CN115210066A - 导电性层叠体及使用其的光学装置、导电性层叠体的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种长期具有低电阻、高透过率的导电性层叠体及具备其的各种光学元件、导电性层叠体的制造方法。导电性层叠体(1)具有透明基板(2)并在透明基板(2)的至少1个面上从透明基板(2)侧起依次层叠有第一透明材料层(3)、以银为主要成分的金属层(4)、第二透明材料层(5)。第一透明材料层(3)由至少含有锌和锡且含有10原子%以上且90原子%以下的锡的复合金属氧化物构成。第二透明材料层(5)由含有锌且锡的含有率为10原子%以下的金属氧化物构成。
Description
技术领域
本技术涉及用于例如触摸面板、调光元件、电泳型光学元件、发光元件、天线等的导电性层叠体。本申请是在日本于2020年3月3日申请的日本专利申请号特愿2020-035784的基础上主张优先权的申请,通过参照该申请而引用于本申请。
背景技术
一直以来,透明且具有导电性的材料被用于各种光学装置。例如,可以举出:层叠在图像元件设备上并检测因静电电容的变化等而被按压的位置的触摸面板、利用电致变色现象以电气方式可变地调整外部光的较强光的调光元件、利用了电致发光现象的发光元件、利用电场对分散在液体中的具有电荷的微粒进行操作的电泳型光学元件、即使粘贴在窗等上也不会损害眺望性的天线等。
这些光学装置中使用的电极要求在光学上透明,并且,从动作上的课题出发,需要提高电导率。因此,要求透明且电阻小的材料。作为这种材料,通常广泛使用作为铟和锡的复合氧化物的ITO(Indium Tin Oxide:氧化铟锡)。ITO在市场上已经占据较大的位置。但是,为了降低电阻值、提高透明性,ITO需要在高温下成膜或成膜后施加热处理,在用于不耐热的基板和元件的情况下存在问题。
因此,正在推进不加热时电阻值低、透明性高的材料的开发,研究了使用Zn-O、In-Zn-O(IZO)、Al-Zn-O(AZO)、Sn-Zn-O(ZTO)等锌系氧化物作为ITO的替代材料。这些锌系氧化物中,AZO、ZTO不包含担心对人体有影响的铟,因此更优选。
然而,在等离子电视等中,在装置的结构上,会从画面释放电磁波。为了吸收该电磁波,开发了各种透明材料,已知用高折射率的透明材料夹持非常薄的银薄膜而得的层叠体非常有效,并进行了广泛的研究、开发。该层叠体利用银来赋予导电性,利用高折射率的材料与银之间的光干涉效应来抑制表面反射而提高透过率,由此实现了高透过、低电阻。而且,还看到了将该层叠体应用于上述光学装置等的例子。
这样,兼具透过性和导电性的透明导电膜可以考虑各种应用例,但为了实现上述元件的省电、高速动作,要求进一步的低电阻、高透过率。在ITO等金属氧化物中,为了降低电阻值,需要增加膜的厚度,如果增加膜的厚度,则透过率会降低,难以得到充分的特性。因此,认为用透明材料夹持金属的两侧而得的层叠体非常有益。特别是,专利文献2中例示的将锡和锌的复合氧化物作为透明材料夹持银的两侧而得的层叠体中,锡和锌的复合氧化物在化学上稳定,具有优异的水蒸气阻隔性能,因此能够抑制银薄膜的劣化,能够得到稳定的特性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第4820738号公报
专利文献2:日本专利第4961786号公报
非专利文献
非专利文献1:Appl.Phys.A(2014)116:1287-1291
发明内容
发明所要解决的课题
但是,已知:实际上将作为导电薄膜的以锡和锌的复合氧化物作为透明材料夹持银的两侧而得的导电性层叠体在高温高湿度的加速环境下保存时,虽然保持透过率的性能,但表面电阻急剧增大,存在难以用作导电膜的倾向。这表明导电性层叠体的长期使用存在问题。
因此,期望高透过率、即使在高温高湿度的加速环境下保存后也能够维持低电阻的导电性层叠体。另外,作为导电膜使用的铟锡复合氧化物是稀有的,另外,期望不使用也担心对人体有影响的铟。
因此,本技术是鉴于上述问题而完成的,其目的在于提供一种长期具有低电阻、高透过率的导电性层叠体以及具备该导电性层叠体的各种光学元件、导电性层叠体的制造方法。
用于解决课题的方法
本发明人为了解决上述课题而反复进行了深入研究,结果发现,在从透明基板侧起依次层叠有第一透明材料层、以银为主要成分的金属层、第二透明材料层的导电性层叠体中,第一透明材料层由至少含有锌和锡并且含有规定量的锡的复合金属氧化物构成,第二透明材料层由含有锌并且锡的含有率为规定量以下的金属氧化物构成时,能够兼顾高透过率和低电阻,从而完成了本发明。
即,本技术是一种导电性层叠体,其在透明基板的至少1面上从透明基板侧起依次层叠有第一透明材料层、以银为主要成分的金属层、第二透明材料层,其中,第一透明材料层由至少含有锌和锡且含有10原子%以上且90原子%以下的锡的复合金属氧化物构成,第二透明材料层由含有锌并且锡的含有率为10原子%以下的金属氧化物构成。
此外,本技术的光学装置使用上述导电性层叠体作为电极的至少一个极。
另外,本技术的导电性层叠体的制造方法具有在透明基板的至少1面上从透明基板侧起依次层叠第一透明材料层、以银为主要成分的金属层、第二透明材料层的工序,第一透明材料层由至少含有锌和锡且含有10原子%以上且90原子%以下的锡的复合金属氧化物构成,第二透明材料层由含有锌并且锡的含有率为10原子%以下的金属氧化物构成。
发明效果
根据本技术,能够抑制在导电性层叠体的各界面处的光吸收层的生成,因此能够提供长期具有低电阻、高透过率的导电性层叠体,能够将这样的导电性层叠体用作省电、高性能的触摸面板、调光元件、天线、电泳元件、发光元件等各种光学装置的电极。
附图说明
[图1]图1是示意性示出应用了本技术的导电性层叠体的构成例的截面图。
[图2]图2是表示薄膜形成装置的内部结构例的立体图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图详细描述应用本技术的导电性层叠体以及使用该导电性层叠体的光学装置、导电性层叠体的制造方法。需要说明的是,本技术不仅限于以下实施方式,当然,在不脱离本技术的主旨的范围下可以进行各种修改。另外,附图是示意性的,各尺寸的比率等有时会与现实不同。具体的尺寸等应参考以下的说明进行判断。另外,在附图相互之间当然也包含相互的尺寸关系、比率不同的部分。
[导电性层叠体]
图1是示意性示出应用了本技术的导电性层叠体1的构成例的截面图。如图1所示,导电性层叠体1在透明基板2的至少1面上从透明基板2侧起依次层叠有第一透明材料层3、以银为主要成分的金属层4、第二透明材料层5。另外,导电性层叠体1中,第一透明材料层3由至少含有锌和锡且含有10原子%以上且90原子%以下的锡的复合金属氧化物构成,第二透明材料层5由含有锌并且锡的含有率为10原子%以下的金属氧化物构成。
在对导电性层叠体1的上述各层3~5进行成膜时,例如可以使用作为真空成膜技术之一的溅射。本发明人通过溅射使各种透明材料与银层叠并进行了研究,结果发现,通过使用含有锌和锡且含有10原子%以上且90原子%以下的锡的复合氧化物作为第一透明材料层3,能够抑制光吸收,另外,通过使用含有锌并且锡的含有率为10原子%以下的金属氧化物作为第二透明材料层5,能够长期维持低电阻。
在此,若使用氧化锌作为第一透明材料层3,则在将氧化锌进行成膜后通过溅射将银进行成膜时,会产生光吸收层。即,从靶高速飞出的银原子如果到达透明基板2,则会失去动能而固定于透明基板2的表面。此时,在从靶高速飞出的银原子与构成第一透明材料3的金属之间相互作用强的情况下,银原子在第一透明材料层3侧合金化,产生光吸收层。另外,锌是与构成金属层4的银之间具有宽的固溶区域,与构成金属层4的银的相互作用强的元素,因此容易形成光吸收层。
但是,如本技术那样,在第一透明材料层3含有锡的情况下,特别是通过使第一透明材料层3中的锡的含有率相对于锌和锡的总和为10原子%以上且90原子%以下,由于锌和锡的复合氧化物的化学稳定性,从而能够抑制与构成金属层4的银的反应而形成薄膜。
在形成第二透明材料层5时,若使用与构成金属层4的银相互作用低的材料,则第二透明材料层5不会充分润湿扩展,在界面形成多个小的空隙,于是会产生光吸收。若使用含有锌的金属氧化物作为第二透明材料层5,则表面的润湿性提高,能够形成良好的界面。而且,由于锌与氧的结合强,因此锌在与构成金属层4的银形成合金之前会成为氧化被膜,因此也能够更有效地抑制由合金层形成光吸收层。作为能够实际应用于第二透明材料层5的导电性氧化物,可举出锌氧化物和锌合金复合氧化物。使电荷从外部实质上移动至导电性层叠体1的表面时,氧化锌和锌合金复合氧化物具有良好的接触电阻,因此优选。但是,在第二透明材料层5中使用锌和锡的复合氧化物的情况下,存在由于牢固的结合而难以在稳定相中得到导电性的倾向。通常,为了得到良好的导电性,考虑有意地使复合氧化物中的氧含有率从化学计量组成中欠缺,调整溅射时的氧导入量。但是,锌与锡的复合氧化物虽然在刚成膜后可得到导电性,但若长时间保持,则有因大气中的氧而进行氧化、失去导电性的倾向。
这样,第一透明材料层3和第二透明材料5所需的特性不同。即,对于第一透明材料层3要求化学稳定性,导电性并不那么重要,另一方面,对于第二透明材料层5,导电性很重要。在此,通过在氧化锌中加入氧化锡,化学稳定性增加,但同时会导致导电性的劣化。因此,当使第一透明材料层3和第二透明材料层5的组成相同时,难以获得本技术的效果。
在本技术中,通过在透明基板2的至少1面上从透明基板2侧起依次层叠由至少含有锌和锡且含有10原子%以上且90原子%以下的锡的复合金属氧化物构成的第一透明材料层3、以银为主要成分的金属层4、以及由含有锌并且锡的含有率为10原子%以下的金属氧化物构成的第二透明材料层5,能够抑制各界面处的光吸收。由此,即使不使用铟,也能够得到长期具有低电阻、高透过率的导电性层叠体1。
另外,根据本技术的导电性层叠体1,能够降低表面电阻(电阻),能够提高全光线透过率。例如,导电性层叠体1的表面电阻可以为20Ω/□以下,且全光线透过率可以为90%以上。表面电阻和全光线透过率的测定方法与后述的实施例的测定方法含义相同。需要说明的是,通常使用的ITO(铟锡复合氧化物)膜等根据ITO的膜厚而不同,但大多表面电阻为100Ω/□、全光线透过率为88%。
因此,本技术能够应用于使用了至少1片导电性层叠体1的省电、高性能的光学装置,例如将导电性层叠体用作电极的至少一个极的触摸面板、调光元件、电泳型光学元件、发光元件、天线等。
以下,对构成导电性层叠体1的各层进行详细说明。如上所述,应用了本技术的导电性层叠体1在透明基板2的至少1面上从透明基板2侧起依次层叠有第一透明材料层3、以银为主要成分的金属层4、第二透明材料层5。
<透明基板>
作为透明基板2,可以使用由玻璃基材、树脂膜中的任一种构成的基板。在使用由树脂膜构成的基板作为透明基板2的情况下,可以通过辊对辊法来制造,因此能够提高生产效率。
作为这样的树脂膜的材料,没有特别限定,例如可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET:Polyethylene Terephthalate)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN:PolyethyleneNaphthalate)、聚芳酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、三乙酰纤维素(TAC:Triacetylcellulose)、聚环烯烃(COC:Cyclic Olefin Copolymer、COP:Cyclic OlefinCopolymer)等。
透明基板2的厚度没有特别限定,考虑到使用树脂膜时的制造时的操作容易性和构件的薄型化,优选设为20μm以上且200μm以下。
在导电性层叠体1中,透明基板2不需要光透过率为100%,只要在发挥本技术的效果的范围内透明即可,例如,光透过率优选为88%以上。
需要说明的是,从提高透明基板2的耐摩擦性的观点出发,也可以通过溶液涂布在透明基板2的两面形成例如由丙烯酸系树脂形成的薄膜。
<第一透明材料层>
第一透明材料层3如上所述由锌和锡的复合氧化物构成,锡的比率相对于锌和锡的合计量为10原子%以上且90原子%以下。另外,第一透明材料层3也可以在相对于锌和锡的合计量不超过50原子%的范围内含有1种或多种锌和锡以外的其他元素。
第一透明材料层3的厚度没有特别限定,可以根据材料构成设定为透过率最高的膜厚。作为第一透明材料层3的具体厚度,可以设为30~80nm的范围。
关于第一透明材料层3的形成方法,没有特别限定,从提高生产效率的观点、使膜厚分布均匀化的观点出发,优选使用溅射法。
从防湿性等观点出发,第一透明材料层3可以分为多个层来形成。在该情况下,多个第一透明材料层3中的至少与金属层4相接的透明材料层由含有锌和锡且含有10原子%以上且90原子%以下的锡的复合金属氧化物构成。
<金属层>
层叠在第一透明材料层3上的金属层4是以银为主要成分的金属层。金属层4可以含有90原子%以上的银,并且在整体不超过10原子%的范围内含有添加元素。即,金属层4可以由90原子%以上的银或纯银构成。
金属层4的厚度优选为5nm以上。通过使金属层4的膜厚为5nm以上,容易形成为连续膜,也能够抑制因构成金属层4的银发生岛状化而产生的吸收。换言之,若金属层4的膜厚比5nm薄,则容易形成岛状的膜,有可能阻碍光透过性。金属层4的膜厚的上限没有特别限定,优选小于15nm。通过使金属层4的膜厚小于15nm,能够更有效地抑制构成金属层4的银层内部的光吸收大于界面处的吸收。
金属层4的形成方法没有特别限定,优选在形成金属层4后连续地形成第二透明材料层5,从提高生产效率的观点、使膜厚分布均匀化的观点出发,优选使用溅射法。
<第二透明材料层>
层叠于金属层4上的第二透明材料层5如上所述由含有锌并且锡的含有率为10原子%以下的金属氧化物构成。特别是,从进一步提高本技术的效果的观点出发,优选第二透明材料层5中的锡的含有率少于第一透明材料层3中的锡的含有率。第二透明材料层5中的锡的含有率的下限值没有特别限定,可以为0原子%,可以为1原子%以上,可以为4原子%以上,可以为6原子%以上,也可以为8原子%以上。
从光学特性、导电性、化学稳定性的观点出发,第二透明材料层5可以在不超过50原子%的范围内含有1种或多种锌以外的其他元素。特别是,第二透明材料层5优选含有2原子%以上的铝和镓中的至少1种,更优选含有2原子%以上的铝或镓。由此,能够进一步提高第二透明材料层5的导电性。在第二透明材料层5含有铝和镓中的至少1种的情况下,铝和镓的合计量的上限值没有特别限定,例如可以设为15原子%以下,也可以设为12原子%以下,也可以设为10原子%以下,也可以设为8原子%以下,也可以设为5原子%以下。
第二透明材料层5的厚度没有特别限定,可以根据材料构成设定为透过率最高的膜厚。作为第二透明材料层5的具体厚度,例如可以设为30~70nm的范围。
第二透明材料层5的形成方法没有特别限定,优选在金属层4形成后连续地形成,从提高生产效率的观点、使膜厚分布均匀化的观点出发,优选使用溅射法。
从耐擦伤性等观点出发,第二透明材料层5可以分为多个层来形成。在该情况下,多个第二透明材料层5中的至少与金属层4接触的透明材料层由含有锌并且锡的含有率为10原子%以下的金属氧化物构成,在不超过50原子%的范围内可以含有1种或多种元素。另外,在多个第二透明材料层5中的与金属层4接触的透明材料层以外的其他层中,为了保持良好的导电性,也优选为具有导电性的透明氧化物。
需要说明的是,图1所示的导电性层叠体1在透明基板2的一面层叠有第一透明材料层3、金属层4及第二透明材料层5,但也可以在透明基板2的另一面或透明基板2的两面层叠有第一透明材料层3、金属层4及第二透明材料层5。
[导电性层叠体的制造方法]
上述导电性层叠体1可以通过在透明基板2的至少1面上从透明基板2侧起依次层叠第一透明材料层3、以银为主要成分的金属层4、第二透明材料层5的工序来制造。
第一透明材料层3、金属层4、第二透明材料层5的成膜例如可以使用日本特开2014-34701号公报中记载的薄膜形成装置来形成。图2是表示日本特开2014-34701号公报所记载的薄膜形成装置的内部结构的立体图。该薄膜形成装置是通过辊对辊法在膜基材上透过溅射进行成膜的装置,能够设置多个溅射靶,而且,一旦设置辊,则能够在维持真空气氛的状态下对不同的多种材料进行成膜。
进而,在该薄膜形成装置中,在溅射时除了作为溅射气体的氩气以外,还可以将氧气导入等离子体中,由此能够在膜基材上形成靶材料的氧化物。
以下,对薄膜形成装置的结构进行详细说明。该薄膜形成装置具备测定部、供给部以及控制部,能够在长度方向及宽度方向上形成厚度均匀的薄膜。其中,测定部在长度方向上连续地供给基材膜,对形成于基材膜上的薄膜的宽度方向的光学特性进行测定;供给部在基材膜的宽度方向上设置有多个气体喷嘴,向靶附近供给反应性气体;控制部基于测定部的宽度方向的光学特性,对从各气体喷嘴喷出的反应性气体的流量进行控制。
另外,作为具体的结构,优选具备成膜部,该成膜部具有供给部、对靶施加电压的溅射电极以及对成膜中的基材膜的宽度方向的等离子体的发光光谱进行测定的等离子体测定部。由此,控制部能够基于测定部的宽度方向的光学特性和等离子体测定部的发光光谱,控制从各气体喷嘴喷出的反应性气体的流量和施加于靶的电压,能够在宽度方向形成厚度更均匀的薄膜。
另外,作为具体的结构,优选具备将基材膜在长度方向上卷出的卷出部、在基材膜的长度方向上配置有多个成膜部的成膜单元以及卷取在成膜单元中形成有薄膜的基材膜的卷取部。由此,从基材膜的卷出至卷取为止,能够形成多层的薄膜。另外,测定部优选分别设置在成膜部之后,但优选至少设置在最后的成膜部之后,即成膜单元与卷取部之间。由此,能够测定单层的薄膜或多层的薄膜这两者的光学特性。
图2所示的薄膜形成装置使作为基材膜的基膜一边卷绕于罐状辊一边移动,通过溅射而在基膜表面形成薄膜。
该薄膜形成装置从作为卷出部的卷出辊11供给基膜10(透明基板2),利用作为卷取部的卷取辊12来卷取形成有薄膜的基膜10。另外,在真空腔室内具备作为成膜单元的第一成膜室单元及第二成膜室单元。真空腔室与进行空气排出的真空泵连接,能够调整为规定的真空度。
第一成膜室单元及第二成膜室单元分别具备第一罐状辊21及第二罐状辊22,以与罐状辊21、22的外周面相对的方式配置多个作为成膜部的溅射室SP1~10。在各溅射室SP1~10中,在电极上安装规定的靶,并且在基膜10的宽度方向上设置具有多个气体喷嘴的供给部。
另外,薄膜形成装置具备在第一成膜室单元与第二成膜室单元之间(即利用溅射室SP5进行成膜后)测定光学特性的测定部即光学监视器31。由此,能够控制第一成膜室单元后的中间品的成膜,并且能够削减基于单层的调整时的调整时间。另外,具备在第二成膜室单元之后(即利用溅射室SP10进行成膜之后)测定光学特性的测定部即光学监视器32。由此,能够确认第二成膜室单元后的最终品的成膜品质。
如后所述,光学监视器31、32通过能够在宽度方向上扫描的光学头来测定形成在基膜10上的薄膜的宽度方向的光学特性。通过该光学监视器31、32,例如测定反射率的峰值波长作为光学特性,并换算为光学厚度,由此能够得到宽度方向的光学厚度分布。
包含这样的结构的薄膜形成装置从卷出辊11送出基膜10,在第一罐状辊21和第二罐状辊22的输送时在基膜10上形成薄膜,利用卷取辊12进行卷取,由此能够得到多层的薄膜。在此,通过光学监视器31、32测定在基膜10上形成的薄膜的宽度方向的光学特性,基于光学特性,控制来自在宽度方向上设置的各气体喷嘴的反应性气体的流量,由此能够在长度方向和宽度方向上形成均匀厚度的薄膜。
实施例
以下,列举实施例及比较例具体说明本技术,但本技术并不限定于以下的实施例。
<实施例1>
使用图2所示的日本特开2014-34701号公报记载的薄膜形成装置,在透明基板上依次形成第一透明材料层、金属层、第二透明材料层。作为透明基板,使用厚度50μm的COP膜。
薄膜形成装置能够同时依次层叠多种材料的薄膜,在本实施例中,从靠近膜卷出侧的一侧起依次配置含有50原子%锡的氧化锌(以下,称为“50atm%Sn-Zn-O”等)、银、氧化锌的靶。各个靶与独立的电源连接,能够接通任意的电力进行放电。另外,各个靶分别收纳于独立的容器内,隔开靶的隔壁仅在罐状辊附近具有微小的间隙,能够实现实质上不同的气体气氛。
将该薄膜形成装置的真空槽内整体真空排气至1×10-3Pa以下后,在设置有50atm%Sn-Zn-O的第一阴极部,将氩气一边以成为150sccm的流量的方式利用质量流量控制器进行调整一边导入至真空槽的第一阴极部,对50atm%Sn-Zn-O靶施加电力使其放电,进行基于溅射的成膜。此时,为了抑制由氧不足引起的50atm%Sn-Zn-O的光吸收,添加6sccm的氧,形成透明的氧化物层。此时的膜的移动速度为3m/min。电力是预先测定电力与膜厚的关系后,调整为能够以3m/min的移动速度形成64nm厚度的50atm%Sn-Zn-O。
在第一阴极部形成50atm%Sn-Zn-O后,在第二阴极部形成银薄膜。具体而言,在第二阴极部,将氩气一边以成为450sccm的流量的方式用质量流量控制器进行调整,一边导入至真空槽的第二阴极部,对银靶施加电力使其放电,进行基于溅射的成膜。在本实施例中,使用了相邻的2个阴极,但不一定需要使用相邻的2个阴极。根据装置结构,也可以不使用1个阴极室,而将阴极室整体作为隔壁。电力是预先测定电力与膜厚的关系后,调整为能够以3m/min的移动速度形成7nm厚度的银薄膜。
在第二阴极部形成银薄膜后,在第三阴极部形成氧化锌。具体而言,在第三阴极部,将氩气一边利用质量流量控制器调整为150sccm的流量,一边导入至真空槽的第三阴极部,对氧化锌靶施加电力使其放电,进行基于溅射的成膜。此时,与氩气分开地,将微量的氧一边用质量流量控制器调整一边导入,以不引起氧不足、氧过多所致的导电性不良的方式调整氧量,得到良好的透明导电性氧化物。在本实施例中,使用了相邻的2个阴极,但不一定需要使用相邻的2个阴极。根据装置结构,也可以不使用1个阴极室,而将阴极室整体作为隔壁。电力是预先测定电力与膜厚的关系后,调整为能够以3m/min的移动速度形成46nm厚度的氧化锌。
成膜3层后,连续地卷取膜,卷取成为图1的构成的膜后,向装置整体导入大气,取出试样,作为样品。
<实施例2>
将设置于第三阴极部的靶由氧化锌变更为含有10原子%锡的氧化锌,以成为与氧化锌相同的成膜速度的方式调整放电条件,除此以外,在与实施例1相同的条件下制作试样。
<实施例3>
将设置于第一阴极部的靶由含有50原子%锡的氧化锌变更为含有10原子%锡的氧化锌,以成为与含有50原子%锡的氧化锌相同的成膜速度的方式调整放电条件,除此以外,在与实施例1相同的条件下制作试样。
<实施例4>
将设置于第一阴极部的靶由含有50原子%锡的氧化锌变更为含有90原子%锡的氧化锌,以膜厚成为55nm的方式调整放电条件,另外,以在第三阴极部成膜的氧化锌的膜厚成为51nm的方式调整放电条件,除此以外,在与实施例1相同的条件下制作试样。
<实施例5>
调整放电条件,使得在第一阴极部成膜的含有50原子%锡的氧化锌的膜厚为63nm,另外,将设置于第三阴极部的靶从氧化锌变更为含有5原子%铝的氧化锌,并且调整放电条件,使得膜厚为46nm,除此以外,在与实施例1相同的条件下制作试样。
<实施例6>
调整放电条件,使得在第一阴极部成膜的含有50原子%锡的氧化锌的膜厚为63nm,另外,将设置于第三阴极部的靶从氧化锌变更为含有10原子%镓的氧化锌,并且调整放电条件,使得膜厚为43nm,除此以外,在与实施例1相同的条件下制作试样。
<比较例1>
将设置于第三阴极部的靶从氧化锌变更为含有15原子%锡的氧化锌,以成为与氧化锌相同的成膜速度的方式调整放电条件,除此以外,在与实施例1相同的条件下制作试样。
<比较例2>
调整放电条件,使得在第一阴极部成膜的含有50原子%锡的氧化锌的膜厚为65nm,另外,将设置于第三阴极部的靶从氧化锌变更为含有50原子%锡的氧化锌,并且调整放电条件,使得膜厚为47nm,除此以外,在与实施例1相同的条件下制作试样。
<比较例3>
将设置于第一阴极部的靶由含有50原子%锡的氧化锌变更为氧化锌,除此以外,在与实施例1相同的条件下制作试样。
<比较例4>
将设置于第一阴极部的靶从含有50原子%锡的氧化锌变更为氧化锡,并且调整放电条件使得膜厚为47nm,另外,调整放电条件,使得在第三阴极部成膜的锌氧化物的膜厚为56nm,除此以外,在与实施例1相同的条件下制作试样。
<比较例5>
将设置于第一阴极部的靶由含有50原子%锡的氧化锌变更为含有5原子%锡的氧化锌,除此以外,在与实施例1相同的条件下制作试样。
<比较例6>
将设置于第一阴极部的靶从含有50原子%锡的氧化锌变更为含有95原子%锡的氧化锌,并且调整放电条件使得膜厚为52nm,另外,调整放电条件使得在第三阴极部成膜的锌氧化物的膜厚为51nm,除此以外,在与实施例1相同的条件下制作试样。
[评价结果]
将各试样切成任意的尺寸后,进行测定、评价。
<表面电阻>
表面电阻依据“JIS K-7194”,使用作为接触式电阻测定器的“Loresta GP(注册商标)(株式会社DIA INSTRUMENTS制)”进行测定。具体而言,关于表面电阻,为了评价各试样的长期稳定性,分别测定将各试样在温度65℃、相对湿度90RH%的环境下暴露240小时前后的电阻,即初期的电阻值和在65℃、相对湿度90RH%的环境下暴露240小时后的电阻值。此时,对于不为表面电阻的指标即20Ω/□以下的情况,判断为不能耐受实用性。将结果示于表1。
<全光线透过率>
全光线透过率依据“JIS K-7105”,使用“NDH5000(日本电色工业株式会社制)”进行测定。将结果示于表1。
<光吸收>
光吸收使用分光器“U-4100(株式会社日立高新技术制)”,测定入射角度5°的透过率和反射率,对于波长550nm时的各个值,将下述式(1)的式子所示的量定义为光吸收量。
光吸收(%)=100(%)-(透过率(%)+反射率(%)) ……(1)
即,未反射也未透过的光在薄膜和基材内部被转换(吸收)为热。实际上,有时因散射等而导致实质的透过率和反射率降低,表观上光吸收看起来增加,但本发明中使用的基材的吸收极小,表面也平滑,因此,由式(1)求出的光吸收可以大致视为由层叠的膜引起的吸收。将结果示于表1。
[表1]
<实施例1>
实施例1的样品保持了表面电阻为20Ω/□以下、全光线透过率为90%以上,另外,即使在高温高湿环境下,电阻值也未发现大的变化,表明即使长期使用也能够耐受。
<实施例2>
在实施例1的第二透明材料中加入了10原子%锡的实施例2的样品虽然在高温高湿环境下放置时与实施例1的样品相比电阻值增大,但保持了表面电阻为20Ω/□以下、全光线透过率为90%以上,表明即使长期使用也能够耐受。
<实施例3、4>
将实施例1中的第一透明材料的锡的浓度变更为10原子%或90原子%的实施例3、4的样品与实施例1的样品相比,波长550nm时的光吸收增大,如果置于高温高湿环境下,则虽然电阻值增大,但保持了表面电阻20Ω/□以下、全光线透过率90%以上,表明即使长期使用也能够耐受。
<实施例5、6>
在实施例1的第二透明材料中加入了铝或镓的实施例5、6的样品保持了表面电阻为20Ω/□以下、全光线透过率为90%以上,另外,即使在高温高湿环境下,电阻值也未发现大的变化,表明即使长期使用也能够耐受。需要说明的是,实施例5、6的样品与实施例1的样品相比,电阻值微减。认为这是因为,通过在第二透明材料中加入铝或镓,第二透明材料的导电率增大了。
<比较例1、2>
在实施例1的第二透明材料中加入了15原子%或50原子%锡的比较例1、2的样品中,初期的电阻值均满足指标,但在高温高湿环境下电阻值大幅增大。需要说明的是,对于比较例1、2的样品,不是利用上述接触式的电阻测定器,而是利用其他非接触式电阻率计测定表面电阻,结果可知,即使在高温高湿环境下,也显示出与初期几乎没有变化的电阻值。其理由如下认为。在本技术的结构中,电流经由与测量端子接触的表面的第二透明材料层而在金属层中流动,并且经由第二透明材料层返回到测量端子并被测量。认为电阻值大致由金属层内的值决定,虽然仅为100nm以下,但第二透明材料层在高温高湿环境下进行氧化,绝缘性变得极高,因此推定无法利用接触式电阻率计进行测定。
<比较例3~6>
改变了实施例1中的第一透明材料的锡的含有比率的比较例3~6的样品中,电阻值即使在高温高湿环境下也稳定,但全光线透过率大幅降低。作为其原因,认为是由于第一透明材料层的锡的含有率不满足10原子%以上且90原子%以下,因此光吸收增大,与光吸收增大相应地,透过率减少。另外,如上所述,推定该光吸收是由于在第一透明材料层与金属层(银)之间形成了吸收层而引起的。
如上所述,从实施例和比较例的结果证实了本技术的效果。需要说明的是,本技术不限于上述示例,并且显而易见的是,本技术所属领域中具有普通知识的人可以在权利要求书中记载的技术思想的范围内想到各种变更例或修改例。
符号说明
1:导电性层叠体,2:透明基板,3:第一透明材料层,4:金属层,5:第二透明材料层,10:基膜,11:卷出辊,12:卷取辊,21:第一罐状辊,22:第二罐状辊,31:光学监视器,32:光学监视器,SP:溅射室。
Claims (12)
1.一种导电性层叠体,在所述导电性层叠体中,在透明基板的至少1面上,从所述透明基板侧起依次层叠有第一透明材料层、以银为主要成分的金属层、第二透明材料层,
所述第一透明材料层由至少含有锌和锡且含有10原子%以上且90原子%以下的锡的复合金属氧化物构成,
所述第二透明材料层由含有锌且锡的含有率为10原子%以下的金属氧化物构成。
2.根据权利要求1所述的导电性层叠体,其中,所述第二透明材料层含有2原子%以上的铝和镓中的至少1种。
3.根据权利要求1或2所述的导电性层叠体,其中,所述金属层含有90原子%以上的银。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的导电性层叠体,其中,所述金属层的厚度为5nm以上。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的导电性层叠体,其中,所述透明基板由玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、聚萘二甲酸乙二醇酯PEN、聚芳酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、三乙酰纤维素TAC、聚环烯烃即COC、COP中的任一种构成,或由它们的层叠体构成。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的导电性层叠体,其中,所述第二透明材料层中的锡的含有率少于所述第一透明材料层中的锡的含有率。
7.一种触摸面板,其使用权利要求1~6中任一项所述的导电性层叠体作为电极的至少一个极。
8.一种调光元件,其使用权利要求1~6中任一项所述的导电性层叠体作为电极的至少一个极。
9.一种电泳型光学元件,其使用权利要求1~6中任一项所述的导电性层叠体作为电极的至少一个极。
10.一种发光元件,其使用权利要求1~6中任一项所述的导电性层叠体作为电极的至少一个极。
11.一种天线,其使用至少1片权利要求1~6中任一项所述的导电性层叠体。
12.一种导电性层叠体的制造方法,其具有在透明基板的至少1面上从所述透明基板侧起依次层叠第一透明材料层、以银为主要成分的金属层、第二透明材料层的工序,
所述第一透明材料层由至少含有锌和锡且含有10原子%以上且90原子%以下的锡的复合金属氧化物构成,
所述第二透明材料层由含有锌且锡的含有率为10原子%以下的金属氧化物构成。
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Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2179853A1 (en) * | 1995-06-26 | 1996-12-27 | Susumu Suzuki | Laminate |
JPH09221340A (ja) * | 1996-02-09 | 1997-08-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付基板 |
CN1476379A (zh) * | 2000-09-29 | 2004-02-18 | 日本板硝子株式会社 | 低辐射率的透明多层体 |
JP2007250430A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜、およびこれを用いた透明導電性フィルム |
CN101099188A (zh) * | 2005-01-12 | 2008-01-02 | 出光兴产株式会社 | T F T基板及其制造方法、以及具备Al配线的透明导电膜层叠基板及其制造方法、以及具备Al配线的透明导电膜层叠电路基板及其制造方法、以及氧化物透明导电膜材料 |
CN101880859A (zh) * | 2005-01-12 | 2010-11-10 | 出光兴产株式会社 | 溅射标靶 |
JP2011063500A (ja) * | 2009-08-17 | 2011-03-31 | Central Glass Co Ltd | 熱線遮蔽積層膜 |
CN103608872A (zh) * | 2011-06-17 | 2014-02-26 | 日东电工株式会社 | 导电性层叠体、带图案布线的透明导电性层叠体、以及光学器件 |
FR2999807A1 (fr) * | 2012-12-13 | 2014-06-20 | Saint Gobain | Support conducteur pour dispositif oled, ainsi que dispositif oled l'incorporant |
CN106104320A (zh) * | 2014-03-03 | 2016-11-09 | 日东电工株式会社 | 红外线反射基板及其制造方法 |
CN107408421A (zh) * | 2015-03-26 | 2017-11-28 | Tdk株式会社 | 透明导电体和触摸面板 |
US20180197649A1 (en) * | 2015-12-11 | 2018-07-12 | Tdk Corporation | Transparent conductor |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3592380A (en) | 1969-05-28 | 1971-07-13 | Jiffy Mfg Co | Cushioned shipping bag |
JP4820738B2 (ja) | 2003-08-25 | 2011-11-24 | 旭硝子株式会社 | 電磁波遮蔽積層体およびこれを用いたディスプレイ装置 |
JP2014034701A (ja) | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Dexerials Corp | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
FR2998564B1 (fr) * | 2012-11-23 | 2016-12-23 | Saint Gobain | Substrat muni d'un empilement a couche metallique partielle, vitrage, utilisation et procede. |
JP6048529B2 (ja) * | 2014-06-02 | 2016-12-21 | Tdk株式会社 | 透明導電性フィルム及びタッチパネル |
JP7119772B2 (ja) | 2018-08-27 | 2022-08-17 | オムロン株式会社 | 光センサ |
-
2020
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2179853A1 (en) * | 1995-06-26 | 1996-12-27 | Susumu Suzuki | Laminate |
JPH09221340A (ja) * | 1996-02-09 | 1997-08-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付基板 |
CN1476379A (zh) * | 2000-09-29 | 2004-02-18 | 日本板硝子株式会社 | 低辐射率的透明多层体 |
CN101099188A (zh) * | 2005-01-12 | 2008-01-02 | 出光兴产株式会社 | T F T基板及其制造方法、以及具备Al配线的透明导电膜层叠基板及其制造方法、以及具备Al配线的透明导电膜层叠电路基板及其制造方法、以及氧化物透明导电膜材料 |
CN101880859A (zh) * | 2005-01-12 | 2010-11-10 | 出光兴产株式会社 | 溅射标靶 |
JP2007250430A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜、およびこれを用いた透明導電性フィルム |
JP2011063500A (ja) * | 2009-08-17 | 2011-03-31 | Central Glass Co Ltd | 熱線遮蔽積層膜 |
CN103608872A (zh) * | 2011-06-17 | 2014-02-26 | 日东电工株式会社 | 导电性层叠体、带图案布线的透明导电性层叠体、以及光学器件 |
FR2999807A1 (fr) * | 2012-12-13 | 2014-06-20 | Saint Gobain | Support conducteur pour dispositif oled, ainsi que dispositif oled l'incorporant |
CN106104320A (zh) * | 2014-03-03 | 2016-11-09 | 日东电工株式会社 | 红外线反射基板及其制造方法 |
CN107408421A (zh) * | 2015-03-26 | 2017-11-28 | Tdk株式会社 | 透明导电体和触摸面板 |
US20180197649A1 (en) * | 2015-12-11 | 2018-07-12 | Tdk Corporation | Transparent conductor |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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KR20220131310A (ko) | 2022-09-27 |
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EP4116084A4 (en) | 2024-04-03 |
TW202200809A (zh) | 2022-01-01 |
EP4116084A1 (en) | 2023-01-11 |
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