KR100993404B1 - 정전기 보호회로 및 이를 구비한 유기전계발광 표시장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 정전기 보호회로를 구비한 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다.
본 발명의 유기전계발광 표시장치는, 표시패널과, 상기 표시패널의 일측에 위치되며 상기 표시패널의 외부로부터 구동전원 및 구동신호를 입력받는 다수의 패드들이 구비된 패드부와, 상기 패드부로부터의 상기 구동전원 및 구동신호를 상기 표시패널 내부로 전달하는 다수의 신호입력라인들과, 상기 신호입력라인들 중 하나 이상의 신호입력라인에 연결되는 정전기 보호회로를 구비하며, 상기 정전기 보호회로는, 게이트 전극, 제1 전극 및 제2 전극이 구비되며 상기 게이트 전극이 상기 제1 전극에 접속되어 다이오드 연결되는 하나 이상의 트랜지스터를 구비하고, 상기 트랜지스터의 게이트 전극으로부터 제1 전극 및 제2 전극까지의 거리가 상이하게 설정됨을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 정전기 보호회로 및 이를 구비한 유기전계발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 정전기에 대한 내구성이 향상된 정전기 보호회로 및 이를 구비한 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다.
일반적으로, 유기전계발광 표시장치의 표시패널은 인쇄회로기판 등의 외부로부터 전달되는 구동전원 및 구동신호를 공급받아 구동된다.
이를 위하여, 표시패널의 일측에는 구동전원 및 구동신호를 입력받는 다수의 패드들로 구성된 패드부가 형성된다. 그리고, 패드들은 입력받은 구동전원 및 구동신호가 표시패널 내부로 전달될 수 있도록 다수의 신호입력라인들과 연결된다.
신호입력라인들은 패드부로부터의 구동전원 및 구동신호를 표시패널 내부로 전달하기 위한 것으로, 패드부와 표시패널 내부의 구성요소들 사이에 연결되도록 표시패널 상에 형성된다. 예컨대, 신호입력라인들은 표시부, 주사구동부, 데이터구 동부 등의 표시패널 내부의 구성요소들과 패드부 사이에 연결될 수 있다.
단, 신호입력라인들로는 구동전원 및/또는 구동신호 뿐만 아니라 의도하지 않은 정전기(ESD)가 유입될 수도 있는데, 정전기(ESD)가 신호입력라인들을 통해 표시패널 내부로 전달되는 경우 유기전계발광 표시장치의 구동불량이 야기될 수도 있다.
이를 방지하기 위하여, 신호입력라인들의 입력측에는 정전기 보호회로가 연결될 수 있다. 이와 같은 정전기 보호회로는 보호 다이오드 등을 포함하여 구성되어, 정전기가 표시패널 내부의 표시부 및 구동회로부 등으로 유입되는 것을 방지한다.
하지만, 전압의 크기(즉, 전압의 절대값)가 큰 정전기가 유입되는 경우, 정전기 보호회로 자체가 손상되어 정전기로부터 패널 내부의 구성요소들을 보호할 수 없게될 수도 있다.
따라서, 정전기 보호회로 자체적으로도 정전기에 대한 내구성을 보다 향상시킬 필요성이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 정전기에 대한 내구성이 보다 향상된 정전기 보호회로와 이를 구비한 유기전계발광 표시장치를 제공하는 것이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제1 측면은 표시패널과, 상기 표시패널의 일측에 위치되며 상기 표시패널의 외부로부터 구동전원 및 구동신호를 입력받는 다수의 패드들이 구비된 패드부와, 상기 패드부로부터의 상기 구동전원 및 구동신호를 상기 표시패널 내부로 전달하는 다수의 신호입력라인들과, 상기 신호입력라인들 중 하나 이상의 신호입력라인에 연결되는 정전기 보호회로를 구비하며, 상기 정전기 보호회로는, 게이트 전극, 제1 전극 및 제2 전극이 구비되며 상기 게이트 전극이 상기 제1 전극에 접속되어 다이오드 연결되는 하나 이상의 트랜지스터를 구비하고, 상기 트랜지스터의 게이트 전극으로부터 제1 전극 및 제2 전극까지의 거리가 상이하게 설정됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치를 제공한다.
여기서, 상기 트랜지스터의 게이트 전극으로부터 제2 전극까지의 거리는 상기 게이트 전극으로부터 제1 전극까지의 거리보다 크게 설정될 수 있다. 또한, 상기 트랜지스터의 게이트 전극으로부터 제2 전극까지의 거리가 6 ㎛ 이상으로 설정될 수 있다.
또한, 상기 표시패널은, 주사선들 및 데이터선들의 교차부에 위치된 다수의 화소들이 구비된 표시부와, 상기 화소들로 구동신호를 공급하는 구동회로부를 구비하고, 상기 정전기 보호회로는, 상기 표시부 및 구동회로부 중 적어도 어느 하나와 상기 패드부 사이에 연결되는 신호입력라인들 중 하나 이상의 신호입력라인에 연결될 수 있다.
또한, 상기 트랜지스터는 역방향으로 다이오드 연결될 수 있다.
또한, 상기 정전기 보호회로는, 상기 신호입력라인들 중 적어도 하나의 신호입력라인과 제1 전원 사이에 역방향으로 다이오드 연결되는 제1 트랜지스터와, 상기 적어도 하나의 신호입력라인과 제2 전원 사이에 역방향으로 다이오드 연결되는 제2 트랜지스터를 포함할 수 있다.
본 발명의 제2 측면은, 신호라인의 입력측에 접속되어 상기 신호라인을 통해 정전기가 유입되는 것을 방지하는 정전기 보호회로에 있어서, 상기 정전기 보호회로는, 게이트 전극, 제1 전극 및 제2 전극이 구비되며 상기 게이트 전극이 상기 제1 전극에 접속되어 다이오드 연결되는 하나 이상의 트랜지스터를 구비하고, 상기 트랜지스터는 게이트 전극으로부터 제1 전극 및 제2 전극까지의 거리가 상이하게 설정됨을 특징으로 하는 정전기 보호회로를 제공한다.
여기서, 상기 트랜지스터의 게이트 전극으로부터 제2 전극까지의 거리는 상기 게이트 전극으로부터 제1 전극까지의 거리보다 크게 설정될 수 있다.
또한, 상기 트랜지스터는 역방향으로 다이오드 연결될 수 있다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 정전기에 대한 정전기 보호회로의 내구성을 보다 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 표시패널을 나타내는 블럭도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 표시패널(100)은, 표시부(110)와, 표시부(110)로 주사신호 및 데이터신호와 같은 구동신호를 공급하는 주사구동부(120) 및 데이터구동부(130)를 포함하는 구동회로부를 구비한다.
표시부(110)는 주사선들(S1 내지 Sn) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)의 교차부에 위치된 다수의 화소들(112)을 구비한다. 이와 같은 표시부(110)는 주사선들(S1 내지 Sn) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)로부터 공급되는 주사신호 및 데이터신호에 대응하여 영상을 표시한다. 미설명 도면부호 ELVDDL 및 ELVSSL은 각각 제1 및 제2 화소전원(ELVDD, ELVSS)의 공급라인이다.
주사구동부(120)는 패드부(140)로부터 전달되는 주사 구동전원 및 주사 제어신호들에 대응하여 주사신호를 생성한다. 주사구동부(120)에서 생성된 주사신호는 주사선들(S1 내지 Sn)을 통해 순차적으로 표시부(110)로 공급된다.
데이터구동부(130)는 패드부(140)로부터 전달되는 데이터 및 데이터 제어신호들에 대응하여 데이터신호를 생성한다. 데이터구동부(130)에서 생성된 데이터신호는 주사신호에 동기되어 데이터선들(D1 내지 Dm)을 통해 표시부(110)로 공급된다.
패드부(140)는 표시패널(100)의 일측에 위치되도록 형성되며, 표시패널(100)의 외부로부터 구동전원 및 구동신호를 입력받는 다수의 패드들(P)을 구비한다.
이때, 패드부(140)는 표시패널(100)의 외부로부터 입력된 구동전원 및 구동신호가 표시패널(100) 내부로 전달될 수 있도록 다수의 신호입력라인들(L)과 연결된다. 즉, 각각의 패드(P)는 각각의 신호입력라인(L)을 통해 표시패널(100) 내부의 구성요소와 연결된다. 예를 들어, 각각의 패드(P)는 각각의 신호입력라인(L)을 통해 표시패널(100) 내부의 표시부(110) 또는 구동회로부 등에 연결될 수 있다.
신호입력라인들(L)은 패드부(140)와 표시패널(100) 내부의 구성요소 사이에 접속되도록 표시패널(100) 상에 형성되어, 패드부(140)로부터의 구동전원 및 구동신호를 표시패널(100) 내부로 전달한다. 예컨대, 신호입력라인들(L)은 표시부(110), 주사구동부(120) 및 데이터구동부(130)와 패드부(140) 사이에 접속되어, 패드부(140)로부터 전달되는 구동전원 및 구동신호를 표시부(110), 주사구동부(120) 및 데이터구동부(130)로 전달할 수 있다.
단, 본 발명에서, 신호입력라인들(L) 중 하나 이상의 신호입력라인의 입력측에는 정전기 보호회로(150)가 연결된다. 즉, 표시부(110) 및 구동회로부 중 적어도 어느 하나와 패드부(140)의 사이에 연결되는 신호입력라인들(L) 중 하나 이상의 신호입력라인(L)에는 정전기 보호회로(150)가 연결된다.
예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이 주사구동부(120)와 패드부(140) 사이에 연결되는 신호입력라인들(L)에는 정전기 보호회로(150)가 연결될 수 있다. 이 경우, 정전기 보호회로(150)는 주사 구동전원 및/또는 주사 제어신호(예컨대, 주사구동부(120)의 스타트 펄스, 클럭신호 및 출력 인에이블 신호 등)의 신호입력라인들(L)에 연결되도록 형성될 수 있다.
이와 같은 정전기 보호회로(150)는 적어도 하나의 신호입력라인(L)에 연결된 보호 다이오드 등을 포함하도록 구성될 수 있다.
이에 의하여, 신호입력라인(L)을 통해 유입되는 정전기(ESD)가 보호 다이오드에 의해 제거되어 정전기에 의한 유기전계발광 표시장치의 구동불량이 방지된다.
도 2는 도 1에 도시된 정전기 보호회로의 일례를 나타내는 회로도이다. 그리고, 도 3은 도 1에 도시된 정전기 보호회로의 다른 예를 나타내는 회로도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 정전기 보호회로(150)는, 표시패널 내부에 형성된 구성요소들과 패드부 사이를 연결하는 적어도 하나의 신호입력라인(L) 각각에 연결된 보호 다이오드(PD)를 포함한다.
예를 들어, 정전기 보호회로(150)는 패드부와, 표시부, 주사구동부 및 데이터구동부 중 적어도 어느 하나 사이를 연결하는 적어도 하나의 신호입력라인(L)에 전기적으로 연결된 보호 다이오드(PD)를 포함할 수 있다.
여기서, 보호 다이오드(PD)는, 게이트 전극, 제1 전극 및 제2 전극이 구비되며 게이트 전극이 제1 전극에 접속되어 다이오드 연결되는 트랜지스터, 특히, 역방향으로 다이오드 연결되는 트랜지스터로 구성될 수 있다. 또한, 보호 다이오드(PD)를 구동하기 위한 제1 및 제2 전원으로는 고전위 구동전원인 제1 주사 구동전원(VDD)과, 저전위 구동전원인 제2 주사 구동전원(VSS) 등이 이용되거나, 혹은 별도의 전원이 이용될 수 있다.
예를 들어, 정전기 보호회로(150)는, 신호입력라인(L)과 제1 전원(VDD) 사이에 역방향으로 다이오드 연결된 제1 트랜지스터로 구현되는 제1 보호 다이오드(PD1)와, 신호입력라인(L)과 제2 전원(VSS) 사이에 역방향으로 다이오드 연결된 제2 트랜지스터로 구현되는 제2 보호 다이오드(PD2, PD2')를 포함할 수 있다.
단, 본 설명에서 역방향으로 다이오드 연결된다는 의미는 일반적인 상태, 즉, 구동전원 및 구동신호 등이 입력되는 경우를 기준으로 한 것이며, 절대값이 큰 양의 정전기 또는 음의 정전기가 입력되는 경우, 이들 정전기에 대해서는 다이오드의 연결방향이 순방향이 될 수도 있다.
즉, 전압의 크기(즉, 전압의 절대값)가 큰 정전기 중 양(+)의 값을 가지는 정전기는 제1 전원(VDD) 쪽으로 유도되고, 음(-)의 값을 가지는 정전기는 제2 전원(VSS) 쪽으로 유도되어 정전기가 표시패널 내부에 형성된 다른 구성요소들로 입력되지 않게 된다.
이와 같은 보호 다이오드(PD)는 공정의 편의를 위하여 화소에 포함된 트랜지스터(미도시)의 반도체층 및 소스/드레인 전극과 동일한 재료를 이용하여 이들과 동시에 형성될 수 있다.
한편, 제1 및 제2 보호 다이오드(PD)로 이용되는 트랜지스터들은 도 2에 도시된 바와 같이 서로 다른 타입의 트랜지스터, 예컨대, 각각 P형 및 N형의 트랜지스터로 형성되거나, 혹은 도 3에 도시된 바와 같이 동일한 타입의 트랜지스터, 예컨대 P형 트랜지스터로 형성될 수 있는 것으로, 이는 다양하게 변형 실시가 가능하다. 또한, 도시되지는 않았으나, 정전기 보호회로(150)는 저항소자 등을 더 포함하여 구성될 수도 있다.
전술한 바와 같이, 표시패널 내부에 형성된 구성 요소들과 패드부를 연결하는 신호입력라인(L)에 적어도 보호 다이오드(PD)를 포함하여 구성되는 정전기 보호회로(150)를 형성하면, 외부로부터 신호입력라인(L)으로 유입된 정전기가 보호 다이오드(PD)에 의해 제1 전원(VDD) 또는 제2 전원(VSS) 쪽으로 바이패스(bypass)된다. 이에 따라, 정전기에 의한 표시패널 내부의 구성 요소들이 손상되는 것을 방지하여, 유기전계발광 표시장치의 구동불량을 방지할 수 있다.
도 4는 도 3에 도시된 보호 다이오드의 일례를 나타내는 요부 평면도이다. 그리고, 도 5는 도 3에 도시된 보호 다이오드의 일례를 나타내는 요부 단면도이다. 편의상, 도 4에서는 하나의 신호입력라인에 연결된 제1 및 제2 보호 다이오드를 도시하고, 도 5에서는 하나의 보호 다이오드만을 개략적으로 도시하기로 한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 보호 다이오드(PD)는, 신호입력라인(L)과 제1 전원의 입력라인(이하, VDDL) 사이 및 신호입력라인(L)과 제2 전원의 입력라인(이하, VSSL) 사이에 각각 형성된다.
보다 구체적으로, 보호 다이오드(PD)는, 신호입력라인(L)과 VDDL 사이에 역방향으로(양의 정전기 입력시 순방향이 될 수 있음) 다이오드 연결되는 제1 트랜지스터와, 신호입력라인(L)과 VSSL 사이에 역방향으로(음의 정전기 입력시 순방향이 될 수 있음) 다이오드 연결되는 제2 트랜지스터를 포함하여 구성된다.
여기서, 신호입력라인(L), VDDL, VSSL, 소스 및 드레인 전극(570)은 동일한 공정 단계에서, 서로 동일한 재료로 형성될 수 있다. 이 경우, 보호 다이오드(PD)를 구성하는 각 트랜지스터의 소스 또는 드레인 전극(570)은 신호입력라인(L)을 구성하는 도전막과 일체로 형성될 수 있다.
또한, 게이트 전극(540)은 VDDL과 제1 트랜지스터의 제1 전극(예컨대, 소스 전극(570))을 연결하는 연결배선과 동일한 재료로 동일 공정 단계에서 형성될 수 있다.
한편, 반도체층(520)은 컨택홀(560)을 통해 각 트랜지스터의 소스 전극(570)과 드레인 전극(570) 사이에 연결된다.
이와 같은 보호 다이오드(PD)는 입력신호배선(L)을 통해 입력되는 정전기를 제1 또는 제2 전원(VDD, VSS)과 같은 레퍼런스 전원 쪽으로 유도하여 정전기로부터 다른 회로 소자들을 보호하는 역할을 한다.
도 5를 참조하여 보호 다이오드(PD)의 단면을 살펴보면, 보호 다이오드(PD)는 기판(510) 상에 형성된 반도체층(520)과, 반도체층(520) 상에 형성된 게이트 절연막(530)과, 게이트 절연막(530) 상에 형성된 게이트 전극(540)과, 게이트 전 극(540) 상에 형성된 층간 절연막(550)과, 층간 절연막(550) 상에 형성되며 컨택홀(560)에 의해 반도체층(520)과 전기적으로 연결되는 소스 및 드레인 전극(570)을 포함하는 트랜지스터로 구성된다. 여기서, 도 5에서는 도시되지 않았지만, 트랜지스터의 게이트 전극(540)은 소스 또는 드레인 전극(570)과 접속되어 다이오드 연결된다.
단, 본 발명에서, 도 4 내지 도 5에 도시된 바와 같이 트랜지스터의 게이트 전극(540)으로부터 제1 전극(예컨대 소스 전극)까지의 거리(d1)와, 상기 게이트 전극(540)으로부터 제2 전극(예컨대, 드레인 전극)까지의 거리(d2)는 상이하게 설정된다.
특히, 게이트 전극(540)의 전위와 상이한 전위를 갖는 제2 전극은, 게이트 전극(540)의 전위와 동일한 전위를 갖는 제1 전극에 비해 게이트 전극(540)으로부터 보다 멀리 이격되도록 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 본 발명에서, 트랜지스터의 게이트 전극(540)으로부터 제2 전극까지의 거리(d2)는, 상기 게이트 전극(540)으로부터 제1 전극까지의 거리(d1)보다 크게 설정되는 것으로, 정전기에 의한 쇼트결함이 방지될 수 있는 정도로 충분히 확보되는 것이 바람직하다.
예를 들어, 트랜지스터의 게이트 전극(540)으로부터 제1 전극까지의 거리(d1)가 2㎛로 설정되는 경우, 상기 게이트 전극(540)으로부터 제2 전극까지의 거리(d2)는 6㎛ 이상으로 설정될 수 있다. 여기서, 게이트 전극(540)과 제2 전극 사이의 이격 거리(d2)는 크게 설정되는 것이 좋으나, 공간 확보 및 설계 효율 등을 고려하여 상한선을 적절히 조절하는 것이 바람직하다.
전술한 바와 같이, 게이트 전극(540)의 전위와 상이한 전위를 갖는 제2 전극을 게이트 전극(540)으로부터 충분히 이격시켜 형성하면, 강한 정전기가 유입된다고 하더라도 게이트 전극(540)과 제2 전극 사이에 쇼트결함이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 정전기에 대한 정전기 보호회로(150) 자체의 내구성을 강화시켜, 정전기 보호회로(150)의 손상없이 표시패널을 정전기로부터 효과적으로 보호할 수 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 표시패널을 나타내는 블럭도이다.
도 2는 도 1에 도시된 정전기 보호회로의 일례를 나타내는 회로도이다.
도 3은 도 1에 도시된 정전기 보호회로의 다른 예를 나타내는 회로도이다.
도 4는 도 3에 도시된 보호 다이오드의 일례를 나타내는 요부 평면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 보호 다이오드의 일례를 나타내는 요부 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 표시패널 110: 표시부
112: 화소 120: 주사구동부
130: 데이터구동부 140: 패드부
150: 정전기 보호회로 PD: 보호 다이오드
520: 반도체층 540: 게이트 전극
570: 소스/드레인 전극
Claims (15)
- 표시패널과,상기 표시패널의 일측에 위치되며, 상기 표시패널의 외부로부터 구동전원 및 구동신호를 입력받는 다수의 패드들이 구비된 패드부와,상기 패드부로부터의 상기 구동전원 및 구동신호를 상기 표시패널 내부로 전달하는 다수의 신호입력라인들과,상기 신호입력라인들 중 하나 이상의 신호입력라인에 연결되는 정전기 보호회로를 구비하며,상기 정전기 보호회로는, 게이트 전극, 제1 전극 및 제2 전극이 구비되며 상기 게이트 전극이 상기 제1 전극에 접속되어 다이오드 연결되는 하나 이상의 트랜지스터를 구비하고, 상기 트랜지스터의 게이트 전극으로부터 제1 전극 및 제2 전극까지의 거리가 상이하게 설정됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
- 제1항에 있어서,상기 트랜지스터의 게이트 전극으로부터 제2 전극까지의 거리는 상기 게이트 전극으로부터 제1 전극까지의 거리보다 크게 설정됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
- 제1항에 있어서,상기 트랜지스터의 게이트 전극으로부터 제2 전극까지의 거리가 6 ㎛ 이상으로 설정되는 유기전계발광 표시장치.
- 제1항에 있어서,상기 표시패널은, 주사선들 및 데이터선들의 교차부에 위치된 다수의 화소들이 구비된 표시부와, 상기 화소들로 구동신호를 공급하는 구동회로부를 구비하는 유기전계발광 표시장치.
- 제4항에 있어서,상기 정전기 보호회로는, 상기 표시부 및 구동회로부 중 적어도 어느 하나와 상기 패드부 사이에 연결되는 신호입력라인들 중 하나 이상의 신호입력라인에 연결되는 유기전계발광 표시장치.
- 제4항에 있어서,상기 구동회로부는, 상기 주사선들로 주사신호를 공급하는 주사구동부와, 상기 데이터선들로 데이터신호를 공급하는 데이터구동부를 포함하는 유기전계발광 표시장치.
- 제1항에 있어서,상기 트랜지스터는 역방향으로 다이오드 연결됨을 특징으로 하는 유기전계발 광 표시장치.
- 제1항에 있어서,상기 정전기 보호회로는,상기 신호입력라인들 중 적어도 하나의 신호입력라인과 제1 전원 사이에 역방향으로 다이오드 연결되는 제1 트랜지스터와,상기 적어도 하나의 신호입력라인과 제2 전원 사이에 역방향으로 다이오드 연결되는 제2 트랜지스터를 포함하는 유기전계발광 표시장치.
- 제8항에 있어서,상기 제1 전원은 고전위 구동전원으로 설정되고, 상기 제2 전원은 저전위 구동전원으로 설정되는 유기전계발광 표시장치.
- 신호라인의 입력측에 접속되어 상기 신호라인을 통해 정전기가 유입되는 것을 방지하는 정전기 보호회로에 있어서,상기 정전기 보호회로는, 게이트 전극, 제1 전극 및 제2 전극이 구비되며 상기 게이트 전극이 상기 제1 전극에 접속되어 다이오드 연결되는 하나 이상의 트랜지스터를 구비하고,상기 트랜지스터는 게이트 전극으로부터 제1 전극 및 제2 전극까지의 거리가 상이하게 설정됨을 특징으로 하는 정전기 보호회로.
- 제10항에 있어서,상기 트랜지스터의 게이트 전극으로부터 제2 전극까지의 거리는 상기 게이트 전극으로부터 제1 전극까지의 거리보다 크게 설정됨을 특징으로 하는 정전기 보호회로.
- 제10항에 있어서,상기 트랜지스터의 게이트 전극으로부터 제2 전극까지의 거리가 6 ㎛ 이상으로 설정되는 정전기 보호회로.
- 제10항에 있어서,상기 트랜지스터는 역방향으로 다이오드 연결됨을 특징으로 하는 정전기 보호회로.
- 제10항에 있어서,상기 정전기 보호회로는,상기 신호라인과 제1 전원 사이에 역방향으로 다이오드 연결되는 제1 트랜지스터와,상기 신호라인과 제2 전원 사이에 역방향으로 다이오드 연결되는 제2 트랜지스터를 포함하는 정전기 보호회로.
- 제10항에 있어서,상기 제1 전원은 고전위 구동전원으로 설정되고, 상기 제2 전원은 저전위 구동전원으로 설정되는 정전기 보호회로.
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