CN117223095A - 高分子膜的剥离方法、电子器件的制造方法以及剥离装置 - Google Patents

Abstract

本发明课题在于提供一种剥离方法，其可对形成于高分子膜表面电子器件的品质没有影响地，容易地将高分子膜从无机基板上剥离。其解决手段为一种第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，包括：工序A，准备第1高分子膜与无机基板密合而成的层叠体，所述第1高分子膜上形成有电子器件；工序B1，以所述层叠体的所述第1高分子膜面与真空吸附板接触的方式设置并固定，在所述层叠体的侧面设有隔壁，在所述层叠体的所述无机基板面上层叠比所述无机基板更大的第2高分子膜，通过所述真空吸附板、所述第2高分子膜和所述隔壁设有密闭空间；以及，工序C，在所述层叠体的所述第1高分子膜与所述无机基板之间，设有剥离部分，通过向所述剥离部分注入气体，将所述第1高分子膜保持大致平面地剥离。

Description

高分子膜的剥离方法、电子器件的制造方法以及剥离装置

技术领域

本发明涉及高分子膜的剥离方法、电子器件的制造方法以及剥离装置。

背景技术

近年来，以半导体元件、MEMS元件、显示元件、传感器元件等功能元件的轻量化、小型/薄型化、柔性化为目的，或者以精细制作加热器、多层电路板、半导体用布线部分或将在耐热膜上进行制作为目的，对于在高分子膜上形成这些元件的技术开发非常活跃。即，作为信息通信设备(广播设备、移动无线、便携通信设备等)、雷达、高速信息处理装置等电子部件的基材的材料，以往使用具有耐热性且能够应对信息通信设备的信号频带的高频化(达到GHz频带)的陶瓷，但陶瓷不是柔性的，也难以薄型化，因此存在可适用领域受限的缺点，因此最近使用高分子膜作为基板。

在高分子膜表面形成半导体元件、MEMS元件、显示元件、传感器元件等功能元件，或加热器、多层电路板、半导体用布线部分时，理想的是通过利用作为高分子膜的特性的柔软性的所谓辊对辊(Roll-to-Roll)工艺进行加工。但是，在半导体产业、MEMS产业、显示器产业、传感器产业等产业界中，迄今为止构筑了基于晶片或玻璃基板等刚性的平面基板为对象的工艺技术。因此，为了利用现有的设备基础在高分子膜上形成功能元件，使用的工艺是：将高分子膜与例如玻璃板、陶瓷板、硅晶片、金属板等无机物构成的刚性支撑体贴合，在其上形成所希望的元件后从支撑体剥离。

以往，作为从支撑体上剥离高分子膜的方法，已知有通过照射激光来减弱高分子膜与支撑体之间的密合力而进行剥离的方法(例如，参照专利文献1)。此外，也讨论了各种使这种激光剥离变得容易的方法(例如，参照专利文献2)。

此外，也讨论了关于机械剥离膜的方法(例如，参照专利文献3)。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开平10-125931号公报

【专利文献2】日本特开2018-199163号公报

【专利文献3】日本特开2015-38001号公报

发明内容

【发明要解决的课题】

但是，在专利文献1的方法中，由于向支撑体的整个面照射激光，因此存在需要用于照射激光的大型照射装置的问题。另外，由于照射激光，因此存在高分子膜发生焦糊等而影响高分子膜品质的问题。另外，也担心激光的光漏出照射在形成于高分子膜表面的电路或器件、以及安装在高分子膜上的元件上，或者激光加热产生冲击波，从而影响品质。关于机械剥离，也担心伴随高分子膜的变形，因应力而对高分子膜本身造成损伤，以及对形成在高分子膜表面的电路、器件以及安装在高分子膜上的元件的品质造成影响。此外，专利文献2的方法中，由于需要预先形成用于使支撑体与聚酰亚胺膜之间的剥离变得容易的膜，比较麻烦。而在专利文献3的方法中，由于是机械方法，防止器件时常发生缺陷仍然是困难的。

本发明鉴于上述课题而完成，其目的在于提供一种能够不影响高分子膜、形成在高分子膜表面的电路或器件以及安装在高分子膜上的元件的品质地，容易地从无机基板上剥离高分子膜的高分子膜的剥离方法、电子器件的制造方法以及剥离装置。

【解决课题的技术手段】

本发明人对高分子膜的剥离方法、电子器件的制造方法以及剥离装置进行了深入研究。结果发现，通过采用下述构成，能够在不影响高分子膜、形成在高分子膜表面的电路或器件以及安装在高分子膜上的元件的品质地，容易地将高分子膜从无机基板剥离，从而完成了本发明。

即，本发明提供以下技术。

[1]一种第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，包括：

工序A，准备第1高分子膜与无机基板密合而成的层叠体，所述第1高分子膜上形成有电子器件，

工序B1，以所述层叠体的所述第1高分子膜面与真空吸附板接触的方式设置并固定，在所述层叠体的侧面设有隔壁，在所述层叠体的所述无机基板面上层叠比所述无机基板更大的第2高分子膜，通过所述真空吸附板、所述第2高分子膜和所述隔壁设有密闭空间，

以及，工序C，在所述层叠体的所述第1高分子膜与所述无机基板之间，设有剥离部分，通过向所述剥离部分注入气体，将所述第1高分子膜保持大致平面地剥离。

[2]一种第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，包括：

工序A，准备第1高分子膜与无机基板密合而成的层叠体，所述第1高分子膜上形成有电子器件，

工序B2，在所述层叠体的所述第1高分子膜面上层叠比所述所述第1高分子膜更大的第3高分子膜，以所述第3高分子膜与真空吸附板接触的方式设置并固定，在所述层叠体的侧面设有隔壁，在所述层叠体的所述无机基板面上层叠比所述无机基板更大的第2高分子膜，通过所述第2高分子膜、所述第3高分子膜和所述隔壁设有密闭空间，

以及，工序C，在所述层叠体的所述第1高分子膜与所述无机基板之间设有剥离部分，通过向所述剥离部分注入气体，将所述第1高分子膜保持大致平面地剥离。

[3]根据[1]或[2]所述的第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述工序C通过向所述剥离部分注入气体，使所述密闭空间内的压力上升到比所述密闭空间外的压力高0.02个大气压以上。

[4]根据[1]～[3]中任一项所述的第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述真空吸附板的表面层叠有粘合性保护膜。

[5]根据[4]所述的第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述层叠体在真空吸附板上的固定为真空吸附或粘合，或者，真空吸附和粘合两者。

[6]根据[1]～[5]中任一项所述的第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述电子器件为厚度10μm以上3mm以下的功能元件。

[7]根据[1]～[6]中任一项所述的第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，在所述工序C之前，在所述第1高分子膜的与所述无机基板反向一侧上，配置形状为所述功能元件形状的反转形状的嵌入用真空卡盘和/或间隔物。

[8]根据[1]～[7]中任一项所述的第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，在所述第2高分子膜的与所述无机基板反向一侧上，设置限制所述无机基板变形的限制板，所述限制板与所述第2高分子膜的间隔为0.5mm以上5mm以下。

[9]根据[1]～[7]中任一项所述的第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，在所述第2高分子膜的与所述无机基板反向一侧上，设置限制所述无机基板变形的限制板，所述限制板与所述第2高分子膜接触。

[10]根据[1]～[9]中任一项所述的第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述无机基板与所述第2高分子膜的剥离强度F2、与所述无机基板与所述第1高分子膜的剥离强度F1满足下述关系：

2×F1<F2。

[11]根据[2]～[9]中任一项所述的第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述无机基板与所述第2高分子膜的剥离强度F2、所述第1高分子膜与所述第3高分子膜的剥离强度F3、所述无机基板与所述第1高分子膜的剥离强度F1满足下述关系：

2×F1<F2，以及，2×F1<F3。

[12]一种带有电子器件的高分子膜的制造方法，其特征在于，包括：

工序A，准备第1高分子膜与无机基板密合而成的层叠体，所述第1高分子膜上形成有电子器件，

工序B1，以所述层叠体的所述第1高分子膜面与真空吸附板接触的方式设置并固定，在所述层叠体的侧面设有隔壁，在所述层叠体的所述无机基板面上层叠比所述无机基板更大的第2高分子膜，通过所述真空吸附板、所述第2高分子膜和所述隔壁设有密闭空间，

以及，工序C，通过在所述层叠体的所述第1高分子膜与所述无机基板之间注入气体，使所述第1高分子膜保持大致平面地剥离。

[13]一种带有电子器件的高分子膜的制造方法，其特征在于，包括：

工序A，准备第1高分子膜与无机基板密合而成的层叠体，所述第1高分子膜上形成有电子器件，

工序B2，在所述层叠体的所述第1高分子膜面上层叠比所述第1高分子膜更大的第3高分子膜，以所述第3高分子膜与真空吸附板接触的方式设置并固定，在所述层叠体的侧面设有隔壁，在所述层叠体的所述无机基板面上层叠比所述无机基板更大的第2高分子膜，通过所述第2高分子膜、所述第3高分子膜和所述隔壁设有密闭空间，

以及，工序C，通过在所述层叠体的所述第1高分子膜与所述无机基板之间注入气体，使所述第1高分子膜保持大致平面地剥离。

[14]一种剥离装置，其特征在于，其为在形成有电子器件的第1高分子膜与无机基板密合而成的层叠体中，从所述无机基板上剥离所述第1高分子膜的剥离装置，其具备：

向设置于在所述层叠体端部的、所述第1高分子膜与所述无机基板之间的剥离部分施加压力的压力施加机构，

在所述层叠体的所述第1高分子膜面上设置真空吸附板、在侧面设置隔壁、以及在所述无机基板面上设置比所述无机基板更大的第2高分子膜，从而设有密闭空间的机构，

以及，在剥离中将所述第1高分子膜固定为大致平面的机构。

[15]一种剥离装置，其特征在于，其为在形成有电子器件的第1高分子膜与无机基板密合而成的层叠体中，从所述无机基板上剥离所述第1高分子膜的剥离装置，且具备：

向设置在所述层叠体端部的、所述第1高分子膜与所述无机基板之间的剥离部分施加压力的压力施加机构，

在所述层叠体的所述第1高分子膜面上设置比所述第1高分子膜更大的第3高分子膜、在侧面设置隔壁、以及在所述无机基板面上设置比所述无机基板更大的第2高分子膜，从而设有密闭空间的机构，

以及，在剥离中将所述第1高分子膜固定为大致平面的机构。

根据上述构成，由于并非机械剥离，而是向上述剥离部分注入气体，通过加压使上述高分子膜从上述无机基板剥离，以及剥离时不弯曲上述高分子膜(大致平面)，不会影响高分子膜的品质，可以容易地从无机基板剥离高分子膜。

【发明效果】

根据本发明，能够不会影响高分子膜的品质、以及包括高分子膜表面形成的布线或薄膜器件和实装于高分子膜的功能元件的电子器件的品质地，容易地从无机基板剥离高分子膜。

附图说明

【图1】图1是表示层叠体的一例的截面示意图。

【图2-1(1)】图2-1(1)是第1实施方式的剥离装置的截面示意图。图2-1(1)是剥离装置的设置中途，在隔壁上设置第2高分子膜的状态。

【图2-1(2)】图2-1(2)是第1实施方式的剥离装置的截面示意图。图2-1(2)是剥离装置的设置中途，用真空吸附板固定层叠体的状态。

【图2-1(3)】图2-1(3)是第1实施方式的剥离装置的截面示意图。图2-1(3)是设置完成后的状态。

【图2-1(4)】图2-1(4)是第1实施方式的剥离装置的截面示意图。图2-1(4)表示剥离完成后的状态。

【图2-2】图2-2是第1实施方式的与图2-1不同的剥离装置的截面示意图。图2-2是剥离装置的设置中途。

【图2-3】图2-3是第1实施方式的与图2-1、2不同的剥离装置的剥离动作即将开始前的截面示意图。

【图3-1】图3-1是第2实施方式的剥离装置的截面示意图。图3-1是剥离装置的剥离即将开始前的截面示意图。

【图3-2】图3-2是第2实施方式的与图3-1不同的剥离装置的截面示意图。图3-2是剥离装置的剥离即将开始前的截面示意图。

【图4-1】图4-1是第3实施方式的剥离装置的剥离即将开始前的截面示意图。

【图4-2】图4-2是第3实施方式的与图4-1不同的剥离装置的剥离即将开始前的截面示意图。

【图5-1(1)】图5-1(1)是第4实施方式的剥离装置的截面示意图。图5-1(1)是剥离装置设置中途，在隔壁上设置第2高分子膜的状态。

【图5-1(2)】图5-1(2)是第4实施方式的剥离装置的截面示意图。图5-1(2)是剥离装置设置中途，用真空吸附板固定层叠体的状态。

【图5-1(3)】图5-1(3)是第4实施方式的剥离装置的截面示意图。图5-1(3)是设置完成后的状态。

【图5-1(4)】图5-1(4)是第4实施方式中的剥离装置的截面示意图。图5-1(4)表示剥离完成后的状态。

【图5-2】图5-2是第4实施方式的与图5-1不同的剥离装置的剥离即将开始前的截面示意图。图5-2是剥离装置的设置中途。

【图5-3】图5-3是第4实施方式的与图5-1、2不同的剥离装置的剥离即将开始前的截面示意图。

【图6-1】图6-1是第5实施方式的剥离装置的截面示意图。图6-1是剥离装置的剥离即将开始前的截面示意图。

【图6-2】图6-2是第5实施方式中与图6-1不同的剥离装置的截面示意图。图6-2是剥离开始前的截面示意图。

【图7-1】图7-1是第6实施方式的剥离装置的剥离即将开始前的截面示意图。

【图7-2】图7-2是第6实施方式的与图7-1不同的剥离装置的剥离即将开始前的截面示意图。

【图8】图8是表示带有功能元件的层叠体的一例的截面示意图。

【图9】图9是表示带有功能元件的层叠体的第1高分子膜上设有间隔物的样态的截面示意图。

【图10】图10是表示在带有功能元件的层叠体的第1高分子膜上配置嵌入用真空卡盘，将功能元件嵌入的样态的截面示意图。

【图11】图11是表示在带有功能元件的层叠体的第1高分子膜上配置嵌入用真空卡盘，将功能元件嵌入的样态的截面示意图。此处是将粘合部件配置在层叠体外周的示例。

【图12】图12是在带有功能元件的层叠体的第1高分子膜上配置嵌入用真空卡盘，将功能元件嵌入的第1实施方式的剥离装置的其他截面示意图。

【图13】图13是表示在带有功能元件的层叠体的第1高分子膜上配置嵌入用真空卡盘，将功能元件嵌入的样态的第4实施方式的截面示意图。此处，其为在第1高分子膜的外周与第3高分子膜密合，该第3高分子膜与配置在层叠体外周的粘合部件密合的示例。

【图14】图14是在带有功能元件的层叠体的第1高分子膜上配置嵌入用真空卡盘，将功能元件嵌入的第4实施方式中的剥离装置的其他截面示意图。第1高分子膜的外周与第3高分子膜密合，该第3高分子膜与配置在层叠体外周的粘合部件密合。

附图标记说明

10：层叠体

11：带有功能元件的层叠体

12：无机基板

12a：无机基板的非密合面

14：第1高分子膜

14a：第1高分子膜的非密合面

16：功能元件

18：剥离部分

20、21、22、23、24、25、26、50：剥离装置

31：隔壁

33：第2高分子膜

34：真空吸附板(真空卡盘)

35：大曲率半径的限制板

37：第2膜的固定用具

39：限制板

41：第3高分子膜

45：空气喷嘴(喷嘴)

47：位置、角度可变的限制板

52：多孔柔性体

62：间隔物

64：嵌入用真空卡盘

66：柔性支撑材料

70：密闭空间

71：粘合部件(粘合性保护膜)

具体实施方式

以下对本发明的实施方式进行说明。以下对第1高分子膜的剥离方法进行说明，其中也对电子器件的制造方法以及剥离装置进行说明。

[高分子膜的剥离方法]

本实施方式中的高分子膜的剥离方法包含下述工序A、B1和C，或包含下述工序A、B2或C。以下，工序B1和工序B2合称工序B。

即，工序A，准备第1高分子膜与无机基板密合而成的层叠体，所述第1高分子膜上形成有电子器件，

工序B1，以所述层叠体的所述第1高分子膜面与真空吸附板接触的方式设置并固定，在所述层叠体的侧面设有隔壁，在所述层叠体的所述无机基板面上层叠比所述无机基板更大的第2高分子膜，通过所述真空吸附板、所述第2高分子膜和所述隔壁设有密闭空间，

以及，工序C，在所述层叠体的所述第1高分子膜与所述无机基板之间，通过喷嘴注入气体施加压力，从而设有剥离部分的同时，将所述第1高分子膜保持大致平面地剥离。

此外，工序A，准备第1高分子膜与无机基板密合而成的层叠体，所述第1高分子膜上形成有电子器件，

工序B2，在所述层叠体的所述第1高分子膜面上层叠比所述所述第1高分子膜更大的第3高分子膜，以所述第3高分子膜与真空吸附板接触的方式设置并固定，在所述层叠体的侧面设有隔壁，在所述层叠体的所述无机基板面上层叠比所述无机基板更大的第2高分子膜，通过所述第2高分子膜、所述第3高分子膜和所述隔壁设有密闭空间，

以及，工序C，在所述层叠体的所述第1高分子膜与所述无机基板之间，通过喷嘴注入气体施加压力，从而设有剥离部分的同时，将所述第1高分子膜保持大致平面地剥离。

其中，在上述层叠体的端部，作为形成上述第1高分子膜和上述无机基板间剥离的发端部分的工序B进行某种操作的情况，或者不进行特别操作的情况，均可作为工序B被涵盖。

此外，由于本发明中剥离的是第1高分子膜，第1高分子膜有时单称为“高分子膜”。

<工序A>

本实施方式的高分子膜的剥离方法中，首先，准备第1高分子膜与无机基板密合而成的层叠体，所述第1高分子膜上形成有电子器件(工序A)。优选事先准备第1高分子膜与无机基板密合的层叠体，在高分子膜上形成电子器件。图1是表示层叠体的一例的截面示意图。如图1所示，层叠体10具备无机基板12和高分子膜14。无机基板12与高分子膜14密合。电子器件在高分子膜的不与无机基板12密合的非密合面14a上形成。图1中电子器件被省略。无机基板12与高分子膜14也可以介由未图示的硅烷偶联剂层或粘合剂层或易剥离化层密合。此外，图1中绘制为无机基板12和高分子膜14厚度不同，而大小相同。也可以高分子膜14和无机基板12的大小不同，高分子膜14比无机基板12大，也可以比无机基板12小。高分子膜14小于无机基板12的层叠体在制作方面容易，因而也可以像这样地使大小不同。此外，为了使剥离容易，工序A之后，从上述高分子膜14与无机基板12密合的层叠体中切割并去除外周部分的玻璃，高分子膜14可以比无机基板12大。此外虽然没有图示，高分子膜14上也可以带有保护膜。保护膜的尺寸可以和高分子膜尺寸相同，也可以保护膜更小。保护膜优选在下述工序C之前设置。

无机基板12只要是用无机物组成的基板所作成的板状物即可，例如可列举，玻璃板、陶瓷板、半导体晶片、金属等为主体的基板，以及作为这些玻璃板、陶瓷板、半导体晶片、金属的复合体，将其层叠而成的基板、将其分散而成的基板、含有其纤维的基板等。

无机基板12的厚度没有特别限制，但从操作性的观点出发，优选5mm以下的厚度，更优选1.2mm以下，进一步优选0.8mm以下。对厚度的下限没有特别限制，优选为0.05mm以上，更优选为0.3mm以上，进一步优选为0.5mm以上。

第1高分子膜14没有特别限定，可以列举聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、氟化聚酰亚胺等聚酰亚胺系树脂(例如，芳香族聚酰亚胺树脂、脂环族聚酰亚胺树脂)；聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚(2,6-萘二甲酸乙二醇酯)等共聚聚酯(例如，全芳香族聚酯、半芳香族聚酯)；以聚甲基丙烯酸甲酯为代表的共聚(甲基)丙烯酸酯；聚碳酸酯；聚酰胺；聚砜；聚醚砜；聚醚酮；醋酸纤维素；硝酸纤维素；芳香族聚酰胺；聚氯乙烯；多酚；聚芳酯；聚苯硫醚；聚苯醚；聚苯乙烯等膜。

第1高分子膜14的厚度没有特别限制，但从操作性的观点出发，优选为250μm以下，更优选为100μm以下，进一步优选为50μm以下。厚度的下限没有特别限制，优选为3μm以上，更优选为5μm以上，进一步优选为10μm以上。

第1高分子膜14优选对与无机基板12接触的面进行表面处理。通过进行上述表面处理，第1高分子膜的剥离强度会增强。上述表面处理没有特别限定，可列举等离子体处理或UV/O₃处理，优选等离子体处理。等离子体处理例如优选使用真空等离子体处理装置进行10秒以上处理，更优选30分钟以上，进一步优选1分钟以上。此外，优选30分钟以下，更优选10分钟以下，进一步优选5分钟以下。

第2高分子膜33和第3高分子膜41是比第1高分子膜14更大的膜。第2高分子膜33的面积优选为相对于第1高分子膜14的面积的1.1倍以上，更优选1.5倍以上，进一步优选2倍以上。此外，优选10倍以下，更优选8倍以下，进一步优选5倍以下。通过在上述范围内，易于制作后文所述的密闭空间70。第2高分子膜33的形状可以是覆盖无机基板12的整个面的形状，也可以是剜出无机基板12的中央部分区域的形状。第3高分子膜41的形状可以是第1高分子膜14的整个面的形状，也可以是剜出第1高分子膜14的中央部分区域的形状。

第2高分子膜33和第3高分子膜41没有特别限定，只要具有能维持在剥离第1高分子膜14时产生的压差的气密性和强度即可。不需要其有特别优异的气体阻隔性，只要氧气透过性在10000cc/m²·hr·atm·25μm(25℃、50％RH)以下就没有问题。此外，如果有一定程度的伸缩性，则容易追随剥离时的动作而适合。第2高分子膜33的材质没有特别限定，可列举聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚(2,6-萘二甲酸乙二醇酯)等共聚聚酯(例如，全芳香族聚酯、半芳香族聚酯)；以聚甲基丙烯酸甲酯为代表的共聚(甲基)丙烯酸酯；聚碳酸酯；聚酰胺；聚砜；聚醚砜；聚醚酮；醋酸纤维素；硝酸纤维素；芳香族聚酰胺；聚氯乙烯；多酚；聚芳酯；聚苯硫醚；聚苯醚；聚苯乙烯等膜。

第2高分子膜33以及第3高分子膜41可以与第1高分子膜14相同，也可以不同。第2高分子膜33以及第3高分子膜41只要满足上述物性，优选相对廉价、容易获得的制品。

电子器件是指包括功能元件、薄膜器件以及布线的概念的物质。电子器件优选厚度为10μm以上3mm以下的功能元件。更优选20μm以上2mm以下的功能元件，进一步优选50μm以上1mm以下的功能元件。功能元件是指半导体芯片等具有电子功能的元件。薄膜器件是指通过溅射或CVD等薄膜制作方法和图案化方法在表面上形成的器件。薄膜器件指在第1高分子膜14形成时，其表面凹凸高低差小于10μm的器件。可列举作为形成手段通过CVD、溅射形成薄膜，以及使镀覆等湿式膜、涂膜等形成图案，制为电阻或电容器等无源元件，晶体管或FET等有源元件，以及通过电路将其电其连接的器件。布线是指主要用于通过图案化的金属层进行电气连接的制品，并且连接功能元件和薄膜器件。

真空吸附板34(以下也称真空卡盘)是指：通过真空吸附固定层叠体10的板，以使层叠体10的第1高分子膜14的面与真空吸附板34接触的方式进行固定。真空吸附可以单独使用，也可以在真空吸附板34的表面涂布或贴合粘合剂而粘合固定。例如，如图12或图14所示，也可以真空吸附板34的表面层叠柔性支撑材料66，通过粘合和真空吸附两种方式固定。

保护膜是指：在第1高分子膜14的表面(与无机基板12反向一侧)层叠的粘合性膜，其为用于保护包括在第1高分子膜表面上制作的功能元件、薄膜器件以及布线的电子器件的膜。其中，第3高分子膜41也可以兼任保护膜。

保护膜优选以不接触第1高分子膜14上形成的电子器件的方式层叠在第1高分子膜14的外周部。此外，保护膜优选具有保持第1高分子膜的程度的粘合性。保护膜的材质可以与第1高分子膜14、第2高分子膜33、第3高分子膜41相同也可以不同。

限制板39为设置在第2高分子膜33的与无机基板12反向一侧上，限制无机基板12变形的板。限制板39优选不通过真空吸附、机械夹持机构、粘接或粘合使无机基板位移，而具有通过气体的压差限制无机基板12的位移的功能。此外，形状没有特别限定，可列举正方形、长方形、圆形等。限制板39优选与第2高分子膜33隔有0.5mm以上5mm以下间隔而设置。更优选的间隔是1mm以上4mm以下。

此外，虽然没有图示，但为了保护上述薄膜器件，优选以带有粘合层的保护膜等，仅覆盖主要部分或覆盖整个面。

上述硅烷偶联剂层具有物理或化学性地介于无机基板12和第1高分子膜14之间，使无机基板与第1高分子膜密合的作用。

本实施方式中所用的硅烷偶联剂没有特别限定，优选含有具有氨基的硅烷偶联剂。上述硅烷偶联剂的优选具体例可举出N-2-(氨乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-三乙氧基甲硅烷基-N-(1,3-二甲基亚丁基)丙胺、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、对苯乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(乙烯基苄基)-2-氨乙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷盐酸盐、3-脲丙基三乙氧基硅烷、3-氯丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、双(三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物、3-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷、三(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)异氰脲酸酯、氯甲基苯乙基三甲氧基硅烷、氯甲基三甲氧基硅烷、氨基苯基三甲氧基硅烷、氨基苯乙基三甲氧基硅烷、氨基苯基氨基甲基苯乙基三甲氧基硅烷等。

上述硅烷偶联剂除上述以外，还可以使用：正丙基三甲氧基硅烷、丁基三氯硅烷、2-氰乙基三乙氧基硅烷、环己基三氯硅烷、癸基三氯硅烷、二乙酰氧基二甲基硅烷、二乙氧基二甲基硅烷、二甲氧基二甲基硅烷、二甲氧基二苯基硅烷、二甲氧基甲基苯基硅烷、十二烷基氯硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、乙基三氯硅烷、己基三甲氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、正辛基三氯硅烷、正辛基三乙氧基硅烷、正辛基三甲氧基硅烷、三乙氧基乙基硅烷、三乙氧基甲基硅烷、三甲氧基甲基硅烷、三甲氧基苯基硅烷、戊基三乙氧基硅烷、戊基三氯硅烷、三乙酰氧基甲基硅烷、三氯己基硅烷、三氯甲基硅烷、三氯十八烷基硅烷、三氯丙基硅烷、三氯十四烷基硅烷、三甲氧基丙基硅烷、烯丙基三氯硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、二乙氧基甲基乙烯基硅烷、二甲氧基甲基乙烯基硅烷、三氯乙烯基硅烷、三乙氧基乙烯基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、三氯-2-氰乙基硅烷、二乙氧基(3-缩水甘油氧基丙基)甲基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基(二甲氧基)甲基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷等。

在上述硅烷偶联剂中，特别优选1个分子中具有1个硅原子的硅烷偶联剂，可举出例如，N-2-(氨乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-三乙氧基甲硅烷基-N-(1,3-二甲基亚丁基)丙胺、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、氨基苯基三甲氧基硅烷、氨基苯乙基三甲氧基硅烷、氨基苯基氨基甲基苯乙基三甲氧基硅烷等。当工艺中要求特别高的耐热性时，优选使用由芳香族基团连接Si与氨基而成的硅烷偶联剂。

上述偶联剂除上述以外，还可以使用1-巯基-2-丙醇、3-巯基丙酸甲酯、3-巯基-2-丁醇、3-巯基丙酸丁酯、3-(二甲氧基甲基甲硅烷基)-1-丙硫醇、4-(6-巯基己酰基)苄醇、11-氨基-1-十一烷硫醇、11-巯基十一烷基磷酸、11-巯基十一烷基三氟乙酸、2,2’-(乙二基双氧代)双乙硫醇、11-巯基十一烷基三(乙二醇)、(1-巯基十一烷基-11-基)四(乙二醇)、(1-(甲基羧基)十一烷基-11-基)六(乙二醇)、羟基十一烷基二硫化物、羧基十一烷基二硫化物、羟基十六烷基二硫化物、羧基十六烷基二硫化物、四(2-乙基己醇)钛、二辛氧基双(辛二醇)钛、三丁氧基单乙酰丙酮锆、单丁氧基乙酰丙酮双(乙酰乙酸乙酯)锆、三丁氧基单硬脂酸锆、乙酰烷氧基二异丙醇铝、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、2,3-丁二硫醇、1-丁硫醇、2-丁硫醇、环己硫醇、环戊硫醇、1-癸硫醇、1-十二烷基硫醇、3-巯基丙酸-2-乙基己酯、3-巯基丙酸乙酯、1-庚硫醇、1-十六烷基硫醇、己硫醇、异戊硫醇、异丁硫醇、3-巯基丙酸、3-巯基丙酸-3-甲氧基丁酯、2-甲基-1-丁硫醇、1-十八烷基硫醇、1-辛硫醇、1-十五烷基硫醇、1-戊硫醇、1-丙硫醇、1-十四烷基硫醇、1-十一烷基硫醇、1-(12-巯基十二烷基)咪唑、1-(11-巯基十一烷基)咪唑、1-(10-巯基癸基)咪唑、1-(16-巯基十六烷基)咪唑、1-(17-巯基十七烷基)咪唑、1-(15-巯基)十二烷酸、1-(11-巯基)十一烷酸、1-(10-巯基)癸酸等。

作为硅烷偶联剂的涂布方法(硅烷偶联剂层的形成方法)，可以使用将硅烷偶联剂溶液涂布在无机基板12上的方法或蒸镀法等。另外，硅烷偶联剂层的形成也可以在第1高分子膜14的表面进行。

硅烷偶联剂层的膜厚与无机基板12、第1高分子膜14等相比也极薄，其为从机械设计的观点来看可忽略程度的厚度，从原理上来说，只要是最低限度的单分子层级别的厚度就已足够。

在涂布硅烷偶联剂后，通过使无机基板12与第1高分子膜14密合的工序和加热工序，可以表现出层叠体的粘接力。使其密合的方法没有特别限定，有层压、压制等。密合和加热可以同时进行，也可以依次进行。加热方法没有特别限定，可以是放入烘箱、加热层压、加热压制等。

作为第1高分子膜14与无机基板12密合而成的层叠体10的制作方法，可以分别制作无机基板12和第1高分子膜14后使其密合，此时，也可以使用已知的硅烷偶联剂以外的易剥离的粘接剂、粘接片、粘合剂、粘合片进行粘贴。另外，此时，上述粘接剂、上述粘接片、上述粘合剂、上述粘合片可以先附着在无机基板12侧，也可以先附着在第1高分子膜14侧。另外，作为第1高分子膜14与无机基板12密合而成的层叠体的其他制作方法，也可以在无机基板12上涂布高分子膜形成用的清漆，使其干燥。此时，为了控制无机基板12与第1高分子膜14的剥离强度，也可以采用已知的易剥离清漆层(易剥离层)和主要清漆层(第1高分子膜14)的2层结构，或者主层(第1高分子膜14)和无机薄膜层的2层结构。

<工序B>

然后，作为用于剥离的预备工序，在第1实施方式中，通过真空吸附板34(以下也称真空卡盘)、第2高分子膜33合隔壁31设置密闭空间70(工序B1)。此外，在第4实施方式中，通过第2高分子膜33、第3高分子膜41和隔壁31设置密闭空间70(工序B2)。隔壁31设置在层叠体10的侧面。此外，如上所述，在第1实施方式中，以与层叠体10的第1高分子膜14的面接触的方式在真空吸附板34上进行设置固定。此外，在第4实施方式中，以经由第3高分子膜而与层叠体10的第1高分子膜14的面接触的方式在真空吸附板34上进行设置固定。另一方面，在层叠体10的无机基板12的面上层叠第2高分子膜33。层叠体10优选为层叠在第2高分子膜33的中央部位附近。通过层叠在中央部位附近，可以容易地将第2高分子膜33的端部(未层叠层叠体10的位置)与隔壁31贴合。将层叠体10与第2高分子膜33贴合的方法没有特别限定，可列举使用双面胶带贴合的方法，事先在第2高分子膜33上准备胶层并通过胶层贴合的方法，此外，还有介由粘接剂贴合的方法。在工序C中，只要有在剥离第1高分子膜14时不剥离的强度的密合，则用任意方法都可以。此外粘接方式可通过组合感压式、加热固化、光固化等既有的方式而实现。此外，与既有的基板清洗工艺组合，对粘合力的稳定化也是有效的。设置在层叠体10的侧面上的隔壁31优选不与隔壁31接触。为了确保密闭空间70的适当容量，优选层叠体10的侧面与隔壁31的距离为1mm以上，更优选为5mm以上，进一步优选10mm以上。此外，优选200mm以下，更优选100mm以下，进一步优选50mm以下。在上述范围内时，密闭空间70有适合的容量，即使从空气喷嘴45(以下也单称喷嘴)注入气体加压，压力也不会向外部泄露，因而第1高分子膜14变得容易剥离。即，在第1实施方式中，密闭空间70可以说是层叠体10被真空吸附板34、第2高分子膜33以及隔壁31包围而成的空间。此外，第4实施方式中，密闭空间70可以说是层叠体10被第2高分子膜33、第3高分子膜41以及隔壁31包围起来的空间。将限制板39设置在规定位置，将喷嘴设置在装置上，根据情况在层叠体10的端部形成高分子膜14和无机基板12间的剥离部分18。

由于利用第2高分子膜33的存在，可简单地制造封闭来自喷嘴45空气的空间，因此不必使隔壁31和无机基板12的距离变窄从而制造封闭空气的空间，在提高剥离成功率的同时提高设置的自由度。

在第4实施方式中，通过存在第3高分子膜41，更容易防止真空吸附板34与第1高分子膜14的缝隙间的真空泄露，可维持第1高分子膜14的保持力。由此，更容易防止无机基板12位移(剥离)时，第1高分子膜14从真空吸附板34(第3高分子膜41)上剥离。

隔壁31优选由柔性材料构成。具体而言，可列举O型圈、垫片(packing)等橡胶材料或弹性体等材料。此外，也可以是这些的混合材料。进而，为以机械代替地实现柔性，也可以是波纹管或者气缸(cylinder)。

在工序B中，第1实施方式中的第2高分子膜33的与无机基板12反向一侧优选设置限制板39。通过设置限制板39，可限制第1高分子膜14剥离后无机基板12的变形。限制板39优选与第2高分子膜33隔有0.5mm以上5mm以下的间隔设置，更优选1mm以上4mm以下。通过在上述范围内，可防止剥离后无机基板12破损。在第2实施方式中，限制板39优选与无机基板12接触。

进而，优选设置用于注入气体的喷嘴45。只要密闭空间70的压力不泄露，喷嘴45的设置方法就没有特别限定。例如，可以在隔壁31上开孔设置，也可以设置在隔壁31与第2高分子膜33贴合的空隙。喷嘴45的前端优选设置在第1高分子膜14与无机基板12的层叠面(界面)附近。通过设置在层叠面(界面)附近，第1高分子膜14变得容易剥离。

第1高分子膜14与无机基板12之间优选预先设置剥离部分18。剥离部分18优选是层叠体10端部的层叠面(界面)。然而，根据膜端的品质不同，可能不特别制作剥离部分18也可进行剥离。设置剥离部分18的方法没有特别限定，可采取用镊子等从端部卷起的方法，在第1高分子膜14上形成切口，在切口部分的1边粘合胶带后从胶带的部分卷起的方法，对第1高分子膜14的切口部分的1边真空吸附后从该部分卷起的方法等。

作为高分子膜14上形成切口的方法，有通过刀具等切削工具切断第1高分子膜14的方法；通过使激光与层叠体10相对地进行扫描来切断第1高分子膜14的方法；通过使水刀与层叠体10相对地进行扫描来切断第1高分子膜14的方法；通过半导体芯片的切割装置一边稍稍切入玻璃层的同时切断第1高分子膜14的方法等，但方法没有特别限定。例如，在采用上述方法时，也可以适当采用切削工具叠加超声波、添加往复动作或上下动作等来提高切削性能等的方法。

另外，虽然未图示，但为了维持剥离状态以使剥离部分18不会再次密合，也可以将没有粘合性、粘接性的膜或片夹在剥离部分18上。另外，也可以将单面具有粘合性、粘接性的膜或片夹在剥离部分18上。另外，也可以将金属部件(例如，针)夹在剥离部分18上。

<工序C>

工序C是剥离高分子膜14的工序。第1实施方式中，通过上述工序B1，在真空吸附板34上设置层叠体10的第1高分子膜14，并通过真空吸附和/或粘合固定，上述层叠体10的侧面设置有隔壁31。此外，第4实施方式中，通过上述工序B2，层叠体10的第1高分子膜14经由第3高分子膜41设置在在真空吸附板34上，并通过真空吸附和/或粘合固定，上述层叠体10的侧面设置有隔壁31。基于此状态，优选向上述剥离部分18通过喷嘴45注入气体，施加压力，以此使上述第1高分子膜14保持为大致平面地从上述无机基板12剥离(工序C)。

气体没有特别限定，可使用空气、氮气、氦气、氖气、氩气等。这些气体可以是干燥的气体，也可以通过含有水分而不仅能防止静电还容易剥离。

优选通过向剥离部分18注入气体，使密闭空间70的压力比第2高分子膜33的与层叠体10反向一侧的空间(密闭空间70的外侧)压力高0.03个大气压以上。从第1高分子膜14变得容易剥离的观点出发，更优选高0.1个大气压以上，进一步优选高0.2个大气压以上，特别优选高0.3个大气压以上。此外，从防止剥离后的无机基板12破损的观点出发，优选10个大气压以下，更优选5个大气压以下。

优选不使无机基板12大幅弯曲。上述大致平面指：上述弯曲的最小曲率半径优选为350mm以上。由于能够减小无机基板12的负荷，因此更优选为500mm以上，进一步优选为800mm以上。另外，因会在剥离时的瞬间变形中产生较大的变形，因此优选为2000mm以下，更优选为1800mm以下。

以下对工序C的具体示例进行说明。

[第1实施方式]

第1实施方式中，由于无机基板12与真空吸附板34基本上平行且有一定间隔，因而无机基板12的变形虽然被限制，但在该间隔内具有任意性。

图2-1～2-3是第1实施方式的剥离装置的截面示意图。图2-1(1)～图2-1(4)是第1实施方式的剥离装置的截面示意图。图2-1(1)、图2-1(2)是剥离装置的设置中途的截面示意图。图2-1(3)是即将从空气喷嘴45注入气体前的截面示意图。此外，图2-1(4)是从空气喷嘴45注入气体并进行剥离后的截面示意图。图2-2、图2-3是结构有若干不同的剥离装置的截面示意图。如这些图所示，第1实施方式中的剥离装置20、21、22具备隔壁31、第2高分子膜33、空气喷嘴45、真空卡盘34、以及大致平板状的限制板39。此外，根据装置构成，有时也会使用第2高分子膜固定用具37。

真空卡盘34能够吸附并保持住层叠体10，能够在吸附层叠体10的状态下进行剥离。由于层叠体10的第1高分子膜14侧(即14a)吸附在真空卡盘34上，所以通过从空气喷嘴45对高分子膜14与无机基板12的剥离部分18施加压力，能够将高分子膜14保持在大致平面的状态下从无机基板12剥离。由于剥离时层叠体10的无机基板12侧(即12a面)上层叠(贴附)有第2高分子膜33，仅在以该第2高分子膜33和隔壁31、真空吸附板34形成的空间(密闭空间70)中供给来自空气喷嘴45的气体，而第2高分子膜33的与无机基板12反向一侧(密闭空间70的外侧)没有该气体压力供给，因而即使开始第1高分子膜14与无机基板12的剥离也能维持压力差。此外，空气喷嘴45相当于本发明的压力形成手段。剥离进行时，由于第1高分子膜14吸附于真空吸附板34上而为大致平面状，无机基板12则发生位移。此时若无机基板12能完全自由运动，则会发生强烈弯曲导致无机基板12破裂或飞到意想不到的位置。为防止这种情况设置了限制板39，但在第1实施方式中，无机基板12与限制板39是有一定间隔且大致平行的。因此，可以限制无机基板12的变形。

首先，剥离装置20、21、22中，无机基板12上层叠第2高分子膜33(贴合)后，将第2高分子膜33的端部设置在隔壁31上(图2-1(1))。此时，在剥离装置21中，设置在隔壁31以及多孔柔性体52上。然后层叠体10的第1高分子膜14侧通过真空卡盘34吸附并固定(图2-1(2))。接着，在剥离装置20、21、22中，将限制板39按压在隔壁31上。

然后，在剥离装置20、21、22中，从贯通隔壁31的空气喷嘴45导入气体，以使其向无机基板12和第1高分子薄膜14之间(剥离部分18)的剥离扩大的方向位移。此外，在层叠体10的无机基板12侧设置有与无机基板12平行且不与无机基板12接触的作为大致平板的限制板39。具体而言，在第1高分子薄膜14下的真空卡盘34上制作未图示的切口，通过从该端导入吹气喷嘴45，使无机基板12的变形变得容易。

然后，在剥离装置20、21、22中，优选使与第2高分子膜33的无机基板12不密合的非密合面侧(密闭空间70的外侧)的压力低于大气压或密闭空间70，另一方面，从空气喷嘴45注入气体进行剥离。此处，在样品尺寸较大时，空气喷嘴45也可以适当移动。为了使上述非密合面(密闭空间70的外侧)为低压，虽然在图2-1～图2-3中没有图示，但可使用真空卡盘30。

然后，第1高分子膜14整体保持大致平面地从无机基板12上剥离。此时，由于第1高分子膜14总是由真空卡盘34保持，因而不会发生弯曲、变形。大致平面指：并非仅为完全平面，优选JISB0621(1984)中的平面度为1000μm以下，更优选为500μm以下，进一步优选为100μm以下。此外，1mm²范围的与平面的偏离优选10μm以下，更优选3μm以下，进一步优选0.5μm以下。

此处的低压指：低于从气体喷嘴45供给的气体的压力的压力，其指真空或减压的状态，或连通大气的状态。在从气体喷嘴45供给的气体的压力足够高时，其也包括将一定的加压状态压力控制为固定水平的状态。

高压指：根据从气体喷嘴45供给的气体的压力而在剥离部分18中产生的压力。

隔壁31设置在上述层叠体10的侧面。隔壁31指：用于分离密闭空间70的内侧和外侧的壁，其防止从空气喷嘴45供给的气体的压力泄露到密闭空间70外侧。此处，侧面指与层叠体10的厚度方向平行的位置。此外，通过隔壁31存在于层叠体10的侧面，在向剥离部分18注入气体时，可大致维持密闭空间70的内侧和外侧的压差。进而，可仅限制上述无机基板12的运动使其仅在上述第1高分子膜14的远离方向。远离方向的运动指：剥离时在相对于第1高分子膜14平面大致垂直方向上，无机基板12与第1高分子膜14的距离增大的运动。高压和低压通过隔壁的存在而被分隔开。

[第2实施方式]

第2实施方式中，为了防止无机基板12弯曲到规定曲率以上而破损，采用气体压力将其按压在大曲率的限制板39上。

图3-1、3-2是第2实施方式的剥离装置的变形例的截面示意图。如图3-1、3-2所示，相对于上述说明的剥离装置20、21、22装置的限制板为平面，第2实施方式的剥离装置23、24中，设置具有规定曲率的限制板35和平面的限制板39。由此，相比剥离的无机基板12的边缘，可以向无机基板12的剥离部分18导入高压的气体。此时，由于12a侧介由第2高分子膜33，被限制板35和39限制，高压气体无法进入。由此，通过维持剥离部分18和无机基板的非密合面12a的压差，可实现剥离。通过使无机基板12沿着限制板35，可机械限制无机基板12不能弯曲至超出最小曲率半径。

[第3实施方式]

第3实施方式中，无机基板12通过气体压力被按压在限制板39上，限制板39由于采用用于限制曲率的举动，因而不能以规定曲率以下的曲率弯曲。

图4-1、4-2是第3实施方式的剥离装置的变形例的截面示意图。如图4-1、4-2所示，相对于上述说明的剥离装置20、21、22装置的限制板固定为平面，第3实施方式的剥离装置25、26中，设置有能够根据剥离的进展而改变位置和角度的限制板47。由此，相比剥离的无机基板12的边缘，可以向无机基板12的剥离部分18导入高压的气体。此时，由于12a侧介由第2高分子膜，被限制板47限制，高压气体无法进入。由此，通过维持剥离部分18和无机基板的非密合面12a的压差，可实现剥离。通过使无机基板12沿着限制板47，控制限制板47的位置和角度，可有控制地限制无机基板12不能弯曲至超出最小曲率半径弯曲。

[第4实施方式]

第4实施方式是第1实施方式中的层叠体10的第1高分子膜14面上层叠有第3高分子膜41的形态。即，真空卡盘34可经由第3高分子膜41吸附并保持层叠体10，可在吸附层叠体10的状态下进行剥离。

图5-1～5-3是第4实施方式的剥离装置的变形例的截面示意图，图5-1(1)～图5-3分别对应第1实施方式中的图2-1(1)～图2-3。

[第5实施方式]

第5实施方式是第2实施方式中的层叠体10的第1高分子膜14面上层叠有第3高分子膜41的形态。

图6-1、6-2是第5实施方式的剥离装置的变形例的截面示意图，对应第2实施方式中的图3-1、3-2。

[第6实施方式]

第6实施方式是第3实施方式中的层叠体10的第1高分子膜14面上层叠有第3高分子膜41的形态。

图7-1、7-2是第6实施方式的剥离装置的变形例的截面示意图，对应第3实施方式中的图4-1、4-2。

对从带有功能元件的层叠体11剥离带有功能元件16的高分子膜14的情况进行说明。

此外，优选在上述工序C之前，预先在第1高分子膜14的与无机基板12反向一侧配置形状为功能元件形状反转的嵌入用真空卡盘和/或隔壁。

图12是第1实施方式中的剥离装置的截面示意图。虽然以此进行说明，但在第2实施方式～第6实施方式中也可以进行带功能元件的层叠体11的剥离。如图12所示，第1实施方式中的剥离装置50具备隔壁31、第2高分子膜33、空气喷嘴45、真空卡盘34、嵌入用真空卡盘64以及限制板39。此外，此图中还包括柔性支撑材料66。存在其的情况下，更不易发生真空泄露，因而更优。

在第1实施方式的项目中已经对隔壁31、第2高分子膜33、空气喷嘴45、以及真空卡盘34进行了说明，因而此处省略说明。

嵌入用真空卡盘64配置于真空卡盘34上，在其与真空卡盘34反向一侧上配置有带功能元件的层叠体11时，能保持第1高分子膜14。图12中虽然与第1高分子膜14接触，但也可以位于第1高分子膜14的外侧。嵌入用真空卡盘64只要是多孔质且具有柔性的材料就没有特别限定，例如可列举将塑料烧结多孔体或金属多孔烧结体或多孔陶瓷烧结体加工成嵌入功能元件的形状。

首先，剥离装置50通过嵌入用真空卡盘64吸附带有功能元件的层叠体11的第1高分子膜14侧，使其位于真空卡盘34的上方。此时，使层叠体11的功能元件16的位置为位于嵌入用真空卡盘64的开口。

然后，剥离装置50中，空气喷嘴45贯通隔壁31。接着，从空气喷嘴45导入气体，使其向无机基板12和第1高分子膜14之间的剥离部分18扩大的方向位移。进而使层叠体10的无机基板12侧与无机基板12平行，并设置于无机基板12不接触的限制板39。具体而言，通过在第1高分子膜14之下的真空卡盘64上制造未图示的切口，或从其端部导入空气喷嘴45，可使第1高分子膜14的形变变得容易。优选不使无机基板12弯曲太多。

然后，在保持第1高分子膜14的整体大致平面地从无机基板12剥离。

在剥离装置50中，由于在嵌入用真空卡盘64中嵌入功能元件16的状态下施加压力，将第1高分子膜14从无机基板12剥离，可抑制在功能元件16所在的位置处向第1高分子膜14施加过度负荷。此外，嵌入部件虽然有一定柔性，但保持平面，因而第1高分子膜14也保持大致平面地剥离。这也可抑制向第1高分子膜14施加过度负荷。

此外，空气喷嘴45相当于本发明的压力形成手段。

通过设置隔壁31以使其包围喷嘴45部分，将第2高分子膜33固定于无机基板12，可密闭剥离部分18，从而可高效地设置密闭空间70的内侧和外侧的压差。

通过上述工序C剥离的带有功能元件16的高分子膜14可作为电子器件，特别是柔性电子器件使用。即，包括上述工序A、上述工序B以及上述工序C的方法也是电子器件的制造方法。

第1～第3实施方式中，无机基板12与第2高分子膜33的剥离强度F2、无机基板12与第1高分子膜14的剥离强度F1优选满足以下关系：

2×F1<F2。

更优选满足2.5×F1<F2，进一步优选满足3×F1<F2。此外，优选满足10×F1>F2，更优选8×F1>F2。通过满足上述关系，第1高分子膜变得容易剥离。

第4～第6实施方式中，无机基板12与第2高分子膜33的剥离强度F2、无机基板12与第1高分子膜14的剥离强度F1，以及第1高分子膜14和第3高分子膜41的剥离强度F3满足以下关系：

2×F1<F2，且2×F1<F3。

更优选满足2.5×F1<F2且2.5×F1<F3，进一步优选满足3×F1<F2且3×F1<F3。此外，优选10×F1>F2且10×F1>F3，更优选8×F1>F2且8×F1>F3。通过满足上述关系，第1高分子膜变得容易剥离。

以上对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限定于上述示例，可在满足本发明的构成的范围内适宜变更设计。

【实施例】

剥离强度测定方法

层叠体的无机基板与第1高分子膜(聚酰亚胺膜)间的密合强度(180度剥离强度)根据JIS C6471(1995)中记载的180度剥离方法，在下述条件下测定。

仪器名： 岛津制作所公司制的“Autograph(注册商标)AG-IS”

测定温度： 室温

剥离速度： 50mm/分钟

氛围气： 大气

测定样品宽度：10mm

合成例1

对具备氮气导入管、温度计、搅拌棒的反应容器内进行氮气置换后，在上述反应容器内加入223质量份的5-氨基-2-(对氨基苯基)苯并恶唑(DAMBO)、4416质量份的N,N-二甲基乙酰胺并使其完全溶解。然后，加入217质量份的均苯四酸二酐(PMDA)，并加入胶态二氧化硅分散体(日产化学公司制，产品名：DMAc-ST-ZL)，使二氧化硅(润滑剂)为相对于聚酰胺酸溶液中的聚合物固定成分总量的0.12质量％，在25℃的反应温度下搅拌24小时，得到粘稠的聚酰胺酸溶液A。

膜制作例1

在使用逗号涂布机，在宽1050mm的长条状聚酯膜(东洋纺株式会社制的“A-4100”)的平滑面(无润滑剂面)上，涂布上述得到的聚酰胺酸溶液A，使最终膜厚(酰亚胺化后的膜厚)为约5μm，然后使用狭缝口模(slit die)涂布聚酰胺酸溶液A，使最终膜厚(包括聚酰亚胺酸溶液A的厚度)为38μm，在105℃干燥25分钟后，从聚酯膜上剥离，得到宽920mm的自支撑性聚酰胺酸膜。

然后，通过针板拉幅机(pin tenter)将得到的自支撑性聚酰胺酸膜在180℃～495℃的温度范围内阶段性升温，以此进行热处理使其酰亚胺化。具体而言，按第1阶段180℃5分钟，第2阶段220℃5分钟，第3阶段495℃10分钟进行热处理。然后，将两端的针把持部分用分切切除，得到宽850mm的长条状聚酰亚胺膜(1000m卷材)。实际得到的聚酰亚胺薄膜的厚度为36μm。将其作为聚酰亚胺膜1。

层叠体制作例1

无机基板使用370mm×470mm、厚0.5mm的液晶用玻璃(日本电气硝子制的OA11)，通过旋涂(spin coat)法进行硅烷偶联剂处理。

然后裁剪成360mm×460mm，以等离子体处理后的聚酰亚胺膜1的等离子体处理面与无机基板的硅烷偶联剂处理面重叠的方式，使用层压机(CLIMB PRODUCTS公司制的SE650nH)进行临时层压。等离子体处理使用批量式等离子体装置进行2分钟处理。层压条件为：无机基板侧温度100℃，层压时的辊压力5kg/cm²，辊速度5mm/秒。临时层压后的聚酰亚胺膜1不能靠膜自重剥离，但具有刮擦膜端部后即可容易剥离的程度的粘接性。然后，将得到的临时层压层叠基板放入洁净烘箱中，在200℃加热30分钟后，放置冷却至室温，得到高分子膜层叠体。之后可适当剪裁，用于后续实验。将其作为层叠体样品1。

层叠体制作例2

层叠体制作例2除等离子体处理时间为层叠体制作例1的1/10以外，都以与层叠体制作例1相同的方法制作。将其作为层叠体样品2。

实施例1～5

使用在层叠体制作例中制作的层叠体样品1和2的100×100mm样品，进行剥离实验。玻璃的上表面与限制板的间隔为2.5mm。此外，在层叠体样品1中F1(无机基板与第1高分子膜的剥离强度)为2.1N/cm、层叠体样品2中为0.13N/cm下进行实验。层叠体样品1中使用F2(无机基板与第2高分子膜的剥离强度)为5.4N/cm的胶带，在层叠体样品2中为2.1N/cm的胶带进行实验。剥离装置使用图2-1，第2高分子膜使用PET膜，喷嘴的导入压力为0.01MPa、0.02MPa、0.05MPa、0.10MPa、0.15MPa条件下进行剥离实验。结果如表1所示。〇表示可整面剥离，玻璃没有破裂的情况。△表示虽然能剥离，但一部分玻璃有破损的情况。×表示不能整面剥离的情况。

实施例6～9

使用在层叠体制作例中制作的层叠体样品1和2的100×100mm样品，进行剥离实验。剥离装置使用图2-2，喷嘴的导入压力为0.1MPa。此外，在层叠体样品1中F1(无机基板与第1高分子膜的剥离强度)为2.1N/cm、层叠体样品2中为0.13N/cm下进行实验。层叠体样品1中使用F2(无机基板与第2高分子膜的剥离强度)为5.4N/cm的胶带，在层叠体样品2中为2.1N/cm的胶带进行实验。玻璃上表面与限制板的间隔变更为0.5mm、1.0mm、3.0mm、5.0mm进行剥离实验。结果如表2所示。〇表示整面剥离，玻璃没有破裂的情况。△表示虽然能剥离，但一部分玻璃有破损或玻璃有破裂的情况。×表示不能整面剥离的情况。

实施例10～13

使用在层叠体制作例中制作的层叠体样品1和2的100×100mm样品，进行剥离实验。实施例10～12是层叠体样品1，实施例13是层叠体样品2。此时喷嘴施加的压力为0.1MPa，限制板与玻璃间的距离为2.5mm。剥离装置使用图2-2，为使第2高分子膜与玻璃贴合，使用不同的双面胶带，按表3变更剥离强度进行剥离实验。结果如表3所示。〇表示整面剥离，玻璃没有破裂的情况。×表示不能整面剥离的情况。△表示虽然能剥离，但一部分第2高分子膜从玻璃上剥离的情况。

实施例14～18

使用在层叠体制作例中制作的层叠体样品1和2的100×100mm样品，进行剥离实验。玻璃上表面与限制板间的距离为2.5mm。此外，在层叠体样品1中F1(无机基板与第1高分子膜的剥离强度)为2.1N/cm、层叠体样品2中为0.13N/cm下进行实验。层叠体样品1中使用F2(无机基板与第2高分子膜的剥离强度)、F3(第1高分子膜与第3高分子膜的剥离强度)为5.4N/cm的胶带，在层叠体样品2中为2.1N/cm的胶带进行实验。剥离装置使用图5-1，第2高分子膜和第3高分子膜使用PET膜，喷嘴的导入压力为0.01MPa、0.02MPa、0.05MPa、0.10MPa、0.15MPa条件下进行剥离实验。结果如表4所示。〇表示整面剥离，玻璃没有破裂的情况。△表示虽然能剥离，但一部分玻璃有破损的情况。×表示不能整面剥离的情况。

实施例19～22

使用在层叠体制作例中制作的层叠体样品1和2的100×100mm样品，进行剥离实验。剥离装置使用图5-2，喷嘴的导入压力为0.1MPa。此外，在层叠体样品1中F1(无机基板与第1高分子膜的剥离强度)为0.9N/cm、层叠体样品2中为0.13N/cm下进行实验。层叠体样品1中使用F2(无机基板与第2高分子膜的剥离强度)、F3(第1高分子膜与第3高分子膜的剥离强度)为5.4N/cm的胶带，在层叠体样品2中为2.1N/cm的胶带进行实验。玻璃上表面与限制板的间隔变更为0.5mm、1.0mm、3.0mm、5.0mm进行剥离实验。结果如表5所示。〇表示整面剥离，玻璃没有破裂的情况。△表示虽然能剥离，但一部分玻璃有破损，或者玻璃有破裂的情况。×表示不能整面剥离的情况。

实施例23～26

使用在层叠体制作例中制作的层叠体样品1和2的100×100mm样品，进行剥离实验。实施例23～25是层叠体样品1，实施例26是层叠体样品2。此时喷嘴施加的压力为0.1MPa，限制板与玻璃间的距离为2.5mm。剥离装置使用图5-2，为使第2高分子膜与玻璃、以及第1高分子膜与第3高分子膜贴合，使用不同的双面胶带，按表6变更剥离强度进行剥离实验。结果如表6所示。〇表示整面剥离，玻璃没有破裂的情况。×表示不能整面剥离的情况。△表示虽然能剥离，但一部分第2高分子膜从玻璃上剥离的情况。

比较例1～4

使用在层叠体制作例中制作的层叠体样品1和2的100×100mm样品，进行剥离实验。比较例1和2是与实施例12在相同条件下制作的层叠体，比较例3和4是与实施例25在相同条件下制作的层叠体。此时喷嘴施加的压力为0.1MPa，限制板与玻璃间的距离为2.5mm。比较例1和2的剥离装置使用图2-2，比较例3和4使用图5-2。此外，比较例1是不使用第2高分子膜的示例(无剥离强度F2)，比较例3是不使用第2和第3高分子膜的示例(无剥离强度F2)，比较例2、4是不使用隔壁的示例。结果如表7所示。〇表示整面剥离，玻璃没有破裂的情况。△表示虽然能剥离，但一部分第2高分子膜从玻璃上剥离的情况。×表示不能整面剥离的情况。

【表1】

【表2】

	间隔(mm)	层叠体样品1	层叠体样品2
				实施例6	0.5	〇	△
实施例7	1.0	〇	〇
				实施例8	3.0	〇	△
实施例9	5.0	△	△

【表3】

【表4】

【表5】

	间隔(mm)	层叠体样品1	层叠体样品2
				实施例19	0.5	〇	△
实施例20	1.0	〇	〇
				实施例21	3.0	〇	△
实施例22	5.0	△	△

【表6】

【表7】

【产业上的可利用性】

如上所述，本发明的剥离方法、剥离技术可广泛应用于在通过第1高分子膜(聚酰亚胺膜)和无机基板(玻璃基板)的层叠体制造的显示装置、电子电路装置、柔性印刷电路板、卷带自动键合(tape-automated bonding)基板、薄膜覆晶封装(chip on filmpackage)、面板级封装(panel level package)、扇出型封装(fan-out package)、扇出型面板级封装(fan-out panel level package)等制造工序中，无机基板与第1高分子膜剥离的情况，对产业界的贡献极大。

Claims (15)

1.一种第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，包括：

工序A，准备第1高分子膜与无机基板密合而成的层叠体，所述第1高分子膜上形成有电子器件，

工序B1，以所述层叠体的所述第1高分子膜面与真空吸附板接触的方式设置并固定，在所述层叠体的侧面设有隔壁，在所述层叠体的所述无机基板面上层叠比所述无机基板更大的第2高分子膜，通过所述真空吸附板、所述第2高分子膜和所述隔壁设有密闭空间，

以及，工序C，在所述层叠体的所述第1高分子膜与所述无机基板之间，设有剥离部分，通过向所述剥离部分注入气体，将所述第1高分子膜保持大致平面地剥离。

2.一种第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，包括：

工序A，准备第1高分子膜与无机基板密合而成的层叠体，所述第1高分子膜上形成有电子器件，

工序B2，在所述层叠体的所述第1高分子膜面上层叠比所述第1高分子膜更大的第3高分子膜，以所述第3高分子膜与真空吸附板接触的方式设置并固定，在所述层叠体的侧面设有隔壁，在所述层叠体的所述无机基板面上层叠比所述无机基板更大的第2高分子膜，通过所述第2高分子膜、所述第3高分子膜和所述隔壁设有密闭空间，

以及，工序C，在所述层叠体的所述第1高分子膜与所述无机基板之间设有剥离部分，通过向所述剥离部分注入气体，将所述第1高分子膜保持大致平面地剥离。

3.根据权利要求1或2所述的第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述工序C通过向所述剥离部分注入气体，使所述密闭空间内的压力上升到比所述密闭空间外的压力高0.02个大气压以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述真空吸附板的表面层叠有粘合性保护膜。

5.根据权利要求4所述的第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述层叠体在真空吸附板上的固定为真空吸附或粘合，或者，真空吸附和粘合两者。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述电子器件为厚度10μm以上3mm以下的功能元件。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，在所述工序C之前，在所述第1高分子膜的与所述无机基板反向一侧上，配置形状为所述功能元件形状的反转形状的嵌入用真空卡盘和/或间隔物。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，在所述第2高分子膜的与所述无机基板反向一侧上，设置限制所述无机基板变形的限制板，所述限制板与所述第2高分子膜的间隔为0.5mm以上5mm以下。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，在所述第2高分子膜的与所述无机基板反向一侧上，设置限制所述无机基板变形的限制板，所述限制板与所述第2高分子膜接触。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述无机基板与所述第2高分子膜的剥离强度F2、所述无机基板与所述第1高分子膜的剥离强度F1满足下述关系：

2×F1<F2。

11.根据权利要求2～9中任一项所述的第1高分子膜的剥离方法，其特征在于，所述无机基板与所述第2高分子膜的剥离强度F2、所述第1高分子膜与所述第3高分子膜的剥离强度F3、所述无机基板与所述第1高分子膜的剥离强度F1满足下列关系：

2×F1<F2，以及，2×F1<F3。

12.一种带有电子器件的高分子膜的制造方法，其特征在于，包括：

工序A，准备第1高分子膜与无机基板密合而成的层叠体，所述第1高分子膜上形成有电子器件，

工序B1，以所述层叠体的所述第1高分子膜面与真空吸附板接触的方式设置并固定，在所述层叠体的侧面设有隔壁，在所述层叠体的所述无机基板面上层叠比所述无机基板更大的第2高分子膜，通过所述真空吸附板、所述第2高分子膜和所述隔壁设有密闭空间，

以及，工序C，通过在所述层叠体的所述第1高分子膜与所述无机基板之间注入气体，使所述第1高分子膜保持大致平面地剥离。

13.一种带有电子器件的高分子膜的制造方法，其特征在于，包括：

工序A，准备第1高分子膜与无机基板密合而成的层叠体，所述第1高分子膜上形成有电子器件，

工序B2，在所述层叠体的所述第1高分子膜面上层叠比所述第1高分子膜更大的第3高分子膜，以所述第3高分子膜与真空吸附板接触的方式设置并固定，在所述层叠体的侧面设有隔壁，在所述层叠体的所述无机基板面上层叠比所述无机基板更大的第2高分子膜，通过所述第2高分子膜、所述第3高分子膜和所述隔壁设有密闭空间，

以及，工序C，通过在所述层叠体的所述第1高分子膜与所述无机基板之间注入气体，使所述第1高分子膜保持大致平面地剥离。

14.一种剥离装置，其特征在于，其为在形成有电子器件的第1高分子膜与无机基板密合而成的层叠体中，从所述无机基板上剥离所述第1高分子膜的剥离装置，其具备：

向设置于在所述层叠体端部的、所述第1高分子膜与所述无机基板之间的剥离部分施加压力的压力施加机构，

在所述层叠体的所述第1高分子膜面上设置真空吸附板、在侧面设置隔壁、以及在所述无机基板面上设置比所述无机基板更大的第2高分子膜，从而设有密闭空间的机构，

以及，在剥离中将所述第1高分子膜固定为大致平面的机构。

15.一种剥离装置，其特征在于，其为在形成有电子器件的第1高分子膜与无机基板密合而成的层叠体中，从所述无机基板上剥离所述第1高分子膜的剥离装置，且具备：

向设置在所述层叠体端部的、所述第1高分子膜与所述无机基板之间的剥离部分施加压力的压力施加机构，

在所述层叠体的所述第1高分子膜面上设置比所述第1高分子膜更大的第3高分子膜、在侧面设置隔壁、以及在所述无机基板面上设置比所述无机基板更大的第2高分子膜，从而设有密闭空间的机构，

以及，在剥离中将所述第1高分子膜固定为大致平面的机构。