CN115832070A - 一种光伏元件的导电网格制备方法及光伏元件 - Google Patents

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杨冠南
唐泽华
左炎
崔成强
张昱
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Abstract

本发明提供了一种光伏元件的导电网格制备方法及光伏元件，其中，所述制备方法包括以下步骤：S1、在光伏基板的其中一个侧面覆盖ITO薄膜层；S2、在所述ITO薄膜层上涂覆形成所需网格形状的导电胶；S3、对所述导电胶进行加热使其烧结,从而形成导电网格；S4、通过气相沉积的方法在所述ITO薄膜层和所述导电网格上沉积SiN薄膜层；S5、通过激光刻蚀将所述导电网格上沉积的所述SiN薄膜层去除；S6、通过电镀铜或银的方式在所述导电网格上形成导电线路；S7、通过激光刻蚀与清洗将所述导电线路外沉积的所述SiN薄膜层去除。本发明简化了导电网格的制作工艺，满足了大批量生产的需求。

Description

一种光伏元件的导电网格制备方法及光伏元件
技术领域
本发明涉及光电转换技术领域，尤其涉及一种光伏元件的导电网格制备方法及光伏元件。
背景技术
太阳能发电与传统发电相比是一种无碳排放的发电技术，其发电规模不受地域限制，可应用于屋顶、荒漠及海岛等场所，所发的电能不仅可以自用，还也可以输送至电网，是目前应用最为广泛的新能源发电技术之一。
太阳能发电使用到的其中一种元件便是光伏元件，光伏元件主要具有用于承载器件的基板以及设置于基板上且具有导电性能的导电网格等。
现有的光伏元件上的导电网格均采用电镀的方式制作，但通过电镀的方式制作导电网格还需要增加曝光显影的繁琐步骤，这使得其制作工艺复杂，无法满足大批量生产的需求。
发明内容
针对以上相关技术的不足，本发明提出了一种光伏元件的导电网格制备方法，以解决现有光伏元件的导电网格采用电镀的方式制作，需要增加曝光显影的步骤而导致其制作工艺复杂，无法满足大批量生产的问题。
为了解决上述技术问题，第一方面，本发明提供了一种光伏元件的导电网格制备方法，其包括以下步骤：
S1、在光伏基板的其中一个侧面覆盖ITO薄膜层；
S2、在所述ITO薄膜层上涂覆形成所需网格形状的导电胶；
S3、对所述导电胶进行加热使其烧结,从而形成导电网格；
S4、通过气相沉积的方法在所述ITO薄膜层和所述导电网格上沉积SiN薄膜层；
S5、通过激光刻蚀将所述导电网格上沉积的所述SiN薄膜层去除；
S6、通过电镀铜或银的方式在所述导电网格上形成导电线路；
S7、通过激光刻蚀与清洗将所述导电线路外沉积的所述SiN薄膜层去除。
优选的，所述光伏基板的两端附有突起的电极结构。
优选的，所述电极结构的截面为矩形、梯形和圆形中的任意一种形状。
优选的，所述导电胶为导电金属粉和有机物混合形成的膏体。
优选的，所述导电金属粉为镍粉、铝粉、银粉和铜粉中的任意一种或多种混合物。
优选的，所述有机物为环氧树脂、酚醛树脂、乙二醇、松油醇和丙二醇中的任意一种或多种混合物。
优选的，所述导电胶通过丝网印刷技术或点胶技术涂覆于所述ITO薄膜层上。
优选的，所述SiN薄膜层的厚度为10-200nm。
优选的，所述ITO薄膜层的材料为InSn。
第二方面，本发明提供了一种光伏元件，所述光伏原件上的导电网格通过如上所述的光伏元件的导电网格制备方法制成。
与现有技术相比，本发明中光伏元件的导电网格制备方法通过先在光伏基板上覆盖ITO薄膜层，再在ITO薄膜层上涂覆形成所需网格形状的导电胶，并对导电胶加热使其形成导电网格，然后在ITO薄膜层和导电网格上沉积SiN薄膜层，并去除导电网格上沉积的SiN薄膜层，再在导电网格上形成导电线路，最后去除导电线路外沉积的SiN薄膜层，从而得到光伏元件的导电网格，这种导电网格的制备方法由于无需曝光显影的步骤，因此简化了导电网格的制作工艺，满足了大批量生产的需求。
附图说明
下面结合附图详细说明本发明。通过结合以下附图所作的详细描述，本发明的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中：
图1为本发明实施列提供的一种光伏元件的导电网格制备方法的步骤流程图；
图2为本发明实施列提供的一种光伏元件的导电网格制备方法的工艺流程图。
1、光伏基板；2、ITO薄膜层；3、导电胶；4、SiN薄膜层；5、导电线路。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的具体实施方式。
在此记载的具体实施方式/实施例为本发明的特定的具体实施方式，用于说明本发明的构思，均是解释性和示例性的，不应解释为对本发明实施方式及本发明范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案，都在本发明的保护范围之内。
本发明实施例提供了一种光伏元件的导电网格制备方法，结合图1和图2所示，其包括以下步骤：
S1、在光伏基板1的其中一个侧面覆盖ITO薄膜层2。
本实施例中，所述ITO薄膜层2的材料为InSn。当然，根据实际需求，所述ITO薄膜层2还可以选用其它的材料。
本实施例中，所述光伏基板1的两端附有突起的电极结构；所述电极结构的截面为矩形、梯形和圆形中的任意一种形状。当然，根据实际需求，所述电极结构的截面还可以设计成其它的形状。
S2、在所述ITO薄膜层2上涂覆形成所需网格形状的导电胶3。
本实施例中，所述导电胶3为导电金属粉和有机物混合形成的膏体。
本实施例中，所述导电金属粉为镍粉(Ni粉)、铝粉(Al粉)、银粉(Ag粉)和铜粉(Cu粉)等导电金属粉中的任意一种或多种混合物；所述有机物为环氧树脂、酚醛树脂、乙二醇、松油醇和丙二醇等有机物中的任意一种或多种混合物。
本实施例中，所述导电胶3通过丝网印刷技术或点胶技术涂覆于所述ITO薄膜层2上。
S3、对所述导电胶3进行加热使其烧结,从而形成导电网格。
S4、通过气相沉积的方法在所述ITO薄膜层2和所述导电网格上沉积SiN薄膜层4。
本实施例中，所述SiN薄膜层4的厚度为10-200nm。
本实施例中，所述气相沉积的方法可以是借助微波或射频等含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，此时由于等离子体化学活性很强，很容易发生反应，便可在光伏基板1上沉积出所期望的所述SiN薄膜层4。
S5、通过激光刻蚀将所述导电网格上沉积的所述SiN薄膜层4去除。
S6、通过电镀铜或银的方式在所述导电网格上形成导电线路5。
S7、通过激光刻蚀与清洗将所述导电线路5外沉积的所述SiN薄膜层4去除。
当将所述导电线路5外沉积的所述SiN薄膜层4去除后，便完成了光伏元件的导电网格的制备。
与现有技术相比，本实施例中光伏元件的导电网格制备方法通过先在光伏基板1上覆盖ITO薄膜层2，再在ITO薄膜层2上涂覆形成所需网格形状的导电胶3，并对导电胶3加热使其形成导电网格，然后在ITO薄膜层2和导电网格上沉积SiN薄膜层4，并去除导电网格上沉积的SiN薄膜层4，再在导电网格上形成导电线路5，最后去除导电线路5外沉积的SiN薄膜层4，从而得到光伏元件的导电网格，这种导电网格的制备方法由于无需曝光显影的步骤，因此简化了导电网格的制作工艺，满足了大批量生产的需求。
本发明还提供了一种光伏元件的实施例，所述光伏元件上的导电网格通过上述实施例中光伏元件的导电网格制备方法制成。
由于本实施例中光伏元件上的导电网格通过上述实施例中光伏元件的导电网格制备方法制成，因此，其也能达到上述实施例中光伏元件的导电网格制备方法所达到的技术效果，在此不作赘述。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种光伏元件的导电网格制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在光伏基板的其中一个侧面覆盖ITO薄膜层；
S2、在所述ITO薄膜层上涂覆形成所需网格形状的导电胶；
S3、对所述导电胶进行加热使其烧结,从而形成导电网格；
S4、通过气相沉积的方法在所述ITO薄膜层和所述导电网格上沉积SiN薄膜层；
S5、通过激光刻蚀将所述导电网格上沉积的所述SiN薄膜层去除；
S6、通过电镀铜或银的方式在所述导电网格上形成导电线路；
S7、通过激光刻蚀与清洗将所述导电线路外沉积的所述SiN薄膜层去除。
2.如权利要求1所述的光伏元件的导电网格制备方法，其特征在于，所述光伏基板的两端附有突起的电极结构。
3.如权利要求2所述的光伏元件的导电网格制备方法，其特征在于，所述电极结构的截面为矩形、梯形和圆形中的任意一种形状。
4.如权利要求1所述的光伏元件的导电网格制备方法，其特征在于，所述导电胶为导电金属粉和有机物混合形成的膏体。
5.如权利要求4所述的光伏元件的导电网格制备方法，其特征在于，所述导电金属粉为镍粉、铝粉、银粉和铜粉中的任意一种或多种混合物。
6.如权利要求4所述的光伏元件的导电网格制备方法，其特征在于，所述有机物为环氧树脂、酚醛树脂、乙二醇、松油醇和丙二醇中的任意一种或多种混合物。
7.如权利要求1所述的光伏元件的导电网格制备方法，其特征在于，所述导电胶通过丝网印刷技术或点胶技术涂覆于所述ITO薄膜层上。
8.如权利要求1所述的光伏元件的导电网格制备方法，其特征在于，所述SiN薄膜层的厚度为10-200nm。
9.如权利要求1所述的光伏元件的导电网格制备方法，其特征在于，所述ITO薄膜层的材料为InSn。
10.一种光伏元件，其特征在于，所述光伏原件上的导电网格通过权利要求1至9任意一项所述的光伏元件的导电网格制备方法制成。
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