KR101626584B1 - 차폐막 및 그 제조 방법 - Google Patents

차폐막 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101626584B1
KR101626584B1 KR1020140110760A KR20140110760A KR101626584B1 KR 101626584 B1 KR101626584 B1 KR 101626584B1 KR 1020140110760 A KR1020140110760 A KR 1020140110760A KR 20140110760 A KR20140110760 A KR 20140110760A KR 101626584 B1 KR101626584 B1 KR 101626584B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
conductive
metal
conductive shielding
shielding
Prior art date
Application number
KR1020140110760A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160024212A (ko
Inventor
유 하오 라이
Original Assignee
티-킹덤 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 티-킹덤 컴퍼니 리미티드 filed Critical 티-킹덤 컴퍼니 리미티드
Priority to KR1020140110760A priority Critical patent/KR101626584B1/ko
Publication of KR20160024212A publication Critical patent/KR20160024212A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101626584B1 publication Critical patent/KR101626584B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007Casings
    • H05K9/002Casings with localised screening
    • H05K9/0022Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H05K9/0024Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields
    • H05K9/0032Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields having multiple parts, e.g. frames mating with lids
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

차폐막은 절연층, 전도성 차폐층 및 접착층을 포함하며; 그리고, 기판재에 전도성 차폐층을 연결하고 기판재와 전도성 차폐층에 다수의 캐비티들을 형성하는 단계; 모든 캐비티들을 충전하도록 전도성 차폐층 상에 절연층을 형성하는 단계; 절연층의 상부에 캐리어 막을 형성하는 단계; 다수의 하향 돌출 금속 접지 전극들이 캐비티들에 대응하는 전도성 차폐층의 하부측에 형성되도록 전도성 차폐층으로부터 기판재를 제거하는 단계; 및 기하학적 패턴을 제공하기 위하여 금속 접지 전극이 접착층으로부터 노출되도록, 전도성 차폐층의 하부측에 접착층을 제공하는 단계를 포함하는 방법으로 제조된다. 제조된 차폐막은 향상된 전자기 차폐 효과를 보장하도록 양호한 접지 효과 및 접착 강도를 보인다.

Description

차폐막 및 그 제조 방법{SHIELDING FILM AND METHOD OF MANUFACTURING SAME}
본 발명은 차폐막 및 그 제조 방법에 관한 것이고, 특히 양호한 접지 효과 및 향상된 전자기 차폐 효과를 제공하도록 특정 방법으로 제조된 차폐막에 관한 것이다.
소비자의 수요에 대한 응답으로, 현재 설계된 모든 전자 및 통신 제품은 부피가 작고, 중량이 가볍고 기능이 강력하다.
그러나, 설계에서 상기 요구 사항을 충족시키도록, 현재 이용 가능한 전자 및 통신 제품은 고주파수 클록 전기 회로를 밀집하여 배열하였다. 이러한 상태는 필연적으로 전자기 방사선 문제를 악화시키고, 다른 전자 제품 사이에서 전자기 방해(EMI)를 유발하거나 또는 심지어 사용자의 건강에 나쁜 영향을 미쳤다.
과거에, 엔지니어들은 특별히 설계되고 계획된 회로로 전자기 방사선의 문제를 해결하려고 시도했다. 그러나, 이러한 해결책은 EMI 방지의 목적을 달성하기 위해 비교적 긴 시간과 높은 비용을 요구한다. 상술한 단점을 극복하도록, 새로운 방식은 전자파를 차폐하도록 전자 제품 상에 차폐막을 사용하는 것이 최근에 개발되었다. 차폐막이 사용하는데 편리하고 비용이 저렴하다는 이점을 갖고 차폐막과 함께 사용하기 위해 제품을 재설계할 필요가 없기 때문에, 차폐막은 EMI 방지를 위한 전자 산업에서 신속하고 광범위하게 채택되었다.
차폐막의 원리에 따라서, 양호한 전기 전도성을 갖는 차폐층은 전자 제품에 있는 전자 작업 소자의 상부 및 하부 표면에 부착되고, 전기 제품의 접지 회로에 전기적으로 연결된다. 전자기 방사선이 차폐층에 도달할 때, 전자기 상호 작용이 발생하고, 전자기 에너지가 접지 회로에 의해 흡수되어, 차폐층은 전자기 방사선을 차폐하는 효과를 가질 수 있다.
차폐층과 전자 작업 소자의 접지 회로 사이의 전기 전도는 차폐층의 전자기 차폐 효과에 직접 영향을 미친다. 접지 회로가 비교적 작은 접촉 저항을 가지는 반면에, 전자기 상호 작용이 비교적 강할 때, 보다 양호한 차폐 효과가 얻어질 수 있다.
도 1은 절연층(11), 차폐층(12) 및 전도성 접착층(13)의 절연층(11)이 전자 소자와 접촉하는 전도성 차폐층(12)을 포함하는 종래의 차폐막(1)의 구조를 도시한다. 절연층(11)은 전도성 차폐층(12)이 전자 소자의 접촉하는 것을 차단한다. 전도성 접착층(13)은 전도성 입자(13a)가 첨가되는 접착제를 포함한다. 전도성 입자(13a)는 전자 소자의 접지 회로에 차폐층(12)을 전기적으로 연결하고, 전도성 접착층(13)은 열경화된다. 이러한 배열로, 차폐막(1)은 전자파를 차폐하는 목적을 달성하도록 전자 소자에 고정 부착될 수 있다.
그러나, 도 1에 도시된 종래의 차폐막(1)에서, 전도성 입자(13a)가 첨가된 전도성 접착층(13)이 동시에 결합 및 전기 전도 기능을 제공할 수 있지만, 전도성 입자(13a) 사이에 큰 접촉 저항은 낮은 전기 전도를 유발하는 발생하는 경향이 있고, 따라서 의도된 차폐 효과에 간접적으로 영향을 미친다. 또한, 전도성 입자(13a)의 크기 균일성, 분산도 및 고정은 모두 차폐막(1)의 전기 전도 및 접착에 영향을 미치며, 이에 의해 그 차폐 효과를 낮춘다.
종래의 차폐막의 단점의 관점에서, 우수한 전자파 차폐 기능을 갖는 개선된 차폐막 및 저비용으로 단순화된 절차를 통해 이러한 차폐막을 효율적으로 제조하는 방법을 개발하는 것이 바람직하다.
본 발명의 주 목적은, 전도성 차폐층 아래의 다수의 전극 사이에 형성된 비교적 큰 면적의 공간을 충전하도록 접착층을 포함하는 차폐막을 제공하는 것이다. 전도성 입자가 접착층에 첨가되기 때문에, 전도성 입자 사이의 높은 접촉 저항으로 인한 낮은 전기 전도의 문제가 회피되고, 차폐막은 양호한 접지 효과를 제공할 수 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 첨가된 전도성 입자가 접착층의 접착에 악영향 미치지 않기 때문에 그 접착층이 양호한 접착 강도를 갖는 차폐막을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 차폐막이 양호한 차폐 효과를 제공하기 위해 높은 전기 전도 특성 및 양호한 접합 강도를 갖도록, 차폐막을 제조하는 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 차폐막의 제조 방법은 감소된 제조 비용 및 증가된 산업상 이용 가능성을 가능하게 하도록 절차를 단순화하였다.
상기 및 다른 목적을 달성하도록, 본 발명은:
절연층; 상기 절연층의 하부측에 위치된 적어도 하나의 전도성 차폐층; 및 상기 전도성 차폐층의 하부측에 위치된 접착층을 포함한다. 전도성 차폐층의 일부 영역은 다수의 금속 접지 전극들을 형성하도록 하향 돌출되며, 금속 접지 전극들은 전도성 차폐층의 하부측 위에 분산되고, 그 사이에 다수의 비교적 큰 충전 공간들을 한정하는 기하학적 패턴을 함께 제공한다. 접착층은 충전 공간들을 충전한다.
절연층은 제1 절연재로 형성되는 단순 구조, 또는 제1 절연재와 결합재로 형성된 복합 구조일 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에서, 전도성 차폐층은 절연층 아래에 위치되어 절연층에 연결되는 적어도 하나의 금속 차폐재를 포함하며, 금속 접지 전극들은 금속 차폐재의 하부측에 제공된다.
본 발명의 제2 실시예에서, 전도성 차폐층은 절연층 아래에 위치되어 절연층에 연결되는 적어도 하나의 금속 차폐재를 포함하며, 금속 차폐재는 금속 접지 전극들을 형성하도록 부분적으로 하향 돌출된다.
본 발명의 제3 실시예에서, 절연층은 그 하부측에 형성된 다수의 제1 돌출부를 포함하고, 전도성 차폐층은 절연층 아래에 위치되어 절연층에 연결된 적어도 하나의 금속 차폐재를 포함하고; 절연층의 제1 돌출부에 대응하는 금속 차폐층의 부분은 금속 접지 전극들을 형성한다.
운영 가능한 실시예에서, 상기 전도성 차폐층은 내후성 층(weatherproof layer)을 추가로 포함한다.
바람직한 실시예에서, 상기 전도성 차폐층은, 금속 차폐재의 2개의 인접한 층들 사이에 위치되어 상기 층들에 연결되는 적어도 하나의 제2 절연재를 추가로 포함한다.
본 발명에 따라서, 결합재는 니켈(Ni), 주석(Sn), 아연(Zn), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 철(Fe), 바나듐(V), 코발트(Co), 니오븀(Nb), 중합체 재료, 상기된 재료의 임의의 조합, 또는 상기된 재료의 임의의 산화물일 수 있다.
본 발명에 따라서, 금속 차폐재는 0.1㎛ 내지 15㎛ 사이의 범위에 있는 두께를 가지며; 금속 차폐재는 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 아연(Zn), 주석(Sn), 철(Fe), 탄소(C), 흑연, 그라핀, 전도성 중합체 재료, 또는 그 임의의 조합일 수 있다.
본 발명에 따라서, 금속 접지 전극들은 3㎛ 내지 30㎛ 사이의 범위에 있는 높이를 갖고; 금속 접지 전극들은 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 아연(Zn), 주석(Sn), 철(Fe), 탄소(C), 흑연, 그라핀, 또는 그 임의의 조합으로 형성될 수 있다.
본 발명의 제4 실시예에서, 차폐막은 적어도 하나의 형태의 전기 절연성, 열전도성 재료의 입자를 함유하는 절연층; 상기 절연층 아래에 위치되고, 금속 접지 전극들 사이에 다수의 비교적 큰 충전 공간들을 한정하는 기하학적 패턴을 함께 제공하는 상기 다수의 금속 접지 전극들을 형성하도록 하향 돌출되는 일부 영역을 갖는 전도성 차폐층; 및 공간을 충전하며 금속 입자를 함유하는 접착층을 포함한다.
본 발명의 제5 실시예에서, 차폐막은, 다수의 금속 접지 전극들 사이에 다수의 비교적 큰 충전 공간들을 한정하는 기하학적 패턴을 함께 제공하는 상기 금속 접지 전극들을 형성하도록 그 일부 영역이 하향 돌출되는 전도성 차폐층; 및 상기 충전 공간에 충전되는 접착층을 포함한다.
상기 및 다른 목적을 달성하도록, 본 발명에 따른 차폐막을 제조하는 방법의 바람직한 실시예는, (A) 기판재의 상부에 전도성 차폐층을 연결하고, 상기 기판재와 상기 전도성 차폐층 상에 다수의 캐비티들을 형성하는 단계; (B) 절연층이 모든 캐비티들을 충전하도록 상기 전도성 차폐층의 상부에 상기 절연층을 형성하는 단계; (C) 상기 절연층의 상부에 캐리어 막을 형성하는 단계; 및 (D) 다수의 하향 돌출된 금속 접지 전극들이 상기 캐비티들에 대응하는 상기 전도성 차폐층의 하부측에 형성되도록, 상기 전도성 차폐층으로부터 상기 기판재를 제거하는 단계; (E) 상기 전도성 차폐층의 하부측 위에 분산된 상기 금속 접지 전극들이 기하학적 패턴을 제공하기 위해 상기 접착층으로부터 노출되도록, 상기 전도성 차폐층의 하부측에 접착층을 제공하는 단계를 포함한다.
본 발명의 방법의 제1 운영 가능한 실시예에 따라서, 단계(A)에서, 상기 캐비티들은 핫 스탬핑을 통하여 상기 기판재 상에 형성되고; 상기 전도성 차폐층은 그런 다음 상기 기판재의 상부와 캐비티들에 형성된다.
본 발명의 방법의 제2 운영 가능한 실시예에 따라서, 단계(A)에서, 상기 전도성 차폐층은 기판재 상에 형성되고; 그런 다음, 상기 기판재와 상기 전도성 차폐층은 캐비티들을 형성하도록 핫 스탬핑된다.
본 발명의 방법의 제3 운영 가능한 실시예에 따라서, 단계(A)에서, 상기 캐비티들은 핫 스탬핑을 통하여 상기 기판재 상에 형성되고; 전기 전도성 재료의 층은 그런 다음 상기 기판재의 상부에 형성되고, 상기 전기 전도성 재료는 표면 부동태화 처리되고; 상기 전기 전도성 차폐층은 전기 전도성 재료의 상부에 형성된다.
본 발명은, 전도성 차폐층과 금속 접지 전극들을 형성하고 금속 접지 전극들 사이의 큰 면적의 공간에 접착층을 충전하는 것에 의하여, 본 발명의 차폐막이 양호한 전기 전도 특성을 갖고, 따라서, 향상된 전자기 차폐 효과를 제공하는 것을 특징으로 한다. 그리고, 상기한 구성에 의해, 접착층에 전도성 입자를 첨가할 필요가 없으며, 본 발명의 접착층이 증가된 접착 강도를 가는 것을 가능하게 한다. 또한, 본 발명의 차폐막의 제조 방법은 감소된 제조 비용 및 증가된 산업상 이용 가능성을 가능하게 하도록 단순화된 절차를 가진다.
상기 및 다른 목적을 달성하도록 본 발명에 의해 채택된 구조 및 기술 수단은 바람직한 실시예의 상세한 설명 및 첨부된 도면을 참조하는 것에 의해 최상으로 이해될 수 있으며,
도 1은 종래의 차폐막의 구조를 도시하는 개략도;
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 제1 실시예에 따른 차폐막의 구조를 도시하는 수직 단면도;
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 제2 실시예에 따른 차폐막의 구조를 도시하는 수직 단면도;
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 제3 실시예에 따른 차폐막의 구조를 도시하는 수직 단면도;
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제4 실시예에 따른 차폐막의 구조를 도시하는 수직 단면도;
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 제5 실시예에 따른 차폐막의 구조를 도시하는 수직 단면도;
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 차폐막에 포함되는 전도성 차폐층을 위한 일부 다른 단면 구성을 도시하는 수직 단면도;
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 차폐막에 포함된 전도성 차폐층에 의해 제공될 수 있는 일부 상이한 기하학적 패턴을 도시하는 평면도;
도 9는 본 발명에 따른 차폐막의 제조 방법의 제1 실시예에 포함된 단계를 도시하는 흐름도;
도 10 내지 도 11은 도 9에 도시된 단계들의 그림을 이용한 도면;
도 12는 본 발명에 따른 차폐막의 제조 방법의 제2 실시예에 포함된 단계를 도시하는 흐름도;
도 13은 도 12에 도시된 단계들의 그림을 이용한 도면;
도 14는 본 발명에 따른 차폐막의 제조 방법의 제3 실시예에 포함된 단계를 도시하는 흐름도;
도 15는 도 14에 도시된 단계들의 그림을 이용한 도면;
도 16은 본 발명에 따른 차폐막의 제조 방법의 제4 실시예에 포함된 단계를 도시하는 흐름도;
도 17은 도 16에 도시된 단계들의 그림을 이용한 도면;
도 18은 본 발명에 따른 차폐막의 제조 방법의 제5 실시예에 포함된 단계를 도시하는 흐름도;
도 19는 도 18에 도시된 단계들의 그림을 이용한 도면;
도 20은 본 발명에 따른 차폐막의 제조 방법의 제6 실시예에 포함된 단계를 도시하는 흐름도;
도 21은 도 20에 도시된 단계들의 그림을 이용한 도면;
도 22는 본 발명에 따른 차폐막의 제조 방법의 제7 실시예에 포함된 단계를 도시하는 흐름도;
도 23은 도 22에 도시된 단계들의 그림을 이용한 도면;
도 24는 본 발명에 따른 차폐막의 제조 방법의 제7 실시예의 변형예에 포함된 단계들의 그림을 이용한 도면.
본 발명은 일부 바람직한 실시예 및 첨부된 도면을 참조하여 지금 설명된다. 용이한 이해의 목적을 위하여, 바람직한 실시예에서 동일한 요소들은 동일한 도면부호로 표시된다.
절연층(21), 적어도 하나의 전기 전도성 차폐층(22), 및 접착층(24)을 포함하는, 본 발명의 제1 실시예에 따른 차폐막(2)의 구조를 도시하는 수직 단면도인 도 2a를 참조한다.
도 2a에서 알 수 있는 바와 같이, 절연층(21)은 제1 절연재(21a)로 형성된 간단한 구조이며, 제1 절연재는 5㎛ 내지 25㎛의 범위에 놓인 두께를 가지며, 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 및 폴리페닐설폰(PPSU) 중 적어도 하나일 수 있다. 바람직하게, 제1 절연재(21a)는 한층 양호한 전자기 차폐 효과를 제공하도록 본 발명의 차폐막(2)을 위해 검은 색상을 가진다.
전도성 차폐층(22)은 상부측에서 절연층(21)의 하부측에 연결되고, 금속 차폐재(221)로 형성된다. 금속 차폐재(221)는 0.1㎛ 내지 15㎛의 범위에 놓이는 두께를 갖고, 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 아연(Zn), 주석(Sn), 철(Fe), 탄소(C), 흑연, 그라핀, 및 전도성 중합체 재료 중 적어도 하나일 수 있다.
도 2a에 도시된 바와 같이. 다수의 금속 접지 전극(222)들은 제1 절연재(21a)에 대해 반대 방향으로 돌출하도록 금속 차폐재(221)의 하부측에 제공된다. 금속 접지 전극(222)들은 3㎛ 내지 30㎛의 범위에 놓이는 높이를 각각 가지며, 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 아연(Zn), 주석(Sn), 철(Fe), 탄소(C), 흑연 및 그라핀 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
금속 차폐재(221)의 하부측 위에 분산된 금속 접지 전극(222)들은 전도성 차폐층(22)의 하부측에 기하학적 패턴을 함께 제공한다. 패터닝된 금속 접지 전극(222)들은 그 사이에 다수의 비교적 큰 충전 공간(23)들을 한정하고, 충전 공간(23)들은 전도성 차폐층(22)의 전체 면적의 약 65% 내지 99%를 차지한다. 접착층(24)은 충전 공간(23)들에 충전된다.
접착층(24)은 열경화성의 에폭시 수지, 아크릴산, 폴리우레탄, 폴리이미드 중 적어도 하나일 수 있다.
도 2b를 참조한다. 차폐막(2)의 제1 실시예에 따라서, 절연층(21)은 제1 절연재(21a)와, 제1 절연재(21a)와 금속 차폐재(221) 사이에 위치된 결합재(21b)로 형성되는 복합재일 수 있다. 결합재(21b)는 0.01㎛ 내지 10㎛ 의 범위에 놓이는 두께를 갖고, 니켈(Ni), 주석(Sn), 아연(Zn), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 철(Fe), 바나듐(V), 코발트(Co), 니오븀(Nb) 및 중합체 재료 중 적어도 하나로 형성될 수 있거나, 또는 상기된 재료 중 적어도 하나의 산화물일 수 있다. 또한, 전도성 차폐층(22)은 금속 접지 전극(222)들의 표면을 덮는 내후성 층(223)을 추가로 포함한다. 내후성 층(223)은 0.005㎛ 내지 1㎛의 범위에 놓이는 두께를 갖고, 니켈(Ni), 주석(Sn), 아연(Zn), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 철(Fe) 및 바나듐(V) 중 적어도 하나일 수 있거나, 또는 상기된 금속 재료 중 적어도 하나의 산화물일 수 있다.
도 2b에 도시된 차폐막(2)의 제1 실시예에 따라서, 전도성 차폐층(22)은 도 2c에 도시된 바와 같이 금속 차폐재(221)의 다수의 층을 포함할 수 있다.
도 2b에 도시된 차폐막(2)의 제1 실시예에 따라서, 내후성 층(223)은 도 2d에 도시된 바와 같이, 금속 차폐재(221)의 상부측 및 하부측 중 한쪽 또는 양쪽에 추가로 형성될 수 있다.
도 2c에 도시된 차폐막(2)의 제1 실시예에 따라서, 적어도 하나의 제2 절연재(224)는 도 2e에 도시된 바와 같이, 2개의 인접한 금속 차폐층(221) 사이에 위치하도록 전도성 차폐층(22)에 추가로 제공될 수 있다.
도 3a는 절연막(21), 적어도 하나의 전기 전도성 차폐층(22), 및 접착층(24)을 포함하는, 본 발명의 제2 실시예에 따른 차폐막(2)의 구조를 도시하는 수직 단면도이다. 전도성 차폐층(22)은 상부측에서 절연층(21)의 하부측에 연결되는 금속 차폐재(221)를 포함한다. 금속 차폐재(221)의 일부 영역은 다수의 금속 접지 전극(222)들을 형성하도록 하향 돌출되고, 금속 접지 전극들은 그 사이에 다수의 충전 공간들을 한정하도록 함께 기하학적 패턴을 제공하며, 접착층(24)은 충전 공간(23)들에 충전된다.
도 3b를 참조한다. 차폐막(2)의 제2 실시예에 따라서, 절연층(21)은 결합재(21b)을 추가로 포함할 수 있으며, 전도성 차폐층(22)은 금속 차폐재(221)의 하부측을 덮는 내후성 층(223)을 추가로 포함할 수 있다. 그런 다음, 접착층(24)은 금속 접지 전극(222)들 사이에 한정된 충전 공간(23)들에 형성된다.
도 3b에 도시된 차폐막(2)의 제2 실시예에 따라서, 전도성 차폐층(22)은 도 3c에 도시된 바와 같이 금속 차폐재(221)의 다수의 층을 포함할 수 있다.
도 3b에 도시된 차폐막(2)의 제2 실시예에 따라서, 내후성 층(223)은 도 3d에 도시된 바와 같이 금속 차폐재(221)의 상부측 및 하부측의 한쪽 또는 양쪽에 추가로 형성될 수 있다.
도 3c에 도시된 차폐막(2)의 제2 실시예에 따라서, 적어도 하나의 제2 절연재(224)는 도 3e에 도시된 바와 같이 2개의 인접한 금속 차폐층(221)들 사이에 위치하도록 전도성 차폐층(22)에 추가로 제공될 수 있다.
도 4a는 절연층(21), 적어도 하나의 전기 전도성 차폐층(22), 및 접착층(24)을 포함하는, 본 발명의 제3 실시예에 따른 차폐막(2)의 구조를 도시하는 수직 단면도이다. 절연층(21)의 일부 영역은 다수의 제1 돌출부(21c)를 형성하도록 그 하부측으로부터 하향 연장되며; 전도성 차폐층(22)은 절연층(21)의 하부측에 연결된 금속 차폐재(221)를 포함한다. 하향 제1 돌출부(21c)에 대응하는 금속 차폐재(221)의 부분들은 금속 접지 전극(222)들을 각각 형성한다. 금속 접지 전극(222)들은 그 사이에 다수의 충전 공간(23)들을 한정하도록 기하학적 패턴을 함께 제공하고, 접착층(24)은 충전 공간(23)들에 충전된다.
도 4b를 참조한다. 차폐막(2)의 제3 실시예에 따라서, 절연층(21)은 결합재(21b)을 추가로 포함할 수 있으며, 전도성 차폐층(22)은 금속 차폐재(221)의 하부측을 덮는 내후성 층(223)을 추가로 포함할 수 있다. 그런 다음, 접착층(24)은 금속 접지 전극(222)들 사이에 한정된 충전 공간(23)들에 형성된다.
도 4b에 도시된 차폐막(2)의 제3 실시예에 따라서, 전도성 차폐층(22)은 도 4c에 도시된 바와 같이 금속 차폐재(221)의 다수의 층을 포함할 수 있다.
도 4b에 도시된 차폐막(2)의 제3 실시예에 따라서, 내후성 층(223)은 도 4b에 도시된 바와 같이 금속 차폐재(221)의 상부측 및 하부측의 한쪽 또는 양쪽에 추가로 형성될 수 있다.
도 4c에 도시된 차폐막(2)의 제3 실시예에 따라서, 적어도 하나의 제2 절연재(224)는 도 4e에 도시된 바와 같이 2개의 인접한 금속 차폐층(221)들 사이에 위치하도록 전도성 차폐층(22)에 추가로 제공될 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 절연층(21), 전기 전도성 차폐층(22), 및 접착층(24)을 포함하는, 본 발명의 제4 실시예에 따른 차폐막(2)의 구조를 도시하는 수직 단면도이다. 전도성 차폐층(22)의 일부 영역은 다수의 금속 접지 전극(222)들을 형성하도록 하향 돌출되고, 금속 접지 전극들은 전도성 차폐층(22)의 하부측 상에 기하학적 패턴을 함께 제공한다. 패터닝된 금속 접지 전극(222)들은 그 사이에 다수의 비교적 큰 충전 공간(23)들을 한정하고, 접착층(24)은 충전 공간(23)들에 충전된다. 절연층(21)에서, 적어도 하나의 형태의 전기 절연성, 열전도성 재료의 입자(21e)가 첨가된다. 전기 절연성, 열전도성 물질은 산화알루미늄(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 질화붕소(BN), 실리콘 카바이드(SiC), 산화마그네슘(MgO), 산화아연(ZnO), 산화니켈(NiO), 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), 분말 탄소(C), 또는 폴리머계 절연성 열전도성 재료일 수 있다. 그리고, 접착층(24)에서, 금속 입자(24a)는 함유된다.
제4 실시예에서, 전도성 차폐층(22)은 상부측에서 절연층(21)의 하부측에 연결되는 금속 차폐재(221)를 포함하고, 하향 돌출된 금속 접지 전극(222)들은 도 5a에 도시된 바와 같이 금속 차폐재(221)의 하부측 상에 제공된다. 제4 실시예에 따라서, 전도성 차폐층(22)은 도 2c에 도시된 것과 유사한, 금속 차폐재(221)의 다수의 층을 포함할 수 있거나; 또는 하나 이상의 내후성 층(223)은 도 2d에 도시된 것과 유사한, 금속 차폐재(221)의 상부측 또는 하부측의 한쪽 또는 양쪽에 형성될 수 있거나; 또는 적어도 하나의 제2 절연재(224)는 도 2e에 도시된 것과 유사한, 2개의 인접한 금속 차폐층(221) 사이에 위치하도록 전도성 차폐층(22)에 추가로 제공될 수 있다.
도 5b를 참조한다. 제4 실시예의 제1 변형예에 따라서, 전도성 차폐층(22)은 상부측에서 절연층(21)의 하부측에 연결되는 금속 차폐재(221)를 포함하며, 금속 차폐재(221)의 일부 영역은 다수의 금속 접지 전극(222)들을 형성하도록 하향 돌출된다. 제1 변형예에 따라서, 전도성 차폐층(22)은 도 3c에 도시된 것과 유사한, 금속 차폐재(221)의 다수의 층을 포함할 수 있거나; 또는 하나 이상의 내후성 층(223)은 도 3d에 도시된 것과 유사한, 금속 차폐재(221)의 상부측 및 하부측의 한쪽 또는 양쪽에 추가로 형성될 수 있거나; 또는 적어도 하나의 제2 절연재(224)는 도 3e에 도시된 것과 유사한, 2개의 인접한 금속 차폐층(221)들 사이에 위치하도록 전도성 차폐층(22)에 추가로 제공될 수 있다.
도 5c를 참조한다. 제4 실시예의 제2의 변형예에 따라서, 절연층(21)의 일부 영역은 다수의 제1 돌출부(21c)를 형성하도록 그 하부측으로부터 하향 연장되고; 전도성 차폐층(22)은 절연층(21)의 하부측에 연결된 금속 차폐재(221)를 포함한다. 제1 하향 돌출부들에 대응하는 금속 차폐재(221)의 부분들은 각각 금속 접지 전극(222)들을 형성한다. 제2 변형예에 따라서, 전도성 차폐층(22)은 도 4c에 도시된 것과 유사한, 금속 차폐재(221)의 다수의 층을 포함할 수 있거나; 또는 하나 이상의 내후성 층(223)은 도 4d에 도시된 것과 유사한, 금속 차폐재(221)의 상부측 및 하부측의 한쪽 또는 양쪽에 추가로 형성될 수 있거나; 또는 적어도 하나의 제2 절연재(224)는 도 4e에 도시된 것과 유사한, 2개의 인접한 금속 차폐층(221)들 사이의 위치하도록 전도성 차폐층(22)에 추가로 제공될 수 있다.
제4 실시예 및 그 변형예에서, 금속 접지 전극(222), 적어도 하나의 전기 절연성, 열전도성 재료의 입자를 함유하는 절연층(21), 및 금속 입자(24a)를 함유하는 접착층(24)을 구비한, 본 발명의 차폐막(2)은 양호한 접지 효과뿐만 아니라, 양호한 방열 효과를 제공한다.
도 6a 내지 도 6c는 전기 전도성 차폐층(22), 및 접착층(24)을 포함하는, 본 발명의 제5 실시예에 따른 차폐막(2)의 구조를 도시하는 수직 단면도이다. 전도성 차폐층(22)의 일부 영역은 다수의 금속 접지 전극(222)의 형성하도록 하향 돌출되고, 금속 접지 전극들은 전도성 차폐층(22)의 하부측에 기하학적 패턴을 함께 제공한다. 패터닝된 금속 접지 전극(222)들은 그 사이에 비교적 큰 충전 공간(23)들을 한정하고, 접착층(24)은 충전 공간(23)들에 충전된다.
제5 실시예에서, 도 6a에 도시한 바와 같이, 전도성 차폐층(22)은 금속 차폐재(221)를 포함하고, 하향 돌출 금속 접지 전극(222)들은 금속 차폐재(221)의 하부측에 위치된다. 제5 실시예에 따라서, 도 5c에 도시된 것과 유사한, 전도성 차폐층(22)은 금속 차폐재(221)의 다수의 층을 포함할 수 있거나; 또는 하나 이상의 내후성 층(223)은 도 2d에 도시된 것과 유사한, 금속 차폐재(221)의 상부측 또는 하부측의 한쪽 또는 양쪽에 추가로 형성될 수 있거나; 또는 적어도 하나의 제2 절연재(224)는 도 2e에 도시된 것과 유사한, 2개의 인접한 금속 차폐층(221)들 사이에 위치하도록 전도성 차폐층(22)에 추가로 제공될 수 있다.
도 6b를 참조한다. 제5 실시예의 제1 변형예에 따라서, 전도성 차폐층(22)은 금속 차폐재(221)를 포함하고, 금속 차폐재(221)의 일부 영역은 다수의 금속 접지 전극(222)들을 형성하도록 하향 돌출된다. 이러한 제1 변형예에 따라서, 전도성 차폐층(22)은 도 3c에 도시된 것과 유사한, 금속 차폐재(221)의 다수의 층을 포함할 수 있거나; 또는 하나 이상의 내후성 층(223)은 도 3d에 도시된 것과 유사한, 금속 차폐재(221)의 상부측 및 하부측의 한쪽 또는 양쪽에 추가로 형성될 수 있거나; 또는 적어도 하나의 제2 절연재(224)는 도 3e에 도시된 것과 유사한, 2개의 인접한 금속 차폐층(221)들 사이에 위치하도록 전도성 차폐층(22)에 추가로 제공될 수 있다.
도 6c를 참조한다. 제5 실시예의 제2의 변형예에 따라서, 전도성 차폐층(22)은 다수의 금속 접지 전극(222) 내로 형성되는 금속 차폐재(221)를 포함한다. 제2 변형예에 따라서, 전도성 차폐층(22)은 도 4c에 도시된 것과 유사한, 금속 차폐재(221)의 다수의 층을 포함할 수 있거나; 또는 하나 이상의 내후성 층(223)은 도 4d에 도시된 것과 유사한, 금속 차폐재(221)의 상부측 및 하부측의 한쪽 또는 양쪽에 추가로 형성될 수 있거나; 또는 적어도 하나의 제2 절연재(224)는 도 4e에 도시된 것과 유사한, 2개의 인접한 금속 차폐층(221)들 사이에 위치하도록 전도성 차폐층(22)에 추가로 제공될 수 있다.
제5 실시예에 따라서, 본 발명의 차폐막(2)은 반드시 절연층(21)을 포함하지 않고, 전자 제품의 인클로저에 부착될 수 있다. 이러한 방식으로, 전자 제품에 의해 생성된 전자기파는 금속 차폐층(221)에 의해 차폐될 수 있고, 양호한 접지 효과를 달성하도록 차폐막(2)의 금속 접지 전극(222)들을 통해 접지된다.
제5 실시예에서, 결합재(21b) 및 내후성 층(23)은 차폐막(2)의 제조 공정의 요구 조건에 따라서 제공될 수 있다. 즉, 결합재(21b) 및 내후성 층(23)은 동시에 생략될 수 있거나, 또는 오직 결합재(21b)만이 제공되거나, 또는 오직 내후성 층(223)만이 제공되거나, 또는 결합재(21b) 및 내후성 층(223)이 동시에 제공될 수 있다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명에 따른 전도성 차폐층(22)의 금속 접지 전극(222)의 구성을 위한 일부 가능한 기하학적 형태를 도시하는 수직 단면도이다. 도 7a에서, 금속 접지 전극(222)들은 직사각형의 단면을 가진다. 도 7b에서, 금속 접지 전극(222)들은 사다리꼴 단면을 가진다. 도 7c에서, 금속 접지 전극(222)들은 반전된 피라미드 단면을 가진다.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 차폐막(2)을 위한 전도성 차폐층(22) 상에 금속 접지 전극(222)에 의해 제공될 수 있는 일부 상이한 기하학적 패턴을 도시하는 평면도이다. 이러한 기하학적 패턴 중 어느 하나에서, 금속 접지 전극(222) 사이에 한정되는 충전 공간(23)들은 항상 접착층(24)에 의해 충전된다. 도 8a에서, 금속 접지 전극(222)들은 다수 직선의 열로 배열된다. 도 8b에서, 금속 접지 전극(222)들은 다수의 둥근 포스트로 배열된다. 도 8c에서, 금속 접지 전극(222)들은 다이아몬드 형상 격자로 배열된다. 도 8d에서, 금속 접지 전극(222)들은 육각 형상 격자로 배열된다.
본 발명은 차폐막(2)의 제조 방법을 또한 제공한다. 본 발명의 차폐막의 제조 방법의 제1 실시예에 포함되는 단계를 도시하는 흐름도인 도 9, 및 도 9의 흐름도에서 단계들의 그림을 이용한 설명인 도 10을 참조한다. 다음은 참조의 용이성을 위하여 단계(A)에서 (E)까지 도면 부호가 부여되는 이러한 단계들의 상세한 설명이다.
단계(A) : 엠보싱 기계 상의 핫 스탬핑을 통하여 기판재(25) 상에 다수의 캐비티들을 형성하고, 그런 다음, 기판재(25)의 상부에 전기 전도성 차폐층(22)과, 기판재(25)와 전도성 차폐층(22)이 서로 연결되고 대응하여 다수의 캐비티들을 갖는 캐비티 보임 패턴(cavity-showing pattern)을 형성하도록, 스퍼터링 기계의 스퍼터링 침착을 통하여 또는 증착 기계의 증착 또는 화학적 증착을 통하여 캐비티들을 형성한다. 핫 스탬핑은 약 100 내지 약 200℃의 온도에서 엠보싱 기계에서 수행된다.
단계(B) : 절연층(21)은 캐비티들을 충전하도록, 코팅 기계를 사용하여 전도성 차폐층(22)의 상부에 절연층(21)을 형성한다. 절연층(21)은 제1 절연재(21a)로 형성되는 단순 구조일 수 있거나, 또는 제1 절연재(21a), 및 제1 절연재(21a) 아래에 위치된 결합재(21b)로 형성된 복합 구조일 수 있다.
단계(C) : 절연층(21)의 상부에 캐리어 막(26)을 형성한다. 캐리어 막(26)은 차폐막(2)이 사용을 위해 준비될 때 제거될 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)일 수 있다.
단계(D) : 엠보싱 기계의 핫 스탬핑을 통하여 단계(A)에 형성된 캐비티 보임 패턴을 노출시키도록 전도성 차폐층(22)의 하부측으로부터 기판재(25)를 제거한다. 캐비티 보임 패턴은 다수의 금속 접지 전극(222)들을 형성하도록 전도성 차폐층(22)의 하부측으로부터 하향 돌출되며, 충전 공간(23)들은 금속 접지 전극 사이에 한정된다.
단계(E) : 금속 접지 전극(222)이 기하학적 패턴을 제공하기 위해 전도성 차폐층(22)의 하부측으로부터 노출되도록, 충전 공간(23)들에 접착층(24)을 충전한다.
도 11을 참조한다. 운영 가능한 실시예에 따라서, 단계는 상기 제1 실시예의 단계(A) 내지 (E) 후에 포함될 수 있다: 차폐막(2)의 완성된 제품의 외관을 보호하고 아름답게 하도록 접착층(24)과 금속 접지 전극(222)의 노출면 상에 이형재(3)를 제공한다.
본 발명의 차폐막의 제조 방법의 제2 실시예에 포함된 단계를 도시하는 흐름도인 도 12, 및 도 12에 도시된 단계들의 그림을 이용한 도면인 도 13을 참조한다. 본 발명의 방법의 제2 실시예가 오직 단계(A)에서만 제1 실시예와 다른 한편 단계(B)에서 (E)까지의 모든 다른 단계들이 제1 실시예와 동일하기 때문에, 오직 단계(A)만이 본 명세서에 상세하게 설명된다. 단계(A) : 기판재(25)를 제공하고, 기판재와 전도성 차폐층(22)이 서로 연결되도록, 증착, 스퍼터 증착 또는 화학적 증착을 통해 기판재(25)의 상부에 전도성 차폐층(22)을 형성한다. 그런 다음, 기판재(25) 및 전도성 차폐층(22)이 대응하여 다수의 캐비티들을 갖는 캐비티 보임 패턴을 형성하도록, 엠보싱 기계의 핫 스탬핑 통해 연결된 기판재(25)와 전도성 차폐층(22)에 다수의 캐비티들을 형성한다.
본 발명에 따른 차폐막의 제조 방법의 제3 실시예에 포함된 단계를 도시하는 흐름도인 도 14, 및 도 14에 도시된 단계들의 그림을 이용한 도면인 도 15를 참조한다. 본 발명의 방법의 제3 실시예가 오직 단계(A)에서만 제2 실시예와 다르기 때문에, 오직 단지 단계(A)만이 본 명세서에 상세하게 설명된다. 단계(A) : 엠보싱 기계의 핫 스탬핑을 통하여, 반복적으로 사용 가능한 마스터 템플릿인 기판재(25) 상에 직접 캐비티 보임 패턴을 형성하고; 그런 다음, 증착, 스퍼터 증착 또는 화학 증착을 통해 기판재(25)의 상부에 전기 전도성 재료(27)의 층을 형성한다. 전기 전도성 재료(27)는 금속 재료이다. 그 후, 내식성 부동태화 상태로 금속 재료의 표면 상태를 변경하기 위하여 전기 전도성 재료(27)를 표면 보호 처리한다. 이 시점에서, 박막, 즉 부동태화 막(passivation film)은 금속 재료의 표면 상에 형성된다. 산업 적용에서, 부동태화제(passivating agent), 주로 산화제는 통상적으로 금속 표면에 보호막 층을 형성하도록 금속 부동태화 처리에 사용된다. 예를 들어, 냉농축된(cold concentrated) 황산과 냉농축된 질산은 철과 알루미늄을 위한 부동태 처리에서 사용될 수 있다. 본 발명에 따라서, 부동태 처리를 통하여, 전기 전도성 재료(27)는 전기 전도성 재료(27)가 접촉하는 층으로부터 용이하게 분리될 수 있고, 기판 재료(25)는 내구성을 증가된 내구성을 가질 수 있다.
마지막으로, 또한 단계(A)에서, 스퍼터링 증착, 화학 증착 또는 전기 도금을 통하여 전기 전도성 재료(27)의 상부에 전도성 차폐층(22)을 형성한다. 그 중에서도, 전기 도금 공정은 고효율 및 고정밀 성형 기술이다. 전기 도금 피착 및 외부 공급 전기 에너지의 원리를 이용함하는 것에 의해, 금속 이온 및 다른 첨가제를 함유하는 혼합 용액은, 전기 화학적 산화 및 환원 반응이 양극과 음극에서 발생하여, 주어진 객체의 표면 상에 원하는 금속을 피착하도록 음극과 양극과 반응한다. 제3 실시예의 모든 다른 단계(B) 내지 (E)는 제1 및 제2 실시예와 동일하기 때문에 본 명세서에서 반복적으로 설명되지 않는다.
도 16은 본 발명의 차폐막 제조 방법의 제4 실시예에 포함된 단계를 도시하는 흐름도이며, 도 17은 도 16에 도시된 단계들의 그림을 이용한 도면이다. 다음은 참조의 용이성을 위하여 단계(A)에서 (D)까지 도면부호가 부여되는 이러한 단계들의 상세한 설명이다. 참조의 용이성을 위해 에(A)에서 번호가이 단계의 상세한 설명이다. 단계(A) : 절연층(21)을 제공하고; 단계(B) : 증착, 스퍼터링 증착 또는 화학적 증착을 통해 절연층(21)의 하부측에 전도성 차폐층(22)을 형성하고; 단계(C) : 함께 다수의 하향 돌출된 금속 접지 전극(222)들을 형성되도록, 절연층(21)과 전도성 차폐층(22)을 엠보싱 기계의 핫 스탬핑 공정으로 처리하고; 및 단계(D) : 금속 접지 전극(222)이 기하학적 패턴을 제공하기 위해 접착층(24)로부터 노출되되도록, 금속 접지 전극(222)들 사이에 전도성 차폐층(22)의 하부측에 형성된 충전 공간(23)들에 접착층(24)을 충전한다.
도 18은 본 발명의 차폐막의 제조 방법의 제5 실시예에 포함된 단계를 도시하는 흐름도이고, 도 19는 도 18에 도시된 단계들의 그림을 이용한 도면이다. 다음은 참조의 용이성을 위하여 단계(A)에서 (C)까지 도면부호가 부여된 이러한 단계들의 상세한 설명이다.
단계(A) : 제1 절연재(21a)를 제공하고; 코팅기를 사용하여 제1 절연층(21a)의 하부측에 중합체 재료(21d)을 코팅하고 중합체 재료(21d)를 예비 경화시키며; 핫 스탬핑 통해 중합체 재료(21d)의 하부측 상에 패턴을 형성하여서, 제1 절연재(21a) 및 패터닝된 중합체 재료(21d)가 함께 절연층(21)을 구성하고; 중합체 재료(21d) 상에 형성된 패턴에 대응하는 절연층(21) 상에 다수의 하향 돌출부를 형성하고; 중합체 재료(21d)에 자외선(UV) 광을 조사하거나 또는 중합체 재료(21d)가 완전히 경화하고 형상화되도록 오븐에서 중합체 재료(21d)를 가열 건조한다.
단계(B) : 전도성 차폐층(22)의 부분이 다수의 금속 접지 전극(222)들을 형성하도록, 절연층(21)의 하부측에 전도성 차폐층(22)을 형성한다.
단계(C) : 기하학적 패턴을 제공하도록 접착층(24)으로부터 노출된 금속 접지 전극(222)과 함께 전도성 차폐층(22)의 하부면에 접착층(24)을 제공한다.
도 20은 본 발명에 따른 차폐막의 제조 방법의 제6 실시예에 포함된 단계를 도시하는 흐름도이고, 도 21은 도 20에 도시된 단계들의 그림을 이용한 도면이다. 이러한 단계들은 참조의 용이성을 위하여 (A)에서 (C)까지 도면부호가 부여된다. 단계(A) : 제1 절연재(21a)를 제공하고; 전사 인쇄 또는 스크린 인쇄를 통해 중합체 재료(21d) 상에 패턴을 형성하고, 제1 절연재(21a) 및 패터닝된 중합체 재료(21d)가 함께 절연층(21)을 구성하도록, 제1 절연재(21a)의 하부측에 패터닝된 중합체 재료(21d)을 제공하고; 절연층(21)의 하부측에 다수의 하향 돌출부를 형성하고; 중합체 재료(21d)에 자외선(UV) 광을 조사하거나 또는 중합체 재료(21d)가 완전히 경화하고 형상화되도록 오븐에서 중합체 재료(21d)를 가열 건조한다.
제6 실시예에서 단계(B) 및 (C)는 제5 실시예와 유사하기 때문에, 이 단계들은 본 명세서에서 반복적으로 설명되지 않는다.
도 22는 본 발명에 따른 차폐막의 제조 방법의 제6 실시예에 포함된 단계를 도시하는 흐름도이고, 도 23은 도 22에 도시된 단계들의 그림을 이용한 도면이다. 다음은 이러한 단계들의 상세한 설명이며, 이 단계들은 참조의 용이성을 위하여 단계(A)에서 (C)까지 도면부호가 부여된다.
단계(A) : 캘린더링 또는 전기 도금을 통해 전도성 차폐층(22)을 형성하고, 하향 돌출부들이 금속 접지 전극(222)들을 각각 형성하도록, 전도성 차폐층(22)에 다수의 하향 돌출부를 형성한다.
단계(B) : 전도성 차폐층(22)의 상부에 절연층(21)을 형성한다.
단계(C) : 금속 접지 전극(222)이 기하학적 패턴을 제공하도록 접착층(24)으로부터 노출되는 동안, 절연층(21)의 반대편 전도성 차폐층(22)의 하부면에 접착층(24)을 제공한다.
제7 실시예에서, 단계(A)에서 제공된 전도성 차폐층(22)은 도 23에 도시하는 바와 같이 다수의 하향 돌출부를 형성하도록 엠보싱 기계의 핫 스탬핑 공정이 실시될 수 있다.
제7 실시예의 변형예에 따라서, 단계(A)에서 제공된 전도성 차폐층(22)은, 도 24에 도시된 바와 같이, 그 하부측에 다수의 하향 돌출부를 형성하도록 다수의 캐비티들을 갖는 금형 내에서 형상화될 수 있다.
상기 변형예가 전도성 차폐층(22)을 형성하기 위한 단계(A)에서만 제7 실시예와 다르기 때문에, 제7 실시예와 유사한 변형예를 위한 단계(B) 및(C)는 반복적으로 설명되지 않는다. 또한, 도 24에 도시된 제7 실시예의 변형예에서, 내후성 층(223)은 전도성 차폐층(22) 상에 형성되지 않는다. 그러나, 비록 도면에 도시되지 않았을지라도, 다른 운영 가능한 실시예에 따라서, 내후성 층(223)은 전기 도금을 통해 금속 접지 전극(222)의 외부면 상에 형성될 수 있다.
먼저, 본 발명의 방법의 제7 실시예에서, 절연층(21)은 제1 절연재(21a)로 형성되는 단순한 구조 또는 제1 절연재(21a), 및 제1 절연재(21a)의 하부측에 위치되는 결합재(21b)로 형성되는 복합 구조물일 수 있으며; 전도성 차폐층(22)의 내후성 층(223)은 실제의 요구 조건에 따라서 형성될 수 있다. 운영 가능한 실시예에서, 오직 단일의 내후성 층(223)만이, 도 2c, 도 3c 및 도 4c에 도시하는 바와 같이 금속 접지 전극(222)의 표면 상에 형성된다. 다른 운영 가능한 실시예에서, 추가의 내후성 층(223)은 도 2d, 도 3d 및 도 4d에 도시된 바와 같이 스퍼터재(221)의 상부측 및 하부측 상에 추가로 형성될 수 있다. 그리고, 차폐막(2)의 제조 방법에서, 차폐막(2)의 완성된 제품의 외관을 보호하고 아름답게 하도록 접착층(24)과 금속 접지 전극(222, 도 11 참조)의 표면들 상에 이형재(3)를 제공하도록 추가의 단계가 다른 단계들 후에 포함될 수 있다.
다음의 표 1은 본 발명의 방법으로 제조된 차폐막(2)의 구조(Exp 1-6)와 도 1에 도시된 종래의 차폐막(1)의 구조(Comp 1-2)를 비교한다. 표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 차폐막(2)은 접지 효과 및 결합 강도의 관점에서 종래의 차폐막(1)보다 우수하다.
Exp* 1 Exp 2 Exp 3 Exp 4 Exp 5 Exp 6 Comp* 1 Comp 2
제1 절연재(㎛) - 5 5 15 15 10 10
절연층(㎛) 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 - - -
결합재(㎛) 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 - -
금속 차폐재(㎛) 1 0.5 - - - - 1 1
금속 접지 전극(㎛) 8 8 5.5 10.5 10 10 - -
금속 접지 전극의 형상 정사각형 격자 정사각형 격자 둥근 포스트 둥근 포스트 6각형 격자 육각형 격자 - -
결합 면적의 백분율(%) 92.16 92.16 85 85 89.9 89.9 - -
내후성 층(㎛) 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.02
접착층(㎛) 8 8 5 10 8.5 8.5
전도성 접착(㎛) - - - - - - 10 10
전도성 입자의 함유량(%) - - - - - - 50 70
전자기 차폐 효과(㏈) 61 59 63 65 65 66 52 54
접촉 저항(mΩ) 210 257 121 149 163 178 571 362
박리 강도(N/㎝) 7.2 7.1 6.2 5.9 6.8 6.3 4.9 4.1
내후성(mΩ) 275 313 143 171 197 195 1211 984
내후성에서의 변화(%) 131 122 118 115 121 110 212 272
* Exp는 실험예의 약자이며; Comp는 비교예의 약자이다.
요약하면, 전도성 차폐층과 금속 접지 전극을 형성하는 것에 의해, 및 금속 접지 전극들 사이에 한정된 큰 면적의 충전 공간에 접착층을 충전하는 것에 의해, 본 발명의 차폐막은 전도성 접착층에 첨가되는 전도성 입자들 사이에 높은 접촉 저항을 갖는 것과 같은 종래의 차폐막의 문제점을 피한다. 그러므로, 본 발명의 차폐막은 양호한 전기 전도 특성을 가지며, 따라서, 향상된 전자기 차폐 효과를 제공한다.
본 발명은 본 발명의 일부 바람직한 실시예로 설명되었으며, 기술된 실시예에서 많은 변경과 변경이 첨부된 청구항들에 의해서만 한정되도록 의도된 본 발명의 범위 및 사상으로부터 벗어나지 않고 수행될 수 있다고 믿어진다.

Claims (14)

  1. 차폐막으로서,
    절연층;
    상기 절연층의 하부측에 형성되고, 다수의 금속 접지 전극들을 형성하도록 하향 돌출된 일부 영역을 갖는 전도성 차폐층으로서, 상기 금속 접지 전극들은 상기 전도성 차폐층의 하부측 위에 분산되고, 상기 금속 접지 전극들 사이에 다수의 충전 공간들을 한정하는 기하학적 패턴을 함께 제공하는, 상기 전도성 차폐층; 및
    상기 충전 공간들을 충전하는 접착층을 포함하는 차폐막.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 단순 구조 및 복합 구조로 이루어진 그룹으로부터 선택되며; 상기 단순 구조는 제1 절연재로 형성되며, 상기 복합 구조는 상기 제1 절연재 및 결합재로 형성되는 차폐막.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 차폐층은 적어도 하나의 내후성 층을 추가로 포함하는 차폐막.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 적어도 하나의 형태의 전기 절연성, 열전도성 재료의 입자를 함유하고, 상기 접착층은 금속 입자를 함유하는 차폐막.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 차폐층은 상기 절연층 아래에 위치되어 상기 절연층에 연결되는 적어도 하나의 금속 차폐재를 포함하고, 상기 금속 접지 전극은 상기 금속 차폐재의 하부측에 제공되는 차폐막.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 차폐층은 상기 절연층 아래에 위치되어 상기 절연층에 연결되는 적어도 하나의 금속 차폐재를 포함하고, 상기 금속 접지 전극은 상기 금속 차폐재의 하부측로부터 하향 돌출되는 차폐막.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 그 하부측에 형성된 다수의 제1 돌출부를 포함하고, 상기 전도성 차폐층은 상기 절연층 아래에 위치되어 상기 절연층에 연결되는 적어도 하나의 금속 차폐재를 포함하고; 상기 절연층의 제1 돌출부에 대응하는 상기 금속 차폐재의 부분들은 상기 금속 접지 전극을 형성하는 차폐막.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 결합재는 니켈(Ni), 주석(Sn), 아연(Zn), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 철(Fe), 바나듐(V), 코발트(Co), 니오븀(Nb), 중합체 재료, 상기된 재료의 임의의 조합, 또는 상기된 재료의 임의의 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 차폐막.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 전도성 차폐층은, 상기 금속 차폐재의 2개의 인접한 층들 사이에 위치되어 상기 층들에 연결되는 적어도 하나의 제2 절연재를 추가로 포함하는 차폐막.
  10. 차폐막으로서,
    다수의 금속 접지 전극들 사이에 다수의 충전 공간들을 한정하는 기하학적 패턴을 함께 제공하는 상기 금속 접지 전극들을 형성하도록 그 일부 영역이 하향 돌출되는 전도성 차폐층; 및
    상기 충전 공간에 충전되는 접착층을 포함하는 차폐막.
  11. 차폐막 제조 방법으로서,
    A) 기판재의 상부에 전도성 차폐층을 연결하고, 상기 기판재와 상기 전도성 차폐층 상에 다수의 캐비티들을 형성하는 단계;
    (B) 절연층이 모든 캐비티들을 충전하도록 상기 전도성 차폐층의 상부에 상기 절연층을 형성하는 단계;
    (C) 상기 절연층의 상부에 캐리어 막을 형성하는 단계;
    (D) 다수의 하향 돌출된 금속 접지 전극들이 상기 캐비티들에 대응하는 상기 전도성 차폐층의 하부측에 형성되도록, 상기 전도성 차폐층으로부터 상기 기판재를 제거하는 단계; 및
    (E) 상기 전도성 차폐층의 하부측에 접착층을 제공하는 단계를 포함하며, 상기 전도성 차폐층의 하부측 위에 분산된 상기 금속 접지 전극들이 기하학적 패턴을 제공하기 위해 상기 접착층으로부터 노출되는 것을 특징으로 하는 차폐막 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 단계(A)에서, 상기 캐비티들은 핫 스탬핑을 통하여 상기 기판재 상에 형성되고; 상기 전도성 차폐층은 그런 다음 상기 기판재의 상부와 상기 캐비티들에 형성되는 차폐막 제조 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 단계(A)에서, 상기 전도성 차폐층은 상기 기판재 상에 형성되고; 그런 다음, 상기 기판재와 상기 전도성 차폐층은 상기 캐비티들을 형성하도록 핫 스탬핑되는 차폐막 제조 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 단계(A)에서, 상기 캐비티들은 핫 스탬핑을 통하여 상기 기판재 상에 형성되고; 전기 전도성 재료의 층이 그런 다음 상기 기판재의 상부에 형성되어 표면 부동태화 처리되고; 상기 전도성 차폐층은 상기 전기 전도성 재료의 상부에 형성되는 차폐막 제조 방법.
KR1020140110760A 2014-08-25 2014-08-25 차폐막 및 그 제조 방법 KR101626584B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140110760A KR101626584B1 (ko) 2014-08-25 2014-08-25 차폐막 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140110760A KR101626584B1 (ko) 2014-08-25 2014-08-25 차폐막 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160024212A KR20160024212A (ko) 2016-03-04
KR101626584B1 true KR101626584B1 (ko) 2016-06-01

Family

ID=55535903

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140110760A KR101626584B1 (ko) 2014-08-25 2014-08-25 차폐막 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101626584B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110691497B (zh) * 2018-07-06 2024-04-23 广州方邦电子股份有限公司 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002329424A (ja) 2001-04-27 2002-11-15 Dainippon Printing Co Ltd フラットケーブル用シールド材及びシールド付きフラットケーブル
JP2003198185A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Dainippon Printing Co Ltd 電磁波遮蔽シートの製造方法および電磁波遮蔽シート
JP2012094772A (ja) 2010-10-28 2012-05-17 Dainippon Printing Co Ltd プラズマディスプレイパネル用電磁波シールド材用導電性樹脂組成物、プラズマディスプレイパネル用電磁波シールド材の製造方法及びプラズマディスプレイパネル用電磁波シールド材

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101195034B1 (ko) * 2010-11-26 2012-10-29 주식회사 이엠따블유 전자파 노이즈 제거를 위한 쉴딩 구조

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002329424A (ja) 2001-04-27 2002-11-15 Dainippon Printing Co Ltd フラットケーブル用シールド材及びシールド付きフラットケーブル
JP2003198185A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Dainippon Printing Co Ltd 電磁波遮蔽シートの製造方法および電磁波遮蔽シート
JP2012094772A (ja) 2010-10-28 2012-05-17 Dainippon Printing Co Ltd プラズマディスプレイパネル用電磁波シールド材用導電性樹脂組成物、プラズマディスプレイパネル用電磁波シールド材の製造方法及びプラズマディスプレイパネル用電磁波シールド材

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160024212A (ko) 2016-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9345181B2 (en) Shielding film and method of manufacturing same
TWI660652B (zh) 印刷電路板及其製造方法
KR20160126751A (ko) 코일 전자부품 및 그 제조방법
JP2018501633A (ja) 電磁波吸収消滅および遮蔽用ならびに電子機器高放熱用融合シート、および、その製造方法
KR102371134B1 (ko) 프린트 배선판 및 그 제조 방법
KR20110088934A (ko) 전자파감소 면상발열체 및 그 제조방법
CN103763854A (zh) 印刷线路板及其制造方法
KR101626584B1 (ko) 차폐막 및 그 제조 방법
CN105324019B (zh) 屏蔽膜及其制造方法
DE102020100167A1 (de) Isoliertes metallsubstrat und herstellungsverfahren dafür
JP6013415B2 (ja) 遮蔽膜及びその製造方法
JP2017010995A (ja) シールド材、電子部品及び接着シート
CN104883865A (zh) 一种高效能低成本电磁屏蔽膜及其制造方法
KR20210066802A (ko) 전자파 차폐 시트 및 전자부품 탑재 기판
CN102209428A (zh) 具有电磁屏蔽结构的电路板
CN104041196A (zh) 双面印刷线路板及其制造方法
CN205069252U (zh) 薄型表面贴装大电流ptc元件
DE202015006897U1 (de) Halbleitermodul und Leistungsanordnung
KR20190001141U (ko) 전자파 차폐막의 도전층, 전자파 차폐막
WO2015039920A1 (de) Kühlkörper
TWI578893B (zh) Shielding film and manufacturing method thereof
CN108541205A (zh) 电磁屏蔽罩及其制作方法
JP5516293B2 (ja) タッチパネル用フィルム基材の製造方法
JP3820825B2 (ja) Ptcサーミスタ
KR102029630B1 (ko) 코일 전자부품 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190515

Year of fee payment: 6