CN115697871A - 高分子膜的剥离方法、电子器件的制造方法以及剥离装置 - Google Patents

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Abstract

一种高分子膜的剥离方法，包括：准备形成有电路图案和/或功能元件的高分子膜与无机基板密合的层叠体的工序A；在层叠体的端部，在高分子膜与无机基板之间形成剥离部分的工序B；通过使无机基板向离开高分子膜的方向翘曲，将高分子膜保持在大致平面的状态下从无机基板剥离的工序C。

Description

高分子膜的剥离方法、电子器件的制造方法以及剥离装置
技术领域
本发明涉及高分子膜的剥离方法、电子器件的制造方法以及剥离装置。
背景技术
近年来，以半导体元件、MEMS元件、显示元件等功能元件的轻量化、小型和薄型化、柔性化为目的，对于在高分子膜上形成这些元件的技术开发非常活跃。即，作为信息通信设备(广播设备、移动无线、便携通信设备等)、雷达、高速信息处理装置等电子部件的基材的材料，以往使用具有耐热性且能够应对信息通信设备的信号频带的高频化(达到GHz频带)的陶瓷，但陶瓷不是柔性的，也难以薄型化，因此存在可适用领域受限的缺点，因此最近使用高分子膜作为基板。
在高分子膜表面形成半导体元件、MEMS元件、显示元件等功能元件时，理想的是利用高分子膜的特性之柔软性的、所谓的卷对卷(Roll-to-Roll)工艺进行加工。但是，在半导体产业、MEMS产业、显示器产业等产业中，迄今为止构筑了基于晶圆或玻璃基板等以刚性平面基板为对象的工艺技术。因此，为了利用现有的基础设施在高分子膜上形成功能元件，使用的工艺是：将高分子膜与例如玻璃板、陶瓷板、硅晶圆、金属板等无机物构成的刚性支撑体贴合，在其上形成所希望的元件后从支撑体剥离。
以往，作为从支撑体上剥离高分子膜的方法，已知有通过照射激光来减弱高分子膜与支撑体之间的密合力而进行剥离的方法(例如，参照专利文献1)。
[现有技术文献]
[专利文献]
【专利文献1】日本专利特开平10-125931号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，在专利文献1的方法中，由于向支撑体的整个面照射激光，因此存在需要用于照射激光的大型照射装置的问题。另外，由于照射激光，因此存在高分子膜发生焦糊等而影响高分子膜品质的问题。另外，也担心在形成于高分子膜表面的电路或器件以及安装在高分子膜上的元件上激光泄漏照射，或者激光加热产生冲击波，从而影响品质。关于机械剥离，也担心伴随高分子膜的变形，因应力而对高分子膜本身造成损伤，以及对形成在高分子膜表面的电路、器件以及安装在高分子膜上的元件的品质造成影响。
本发明鉴于上述课题而完成，其目的在于提供一种不会对高分子膜、形成在高分子膜表面的电路或器件以及安装在高分子膜上的元件的品质造成影响，能够容易地从无机基板上剥离高分子膜的高分子膜的剥离方法、电子器件的制造方法以及剥离装置。
用于解决课题的手段
本发明人对高分子膜的剥离方法、电子器件的制造方法以及剥离装置进行了深入研究。结果发现，通过采用下述构成，可以在不影响高分子膜、形成在高分子膜表面的电路或器件以及安装在高分子膜上的元件的品质的情况下，容易地将高分子膜从无机基板剥离，从而完成了本发明。
即，本发明提供以下技术。
(1)一种高分子膜的剥离方法，其特征在于，包括：
准备形成有电路图案和/或功能元件的高分子膜与无机基板密合的层叠体的工序A；
在所述层叠体的端部，在所述高分子膜与所述无机基板之间形成剥离部分的工序B；
通过使所述无机基板向离开所述高分子膜的方向翘曲，将所述高分子膜保持在大致平面的状态下从所述无机基板剥离的工序C。
根据所述构成，并非是机械剥离，而是通过使所述无机基板向离开所述高分子膜的方向翘曲，将所述高分子膜不弯曲(大致平面)地剥离，因此不会对高分子膜施加应力，不会对品质产生影响，能够容易地将高分子膜从无机基板剥离。
(2)优选地，在所述(1)的构成中，
所述工序C是：
在所述工序B之后，在所述无机基板的不与所述高分子膜密合的非密合面与所述剥离部分之间设置静压差，同时，通过使所述无机基板向离开所述高分子膜的方向翘曲，将所述高分子膜保持在大致平面的状态下从所述无机基板剥离的工序。
根据所述构成，由于不是机械剥离，而是通过所述非密合面与所述剥离部分之间的静压差，将所述高分子膜从所述无机基板剥离，以及使所述高分子膜不弯曲(大致平面)地剥离，因此不会对高分子膜施加应力，不会对品质产生影响，能够容易地将高分子膜从无机基板剥离。
(3)优选地，在所述(1)或所述(2)的构成中，
所述工序C包括：
在所述无机基板的所述非密合面侧配置辊或基板接触件，通过所述辊或基板接触件，将所述无机基板向所述剥离部分方向按压的工序D-1；
通过使所述非密合面侧小于大气压，并使所述剥离部分为大气压，由此设置所述静压差的工序D-2；
在所述工序D-1和所述工序D-2之后，使所述辊或基板接触件相对于所述无机基板的所述非密合面平行移动，根据所述辊或基板接触件的移动进行所述剥离的工序D-3。
根据所述构成，由于设置辊或基板接触件，使其表面相对于无机基板的所述非密合面平行地移动，根据所述辊的移动而进行所述剥离，因此能够控制剥离速度。其结果是，可以抑制对高分子膜施加过度的负荷。
(4)优选地，在所述(1)～所述(3)的构成中，
所述工序C是：使所述无机基板的非密合面侧与所述剥离部分的压力差为高于大气压的压力。
根据所述构成，通过使所述非密合面侧在大气压以下，然后，使所述剥离部分为高于大气压的压力，由此设置所述静压差(Case 1)，或者，使所述非密合面侧在大气压以上，然后，使所述剥离部分为高于所述非密合面侧的压力，由此使压力差为大气压以上(Case2)，从而将所述高分子膜从所述无机基板剥离。由于将所述非密合面侧设为大气压以上，因此，所需的效用仅为高压的气体，或者(在Case 1的情况下)真空与高压的组合，高压的气体也为例如3个气压以下程度(压力差(2.5个气压-1个气压)为1.5个气压)的简便的结构，就能够进行剥离。
作为所述构成的一例，也可以配置网状薄片。在所述高分子膜与所述辊或基板接触件之间配置有网状薄片的情况下，能够保持剥离后的所述高分子膜。
(5)优选地，在所述(1)～所述(4)的构成中，
所述工序C包括：
在所述高分子膜的所述非密合面侧配置埋入用部件或垫片，在将所述功能元件埋入所述埋入用部件或垫片的同时，利用多孔柔性体将所述无机基板向所述剥离部分方向按压的工序E-1；通过使所述无机基板的非密合面侧小于大气压，并使所述剥离部分为大气压，由此设置所述静压差的工序E-2。
根据所述构成，通过使所述非密合面侧在大气压以上，然后，使所述剥离部分的压力高于所述非密合面侧的压力，设置所述静压差，将所述高分子膜从所述无机基板剥离。由于所述非密合面侧在大气压以上，因此能够保持剥离后的所述高分子膜。
另外，根据所述(2)的构成，在将所述电路图案和/或所述功能元件埋入到所述埋入用部件或垫片中的状态下，设置所述静压差，将所述高分子膜从所述无机基板剥离，因此能够抑制在所述功能元件所处的部位对高分子膜施加过度的负荷。
(6)优选地，在所述(1)的构成中，
所述工序C是：
在所述工序B之后，将所述高分子膜保持在大致平面的状态下对所述剥离部分施加动压，由此从所述无机基板剥离的工序。
根据所述构成，由于不是机械剥离，而是通过对所述剥离部分施加动压，将所述高分子膜从所述无机基板剥离，以及使所述高分子膜不弯曲(大致平面)地剥离，因此不会对高分子膜施加应力，不会对品质产生影响，能够容易地将高分子膜从无机基板剥离。
(7)优选地，在所述(1)或所述(6)的构成中，
所述工序C包括：
使所述无机基板向不与高分子膜密合的非密合面侧位移的工序F-1；
使所述无机基板的所述非密合面侧小于大气压，同时通过向所述剥离部分供给气流，施加所述动压的工序F-2。
根据所述构成，通过使所述无机基板向非密合面侧位移，使非密合面侧小于大气压，另一方面，向剥离部分供给气流，能够不弯曲(大致平面)地容易地剥离所述高分子膜。
(8)优选地，在所述(1)、所述(6)或所述(7)的构成中，
所述工序C包括：
在所述无机基板的所述非密合面侧配置辊或基板接触件，通过所述辊或基板接触件，将所述无机基板向所述剥离部分方向按压的工序G-1；
通过向所述剥离部分供给流体流，施加所述动压的工序G-2；
在所述工序G-1和所述工序G-2之后，使所述辊或基板接触件相对于所述无机基板的所述非密合面平行移动，根据所述辊或基板接触件的移动进行所述剥离的工序G-3。
根据所述构成，由于设置辊或基板接触件，使其表面相对于无机基板的所述非密合面平行地移动，根据所述辊的移动而进行所述剥离，所以能够控制剥离速度。其结果是，可以抑制对高分子膜施加过度的负荷。
(9)优选地，在所述(7)或所述(8)的构成中，
所述位移是弯曲的，所述弯曲的最小曲率半径为350mm以上。
(10)优选地，在所述(1)的构成中，
所述工序C是：
在所述工序B之后，以所述层叠体的所述高分子膜面与真空吸附板接触的方式设置所述层叠体并进行固定，在所述层叠体的侧面设置分隔壁，接着利用喷嘴向所述剥离部分注入气体，施加压力，由此将所述高分子膜保持在大致平面的状态下进行剥离的工序。
根据所述构成，由于不是机械剥离，而是通过对所述剥离部分施加压力而将所述高分子膜从所述无机基板上剥离，以及使所述高分子膜不弯曲(大致平面)地剥离，所以不会对高分子膜施加应力，不会对品质产生影响，能够容易地将高分子膜从无机基板剥离。另外，由于在层叠体的侧面设置有分隔壁，所以无机基板在剥离时，能够仅限制在离开高分子膜的方向上。
(11)优选地，在所述(1)或所述(10)的构成中，
所述工序C包括：
在所述无机基板侧设置与所述无机基板平行且不接触的大致平面板的工序H-1；
将所述无机基板的与高分子膜的非密合面侧设为大气压或低压力，另一方面，通过向所述剥离部分注入气体，对所述剥离部分施加压力的工序H-2。
根据所述构成，在剥离无机基板时，无机基板大致不会弯曲。因此，可以高效地剥离。
(12)优选地，在所述(1)、所述(10)或所述(11)的构成中，
所述工序C包括：
真空吸附高分子膜的工序J-1；
设置包围所述喷嘴部的壁，将注入所述层叠体的气体置于不会从所述剥离部分逸出的封闭空间中的工序J-2；
在所述工序J-1和所述工序J-2之后，从喷嘴施加压力，注入气体的工序J-3。
根据所述构成，通过以包围喷嘴部的方式设置壁，能够密闭剥离部分，能够有效地设置无机基板的不与高分子膜密合的非密合面侧的压力差。
(13)优选地，在所述(1)～所述(12)的构成中，
所述工序B是：
在所述层叠体的所述端部，向包含所述高分子膜与所述无机基板边界的区域吹送气体，在所述端部形成剥离区域的工序。
根据所述构成，不是在层叠体的端部机械性地形成剥离区域，而是通过吹送气体来形成剥离区域(工序B)。然后，以所述剥离区域为起点，将高分子膜从无机基板上剥离(工序C)。在工序C中，由于存在剥离区域，所以通过对剥离区域进一步吹送气体、使无机基板翘曲等，可以无需机械地支撑高分子膜，就能够将高分子膜从无机基板剥离。
如此，根据所述构成，能够在不机械地接触高分子膜的情况下，将高分子膜从无机基板上剥离。其结果是，不会损害高分子膜、形成在高分子膜表面上的电路或器件以及安装在高分子膜上的元件的品质，能够容易地将高分子膜从无机基板上剥离。
(14)优选地，在所述(1)～所述(13)的构成中，所述电路图案和/或所述功能元件以不接触所述高分子膜的外周的方式形成。
根据所述构成，由于所述功能元件以不接触所述高分子膜的外周的方式形成，因此在形成所述剥离区域时，能够抑制对高分子膜施加过度的负荷。
(15)优选地，在所述(13)或所述(14)的构成中，在所述工序B中形成的所述剥离区域比所述电路图案和/或所述功能元件形成区域更靠外侧。
根据所述构成，由于所述剥离区域比功能元件形成区域更靠外侧，因此在形成所述剥离区域时，能够抑制对高分子膜施加过度的负荷。
(16)优选地，在所述(13)～所述(15)的构成中，
所述工序C是：
将所述高分子膜的所述电路图案和/或所述功能元件形成区域保持在平面状态下从所述无机基板剥离的工序。
根据所述构成，由于在将所述高分子膜的所述功能元件形成区域保持为平面的状态下，将所述高分子膜从所述无机基板剥离，因此能够抑制在所述功能元件所处的部位对高分子膜施加过度的负荷。
(17)优选地，在所述(13)～所述(16)的构成中，
在所述工序B之前，包括在所述层叠体的端部，在包含所述高分子膜和所述无机基板边界的区域形成极微小剥离部分的工序W；
所述工序B是在所述工序W之后，向包含所述极微小剥离部分的区域吹送气体，在所述端部形成所述剥离区域的工序。
根据所述构成，在所述层叠体的端部完全没有剥离区域的情况(也不存在极微小的剥离部分的情况)下，能够容易地形成所述剥离区域。
(18)优选地，在所述(1)～所述(17)的构成中，
在所述工序C之前，包括在所述高分子膜的未设置所述电路图案和/或所述功能元件的面上，设置厚度与所述电路图案和/或所述功能元件的厚度为相同程度的垫片的工序X。
根据所述构成，能够通过所述埋入用部件或垫片减少高分子膜上的凹凸。其结果是，在剥离时，能够抑制在所述电路图案和/或所述功能元件所处的部位对高分子膜施加过度的负荷。
(19)优选地，在所述(1)～所述(18)的构成中，
在所述工序C之前，在所述高分子膜的所述非密合面侧，配置选自埋入用部件、垫片和埋入用真空卡盘组成的群中的1个以上，一边将所述电路图案和/或功能元件埋入到选自所述埋入用部件、垫片和埋入用真空卡盘组成的群中的1个以上的同时，一边进行剥离工序Y。
根据所述构成，由于是在通过埋入用部件、垫片和/或埋入用真空卡盘埋入所述电路图案和/或所述功能元件的状态下，设置所述静压差，将所述高分子膜从所述无机基板剥离，因此能够抑制在所述电路图案和/或所述功能元件所处的部位对高分子膜施加过度的负荷。
(20)优选地，在所述(1)～所述(19)的构成中，
在所述工序C之前，包括粘贴粘合性保护膜以保护所述层叠体的所述高分子膜的所述电路图案和/或功能元件的工序Z。
另外，本发明提供以下技术。
(21)一种电子器件的制造方法，其特征在于，包括：
准备形成有电路图案和/或功能元件的高分子膜与无机基板密合的层叠体的工序A；
在所述层叠体的端部，在所述高分子膜与所述无机基板之间形成剥离部分的工序B；
通过使所述无机基板向离开所述高分子膜的方向翘曲，将所述高分子膜保持在大致平面的状态下从所述无机基板剥离的工序C。
根据所述构成，不是机械剥离，而是通过使所述无机基板向离开所述高分子膜的方向翘曲，将所述高分子膜不弯曲(大致平面)地剥离，因此不会对高分子膜施加应力，不会对品质产生影响，能够容易地从无机基板上剥离高分子膜。因此，剥离下的带有功能元件的高分子膜可以适用于电子器件。
(22)优选地，在所述(21)的构成中，没有激光残渣的附着。在照射激光的情况下，当高分子膜上产生焦糊等而成为激光残渣的情况下，存在影响高分子膜的品质、颗粒化而污染设备的问题。因此，优选没有激光残渣的附着。
另外，本发明提供以下技术。
(23)一种剥离装置，其特征在于，是从形成有电路图案和/或功能元件的高分子膜与无机基板密合的层叠体上，将所述高分子膜从所述无机基板剥离的剥离装置，
其具备：在所述层叠体的端部，在所述高分子膜与所述无机基板之间形成剥离部分的单元；以及通过使所述无机基板向离开所述高分子膜的方向翘曲，将所述高分子膜保持在大致平面的状态下从所述无机基板剥离的剥离单元。
根据所述构成，由于不是机械剥离，而是通过使所述无机基板向离开所述高分子膜的方向翘曲，将所述高分子膜不弯曲(大致平面)地剥离，因此可以在不影响分子膜品质的情况下，容易地将高分子膜从无机基板剥离。
发明的效果
根据本发明，能够在不影响高分子膜品质的情况下，容易地将高分子膜从无机基板剥离。
附图说明
【图1】一例层叠体的断面示意图。
【图2】第1实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。
【图3】第1实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。
【图4】第1实施方式涉及的剥离装置的变形例1的断面示意图。
【图5】第1实施方式涉及的剥离装置的变形例2的断面示意图。
【图6】第2实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。
【图7】一例带有功能元件的层叠体的断面示意图。
【图8】在带有功能元件的层叠体的高分子膜上设置垫片的状态的断面示意图。
【图9】在带有功能元件的层叠体的高分子膜上配置埋入用部件并埋入功能元件的状态的断面示意图。
【图10】第3实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。
【图11】第4实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。
【图12】第4实施方式涉及的剥离装置的运转时的断面示意图。
【图13】第5实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。
【图14】第5实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。
【图15】第5实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。
【图16】第6实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。
【图17】图17是第7实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。图17是剥离装置在设置过程中的图。
【图18】图18是第7实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。图18是剥离装置在设置过程中的图。
【图19】图19是第7实施方式涉及的剥离装置在即将运转之前的断面示意图。
【图20】图20是第8实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。图20是剥离装置在设置过程中的图。
【图21】图21是第8实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。图21是剥离装置在设置过程中的图。
【图22】图22是第8实施方式涉及的剥离装置在即将运转之前的断面示意图。
【图23】图23是另一例第8实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。图23是剥离装置在设置过程中的图。
【图24】图24是另一例第8实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。图24是剥离装置在设置过程中的图。
【图25】图25是在带有功能元件的层叠体的高分子膜上配置埋入用真空卡盘、并埋入功能元件的第8实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。
【图26】图26是另一例在带有功能元件的层叠体的高分子膜上配置埋入用真空卡盘、并埋入功能元件的第8实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。
【图27】一例层叠体的断面示意图。
【图28】图27所示的层叠体的俯视图。
【图29】形成了极微小剥离部分后的层叠体的断面示意图。
【图30】图29所示的层叠体的俯视图。
【图31】第10实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。
【图32】第10实施方式涉及的剥离装置的变形例的断面示意图。
【图33】第10实施方式涉及的剥离装置的另一种变形例的断面示意图。
【图34】第10实施方式涉及的剥离装置的另一种变形例的断面示意图。
【图35】第10实施方式涉及的剥离装置的另一种变形例的断面示意图。
【图36】第11实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。
【图37】第11实施方式涉及的剥离装置的变形例的断面示意图。
【图38】第11实施方式涉及的剥离装置的另一变形例的断面示意图。
【图39】第11实施方式涉及的剥离装置的另一变形例的断面示意图。
【图40】层叠体的其他例子的断面示意图。
【图41】图40所示的层叠体的俯视图。
附图标记：
10层叠体
11带有功能元件的层叠体
12无机基板
12a无机基板的非密合面
14高分子膜
14a非密合面
16功能元件
18剥离部分
20、21、22、23、24、25、26、27、28、40、50剥离装置
30真空腔室
31分隔壁
32辊
33支撑件
34真空卡盘
35基板接触件
36虚设薄膜(dummy film)
37无机基板用的真空卡盘
38网状薄片
39大致平面板(上壁)
42隔膜
45空气喷嘴
52多孔柔性体
54压力导入口
62垫片
63O形圈
64埋入用部件
65埋入用真空卡盘
66柔性支撑件
110、170层叠体
111带有功能元件的层叠体
112无机基板
114、174高分子膜
115极微小剥离部分
116功能元件
118剥离区域
120、121、123、130、140、144、146剥离装置
122喷嘴
124、126、127压板
128支撑板
132胶带
142真空卡盘
152保护膜
154多孔体
158粘合剂
162胶带
164软质压板
166固定用部件
168支撑板
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明。以下，对高分子膜的剥离方法进行说明，其中，对电子器件的制造方法以及剥离装置也进行说明。
[高分子膜的剥离方法]
本实施方式涉及的高分子膜的剥离方法，包括：
准备形成有电路图案和/或功能元件的高分子膜与无机基板密合的层叠体的工序A；
在所述层叠体的端部，在所述高分子膜与所述无机基板之间形成剥离部分的工序B；
通过使所述无机基板向离开所述高分子膜的方向翘曲，将所述高分子膜保持在大致平面的状态下从所述无机基板剥离的工序C。
<工序A>
在本实施方式涉及的高分子膜的剥离方法中，首先，准备形成有电路图案和/或功能元件的高分子膜与无机基板密合的层叠体(工序A)。图1是一例层叠体的断面示意图。如图1所示，层叠体10具有无机基板12和高分子膜14。无机基板12与高分子膜14密合。无机基板12与高分子膜14也可以经由未图示的硅烷偶联剂层而密合。
在高分子膜14上形成有电路图案和/或功能元件(未图示)。电路图案和/或功能元件形成在不与无机基板12密合的非密合面上。即，在本实施方式中，可以在高分子膜14上形成电路图案和功能元件两者，也可以形成电路图案而不形成功能元件，也可以形成功能元件而不形成电路图案。
所述电路图案可以通过现有公知的方法形成。作为所述电路图案的厚度，通常为0.05μm～20μm，优选为0.1μm～15μm，更优选为0.15μm～0.5μm左右。
另外，在图1中，虽然无机基板12与高分子膜14的厚度不同，但以相同的尺寸记载。也可以是高分子膜14与无机基板12大小不同，高分子膜14可以比无机基板12大，也可以小。由于在制作上容易将高分子膜14制得比无机基板12小，因此可以是此种的大小不同。另外，为了使剥离变得容易，也可以在工序A之后，从所述高分子膜14与无机基板12密合的层叠体上割断并除去外周部的玻璃，使高分子膜14比无机基板12大。
另外，在本实施方式中，可以通过将预先另行制造的高分子膜粘接(层叠)在无机基板上而得到层叠体。作为层叠的方法，除了使用后述的硅烷偶联剂的层叠方法之外，还可以使用现有公知的粘接剂、粘接片、粘合剂、粘合片等。另外，此时，所述粘接剂、所述粘接片、所述粘合剂、所述粘合片可以先附着在无机基板侧，也可以先附着在高分子膜侧。
另外，作为制作高分子膜与无机基板的层叠体的其他方法，可以举出将高分子膜形成用高分子溶液或高分子前驱体溶液涂布在无机基板上，进行干燥以及根据需要进行化学反应，在无机基板上将高分子膜化，由此得到层叠体的方法。通过使用可溶性聚酰亚胺溶液作为高分子溶液，使用通过化学反应成为聚酰亚胺的聚酰胺酸溶液等作为高分子前驱体，可以得到高分子膜与无机基板的层叠体。另外，此时，通过对无机基板进行硅烷偶联剂处理等表面处理，由此来控制高分子膜与无机基板的粘接性也是优选的方式之一。此时，为了控制无机基板与高分子膜的剥离强度，也可以采用已知的易剥离高分子层(易剥离层)与主高分子层(高分子膜)的2层结构、或主层(高分子膜)与无机薄膜层的2层结构。另外，也可以适用用于控制剥离力的现有的其他结构。
易剥离高分子层(易剥离层)与主高分子层(高分子膜)的2层结构的情况下，存在设计为易剥离高分子层(易剥离层)与无机基板的粘接力，强于易剥离高分子层(易剥离层)与主高分子层(高分子膜)的粘接力，在主高分子层(高分子膜)与易剥离高分子层(易剥离层)之间进行剥离的情况，和易剥离高分子层(易剥离层)与主高分子层(高分子膜)的粘接力，强于易剥离高分子层(易剥离层)与无机基板的粘接力，在易剥离高分子层(易剥离层)与无机基板之间进行剥离的情况。
在设计为易剥离高分子层(易剥离层)与无机基板的粘接力，强于易剥离高分子层(易剥离层)与主高分子层(高分子膜)的粘接力，在主高分子层(高分子膜)与易剥离高分子层(易剥离层)之间进行剥离的情况下，无机基板上堆积有易剥离高分子层(易剥离层)的结构，相当于本发明中的无机基板。
在与无机薄膜层构成2层的情况下，可以举出在无机基板上制膜无机薄膜层，然后在无机薄膜层上将溶液或高分子前驱体溶液涂布在无机基板上，进行干燥以及根据需要进行化学反应，在无机基板上将高分子膜化，由此得到层叠体的方法。此时，在无机基板上的无机薄膜与高分子层之间进行剥离。此时，无机基板上堆积有无机薄膜的结构，相当于本发明中的无机基板。
作为使用高分子溶液或高分子前驱体溶液的方法的变形，也可以将含有溶剂的半固体状态(高粘度糊状)的高分子膜压接在无机基板上后进行追加干燥，或者根据需要进行化学反应，得到高分子膜与无机基板的层叠体。更具体地，在聚对苯二甲酸乙二醇酯等支撑膜上涂布作为目标的高分子溶液或高分子前驱体溶液，半干燥至残留溶剂成分在湿基中为5～40质量％左右，由此可以制成具有塑性变形性的半固体的膜(有时也称为生膜或凝胶膜)。将如此得到的半固体状态的薄膜压接在无机基板上、进行干燥和热处理等的话，可以得到高分子膜与无机基板的层叠体。
在本实施方式中，在使用热塑性高分子的情况下，可以通过将高分子直接熔融挤出到无机基板上而得到层叠体。另外，在热塑性高分子膜的情况下，将无机基板与高分子膜重叠，在加压状态下加热到高分子的熔点或软化温度，由此将两者压接成为层叠体。
作为无机基板12，只要是可以作为由无机物构成的基板使用的板状的基板即可，可以举出例如，以玻璃板、陶瓷板、半导体晶片、金属等为主体的基板，以及作为这些玻璃板、陶瓷板、半导体晶片、金属的复合体的将其层叠、将其分散、含有其纤维的基板等。
无机基板12的厚度没有特别限制，但从操作性的观点出发，优选10mm以下的厚度，更优选3mm以下，进一步优选1.3mm以下。对厚度的下限没有特别限制，优选为0.05mm以上，更优选为0.3mm以上，进一步优选为0.5mm以上。
作为高分子膜14，没有特别限定，可以列举聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、氟化聚酰亚胺等聚酰亚胺系树脂(例如，芳香族聚酰亚胺树脂、脂环族聚酰亚胺树脂)；聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚(2,6-萘二甲酸乙二醇酯)等共聚聚酯(例如，全芳族聚酯、半芳香族聚酯)；以聚甲基丙烯酸甲酯为代表的共聚(甲基)丙烯酸酯；聚碳酸酯；聚酰胺；聚砜；聚醚砜；聚醚酮；醋酸纤维素；硝酸纤维素；芳香族聚酰胺；聚氯乙烯；多酚；聚芳酯；聚苯硫醚；聚苯醚；聚苯乙烯等薄膜。
高分子膜14的厚度没有特别限制，但从操作性的观点出发，优选为250μm以下，更优选为100μm以下，进一步优选为50μm以下。厚度的下限没有特别限制，优选为3μm以上，更优选为5μm以上，进一步优选为10μm以上。
所述硅烷偶合剂层具有物理或化学地介于无机基板12和高分子膜14之间，使无机基板与高分子膜密合的作用。
本实施方式中使用的硅烷偶联剂没有特别限定，优选含有具有氨基的偶联剂。
作为所述硅烷偶联剂的优选具体例，可举出N-2-(氨乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-三乙氧基甲硅烷基-N-(1,3-二甲基-丁烯基)丙胺、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、p-苯乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(乙烯基苄基)-2-氨乙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷塩酸塩、氨基苯基三甲氧基硅烷、氨基苯乙基三甲氧基硅烷、3-脲丙基三乙氧基硅烷、3-氯丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、双(三乙氧基硅丙基)四硫化物、3-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷、三(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)异氰脲酸酯、氯甲基苯乙基三甲氧基硅烷、氯甲基三甲氧基硅烷、氨基苯基三甲氧基硅烷、氨基苯乙基三甲氧基硅烷、氨基苯基氨基甲基苯乙基三甲氧基硅烷等。
作为所述硅烷偶联剂，除了上述的以外，还可以使用：正丙基三甲氧基硅烷、丁基三氯硅烷、2-氰乙基三乙氧基硅烷、环己基三氯硅烷、癸基三氯硅烷、二乙酰氧基二甲基硅烷、二乙氧基二甲基硅烷、二甲氧基二甲基硅烷、二甲氧基二苯基硅烷、二甲氧基甲基苯基硅烷、十二烷基氯硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、乙基三氯硅烷、己基三甲氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、正辛基三氯硅烷、正辛基三乙氧基硅烷、正辛基三甲氧基硅烷、三乙氧基乙基硅烷、三乙氧基甲基硅烷、三甲氧基甲基硅烷、三甲氧基苯基硅烷、戊基三乙氧基硅烷、戊基三氯硅烷、三乙酰氧基甲基硅烷、三氯己基硅烷、三氯甲基硅烷、三氯十八烷基硅烷、三氯丙基硅烷、三氯十四烷基硅烷、三甲氧基丙基硅烷、烯丙基三氯硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、二乙氧基甲基乙烯基硅烷、二甲氧基甲基乙烯基硅烷、三氯乙烯基硅烷、三乙氧基乙烯基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、三氯-2-氰乙基硅烷、二乙氧基(3-缩水甘油基氧基丙基)甲基硅烷、3-缩水甘油基氧基丙基(二甲氧基)甲基硅烷、3-缩水甘油基氧基丙基三甲氧基硅烷等。
在上述硅烷偶联剂中，特别优选1个分子中具有1个硅原子的硅烷偶联剂，可举出例如，N-2-(氨乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-三乙氧基甲硅烷基-N-(1,3-二甲基-丁烯基)丙胺、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、氨基苯基三甲氧基硅烷、氨基苯乙基三甲氧基硅烷、氨基苯基氨基甲基苯乙基三甲氧基硅烷等。当工艺中要求特别高的耐热性时，优选使用由芳香族基团连接Si与氨基的硅烷偶联剂。
作为所述偶联剂，除了上述的以外，还可以使用1-巯基-2-丙醇、3-巯基丙酸甲酯、3-巯基-2-丁醇、3-巯基丙酸丁酯、3-(二甲氧基甲基硅基)-1-丙硫醇、4-(6-巯基己氧基)苄醇、11-氨基-1-十一烷硫醇、11-巯基十一烷基膦酸、11-巯基十一烷基三氟乙酸、2,2’-(乙二基双氧代)双乙硫醇、11-巯基十一烷基三(乙二醇)、(1-巯基十一烷基-11-基)四(乙二醇)、(1-(甲基羧基)十一烷基-11-基)六(乙二醇)、羟基十一烷基二硫化物、羧基十一烷基二硫化物、羟基十六烷基二硫化物、羧基十六烷基二硫化物、四(2-乙基己醇)钛、二辛氧基双(辛二醇)钛、三丁氧基单乙酰丙酮锆、单丁氧基乙酰丙酮锆双(乙酰乙酸乙酯)、三丁氧基单硬脂酸锆、乙酰烷氧基铝二异丙酸酯、3-缩水甘油基氧基丙基三甲氧基硅烷、2,3-丁二硫醇、1-丁硫醇、2-丁硫醇、环己硫醇、环戊硫醇、1-癸硫醇、1-十二烷基硫醇、3-巯基丙酸-2-乙基己酯、3-巯基丙酸乙酯、1-庚硫醇、1-十六烷基硫醇、己硫醇、异戊硫醇、异丁硫醇、3-巯基丙酸、3-巯基丙酸-3-甲氧基丁酯、2-甲基-1-丁硫醇、1-十八烷基硫醇、1-辛硫醇、1-十五烷基硫醇、1-戊硫醇、1-丙硫醇、1-十四烷基硫醇、1-十一烷基硫醇、1-(12-巯基十二烷基)咪唑、1-(11-巯基十一烷基)咪唑、1-(10-巯基癸基)咪唑、1-(16-巯基十六烷基)咪唑、1-(17-巯基十七烷基)咪唑、1-(15-巯基)十二烷酸、1-(11-巯基)十一烷酸、1-(10-巯基)癸酸等。
作为硅烷偶联剂的涂布方法(硅烷偶联剂层的形成方法)，可以使用将硅烷偶联剂溶液涂布在无机基板12上的方法或蒸镀法等。另外，硅烷偶联剂层的形成也可以在高分子膜14的表面进行。
硅烷偶联剂层的膜厚与无机基板12、高分子膜14等相比也极薄，从机械设计的观点来看是可以忽略厚度的程度，从原理上来说，只要是最低限度的单分子层等级的厚度就已足够。
在涂布硅烷偶联剂后，通过使无机基板12与高分子膜14密合的工序和加热的工序，可以体现出层叠体的粘接力。密合方法没有特别限定，有层压、压制等。密封和加热可以同时进行，也可以依次进行。加热方法没有特别限定，可以是放入烘箱的、加热层压、加热压制等。
作为高分子膜与无机基板密合的层叠体的制作方法，可以分别制作无机基板和高分子膜后使其密合，此时，也可以使用已知的硅烷偶联剂以外的易剥离粘接剂、粘接片、粘合剂、粘合片进行粘贴。另外，此时，所述粘接剂、所述粘接片、所述粘合剂、所述粘合片可以先附着在无机基板侧，也可以先附着在高分子膜侧。另外，作为高分子膜与无机基板密合的层叠体的其他制作方法，也可以是在无机基板上涂布高分子膜形成用清漆，使其干燥。此时，为了控制无机基板与高分子膜的剥离强度，也可以采用已知的易剥离清漆层(易剥离层)和主清漆层(高分子膜)的2层结构、或主层(高分子膜)和无机薄膜层的2层结构。
<工序B>
接着，在层叠体10的端部，在高分子膜14与无机基板12之间形成剥离部分18(工序B)。
作为设置剥离部分18的方法，没有特别限制，可以采用用镊子等从端部卷起的方法；在高分子膜14上形成切口，在切口部分的一边粘贴胶带后从该胶带部分卷起的方法；将高分子膜14的切口部分的一边真空吸附后从该部分卷起的方法等。
作为在高分子膜14上切口的方法，有通过刀具等切削工具切断高分子膜14的方法；通过使激光与层叠体10相对地进行扫描来切断高分子膜14的方法；通过使水切割机(waterjet)与层叠体10相对地进行扫描来切断高分子膜14的方法；通过半导体芯片的切割装置一边稍稍切入玻璃层的同时切断高分子膜14的方法等，但方法没有特别限定。例如，在采用上述方法时，也可以适当采用切削工具叠加超声波、添加往复动作或上下动作等来提高切削性能等的方法。
另外，虽然未图示，但为了维持剥离状态以使剥离部分18不会再次密合，也可以将没有粘合性、粘接性的薄膜或薄片夹在剥离部分18上。另外，也可以将单面具有粘合性、粘接性的薄膜或薄片夹在剥离部分18上。另外，也可以将金属部件(例如，针)夹在剥离部分18上。
<工序C>
通过使无机基板12向离开高分子膜14的方向翘曲，将高分子膜14保持在大致平面的状态下从无机基板12剥离(工序C)。
以下，对工序C的具体例子进行说明。
在以下的第1实施方式～第3实施方式中，对所述工序C为“在所述工序B之后，在所述无机基板的不与所述高分子膜密合的非密合面与所述剥离部分之间设置静压差，同时，通过使所述无机基板向离开所述高分子膜的方向翘曲，将所述高分子膜保持在大致平面的状态下从所述无机基板剥离的工序”的情况进行说明。
即，第1实施方式～第3实施方式中的工序C如下。
<第1实施方式～第3实施方式中的工序C>
在所述工序B之后，在无机基板12的与高分子膜14不密合的一侧的面(非密合面14a)与剥离部分18之间设置静压差，同时，通过使无机基板12向离开高分子膜14的方向翘曲，将高分子膜14保持在大致平面的状态下，将高分子膜14从无机基板12剥离(工序C)。
[第一实施方式]
图2是第1实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。如图2所示，第1实施方式涉及的剥离装置20具备真空腔室30、辊32、真空卡盘34和基板接触件35。
辊32可移动地配置在真空腔室30中。
真空卡盘34能够吸附并保持住层叠体10，能够在吸附层叠体10的状态下使其位于真空腔室30的上方。
基板接触件35以覆盖真空腔室30的上表面开口的方式配置在真空腔室30的上表面。真空腔室30与基板接触件35的间隙越小越好。虽然未图示，但只要有堵塞间隙部的部件即可。另外，基板接触件35优选为带有多孔体的吸附板(带多孔体吸附板)。
第1实施方式涉及的工序C包含工序D-1、工序D-2和工序D-3。剥离装置20通过如下运作进行工序D-1、工序D-2和工序D-3。
首先，剥离装置20中，用真空卡盘34吸附层叠体10的高分子膜14侧，使其位于真空腔室30的上方。此时，使层叠体10位于剥离部分18的开口。另外，此时，使层叠体10的无机基板12与基板接触件35接触。
接着，剥离装置20中，在无机基板12的非密合面12a侧配置辊32，利用辊32和基板接触件35，将无机基板12向剥离部分18方向(图2中向上方向)按压(工序D-1)。
接着，剥离装置20中，通过泵P使真空腔室30内小于大气压。此处，剥离部分18为大气压。由此，在无机基板12的非密合面12a与剥离部分18之间设置静压差。即，使非密合面12a侧小于大气压，另一方面，使剥离部分18为大气压，由此设置静压差(工序D-2)。
另外，在该状态下，由于辊32是隔着基板接触件35将高分子膜14向剥离部分18方向按压，因此没有进行剥离。
接着，剥离装置20中，使辊32和基板接触件35的表面(与无机基板12的接触面)相对于无机基板12的非密合面12a平行地移动。图3是第1实施方式涉及的剥离装置的断面示意图，是显示使辊移动的状态的图。如图3所示，如果使辊32和基板接触件35从剥离部分18下部沿横向(图3中向左方向)移动，则从辊32和基板接触件35解除了按压的部分开始，依次进行剥离部分18的剥离。即，使辊32和基板接触件35的表面相对于无机基板12的非密合面12a平行地移动，根据辊32和基板接触件35的移动进行剥离(工序D-3)。然后，通过使辊32和基板接触件35移动到形成有剥离部分18的边的对边的正下方，无机基板12在离开高分子膜14的方向上产生翘曲，高分子膜14整体保持在大致平面的状态下从无机基板12剥离。此时高分子膜14始终保持在真空卡盘34上，因此不会发生弯曲、变形。大致平面是指，不限于完全的平面，JISB0621(1984)中的平面度优选为10μm以下，更优选为5μm以下。
这样，在剥离装置20中，使辊32和基板接触件35的表面相对于无机基板12的非密合面12a平行地移动，根据辊32的移动进行剥离，因此能够控制剥离速度。其结果是，能够抑制对无机基板12或高分子膜14施加过度的负荷。对层叠体10进行按压的可以是辊32或基板接触件35中的任一个，优选是辊35和基板接触件35这两者。
此外，通过改变辊32的半径，可以控制无机基板12的剥离角度。例如，如果减小辊32的半径，则无机基板12以相应的曲率半径剥离，如果增大辊32的半径，则无机基板12以相应的曲率半径剥离。通过减小辊32的半径，能够使剥离装置20小型化，通过增大辊32的半径，能够减小施加在无机基板12上的弯曲的负荷。
另外，真空腔室30和真空卡盘34相当于本发明的静压差形成单元。
所述辊的半径为40mm以上、1000mm以下，更优选为60mm以上、100mm以下。
作为所述辊的材质，优选具有一定程度的弹性的材质，可以使用例如硅橡胶、氟橡胶、聚氨酯橡胶、乙丙橡胶等。
所述辊材质的回弹性率(JIS K 6255：2013)优选为3～60％。
所述辊材质的橡胶硬度优选为50～90，优选非粘合性且防静电或导电性者。
在这里，在本实施方式中，虽然未图示，但也可以在无机基板12与辊32之间配置网状薄片38。由于在无机基板12与辊32之间配置有网状薄片38，因此能够保持剥离后的无机基板12。作为网状薄片38，只要具有通气性且具有一定程度的强度即可，例如可以使用公知的筛网等。
作为所述网状薄片的材质，优选为适度弹性变形的材质，具体地，优选为使用了聚酯长丝、尼龙长丝、不锈钢丝等的网目数#80以上、#600以下的范围内的网状薄片。另外，优选防静电或导电性的材质。
另外，在本实施方式中，对使用网状薄片38的情况进行了说明，但也可以是在剥离装置20中不配置网状薄片的结构。此时，只要有随时取出剥离后的无机基板12的其他机构即可。
图4和图5是第1实施方式涉及的剥离装置的变形例的断面示意图。如图5所示，剥离装置23是相对于上述说明的剥离装置22，追加了支撑件33的装置。
支撑件33按压无机基板12来扩大无机基板12与高分子膜14的剥离部分18。
剥离装置23进行与上述剥离装置20同样的运作。但是，在剥离装置23中，由于设置有支撑件33，所以能够支撑剥离后的无机基板12。因此，能够防止无机基板12的被剥离的部分大幅下垂。
优选将(形成有功能元件的)高分子膜与无机基板的剥离角度控制为1度以上、30度以下。更优选为1度以上、10度以下。通过控制在所述范围内，能够在不对功能元件造成损伤的情况下高效地进行剥离。
另外，本说明书中的剥离角度取决于网的厚度、薄膜厚度以及辊的半径。通过根据要剥离的薄膜厚度选择适当的网的厚度和辊半径，能够将剥离角度控制在规定的范围内。
在本实施方式中，剥离后的高分子膜和无机基板由于没有被辊按压，因而大致平行地间隔数mm。因此，剥离后的高分子膜保持在真空吸附的状态下，不会与无机基板再次接触。
以上，对第1实施方式涉及的工序C(包含工序D-1、工序D-2和工序D-3的工序C)进行了说明。
[第2实施方式]
图6是第2实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。如图6所示，第2实施方式涉及的剥离装置40具备真空卡盘34和隔膜42。
真空卡盘34能够吸附并保持住层叠体10，能够在吸附层叠体10的状态下使其位于隔膜42的上方。
隔膜42是弹性薄膜，能够以面按压层叠体10。具体地，在隔膜42的下侧设置有未图示的加压装置，通过所述加压装置的加压，隔膜42(弹性薄膜)的表面被按压至层叠体10。如后所述，由于隔膜42是弹性薄膜，所以即使在高分子膜14上设置有功能元件16，也能够沿着高分子膜14和功能元件16的表面大致均匀地按压层叠体10。另外，在本实施方式中，虽对使用隔膜42的情况进行说明，但只要能够以面按压层叠体10，则不限定于隔膜。功能元件是指形成在高分子膜上的元件，其在高分子膜表面的凹凸的高低差在10μm以上。
第2实施方式涉及的工序C包含工序E2-1和工序E2-2。剥离装置40通过如下运作，从而进行工序E2-1和工序E2-2。
首先，剥离装置40中，用真空卡盘34吸附层叠体10的高分子膜14侧，使其位于隔膜42的上方。
接着，剥离装置40中，使隔膜42运行按压层叠体10，使无机基板12的非密合面12a侧为大气压以上。然后，辊32经由隔膜42按压层叠体的剥离部。另外，剥离部分18为大气压。即，使非密合面12a侧为大气压以上，另一方面，使剥离部分18为大气压(工序E2-1)。
另外，在该状态下，隔膜42和辊32将无机基板12向剥离部分18方向按压，因此没有进行剥离。
接着，剥离装置40中，通过使剥离部分18的压力高于非密合面12a侧的压力，在无机基板12的非密合面12a与剥离部分18之间设置静压差(工序E2-2)。例如，将剥离装置40整体配置在高压腔室内，通过对高压腔室内加压，使剥离部分18的压力高于非密合面14a侧的压力。此时可以并用机械力。然后，通过使辊向未剥离的方向移动，从剥离部分18开始，依次进行剥离，高分子膜14从无机基板12上剥离。
在剥离装置40中，由于使非密合面12a侧为大气压以上，因此能够保持剥离后的高分子膜14。
另外，真空卡盘34和隔膜42相当于本发明的静压差形成单元。
以上，对第2实施方式涉及的工序C(包含工序E2-1和工序E2-2的工序C)进行了说明。
在上述的第1实施方式、第2实施方式中，说明了使用无机基板12与高分子膜14密合的层叠体10，将高分子膜14从无机基板12剥离的情况。
但是，本发明中并不限定于该例，也可以使用在所述层叠体的高分子膜14上设置有功能元件16的带有功能元件的层叠体，将带有功能元件的高分子膜从无机基板上剥离。此时，作为准备层叠体10的工序A的替代，进行准备带有功能元件的层叠体11的工序A-1即可。
图7是一例带有功能元件的层叠体的断面示意图。如图7所示，带有功能元件的层叠体11具有层叠体10(无机基板12与高分子膜14密合的层叠体)和设置在层叠体10的高分子膜14上的功能元件16。
在使用带有功能元件的层叠体11、将带有功能元件的高分子膜14从无机基板12剥离的情况下，优选使用以下说明的垫片。即，优选在所述工序C之前，进行工序X：在高分子膜14的未设置功能元件16的面上、设置厚度与功能元件16的厚度为相同程度的垫片62。
图8是在带有功能元件的层叠体11的高分子膜14上设置垫片62的状态的断面示意图。在图8中，在高分子膜14的未设置功能元件16的面上，设置有厚度与功能元件16的厚度为相同程度的垫片62。
在第1实施方式和第2实施方式中，在使用垫片62的情况下，即，在工序C之前进行工序X的情况下，可以通过垫片62减少高分子膜14上的凹凸。其结果是，在剥离时，能够抑制在功能元件16所处的部位对高分子膜14施加过度的负荷。
在使用带有功能元件的层叠体11、将带有功能元件的高分子膜14从无机基板12剥离的情况下，也优选使用以下说明的埋入用部件。即，优选在所述工序C之前，进行工序Y：在所述高分子膜14上配置埋入用部件64、在埋入用部件64中埋入功能元件16。
作为埋入用部件64，可以是在硬质薄片上涂布了可塑性变形的树脂组合物的部件，也可以是在硬质薄片上粘贴了可塑性变形的树脂组合物的部件。另外，也可以具有粘合性，埋入用部件本身也可以具有作为功能元件的保护层的作用。
图9是在带有功能元件的层叠体11的高分子膜14上配置埋入用部件64并埋入功能元件的状态的断面示意图。在图9中，将埋入用部件64配置在高分子膜14上，在埋入用部件64中埋入功能元件16。作为埋入用部件64，优选为多孔体且能够进行真空吸附。高分子烧结体、陶瓷烧结体、金属多孔体、多孔膜等较为理想。
在第1实施方式和第2实施方式中，在使用了埋入用部件64的情况下，即在工序C之前进行工序Y的情况下，在通过埋入用部件64埋入功能元件16的状态下设置静压差，将高分子膜14从无机基板12上剥离，因此能够抑制在功能元件16所处的部位对高分子膜14和无机基板12施加过度的负荷。
[第3实施方式]
在第3实施方式中，对从带有功能元件的层叠体11剥离带有功能元件16的高分子膜14的情况进行说明。
图10是第3实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。如图10所示，第3实施方式涉及的剥离装置50具备真空腔室30、真空卡盘34、埋入部件64、柔性支撑件66、多孔柔性体52和压力导入口54。
关于真空腔室30、真空卡盘34，在第1实施方式项中已经进行了说明，因此在此省略说明。
当多孔柔性体52配置在真空腔室30内、上侧配置有无机基板12时，玻璃可以稍微弯曲。作为多孔柔性体52，只要是多孔且具有柔软性的即可，没有特别限定。作为多孔柔性体52的材质，可以使用高分子多孔体、金属多孔体、陶瓷多孔体中的任一种。作为高分子多孔体，使用低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超高密度聚乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸、聚氯乙烯、氟树脂等。作为金属多孔体，使用Cu、SUS、钛等。作为陶瓷多孔体，使用氧化铝、氮化铝、氮化硅、氧化锆等。
当柔性支撑件66配置在真空腔室30内、上侧配置带有功能元件的层叠体11时，可以保持高分子膜14或无机基板12。作为柔性支撑件66，只要是具有柔软性的材料即可，没有特别限定，可以举出例如硅橡胶片等。
当埋入用部件64配置在真空腔室30内、在与真空卡盘34相对侧的面上配置带有功能元件的层叠体11时，能够保持高分子膜14或无机基板12。虽然在图10中是与高分子膜14接触，但是也可以位于高分子膜14的外侧。作为埋入用部件64，只要是多孔且具有柔软性的即可，没有特别限定，可以举出例如，将塑料烧结多孔体或金属多孔烧结体或多孔陶瓷烧结体加工成能够埋入功能元件的形状的部件。
第3实施方式涉及的工序C包含工序E-1和工序E-2。剥离装置50通过如下运作进行工序E-1和工序E-2。
首先，剥离装置50中，用真空卡盘34吸附带有功能元件的层叠体11的高分子膜14侧，使其位于真空腔室30的上方。此时，使层叠体11的功能元件16位于埋入用部件64的开口。
接着，剥离装置50中，一边压向配置在真空腔室30内的多孔柔性体52，一边利用多孔柔性体52将无机基板12向剥离部分18方向按压(工序E-1)。
接着，剥离装置50中，通过泵P使真空腔室30内低于大气压。此处，剥离部分18为大气压。由此，在高分子膜14的非密合面14a与剥离部分18之间设置静压差。即，使非密合面14a侧小于大气压，另一方面，通过从压力导入口54导入空气而使之为大气压以上，由此设置静压差(工序E-2)。由此，从剥离部分18开始，依次开始剥离，带有功能元件16的高分子膜14从无机基板12剥离。此时，无机基板12在离开高分子膜14的方向上产生翘曲，高分子膜14整体保持在大致平面的状态下从无机基板12剥离。
在剥离装置50中，在将功能元件16埋入到埋入用部件64中的状态下设置静压差，将高分子膜14从无机基板12上剥离，因此能够抑制在功能元件16所处的部位对高分子膜14施加过度的负荷。另外，埋入用部件虽稍具柔软性，但保持为平面，故高分子膜14能在保持平面的状态下被剥离。这也抑制了对高分子膜14施加过度的负载。
另外，真空腔室30和真空卡盘34相当于本发明的静压差形成单元。
通过所述工序C剥离的带有功能元件16的高分子膜14，可以作为电子器件、特别是柔性电子器件使用。即，包含所述工序A-1、所述工序B和所述工序C的方法也是电子器件的制造方法。
以上，对第1实施方式～第3实施方式进行了说明。
在以下的第4实施方式～第6实施方式中，对所述工序C是“在所述工序B之后，将所述高分子膜保持在大致平面的状态下对所述剥离部分施加动压，由此从所述无机基板剥离的工序”的情况进行说明。
即，第4实施方式～第6实施方式中的工序C如下。
<第4实施方式～第6实施方式中的工序C>
通过将所述高分子膜14保持在大致平面的状态下对剥离部分18施加动压，将其从所述无机基板剥离(工序C)。
[第4实施方式]
图11～图12是第4实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。如图11～图12所示，第4实施方式涉及的剥离装置20具备支撑件33、空气喷嘴45和真空卡盘34。
另外，在第4实施方式～第6实施方式的说明中，有时对与第1实施方式～第3实施方式相同的结构标注相同的符号。
真空卡盘34能够吸附并保持层叠体10，能够在吸附层叠体10的状态下进行剥离。由于层叠体10的高分子膜14侧吸附在真空卡盘34上，所以通过从空气喷嘴45对高分子膜14与无机基板12的剥离部分18施加动压，能够将高分子膜14保持在大致平面的状态下从无机基板12剥离。另外，空气喷嘴45相当于本发明的动压形成单元。
第4实施方式涉及的工序C包含工序F-1、工序F-2。剥离装置20通过进行如下运作，从而进行工序F-1、工序F-2。
首先，剥离装置20中，用真空卡盘34吸附层叠体10的高分子膜14侧。此时，层叠体10的无机基板12与支撑件33接触。
接着，剥离装置20中，利用支撑件33使无机基板12向剥离部分18扩展的方向(图11中向下方向)位移(工序F-1)。具体地，优选使无机基板12弯曲。所述弯曲的最小曲率半径优选为350mm以上。由于能够减小无机基板12的负荷，因此更优选为400mm以上，进一步优选为500mm以上。另外，由于剥离速度提高，因此优选为1000mm以下，更优选为800mm以下。
接着，剥离装置20中，使无机基板12的不与高分子膜14密合的非密合面侧小于大气压，另一方面，使气体从空气喷嘴45喷出，进行剥离。此处，当样品尺寸较大时，适当移动空气喷嘴即可(工序F-2)。虽然在图11～图12中未图示，但是可以使用例如真空腔室30来使所述非密合面小于大气压。
接着，高分子膜14整体保持在大致平面的状态下从无机基板12剥离。此时高分子膜14始终保持在真空卡盘34上，因此不会发生弯曲、变形。大致平面是指，不限于完全的平面，JISB0621(1984)中的平面度优选为500μm以下，更优选为100μm以下，进一步优选为10μm以下。另外，1mm2范围内的从平面的偏离优选为10μm以下，更优选为3μm以下，进一步优选为0.5μm以下。
在这里，在本实施方式中，虽然未图示，但也可以在无机基板12的下方配置网状薄片38。由于在无机基板12的下方配置有网状薄片38，因此能够保持剥离后的无机基板12。作为网状薄片38，只要具有通气性且具有一定程度的强度即可，例如可以使用公知的筛网等。
另外，在本实施方式中，对使用网状薄片38的情况进行了说明，但也可以是在剥离装置20中不配置网状薄片的结构。此时，只要有随时取出剥离后的无机基板12的其他机构即可。
[第5实施方式]
图13～图15是第5实施方式涉及的剥离装置的变形例的断面示意图。如图13和图14所示，第5实施方式涉及的剥离装置22、23，相对于上述说明的剥离装置20，作为无机基板12的保持机构，具备无机基板用的真空卡盘37。该无机基板用的真空卡盘37能够进行上下动作和倾斜动作。真空卡盘34能够吸附并保持层叠体10，能够在吸附层叠体10的状态下使其位于上方。如图15所示，剥离装置24是相对于上述说明的剥离装置20，作为真空卡盘34的替代，追加了辊32和真空腔室30以及基板接触件35的装置。通过使无机基板12沿着基板接触件35，物理上限制无机基板12不会过于弯曲至小于其最小曲率半径。
剥离装置22进行与所述剥离装置20同样的运作。但是，在剥离装置22中，由于设置有无机基板用的真空卡盘37，因此能够在限制无机基板12不会过于弯曲至小于其最小曲率半径的同时，使其向剥离部扩展的方向变形。
由于设置有网状薄片38，所以能够支撑剥离后的无机基板12。因此，能够防止无机基板12的被剥离部分大幅下垂。
第5实施方式涉及的工序C包含工序G-1、工序G-2和工序G-3。剥离装置22、23、24通过进行如下运作，从而进行工序G-1、工序G-2和工序G-3。
首先，剥离装置22中，用真空卡盘34吸附层叠体10的高分子膜14侧，使其位于真空腔室30的上方。此时，使空气喷嘴45位于层叠体10的剥离部分18的开口。使之与无机基板的真空卡盘37接触。无机基板的真空卡盘37将无机基板12向剥离部分方向按压(工序G-1)。此处，无机基板的真空卡盘37相当于基板接触件。
接着，剥离装置22利用无机基板的真空卡盘37，使无机基板12向剥离部分18扩展的方向(图11中向下方向)位移。
接着，剥离装置22中，使气体从空气喷嘴45喷出，进行剥离。此处，在样品尺寸较大的情况下，使空气喷嘴适当移动即可。在这里，向剥离部分18施加动压。(工序G-2)。
另外，在该状态下，在从剥离部分18离开的位置，无机基板12的真空卡盘37将无机基板12向剥离部分18方向隔着网状薄片38按压，因此(图13中向上方向)没有进行剥离。
接着，剥离装置22中，在从剥离部18离开的位置，无机基板的真空卡盘37(与无机基板12的接触面)离开无机基板12的非密合面12a。此时，由于无机基板12采取与该运作对应的曲率半径，因而控制无机基板的真空卡盘37的高度、倾斜、有无真空吸附。从真空卡盘37对无机基板的按压解除了的部分开始，依次进行剥离部分18的剥离。(工序G-3)。高分子膜14整体保持在大致平面的状态下从无机基板12剥离。此时高分子膜14始终保持在真空卡盘34上，因此不会发生弯曲、变形。
如此，在剥离装置22中，使无机基板的真空卡盘37从无机基板12的剥离部分18侧开始依次移动，根据无机基板的真空卡盘37的移动进行剥离，因此能够控制剥离速度。其结果是，能够抑制对无机基板12或高分子膜14施加过度的负荷。
在这里，在本实施方式中，也可以在无机基板12的下方配置网状薄片38。由于在无机基板12的下方配置有网状薄片38，因此能够保持剥离后的无机基板12。作为网状薄片38，只要具有通气性且具有一定程度的强度即可，例如可以使用公知的筛网等。
另外，在本实施方式中，对使用网状薄片38的情况进行了说明，但也可以是在剥离装置20中不配置网状薄片的结构。此时，只要有随时取出剥离后的无机基板12的其他机构即可。
接着，对剥离装置23进行说明(图14)。首先，剥离装置23中，用真空卡盘34吸附层叠体10的高分子膜14侧，使其位于真空腔室30的上方。此时，使空气喷嘴45位于层叠体10的剥离部分18的开口。另外，此时，使层叠体10的无机基板12与支撑件33接触。使无机基板12的非密合面与真空卡盘37接触。在这里，无机基板的真空卡盘37相当于基板接触件。
接着，剥离装置23中，利用无机基板的真空卡盘37，使无机基板12向剥离部分18扩展的方向(图14中向下方向)位移，同时，将无机基板12向剥离部分18方向(图14中向上方向)按压(工序G-1)。
接着，剥离装置23中，使气体从空气喷嘴45喷出来进行剥离，在这里，在样品尺寸较大的情况下，适当移动空气喷嘴45即可。在这里，向剥离部分18施加动压。(工序G-2)。
另外，在该状态下，在从剥离部分18离开的位置，无机基板12的真空卡盘37将无机基板12向剥离部分18方向隔着网状薄片38按压，因此(图14中向上方向)没有进行剥离。
接着，剥离装置23中，使无机基板的真空卡盘37(与无机基板12的接触面)在离开剥离部分18的方向上、相对于无机基板12的非密合面12a平行地移动。此时，由于无机基板12的曲率半径跟随无机基板的真空卡盘37与无机基板的接触面的曲率，所以能够控制无机基板的曲率半径。从真空卡盘37对无机基板的按压解除了的部分开始，依次进行剥离部分18的剥离。(工序G-3)。高分子膜14整体保持在大致平面的状态下从无机基板12剥离。此时高分子膜14始终保持在真空卡盘34上，因此不会发生弯曲、变形。大致平面是指，不限于完全的平面，JISB0621(1984)中的平面度优选为500μm以下，更优选为100μm以下，进一步优选为10μm以下。另外，1mm2范围内的从平面的偏离优选为10μm以下，更优选为3μm以下，进一步优选为0.5μm以下。
如此，在剥离装置23中，使无机基板的真空卡盘37从无机基板12的剥离部分18侧开始依次移动，根据无机基板的真空卡盘37的移动进行剥离，因此能够控制剥离速度。其结果是，能够抑制对无机基板12或高分子膜14施加过度的负荷。
在这里，在本实施方式中，也可以在无机基板12的下方配置网状薄片38。由于在无机基板12的下方配置有网状薄片38，因此能够保持剥离后的无机基板12。作为网状薄片38，只要具有通气性且具有一定程度的强度即可，例如可以使用公知的筛网等。
另外，在本实施方式中，对使用网状薄片38的情况进行了说明，但也可以是在剥离装置2中不配置网状薄片的结构。此时，只要有随时取出剥离后的无机基板12的其他机构即可。
接着，对剥离装置24进行说明(图15)。首先，剥离装置24中，用真空卡盘34吸附层叠体10的高分子膜14侧，使其位于真空腔室30的上方。此时，使空气喷嘴45位于层叠体10的剥离部分18的开口(省略空气喷嘴45的图示)。另外，此时，使层叠体10的无机基板12与支撑件33接触(省略支撑件33的图示)。使其与基板接触件35也接触。
接着，剥离装置24中，利用基板接触件35和支撑件33，使无机基板12向剥离部分18扩展的方向(图15中向下方向)位移的同时，将无机基板12向剥离部分18方向(图15中向上方向)按压(工序G-1)。
接着，剥离装置24中，使气体从空气喷嘴45喷出来进行剥离。此处，在样品尺寸较大的情况下，使空气喷嘴45适当地移动即可。在这里，向剥离部施加动压(工序G-2)。另外，在该状态下，在从剥离部分18离开的位置，辊32将无机基板12向剥离部分18方向隔着基板接触件35按压，因此(图15中向上方向)没有进行剥离。
接着，剥离装置24中，使无机基板的基板接触件35(与无机基板12的接触面)在离开剥离部分18的方向上、与辊32及真空腔室30一起相对于无机基板12的非密合面12a平行地移动。此时，由于无机基板12的曲率半径跟随基板接触件35与无机基板的接触面的曲率，所以能够控制无机基板的曲率半径。从基板接触件35的按压解除了的部分开始，依次进行剥离部分18的剥离。(工序G-3)。高分子膜14整体保持在大致平面的状态下从无机基板12剥离。此时高分子膜14始终保持在真空卡盘34上，因此不会发生弯曲、变形。
如此，在剥离装置24中，由于使辊32和基板接触件12从无机基板12的剥离部分18侧开始依次移动，根据辊32和基板接触件12的移动进行剥离，所以能够控制剥离速度。其结果是，能够抑制对无机基板12或高分子膜14施加过度的负荷。
在这里，在本实施方式中，也可以在无机基板12的下方配置网状薄片38。由于在无机基板12的下方配置有网状薄片38，所以能够保持剥离后的无机基板12。
作为网状薄片38，只要具有通气性且具有一定程度的强度即可，例如可以使用公知的筛网等。
另外，在本实施方式中，对使用网状薄片38的情况进行了说明，但也可以是在剥离装置2中不配置网状薄片的结构。此时，只要有随时取出剥离后的无机基板12的其他机构即可。
以上，对第5实施方式涉及的工序C(包含工序G-1、工序G-2和工序G-3的工序C)进行了说明。
[第6实施方式]
在第6实施方式中，对从带有功能元件的层叠体11上剥离带有功能元件16的高分子膜14的情况进行说明。
图16是第6实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。如图16所示，第6实施方式的剥离装置50具备支撑件33、空气喷嘴45、真空卡盘34、埋入用部件64、柔性体66。支撑件33与图14相同，因此未图示。
支撑件33、空气喷嘴45和真空卡盘34已经在第4实施方式项中进行了说明，因此在此省略说明。
柔性支撑件66设置在真空卡盘34上，当上侧配置有带有功能元件的层叠体11时，能够保持高分子膜14。作为柔性支撑件66，只要是具有柔软性的材料即可，没有特别限定，例如可以举出硅橡胶片等。
埋入用部件64配置在真空卡盘34上，在与真空卡盘34相对侧的面上配置带有功能元件的层叠体11时，能够保持住高分子膜14。虽然在图16中是与高分子膜14接触，但是也可以位于高分子膜14的外侧。作为埋入用部件64，只要是多孔且具有柔软性的即可，没有特别限定，例如可以举出将塑料烧结多孔体或金属多孔烧结体或多孔陶瓷烧结体加工成能够埋入功能元件的形状的构件。
第6实施方式涉及的工序C包含工序F2-1和工序F2-2。剥离装置50通过如下运作进行工序F2-1和工序F2-2。
首先，剥离装置50中，用真空卡盘34吸附带有功能元件的层叠体11的高分子膜14侧，使其位于真空腔室30的上方。此时，使层叠体11的功能元件16位于埋入用部件64的开口。
接着，剥离装置50中，利用未图示的支撑件33，使无机基板12向剥离部分18扩展的方向(图16中向下方向)位移(工序F2-1)。
接着，剥离装置50中，使气体从空气喷嘴45喷出来进行剥离，在这里，在样品尺寸较大的情况下，适当地移动空气喷嘴即可(工序F2-2)。
由此，高分子膜14整体保持在大致平面的状态下从无机基板12剥离。此时高分子膜14始终保持在真空卡盘34上，因此不会发生弯曲、变形。
在剥离装置50中，在将功能元件16埋入到埋入用部件64中的状态下施加动压，将高分子膜14从无机基板12上剥离，因此，能够抑制在功能元件16所处的部位对高分子膜14施加过度的负荷。另外，埋入部件虽具有若干柔软性，但保持为平面，故高分子膜14也能保持在大致平面的状态下被剥离。这也抑制了对高分子膜14施加过度的负载。
另外，空气喷嘴45相当于本发明的动压形成单元。
通过所述工序C剥离的带有功能元件16的高分子膜14可以作为电子器件、特别是柔性电子器件使用。即，包含所述工序A-1、所述工序B和所述工序C的方法也是电子器件的制造方法。
以上，对第4实施方式～第6实施方式进行了说明。
在以下的第7实施方式～第9实施方式中，对所述工序C是“在所述工序B之后，以所述层叠体的所述高分子膜面与真空吸附板接触的方式设置所述层叠体并进行固定，在所述层叠体的侧面设置分隔壁，接着利用喷嘴向所述剥离部分注入气体，施加压力，由此将所述高分子膜保持在大致平面的状态下进行剥离的工序”的情况进行说明。
即，第7实施方式～第9实施方式中的工序C如下。
<第7实施方式～第9实施方式中的工序C>
以所述层叠体10的高分子膜14的表面与真空吸附板34(以下，也称为真空卡盘)接触的方式设置并固定所述层叠体10，在所述层叠体10的侧面设置分隔壁31；接着，通过喷嘴45(以下，也称为空气喷嘴)向所述剥离部分18注入气体，施加压力，由此将所述高分子膜14保持在大致平面的状态下，从所述无机基板12剥离(工序C)。
[第7实施方式]
图17～图19是第7实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。图17、图18是剥离装置在设置过程中的图，图19是即将从空气喷嘴45注入气体之前的图。如图17～图19所示，第7实施方式涉及的剥离装置20、21、23具备分隔壁31、分隔壁支撑件33、空气喷嘴45、真空卡盘34、大致平面板39(以下也称为上壁)。
真空卡盘34能够吸附并保持住层叠体10，能够在吸附层叠体10的状态下进行剥离。由于层叠体10的高分子膜14侧吸附在真空卡盘34上，所以通过由空气喷嘴45对高分子膜14和无机基板12的剥离部分18施加压力，能够保持在大致平面的状态下从无机基板12剥离高分子膜14。另外，空气喷嘴45相当于本发明的压力形成单元。
第7实施方式涉及的工序C包含工序H-1、工序H-2。剥离装置20、21、23通过如下运作进行工序H-1、工序H-2。
首先，剥离装置20、21、23中，用真空卡盘34吸附层叠体10的高分子膜14侧。此时，层叠体10的无机基板12与支撑件33接触。
接着，剥离装置20、21、23中，空气喷嘴45贯通分隔壁31。然后，从空气喷嘴45导入气体，以使无机基板12与高分子膜14之间的剥离部分18向扩展的方向位移。进一步，在层叠体10的无机基板12侧设置与无机基板12平行且不与无机基板12接触的大致平面板(工序H-1)。具体地，通过在高分子膜14的下方的真空卡盘上形成未图示的切口，或者从该端导入空气喷嘴45，使高分子膜14的变形变得容易。优选不使无机基板12大幅弯曲。所述弯曲的最小曲率半径优选为350mm以上。由于能够减小无机基板12的负荷，因此更优选为500mm以上，进一步优选为800mm以上。另外，因会在剥离时的瞬间变形中产生较大的变形，因此优选为1000mm以下，更优选为1800mm以下。
接着，剥离装置20、21、23中，使无机基板12的不与高分子膜14密合的非密合面侧12a为大气压或低压力，另一方面，从空气喷嘴45注入气体，来进行剥离。此处，在样品尺寸较大的情况下，适当移动空气喷嘴即可(工序H-2)。虽然在图17～图19中未图示，但是可以使用例如真空腔室30来将所述非密合面设置为低压力。
接着，高分子膜14整体保持在大致平面的状态下从无机基板12剥离。此时高分子膜14始终保持在真空卡盘34上，因此不会发生弯曲、变形。大致平面是指，不限于完全的平面，JISB0621(1984)中的平面度优选为1000μm以下，更优选为500μm以下，进一步优选为100μm以下。另外，1mm2范围内的从平面的偏离优选为10μm以下，更优选为3μm以下，进一步优选为0.5μm以下。
在这里，低压力是指低于空气喷嘴45供给的气体的压力，是真空或减压的状态或向大气开放的状态。在空气喷嘴45供给的气体压力足够高的情况下，将若干的加压状态的压力控制为恒定的状态也属于低压力。
高压力是指由于空气喷嘴45供给的气体的压力而产生剥离部分的压力。
分隔壁31设置在所述层叠体10的侧面。分隔壁31是指为了不使空气喷嘴45供给的气体的压力泄漏到无机基板的非密合面12a侧而用于将两者分离的壁。在这里，侧面是指与层叠体10的厚度方向平行的位置。另外，由于分隔壁31存在于层叠体10的侧面，因此在向剥离部分18注入气体时，能够大致维持剥离部分18与无机基板的非密合面12a的压力差。另外，可以将所述无机基板12的移动仅限制在离开所述高分子膜14的方向上。向着离开方向的移动是指，剥离时相对于高分子膜14平面，在大致垂直方向上无机基板12与高分子膜14的距离变大的移动。高压力与低压力通过分隔壁31分开。
所述气体没有特别的限定，可以使用空气、氮气、氦气、氖气、氩气等。
[第8实施方式]
图20～图24是第8实施方式涉及的剥离装置的变形例的断面示意图。如图20～图24所示，第8实施方式涉及的剥离装置24、25、26、27、28，相对于上述说明的剥离装置20，没有作为无机基板12的保持机构的分隔壁支撑件33。因此，高压力气体能够从剥离后的无机基板12的边缘(端部)向无机基板的非密合面12a移动。因此，通过选择分隔壁31的材质、缩小无机基板12与分隔壁31的间隔、或者通过在上壁做出空白部而向大气开放、通过真空泵从上壁抽吸等方法，维持剥离部分18与无机基板的非密合面12a的压力差，由此能够实现剥离。通过使无机基板12沿着上壁39，物理上限制无机基板12不会过于弯曲至小于其最小曲率半径。由此，能够降低剥离时对无机基板12的负荷。特别是如剥离装置27那样，通过使上壁39与真空卡盘34平行但稍微倾斜，能够限制无机基板剥离时的动作范围。如此，也是限制无机基板剥离时的动作的有效手段。另外，在剥离装置28中，使用O形圈63使真空卡盘34与上壁39在分隔壁31之间结合，严密地防止空气泄漏。这也是一种有效的手段。
剥离装置25进行与所述剥离装置20同样的运作。但是，在剥离装置25中，由于设置有无机基板用的真空卡盘37，所以能够在限制无机基板12不会过于弯曲至小于其最小曲率半径的同时，使其向剥离部扩展的方向变形。
第8实施方式涉及的工序C包含工序H-1、工序H-2。剥离装置22、23除了没有分隔壁支撑件33以外，与第7实施方式相同，通过与第7实施方式的运作，进行工序H-1、工序H-2。
[第9实施方式]
在第9实施方式中，对从带有功能元件的层叠体11上剥离带有功能元件16的高分子膜14的情况进行说明。
图25～图26是第9实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。如图25～图26所示，第9实施方式涉及的剥离装置50、51具备分隔壁支撑件33、空气喷嘴45、真空卡盘34、埋入用真空卡盘65、上壁39、无机基板用真空卡盘37。
关于分隔壁支撑件33、空气喷嘴45、真空卡盘34、上壁39、无机基板用的真空卡盘37，已在第7实施方式项中进行了说明，因此在此省略说明。
埋入用真空卡盘65配置在真空卡盘34上，在与真空卡盘34相对侧的面上配置带有功能元件的层叠体11时，能够保持住高分子膜14。图25～图26中是与高分子膜14接触，但也可以位于高分子膜14的外侧。作为埋入用真空卡盘65，只要是多孔且具有柔软性即可，没有特别限定，例如可以举出将塑料烧结多孔体或金属多孔烧结体或多孔陶瓷烧结体加工成能够埋入功能元件的形状的材料。
第9实施方式涉及的工序C包含工序H-1、工序H-2。剥离装置50的运作与第7实施方式相同，51除了没有分隔壁支撑件33以外，与第7实施方式相同，通过与第7实施方式相同的运作，进行工序H-1、工序H-2。
首先，剥离装置50中，用埋入用真空卡盘65吸附带有功能元件的层叠体11的高分子膜14侧，使其位于真空卡盘34的上方。此时，使层叠体11的功能元件16位于埋入用真空卡盘65的开口。
接着，剥离装置50中，空气喷嘴45贯通分隔壁31。然后，从空气喷嘴45导入气体，使无机基板12与高分子膜14之间的剥离部分18向扩展的方向位移。进一步，在层叠体10的无机基板12侧设置与无机基板12平行且不与无机基板12接触的大致平面板(工序H-1)。具体地，通过在高分子膜14下方的真空卡盘65上形成未图示的切口，或者从该端导入空气喷嘴45，由此使高分子膜14的变形变得容易。优选无机基板12不大幅弯曲。
使无机基板12的不与高分子膜14密合的非密合面侧12a为低压力，另一方面，从空气喷嘴45注入气体，来进行剥离。在这里，在样品尺寸较大的情况下，适当移动空气喷嘴即可(工序H-2)。虽然在图25～图26中未图示，但是可以使用例如真空腔室30来将所述非密合面设置为低压力。
接着，高分子膜14整体保持在大致平面的状态下从无机基板12剥离。
在剥离装置50中，在将功能元件16埋入到埋入用真空卡盘65中的状态下施加压力，将高分子膜14从无机基板12上剥离，因此能够抑制在功能元件16所处的部位对高分子膜14施加过度的负荷。另外，埋入部件虽然具有若干柔软性，但保持为平面，故高分子膜14也能在保持大致平面的状态下被剥离。这也抑制对高分子膜14施加过度的负载。
另外，空气喷嘴45相当于本发明的压力形成单元。
另外，所述工序C也优选包括真空吸附高分子膜14的工序J-1；
设置包围所述喷嘴部的壁，将注入所述层叠体的气体置于不会从所述剥离部分逸出的封闭空间中的工序J-2；
在所述工序J-1和所述工序J-2之后，从喷嘴施加压力，注入气体的工序J-3。
通过设置包围喷嘴部的壁，能够将剥离部分18密闭，能够高效地设置同无机基板12的不与高分子膜14密合的非密合面侧12a之间的压力差。
通过所述工序C剥离的带有功能元件16的高分子膜14，可以作为电子器件、特别是柔性电子器件使用。即，包含所述工序A-1、所述工序B和所述工序C的方法也是电子器件的制造方法。
以上，对第7实施方式～第9实施方式进行了说明。
在上述的高分子膜的剥离方法中，工序B也可以是“在所述层叠体的所述端部，向包含所述高分子膜与所述无机基板边界的区域吹送气体，在所述端部形成剥离区域的工序”。
以下，对于工序B是“在所述层叠体的所述端部，向包含所述高分子膜与所述无机基板边界的区域吹送气体，在所述端部形成剥离区域的工序”的情况，将其作为第10实施方式～第11实施方式进行说明。
[第10实施方式]
<工序A>
在第10实施方式涉及的高分子膜的剥离方法中，首先，准备高分子膜与无机基板密合的层叠体(工序A)。图27是一例层叠体的断面示意图，图28是其俯视图。如图27、图28所示，层叠体110具备无机基板112和高分子膜114。无机基板112与高分子膜114密合。无机基板112与高分子膜114也可以经由未图示的硅烷偶联剂层而密合。
在高分子膜114上形成有电路图案和/或功能元件(未图示)。即，在本实施方式中，可以在高分子膜114上形成电路图案和功能元件两者，也可以形成电路图案而不形成功能元件，也可以形成功能元件而不形成电路图案。
所述电路图案可以通过现有公知的方法形成。作为所述电路图案的厚度，通常为0.05μm～20μm，优选为0.1μm～15μm，更优选为0.15μm～0.5μm左右。
如图28所示，在层叠体110的左端部和右端部，无机基板112和高分子膜114的端面齐平。另外，在层叠体110的上端部和下端部，具有无机基板112上不存在高分子膜114的部分。即，在层叠体110中，平面视图中的高分子膜114的大小比无机基板112小。另外，在本实施方式中，对使用图27、图28所示的层叠体110的情况进行说明，但本发明中可以使用的层叠体并不限定于层叠体110，只要是在无机基板上的至少一部分层叠高分子膜即可，也可以是在无机基板上的整个面上层叠高分子膜的层叠体。另外，也可以在高分子膜上进一步设置保护膜。保护膜尺寸和高分子膜尺寸可以相同，也可以是保护膜更小。另外，也可以是某一边的保护膜尺寸与高分子膜尺寸相同、某一边的保护膜尺寸小于高分子膜尺寸。根据元件结构，也可以是某一边的保护膜尺寸大于高分子膜尺寸。
作为获得层叠体110的方法，可以采用与上述说明的获得层叠体10的方法相同的方法。
作为无机基板112，可以使用与上述说明的无机基板12相同的无机基板。
作为高分子膜114，可以使用与上述说明的高分子膜14相同的高分子膜。
<工序W>
图29是形成极微小剥离部分后的层叠体的断面示意图，图30是其俯视图。在工序A之后，根据需要，在层叠体110的端部，包含高分子膜114与无机基板112边界的区域形成极微小剥离部分115(工序W)。该工序W也是可以在下面说明的工序B之前根据需要进行的工序。在层叠体中，即使不特别实施形成极微小剥离部分的工序，有时也存在极微小剥离部分。即，在工序A的时点就有存在极微小剥离部分的情况。此时，不需要进行该工序W。例如，在分割大面积的高分子膜与无机基板的层叠物而形成层叠体的情况下，通常在分割的过程中会形成极微小剥离部分。在这里，极微小剥离部分是指，距层叠体的端面的距离(图30中的极微小剥离部分115的横向宽度)不足3mm的剥离部分。所述极微小剥离部分优选与层叠体的端面的距离为1mm以下，且端部宽度方向的长度(图30中的极微小剥离部分115的纵向宽度)为5mm以下，更优选与层叠体的端面的距离为3mm以下，且端部宽度方向的长度为10mm以下。
另外，在距层叠体的端面的距离为0.5mm以上、3mm以下，且在端部宽度方向整个面上存在剥离部分的情况下，也可以不进行工序W。
另一方面，在层叠体110的端部完全没有剥离区域的情况下(不存在极微小剥离部分的情况下)，优选进行所述工序W。进行所述工序W的话，在接下来说明的工序B中，能够容易地形成剥离区域。
作为形成极微小剥离部分115的方法，没有特别限制，可以举出用镊子或旋转刷等轻触层叠体110的端部的方法；在轻触后使镊子等稍微上下移动的方法；将高分子制的刀插入无机基板与高分子膜之间的方法；使用玻璃作为无机基板的情况下，从无机基板侧(玻璃侧)照射能透过玻璃但被高分子膜吸收的波长的激光的方法；割断无机基板、剥离时有意识地稍微剥离高分子膜的方法等。所述工序W是仅形成微小的剥离部分的工序，因此，通常只要轻触端部，就会在高分子膜与无机基板的边界上产生气泡，这就成为极微小剥离部分115。
微小剥离部分15也可以在端部宽度方向上位于多个部位，或者位于整个边。
<工序B>
接着，在层叠体110的端部，向包含高分子膜114与无机基板112边界的区域吹送气体，在所述端部形成剥离区域118(工序B)。在该工序B中，在进行了所述工序W的情况下，向包含极微小剥离部分115的区域吹送气体，在端部形成剥离区域118。
图31是第10实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。如图31所示，第10实施方式涉及的剥离装置120具备喷嘴122(以下，也称为空气喷嘴122)和压板124。
空气喷嘴122配置成能够向层叠体110的端部的包含高分子膜114与无机基板112边界的区域(形成极微小剥离部分115时包含极微小剥离部分115的区域)吹送气体。作为所述气体，没有特别限定，例如可以举出空气、氮气、氩气、二氧化碳等非活性气体等。为了防止高分子膜吸收湿度，所述气体为干燥状态较为理想。但是，在优先防静电的情况下，含有湿度的气体较为理想。在为含有湿度的气体的情况下，该气体的湿度优选为50％RH以上、80％RH以下的程度。
作为吹送所述气体时的所述气体的流速，优选为100m/s以上，更优选为200m/s以上，进一步优选为300m/s以上。所述流速的上限没有特别限制，但由于超音速区域中的冲击波振动的影响，例如可以为500m/s以下，优选为343m/s以下等。层叠体110中的高分子膜114与无机基板112之间的90°剥离强度一般在0.05N/cm以上、3N/cm以下的范围内，更优选为0.08N/cm以上、2N/cm以下。进一步优选为0.1N/cm以上、0.8N/cm以下。因此，使吹送所述气体时的所述流速在所述数值范围内的话，能够在以所述剥离强度贴合的高分子膜114与无机基板112之间适当地形成剥离区域118。
另外，所述90°剥离强度的测定条件如下。
以90°的角度从无机基板上剥离高分子膜。
测定5次，取平均值作为测定值。
测量温度：室温(25℃)
剥离速度：100mm/min
气氛：大气
测量样本宽度：1cm
压板124是截面为矩形的棒状，能够按压高分子膜114的上表面，能够限制由空气喷嘴122形成的剥离区域118的大小。通过用压板124按压高分子膜114的上表面，能够使剥离区域118不在压板124的内侧方向上扩展。在这里，剥离区域是指在距层叠体的端面的距离为3mm以上、20mm以下的范围内被剥离的区域。抑制板124、126、127的材质没有特别限定，只要是在金属或金属的外侧用高分子皮膜覆盖的、或由高分子制成且对玻璃造成损伤的担忧较少的材料即可。
在高分子膜114上形成有电路图案的情况下或形成有功能元件的情况下，优选电路图案尽量不弯曲。另外，在形成有功能元件的部位，优选高分子膜114尽量不弯曲。即，优选在未形成电路图案或功能元件的范围内形成剥离区域。电路图案或功能元件通常形成在高分子膜114的中央，不包含外周。因此，如果在所述数值范围内形成所述剥离区域，则能够在未形成电路图案或功能元件的范围内形成剥离区域。
在工序B中，剥离装置120在利用压板124按压高分子膜114的上表面的状态下，利用空气喷嘴122向包含高分子膜114与无机基板112边界的区域吹送气体，在所述端部形成剥离区域118。另外，空气喷嘴122和压板124相当于本发明的剥离区域形成单元。
图32是第10实施方式涉及的剥离装置的变形例的断面示意图。如图32所示，剥离装置121相对于上述说明的剥离装置120，压板的形状不同。
剥离装置121具备空气喷嘴122和压板126。
压板126为棒状，且与空气喷嘴122相对一侧的面(图32所示的截面的右侧)具有一定的曲率。
在剥离装置121中，在工序B中，在利用空气喷嘴122向包含高分子膜114与无机基板112边界的区域吹送气体时，卷起的高分子膜114沿着压板126的所述表面被按压。由此，能够防止高分子膜114弯曲到一定曲率以上。作为所述曲率的一个例子，可以举出曲率半径3mm～500mm的范围。在高分子膜114上形成有电路图案的情况下，优选电路图案尽量不弯曲，因此优选曲率半径为10mm以上。
图33是第10实施方式涉及的剥离装置的其他变形例的断面示意图。如图33所示，剥离装置123是相对于上述说明的剥离装置121，追加了支撑板128的结构。作为支撑板，可以使用玻璃、金属、陶瓷、高分子、或者这些复合材料中的任一种。优选不易划伤无机基板、容易跟随无机基板的变形的高分子或纤维增强塑料。
在剥离装置123中，在工序B中，支撑板128配置在无机基板112的旁边。具体地，支撑板128以其上表面与无机基板112的上表面齐平的方式配置在无机基板112的旁边。另外，以使空气喷嘴122沿着支撑板128的方式配置。由此，能够可靠地将来自空气喷嘴122的气体吹送到包含高分子膜与无机基板边界的区域。另外，来自空气喷嘴122的气体能够沿着支撑板128可靠地吹送到包含高分子膜与无机基板边界的区域的情况下，空气喷嘴122相对于支撑板128的配置及吹出角度没有特别限定。
图34、图35是第10实施方式涉及的剥离装置的其他变形例的断面示意图。如图34所示，剥离装置130是相对于上述说明的剥离装置120，追加了支撑板128的构成，并且是追加了粘贴胶带132的工序的构成。
在剥离装置130中，如图34所示，在即将实施工序B之前，在高分子膜114的上面以从高分子膜114露出的方式粘贴胶带132。胶带132的粘贴位置位于露出部位的下侧存在支撑板128的位置。
作为胶带132，只要是高分子膜114与胶带132的粘接力高于无机基板112与高分子膜114之间的粘接力的胶带即可，可以采用以往公知的胶带。作为胶带132，优选由具有一定硬度的基材(例如，PET薄膜)和以往公知的粘合剂层层叠而成的胶带。
在剥离装置130中，在图34的状态下，从空气喷嘴122吹出气体。由此，来自空气喷嘴122的气体能够通过支撑板128的上表面和胶带132的下表面之间的空间可靠地吹入，如图35所示，由于该压力，高分子膜114与胶带132一起卷起。
在使用图34、图35说明的剥离装置130和剥离方法中，特别是能够以较大的力使高分子膜114从无机基板112卷起。因此，即使在即将进行工序B之前的状态下、在层叠体110中不存在极微小剥离部分115的情况下，也能够适宜地形成剥离区域118。
以上，对第10实施方式涉及的工序B进行了说明。
<工序C>
接着，以剥离区域118为起点，将高分子膜114从无机基板112剥离(工序C)。
将高分子膜114从无机基板112剥离的方法没有特别限定，例如可以举出使无机基板112翘曲，向离开高分子膜114的方向拉伸，以剥离区域118为起点进行剥离的方法。此时，也可以从空气喷嘴122吹出气体，进一步促进剥离。该装置(用于使无机基板112翘曲，向离开高分子膜114的方向拉伸，以剥离区域118为起点进行剥离的装置)、或在该剥离时吹出气体的空气喷嘴122，相当于本发明的剥离单元。
以上，对第10实施方式涉及的工序C进行了说明。
另外，第10实施方式涉及的高分子膜的剥离方法包括所述工序A、所述工序B和所述工序C，因此也是电子器件的制造方法。
另外，在使用带有功能元件的层叠体的情况下，在工序C中，优选在将高分子膜114的功能元件形成区域保持为平面的状态下，将高分子膜114从无机基板112上剥离。如果在将高分子膜114的功能元件形成区域保持为平面的状态下，将高分子膜114从无机基板112上剥离，能够抑制在功能元件所处的部位对高分子膜114施加过度的负荷。
另外，在第10实施方式中，只要能够按压高分子膜114的上表面，则压板的形状不限定于上述的压板124或按压板126的形状。
[第11实施方式]
<工序A>
在第11实施方式涉及的高分子膜的剥离方法中，首先，准备高分子膜与无机基板密合的层叠体(工序A)。
图36是第11实施方式涉及的剥离装置的断面示意图。图36中，除了剥离装置，还一并示出了带有功能元件的层叠体。如图36所示，带有功能元件的层叠体111具有层叠体110(无机基板112和高分子膜114密合而成的层叠体)和设置在层叠体110的高分子膜114上的功能元件116。功能元件116以不接触高分子膜114的外周的方式形成在高分子膜114上。
<工序W>
在工序A之后，根据需要，在层叠体110的端部，在包含高分子膜114与无机基板112边界的区域形成极微小剥离部分115(工序W)。由于在第10实施方式中对工序W进行了说明，因此在此省略说明。
在第11实施方式中，作为工序B的前阶段，进行以下的处理。
首先，在带有功能元件的层叠体111的高分子膜114侧的表面上粘贴保护膜152。保护膜152上，在与设置功能元件116的部位对应的位置上有开孔。功能元件116被插在所述孔中，并突出在保护膜152上。
接着，准备具有与功能元件116的形状对应的凹部的多孔体154，将功能元件116嵌入所述凹部，由此在多孔体154上配置带有功能元件的层叠体111。
接着，以将多孔体154夹在中间的方式，用粘合剂158将带有功能元件的层叠体111的外周与真空卡盘142的外周贴合。作为多孔体的材质，可以使用高分子多孔体、金属多孔体、陶瓷多孔体中的任一种。作为高分子多孔体，使用低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超高密度聚乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸、聚氯乙烯、氟树脂等。作为金属多孔体，使用Cu、SUS、钛等。作为陶瓷多孔体，使用氧化铝、氮化铝、氮化硅、氧化锆等。
<工序B>
接着，在层叠体110的端部，向包含高分子膜114与无机基板112边界的区域吹送气体，在所述端部形成剥离区域118(工序B)。
如图36所示，第11实施方式涉及的剥离装置140具备空气喷嘴122和压板126。由于在第10实施方式中对空气喷嘴122、压板126进行了说明，因此在此省略说明。
在工序B中，剥离装置140中，在利用压板126按压高分子膜114的上表面的状态下，利用空气喷嘴122向包含高分子膜114与无机基板112边界的区域吹送气体，在所述端部形成剥离区域118。另外，空气喷嘴122和压板126相当于本发明的剥离区域形成单元。
图37是第11实施方式涉及的剥离装置的变形例的断面示意图。如图37所示，相对于所述说明的剥离装置140，剥离装置144的压板的形状不同。
剥离装置144具备空气喷嘴122和压板127。
压板127是上表面为平面的板状，配置在高分子膜114的端部的下方。另外，压板127以在工序B开始前(吹出气体前)不接触高分子膜114的上表面的方式配置。
在工序B中，剥离装置144中，利用空气喷嘴122向包含高分子膜114与无机基板112边界的区域吹送气体，在所述端部形成剥离区域118。高分子膜114的被剥离部分下垂到压板127上，但能够通过压板127使剥离区域118不进一步扩大。另外，空气喷嘴122和压板127相当于本发明的剥离区域形成单元。
图38、图39是第11实施方式涉及的剥离装置的其他变形例的断面示意图。如图38所示，剥离装置146是相对于上述说明的剥离装置140，追加了支撑板168的结构，并且是追加了粘贴胶带162的工序的构成。另外，在使用以无纺布或者海绵等为代表的软质多孔材料构成的软质压板164来代替使用压板126这一点上也不同。
在剥离装置146中，如图38所示，在即将实施工序B之前，在高分子膜114的上表面(图38中的下侧)，以露出于高分子膜114的方式粘贴胶带162。在粘贴了胶带162的下方配置软质压板164。另外，为了固定软质压板164的位置，在软质压板164的下侧配置固定用部件166。
作为胶带162，可以采用与上述说明的胶带132相同的胶带。
作为保护膜152的材质，没有特别限制，例如，作为基材种类，可以举出PET、PP、OPP、PEN、PE、PVC等，作为高分子膜114侧的粘合材料层，可以举出硅系、聚氨酯系、丙烯酸系、合成橡胶系等。保护膜152优选对基材或粘合材料层进行防静电处理。保护膜的粘合强度优选为90度剥离中在0.1N/cm以下、甚至0.06N/cm以下。但是，如果剥离强度过弱，则有可能在保护膜和高分子膜之间发生剥离，因此优选为0.001N/cm以上。
在剥离装置146中，在工序B中，支撑板168配置在无机基板112的旁边。
具体地，支撑板168以其上表面(图38中的下侧)与无机基板112的上表面(图38中的下侧)齐平的方式配置在无机基板112的旁边。另外，以使空气喷嘴122沿着支撑板128的方式配置。由此，能够可靠地将来自空气喷嘴122的气体吹送到包含高分子膜与无机基板边界的区域。
在剥离装置146中，在图38的状态下，从空气喷嘴122吹出气体。由此，来自空气喷嘴122的气体吹入支撑板168的上表面(图38中为下侧)与胶带162的下表面(图38中为上侧)之间的空间，如图39所示，高分子膜114会因该压力而与胶带162一起卷起。
此时，由于在胶带162的下方存在无纺布164(软质压板164)，因此，高分子膜114虽有一定程度的翘起，但由于无纺布164(软质压板164)，剥离区域118不会进一步扩大。
在使用图38、图39说明的剥离装置146和剥离方法中，特别是能够以较大的力使高分子膜114从无机基板112卷起。因此，即使在即将进行工序B之前的状态下、在层叠体110中不存在极微小剥离部分115的情况下，也能够适宜地形成剥离区域118。
在第11实施方式中，由于功能元件116配置在高分子膜114上，所以优选在配置有功能元件116的部位尽量不弯曲。即，优选在未形成功能元件116的范围内形成剥离区域118。在第11实施方式中，功能元件116以不接触高分子膜114的外周的方式形成在高分子膜114上，在所述工序B中形成的剥离区域118位于功能元件形成区域的外侧，因此，在形成剥离区域118时，能够抑制对高分子膜114施加过度的负荷。
以上，对第11实施方式涉及的工序B进行了说明。
<工序C>
接着，以剥离区域118为起点，将高分子膜114从无机基板112上剥离(工序C)。
对于工序C，可以采用与第10实施方式相同的方法。特别地，在第11实施方式中，为了将带有功能元件116的高分子膜114从无机基板112上剥离，在工序C中，优选在将高分子膜114的功能元件形成区域保持为平面的状态下，将高分子膜114从无机基板112上剥离。在第11实施方式中，在将带有功能元件116的高分子膜114固定在平面的真空卡盘142上的状态下，使无机基板112翘曲(在图39中使右端部向上侧翘曲)，向离开高分子膜114的方向拉伸。由此，能够在将高分子膜114的功能元件形成区域保持为平面的状态下，将高分子膜114从无机基板112上剥离。其结果是，能够抑制在功能元件116所处的部位对高分子膜114施加过度的负荷。
另外，在本说明书中，“保持在平面状态下剥离”的“平面”是指，不仅包括完全的平面，还包括大致平面的情况。所述的大致平面是指，JISB0621(1984)中规定的平面度在1000μm以下，优选为500μm以下，更优选为100μm以下。另外，1mm2范围内的从平面的偏离(平面度)优选为10μm以下，更优选为3μm以下，进一步优选为0.5μm以下。
以上，对第11实施方式涉及的工序C进行了说明。
另外，第11实施方式涉及的高分子膜的剥离方法包括所述工序A、所述工序B和所述工序C，因此也是电子器件的制造方法。
根据第10实施方式和第11实施方式涉及的高分子膜的剥离方法、电子器件的制造方法以及剥离装置，无需机械支撑高分子膜114就可以将高分子膜114从无机基板112上剥离。其结果是，不会损伤高分子膜、形成在高分子膜表面的电路或器件以及安装在高分子膜上的元件的品质，能够容易地将高分子膜从无机基板上剥离。
在上述实施方式中，说明了在作为形成层叠体110的剥离区域118的对象的端部(在图28中为右端部)，无机基板112与高分子膜114的端面齐平面的情况。但是，本发明中可以使用的层叠体并不限定于该例，在作为形成剥离区域的对象的端部，无机基板与高分子膜的端面也可以不齐平。
图40是层叠体的其他例子的断面示意图，图41是其俯视图。如图40、图41所示，层叠体170具备无机基板112和高分子膜174。无机基板112与高分子膜174密合。
在层叠体170的上端部、下端部、右端部，存在无机基板112上没有高分子膜174的部分。即，层叠体170在作为形成剥离区域的对象的端部(在图41中为右端部)，在无机基板112上没有形成高分子膜174。
在层叠体170中，无机基板112中的上表面未形成高分子膜174的部分76，能够兼具上述说明的支撑板(支撑板128或支撑板168)的功能。即，在工序B中，在配置空气喷嘴122时，能够以沿着该部分76的方式进行配置。此时，可以不需要支撑板。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限于上述的例子，可以在满足本发明的结构的范围内，进行适当的设计变更。

Claims (23)

1.一种高分子膜的剥离方法，包括：
工序A：准备形成有电路图案和/或功能元件的高分子膜与无机基板密合的层叠体；
工序B：在所述层叠体的端部，在所述高分子膜与所述无机基板之间形成剥离部分；
工序C：通过使所述无机基板向离开所述高分子膜的方向翘曲，将所述高分子膜保持在大致平面的状态下从所述无机基板剥离。
2.根据权利要求1所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述工序C是：
在所述工序B之后，在所述无机基板的不与所述高分子膜密合的非密合面与所述剥离部分之间设置静压差，同时，通过使所述无机基板向离开所述高分子膜的方向翘曲，将所述高分子膜保持在大致平面的状态下从所述无机基板剥离的工序。
3.根据权利要求1或2所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述工序C包括：
工序D-1：在所述无机基板的所述非密合面侧配置辊或基板接触件，通过所述辊或基板接触件，将所述无机基板向所述剥离部分方向按压；
工序D-2：通过使所述非密合面侧小于大气压，并使所述剥离部分为大气压，由此设置所述静压差；
工序D-3：在所述工序D-1和所述工序D-2之后，使所述辊或基板接触件相对于所述无机基板的所述非密合面平行移动，根据所述辊或基板接触件的移动进行所述剥离。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述工序C中，使所述无机基板的非密合面侧与所述剥离部分的压力差为高于大气压的压力。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述工序C包括：
工序E-1：在所述高分子膜的所述非密合面侧配置埋入用部件或垫片，在将所述功能元件埋入所述埋入用部件或垫片的同时，利用多孔柔性体将所述无机基板向所述剥离部分方向按压；
工序E-2：通过使所述无机基板的非密合面侧小于大气压，并使所述剥离部分为大气压，由此设置所述静压差。
6.根据权利要求1所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述工序C是：
在所述工序B之后，将所述高分子膜保持在大致平面的状态下对所述剥离部分施加动压，由此将所述高分子膜从所述无机基板剥离的工序。
7.根据权利要求1或6所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述工序C包括：
工序F-1：使所述无机基板向不与高分子膜密合的非密合面侧位移；
工序F-2：使所述无机基板的所述非密合面侧小于大气压，同时通过向所述剥离部分供给气流，施加所述动压。
8.根据权利要求1、6或7所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述工序C包括：
工序G-1：在所述无机基板的所述非密合面侧配置辊或基板接触件，通过所述辊或基板接触件，将所述无机基板向所述剥离部分方向按压；
工序G-2：通过向所述剥离部分供给流体流，施加所述动压；
工序G-3：在所述工序G-1和所述工序G-2之后，使所述辊或基板接触件相对于所述无机基板的所述非密合面平行移动，根据所述辊或基板接触件的移动进行所述剥离。
9.根据权利要求7或8所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述位移是弯曲的，所述弯曲的最小曲率半径为350mm以上。
10.根据权利要求1所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述工序C是：
在所述工序B之后，以所述层叠体的所述高分子膜面与真空吸附板接触的方式设置所述层叠体并进行固定，在所述层叠体的侧面设置分隔壁，接着利用喷嘴向所述剥离部分注入气体，施加压力，由此将所述高分子膜保持在大致平面的状态下进行剥离的工序。
11.根据权利要求1或10所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述工序C包括：
工序H-1：在所述无机基板侧设置与所述无机基板平行且不接触的大致平面板；
工序H-2：将所述无机基板的与高分子膜的非密合面侧设为大气压或低压力，并通过向所述剥离部分注入气体，对所述剥离部分施加压力。
12.根据权利要求1、10或11所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述工序C包括：
工序J-1：真空吸附高分子膜；
工序J-2：设置包围所述喷嘴部的壁，将注入所述层叠体的气体置于不会从所述剥离部分逸出的封闭空间中；
工序J-3：在所述工序J-1和所述工序J-2之后，从喷嘴施加压力，注入气体。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述工序B是：
在所述层叠体的所述端部，向包含所述高分子膜与所述无机基板边界的区域吹送气体，在所述端部形成剥离区域的工序。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述电路图案和/或所述功能元件以不接触所述高分子膜的外周的方式形成。
15.根据权利要求13或14所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，在所述工序B中形成的所述剥离区域比所述电路图案和/或所述功能元件形成区域更靠外侧。
16.根据权利要求13～15中任一项所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述工序C是：
将所述高分子膜的所述电路图案和/或所述功能元件形成区域保持在平面状态下从所述无机基板剥离的工序。
17.根据权利要求13～16中任一项所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，
包括工序W：在所述工序B之前，在所述层叠体的端部，在包含所述高分子膜和所述无机基板边界的区域形成极微小剥离部分；
所述工序B是在所述工序W之后，向包含所述极微小剥离部分的区域吹送气体，在所述端部形成所述剥离区域的工序。
18.根据权利要求1～17中任一项所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，
包括工序X：在所述工序C之前，在所述高分子膜的未设置所述电路图案和/或所述功能元件的表面上，设置厚度与所述电路图案和/或所述功能元件的厚度为相同程度的垫片。
19.根据权利要求1～18中任一项所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，
在所述工序C之前，在所述高分子膜的所述非密合面侧，配置选自埋入用部件、垫片和埋入用真空卡盘组成的群中的1个以上，一边将所述电路图案和/或功能元件埋入到选自所述埋入用部件、垫片和埋入用真空卡盘组成的群中的1个以上的同时，一边进行剥离工序Y。
20.根据权利要求1～19中任一项所述的高分子膜的剥离方法，其特征在于，
包括工序Z：在所述工序C之前，粘贴粘合性保护膜以保护所述层叠体的所述高分子膜的所述电路图案和/或功能元件。
21.一种电子器件的制造方法，其特征在于，包括：
工序A：准备形成有电路图案和/或功能元件的高分子膜与无机基板密合的层叠体；
工序B：在所述层叠体的端部，在所述高分子膜与所述无机基板之间形成剥离部分；
工序C：通过使所述无机基板向离开所述高分子膜的方向翘曲，将所述高分子膜保持在大致平面的状态下从所述无机基板剥离。
22.根据权利要求21所述的电子器件的制造方法，其特征在于，没有激光残渣的附着。
23.一种剥离装置，其特征在于，是从形成有电路图案和/或功能元件的高分子膜与无机基板密合的层叠体上，将所述高分子膜从所述无机基板剥离的剥离装置；其具备：
形成单元：在所述层叠体的端部，在所述高分子膜与所述无机基板之间形成剥离部分；以及
剥离单元：通过使所述无机基板向离开所述高分子膜的方向翘曲，将所述高分子膜保持在大致平面的状态下从所述无机基板剥离。
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