CN105324019B - 屏蔽膜及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种屏蔽膜结构及其制造方法，其屏蔽膜结构由一绝缘层、一导电屏蔽层以及一胶粘层共同构成，并凭借其制造方法为(A)将一基材与一导电屏蔽层连接后共同形成凹穴；(B)在上述导电屏蔽层表面形成一绝缘层填充于凹穴中；(C)在上述绝缘层表面形成一载体膜；(D)将基材去除；(E)最后，于上述导电屏蔽层表面设置一胶黏层，并使上述金属接地电极外露形成一散布图案。爰是，利用上揭结构与制造方法可使上述屏蔽膜得到较优良的接地效果以及黏着强度，间接提升电磁屏蔽效果，又，上揭制造方法也具有降低成本、简化制程的特点。

Description

屏蔽膜及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种屏蔽膜结构及其制造方法，尤指一种增加屏蔽膜的接地性能进而增进电磁屏蔽效益的屏蔽膜结构及其制造方法。

背景技术

现今产业为因应目前电子及通讯产品的发展需求，故于产品构装上要求轻、薄、短、小，并在功能上要求高效能性。

然而，为了达到上述目的，往往使得电子产品线路密集化及频率高频化，使得电磁辐射问题日趋严重，并会造成设备间的干扰，甚至影响人体的健康。

以往为了解决电磁辐射的问题惟需凭借电路的特殊设计及规划，但此方法需要较长的时间及较高的成本支出。于是近年来，发展出利用屏蔽膜屏蔽电磁波的方法，由于屏蔽膜具有无需重新设计、使用方便及低成本的优势特点，使得屏蔽膜近年来被广泛使用于业界当中。

屏蔽膜主要原理为利用导电性良好的屏蔽层贴覆于电子工作组件的上下表面，并进一步导通电路接地线。当电磁辐射进入于屏蔽层时，因电磁辐射与屏蔽层产生电磁交互作用，并经由接地电路吸收电磁能量，使得屏蔽层达到屏蔽电磁辐射的效果。

由于屏蔽层与电子工作组件间的接地电路导通性将会直接影响屏蔽膜的电磁屏蔽效能，故当接地接触电阻越小，电磁交互作用越强时，可获得越佳的屏蔽效能。

如图1、图1A所示一种现有屏蔽膜1揭示的结构，主要由一绝缘层11、屏蔽层12以及导电黏胶层13所组成。绝缘层11为阻隔导电的屏蔽层12与电子组件接触，导电黏胶层13中由黏胶剂添加导电粒子13a组成，凭借上述导电粒子13a导通电子组件的接地线路及屏蔽层12，以及通过导电黏胶层13的热硬化制程，使得上述屏蔽膜1可固设于电子组件的上方，达到屏蔽电磁波的目的。

然而，如图1所示上述屏蔽膜1现有结构由于在导电黏胶层13中添加导电粒子13a，此结构虽可达到黏着与导电的功用，但导电粒子13a间的接触电阻大，易造成导电性不佳而间接影响屏蔽效果，且导电粒子13a尺寸的均一性、分散度以及沉降现象均会影响屏蔽膜1的导电度及黏着度，因而降低屏蔽膜1的屏蔽效果。

有鉴于现有屏蔽膜具有其缺失，实有必要提供一种凭借简易、低成本制程却可快速生产具有优良屏蔽电磁波功能的屏蔽膜结构及其制造方法。

发明内容

本发明的主要目的在于将导电屏蔽层的复数个金属接地电极之间的大范围区域进行填充一填充胶黏层于其中，以避免现有技术添加导电粒子于导电胶黏层中使得导电粒子间的高接触电阻降低导通效果，故本发明屏蔽膜具有较良好接地效果。

本发明的次要目的为凭借本发明屏蔽膜结构无需添加导电粒子于粘胶层中，故不会造成粘着胶的粘性降低，影响粘着强度，据此，本发明屏蔽膜具有较强粘着强度。

本发明的又一目的在于提供一种屏蔽膜的制造方法，可生产出高电导通性、优良黏着强度以及良好屏蔽效能的屏蔽膜，且此制造方法也具有制程简单的特点，可达到降低成本的目的，进而大幅提升产业应用性的特点。

为实现前述目的，本发明一种屏蔽膜，包含：

一绝缘层；至少一导电屏蔽层，布设于上述绝缘层表面，且一部分区域外凸形成复数个金属接地电极，并由上述金属接地电极共构一散布图案，而复数个金属接地电极之间的大范围区域将形成一填充空间；一胶黏层，容设于上述填充空间中。

上述绝缘层可由一第一绝缘材单独构成或于由一第一绝缘材与一接着材共同构成绝缘层。

在第一实施例中，上述导电屏蔽层设有至少一与上述绝缘层连接的金属屏蔽材，并在上述金属屏蔽材表面设有复数个金属接地电极。

在第二实施例中，上述导电屏蔽层设有至少一与上述绝缘层连接的金属屏蔽材，且上述金属屏蔽材外凸形成复数个金属接地电极。

在第三实施例中，上述绝缘层具有复数个第一隆起部，而上述导电屏蔽层设有至少一与上述绝缘层连接的金属屏蔽材，上述金属屏蔽材对应每一第一隆起部分别形成一金属接地电极。

在一可行实施例中，上述导电屏蔽层另设有至少一耐候层。

在一较佳实施例中，上述导电屏蔽层设有至少一第二绝缘材，上述第二绝缘材的上、下表面分别连接于一金属屏蔽材的表面上。

上述接着材的材料选自于镍(Ni)、锡(Sn)、锌(Zn)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、铁(Fe)、钒(V)、钴(Co)、铌(Nb)、高分子材料的其中至少一种材料或为上述材料的氧化物所构成。

上述金属屏蔽材的的厚度介设于0.1至15微米，上述金属屏蔽材的材料选自于铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、锌(Zn)、锡(Sn)、铁(Fe)、碳(C)、石墨(Graphite)、石墨烯(Graphene)、导电高分子材料的其中至少一种材料所构成。

上述金属接地电极的高度介于3至30微米，上述金属接地电极的材料选自于铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、锌(Zn)、铁(Fe)、碳(C)、石墨(Graphite)、石墨烯(Graphene)的其中至少一种材料所构成。

在第四实施例中，一种屏蔽膜，包含：一绝缘层，上述绝缘层中具有绝缘导热材料粒子；一导电屏蔽层，布设于上述绝缘层表面，且一部分区域外凸形成复数个金属接地电极，并由上述金属接地电极共构一散布图案，而复数个金属接地电极之间的大范围区域将形成一填充空间；一胶黏层，容设于上述填充空间中，上述胶黏层中设置有金属粒子。

在第五实施例中，一种屏蔽膜，包含：一导电屏蔽层，上述导电屏蔽层的一部分区域外凸形成复数个金属接地电极，并由上述金属接地电极共构一散布图案，而复数个金属接地电极之间的大范围区域将形成一填充空间；一胶黏层，容设于上述填充空间中。

在第一实施例的一种屏蔽膜的制造方法中，包含以下步骤：(A)将一基材与一导电屏蔽层连接，并由上述基材与导电屏蔽层共同形成复数个凹穴；(B)在上述导电屏蔽层表面形成一绝缘层，并由上述绝缘层填充上述凹穴；(C)在上述绝缘层表面形成一载体膜；(D)将上述导电屏蔽层表面的基材去除，上述导电屏蔽层表面凸起形成复数个金属接地电极；(E)在上述导电屏蔽层表面设置一胶黏层，并使上述金属接地电极外露形成一散布图案。

在第一方法实施例中，其步骤(A)包含：将上述基材压铸形成复数个凹穴；以及于上述基材表面及凹穴形成上述导电屏蔽层。

在第二方法实施例中，其步骤(A)包含：于上述基材表面形成上述导电屏蔽层；以及将上述基材与导电屏蔽层共同压铸形成复数个凹穴。

在第三方法实施例中，其步骤(A)包含：压铸一母版模形成上述凹穴；并于上述母版模表面形成一导电材；对上述导电材进行钝化的表面处理；以及于上述导电材表面形成上述导电屏蔽层。

在第四方法实施例中，一种屏蔽膜的制造方法，包含以下步骤：(A)提供一绝缘层；(B)在上述绝缘层表面形成一导电屏蔽层；(C)对上述绝缘层与导电屏蔽层同时压铸形成一凸起的金属接地电极；(D)在上述导电屏蔽层表面设置一胶黏层，并使上述金属接地电极外露形成一散布图案。

一种屏蔽膜的制造方法，包含以下步骤：

(A)提供一绝缘层，上述绝缘层层表面形成复数个凸起；(B)在上述绝缘层上形成一导电屏蔽层，上述导电屏蔽层对应上述凸起形成金属接地电极；(C)在上述导电屏蔽层表面设置一胶黏层，并使上述金属接地电极外露形成一散布图案。

在第五方法实施例中，其步骤(A)提供一第一绝缘材；(B)为涂布一高分子材料于上述第一绝缘材上并进行预固化；(C)在上述高分子材料表面上形成复数个凸起；(D)使上述高分子材料固化定型。

在第六方法实施例中，其步骤(A)提供一第一绝缘材；(B)使一高分子材料形成复数个凸起于上述第一绝缘材上；(C)使上述高分子材料固化定型。

在第七实施例中，一种屏蔽膜的制造方法，包含以下步骤：

(A)形成一导电屏蔽层，上述导电屏蔽层表面形成复数个凸起，上述凸起形成一金属接地电极；(B)在上述导电屏蔽层表面形成一绝缘层；(C)在上述导电屏蔽层相对于绝缘层一侧的另一表面上方设置一胶黏层，并使上述金属接地电极外露形成一散布图案。

本发明的特点在于为凭借导电屏蔽层及其金属接地电极，并在上述复数个金属接地电极之间的大范围区域填充一胶粘层于其中，利用上揭结构可提高导通性质而获得优良的电磁屏蔽效果，且由于无须添加导电粒子于胶粘层当中也俾利于增加粘着强度，又凭借本发明的屏蔽膜的制造方法可达到制程简单、降低成本、增加产业应用性的目的。

附图说明

图1、图1A为现有屏蔽膜的结构示意图及其局部放大图；

图2A-图2E为本发明屏蔽膜结构第一实施例的结构示意图；

图3A-图3E为本发明屏蔽膜结构第二实施例的结构示意图；

图4A-图4E为本发明屏蔽膜结构第三实施例的结构示意图；

图5A-图5C为本发明屏蔽膜结构第四实施例的结构示意图；

图6A-图6C为本发明屏蔽膜结构第五实施例的结构示意图；

图7A-图7C为本发明导电屏蔽层不同样态的侧视图；

图8A-图8D为本发明导电屏蔽层不同样态的上视图；

图9为本发明屏蔽膜制造方法第一实施例的流程图；

图10-图11为本发明屏蔽膜制造方法第一实施例的结构图；

图12为本发明屏蔽膜制造方法第二实施例的流程图；

图13为本发明屏蔽膜制造方法第二实施例的结构图；

图14为本发明屏蔽膜制造方法第三实施例的流程图；

图15为本发明屏蔽膜制造方法第三实施例的结构图；

图16为本发明屏蔽膜制造方法第四实施例的流程图；

图17为本发明屏蔽膜制造方法第四实施例的结构图；

图18为本发明屏蔽膜制造方法第五实施例的流程图；

图19为本发明屏蔽膜制造方法第五实施例的结构图；

图20为本发明屏蔽膜制造方法第六实施例的流程图；

图21为本发明屏蔽膜制造方法第六实施例的结构图；

图22为本发明屏蔽膜制造方法第七实施例的流程图；

图23为本发明屏蔽膜制造方法第七实施例的结构图；

图24为本发明屏蔽膜制造方法第七实施例的另一结构图。

附图标记说明：1-屏蔽膜；11-绝缘层；12-屏蔽层；13-导电粘胶层；13a-导电粒子；2-屏蔽膜；21-绝缘层；21a-第一绝缘材；21b-接着材；21c-第一隆起部；21d-高分子材料；21e-绝缘导热材料粒子；22-导电屏蔽层；221-金属屏蔽材；222-金属接地电极；223-耐候层；224-第二绝缘材；23-填充空间；24-胶粘层；24a-金属粒子；25-基材；26-载体膜；27-母版模；28-导电材；3-离型材。

具体实施方式

兹为便于更进一步对本实用新型的构造、使用及其特征有更深一层明确、详实的认识与了解，爰举出较佳实施例，配合图式详细说明如下：

请参阅图2A，其为本发明一种屏蔽膜2结构的第一实施例，其包含：一绝缘层21、至少一导电屏蔽层22以及一胶黏层24。

如图2A所示，上述绝缘层21可为具有一第一绝缘材21a的单独结构，上述第一绝缘材21a的厚度介于5至25微米。上述第一绝缘材21a的材料可选自于聚酰亚胺(PI-Polyimide)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET-PolyethyleneTerephthalate)、聚碳酸酯(PC-polycarbonate)或聚苯砜(PPSU-Polyphenylensulfon)的其中至少一种材料所构成。于一较佳实施例中，上述第一绝缘材21a的材料以黑色材料于本发明屏蔽膜2制造时具有较优良的效果。

请继续参阅图2A所示，上述绝缘层21的表面上设置一导电屏蔽层22，上述导电屏蔽层22具有一金属屏蔽材221，上述金属屏蔽材221连接上述绝缘层21的表面，上述金属屏蔽材221的厚度介设于0.1至15微米的范围，且上述金属屏蔽材221的材料由铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、锌(Zn)、锡(Sn)、铁(Fe)、碳(C)、石墨(Graphite)、石墨烯(Graphene)、导电高分子材料的其中至少一种材料所构成。

如图2A所示，上述金属屏蔽材221表面设置有复数个外凸状金属接地电极222，上述金属接地电极222的高度介于3至30微米，且上述金属接地电极222的材料选自于铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、锌(Zn)、铁(Fe)、碳(C)、石墨(Graphite)、石墨烯(Graphene)的其中至少一种材料所构成。

请继续参阅图2A，上述复数个金属接地电极222共同于导电屏蔽层22表面共构形成一散布图案。凭借图形化上述金属接地电极222使得复数个金属接地电极222之间的大范围区域可形成一填充空间23，上述填充空间23占上述导电屏蔽层22表面积的百分的六十五到九十九，上述填充空间23俾用以填充一胶黏层24于其中。

图2A的胶黏层24的材质为热固化的环氧树酯(Epoxy)、丙烯酸树酯(Acrylicacid)、聚氨酯树酯(Polyurethane)、聚酰亚胺树酯(Polyimide)的其中至少一种所构成。

如图2B所示，于一较佳实施例中，上述绝缘层21可进一步包含一接着材21b，使得上述第一绝缘材21a与上述接着材21b共同形成复合结构的绝缘层21，上述接着材21b的厚度介设于0.01至10微米，且上述接着材21b的材料选自于镍(Ni)、锡(Sn)、锌(Zn)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、铁(Fe)、钒(V)、钴(Co)、铌(Nb)、高分子材料的其中至少一种材料或为上述材料的氧化物所构成，又，上述导电屏蔽层22可另设有一耐候层223，使得上述金属接地电极222表面可进一步连接包覆着一耐候层223，上述耐候层223的厚度介设于0.005至1微米，且上述耐候层223的材料选自于镍(Ni)、锡(Sn)、锌(Zn)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、铁(Fe)、钒(V)的其中至少一种金属或为上述金属的氧化物所构成。

本发明屏蔽膜2第一实施例结构的上述导电屏蔽层22可具有至少一上述金属屏蔽材221，使形成多数层金属屏蔽材221如2C图所示。

于另一可行实施例中，本发明屏蔽膜2第一实施例结构的上述耐候层223也可增加设置于上述金属屏蔽材221的上、下表面的其中一面或同时设置于上述金属屏蔽材221的上、下表面上如2D图所示。

于另一较佳实施例中如图2E，上述导电屏蔽层22中设有至少一第二绝缘材224，上述第二绝缘材224的上、下表面分别连接于一金属屏蔽材221的表面上。

请参阅图3A，其为本发明一种屏蔽膜2的第二实施例结构，上述导电屏蔽层22设有一与上述绝缘层21连接的金属屏蔽材221，且上述金属屏蔽材221的部分区域向外凸伸以形成多数个金属接地电极222，上述复数个金属接地电极222之间填充上述胶黏层24于填充空间23中。

请参阅图3B，上述绝缘层21进一步具有一接着材21b，上述金属屏蔽材221表面设置一耐候层223，且与上述实施例相同地，上述复数个金属接地电极222之间填充上述胶黏层24于填充空间23中。

本发明屏蔽膜2的第二实施例结构的上述导电屏蔽层22可具有至少一上述金属屏蔽材221，使形成多数层金属屏蔽材221如3C图所示。

于另一可行实施例中，本发明屏蔽膜2第二实施例结构的上述耐候层223也可增加设置于上述金属屏蔽材221的上、下表面的其中一面或同时设置于上述金属屏蔽材221的上、下表面上如3D图所示。

于另一较佳实施例中如图3E，上述导电屏蔽层22中设有至少一第二绝缘材224，上述第二绝缘材224的上、下表面分别连接于一金属屏蔽材221的表面上。

请参阅图4A，其为本发明屏蔽膜2的第三实施例结构，于第三实施例中，上述绝缘层21的部分区域表面上具有复数个第一隆起部21c，上述第一隆起部21c向外凸伸于表面，而上述导电屏蔽层22设有一与上述绝缘层21连接的金属屏蔽材221，上述金属屏蔽材221与上述第一隆起部21c对应的处分别形成一金属接地电极222，又，上述复数个金属接地电极222之间填充上述胶黏层24于填充空间23中。

请参阅图4B，上述绝缘层21进一步具有一接着材21b，上述金属屏蔽材221表面另设置有一耐候层223，上述复数个金属接地电极222之间填充上述胶黏层24于填充空间23中。

本发明屏蔽膜2第三实施例结构的上述导电屏蔽层22可具有至少一上述金属屏蔽材221，使形成多数层金属屏蔽材221如4C图所示。

于另一可行实施例中，本发明屏蔽膜2第三实施例结构的上述耐候层223也可增加设置于上述金属屏蔽材221的上、下表面的其中一面或同时设置于上述金属屏蔽材221的上、下表面上如4D图所示。

于另一较佳实施例中如图4E，上述导电屏蔽层22中设有至少一第二绝缘材224，上述第二绝缘材224的上、下表面分别连接于一金属屏蔽材221的表面上。

本发明屏蔽膜2第四实施例结构如图5A-5C所示，包含：一绝缘层21；一导电屏蔽层22，上述导电屏蔽层22的一部分区域外凸形成复数个金属接地电极222，并由上述金属接地电极222共构一散布图案，而复数个金属接地电极222之间的大范围区域将形成一填充空间23；一胶黏层24，容设于上述填充空间23中。上述绝缘层21中添加绝缘导热材料粒子21e如氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硼(BN)、碳化硅(SiC)、氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)、氧化镍(NiO)、氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、碳粉(C)、聚合物基的绝缘导热材料粒子的其中至少一种，且，上述胶黏层24中设置有金属粒子24a。

上述导电屏蔽层22设有一与上述绝缘层21连接的金属屏蔽材221，且上述金属屏蔽材221表面设置有复数个外凸状金属接地电极222如图5A所示；于一实施例中，上述导电屏蔽层22可具有至少一上述金属屏蔽材221如2C图所示；于另一实施例中，上述耐候层223也可增加设置于上述金属屏蔽材221的上、下表面的其中一面或同时设置于上述金属屏蔽材221的上、下表面上如2D图所示；于另一较佳实施例中，上述导电屏蔽层22中设有至少一第二绝缘材224，上述第二绝缘材224的上、下表面分别连接于一金属屏蔽材221的表面上如2E图所示。

如图5B所示，上述导电屏蔽层22设有一与上述绝缘层21连接的金属屏蔽材221，且上述金属屏蔽材221的部分区域向外凸伸以形成多数个金属接地电极222；于一实施例中，上述导电屏蔽层22可具有至少一上述金属屏蔽材221如3C图所示；于另一实施例中，上述耐候层223也可增加设置于上述金属屏蔽材221的上、下表面的其中一面或同时设置于上述金属屏蔽材221的上、下表面上如3D图所示；于另一较佳实施例中如3E图所示，上述导电屏蔽层22中设有至少一第二绝缘材224，上述第二绝缘材224的上、下表面分别连接于一金属屏蔽材221的表面上。

如图5C所示，上述绝缘层21的部分区域表面上具有复数个第一隆起部21c，上述第一隆起部21c向外凸伸于表面，而上述导电屏蔽层22设有一与上述绝缘层21连接的金属屏蔽材221，上述金属屏蔽材221与上述第一隆起部21c对应的处分别形成一金属接地电极222；于一实施例中，上述导电屏蔽层22可具有至少一上述金属屏蔽材221如4C图所示；于另一实施例中，上述耐候层223也可增加设置于上述金属屏蔽材221的上、下表面的其中一面或同时设置于上述金属屏蔽材221的上、下表面上如4D图所示；于另一较佳实施例中如4E图所示，上述导电屏蔽层22中设有至少一第二绝缘材224，上述第二绝缘材224的上、下表面分别连接于一金属屏蔽材221的表面上。

通过上揭较佳实施例中凭借金属接地电极222接地、并添加绝缘导热材料粒子21e于绝缘层21中，以及同时增加金属粒子24a于胶黏层24中的技术手段，使得本发明屏蔽膜2具有良好接地效果外也有散热功效。

本发明屏蔽膜2第五实施例结构如图6A-6C所示，包含：一导电屏蔽层22，上述导电屏蔽层22的一部分区域外凸形成复数个金属接地电极222，并由上述金属接地电极222共构一散布图案，而复数个金属接地电极222之间的大范围区域将形成一填充空间23；一胶黏层24，容设于上述填充空间23中。

如图6A所示，上述导电屏蔽层22设有一金属屏蔽材221，且上述金属屏蔽材221表面设置有复数个外凸状金属接地电极222；于一实施例中，上述导电屏蔽层22可具有至少一上述金属屏蔽材221如2C图所示；于另一实施例中，上述耐候层223也可增加设置于上述金属屏蔽材221的上、下表面的其中一面或同时设置于上述金属屏蔽材221的上、下表面上如2D图所示；于另一较佳实施例中，上述导电屏蔽层22中设有至少一第二绝缘材224，上述第二绝缘材224的上、下表面分别连接于一金属屏蔽材221的表面上如2E图所示。

如图6B所示，上述导电屏蔽层22设有一金属屏蔽材221，且上述金属屏蔽材221的部分区域向外凸伸以形成多数个金属接地电极222；于一实施例中，上述导电屏蔽层22可具有至少一上述金属屏蔽材221如3C图所示；于另一实施例中，上述耐候层223也可增加设置于上述金属屏蔽材221的上、下表面的其中一面或同时设置于上述金属屏蔽材221的上、下表面上如3D图所示；于另一较佳实施例中如3E图所示，上述导电屏蔽层22中设有至少一第二绝缘材224，上述第二绝缘材224的上、下表面分别连接于一金属屏蔽材221的表面上。

如图6C所示，上述导电屏蔽层22设有一金属屏蔽材221，上述金属屏蔽材221形成一金属接地电极222；于一实施例中，上述导电屏蔽层22可具有至少一上述金属屏蔽材221如4C图所示；于另一实施例中，上述耐候层223也可增加设置于上述金属屏蔽材221的上、下表面的其中一面或同时设置于上述金属屏蔽材221的上、下表面上如4D图所示；于另一较佳实施例中如4E图所示，上述导电屏蔽层22中设有至少一第二绝缘材224，上述第二绝缘材224的上、下表面分别连接于一金属屏蔽材221的表面上。

本发明第五实施例的屏蔽膜2毋须设置绝缘层21，惟直接将第五实施例的屏蔽膜2设置与电子产品的表面机壳连接，如此屏蔽电子产品的电磁波并通过金属接地电极222接地，进而获得良好接地功效。

上述实施例的接着材21b与耐候层223都可依照屏蔽膜2制程需求而设置，可同时不增加设置上述接着材21b与耐候层223、只增加设置上述接着材21b、只增加设置上述耐候层223，或是同时增加设置上述接着材21b与耐候层223。

图7A-7C所示为上述导电屏蔽层22的金属接地电极222的堆栈样态可设为各种几何样态的其中一种，如设为柱状形堆栈样态如图7A，梯形堆栈样态如图7B以及锥状堆栈态状如图7C所示。

图8A-8D所示为各种金属接地电极222设置于上述导电屏蔽层22表面上方样态的结构上视示意图，上述金属接地电极222样态可设为各种几何样态的其中一种，并将胶黏层24填充于复数个金属接地电极222之间的填充空间23中，于一较佳实施例中可将金属接地电极222设为直条纹形状如图8A所示，圆柱形状如图8B，菱形网格形状如图8C所示，也或是六角形状网格如图8D所示。

请参阅图9-10为一种屏蔽膜2的制造方法的第一实施例流程及结构示意图，其包含以下步骤：

(A)将一基材25以压花机压铸形成至少一凹穴后；于上述基材25表面及凹穴以溅镀机溅镀、蒸镀机蒸镀或化镀的其中一种方式以形成上述导电屏蔽层22，使得上述基材25与导电屏蔽层22相互连接并共同具有复数个凹穴图样。上述以压花机热压压铸的热压温度约为100-200℃。

(B)在上述导电屏蔽层22表面以涂布机涂布贴合一绝缘层21，使得上述绝缘层21设置于上述导电屏蔽层22上方，并由上述绝缘层21填充充满上述凹穴，上述绝绝层21可为单一第一绝缘材21a结构或为第一绝缘材21a表面设有一接着材21b的复合结构。

(C)在上述绝缘层21表面贴合形成一载体膜26，上述载体膜26可为PET，上述载体膜26于屏蔽膜2使用时将会撕除。

(D)将上述导电屏蔽层22表面的基材25去除，使得上述以压花机压铸的凹穴图形显露出来，上述凹穴图样于导电屏蔽层22的表面凸起以形成复数个金属接地电极222。

(E)在上述导电屏蔽层22表面不具有金属接地电极222的填充空间23内填充设置胶黏层24，使得上述金属接地电极222外露于导电屏蔽层22的表面上方以形成散布图案。

于一可行样态中如图11，可进一步包含另一步骤：于上述胶黏层24与金属接地电极222的表面设置一离型材3以保护产品表面并增加美观性。

请参阅图12-13为一种屏蔽膜2的制造方法的第二实施例，其仅于步骤(A)与上述第一实施例不相同，本发明第二实施例其步骤(A)为：设置一基材25，先于上述基材25表面以蒸镀、溅镀或化镀形成上述导电屏蔽层22，使得上述基材25与上述导电屏蔽层22相互连接，再将上述基材25与导电屏蔽层22以压花机共同压铸而形成上述凹穴，使得上述基材25与导电屏蔽层22共同具有复数个凹穴后进行其余步骤。其步骤(B)-(F)因与第一实施例都相同，故不加赘述。

请参阅图14-15为一种屏蔽膜2的制造方法的第三实施例，其仅于步骤(A)与上述第一与第二实施例不相同，本发明第三实施例其步骤(A)为：直接以一压花机压铸一母版模27而形成上述凹穴图样；并于上述母版模27表面以蒸镀、溅镀或化镀的方式形成一导电材28，上述导电材28为一金属材质；再对上述导电材28进行钝化的表面处理，上述钝化处理改变了金属的表面状态，使金属成为耐蚀的钝态，并在金属表面形成一薄膜，这层薄膜即为钝化膜，于产业应用上通常使用钝化剂(主要是氧化剂)对金属进行钝化处理，形成一层保护膜，如：冷浓硫酸、冷浓硝酸与铁、铝均可发生钝化，于本发明案此钝化处理使得导电材28容易与接触到的层体剥离分开并可增强母版模27的耐用性。

步骤(A)最后于上述导电材28表面以溅镀、化镀或电镀方式形成上述导电屏蔽层22。上述电镀制程为一高效率且精密的成型技术，通过电镀沉积的原理，并凭借外界所提供的电能，使得含有金属离子及其他添加物的混合溶液，在阴极或阳极表面进行电化学的氧化还原反应，将想要沉积的金属形成于对象表面。上述第三实施例因其余步骤(B)-(F)与第一与第二实施例都相同，故不加赘述。

请参阅图16-17为一种屏蔽膜2的制造方法的第四实施例，其包含以下步骤：

(A)提供一绝缘层21；

(B)在上述绝缘层21表面以蒸镀、溅镀或化镀的方式成型一导电屏蔽层22；

(C)对上述绝缘层21与导电屏蔽层22以压花机同时压铸共同形成一凸起的金属接地电极222；

(D)在上述导电屏蔽层22表面的填充空间23内填充设置一胶黏层24，并使上述金属接地电极222外露于表面形成一散布图案。

请参阅图18-19为一种屏蔽膜2的制造方法的第五实施例流程示意图以及其结构图，其包含以下步骤：

其步骤(A)为先提供一第一绝缘材21a，以涂布机涂布一高分子材料21d于上述第一绝缘材21a表面上方后并将上述高分子材料21d预固化，再进行压铸以图案化上述高分子材料21d，使得上述第一绝缘材21a与上述高分子材料21d共同构成上述绝缘层21，而后，于上述绝缘层21表面形成复数个凸起；最后，再以UV光照射或烤箱烘烤的方式使得上述高分子材料21d可完成固化定形。

(B)在上述绝缘层21上形成一导电屏蔽层22，上述导电屏蔽层22对应上述凸起形成金属接地电极222。

(C)在上述导电屏蔽层22表面设置一胶黏层24，并使上述金属接地电极222外露形成一散布图案。

请继续参考图20-21为一种屏蔽膜2的制造方法的第六实施例流程示意图以及其结构图，第六实施例与第五实施例具有相同流程图，仅于步骤(A)不相同，第六实施例其步骤(A)为提供一第一绝缘材21a，再以移印或网印的方式图案化一高分子材料21d，使得上述高分子材料21d设置于上述第一绝缘材21a表面共同构成上述绝缘层21，而后，上述绝缘层21并形成复数个凸起；最后，与上述实施例相同地，再以UV光照射或烤箱烘烤的方式使得上述高分子材料21d可进行固化定型。

因第六实施例仅步骤(A)与第五实施例不相同。其余步骤(B)-(C)由于与第一与第二实施例都相同，故不加赘述。

请参阅图22-24为一种屏蔽膜2的制造方法的第七实施例流程示意图以及其结构图，其包含以下步骤：

以压延方式或电镀方式形成一导电屏蔽层22，并在上述导电屏蔽层22表面形成复数个凸起，上述凸起形成金属接地电极222；

(B)在上述导电屏蔽层22表面形成一绝缘层21；

(C)在上述导电屏蔽层22相对于绝缘层21一侧的另一表面上方设置一胶黏层24，并使上述金属接地电极222外露形成一散布图案。

于一实施例中，上述步骤(A)的导电屏蔽层22可凭借一压花机压铸成型复数个凸起如图23所示。

于另一实施例中，上述步骤(A)的导电屏蔽层22可于一具有凹穴的模具成型，使得上述导电屏蔽层22于模具中形成复数个凸起如图24所示。

上述第七实施例的二可行样态，仅于步骤(A)形成导电屏蔽层22方式不相同，故步骤(B)与(C)不加赘述，又，本第七实施例图22的导电屏蔽层22并无设置有上述耐候层223，于一可行方式中，可凭借电镀方式另设置一耐候层223(图未示)在金属接地电极222的外部。

上述第一实施例-第七实施例制造方法其上述绝绝层21都可为单一第一绝缘材21a结构或为第一绝缘材21a表面设有一接着材21b的复合结构，且其导电屏蔽层22的耐候层223可依需求设置，于一实施例中，上述耐候层223可仅于金属接地电极222表面上增加设置一耐候层223(请参考图2C、3C以及4C所示)或于形成上述导电屏蔽层22时以溅镀、电镀或化镀的方式增加形成耐候层223于上述金属屏蔽材221的上、下表面上(请参考图2D、3D以及4D所示)，又，上揭屏蔽膜2的制造方法都可进一步包含另一步骤：于上述胶黏层24与金属接地电极222的表面设置一离型材3(请参图9)以保护产品表面并增加美观性。

下开表格为凭借本发明屏蔽膜2的结构及其制造方法制作的屏蔽膜2与现有屏蔽膜2的比较表，可知本发明屏蔽膜2的结构及其制造方法制作的屏蔽膜2的确较现有屏蔽膜2具有较好的接地效果和黏着强度：

综上所述，本发明的特点为凭借导电屏蔽层以及金属接地电极，并在上述复数个金属接地电极之间的大范围区域填充一胶粘层于其中，上述结构可避免现有技术的屏蔽膜内导电粒子间的高接触电阻，因而本发明屏蔽膜可获得良好的导通性质，进而提升屏蔽膜的电磁屏蔽效果。

以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围内。

Claims (15)

1.一种屏蔽膜，其特征在于，包含：

一绝缘层；

一导电屏蔽层，布设于上述绝缘层表面，且一部分区域外凸形成复数个金属接地电极，并由上述金属接地电极共构一散布图案，而复数个金属接地电极之间的大范围区域将形成一填充空间；

一胶黏层，容设于上述填充空间中；

上述导电屏蔽层设有至少一与上述绝缘层连接的金属屏蔽材，并在上述金属屏蔽材表面设有复数个金属接地电极；上述绝缘层具有复数个第一隆起部，而上述导电屏蔽层设有至少一与上述绝缘层连接的金属屏蔽材，上述金属屏蔽材对应每一第一隆起部分别形成一金属接地电极。

2.根据权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，上述绝缘层由一第一绝缘材单独构成，或由一第一绝缘材与一接着材共同构成。

3.根据权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，上述导电屏蔽层还设有至少一耐候层。

4.根据权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，上述绝缘层中具有绝缘导热材料粒子，上述胶黏层中设置有金属粒子。

5.根据权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，上述导电屏蔽层设有至少一与上述绝缘层连接的金属屏蔽材，且上述金属屏蔽材外凸形成复数个金属接地电极。

6.根据权利要求2所述的屏蔽膜，其特征在于，上述接着材的材料选自于镍(Ni)、锡(Sn)、锌(Zn)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、铁(Fe)、钒(V)、钴(Co)、铌(Nb)、高分子材料的其中至少一种材料或为上述材料的氧化物所构成。

7.根据权利要求1、5中任意一项所述的屏蔽膜，其特征在于，上述金属屏蔽材的厚度介设于0.1至15微米。

8.根据权利要求1、5中任意一项所述的屏蔽膜，其特征在于，上述金属屏蔽材的材料选自于铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、锌(Zn)、锡(Sn)、铁(Fe)、碳(C)、石墨(Graphite)、石墨烯(Graphene)、导电高分子材料的其中至少一种所构成。

9.根据权利要求1、5中任意一项所述的屏蔽膜，其特征在于，上述金属接地电极的高度介于3至30微米。

10.根据权利要求1、5中任意一项所述的屏蔽膜，其特征在于，上述金属接地电极的材料选自于铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、锌(Zn)、铁(Fe)、碳(C)、石墨(Graphite)、石墨烯(Graphene)的其中至少一种所构成。

11.根据权利要求1、5中任意一项所述的屏蔽膜，其特征在于，上述导电屏蔽层设有至少一第二绝缘材，上述第二绝缘材的上、下表面分别连接于一金属屏蔽材的表面上。

12.一种屏蔽膜的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

将一基材与一导电屏蔽层连接，并由上述基材与导电屏蔽层共同形成复数个凹穴；

在上述导电屏蔽层表面形成一绝缘层，并由上述绝缘层填充上述凹穴；

在上述绝缘层表面形成一载体膜；

将上述导电屏蔽层表面的基材去除，上述导电屏蔽层表面凸起形成复数个金属接地电极；

在上述导电屏蔽层表面设置一胶黏层，并使上述金属接地电极外露形成一散布图案。

13.根据权利要求12所述的屏蔽膜的制造方法，其特征在于，

将上述基材压铸形成复数个凹穴；

于上述基材表面及凹穴形成上述导电屏蔽层。

14.根据权利要求12所述的屏蔽膜的制造方法，其特征在于，

于上述基材表面形成上述导电屏蔽层；

将上述基材与导电屏蔽层共同压铸形成复数个凹穴。

15.根据权利要求12所述的屏蔽膜的制造方法，其特征在于，

压铸一母版模形成上述凹穴；

并于上述母版模表面形成一导电材；

对上述导电材进行钝化的表面处理；

于上述导电材表面形成上述导电屏蔽层。