术中，常使用含氟的蚀刻液来提高对金属钼的蚀刻效果，但含氟的蚀刻液会增加废液处理成本，还对环境造成污染。另外，现有的蚀刻液还容易产生不适宜的锥角，造成不良蚀刻，锥角过大会造成下一层膜沉积时断裂，锥角过小会使锥角热胀冷缩容易变形。

目前最常用的铜蚀刻液一般由双氧水、无机酸或有机酸、添加剂等组分构成，在蚀刻过程中会产生大量的铜离子，铜离子会加速双氧水的分解，双氧水分解过快则会导致蚀刻不均匀，影响蚀刻过程的质量，因而具有较高的铜离子负载浓度可以延长蚀刻液的使用寿命。其次，该类蚀刻液往往成本较高，尤其是添加剂中使用的氮唑类化合物，其成本可占蚀刻液总成本的30％-50％，因而可以从改进添加剂的角度考虑降低蚀刻液的生产成本。

因此，在本领域中制备克服以上问题的蚀刻液是亟需解决的问题。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种铜蚀刻液组合物及其制备方法和应用。本发明的铜蚀刻液组合物价格低廉，且经所述铜蚀刻液处理过的铜/钼膜层表面无金属残留、无倒角、无裂缝、且具有较小的关键尺寸损失(CD-loss)、较适当的锥角(taperangle)、较高的铜负载量、较小的CD-loss变化量和较小的锥角变化量。

为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：

一方面，本发明提供一种铜蚀刻液组合物，所述铜蚀刻液包括主剂和辅剂，所述主剂和辅剂中至少一者中含有三聚氰胺和/或其衍生物。

在本发明中，通过在铜蚀刻液的主剂和辅剂至少一者中加入三聚氰胺和/或其衍生物，三聚氰胺和/或其衍生物可以在金属表面形成一层保护膜，防止金属过度蚀刻，使得蚀刻液在较高铜离子浓度时依然保持良好的蚀刻特性。使得经所述铜蚀刻液处理过的铜/钼膜层表面无金属残留、无倒角、无裂缝、且具有较小的关键尺寸损失(CD-loss)、较适当的锥角(taper angle)、较高的铜负载量、较小的CD-loss变化量和较小的锥角变化量。

优选地，所述主剂和辅剂中均含有三聚氰胺和/或其衍生物。

优选地，所述三聚氰胺或其衍生物具有如下式A所示结构：

其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅和R₆各自独立地选自-H、含有1-10个碳原子的直链或支链的烷基，或者所述含有1-10个碳原子的直链或支链的烷基中一个或不相邻的两个以上的-CH₂-被-O-、-CO-、-CO-O-、-NH₂-或-O-CO-替代后的基团。

在本发明中，所述含有1-10个碳原子的直链或支链的烷基，为含有1、2、3、4、5、6、7、8、9或10个碳原子的直链或支链的烷基，具体地可以列举甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、戊基、新戊基、己基等。

优选地，所述R₁、R₂、R₃、R₄、R₅和R₆各自独立地选自-H、含有1-8个碳原子的直链或支链的烷基，或者所述含有1-8个碳原子的直链或支链的烷基中一个或不相邻的两个以上的-CH₂-被-O-替代后的基团。

在本发明的一些实施方案中，为了获得较小的CD loss值、较小的CD loss变化量和较小的锥角变化量，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅和R₆中至少一个选自-C_nH_2nOC_mH_2m+1、-C_nH_2nOH或-OC_mH_2m+1，其中m和n各自独立地表示1-8的整数(例如为1、2、3、4、5、6、7或8)，且m+n≤8(例如为2、3、4、5、6、7或8)。

在本发明中，为了获得较小的CD loss值、较小的CD loss变化量和较小的锥角变化量，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅和R₆各自独立地表示-C_nH_2nOH，其中n表示1-8的整数。

优选地，所述三聚氰胺的衍生物为六羟甲基三聚氰胺、六甲基三聚氰胺或六羟丙基三聚氰胺。

优选地，所述主剂中三聚氰胺和/或其衍生物的质量百分含量为0.01％-1％，例如0.01％、0.02％、0.03％、0.04％、0.05％、0.06％、0.08％、0.1％、0.12％、0.14％、0.18％、0.2％、0.3％、0.4％、0.5％、0.6％、0.7％、0.8％、0.9％或1％；优选为0.02％-0.3％。当所述主剂中三聚氰胺和/或其衍生物的质量百分含量过高时，会导致蚀刻速率低下，延长蚀刻过程；当所述主剂中三聚氰胺和/或其衍生物的质量百分含量过低时，则会导致CD-Loss过大或者钼拖尾。

优选地，所述辅剂中三聚氰胺和/或其衍生物的质量百分含量为0.01％-1％，例如，0.01％、0.02％、0.03％、0.04％、0.05％、0.06％、0.08％、0.1％、0.12％、0.14％、0.18％、0.2％、0.3％、0.4％、0.5％、0.6％、0.7％、0.8％、0.9％或1％；优选为0.03％-0.5％。当所述辅剂中三聚氰胺和/或其衍生物的质量百分含量过高时，会导致蚀刻速率低下，延长蚀刻过程；当所述辅剂中三聚氰胺和/或其衍生物的质量百分含量过低时，则会导致CD-Loss过大或者钼拖尾。

优选地，所述主剂按照质量百分比含量包括以下组分：

在本发明中，主剂中各组分的配合，可以一方面降低成本，另一方面可以提高蚀刻液的使用寿命和蚀刻稳定性。

在本发明中，所述过氧化氢的质量百分含量以其溶质过氧化氢进行计算。

在本发明中，所述主剂中过氧化氢的质量百分含量为1％-20％，例如，1％、2％、3％、4％、5％、6％、7％、8％、9％、10％、11％、12％、13％、14％、15％、16％、17％、18％、19％或20％，优选8％-12％。当所述主剂中过氧化氢的质量百分含量过低时，会导致蚀刻过程中无法彻底清除钼残留；当所述主剂中过氧化氢的质量百分含量过高时，会导致蚀刻剧烈，产生过度蚀刻以及CD-Loss过大的问题。

在本发明的主剂中有机酸可以向体系中提供化学反应必须的氢离子，同时也可以络合金属离子抑制双氧水的分解，延长蚀刻液的使用寿命。

在本发明的一些实施方案中，主剂中的有机酸选自氨基甲酸、氨基乙酸、乙二酸、丙二酸、丁二酸、苹果酸、柠檬酸、亚氨基二乙酸、次氨基三乙酸、三乙酸胺或酒石酸中的任意一种或至少两种的组合。

在本发明的一些实施方案中，主剂中的有机酸选自丙二酸、丁二酸、苹果酸或次氨基三乙酸中的任意一种或至少两种的组合。

在本发明中，所述主剂中有机酸的质量百分含量为1％-20％，例如1％、2％、3％、4％、5％、6％、7％、8％、9％、10％、11％、12％、13％、14％、15％、16％、17％、18％、19％或20％，优选3％-10％。

本发明的主剂中的有机碱可以中和反应体系中的氢离子，平衡反应体系的pH值，同时也可以络合金属离子抑制双氧水的分解，延长蚀刻液的使用寿命。

在本发明的一些实施方案中，所述主剂中的有机碱选自氨水、甲胺、乙二胺、二甲基乙醇胺、二乙氨基丙胺、丙二胺、三乙醇胺、二乙醇胺、异丙醇胺、二甲基乙二胺或三羟甲基氨基甲烷中的任意一种或至少两种的组合。

在本发明的一些实施方案中，所述主剂中的有机碱选自由二甲基乙醇胺和/或三乙醇胺。

在本发明的主剂中有机碱的质量百分含量可以为1％-20％，例如1％、2％、3％、4％、5％、6％、7％、8％、9％、10％、11％、12％、13％、14％、15％、16％、17％、18％、19％或20％；优选为3％-10％。

本发明中的双氧水稳定剂可以稳定双氧水的分解速率，延长蚀刻液的储存和使用寿命。

在本发明的一些实施方案中，主剂中的双氧水稳定剂选自苯基脲和/或对羟基苯磺酸。

在本发明的一些实施方案中，主剂中的双氧水稳定剂为苯基脲。

在本发明中，主剂中双氧水稳定剂的质量百分含量为0.01％-5％，例如，0.01％、0.02％、0.05％、0.10％、0.12％、0.15％、0.18％、0.2％、0.25％、0.3％、0.5％、1％、1.5％、2％、2.5％、3％、3.5％、4％、4.5％或5％；优选为0.05％-2％。

在本发明中，主剂中溶剂为超纯水。

优选地，所述主剂按照质量百分比含量包含如下组分：

优选地，所述辅剂按质量百分比含量包括以下组分：

在本发明的一些实施方案中，辅剂中的有机酸选自氨基甲酸、氨基乙酸、乙二酸、丙二酸、丁二酸、苹果酸、柠檬酸、亚氨基二乙酸、三乙酸胺或酒石酸中的任意一种或至少两种的组合。

在本发明的一些实施方案中，辅剂中的有机酸选自丙二酸、丁二酸、苹果酸或次氨基三乙酸中的任意一种或至少两种的组合。

在本发明中，辅剂中的有机酸的质量百分含量可以为5％-40％，例如，5％、6％、7％、8％、9％、10％、11％、12％、13％、14％、15％、16％、17％、18％、19％、20％、21％、22％、23％、24％、25％、26％、27％、28％、29％、30％、31％、32％、33％、34％、35％、36％、37％、38％、39％或40％；优选为10％-30％。

在本发明的一些实施方案中，辅剂中的有机碱选自氨水、甲胺、乙二胺、二甲基乙醇胺、二乙氨基丙胺、丙二胺、三乙醇胺、二乙醇胺、异丙醇胺、二甲基乙二胺或三羟甲基氨基甲烷中的任意一种或至少两种的组合。

在本发明的一些实施方案中，辅剂中的有机碱选自二甲基乙醇胺和/或三乙醇胺。

在本发明中，辅剂中的有机碱的质量百分含量可以为5％-40％，例如，5％、6％、7％、8％、9％、10％、11％、12％、13％、14％、15％、16％、17％、18％、19％、20％、21％、22％、23％、24％、25％、26％、27％、28％、29％、30％、31％、32％、33％、34％、35％、36％、37％、38％、39％或40％；优选为10％-30％。

在本发明中，辅剂中溶剂为超纯水。

优选地，所述辅剂按质量百分比含量包括以下组分：

根据本发明提供的技术方案，通过不同质量百分数的不同化合物和蚀刻目标物之间的化学和电化学作用，能够使目标膜层同时被转化为游离离子态化合物而发生蚀刻，蚀刻形貌佳、蚀刻精度高，最终可呈现出CD loss≤0.8μm，35°＜锥角＜65°，同时不会对各膜层的电学特性造成损伤。

本发明中，蚀刻液主剂和辅剂通过特定质量含量的不同化合物或其组合与不同金属或金属氧化物基底发生化学反应使后者由固态转变为游离态物质，而且其化学反应速率高度可控，这样可以获得满足客户需求的蚀刻形貌和蚀刻特性。

另一方面，本发明提供了如上所述的铜蚀刻液的制备方法，所述制备方法为：在铜蚀刻液的主剂和辅剂的至少一者中加入三聚氰胺和/或其衍生物，得到所述铜蚀刻液。

进一步优选地，所述制备方法包括如下步骤：

(1)将过氧化氢、有机酸、有机碱、双氧水稳定剂、三聚氰胺和/或其衍生物与溶剂在温度不超过50℃的情况下混合搅拌，经过滤合格后得到所述铜蚀刻液主剂；

(2)将有机酸、有机碱、三聚氰胺和/或其衍生物与溶剂在温度不超过50℃的情况下混合搅拌，经过滤合格后得到所述蚀刻液辅剂；得到主剂和辅剂后即得到所述铜蚀刻液。

在本发明的一些实施方案中，在维持混合液的温度不超过50℃的情况下，可以先将有机碱和溶剂混合，然后向混合体系中分别加入三聚氰胺和/或其衍生物、有机酸、双氧水稳定剂和过氧化氢，加料过程中开启搅拌，经过滤合格后储存，得到所述主剂。

在本发明的一些实施方案中，在维持混合液的温度不超过50℃的情况下，可以先将有机碱和溶剂混合，然后向混合体系中分别加入三聚氰胺和/或其衍生物、有机酸，加料过程中开启搅拌，经过滤合格后储存，得到所述辅剂。

本发明的铜蚀刻液的生产工艺难度较低，能够以安全高效的方式获得满足蚀刻要求的蚀刻液。

另一方面，本发明提供一种铜膜层的蚀刻方法，所述蚀刻方法利用如上所述的铜蚀刻液进行蚀刻。

在本发明的一些实施方案中，在蚀刻过程中，膜层中的铜会被溶解成铜离子，随着蚀刻液中铜离子浓度的升高，造成蚀刻品质低下，需补充蚀刻辅剂以稳定蚀刻特性。

在本发明的一些实施方案中，在蚀刻过程中，按照铜离子浓度每升高100ppm，向体系中添加占蚀刻液主剂质量的0.05％-0.15％(例如0.05％、0.06％、0.07％、0.08％、0.09％、0.10％、0.11％、0.12％、0.13％、0.14％或0.15％)的蚀刻辅剂。

相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：

本发明的蚀刻液成本低，经本发明的蚀刻液处理过的铜/钼膜层在铜负载浓度为10000ppm时表面无金属残留、无倒角、无裂缝，蚀刻液使用寿命更长；当铜负载浓度为7000ppm时，本发明的蚀刻液处理过的铜/钼膜层具有较小的关键尺寸损失(CD-loss)和较适当的锥角，蚀刻品质更佳；本发明具有较小的CD-loss变化量和锥角变化量，蚀刻更稳定。

附图说明

图1-A为对比例1中铜负载浓度为7000ppm时SEM俯视图；

图1-B为对比例1中铜负载浓度为7000ppm时SEM剖面图；

图1-C为对比例1中铜负载浓度为10000ppm时SEM俯视图；

图1-D为对比例1中铜负载浓度为10000ppm时SEM剖面图；

图2-A为对比例2中铜负载浓度为7000ppm时SEM俯视图；

图2-B为对比例2中铜负载浓度为7000ppm时SEM剖面图；

图2-C为对比例2中铜负载浓度为10000ppm时SEM俯视图；

图2-D为对比例2中铜负载浓度为10000ppm时SEM剖面图；

图3-A为实施例1中铜负载浓度为10000ppm时SEM俯视图；

图3-B为实施例1中铜负载浓度为10000ppm时SEM剖面图；

图4-A为实施例2中铜负载浓度为10000ppm时SEM俯视图；

图4-B为实施例2中铜负载浓度为10000ppm时SEM剖面图；

图5-A为实施例3中铜负载浓度为10000ppm时SEM俯视图；

图5-B为实施例3中铜负载浓度为10000ppm时SEM剖面图；

图6-A为实施例4中铜负载浓度为10000ppm时SEM俯视图；

图6-B为实施例4中铜负载浓度为10000ppm时SEM剖面图；

图7-A为实施例5中铜负载浓度为10000ppm时SEM俯视图；

图7-B为实施例5中铜负载浓度为10000ppm时SEM剖面图；

图8-A为实施例6中铜负载浓度为10000ppm时SEM俯视图；

图8-B为实施例6中铜负载浓度为10000ppm时SEM剖面图。

具体实施方式

下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。

蚀刻液主剂的配置方法：将各组分在不超过50℃氛围下混合搅拌均匀，经过滤合格后，即得到用于铜/钼膜层的蚀刻液主剂。

蚀刻液辅剂的配置方法：将各组分在不超过50℃氛围下混合搅拌均匀，经过滤合格后，即得到用于铜/钼膜层的蚀刻液辅剂。

如上所述过滤合格，是指所述铜蚀刻液主剂和铜蚀刻液辅剂经过滤后，其粒径>0.5μm，颗粒数小于100。

按照表1所列各组份的质量百分含量配置对比例1-2以及实施例1-6的蚀刻液主剂和蚀刻液辅剂。

将按下述配方配置好的蚀刻液导入蚀刻机台的贮液系统并使蚀刻液的温度维持在31℃，将铜/钼(3000A/200A)膜层面板置入蚀刻机台上，喷淋过程中，使用仪器记载溶液中铜离子浓度，铜离子浓度每升高100ppm，向体系中补加占主剂重量0.12％的蚀刻辅剂，喷淋时间为160s，蚀刻完成后用超纯水清洗并制备样品通过SEM观察蚀刻特性。

表1蚀刻液主剂和蚀刻液辅剂的配方及测试结果

由对比例1和对比例2与实施例1的对比可知，当等量的三聚氰胺替换氮唑类化合物应用于本发明的蚀刻液体系中时，使得本发明的蚀刻液成本低，在铜负载浓度由0ppm变为10000ppm的过程中，CD-loss和锥角变化量小于对比例中铜负载浓度由0ppm变为7000ppm时的变化量，即本发明具有较小的CD-loss变化量和较小的锥角变化量，蚀刻更稳定。

以下为对比例1-2和实施例1-6在不同的铜离子负载浓度时的蚀刻特性测试结果。

当铜离子浓度为0ppm时，其蚀刻特性如下表2所示：

表2.铜离子浓度为0ppm的蚀刻特性测试结果

当铜离子浓度为3000ppm时，其蚀刻特性如下表3所示：

表3.铜离子浓度为3000ppm的蚀刻特性测试结果

当铜离子浓度为7000ppm时，其蚀刻特性如下表4所示：

表4.铜离子浓度为7000ppm的蚀刻特性测试结果

对比例1中铜负载浓度为7000ppm时SEM俯视图和剖面图如图1-A和图1-B所示，对比例2中铜负载浓度为7000ppm时SEM俯视图和剖面图如图2-A和图2-B所示。

由对比例1和对比例2与实施例1的对比可知，当等量的三聚氰胺替换氮唑类化合物应用于本发明的蚀刻液体系中时，本发明的蚀刻液处理过的铜/钼膜层具有较小的关键尺寸损失(CD-loss)和较适当的锥角。

当铜离子浓度为10000ppm时，其蚀刻特性如下表5所示：

表5.铜离子浓度为10000ppm的蚀刻特性测试结果

对比例1中铜负载浓度为10000ppm时SEM俯视图和剖面图如图1-C和图1-D所示，对比例2中铜负载浓度为10000ppm时SEM俯视图和剖面图如图2-C和图2-D所示，实施例1中铜负载浓度为10000ppm时SEM俯视图和剖面图如图3-A和图3-B所示，实施例2中铜负载浓度为10000ppm时SEM俯视图和剖面图如图4-A和图4-B所示，实施例3中铜负载浓度为10000ppm时SEM俯视图和剖面图如图5-A和图5-B所示，实施例4中铜负载浓度为10000ppm时SEM俯视图和剖面图如图6-A和图6-B所示，实施例5中铜负载浓度为10000ppm时SEM俯视图和剖面图如图7-A和图7-B所示，实施例6中铜负载浓度为10000ppm时SEM俯视图和剖面图如图8-A和图8-B所示。

由对比例1和对比例2与实施例1的对比可知，当等量的三聚氰胺替换氮唑类化合物应用于本发明的蚀刻液体系中时，本发明的蚀刻液处理过的铜/钼膜层在铜负载浓度为10000ppm时表面无金属残留、无倒角、无裂缝，蚀刻液使用寿命更长。

综上，本发明的蚀刻液成本低，经本发明的蚀刻液处理过的铜/钼膜层在铜负载浓度为10000ppm时表面无金属残留、无倒角、无裂缝，蚀刻液使用寿命更长；当铜负载浓度为7000ppm时，本发明的蚀刻液处理过的铜/钼膜层具有较小的关键尺寸损失(CD-loss)和较适当的锥角，蚀刻品质更佳；本发明具有较小的CD-loss变化量和较小的锥角变化量，蚀刻更稳定。

申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的铜蚀刻液组合物及其制备方法和应用，但本发明并不局限于上述实施例，即不意味着本发明必须依赖上述实施例才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所选用原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种铜蚀刻液组合物，其特征在于，所述铜蚀刻液包括主剂和辅剂，所述主剂和辅剂中至少一者中含有三聚氰胺和/或其衍生物。

2.根据权利要求1所述的铜蚀刻液组合物，其特征在于，所述主剂和辅剂中均含有三聚氰胺和/或其衍生物。

3.根据权利要求1或2所述的铜蚀刻液组合物，其特征在于，所述三聚氰胺或其衍生物具有如下式A所示结构：

其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅和R₆各自独立地选自-H、含有1-10个碳原子的直链或支链的烷基，或者所述含有1-10个碳原子的直链或支链的烷基中一个或不相邻的两个以上的-CH₂-被-O-、-CO-、-CO-O-、-NH₂-或-O-CO-替代后的基团；

优选地，所述三聚氰胺的衍生物为六羟甲基三聚氰胺、六甲基三聚氰胺或六羟丙基三聚氰胺；

优选地，所述主剂中三聚氰胺和/或其衍生物的质量百分含量为0.01％-1％，优选为0.02％-0.3％；

优选地，所述辅剂中三聚氰胺和/或其衍生物的质量百分含量为0.01％-1％，优选为0.03％-0.5％。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的铜蚀刻液组合物，其特征在于，所述主剂按照质量百分比含量包括以下组分：

优选地，所述主剂中过氧化氢的质量百分含量为8％-12％；

优选地，主剂中的有机酸选自氨基甲酸、氨基乙酸、乙二酸、丙二酸、丁二酸、苹果酸、柠檬酸、亚氨基二乙酸、次氨基三乙酸、三乙酸胺或酒石酸中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，主剂中的有机酸选自丙二酸、丁二酸、苹果酸或次氨基三乙酸中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，主剂中的有机碱选自氨水、甲胺、乙二胺、二甲基乙醇胺、二乙氨基丙胺、丙二胺、三乙醇胺、二乙醇胺、异丙醇胺、二甲基乙二胺或三羟甲基氨基甲烷中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，主剂中的有机碱选自由二甲基乙醇胺和/或三乙醇胺；

优选地，主剂中的双氧水稳定剂选自苯基脲和/或对羟基苯磺酸，优选苯基脲；

优选地，主剂中双氧水稳定剂的质量百分含量为0.05％-2％；

优选地，主剂中溶剂为超纯水。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的铜蚀刻液组合物，其特征在于，所述主剂按照质量百分比含量包含如下组分：

6.根据权利要求1-5中任一项所述的铜蚀刻液组合物，其特征在于，所述辅剂按质量百分比含量包括以下组分：

优选地，辅剂中的有机酸选自氨基甲酸、氨基乙酸、乙二酸、丙二酸、丁二酸、苹果酸、柠檬酸、亚氨基二乙酸、三乙酸胺或酒石酸中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，辅剂中的有机酸选自丙二酸、丁二酸、苹果酸或次氨基三乙酸中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，辅剂中的有机酸的质量百分含量为10％-30％；

优选地，辅剂中的有机碱选自氨水、甲胺、乙二胺、二甲基乙醇胺、二乙氨基丙胺、丙二胺、三乙醇胺、二乙醇胺、异丙醇胺、二甲基乙二胺或三羟甲基氨基甲烷中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，辅剂中的有机碱选自二甲基乙醇胺和/或三乙醇胺；

优选地，辅剂中的有机碱的质量百分含量为10％-30％；

优选地，辅剂中的溶剂为超纯水；

优选地，所述辅剂按质量百分比含量包括以下组分：

7.根据权利要求1-6中任一项所述的铜蚀刻液组合物的制备方法，其特征在于，所述制备方法为：在铜蚀刻液的主剂和辅剂的至少一者中加入三聚氰胺和/或其衍生物，得到所述铜蚀刻液。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

(1)将过氧化氢、有机酸、有机碱、双氧水稳定剂、三聚氰胺和/或其衍生物与溶剂在温度不超过50℃的情况下混合搅拌，经过滤合格后得到所述铜蚀刻液主剂；

(2)将有机酸、有机碱、三聚氰胺和/或其衍生物与溶剂在温度不超过50℃的情况下混合搅拌，经过滤合格后得到所述蚀刻液辅剂；得到主剂和辅剂后即得到所述铜蚀刻液。

9.一种铜膜层的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻方法利用如上所述的铜蚀刻液进行蚀刻。

10.根据权利要求9所述的蚀刻方法，其特征在于，在蚀刻过程中，按照铜离子浓度每升高100ppm，向体系中添加占蚀刻液主剂质量的0.05％-0.15％的蚀刻辅剂。

Images