CN115241223A - 显示设备 - Google Patents

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陈嘉源
蔡宗翰
李冠锋
吴湲琳
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Abstract

本发明公开了一种显示设备，其包括基板、驱动电路结构与至少一发光元件。驱动电路结构设置在基板上，并具有至少一驱动薄膜晶体管。发光元件设置在驱动电路结构上，且电连接驱动薄膜晶体管，其中发光元件包括元件导电层、第一载子传输层、第二载子传输层、第一导电连接结构及第二导电连接结构，元件导电层包括第一区块及第二区块，第一区块通过第一导电连接结构电连接第一载子传输层，第二区块通过第二导电连接结构电连接第二载子传输层。第一区块的至少一部分的顶表面与基板间的最小距离大于第二导电连接结构的顶表面与基板间的最小距离，以及第二区块的至少一部分的顶表面与基板间的最小距离大于第一导电连接结构的顶表面与基板间的最小距离。

Description

显示设备
本申请是申请日为2019年07月11日、申请号为201910625209.X、发明名称为“显示设备、背光模块以及电子装置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种显示设备，特别是涉及一种具有驱动薄膜晶体管以驱动发光元件的显示设备。
背景技术
随着电子装置的演进与发展，电子装置在现今社会中已成为不可或缺的物品。举例而言，作为一种电子装置的显示设备具有外型轻薄、耗电量少以及无辐射污染等特性，因此已被应用在电视(television)、屏幕(monitor)、笔记本计算机(notebook)、智能型手机(smart phone)、手表以及车用显示器等，以提供更方便的信息传递与显示。一般而言，电子装置可具有发光元件以发射光线，例如发光二极管(light-emitting diode,LED)。然而，为了降低成本，仍需改善发光元件的驱动效能。
发明内容
在一实施例中，本发明提供一种显示设备，其包括基板、驱动电路结构与至少一发光元件。驱动电路结构设置在基板上，并具有至少一驱动薄膜晶体管。发光元件设置在驱动电路结构上，且电连接驱动薄膜晶体管，其中发光元件包括元件导电层、第一载子传输层、第二载子传输层、第一导电连接结构及第二导电连接结构，元件导电层包括第一区块及第二区块，第一区块通过第一导电连接结构电连接第一载子传输层，第二区块通过第二导电连接结构电连接第二载子传输层。第一区块的至少一部分的顶表面与基板间的最小距离大于第二导电连接结构的顶表面与基板间的最小距离，以及第二区块的至少一部分的顶表面与基板间的最小距离大于第一导电连接结构的顶表面与基板间的最小距离。
在阅读了下文绘示有各种附图的实施例的详细描述之后，对于所属领域的技术人员来说，应可清楚明了本发明的目的。
附图说明
图1所示为本发明的第一实施例的电子装置的基板结构的剖面示意图。
图2A与图2B所示为本发明的第一实施例的电子装置的基板结构的发光元件与接合垫的俯视示意图。
图3所示为本发明的第一实施例的电子装置的基板结构的薄膜晶体管的俯视示意图。
图4所示为本发明的一实施例的组装前的电子装置的基板结构与背板结构的剖面示意图。
图5所示为本发明的一实施例的电子装置的剖面示意图。
图6所示为本发明的第二实施例的电子装置的基板结构的剖面示意图。
图7所示为本发明的第三实施例的电子装置的基板结构的剖面示意图。
图8所示为本发明的第三实施例的电子装置的基板结构的等效电路示意图。
图9所示为本发明的第四实施例的电子装置的基板结构的剖面示意图。
图10所示为本发明的第四实施例的电子装置的基板结构的等效电路示意图。
图11所示为本发明的第四实施例的变化实施例的电子装置的基板结构的剖面示意图。
图12所示为本发明的第四实施例的变化实施例的电子装置的静电放电防护元件以及基板结构的发光元件与接合垫的俯视示意图。
图13所示为本发明的第五实施例的电子装置的基板结构的剖面示意图。
图14所示为本发明的第六实施例的电子装置的基板结构的剖面示意图。
图15A与图15B所示为本发明的第七实施例的电子装置的基板结构的剖面示意图。
图16所示为本发明的第八实施例电子装置的基板结构的剖面示意图。
图17A与图17B所示为本发明的第八实施例的电子装置的剖面示意图。
图18所示为本发明的第九实施例电子装置的基板结构的剖面示意图。
图19所示为本发明的第十实施例电子装置的基板结构的剖面示意图。
图20所示为本发明的第十一实施例电子装置的基板结构的剖面示意图。
附图标记说明：100～400、400’、500～1000-基板结构；110-基板；120-半导体层；130-第一绝缘层；132-第一导电层；140-第二绝缘层；142-第二导电层；150-第三绝缘层；152-第三导电层；160-黏着层；172-第一载子传输层；174-发光层；176-第二载子传输层；180-元件绝缘层；190-元件导电层；310-第四导电层；320-缓冲件；492-导电线路；510-透明导电层；710-缓冲层；802-元件基板；810-异方性导电膜；820-透明黏着剂；830-框胶；1100-面板；AT-辅助薄膜晶体管；BAL-背板黏着层；BKP-背板；BP-接合垫；BS-背板结构；CLd、CLs-通道层；CP1-第一连接柱；CP2-第二连接柱；Cpc-电容；CS-导电连接结构；D-距离；DCS-驱动电路结构；Dd、Ds-汲极电极；DT-驱动薄膜晶体管；ED-电子装置；ELVDD、ELVSS-电压源；EL1-第一电极；EL2-第二电极；ESD-静电放电防护元件；Gd、Gs-闸极电极；GId、GIs-闸极绝缘体；IC-集成电路；IS-内部绝缘结构；Ld-通道长度；LD-发光元件；OC-涂布层；OR-重叠区域；PD-连接垫；PS-钝化层；PTC-导电粒子；Sd、Ss-源极电极；SO-导电材；ST-开关薄膜晶体管；Wd-通道宽度。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出显示器的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。因此，当本发明的描述中使用术语“包括”、“含有”及/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。
当相应的构件例如膜层或区域被称为“在另一个构件(或其变体)上”或“延伸到另一个构件”时，它可以直接在另一个构件上或直接延伸到另一个构件，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为“直接在另一个构件(或其变体)上”或“直接延伸到另一个构件”时，则两者之间不存在任何构件。
应当理解到，当构件或膜层被称为在另一个构件或膜层“上”或“连接到”另一个构件或膜层时，它可以直接在此另一构件或膜层上或直接连接到此另一构件或层，或者两者之间存在有插入的构件或膜层。相反地，当构件被称为“直接”在另一个构件或膜层“上”或“直接连接到”另一个构件或膜层时，两者之间不存在有插入的构件或膜层。另外，当构件被称为“耦接于另一个构件(或其变体)”时，它可以直接地连接到此另一构件，通过一或多个构件间接地连接(例如电性接)到此另一构件。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
请参考图1、图2A、图2B与图3，图1所示为本发明的第一实施例的电子装置的基板结构的剖面示意图，图2A与图2B所示为本发明的第一实施例的电子装置的基板结构的发光元件与接合垫的俯视示意图，图3所示为本发明的第一实施例的电子装置的基板结构的薄膜晶体管的俯视示意图，其中图2A与图2B仅绘示发光层174、连接柱(CP1、CP2)与接合垫BP以使附图清楚。如图1、图2A、图2B与图3所示，其绘示了电子装置ED的基板结构100，而基板结构100包括基板110、驱动电路结构DCS以及至少一发光元件LD。基板110可为硬质基板或可挠式基板，基板110的材料例如可包括玻璃、石英、蓝宝石、聚亚酰胺材料(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯材料(polyethylene terephthalate,PET)或其他适合作为基板的材料，但不以此为限。
驱动电路结构DCS设置在基板110上。在本实施例中，驱动电路结构DCS可包括半导体层120、第一绝缘层130、第一导电层132、第二绝缘层140以及第二导电层142。半导体层120设置在基板110的表面上，第一绝缘层130设置在半导体层120上，第一导电层132设置在第一绝缘层130上，第二绝缘层140设置在第一导电层132上，第二导电层142设置在第二绝缘层140上。于另一实施例中，半导体层120与基板110之间可更设置有其他绝缘层(图未示)，且此绝缘层可为单层或多层叠构，绝缘层材料可选择性包含氮化硅(siliconnitride,SiNx)、氧化硅(silicon oxide,SiOx)、氮氧化硅(silicon oxynitride,SiOxNy)或其他适合的绝缘材料，或前述的组合。
进一步地，驱动电路结构DCS可包括至少一驱动薄膜晶体管DT，由驱动电路结构DCS中的导电层与绝缘层所形成。具体地，在本实施例中，驱动薄膜晶体管DT包括由半导体层120所形成的通道层CLd、由第一导电层132所形成的闸极电极Gd、由第一绝缘层130所形成的闸极绝缘体GId、由第二导电层142所形成的源极电极Sd与汲极电极Dd，使得驱动薄膜晶体管DT形成为顶闸型晶体管(top gate transistor)，但不以此为限。在另一实施例中，驱动薄膜晶体管DT可包括其他类型的晶体管，诸如底闸型晶体管(bottom gatetransistor)。另外，驱动薄膜晶体管DT的闸极电极Gd与通道层CLd在俯视上可具有任何合适的形状，例如四边形或U型，但不以此为限。在本实施例中，图3所示的闸极电极Gd与通道层CLd为矩形，且由闸极电极Gd与通道层CLd所形成的重叠区域OR为矩形，但不以此为限。需注意的是，于其他实施例中，前述矩形、四边形或其他形状，其转角处可有些微弧形，其形状的部分边缘亦可有些微不平整，只要实质上呈现矩形形状、四边形或其他形状即可。除此之外，本实施例的驱动电路结构DCS另可包括其他的导电层及/或绝缘层。举例来说，本实施例的驱动电路结构DCS另可包括设置在第二导电层142上的第三绝缘层150以及设置在第三绝缘层150上的第三导电层152。此外，驱动电路结构DCS另可具有其他构件，例如由顶导电层所形成的多个接合垫BP。在本实施例中，接合垫BP是由第三导电层152所形成，且接合垫BP的至少一个电连接驱动薄膜晶体管DT的汲极电极Dd或源极电极Sd，但不以此为限。
本实施例的发光元件LD可藉由例如巨量转移制程而设置在驱动电路结构DCS上，且发光元件LD可为发光二极管(light-emitting diode,LED)、微型发光二极管(micro-light-emitting diode,micro-LED)、次毫米发光二极管(mini-light-emitting diode,mini-LED)、有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)、量子点有机发光二极管(quantum-dot light-emitting diode,QLED)或其他适合的发光元件，但不以此为限。在本实施例中，各发光元件LD举例可为一种LED，并包括第一载子传输层172、发光层174、第二载子传输层176、元件绝缘层180、元件导电层190与钝化层PS。发光层174设置在第二载子传输层176上，第一载子传输层172设置在发光层174上，元件绝缘层180设置在第一载子传输层172上，元件导电层190设置在元件绝缘层180上，钝化层PS设置在元件导电层190上。在本实施例中，元件导电层190包括第一电极EL1与第二电极EL2，第一电极EL1通过导电连接结构CS而电连接第一载子传输层172，而第二电极EL2通过另一个导电连接结构CS(藉由内部绝缘结构IS与第一载子传输层172分隔)而电连接第二载子传输层176，但本发明不以此为限。此外，发光元件LD具有第一连接柱CP1与第二连接柱CP2以设置在驱动电路结构DCS上；也就是说，第一连接柱CP1与第二连接柱CP2在巨量转移制程中分别安装在接合垫BP上。在本实施例中，第一连接柱CP1与第二连接柱CP2分别嵌入对应的接合垫BP并分别电连接第一电极EL1与第二电极EL2。因此，发光元件LD通过第一连接柱CP1与接合垫BP来电连接驱动薄膜晶体管DT。图2A所绘示的一种发光元件LD具有一个第一连接柱CP1与一个第二连接柱CP2，而图2B所绘示的另一种发光元件LD具有多个第一连接柱CP1与多个第二连接柱CP2，以稳固地安装在接合垫BP上，但本发明不以此为限。另外，本实施例的第一连接柱CP1与第二连接柱CP2可由元件导电层190来形成，但不以此为限。换句话说，从第二载子传输层176的底表面的延伸表面突出的元件导电层190的部分为第一连接柱CP1与第二连接柱CP2，元件导电层190的其他部分为第一电极EL1与第二电极EL2。在另一实施例中，第一连接柱CP1与第二连接柱CP2可由其他导电结构所形成。此外，本实施例的发光元件LD在图1中向下发光(光线由上到下)，但不以此为限。除此之外，在本实施例中，可另设置黏着层160于驱动电路结构DCS上，并接触发光元件LD，以提升发光元件LD与驱动电路结构DCS之间的连接效果，而本实施例的黏着层160位于发光元件LD与驱动电路结构DCS之间。在设置发光元件LD之后，可另形成涂布层OC以覆盖发光元件LD，藉此保护发光元件LD。
需说明的是，驱动薄膜晶体管DT用以驱动发光元件LD并控制用于发光的驱动电流，驱动薄膜晶体管DT可电连接于发光元件LD与电压源之间，并电连接数据输入端(即，可提供灰阶信号)。举例而言，在本实施例中，驱动薄膜晶体管DT的汲极电极Dd与源极电极Sd中的其中一个电连接电压源(即，提供较高的电压)，驱动薄膜晶体管DT的汲极电极Dd与源极电极Sd中的其中另一个电连接发光元件LD，驱动薄膜晶体管DT的闸极电极Gd电连接闸极输入端，而发光元件LD的第二连接柱CP2可电连接共同电极(common electrode)或是另一个可提供共享电压(common voltage)或其他适合电压的电压源(即，提供较低的电压)，但不以此为限。本发明可使用任何适合的电路，而驱动薄膜晶体管DT另可电连接其他构件或补偿电路。于另一实施例中，此薄膜晶体管DT也可以当电流开关使用，此时电流可由集成电路IC提供。
为了增加发光元件LD的发光面积(例如显示设备的像素开口率)，可提升发光元件LD的尺寸。而当发光元件LD的尺寸增加时，用以驱动发光元件LD的驱动电流需增加，且第一连接柱CP1与第二连接柱CP2之间的距离D会变大。以下示出了在饱和模式(saturationmode)中流通过晶体管的电流的公式：
ID＝[(μn x Cox)/2]x[W/L]x(VGS-VTH)2,
其中ID为电流，μn为载子迁移率，Cox为单位面积下的闸极氧化层电容值，W为通道宽度，L为通道长度，VGS为闸极与源极间的电压差，VTH为临界电压。根据上述电流公式，当驱动薄膜晶体管DT的通道层CLd的通道长度缩减时，流通过驱动薄膜晶体管DT的驱动电流会增加。在本实施例中，发光元件LD的第一连接柱CP1与第二连接柱CP2之间的距离D大于驱动薄膜晶体管DT的通道层CLd的通道长度Ld。换句话说，第一连接柱CP1与第二连接柱CP2之间的距离D与通道长度Ld的比值(D/Ld)大于1。需说明的是，如图1与图3所示，驱动薄膜晶体管DT的通道长度Ld为重叠区域OR中由驱动薄膜晶体管DT的源极电极Sd到汲极电极Dd的方向上的最短维度(或是最短距离)，驱动薄膜晶体管DT的通道宽度Wd为重叠区域OR中垂直于通道长度Ld的方向上的最短维度，而第一连接柱CP1与第二连接柱CP2之间的距离D为第一连接柱CP1与第二连接柱CP2之间在俯视上的最大维度。举例来说，图2A所示的第一连接柱CP1与第二连接柱CP2之间的距离D为第一连接柱CP1的左上角与第二连接柱CP2的右下角之间的距离，而图2B所示的第一连接柱CP1与第二连接柱CP2之间的距离D为左边第一连接柱CP1的左上角与右边第二连接柱CP2的右下角之间的距离。比值D/Ld大于1可带来增加驱动电流的优点，而此设计可应用于下文中的其他实施例及其变化实施例。
需说明的是，若驱动薄膜晶体管DT的通道层CLd被发光层174所发出的光线照射，可能会发生漏电现象。此外，若通道层CLd与发光层174层重叠，则发光面积可能要缩小。故在结果上，本实施例的发光层174在俯视上可不重叠于通道层CLd。此外，为了避免在转移发光元件的制程过程中或在安装第一连接柱CP1与第二连接柱CP2于接合垫BP上的过程中对驱动薄膜晶体管DT造成破坏(例如，在转移或安装制程中可能使驱动薄膜晶体管DT的闸极电极Gd与通道层CLd彼此接触)，通道层CLd在俯视上可不重叠于第一连接柱CP1或不重叠于第一连接柱CP1与第二连接柱CP2。换句话说，通道层CLd在基板110的表面上的投影不重叠于发光层174在基板110的表面上的投影。在另一实施例中，通道层CLd、发光层174、第一连接柱CP1与第二连接柱CP2在基板110的表面上的投影彼此分离(如图1所示)。因此，驱动薄膜晶体管DT的可靠度可提升。
在上述内容中，各个导电层可各自包括金属材料或透明导电材料(例如氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide,IZO))，各个绝缘层可各自包括氧化硅、氮化硅及/或氮氧化硅，通道层CLd可包括低温多晶硅(low temperature poly-silicon,LTPS)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide,IGZO)或非晶硅(amorphoussilicon,a-Si)，但本发明不以此为限。
请参考图4与图5，图4所示为本发明的一实施例的组装前的电子装置的基板结构与背板结构的剖面示意图，图5所示为本发明的一实施例的电子装置的剖面示意图，其中图4与图5所绘示的驱动薄膜晶体管DT与发光元件LD可相同于本发明的第一实施例或其他适合的实施例。如图4所示，本实施例的电子装置ED可包括至少一基板结构100与背板结构BS，其中图4绘示组装前的两个基板结构100与一个背板结构BS。关于背板结构BS，背板结构BS包括背板BKP、至少一集成电路IC与背板黏着层BAL，而集成电路IC与背板黏着层BAL设置在背板BKP的表面上，其中集成电路IC用以控制提供给发光元件LD的灰阶信号，而背板黏着层BAL可全面性地设置。在本实施例中，背板黏着层BAL可为包括导电粒子PTC的异方性导电膜(anisotropic conductive film,ACF)，而集成电路IC可通过背板黏着层BAL的导电粒子PTC而电连接背板BKP上的其他构件，但本发明不以此为限。如图5所示，基板结构100与背板结构BS通过在基板结构100上的连接垫PD与背板结构BS上的连接垫PD之间设置导电材SO来组装。因此，在组装之后，集成电路IC与发光元件LD位于背板BKP与基板110之间，而集成电路IC通过基板结构100上的连接垫PD、背板结构BS上的连接垫PD以及导电材SO以电连接驱动薄膜晶体管DT，但不以此为限。于一实施例中，导电材SO可例如为焊料。在本实施例中，背板黏着层BAL可不接触基板结构100，但不以此为限。在另一实施例中，背板黏着层BAL可直接接触基板结构100，以提升基板结构100与背板结构BS之间的黏着。此外，电子装置ED另可包括辅助薄膜晶体管AT，其电连接于集成电路IC与驱动薄膜晶体管DT之间。辅助薄膜晶体管AT通过提供一些功能来减少集成电路IC的数量。举例而言，本实施例的辅助薄膜晶体管AT可设置在背板BKP上(在背板结构BS中)，并作为GOP(gate driver on panel)中的构件，但不以此为限。
在本实施例中，因为发光元件LD在图1、图4与图5中向下发射光线，因此不需考虑辅助薄膜晶体管AT和集成电路IC屏蔽发光元件LD的问题，而背板BKP与背板黏着层BAL可为透明、不透明或半透明。换句话说，背板BKP的材料选择可为弹性材料，以提高跟背板黏着层BAL的黏着结合度。另外，本实施例的电子装置ED可包括多个彼此连接的基板结构100，但不以此为限。在另一实施例中，电子装置ED包括一个基板结构100，其与一个背板结构BS连接。
根据一些实施例，电子装置ED可为显示设备，例如LED显示器、micro-LED显示器、mini-LED显示器、OLED显示器、QLED显示器、可挠式显示器或其他适合的显示设备，其中发光元件LD与驱动薄膜晶体管DT可排列成矩阵或其他适合的类型。更进一步，显示设备中的基板结构100举例可用以直接显示画面(即，基板结构100的发光元件LD依据灰阶信号发射光线)或是用以作为背光模块的构件(即，基板结构100的发光元件LD发射光线以提供背光)。显示设备还可包括其他元件或膜层的相关部分，例如基板110的相关部分、偏光片的相关部分、绝缘层的相关部分或封装层的相关部分。根据一些实施例，电子装置ED可为不具有显示功能的电子装置或其他适合的电子装置，例如天线。
本发明的电子装置不以上述实施例为限，下文将继续揭示其它实施例，然为了简化说明并突显各实施例与上述实施例之间的差异，下文中使用相同标号标注相同构件，并不再对重复部分作赘述。
请参考图6，图6所示为本发明的第二实施例的电子装置的基板结构的剖面示意图。如图6所示，本实施例与第一实施例的差别在于本实施例的基板结构200的驱动薄膜晶体管DT为底闸型晶体管。也就是说，闸极电极Gd、闸极绝缘体GId、通道层CLd、源极电极Sd与汲极电极Dd形成为底闸型晶体管。
请参考图7与图8，图7所示为本发明的第三实施例的电子装置的基板结构的剖面示意图，图8所示为本发明的第三实施例的电子装置的基板结构的等效电路示意图，其中图7中的虚线表示电连接路径。如图7与图8所示，本实施例与第一实施例的差别在于基板结构300的驱动电路结构DCS另包括至少一开关薄膜晶体管ST与电容Cpc，而开关薄膜晶体管ST与电容Cpc电连接驱动薄膜晶体管DT。在本实施例中，举例来说，开关薄膜晶体管ST的结构可类似于驱动薄膜晶体管DT；也就是说，开关薄膜晶体管ST的通道层CLs由半导体层120所形成，开关薄膜晶体管ST的闸极电极Gs由第一导电层132所形成，开关薄膜晶体管ST的闸极绝缘体GIs由第一绝缘层130所形成，开关薄膜晶体管ST的源极电极Ss与汲极电极D由第二导电层142所形成，但不以此为限。本实施例的电容Cpc由半导体层120与第二导电层142所形成，但不以此为限。此外，驱动电路结构DCS可选择性地包括第四导电层310与缓冲件320，其中第四导电层310设置在缓冲件320与基板110之间，缓冲件320设置在第四导电层310与第一导电层132之间。关于本实施例的电路，开关薄膜晶体管ST的闸极电极Gs电连接至可提供开关信号的控制信号输入端，开关薄膜晶体管ST的源极电极Ss与汲极电极Ds中的其中一个电连接数据输入端，开关薄膜晶体管ST的源极电极Ss与汲极电极Ds中的另一个电连接电容Cpc与驱动薄膜晶体管DT的闸极电极Gd，驱动薄膜晶体管DT的源极电极Sd与汲极电极Dd中的其中一个电连接一个电压源(图8所示的ELVDD)，驱动薄膜晶体管DT的源极电极Sd与汲极电极Dd中的另一个电连接电容Cpc与发光元件LD的第一连接柱CP1，而发光元件LD的第二连接柱CP2电连接另一个电压源(图8所示的ELVSS)，使得开关薄膜晶体管ST可控制发光元件LD是否要改变发光强度，电容Cpc可在一段时间内保持发光元件LD所发出的光强度，但不以此为限。任何适合的构件都可加入至此电路中，并且，本发明可使用任何适合并具有类似功能的电路。
请参考图9与图10，图9所示为本发明的第四实施例的电子装置的基板结构的剖面示意图，图10所示为本发明的第四实施例的电子装置的基板结构的等效电路示意图，其中图9中的虚线表示电连接路径。如图9与图10所示，本实施例与第三实施例的差别在于基板结构400另包括静电放电防护元件ESD，其电连接发光元件LD的第一连接柱CP1与第二连接柱CP2的其中至少一个。静电放电防护元件ESD与驱动薄膜晶体管DT可同时形成，但不以此为限。在本实施例中，举例来说，静电放电防护元件ESD可包括薄膜晶体管，其闸极电连接其汲极以作为二极管，但不以此为限。在另一实施例中，静电放电防护元件ESD可包括任何适合的构件。另外，在本实施例中，静电放电防护元件ESD的一端(闸极或汲极)电连接发光元件LD的第一连接柱CP1，静电放电防护元件ESD的另一端(源极)与发光元件LD的第二连接柱CP2彼此电连接并电连接共同电极，但不以此为限。在另一实施例中，静电放电防护元件ESD的一端(闸极或汲极)电连接发光元件LD的第一连接柱CP1，静电放电防护元件ESD的另一端(源极)并不直接电连接发光元件LD的第二连接柱CP2。因此，静电放电防护元件ESD可释放发光元件LD中的静电。
请参考图11与图12，图11所示为本发明的第四实施例的变化实施例的电子装置的基板结构的剖面示意图，图12所示为本发明的第四实施例的变化实施例的电子装置的静电放电防护元件以及基板结构的发光元件与接合垫的俯视示意图，图11中的虚线表示电连接路径，图12仅绘示发光层174、连接柱(CP1、CP2)、接合垫BP、静电放电防护元件ESD与导电线路(即部分的元件导电层190)以使附图清楚。如图11与图12所示，本实施例与第四实施例的差别在于基板结构400’的静电放电防护元件ESD设置在驱动电路结构DCS上。在本实施例中，静电放电防护元件ESD与发光元件LD可同时转移至驱动电路结构DCS上，且静电放电防护元件ESD可通过元件导电层190的导电线路492而电连接在发光元件LD的第一连接柱CP1与第二连接柱CP2之间，或者，静电放电防护元件ESD也可以只连接其中一端，本发明不以此为限。
请参考图13，图13所示为本发明的第五实施例的电子装置的基板结构的剖面示意图。如图13所示，本实施例与第一实施例的差别在于基板结构500的驱动电路结构DCS另包括透明导电层510，其设置在第三绝缘层150与第三导电层152之间，而第三导电层152可通过透明导电层510而电连接第二导电层142。举例来说，接合垫BP中的一个通过透明导电层510而电连接驱动薄膜晶体管DT的汲极电极Dd与源极电极Sd中的其中一个。
请参考图14，图14所示为本发明的第六实施例的电子装置的基板结构的剖面示意图。如图14所示，本实施例与第一实施例的差别在于基板结构600的黏着层160设置在驱动电路结构DCS与发光元件LD之间，黏着层160为异方性导电膜(ACF)，而发光元件LD的第一连接柱CP1与第二连接柱CP2可分别通过导电粒子PTC来电连接接合垫BP。在本实施例中，导电粒子PTC被挤压在连接柱(第一连接柱CP1与第二连接柱CP2)与接合垫BP之间，以形成导电路径，但不以此为限。
请参考图15A与图15B，图15A与图15B所示为本发明的第七实施例的电子装置的基板结构的剖面示意图。如图15A与图15B所示，本实施例与第一实施例的差别在于基板结构700另包括设置在发光元件LD上的缓冲层710。在本实施例中，缓冲层710设置在钝化层PS上并被涂布层OC所覆盖。举例而言，图15A所示的缓冲层710覆盖发光元件LD的顶部，图15B所示的缓冲层710覆盖发光元件LD的顶部与侧壁，但不以此为限。在本实施例中，缓冲层710可用以缩小发光元件LD之间的高度差异，以提升涂布层OC与发光元件LD之间的黏着。并且，当进行发光元件LD的转移制程时，缓冲层710可减少施加在发光元件LD上的机械应力，以保护发光元件LD。缓冲层710的材料可为树脂、环氧树脂(epoxy resin)、硅氧树脂(silicone)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane,PDMS)、聚乙烯乙酸酯(polyvinyl acetate)、聚乙烯酯(polyvinyl ester)、聚氯丁二烯(polychloroprene)或其组合，但不以此为限。
请参考图16至图17B，图16所示为本发明的第八实施例电子装置的基板结构的剖面示意图，图17A与图17B所示为本发明的第八实施例的电子装置的剖面示意图，其中图17A与图17B所绘示的驱动薄膜晶体管DT与发光元件LD可相同于本发明的第八实施例。如图16所示，本实施例与第一实施例的差别在于设置在驱动电路结构DCS上的发光元件LD在图16中向上发光(光线由下到上)。在本实施例中，发光元件LD相对于图1颠倒地转移；也就是说，元件基板802设置在第二载子传输层176上，其中元件基板802作为转移制程中的基底。此外，因为光线是向上发射，所以光线并不会照射到驱动薄膜晶体管DT的通道层CLd，使得发光元件LD的发光层174在一些实施例中是可以与驱动薄膜晶体管DT的通道层CLd重叠。如图16至图17B所示，由于光线向上发射，因此背板BKP与背板黏着层BAL不能显著地影响发光元件LD所发出的光线。举例而言，在图17A中，背板BKP可为透明(例如背板BKP可包括玻璃、聚亚酰胺材料及/或其他透明材料)，全面性的背板黏着层BAL可包括异方性导电膜(ACF)810与透明黏着剂820，而透明黏着剂820可包括压克力(acrylic)、聚乙烯醇(polyvinylalcohol,PVA)及/或其他透明黏着剂。再举例而言，在图17B中，背板BKP可为透明，背板黏着层BAL(即异方性导电膜810)部分地形成，且电子装置ED还另包括设置在电子装置ED的周围区域的框胶830，而框胶830可包括环氧树脂或其他适合的黏着剂。集成电路IC与辅助薄膜晶体管AT在背板BKP表面上的投影要与发光元件LD在背板BKP表面上的投影彼此分离，且若集成电路IC与辅助薄膜晶体管AT是由不透明的材料所制造，则发光元件LD不与此些构件重叠。此外，图17B所示的框胶830可为透明、不透明或半透明。另外，分别绘示在图17A与图17B的透明黏着剂820与框胶830都接触于基板结构800，但不以此为限。在另一实施例中，绘示于图17A与图17B的发光元件LD可用以作为背光模块中的构件，以提供背光，而发光元件LD可由下往上的发射光线。因此，若发光元件LD向下发射光线，面板可设置在基板110相反于发光元件LD的一侧，而背板BKP可由不透明或反射性材料所制；若发光元件LD向上发射光线，面板可设置在背板BKP上，而背板BKP可由透明材料所制，但不以此为限。
请参考图18，图18所示为本发明的第九实施例电子装置的基板结构的剖面示意图，其中图18所示的驱动薄膜晶体管DT与发光元件LD可相同于本发明的上述其中一个实施例或其他适合的实施例。如图18所示，本实施例与第一实施例的差别在于基板结构900可另包括一个或多个辅助薄膜晶体管AT，而基板结构900的辅助薄膜晶体管AT可设置在电子装置ED的周围区域。
请参考图19，图19所示为本发明的第十实施例电子装置的基板结构的剖面示意图，其中图19所示的驱动薄膜晶体管DT与发光元件LD可相同于本发明的上述其中一个实施例或其他适合的实施例。如图19所示，本实施例与第一实施例的差别在于电子装置ED可不具有背板结构BS。因此，集成电路IC(未示于图19)与辅助薄膜晶体管AT可设置在基板结构1000内或设置在其他适合的位置。在一实施例中，在形成基板结构1000与涂布层OC之后，可直接在基板结构1000上进行封装制程，但不以此为限。在另一实施例中，在形成基板结构1000与涂布层OC之后，并在进行封装制程之前，可设置覆盖板在涂布层OC上。
请参考图20，图20所示为本发明的第十一实施例电子装置的基板结构的剖面示意图，其中图20所示的驱动薄膜晶体管DT与发光元件LD可相同于本发明的上述其中一个实施例或其他适合的实施例。举例来说，图20所绘示的基板结构100相同于第一实施例。如图20所示，本实施例与第一实施例的差别在于电子装置ED另包括面板1100。举例而言，若电子装置ED为显示设备，面板1100为显示面板1100，但不以此为限。面板1100可设置在基板结构100的一侧表面上或是设置在背板BKP上。例如，在图20中，因为发光元件LD向下方光，面板1100设置在基板110相反于发光元件LD的一侧，但不以此为限。在本实施例中，包括驱动电路结构DCS与发光元件LD的基板结构100用以作为背光模块中的构件，以提供背光给面板1100。再举例来说，发光元件LD可向上发射光线(例如，图16、图17A或图17B所示的实施例)，而面板1100设置在背板BKP上或设置在涂布层OC上，但不以此为限。
在用以作为背光模块的基板结构100中，以下特征可选择性地包括。请参考相关于前述实施例的图1与其他附图，驱动薄膜晶体管DT的通道层CLd可不重叠于发光元件LD的发光层174及/或第一连接柱CP1。驱动电路结构DCS可另包括电连接驱动薄膜晶体管DT的开关薄膜晶体管ST。驱动电路结构DCS可另包括电连接驱动薄膜晶体管DT的电容Cpc。电子装置ED可另包括设置在发光元件LD上的缓冲层710。基板结构100可另包括静电放电防护元件ESD，其电连接第一连接柱CP1与第二连接柱CP2的其中至少一个。电子装置ED可另包括黏着层160，设置在驱动电路结构DCS与发光元件LD之间。包括背板BKP与集成电路IC的背板结构BS设置在基板结构100上，其中集成电路IC与至少一个发光元件LD位于在背板BKP与基板110之间，而集成电路IC电连接至少一个驱动薄膜晶体管DT。此外，电子装置ED可另包括其他适合的构件，举例而言，电子装置ED可另包括用以扩散背光的光扩散膜或其他光学膜，例如棱镜片(brightness enhancement film,BEF)、反射式偏光增光片(dual brightnessenhancement film,DBEF)、透镜、微透镜、增光膜，但不以此为限。在其他实施例中，电子装置ED可另包括波长转换层，其设置在发光元件LD上，波长转换层例如包括磷光体(phosphor)、量子点(quantum dots)、彩色滤光层(color filter)，但不以此为限。
综上所述，由于本发明的驱动薄膜晶体管的通道层具有小于第一连接柱与第二连接柱之间的距离的通道长度，因此，即使发光面积较大，流通过驱动薄膜晶体管并用以驱动发光元件的驱动电流会增加。据此，可改善电子装置的效能及/或缩减电子装置的成本。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化，各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示设备，其特征在于，包括：
一基板；
一驱动电路结构，设置在所述基板上，并具有至少一驱动薄膜晶体管；以及
至少一发光元件，设置在所述驱动电路结构上，且电连接所述至少一驱动薄膜晶体管，其中所述至少一发光元件包括元件导电层、第一载子传输层、第二载子传输层、第一导电连接结构及第二导电连接结构，所述元件导电层包括第一区块及第二区块，所述第一区块通过所述第一导电连接结构电连接所述第一载子传输层，所述第二区块通过所述第二导电连接结构电连接所述第二载子传输层；
其中所述第一区块的至少一部分的顶表面与所述基板间的最小距离大于所述第二导电连接结构的顶表面与所述基板间的最小距离，以及所述第二区块的至少一部分的顶表面与所述基板间的最小距离大于所述第一导电连接结构的顶表面与所述基板间的最小距离。
2.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一导电连接结构的所述顶表面与所述第二导电连接结构的所述顶表面彼此共平面。
3.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述至少一发光元件具有倾斜侧壁。
4.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述至少一发光元件还包含一发光层，设置在所述第一载子传输层与所述第二载子传输层之间。
5.如权利要求4所述的显示设备，其特征在于，所述发光层不重叠于所述至少一驱动薄膜晶体管的一通道层。
6.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一区块的至少一部分与所述第二区块的至少一部分彼此共平面。
7.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一载子传输层通过所述第一区块与所述第一导电连接结构电连接到所述至少一驱动薄膜晶体管。
8.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述驱动电路结构还包括至少一开关薄膜晶体管，所述至少一开关薄膜晶体管电连接所述至少一驱动薄膜晶体管。
9.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述驱动电路结构还包括一电容，所述电容电连接所述至少一驱动薄膜晶体管。
10.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，还包括一静电放电防护元件，所述静电放电防护元件电连接所述至少一发光元件。
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