CN115136315B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示基板及其制备方法、显示装置，显示基板包括基底、设置在基底上的驱动结构层、设置在驱动结构层上的发光元件、设置在发光元件上的封装层、设置在封装层上的圆偏振片层以及设置在圆偏振片层上的透镜定义层和透镜结构层，其中：发光元件包括设置有多个子像素开口的像素定义层；透镜结构层包括多个间隔设置的透镜，透镜定义层设置于相邻的透镜之间的间隙区域，每个透镜在基底上的正投影包含一个子像素开口在基底上的正投影。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本公开涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED为发光元件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的显示装置已成为目前显示领域的主流产品。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开示例性实施例提供了一种显示基板，包括基底、设置在所述基底上的驱动结构层、设置在所述驱动结构层上的发光元件、设置在所述发光元件上的封装层、设置在所述封装层上的圆偏振片层以及设置在所述圆偏振片层上的透镜定义层和透镜结构层，其中：所述发光元件包括设置有多个子像素开口的像素定义层；所述透镜结构层包括多个间隔设置的透镜，所述透镜定义层设置于相邻的所述透镜之间的间隙区域，每个所述透镜在所述基底上的正投影包含至少一个所述子像素开口在所述基底上的正投影。

本公开示例性实施例还提供了一种显示装置，包括前述任一项所述的显示基板。

本公开示例性实施例还提供了一种显示基板的制备方法，所述制备方法包括：

在基底上依次形成驱动结构层、发光元件、封装层和圆偏振片层，所述发光元件包括设置有多个子像素开口的像素定义层；

在所述圆偏振片层上形成透镜定义层和透镜结构层，所述透镜结构层包括多个间隔设置的透镜，所述透镜定义层设置于相邻的所述透镜之间的间隙区域，每个所述透镜在所述基底上的正投影包含至少一个所述子像素开口在所述基底上的正投影。

在阅读理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。

图1为一种显示基板的3D显示效果示意图；

图2为本公开实施例一种显示基板的平面结构示意图；

图3为本公开实施例一种显示基板的剖面结构示意图；

图4为本公开实施例一种显示基板的像素驱动电路的结构示意图；

图5为本公开实施例一种显示基板的像素驱动电路的工作时序图；

图6a和图6b为本公开实施例的透镜定义层和透镜结构层的形成过程示意图；

图7为本公开实施例一种显示基板的3D显示效果示意图；

图8为本公开实施例一种显示基板的制备方法的流程示意图。

具体实施方式

下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本说明书中，“连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。

在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。

透镜是一种人们非常熟悉的光学元件，相同的透镜按一定的周期排列在一个平面上便构成了透镜阵列，由普通的透镜组成的透镜阵列的光学性质就是单个透镜功能的合成。通过将透镜(Lens)阵列集成在OLED器件上，可以实现OLED屏的多视点(View)3D/2D可兼容的高分辨率、多应用场景的显示。在OLED器件上进行透镜阵列制作可以采用纳米压印的制备工艺。在采用纳米压印进行大尺寸基板透镜阵列制作时，由于在大尺寸基板整面压印，压印胶材的收缩率较大(具体收缩率与基板有关，约0.1％以上)，导致大尺寸基板透镜阵列与下层器件的工艺偏差很大。

示例性的，显示面板(Panel中)有1920个子像素，透镜阵列的口径约为166um，子像素与透镜一一对应，采用纳米压印制备工艺进行整面压印时，单个透镜的收缩偏差约为0.058um，因此，整个透镜阵列的工艺偏差约为0.058um*1920＝111.36um，而设计容忍值偏差约为-4.4～3.6μm，导致整个透镜阵列的对位角度偏差约为0.17°，而设计要求仅为0.008°。因此，由于压印材料的收缩性，整体透镜阵列与显示面板的子像素之间存在较大偏差，其3D显示效果可参照图1，如图1所示，显示基板的子像素亮度不均，而且各子像素的显示之间互相有串扰，3D显示效果不佳。

图2为本公开示例性实施例一种显示基板的平面结构示意图，图3为本公开示例性实施例一种显示基板的剖面结构示意图。如图2和图3所示，该显示基板包括基底101、设置在基底101上的驱动结构层102、设置在驱动结构层102上的发光元件103、设置在发光元件103上的封装层104、设置在封装层104上的圆偏振片层105以及设置在圆偏振片层105上的透镜定义层106和透镜结构层107。在一些可能的实现方式中，显示基板可以包括其它膜层，如隔垫柱等，本公开在此不做限定。

其中，发光元件103包括设置有多个子像素开口的像素定义层。

透镜结构层107包括多个间隔设置的透镜，透镜定义层106设置于相邻的透镜之间的间隙区域，每个透镜在基底101上的正投影包含至少一个子像素开口在基底101上的正投影。

本公开实施例通过设置透镜定义层106，使得透镜结构层107中的多个透镜被透镜定义层106隔开，彼此之间相互独立，当形成透镜的压印材料发生收缩时，由于透镜定义层106在相邻透镜之间产生隔离作用，整个透镜结构不会出现大尺寸的收缩，而对于形成每个透镜的压印材料的收缩则可忽略不计，从而实现了大尺寸纳米压印透镜与发光元件103的精准对位，提高了3D显示效果。本公开实施例的显示基板的角度偏差在设计要求(0.008°)之内，远小于0.17°。

在示例性实施例中，如图2所示，透镜定义层106包括多条沿第一方向D1延伸的第一定义线1061和多条沿第二方向D2延伸的第二定义线1062，多条第一定义线1061和多条第二定义线1062交叉限定出多个网格区域，多个透镜一一对应地设置在多个网格区域内。

在示例性实施例中，像素定义层还包括多个围绕子像素开口设置的挡墙，挡墙在基底101上的正投影包含透镜定义层106在基底101上的正投影。

在示例性实施例中，透镜定义层106的材料为疏水材料。

在示例性实施例中，疏水材料包括以下任意一种或多种：特氟龙、聚酰胺、聚烯烃、硅氧烷类等。

在示例性实施方式中，基底101可以是柔性基底，或者可以是刚性基底。每个子像素的驱动结构层102可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图3中以每个子像素中包括一个驱动晶体管和一个存储电容为例进行示意。发光元件103可以包括阳极、像素定义层、有机发光层和阴极，阳极通过过孔与驱动晶体管的漏电极连接，有机发光层与阳极连接，阴极与有机发光层连接，有机发光层在阳极和阴极驱动下出射相应颜色的光线。封装层104可以包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层，第一封装层和第三封装层可以采用无机材料，第二封装层可以采用有机材料，第二封装层设置在第一封装层和第三封装层之间，可以保证外界水汽无法进入发光元件103。

在示例性实施方式中，有机发光层可以包括叠设的空穴注入层(Hole InjectionLayer，简称HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，简称HTL)、电子阻挡层(ElectronBlock Layer，简称EBL)、发光层(Emitting Layer，简称EML)、空穴阻挡层(Hole BlockLayer，简称HBL)、电子传输层(Electron Transport Layer，简称ETL)和电子注入层(Electron Injection Layer，简称EIL)。在示例性实施方式中，所有子像素的空穴注入层和电子注入层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的空穴传输层和电子传输层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的空穴阻挡层可以是连接在一起的共通层，相邻子像素的发光层和电子阻挡层可以有少量的交叠，或者可以是隔离的。

在示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。图4为一种像素驱动电路的等效电路示意图。如图4所示，像素驱动电路可以包括7个开关晶体管(第一晶体管T1到第七晶体管T7)、1个存储电容C和7个信号线(数据信号线D、第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E、初始信号线INIT、第一电源线VDD和第二电源线VSS)。

在示例性实施方式中，存储电容C的第一端与第一电源线VDD连接，存储电容C的第二端与第二节点N2连接，即存储电容C的第二端与第三晶体管T3的控制极连接。

第一晶体管T1的控制极与第二扫描信号线S2连接，第一晶体管T1的第一极与初始信号线INIT连接，第一晶体管的第二极与第二节点N2连接。当导通电平扫描信号施加到第二扫描信号线S2时，第一晶体管T1将初始化电压传输到第三晶体管T3的控制极，以使第三晶体管T3的控制极的电荷量初始化。

第二晶体管T2的控制极与第一扫描信号线S1连接，第二晶体管T2的第一极与第二节点N2连接，第二晶体管T2的第二极与第三节点N3连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第二晶体管T2使第三晶体管T3的控制极与第二极连接。

第三晶体管T3的控制极与第二节点N2连接，即第三晶体管T3的控制极与存储电容C的第二端连接，第三晶体管T3的第一极与第一节点N1连接，第三晶体管T3的第二极与第三节点N3连接。第三晶体管T3可以称为驱动晶体管，第三晶体管T3根据其控制极与第一极之间的电位差来确定在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间流动的驱动电流的量。

第四晶体管T4的控制极与第一扫描信号线S1连接，第四晶体管T4的第一极与数据信号线D连接，第四晶体管T4的第二极与第一节点N1连接。第四晶体管T4可以称为开关晶体管、扫描晶体管等，当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第四晶体管T4使数据信号线D的数据电压输入到像素驱动电路。

第五晶体管T5的控制极与发光信号线E连接，第五晶体管T5的第一极与第一电源线VDD连接，第五晶体管T5的第二极与第一节点N1连接。第六晶体管T6的控制极与发光信号线E连接，第六晶体管T6的第一极与第三节点N3连接，第六晶体管T6的第二极与发光元件103的第一极连接。第五晶体管T5和第六晶体管T6可以称为发光晶体管。当导通电平发光信号施加到发光信号线E时，第五晶体管T5和第六晶体管T6通过在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间形成驱动电流路径而使发光元件103发光。

第七晶体管T7的控制极与第一扫描信号线S1连接，第七晶体管T7的第一极与初始信号线INIT连接，第七晶体管T7的第二极与发光元件103的第一极连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第七晶体管T7将初始化电压传输到发光元件103的第一极，以使发光元件103的第一极中累积的电荷量初始化或释放发光元件103的第一极中累积的电荷量。

在示例性实施方式中，发光元件103的第二极与第二电源线VSS连接，第二电源线VSS的信号为低电平信号，第一电源线VDD的信号为持续提供高电平信号。第一扫描信号线S1为本显示行像素驱动电路中的扫描信号线，第二扫描信号线S2为上一显示行像素驱动电路中的扫描信号线，即对于第n显示行，第一扫描信号线S1为S(n)，第二扫描信号线S2为S(n-1)，本显示行的第二扫描信号线S2与上一显示行像素驱动电路中的第一扫描信号线S1为同一信号线，可以减少显示面板的信号线，实现显示面板的窄边框。

在示例性实施方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示面板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以包括P型晶体管和N型晶体管。

在示例性实施方式中，第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E和初始信号线INIT沿第一方向D1延伸，第二电源线VSS、第一电源线VDD和数据信号线D沿第二方向D2延伸。

在示例性实施方式中，发光元件103可以是有机电致发光二极管(OLED)，包括叠设的第一极(阳极)、有机发光层和第二极(阴极)。

图5为一种像素驱动电路的工作时序图。下面通过图4示例的像素驱动电路的工作过程说明本公开示例性实施例，图4中的像素驱动电路包括7个晶体管(第一晶体管T1到第七晶体管T7)、1个存储电容C和7个信号线(数据信号线D、第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E、初始信号线INIT、第一电源线VDD和第二电源线VSS)，7个晶体管均为P型晶体管。

在示例性实施方式中，像素驱动电路的工作过程可以包括：

第一阶段A1，称为复位阶段，第二扫描信号线S2的信号为低电平信号，第一扫描信号线S1和发光信号线E的信号为高电平信号。第二扫描信号线S2的信号为低电平信号，使第一晶体管T1导通，初始信号线INIT的信号提供至第二节点N2，对存储电容C进行初始化，清除存储电容中原有数据电压。第一扫描信号线S1和发光信号线E的信号为高电平信号，使第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7断开，此阶段OLED不发光。

第二阶段A2、称为数据写入阶段或者阈值补偿阶段，第一扫描信号线S1的信号为低电平信号，第二扫描信号线S2和发光信号线E的信号为高电平信号，数据信号线D输出数据电压。此阶段由于存储电容C的第二端为低电平，因此第三晶体管T3导通。第一扫描信号线S1的信号为低电平信号使第二晶体管T2、第四晶体管T4和第七晶体管T7导通。第二晶体管T2和第四晶体管T4导通使得数据信号线D输出的数据电压经过第一节点N1、导通的第三晶体管T3、第三节点N3、导通的第二晶体管T2提供至第二节点N2，并将数据信号线D输出的数据电压与第三晶体管T3的阈值电压之差充入存储电容C，存储电容C的第二端(第二节点N2)的电压为Vd-|Vth|，Vd为数据信号线D输出的数据电压，Vth为第三晶体管T3的阈值电压。第七晶体管T7导通使得初始信号线INIT的初始电压提供至OLED的第一极，对OLED的第一极进行初始化(复位)，清空其内部的预存电压，完成初始化，确保OLED不发光。第二扫描信号线S2的信号为高电平信号，使第一晶体管T1断开。发光信号线E的信号为高电平信号，使第五晶体管T5和第六晶体管T6断开。

第三阶段A3、称为发光阶段，发光信号线E的信号为低电平信号，第一扫描信号线S1和第二扫描信号线S2的信号为高电平信号。发光信号线E的信号为低电平信号，使第五晶体管T5和第六晶体管T6导通，第一电源线VDD输出的电源电压通过导通的第五晶体管T5、第三晶体管T3和第六晶体管T6向OLED的第一极提供驱动电压，驱动OLED发光。

在像素驱动电路驱动过程中，流过第三晶体管T3(驱动晶体管)的驱动电流由其栅电极和第一极之间的电压差决定。由于第二节点N2的电压为Vdata-|Vth|，因而第三晶体管T3的驱动电流为：

I＝K*(Vgs-Vth)²＝K*[(Vdd-Vd+|Vth|)-Vth]²＝K*[(Vdd-Vd)]²

其中，I为流过第三晶体管T3的驱动电流，也就是驱动OLED的驱动电流，K为常数，Vgs为第三晶体管T3的栅电极和第一极之间的电压差，Vth为第三晶体管T3的阈值电压，Vd为数据信号线D输出的数据电压，Vdd为第一电源线VDD输出的电源电压。

下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“A的正投影包含B的正投影”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。

(1)在玻璃载板上制备基底101。在示例性实施方式中，基底101可以包括在玻璃载板上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一、第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高基底的抗水氧能力，第一、第二无机材料层也称之为阻挡(Barrier)层，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。在一示例性实施方式中，以叠层结构PI1/Barrier1/a-si/PI2/Barrier2为例，其制备过程可以包括：先在玻璃载板上涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第一柔性(PI1)层；随后在第一柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第一柔性层的第一阻挡(Barrier1)层；然后在第一阻挡层上沉积一层非晶硅薄膜，形成覆盖第一阻挡层的非晶硅(a-si)层；然后在非晶硅层上再涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第二柔性(PI2)层；然后在第二柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第二柔性层的第二阻挡(Barrier2)层，完成基底101的制备。

在示例性实施方式中，基底101也可以是硬质基底。

(2)在基底101上形成驱动结构层102图案。在一种示例性实施方式中，驱动结构层102的制备过程可以包括：

在基底101上依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖整个基底101的第一绝缘层，以及设置在第一绝缘层上的有源层图案，有源层图案包括第一有源层。

随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层图案的第二绝缘层，以及设置在第二绝缘层上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案包括第一栅电极、第一电容电极和多条栅线(未示出)。

随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层，以及设置在第三绝缘层上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案包括第二电容电极，第二电容电极的位置与第一电容电极的位置相对应。

随后，沉积第四绝缘薄膜，通过构图工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层图案，第四绝缘层上开设有多个第一过孔，多个第一过孔的位置分别与第一有源层的两端位置相对应，多个第一过孔内的第四绝缘层、第三绝缘层和第二绝缘层被刻蚀掉，分别暴露出第一有源层的表面。

随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层上形成源漏金属层图案图案，源漏金属层图案包括第一源电极、第一漏电极和多条数据线(未示出)图案，第一源电极和第一漏电极分别通过第一过孔与第一有源层12A连接。在一示例性实施方式中，根据实际需要，源漏金属层还可以包括电源线(VDD)、补偿线和辅助阴极中的任意一种或多种，源漏金属层也称之为第一源漏金属层(SD1)。

至此，在基底101上制备完成驱动结构层102图案。驱动结构层102包括：设置在基底上的第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的有源层，覆盖有源层的第二绝缘层，设置在第二绝缘层上的第一栅金属层，覆盖第一栅金属层的第三绝缘层，设置在第三绝缘层上的第二栅金属层，覆盖第二栅金属层的第四绝缘层，设置在第四绝缘层上的源漏金属层。有源层至少包括第一有源层，第一栅金属层至少包括第一栅电极和第一电容电极，第二栅金属层至少包括第二电容电极，源漏金属层至少包括第一源电极、第一漏电极，第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极组成第一晶体管，第一电容电极和第二电容电极组成第一存储电容。在一示例性实施方式中，第一晶体管可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。

在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称之为缓冲(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层称之为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层称之为层间绝缘(ILD)层。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。

(3)在形成前述图案的基底上，制备发光元件103图案。在示例性实施方式中，发光元件103的制备过程可以包括：

在形成前述图案的基底上涂覆第一平坦薄膜，通过图案化工艺对第一平坦薄膜进行图案化，形成第一平坦(PLN)层图案。第一平坦层上形成有第二过孔，第二过孔内的第一平坦层被刻蚀掉，暴露出第一漏电极的表面。

在形成前述图案的基底上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成阳极图案。阳极形成在第一平坦层上，通过第二过孔与第一漏电极连接。

在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成像素定义(PDL)层图案。像素定义层开设有子像素开口，子像素开口内的像素定义薄膜被显影掉，暴露出阳极的表面。

在形成前述图案的基底上形成隔垫柱层图案，隔垫柱层包括多个支撑柱，支撑柱间隔地设置于像素定义层上。

在形成前述图案的基底上依次形成有机发光层和阴极，有机发光层至少形成在像素开口内，实现有机发光层与阳极连接。由于阳极与第一晶体管的第一漏电极连接，因而实现了有机发光层与第一晶体管的第一漏电极的连接。阴极形成在有机发光层上，阴极与有机发光层连接。在示例性实施方式中，有机发光层可以包括叠设的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。

至此，在驱动结构层102上制备完成发光元件103图案。发光元件可以包括阳极、像素定义(PDL)层、隔垫柱(PS)、有机发光层、阴极等。阳极设置在第一平坦层上，通过第一平坦层上开设的过孔与驱动晶体管的第一漏电极连接；像素定义层设置在阳极和平坦层上，像素定义层上设置有子像素开口，子像素开口暴露出阳极；有机发光层至少部分设置在子像素开口内，有机发光层与阳极连接；阴极设置在有机发光层上，阴极与有机发光层连接；有机发光层在阳极和阴极驱动下出射相应颜色的光线。

(4)在形成前述图案的基底上，形成封装层104图案。在示例性实施方式中，封装层104可以包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层，第一封装层和第三封装层采用无机材料，第二封装层采用有机材料。

(5)在形成前述图案的基底上，形成圆偏振片(Circular Polarizer，CPOL)层105图案。

在示例性实施方式中，圆偏振片层105可以包括设置在封装层上的粘合剂层、设置在粘合剂层上的阻挡层、设置在阻挡层上的相位差层以及设置在相位差层上的起偏镜层。

(6)在形成前述图案的基底上，形成透镜定义层106和透镜结构层107图案，如图3所示。其中，透镜结构层107包括多个间隔设置的透镜，透镜定义层106设置于相邻的透镜之间的间隙区域，每个透镜在基底101上的正投影包含至少一个子像素开口在基底101上的正投影。

在示例性实施方式中，如图6a和图6b所示，透镜定义层106和透镜结构层107的制备过程可以包括：

在圆偏振片层105上涂敷一层疏水材料，通过掩膜版(Photo Mask)曝光显影对疏水材料进行图案化，形成透镜定义层106图案。透镜定义层106包括多条沿第一方向D1延伸的第一定义线1061和多条沿第二方向D2延伸的第二定义线1062，多条第一定义线1061和多条第二定义线1062交叉限定出多个网格区域，每个网格区域与前述形成的一个或多个子像素对应，且每个网格区域与后续形成的透镜一一对应；

在透镜定义层106上涂敷压印材料，并使压印材料膜厚均匀分布；

通过掩膜版曝光显影对压印材料进行图案化，形成网格状压印材料。本步骤中，在透镜定义层106上有疏水材料疏水材料的区域压印材料被去除，没有疏水材料的区域压印材料被保留，从而形成网格状压印材料，每个压印材料网格形成在透镜定义层106限定的一个网格区域内；

使用压印模版对网格状压印材料进行压印工艺，形成多个网格状透镜。透镜定义层106使相邻透镜相互独立，当压印材料发生收缩时，对于每个独立的透镜，压印材料收缩约0.058um，而对于166um的大尺寸透镜结构，每个透镜压印材料的收缩量不影响整体透镜结构的显示效果。

在一种示例性实施例中，疏水材料包括以下任意一种或多种：特氟龙、聚酰胺、聚烯烃、硅氧烷类等。

通过本公开示例性实施例显示基板的结构及其制备过程可以看出，本公开示例性实施例通过使用疏水材料制备一层透镜定义层图案，使得压印出的多个透镜网格化，相邻透镜相互独立，当压印材料收缩时，由于透镜定义层的隔离，整个透镜结构不会出现大尺寸的收缩，而对于构成每个独立的透镜的压印材料的收缩则可忽略不计，从而实现了大尺寸纳米压印透镜与发光元件精准对位，提高了3D显示效果，示例性的，本公开实施例显示基板的3D显示效果如图7所示。

本公开示例性实施例显示基板的结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。在示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少图案化工艺，本公开在此不做限定。

如图8所示，本公开还提供了一种显示基板的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

步骤S1：在基底上依次形成驱动结构层、发光元件、封装层和圆偏振片层，发光元件包括设置有多个子像素开口的像素定义层；

步骤S2：在圆偏振片层上形成透镜定义层和透镜结构层，透镜结构层包括多个间隔设置的透镜，透镜定义层设置于相邻的透镜之间的间隙区域，每个透镜在基底上的正投影包含至少一个子像素开口在基底上的正投影。

在示例性实施方式中，在圆偏振片层上形成透镜定义层，包括：

在圆偏振片层上涂敷一层疏水材料；

通过第一次构图工艺，对疏水材料进行图案化，形成透镜定义层。

在示例性实施方式中，在圆偏振片层上形成透镜结构层，包括：

在形成透镜定义层的基底上涂敷一层膜厚均匀分布的压印材料；

通过第二次构图工艺，对压印材料进行图案化，形成网格状压印材料，网格状压印材料与透镜定义层不重叠；

通过压印模版对网格状压印材料进行压印，形成多个间隔设置的透镜。

在示例性实施方式中，疏水材料包括以下任意一种或多种：特氟龙、聚酰胺、聚烯烃、硅氧烷类等。

在示例性实施方式中，像素定义层还包括多个围绕子像素开口设置的挡墙，挡墙在基底上的正投影包含透镜定义层在基底上的正投影。

本公开示例性实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。本公开显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。在示例性实施方式中，显示装置可以为穿戴式显示装置，能通过某些方式佩戴在人体上，如智能手表、智能手环等。

本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求的范围当中。

Claims (7)

1.一种显示基板的制备方法，包括：

在基底上依次形成驱动结构层、发光元件、封装层和圆偏振片层，所述发光元件包括设置有多个子像素开口的像素定义层，所述圆偏振片层包括设置在所述封装层上的粘合剂层、设置在所述粘合剂层上的阻挡层、设置在所述阻挡层上的相位差层以及设置在所述相位差层上的起偏镜层；

在所述圆偏振片层上涂敷一层疏水材料；通过掩膜版曝光显影对所述疏水材料进行图案化，形成透镜定义层；

在形成所述透镜定义层的基底上涂敷一层膜厚均匀分布的压印材料；通过掩膜版曝光显影对所述压印材料进行图案化，有所述疏水材料的区域的压印材料被去除，没有所述疏水材料的区域的压印材料被保留，形成网格状压印材料；通过压印模版对所述网格状压印材料进行压印，形成透镜结构层，所述透镜结构层包括多个间隔设置的透镜；所述透镜定义层设置于相邻的所述透镜之间的间隙区域，每个所述透镜在所述基底上的正投影包含至少一个所述子像素开口在所述基底上的正投影；

所述透镜与所述透镜定义层之间存在缝隙，所述透镜沿垂直于所述显示基板方向的高度大于所述透镜定义层沿垂直于所述显示基板方向的高度。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述疏水材料包括以下任意一种或多种：特氟龙、聚酰胺、聚烯烃、硅氧烷类。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述像素定义层还包括多个围绕所述子像素开口设置的挡墙，所述挡墙在所述基底上的正投影包含所述透镜定义层在所述基底上的正投影。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述透镜定义层包括多条沿第一方向延伸的第一定义线和多条沿第二方向延伸的第二定义线，多条所述第一定义线和多条所述第二定义线交叉限定出多个网格区域，多个所述透镜一一对应地设置在多个所述网格区域内。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述驱动结构层包括薄膜晶体管，所述发光元件还包括阳极、有机发光层和阴极，其中：所述阳极设置在所述驱动结构层上，并与所述薄膜晶体管的漏电极连接；所述像素定义层设置在阳极和所述驱动结构层上，所述子像素开口暴露出所述阳极；所述有机发光层至少部分设置在所述子像素开口内，所述有机发光层与所述阳极连接；所述阴极设置在所述有机发光层上，所述阴极与所述有机发光层连接。

6.一种使用如权利要求1至5任一所述的制备方法制备的显示基板，包括基底、设置在所述基底上的驱动结构层、设置在所述驱动结构层上的发光元件、设置在所述发光元件上的封装层、设置在所述封装层上的圆偏振片层以及设置在所述圆偏振片层上的透镜定义层和透镜结构层，其中：

所述发光元件包括设置有多个子像素开口的像素定义层；

所述透镜结构层包括多个间隔设置的透镜，所述透镜定义层设置于相邻的所述透镜之间的间隙区域，每个所述透镜在所述基底上的正投影包含至少一个所述子像素开口在所述基底上的正投影；所述透镜与所述透镜定义层之间存在缝隙，所述透镜沿垂直于所述显示基板方向的高度大于所述透镜定义层沿垂直于所述显示基板方向的高度。

7.一种显示装置，包括如权利要求6所述的显示基板。