CN115295561A - 一种显示面板、显示装置及制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种显示面板、显示装置及制作方法。该显示面板包括：依次层叠设置的衬底、金属掩膜层、驱动电路层以及发光元件阵列；发光元件阵列包括阵列排布的多个发光元件；金属掩膜层设置有多个第一开口；第一开口在衬底上的垂直投影位于相邻的发光元件之间；发光元件包括背离驱动电路层一侧依次设置的第一电极、发光层以及第二电极；发光元件还包括公共辅助层；公共辅助层具有多个第二开口；第二开口在衬底上的垂直投影与第一开口在衬底上的垂直投影交叠。本发明实施例提供的技术方案可以避免发光元件之间的横向漏流，改善发光元件由于偷亮造成的显示不良的问题。
Description
本申请为申请日为2020年08月24日、申请号为202010858428.5、发明创造名称为“一种显示面板、显示装置及制作方法”的分案申请。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置及制作方法。
背景技术
随着显示技术的发展，有机发光显示面板(Organic Light Emitting Diode，OLED)凭借其功耗低、响应速度快、分辨率高等优点已经成为主流的显示面板之一。
目前，OLED中的发光元件通常包括发光层和公共辅助层(示例性的，电子传输层、空穴传输层等)，各个发光元件的发光层彼此独立，公共辅助层相互连接。但是，由于公共层的拉电子特性，会造成发光元件与发光元件之间的横向漏流，该横向漏流会导致发光元件偷亮现象，造成颜色的串扰，示例性的，显示红色画面或者蓝色画面时，绿色发光元件也处于微弱的发光状态，影响显示效果。
发明内容
本发明提供一种显示面板、显示装置及制作方法，以实现避免发光元件之间的横向漏流，改善发光元件由于偷亮造成的显示不良的问题，提高显示效果。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：
依次层叠设置的衬底、金属掩膜层、驱动电路层以及发光元件阵列；所述发光元件阵列包括阵列排布的多个发光元件；
所述金属掩膜层设置有多个第一开口；
所述第一开口在所述衬底上的垂直投影位于相邻的所述发光元件之间；
所述发光元件包括背离所述驱动电路层一侧依次设置的第一电极、发光层以及第二电极；所述发光元件还包括公共辅助层；
所述公共辅助层具有多个第二开口；所述第二开口在所述衬底上的垂直投影与所述第一开口在所述衬底上的垂直投影交叠。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明任意实施例所述的显示面板。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，该方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成金属掩膜层，在所述金属掩膜层上设置有多个第一开口；
在所述金属掩膜层上依次形成驱动电路层以及发光元件阵列；所述发光元件阵列包括阵列排布的多个发光元件；所述第一开口在所述衬底上的垂直投影位于相邻的所述发光元件之间；所述发光元件包括背离所述驱动电路层一侧依次设置的第一电极、发光层以及第二电极；所述发光元件还包括公共辅助层；
在所述衬底背离所述金属掩膜层的一侧进行激光照射处理，通过所述金属掩膜层的遮挡，对所述第一开口对应的所述公共辅助层进行激光照射，在所述公共辅助层上形成第二开口，所述第二开口在所述衬底上的垂直投影与所述第一开口在所述衬底上的垂直投影交叠。
本发明实施例提供的显示面板，通过设置具有第一开口的金属掩膜层，并以该掩膜层为掩膜版对公共辅助层进行图案化，使得公共辅助层上具有多个第二开口，由于，第一开口在衬底上的垂直投影位于相邻的发光元件之间，且第二开口在衬底上的垂直投影与第一开口在衬底上的垂直投影交叠，因此，该第二开口能够将位于其两侧的发光元件的公共辅助层断开，改善发光元件之间的横向漏流问题，实现避免发光元件偷亮、提高显示效果的效果。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图4是沿AA’方向的截面图；
图5是沿AA’方向的另一种剖面图；
图6是沿AA’方向的又一种剖面图；
图7是沿AA’方向的再一种剖面图；
图8是本发明实施例提供的再一种显示面板的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的再一种显示面板的结构示意图；
图13是本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图；
图14是本发明实施例提供的一种形成金属掩膜层后的结构示意图；
图15是本发明实施例提供的一种在衬底背离金属掩膜层的一侧进行激光照射处理的示意图；
图16是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
有鉴于背景技术中所述的问题，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：
依次层叠设置的衬底、金属掩膜层、驱动电路层以及发光元件阵列；发光元件阵列包括阵列排布的多个发光元件；
金属掩膜层设置有多个第一开口；
第一开口在衬底上的垂直投影位于相邻的发光元件之间；
发光元件包括背离驱动电路层一侧依次设置的第一电极、发光层以及第二电极；发光元件还包括公共辅助层；
公共辅助层具有多个第二开口；第二开口在衬底上的垂直投影与第一开口在衬底上的垂直投影交叠。
以上是本申请的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。图2是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。图3是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。图4是沿AA’方向的截面图。参见图1-图4，该显示面板包括：依次层叠设置的衬底10、金属掩膜层20、驱动电路层30以及发光元件阵列40；发光元件阵列40包括阵列排布的多个发光元件410；金属掩膜层20设置有多个第一开口210；第一开口210在衬底10上的垂直投影位于相邻的发光元件410之间；发光元件410包括背离驱动电路层30一侧依次设置的第一电极411、发光层413以及第二电极414；发光元件410还包括公共辅助层412；公共辅助层412具有多个第二开口4121；第二开口4121在衬底10上的垂直投影与第一开口210在衬底10上的垂直投影交叠。
具体的，衬底10用于支撑在其一侧形成的膜层。衬底10可以为刚性基板，示例性的衬底10的材料为玻璃，衬底10还可以为柔性基板，示例性的，衬底10的材料可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和乙酸丙酸纤维素的聚合物树脂中的一种或多种组合。此处，不对衬底10的材料进行限定。
具体的，驱动电路层30包括多个用于驱动发光元件410的像素驱动电路310，每个像素驱动电路310包括至少一个薄膜晶体管T，薄膜晶体管T的结构可以为顶栅结构，也可以为底栅结构。此处，不对薄膜晶体管T的结构进行限定。示例性的，如图3所示，若薄膜晶体管T的结构为顶栅结构，则沿衬底10指向金属掩膜层20的方向，驱动电路层30包括依次层叠设置的有源层31、第一绝缘层、栅极金属层32、第二绝缘层以及源漏金属层33，薄膜晶体管T的沟道位于有源层31，薄膜晶体管T的栅极位于栅极层，薄膜晶体管T的源极和漏极位于源漏金属层33。可选的，驱动电路层30背离衬底10的一侧还可以设置起平坦化作用的第二平坦化层52。
具体的，金属掩膜层20不透光，金属掩膜层20的材料示例性的可以包括钼、银中的至少一种，此处，不对金属掩膜层20的材料进行限定。可选的，金属掩膜层20位于驱动电路层30朝向衬底10的一侧，若驱动电路层30中的薄膜晶体管T的结构为顶栅结构(如图3所示)，则金属掩膜层20位于有源层31朝向衬底10的一侧；若驱动电路层30中的薄膜晶体管T的结构为底栅结构，则金属掩膜层20位于栅极金属层32朝向衬底10的一侧。如此，可避免金属掩膜层20对驱动电路层30的影响。可选的，金属掩膜层20背离衬底10的一侧还可以设置起平坦化作用的第一平坦化层51。
具体的，多个发光元件410的排布方式有多种，示例性的，发光元件阵列40可以包括多个发光元件列，发光元件列沿第一方向X排列，沿第二方向Y延伸，第一方向X和第二方向Y交叉。可以设置任意两个发光元件列第一方向X对齐(如图2和图3所示)，还可以设置所有奇数列的发光元件列沿第一方向X对齐，所有偶数列的发光元件列沿第一方向X对齐，但是奇数列的发光元件列和偶数列的发光元件列沿第一方向X错位(如图1所示)。此处，不对多个发光元件410的排布方式进行限定。
具体的，发光元件410的发光原理如下：当第一电极411和第二电极414上未施加电压时，发光元件410不发光，当第一电极411和第二电极414上施加电压后，第一电极411向发光层413注入空穴，第二电极414向发光层413注入电子，空穴和电子在发光层413复合形成激子，辐射发光。需要说明的是，图1-图3中仅示例性示出了发光元件410包括红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件，但并非对本申请的限定，本领域技术人员可根据实际情况设置发光元件410的发光颜色，示例性的，在其它实施方式中发光元件410可以包括品红色发光元件410、黄色发光元件410、或青色发光元件410等。
具体的，公共辅助层412用于促进电子和空穴在发光层413复合，提高发光元件410的发光效率，其中，公共辅助层412在发光元件410中的具体位置有多种实现形式，该部分内容将在后文进行详细描述，此处先不作说明。公共辅助层412上设置有多个第二开口4121，可以理解为在整面公共辅助层412上设置多个第二开口4121，第二开口4121在衬底10上的正投影位于相邻发光元件410之间。第二开口4121的具体形成方式有多种，示例性的，在衬底10未设置金属掩膜层20的一侧正射激光，则整面公共辅助层412中被金属掩膜层20遮挡的部分不会被激光照射到，整面公共辅助层412中未被金属掩膜层20遮挡的部分(即与第一开口210正对部分)能够被激光照射到，该部分在激光作用下被去除形成第二开口4121。
需要说明的是，本领域技术人员可根据显示面板中各膜层采用的材料选用激光的波长，以使激光在去除公共辅助层412时，不会对显示面板中的其它膜层造成损伤，示例性的，可以选用波长为1054-1074nm的激光。还需要说明的是，以金属掩膜层20作为掩膜版对公共辅助层412激光刻蚀形成第二开口4121时，理论上，第一开口210的和第二开口4121的尺寸相同，实际上由于光的衍射，第一开口210和第二开口4121的尺寸可能会有偏差，但是由于偏差较小，可近似认为第一开口210的和第二开口4121的尺寸相同。
具体的，第二开口4121可以沿第一方向X延伸(如图3所示)，也可以沿第二方向Y延伸(如图1和图2所示)，但并不限于此，示例性的，在其它实施方式中，第二开口4121的延伸方向还可以与第一方向X(或第二方向Y)具有角度较小的预设夹角，即第二开口4121的延伸方向相对第一方向X(或第二方向Y)稍微倾斜。可以设置公共辅助层412中各第二开口4121的延伸方向相同(如图1-图3所示)，也可以设置公共辅助层412中包含至少两种延伸方向的第二开口4121，此处不作限定，本领域技术人员可根据实际情况设置。此外，当第二开口4121沿第一方向X延伸时，第二开口4121沿第一方向X的长度可以等于发光元件410沿第一方向X的长度，也可以大于发光元件410沿第一方向X的长度(如图3所示)，此处不作限定，本领域技术人员可根据实际情况设置。同理，当第二开口4121沿第二方向Y延伸时，第二开口4121沿第二方向Y的长度可以等于发光元件410沿第二方向Y的长度(如图1和图2所示)，也可以大于发光元件410沿第二方向Y的长度，此处不作限定，本领域技术人员可根据实际情况设置。
需要说明的是，图1-图3中仅示例性示出了部分相邻的发光元件410之间具有第二开口4121，但并非对本申请的限定，本领域技术人员可根据实际情况设置具有哪些相邻的发光元件410之间具有第二开口4121。
可以理解的是，第二开口4121可将第二开口4121两侧的发光元件410的公共辅助层412在第二开口4121处阻断，横向漏流无法从第二开口4121一侧的发光元件410横穿第二开口4121到达第二开口4121另一侧的发光元件410，如此，第二开口4121可延长或完全阻断横向漏流的流通路径，改善由于横向漏流带来的发光元件偷亮的问题。需要说明的是，第二开口4121具体是起到延长横向漏流的流通路径的作用，还是起到完全阻断横向漏流的流通路径的作用与第二开口4121的具体实现形式相关，该部分内容将在后文详细描述，此处先不作说明。
还可以理解的是，相较于借助掩膜版蒸镀公共辅助层材料形成公共辅助层412的方式，本发明实施例提供的技术方案不受掩膜版尺寸的限制，具体的，掩膜版包括开口区和遮挡区，在蒸镀公共辅助层材料时，掩膜版的开口区能够透过公共辅助层材料，掩膜版的遮挡区阻挡公共辅助层材料，如此，开口区对应位置可蒸镀上公共辅助层材料，遮挡区对应位置无法蒸镀上公共辅助层材料，即可形成第二开口4121。本领域技术人员可知的是，受限于掩膜版的制备工艺，掩膜版中相邻开口区之间的距离通常大于20um，而目前大多数显示面板中相邻发光元件410之间的距离通常在18um左右，采用掩膜版蒸镀公共辅助层412的方式会导致发光元件410对应区域内的公共辅助层412残缺，影响显示。然而，本发明实施例中采用带有第一开口210的金属掩膜层作为掩膜版，刻蚀公共辅助层412形成第二开口4121，可以实现第二开口4121在衬底上的垂直投影与发光元件410在衬底上的垂直投影不交叠。如此，可避免发光元件410中的公共辅助层412被破坏，进而避免影响发光元件410正常发光，提高显示面板的显示质量。
可选的，沿相邻两个所述发光元件410的连线方向，第一开口210的宽度和第二开口4121的宽度D小于相邻两个发光元件410之间的间隙距离d。
具体的，本领域技术人员可根据实际情况设置第一开口210和第二开口4121的宽度的具体值，此处不作限定。示例性的，基于目前的光刻工艺，金属掩膜层中第一开口210的宽度最小可以做到
左右，如此，公共辅助层412上的第二开口4121的宽度D最小可以做到
左右，因此，可以设置第一开口210和第二开口4121的宽度大于
且小于相邻两个发光元件410之间的间隙距离d。可选的，第二开口4121的宽度D大于等于2um，且小于相邻两个发光元件410之间的间隙距离d。如此，既可以避免第二开口4121破坏发光元件410对应区域内的公共辅助层412，又可以避免由于第二开口4121的宽度过窄导致的公共辅助层412在第二开口4121位置处无法完全断开的问题。
可选的，第一开口210的边缘与相邻的发光元件410的边缘之间的距离大于等于3um。如此，可防止形成第二开口4121时，由于工艺波动导致的第二开口4121破坏发光元件410对应区域内的公共辅助层412的问题，即可避免第二开口4121在衬底上的垂直投影与发光元件410在衬底上的垂直投影交叠的问题，确保发光元件410能够正常发光。
本发明实施例提供的显示面板，通过设置具有第一开口的金属掩膜层，并以该掩膜层为掩膜版对公共辅助层进行图案化，使得公共辅助层上具有多个第二开口，由于，第一开口在衬底上的垂直投影位于相邻的发光元件之间，且第二开口在衬底上的垂直投影与第一开口在衬底上的垂直投影交叠，因此，该第二开口能够将位于其两侧的发光元件的公共辅助层断开，改善发光元件之间的横向漏流问题，实现避免发光元件偷亮、提高显示效果的效果。
具体的，公共辅助层412的具体位置以及具体实现形式有多种，下面就典型示例进行说明，但并构成对本申请的限定。
继续参见图4，可选的，公共辅助层412包括位于第一电极411与发光层413之间第一公共辅助层412A。
可选的，第一公共辅助层412A可以包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的任意一层。示例性的，沿衬底10指向金属遮光层的方向，第一公共辅助层412A依次包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层，其中，空穴注入层用于增加进入空穴传输层的空穴数量，空穴传输层用于加快向发光层413运送空穴的速度，电子阻挡层用于阻挡电子向第一电极411移动，进而使得电子位于发光层413中，提高电子与空穴复合的概率。
图5是沿AA’方向的另一种剖面图。参见图5，可选的，公共辅助层412包括位于发光层413与第二电极414之间第二公共辅助层412B。
可选的，第二公共辅助层412B可以包括电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的任意一层。示例性的，沿衬底10指向金属遮光层的方向，第二公共辅助层412B依次包括电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层，其中，电子注入层用于增加进入电子传输层的电子数量，电子传输层用于加快向发光层413运送电子的速度，空穴阻挡层用于阻挡空穴向第二电极414移动，进而使得空穴位于发光层413中，提高电子与空穴复合的概率。
图6是沿AA’方向的又一种剖面图。参见图6，可选的，公共辅助层412包括位于第一电极411与发光层413之间第一公共辅助层412A和位于发光层413与第二电极414之间第二公共辅助层412B。
可选的，第一公共辅助层412A可以包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的任意一层。可选的，第二公共辅助层412B可以包括电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的任意一层。
图7是沿AA’方向的再一种剖面图。参见图7，可选的，公共辅助层412包括空穴注入层4122、空穴传输层4123、电子阻挡层4124、空穴阻挡层4125、电子传输层4126和电子注入层4127中的至少一层。
示例性的，如图7所示，公共辅助层412包括空穴注入层4122、空穴传输层4123、电子阻挡层4124、空穴阻挡层4125、电子传输层4126和电子注入层4127。
具体的，第一开口210以及第二开口4121的具体实现形式有多种，下面就典型示例进行说明，但并不构成对本申请的限定。
图8是本发明实施例提供的再一种显示面板的结构示意图。参见图8，可选的，多个发光元件410成行成列排布，同一发光元件列中发光元件410的发光颜色相同，相邻发光元件列的发光颜色不同，第一开口210在衬底10上的垂直投影位于相邻发光元件410之间；公共辅助层412在相邻的发光元件列之间均设置有第二开口4121。继续参见图3，可选的，多个发光元件410成行成列排布，同一发光元件行中发光元件410的发光颜色相同，相邻发光元件行的发光颜色不同，第一开口210在衬底10上的垂直投影位于相邻发光元件410之间；公共辅助层412在相邻的发光元件行之间均设置有第二开口4121。
可以理解的是，发光颜色不同的相邻发光元件之间横向漏流导致的发光元件偷亮比较严重，因此，将相邻的不同发光颜色的发光元件410列(或发光元件410行)之间的公共辅助层412断开，可有效改善由于横向漏流导致的发光元件偷亮问题。
图9是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。图10是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。图11是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。参见图9-11，可选的，第一开口210在衬底10上的垂直投影位于相邻发光元件410之间；公共辅助层412在任意相邻的发光元件410之间均设置有第二开口4121。
可以理解的是，通过设置公共辅助层412在任意相邻的发光元件410之间均设置有第二开口4121，可改善任意相邻的两发光元件410由于横向漏流导致的发光元件偷亮问题，进一步提高显示效果。
还可以理解的是，若第二开口4121未能完全截断一个发光元件410和与其相邻的发光元件410之间的公共辅助层412(如图9所示)，即横向漏流可以绕过第二开口4121从一个发光元件410流向与该发光元件410相邻的发光元件410，此时，第二开口4121起到了延长横向漏流的流通路径的作用；若第二开口4121能够完全截断一个发光元件410和与其相邻的发光元件410之间的公共辅助层412(如图10和图11所示)，此时，第二开口4121起到了完全阻断横向漏流的流通路径的作用，可最大程度改善发光元件偷亮问题。
继续参见图1-图3以及图8-图10，可选的，第一开口210以及第二开口4121在衬底10上的垂直投影呈直线形(如图1和图10所示)、波浪形(如图8和图9所示)或锯齿形(如图2和图3所示)。
优选的，第一开口210以及第二开口4121在衬底10上的垂直投影呈波浪形和锯齿形。可以理解的是，波浪形和锯齿形的边缘可以分解为两个方向，因此，可以缓解两个方向上的应力，进而降低截断后的公共辅助层412的应力。
继续参见图10，可选的，金属掩膜层20上的多个第一开口210在衬底10上的垂直投影呈网格状；公共辅助层412上的多个第二开口4121在衬底10上的垂直投影呈网格状。
具体的，网格状第二开口4121将整面公共辅助层划分为多个独立的公共辅助块，每个公共辅助块对应至少一个发光元件40，图10中示例性示出了每个公共辅助块对应一个发光元件40，但并不以此为限，在其它实施方式中，每个公共辅助块还可以对应多个发光元件40。
可以理解的是，通过设置公共辅助层412上的多个第二开口4121在衬底10上的垂直投影呈网格状，可使对应于不同公共辅助块的发光元件之间的横向漏流被第二开口4121完全截断，无法绕过第二开口412，如此，提高了第二开口4121阻挡横向漏流的能力。还可以理解的是，当每个公共辅助块对应一个发光元件40(如图10所示)时，第二开口412可阻断任意相邻两发光元件之间的横向漏流，解决发光元件偷亮问题。
继续参见图11，可选的，第一开口210以及第二开口4121在衬底10上的垂直投影均围绕发光元件410。
可以理解的是，第二开口4121可完全截断其围绕的发光元件410与其它发光元件410之间横向漏流的流通路径，如此，提高了第二开口4121阻挡横向漏流的能力。还可以理解的是，当每个发光元件40(如图10所示)在衬底10上的垂直投影均被第二开口4121在衬底10上的垂直投影围绕(如图11所示)时，第二开口412可阻断任意相邻两发光元件之间的横向漏流，解决发光元件偷亮问题。
图12是本发明实施例提供的再一种显示面板的结构示意图。参见图12，可选的，驱动电路层30包括多个像素驱动电路310；多个像素驱动电路310与多个发光元件410一一对应电连接；像素驱动电路310在衬底10上的垂直投影与第一开口210在衬底10上的垂直投影不交叠。
具体的，像素驱动电路310中通常包含多个电路元件，示例性的薄膜晶体管、电容等，并且，像素驱动电路310中的电路元件排布都比较密集。驱动电路层30还包括多条位于相邻发光元件之间的走线，示例性的扫描线SCAN、数据线DATA、电源线等，相较于像素驱动电路310中电路元件的排布密度，走线的排列密度相对稀疏，因此，设置像素驱动电路310在衬底10上的垂直投影与第一开口210在衬底10上的垂直投影不交叠，可以提高激光的穿透率，进而提高激光的有效利用率，更容易以较小功率的激光实现将公共辅助层412的熔断。
可选的，金属掩膜层20复用为驱动电路层30的遮光层。
具体的，像素驱动电路310中包括至少一个薄膜晶体管T，金属掩膜层20在衬底10上的垂直投影覆盖薄膜晶体管T在衬底10上的垂直投影。如此，金属掩膜层20可避免薄膜晶体管T的沟道层收到光照导致光之衰退效应。可以理解的是，将金属掩膜层20复用为遮光层，可减少显示面板的工艺制程，降低成本，且有利于实现显示面板的薄型化。
基于同上的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，图13是本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图。参见图13，该方法具体包括如下步骤：
S110、提供一衬底。
具体的，衬底用于支撑在其一侧形成的膜层。衬底可以为刚性基板，示例性的衬底的材料为玻璃，衬底还可以为柔性基板，示例性的，衬底的材料可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和乙酸丙酸纤维素的聚合物树脂中的一种或多种组合。此处，不对衬底的材料进行限定。
S120、在衬底上形成金属掩膜层，在金属掩膜层上设置有多个第一开口。
具体的，金属掩膜层的材料示例性的可以包括钼、银中的至少一种，金属掩膜层可以通过物理气相沉积、化学气相沉积、喷墨打印或本领域技术人员可知的其他成膜方式形成，并通过刻蚀的方式形成第一开口。此处，不对金属掩膜层的材料以及制备工艺进行限定。示例性的，图14是本发明实施例提供的一种形成金属掩膜层后的结构示意图。
S130、在金属掩膜层上依次形成驱动电路层以及发光元件阵列，发光元件阵列包括阵列排布的多个发光元件；第一开口在衬底上的垂直投影位于相邻的发光元件之间；发光元件包括背离驱动电路层一侧依次设置的第一电极、发光层以及第二电极；发光元件还包括公共辅助层。
具体的，形成驱动电路层具体可以包括：依次形成有源层、第一绝缘层、栅极金属层、第二绝缘层、源漏金属层，如此，驱动电路层中的薄膜晶体管为顶栅结构。形成驱动电路层具体还可以包括：依次形成栅极金属层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层、源漏金属层，如此，驱动电路层中的薄膜晶体管为底栅结构。可选的，形成驱动电路层之前还可形成第一平坦化层。可选的，形成驱动电路层之后还可以形成第二平坦化层。有源层的材料可以包括单晶硅、低温多晶硅、或者非晶硅等，栅极金属层的材料可以包括钼等，源漏金属层的材料可以包括钼铝钼等，第一绝缘层、第二绝缘层的材料可以包括氧化硅、氮化硅等。第一平坦化层和第二平坦化层的材料可以包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯或聚丙烯酸酯等。驱动电路层中各膜层的形成方式均可为物理气相沉积、化学气相沉积、喷墨打印或本领域技术人员可知的其他成膜方法，此处，不对驱动电路层中各膜层的材料以及制备工艺进行限定。
具体的，形成发光元件阵列具体可以包括：依次形成第一电极层、像素限定层、发光层阵列、第二电极层，还包括，形成公共辅助层。第一电极和第二电极的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、Al、Ag或Mg等中的任意一种或两种以上的组合，发光层可以包括红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层、青色发光层、黄色发光层、品红发光层等中的至少一种，像素限定层可以包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯或聚丙烯酸酯等。第一电极层和第二电极层的成膜方法均可为蒸镀、溅射或本领域技术人员可知的其他成膜方法，发光层阵列的成膜方法均可为蒸镀或本领域技术人员可知的其他成膜方法，像素限定层的形成方式可为物理气相沉积、化学气相沉积、喷墨打印或本领域技术人员可知的其他成膜方法，此处，不对发光元件阵列中各膜层的材料以及制备工艺进行限定。
可选的，公共辅助层包括位于第一电极与发光层之间第一公共辅助层，如图4所示。
可选的，公共辅助层包括位于发光层与第二电极之间第二公共辅助层，如图5所示。
可选的，公共辅助层包括位于第一电极与发光层之间第一公共辅助层和位于发光层与第二电极之间第二公共辅助层，如图6所示。
可选的，公共辅助层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一层。
示例性的，空穴注入层的材料可以包括HATCN(Dipyrazino[2，3-f：2’，3’-h]quinoxaline-2，3，6，7，10，11-hexacarbonitrile；2，3，6，7，10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲)等。空穴传输层的材料可以包括NPB(N，N’-bis(naphthalen-1-yl)-N，N’-bis(phenyl)-benzidine；N，N’-二苯基-N，N’-(1-萘基)-1，1’-联苯-4，4’-二胺(123847-85-8))等。电子阻挡层的材料可以包括Ir(ppz)3(Tris(phenylpyrazole)iridium；三(1-基吡唑)合铱)等。空穴阻挡层的材料可以包括BCP(2，9-dimethyl-4，7-diphenyl-1，10-phenanthroline；2，9-二甲基-4，7二苯基-1，10-菲啰啉)等。电子传输层的材料可以包括Bphen(4，7-diphenyl-1，10-phenanthroline；4，7-二苯基邻菲罗啉)等。电子注入层的材料包括选择LiF等。公共辅助层的成膜方法可为蒸镀或本领域技术人员可知的其他成膜方法，此处，不对公共辅助层的材料、制备工艺进行限定。
S140、在衬底背离金属掩膜层的一侧进行激光照射处理，通过金属掩膜层的遮挡，对第一开口对应的公共辅助层进行激光照射，在公共辅助层上形成第二开口，第二开口在衬底上的垂直投影与第一开口在衬底上的垂直投影交叠。
示例性的，图15是本发明实施例提供的一种在衬底背离金属掩膜层的一侧进行激光照射处理的示意图。具体的，激光的具体波长，本领域技术人员可根据显示面板中各膜层采用的材料设置，此处不作限定，只要在对公共辅助层进行熔断时不会对显示面板中其它膜层造成损伤即可。
可选的，第一开口以及第二开口在衬底上的垂直投影呈直线形(如图1、图10和图12所示)、波浪形(如图8和图9所示)或锯齿形(如图2和图3所示)。
可选的，金属掩膜层上的多个第一开口在衬底上的垂直投影呈网格状；公共辅助层上的多个第二开口在衬底上的垂直投影呈网格状，如图12所示。
可选的，第一开口在衬底上的垂直投影位于相邻发光元件之间；公共辅助层在任意相邻的发光元件之间均设置有第二开口，如图9-图11所示。
可选的，第一开口以及第二开口在衬底上的垂直投影均围绕发光元件，如图11所示。
可选的，驱动电路层包括多个像素驱动电路；多个像素驱动电路与多个发光元件一一对应电连接；像素驱动电路在衬底上的垂直投影与第一开口在衬底上的垂直投影不交叠，如图12所示。
基于同上的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置。该显示装置包括本发明任意实施所述的显示面板。因此该显示装置具备本发明实施例提供的显示面板的有益效果，相同之处可参照上文理解，此处不再赘述。
示例性的，图16是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图16所示，本发明实施例提供的显示装置200包括本发明实施例提供的显示面板100。显示装置200示例性的可以为触摸显示屏、手机、平板计算机、笔记本电脑或电视机等任何具有显示功能的电子设备。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (16)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
依次层叠设置的衬底、金属掩膜层、驱动电路层以及发光元件阵列；所述发光元件阵列包括阵列排布的多个发光元件；
所述金属掩膜层设置有多个第一开口；
所述第一开口在所述衬底上的垂直投影位于相邻的所述发光元件之间；
所述发光元件包括背离所述驱动电路层一侧依次设置的第一电极、发光层以及第二电极；所述发光元件还包括公共辅助层；
所述公共辅助层具有多个第二开口；所述第二开口在所述衬底上的垂直投影与所述第一开口在所述衬底上的垂直投影交叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述公共辅助层包括位于所述第一电极与所述发光层之间第一公共辅助层。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述公共辅助层包括位于所述发光层与所述第二电极之间第二公共辅助层。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述公共辅助层包括位于所述第一电极与所述发光层之间第一公共辅助层和位于所述发光层与所述第二电极之间第二公共辅助层。
5.据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述公共辅助层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一层。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一开口以及所述第二开口在所述衬底上的垂直投影呈直线形、波浪形或锯齿形。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属掩膜层上的多个所述第一开口在所述衬底上的垂直投影呈网格状；所述公共辅助层上的多个所述第二开口在所述衬底上的垂直投影呈网格状。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一开口在所述衬底上的垂直投影位于相邻发光元件之间；所述公共辅助层在任意相邻的所述发光元件之间均设置有所述第二开口。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一开口以及所述第二开口在所述衬底上的垂直投影均围绕所述发光元件。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿相邻两个所述发光元件的连线方向，所述第一开口和所述第二开口的宽度小于相邻两个所述发光元件之间的间隙距离。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一开口的边缘与相邻的所述发光元件的边缘之间的距离大于等于3um。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层包括多个像素驱动电路；多个所述像素驱动电路与多个所述发光元件一一对应电连接；
所述像素驱动电路在所述衬底上的垂直投影与所述第一开口在所述衬底上的垂直投影不交叠。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属掩膜层复用为所述驱动电路层的遮光层。
14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-13中任一项所述的显示面板。
15.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成金属掩膜层，在所述金属掩膜层上设置有多个第一开口；
在所述金属掩膜层上依次形成驱动电路层以及发光元件阵列；所述发光元件阵列包括阵列排布的多个发光元件；所述第一开口在所述衬底上的垂直投影位于相邻的所述发光元件之间；所述发光元件包括背离所述驱动电路层一侧依次设置的第一电极、发光层以及第二电极；所述发光元件阵列还包括公共辅助层；
在所述衬底背离所述金属掩膜层的一侧进行激光照射处理，通过所述金属掩膜层的遮挡，对所述第一开口对应的所述公共辅助层进行激光照射，在所述公共辅助层上形成第二开口，所述第二开口在所述衬底上的垂直投影与所述第一开口在所述衬底上的垂直投影交叠。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述公共辅助层包括位于所述第一电极与所述发光层之间第一公共辅助层和位于所述发光层与所述第二电极之间第二公共辅助层。
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