CN215578569U - 显示基板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种显示基板和显示装置。显示基板包括多个第一像素定义结构、第二像素定义结构和第三像素定义结构；第一像素定义结构具有沿着第一方向延伸的长条形状，且沿着第二方向依次排列；第二像素定义结构间隔设置在第一像素定义结构之间，至少一个第三像素定义结构设置在所述第一像素定义结构和第二像素定义结构之间；第三像素定义结构的高度小于第二像素定义结构的高度。本公开通过设置第三像素定义结构，第三像素定义结构可以在第一像素定义结构边缘区域实现导流功能，有效降低第一像素定义结构边缘区域有机发光层的厚度，有效降低了第一像素定义结构边缘区域的亮度，提高了显示均匀性，提高了显示品质。

Description

显示基板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板和显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的显示装置已成为目前显示领域的主流产品。

目前，现有OLED显示装置存在显示均匀性不良的问题。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开示例性实施例所要解决的技术问题是，提供一种显示基板和显示装置，以解决现有结构存在显示均匀性不良的问题。

为了解决上述技术问题，本公开示例性实施例提供了一种显示基板，包括基底和设置在所述基底上的像素定义层；所述像素定义层包括多个第一像素定义结构、多个第二像素定义结构和多个第三像素定义结构；所述第一像素定义结构具有沿着第一方向延伸的长条形状，多个第一像素定义结构沿着第二方向依次排列，第一方向与第二方向交叉；所述第二像素定义结构具有沿着所述第二方向延伸的长条形状，多个第二像素定义结构间隔设置在相邻的第一像素定义结构之间；至少一个第三像素定义结构设置在所述第一像素定义结构和第二像素定义结构之间；在垂直于所述基底方向上，所述第三像素定义结构的高度小于所述第二像素定义结构的高度。

在示例性实施方式中，在垂直于所述基底方向上，所述第二像素定义结构的高度小于所述第一像素定义结构的高度。

在示例性实施方式中，在垂直于所述基底方向上，所述第一像素定义结构的高度为1.0μm至2.0μm。

在示例性实施方式中，在垂直于所述基底方向上，所述第二像素定义结构的高度为0.3μm至0.8μm。

在示例性实施方式中，在垂直于所述基底方向上，所述第三像素定义结构的高度为0.1μm至0.3μm。

在示例性实施方式中，所述第一像素定义结构靠近所述第二像素定义结构的边缘与所述第二像素定义结构靠近所述第一像素定义结构的端面之间具有第一距离，所述第一距离大于或等于2μm。

在示例性实施方式中，在垂直于所述第一方向的平面内，所述第一像素定义结构的截面形状为第一梯形，所述第一梯形的上底的宽度大于或等于15μm，所述第一梯形的侧边的第一坡度角为30°至70°；在垂直于所述第二方向的平面内，所述第二像素定义结构的截面形状为第二梯形，所述第二梯形的上底的宽度大于或等于3μm，所述第二梯形的侧边的第二坡度角为30°至90°。

在示例性实施方式中，所述第一像素定义结构的疏液性强于所述第二像素定义结构的疏液性，所述第二像素定义结构的疏液性强于所述第三像素定义结构的疏液性。

在示例性实施方式中，所述第三像素定义结构的材料包括亲液性的无机材料，或者包括亲液性的有机材料。

在示例性实施方式中，所述第一像素定义结构在所述基底上的正投影与所述第三像素定义结构在所述基底上的正投影存在第一重叠区域，在所述第二方向上，所述第一重叠区域的第一重叠宽度为1μm至3μm。

在示例性实施方式中，所述第二像素定义结构在所述基底上的正投影与所述第三像素定义结构在所述基底上的正投影存在第二重叠区域，在所述第二方向上，所述第二重叠区域的第二重叠宽度为1μm至3μm。

在示例性实施方式中，所述第一像素定义结构和所述第三像素定义结构为相互连接的一体结构。

在示例性实施方式中，所述第一像素定义结构远离所述第二像素定义结构一侧的第一侧边具有第一坡度角，所述第一像素定义结构远离所述第一侧边一侧的第三侧边具有第三坡度角，所述第一坡度角大于所述第三坡度角。

在示例性实施方式中，所述第二像素定义结构和所述第三像素定义结构为相互连接的一体结构。

在示例性实施方式中，所述第三像素定义结构包括至少二个相互隔离的子定义结构，至少二个子定义结构沿着所述第一方向依次排列。

在示例性实施方式中，至少一个子定义结构在基底上的正投影与所述第一像素定义结构在基底上的正投影至少部分交叠，和/或，至少一个子定义结构在基底上的正投影与所述第二像素定义结构在基底上的正投影至少部分交叠。

在示例性实施方式中，至少一个子定义结构在基底上的正投影与所述第一像素定义结构在基底上的正投影不交叠，和/或，至少一个子定义结构在基底上的正投影与所述第二像素定义结构在基底上的正投影不交叠。

在示例性实施方式中，所述显示基板还包括有机发光层，所述有机发光层设置在所述第一像素定义结构和第二像素定义结构限定的开口区域内，所述有机发光层覆盖所述第三像素定义结构。

本公开示例性实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示基板。

本公开示例性实施例提供了一种显示基板和显示装置，通过设置第三像素定义结构，第三像素定义结构可以在第一像素定义结构边缘区域实现导流功能，有效降低第一像素定义结构边缘区域有机发光层的厚度，有效降低了第一像素定义结构边缘区域的亮度，提高了显示均匀性，提高了显示品质。

当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本公开示例性实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。

图1为一种显示装置的结构示意图；

图2为一种显示基板的平面结构示意图；

图3为一种显示基板的剖面结构示意图；

图4为一种像素驱动电路的等效电路示意图；

图5为一种像素驱动电路的工作时序图；

图6a、图6b和图6c为本公开实施例显示基板的平面结构示意图；

图7为图6c中A-A向的剖视图；

图8为图6c中B-B向的剖视图；

图9为本公开示例性实施例形成驱动电路层图案后的示意图；

图10为本公开示例性实施例形成阳极图案后的示意图；

图11a、图11b和图11c为本公开形成第三像素定义层图案后的示意图；

图12a、图12b和图12c为本公开形成第二像素定义层图案后的示意图；

图13a、图13b和图13c为本公开形成第一像素定义层图案后的示意图；

图14为本公开示例性实施例喷印墨水后的示意图；

图15为本公开示例性实施例墨水干燥初期的示意图；

图16为本公开示例性实施例墨水干燥形成有机发光层图案后的示意图；

图17为本公开示例性实施例另一种像素定义层的结构；

图18为本公开示例性实施例又一种像素定义层的结构；

图19为本公开示例性实施例又一种像素定义层的结构；

图20为本公开示例性实施例又一种像素定义层的结构；

图21为本公开示例性实施例又一种像素定义层的结构；

图22为本公开示例性实施例又一种像素定义层的结构；

图23为一种显示基板发光器件点亮后的显示效果图；

图24为本公开示例性实施例显示基板发光器件点亮后的显示效果图。

附图标记说明:

10—第一像素定义结构； 20—第二像素定义结构； 30—第三像素定义结构；

31—子定义结构； 40—发光区域； 101—基底；

101A—晶体管； 102B—存储电容； 102—驱动电路层；

103—发光结构层； 104—封装层； 200—像素定义层；

301—阳极； 302—像素定义层； 303—有机发光层；

304—阴极； 401—第一封装层； 402—第二封装层；

403—第三封装层。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计

本公开中的附图比例可以作为实际工艺中的参考，但不限于此。例如：沟道的宽长比、各个膜层的厚度和间距、各个信号线的宽度和间距，可以根据实际需要进行调整。显示基板中像素的个数和每个像素中子像素的个数也不是限定为图中所示的数量，本公开中所描述的附图仅是结构示意图，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。

在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

本说明书中三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等并非严格意义上的，可以是近似三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等，可以存在公差导致的一些小变形，可以存在导角、弧边以及变形等。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。

图1为一种显示装置的结构示意图。如图1所示，显示装置可以包括时序控制器、数据驱动器、扫描驱动器、发光驱动器和像素阵列，时序控制器分别与数据驱动器、扫描驱动器和发光驱动器连接，数据驱动器分别与多个数据信号线(D1到Dn)连接，扫描驱动器分别与多个扫描信号线(S1到Sm)连接，发光驱动器分别与多个发光信号线(E1到Eo)连接。像素阵列可以包括多个子像素Pxij，i和j可以是自然数，至少一个子像素Pxij可以包括电路单元和与电路单元连接的发光器件，电路单元可以包括至少一个扫描信号线、至少一个数据信号线、至少一个发光信号线和像素驱动电路。在示例性实施方式中，时序控制器可以将适合于数据驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据驱动器，可以将适合于扫描驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描驱动器，可以将适合于发光驱动器的规格的时钟信号、发射停止信号等提供到发光驱动器。数据驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、D2、D3、……和Dn的数据电压。例如，数据驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线D1至Dn，n可以是自然数。扫描驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例如，扫描驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线S1至Sm。例如，扫描驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。发光驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、发射停止信号等来产生将提供到发光信号线E1、E2、E3、……和Eo的发射信号。例如，发光驱动器可以将具有截止电平脉冲的发射信号顺序地提供到发光信号线E1至Eo。例如，发光驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以截止电平脉冲形式提供的发射停止信号传输到下一级电路的方式产生发射信号，o可以是自然数。

图2为一种显示基板的平面结构示意图。如图2所示，显示基板可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元P，多个像素单元P的至少一个包括出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第二子像素P2和出射第三颜色光线的第三子像素P3，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3均包括像素驱动电路和发光器件。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的像素驱动电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向所述发光器件输出相应的电流。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的发光器件分别与所在子像素的像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应所在子像素的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。

在示例性实施方式中，像素单元P中可以包括红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素，或者可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，本公开在此不做限定。在示例性实施方式中，像素单元中子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形。像素单元包括三个子像素时，三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，像素单元包括四个子像素时，四个子像素可以采用水平并列、竖直并列或正方形(Square)方式排列，本公开在此不做限定。

图3为一种显示基板的剖面结构示意图，示意了OLED显示基板三个子像素的结构。如图3所示，在垂直于显示基板的平面上，显示基板可以包括设置在基底101上的驱动电路层102、设置在驱动电路层102远离基底101一侧的发光结构层103以及设置在发光结构层103远离基底101一侧的封装层104。在一些可能的实现方式中，显示基板可以包括其它膜层，如隔垫柱等，本公开在此不做限定。

在示例性实施方式中，基底101可以是柔性基底，或者可以是刚性基底。每个子像素的驱动电路层102可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图3中仅以一个晶体管101A和一个存储电容101B作为示例。发光结构层103可以包括阳极301、像素定义层302、有机发光层303和阴极304，阳极301通过过孔与驱动晶体管101A的漏电极连接，有机发光层303与阳极301连接，阴极304与有机发光层303连接，有机发光层303在阳极301和阴极304驱动下出射相应颜色的光线。封装层104可以包括叠设的第一封装层401、第二封装层402和第三封装层403，第一封装层401和第三封装层403可以采用无机材料，第二封装层402可以采用有机材料，第二封装层402设置在第一封装层401和第三封装层403之间，可以保证外界水汽无法进入发光结构层103。

在示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。图4为一种像素驱动电路的等效电路示意图。如图4所示，像素驱动电路可以包括7个晶体管(第一晶体管T1到第七晶体管T7)、1个存储电容C和7个信号线(数据信号线D、第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E、初始信号线INIT、第一电源线VDD和第二电源线VSS)。

在示例性实施方式中，像素驱动电路可以包括第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3。其中，第一节点N1分别与第三晶体管T3的第一极、第四晶体管T4的第二极和第五晶体管T5的第二极连接，第二节点N2分别与第一晶体管的第二极、第二晶体管T2的第一极、第三晶体管T3的控制极和存储电容C的第二端连接，第三节点N3分别与第二晶体管T2的第二极、第三晶体管T3的第二极和第六晶体管T6的第一极连接。

在示例性实施方式中，存储电容C的第一端与第一电源线VDD连接，存储电容C的第二端与第二节点N2连接，即存储电容C的第二端与第三晶体管T3的控制极连接。

第一晶体管T1的控制极与第二扫描信号线S2连接，第一晶体管T1的第一极与初始信号线INIT连接，第一晶体管的第二极与第二节点N2连接。当导通电平扫描信号施加到第二扫描信号线S2时，第一晶体管T1将初始化电压传输到第三晶体管T3的控制极，以使第三晶体管T3的控制极的电荷量初始化。

第二晶体管T2的控制极与第一扫描信号线S1连接，第二晶体管T2的第一极与第二节点N2连接，第二晶体管T2的第二极与第三节点N3连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第二晶体管T2使第三晶体管T3的控制极与第二极连接。

第三晶体管T3的控制极与第二节点N2连接，即第三晶体管T3的控制极与存储电容C的第二端连接，第三晶体管T3的第一极与第一节点N1连接，第三晶体管T3的第二极与第三节点N3连接。第三晶体管T3可以称为驱动晶体管，第三晶体管T3根据其控制极与第一极之间的电位差来确定在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间流动的驱动电流的量。

第四晶体管T4的控制极与第一扫描信号线S1连接，第四晶体管T4的第一极与数据信号线D连接，第四晶体管T4的第二极与第一节点N1连接。第四晶体管T4可以称为开关晶体管、扫描晶体管等，当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第四晶体管T4使数据信号线D的数据电压输入到像素驱动电路。

第五晶体管T5的控制极与发光信号线E连接，第五晶体管T5的第一极与第一电源线VDD连接，第五晶体管T5的第二极与第一节点N1连接。第六晶体管T6的控制极与发光信号线E连接，第六晶体管T6的第一极与第三节点N3连接，第六晶体管T6的第二极与发光器件的第一极连接。第五晶体管T5和第六晶体管T6可以称为发光晶体管。当导通电平发光信号施加到发光信号线E时，第五晶体管T5和第六晶体管T6通过在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间形成驱动电流路径而使发光器件发光。

第七晶体管T7的控制极与第一扫描信号线S1连接，第七晶体管T7的第一极与初始信号线INIT连接，第七晶体管T7的第二极与发光器件的第一极连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第七晶体管T7将初始化电压传输到发光器件的第一极，以使发光器件的第一极中累积的电荷量初始化或释放发光器件的第一极中累积的电荷量。

在示例性实施方式中，发光器件的第二极与第二电源线VSS连接，第二电源线VSS的信号为低电平信号，第一电源线VDD的信号为持续提供高电平信号。第一扫描信号线S1为本显示行像素驱动电路中的扫描信号线，第二扫描信号线S2为上一显示行像素驱动电路中的扫描信号线，即对于第n显示行，第一扫描信号线S1为S(n)，第二扫描信号线S2为S(n-1)，本显示行的第二扫描信号线S2与上一显示行像素驱动电路中的第一扫描信号线S1为同一信号线，可以减少显示面板的信号线，实现显示面板的窄边框。

在示例性实施方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示面板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以包括P型晶体管和N型晶体管。

在示例性实施方式中，第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E和初始信号线INIT沿水平方向延伸，第二电源线VSS、第一电源线VDD和数据信号线D沿竖直方向延伸。

在示例性实施方式中，发光器件可以是有机电致发光二极管(OLED)，包括叠设的第一极(阳极)、有机发光层和第二极(阴极)。

图5为一种像素驱动电路的工作时序图。下面通过图4示例的像素驱动电路的工作过程说明本公开示例性实施例，图4中的像素驱动电路包括7个晶体管(第一晶体管T1到第六晶体管T7)、1个存储电容C和7个信号线(数据信号线D、第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E、初始信号线INIT、第一电源线VDD和第二电源线VSS)，7个晶体管均为P型晶体管。

在示例性实施方式中，像素驱动电路的工作过程可以包括：

第一阶段A1，称为复位阶段，第二扫描信号线S2的信号为低电平信号，第一扫描信号线S1和发光信号线E的信号为高电平信号。第二扫描信号线S2的信号为低电平信号，使第一晶体管T1导通，初始信号线INIT的信号提供至第二节点N2，对存储电容C进行初始化，清除存储电容中原有数据电压。第一扫描信号线S1和发光信号线E的信号为高电平信号，使第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7断开，此阶段OLED不发光。

第二阶段A2、称为数据写入阶段或者阈值补偿阶段，第一扫描信号线S1的信号为低电平信号，第二扫描信号线S2和发光信号线E的信号为高电平信号，数据信号线D输出数据电压。此阶段由于存储电容C的第二端为低电平，因此第三晶体管T3导通。第一扫描信号线S1的信号为低电平信号使第二晶体管T2、第四晶体管T4和第七晶体管T7导通。第二晶体管T2和第四晶体管T4导通使得数据信号线D输出的数据电压经过第一节点N1、导通的第三晶体管T3、第三节点N3、导通的第二晶体管T2提供至第二节点N2，并将数据信号线D输出的数据电压与第三晶体管T3的阈值电压之差充入存储电容C，存储电容C的第二端(第二节点N2)的电压为Vd-|Vth|，Vd为数据信号线D输出的数据电压，Vth为第三晶体管T3的阈值电压。第七晶体管T7导通使得初始信号线INIT的初始电压提供至OLED的第一极，对OLED的第一极进行初始化(复位)，清空其内部的预存电压，完成初始化，确保OLED不发光。第二扫描信号线S2的信号为高电平信号，使第一晶体管T1断开。发光信号线E的信号为高电平信号，使第五晶体管T5和第六晶体管T6断开。

第三阶段A3、称为发光阶段，发光信号线E的信号为低电平信号，第一扫描信号线S1和第二扫描信号线S2的信号为高电平信号。发光信号线E的信号为低电平信号，使第五晶体管T5和第六晶体管T6导通，第一电源线VDD输出的电源电压通过导通的第五晶体管T5、第三晶体管T3和第六晶体管T6向OLED的第一极提供驱动电压，驱动OLED发光。

在像素驱动电路驱动过程中，流过第三晶体管T3(驱动晶体管)的驱动电流由其栅电极和第一极之间的电压差决定。由于第二节点N2的电压为Vdata-|Vth|，因而第三晶体管T3的驱动电流为：

I＝K*(Vgs-Vth)²＝K*[(Vdd-Vd+|Vth|)-Vth]²＝K*[(Vdd-Vd]²

其中，I为流过第三晶体管T3的驱动电流，也就是驱动OLED的驱动电流，K为常数，Vgs为第三晶体管T3的栅电极和第一极之间的电压差，Vth为第三晶体管T3的阈值电压，Vd为数据信号线D输出的数据电压，Vdd为第一电源线VDD输出的电源电压。

目前，发光结构层中有机发光层的成膜方式主要包括蒸镀工艺或溶液工艺。蒸镀工艺较为成熟，已经应用于小尺寸OLED量产中，但由于蒸镀工艺生产成本高和工艺难度大，大尺寸OLED通常采用溶液工艺。溶液工艺主要包括喷墨打印、喷嘴涂覆、旋涂、丝网印刷等，其中喷墨打印(Inkjet Printing)工艺由于具有生产效率高、材料成本低、可以实现大尺寸化等优点，被认为是大尺寸OLED实现量产的重要方式。喷墨打印工艺是将有机发光材料的墨水喷印至像素定义层所限定的像素开口内，然后干燥固化形成有机发光层。在此过程中，由于咖啡环效应的影响，打印墨水在像素开口内经常会出现爬坡的问题，最终影响有机发光层成膜的均一性，降低了显示均匀性，降低了OLED产品的显示品质。

本公开示例性实施例提供一种显示基板，包括基底和设置在所述基底上的像素定义层；所述像素定义层包括多个第一像素定义结构、多个第二像素定义结构和多个第三像素定义结构；所述第一像素定义结构具有沿着第一方向延伸的长条形状，多个第一像素定义结构沿着第二方向依次排列，第一方向与第二方向交叉；所述第二像素定义结构具有沿着所述第二方向延伸的长条形状，多个第二像素定义结构间隔设置在相邻的第一像素定义结构之间；至少一个第三像素定义结构设置在所述第一像素定义结构和第二像素定义结构之间；在垂直于所述基底方向上，所述第三像素定义结构的高度可以小于所述第二像素定义结构的高度。

在示例性实施方式中，至少一个第三像素定义结构与所述第一像素定义结构和第二像素定义结构形成墨水在所述第一方向上流动的墨水通道。

在示例性实施方式中，所述第一像素定义结构可以配置为存储形成有机发光层的墨水，所述第二像素定义结构可以配置为界定子像素的开口区域，所述第三像素定义结构可以配置为在所述第一像素定义结构的边缘区域进行导流，以降低第一像素定义结构边缘区域有机发光层的厚度，降低第一像素定义结构边缘区域的亮度。

在示例性实施方式中，在垂直于所述基底方向上，所述第二像素定义结构的高度可以小于所述第一像素定义结构的高度。

在示例性实施方式中，所述第一像素定义结构靠近所述第二像素定义结构的侧面与所述第二像素定义结构靠近所述第一像素定义结构的端面之间具有第一距离，所述第一距离可以大于或等于2μm。

在示例性实施方式中，所述第一像素定义结构在所述基底上的正投影可以与所述第三像素定义结构在所述基底上的正投影存在第一重叠区域，在所述第二方向上，所述第一重叠区域的第一重叠宽度可以约为1μm至3μm。

在示例性实施方式中，所述第二像素定义结构在所述基底上的正投影可以与所述第三像素定义结构在所述基底上的正投影存在第二重叠区域，在所述第二方向上，所述第二重叠区域的第二重叠宽度可以约为1μm至3μm。

在示例性实施方式中，所述第一像素定义结构和所述第三像素定义结构可以为相互连接的一体结构，且采用同一次图案化工艺同时形成。

在示例性实施方式中，所述第二像素定义结构和所述第三像素定义结构可以为相互连接的一体结构，且采用同一次图案化工艺同时形成。

在示例性实施方式中，所述第二像素定义结构和所述第三像素定义结构可以采用同一次图案化工艺同时形成。

在示例性实施方式中，所述第三像素定义结构可以包括至少二个相互隔离的子定义结构，至少二个子定义结构沿着所述第一方向依次排列。

在示例性实施方式中，至少一个子定义结构在基底上的正投影可以与所述第一像素定义结构在基底上的正投影至少部分交叠，和/或，至少一个子定义结构在基底上的正投影可以与所述第二像素定义结构在基底上的正投影至少部分交叠。

在示例性实施方式中，至少一个子定义结构在基底上的正投影可以与所述第一像素定义结构在基底上的正投影不交叠，和/或，至少一个子定义结构在基底上的正投影可以与所述第二像素定义结构在基底上的正投影不交叠。

在示例性实施方式中，所述显示基板可以包括有机发光层，所述有机发光层设置在所述第一像素定义结构和第二像素定义结构限定的开口区域内，所述有机发光层覆盖所述第三像素定义结构。

图6a、图6b和图6c为本公开示例性实施例显示基板的平面结构示意图，图6a为显示基板上像素定义层的结构，图6b为图6a中部分子像素中像素定义层的结构，图6c为图6b中一个子像素中像素定义层的结构。如图6a、图6b和图6c所示，显示基板可以包括基底101和设置在基底101上的像素定义层200，像素定义层200第一方向D1的边缘设置有第一边缘结构200-1，像素定义层200第二方向D2的边缘设置有第二边缘结构200-2，第一边缘结构200-1可以沿着第二方向D2延伸，第二边缘结构200-2可以沿着第一方向D1延伸，第一边缘结构200-1和第二边缘结构200-2依次连接，形成环绕像素定义层200的环形结构。其中，第一方向D1与第二方向交叉D2。

在示例性实施方式中，像素定义层200可以包括多个第一像素定义结构10、多个第二像素定义结构20和多个第三像素定义结构30。第一像素定义结构10具有沿着第一方向D1延伸的长条形状，多个第一像素定义结构10沿着第二方向D2依次排列。第二像素定义结构20具有沿着第二方向D2延伸的长条形状，多个第二像素定义结构20在相邻的第一像素定义结构10之间沿着第一方向D1依次排列。至少一个第三像素定义结构30可以设置在第一像素定义结构10第二方向D2的一侧以及第一像素定义结构10第二方向D2的反方向的一侧。或者，至少一个第三像素定义结构30可以设置在第二像素定义结构20第二方向D2的一侧以及第二像素定义结构20第二方向D2的反方向的一侧。

在示例性实施方式中，第三像素定义结构30的高度可以小于第二像素定义结构20的高度，第二像素定义结构20的高度可以小于第一像素定义结构10的高度，高度是垂直于基底方向(第三方向D3)的尺寸，使得第一像素定义结构10、第二像素定义结构20和第三像素定义结构30一起构成墨水可以在第一方向D1上流动的墨水通道。

图7和图8为本公开示例性实施例一种像素定义层的结构，图7为图6c中A-A向的剖视图，图8为图6c中B-B向的剖视图。如图6c、图7和图8所示，一个子像素中的像素定义层可以包括第一像素定义结构10、第二像素定义结构20和第三像素定义结构30，第一像素定义结构10和第三像素定义结构30沿着第一方向D1延伸，第三像素定义结构30分别设置在第一像素定义结构10第二方向D2的一侧以及第一像素定义结构10第二方向D2的反方向的一侧，第二像素定义结构20沿着第二方向D2延伸，并设置在第二方向D2上相邻的两个第一像素定义结构10之间。

在示例性实施方式中，相互交叉的第一像素定义结构10和第二像素定义结构20形成子像素的开口区域，相互交叉的第二像素定义结构20和第三像素定义结构30形成子像素的发光区域40。其中，子像素的开口区域是指子像素中有机发光层所在的区域，子像素的发光区域是指子像素的开口区域中有机发光层能够发光的区域，即有机发光层与阳极接触的区域，发光区域的面积小于开口区域的面积，且发光区域在基底上的正投影位于开口区域在基底上的正投影的范围之内。

在示例性实施方式中，在第二方向D2上，第一像素定义结构10靠近第二像素定义结构20一侧的边缘与第二像素定义结构20靠近第一像素定义结构10的端面之间具有第一距离L1，第一距离L1可以作为墨水在第一方向D1上流动的墨水通道的宽度。在示例性实施方式中，沿着第一方向D1延伸的第三像素定义结构30设置在墨水通道的底部。这样，第一像素定义结构10的边缘、第二像素定义结构20的端部和第三像素定义结构30远离基底一侧的表面一起形成墨水可以在第一方向D1上流动的墨水通道。

在示例性实施方式中，第一距离L1可以大于或等于2μm。例如，第一距离L1可以约为2μm至4μm，使得墨水在墨水通道内具有较好的流动性。

在示例性实施方式中，第三像素定义结构30与第一像素定义结构10可以至少部分交叠，第一像素定义结构10搭设在第三像素定义结构30靠近第一像素定义结构10一侧的边缘，第三像素定义结构30在基底上的正投影与第一像素定义结构10在基底上的正投影存在第一重叠区域。

在示例性实施方式中，第三像素定义结构30与第二像素定义结构20可以至少部分交叠，第二像素定义结构20搭设在第三像素定义结构30远离第一像素定义结构10一侧的边缘，第三像素定义结构30在基底上的正投影与第二像素定义结构20在基底上的正投影存在第二重叠区域。

在示例性实施方式中，第一重叠区域的第一重叠宽度K1可以约为1μm至3μm，第二重叠区域的第二重叠宽度K2可以约为1μm至3μm，第一重叠宽度和第二重叠宽度是第二方向D2上的尺寸。

在示例性实施方式中，在垂直于第一像素定义结构10延伸方向的平面内，即在垂直于第一方向D1的平面内，第一像素定义结构10的截面形状可以为第一梯形，第一梯形具有靠近基底一侧的第一下底、远离基底一侧的第一上底以及分别连接第一下底和第一上底的两个第一侧边。

在示例性实施方式中，第一上底的第一宽度B1可以大于或等于15μm，第一侧边的第一坡度角β1可以约为30°至70°，第一宽度是第二方向D2上的尺寸。

在示例性实施方式中，第一像素定义结构10的第一高度H1可以约为1.0μm至2.0μm，第一高度是第三方向D3(垂直于基底的方向)上的尺寸。

在示例性实施方式中，在垂直于第二像素定义结构20延伸方向的平面内，即在垂直于第二方向D2的平面内，第二像素定义结构20的截面形状可以为第二梯形，第二梯形具有靠近基底一侧的第二下底、远离基底一侧的第二上底以及分别连接第二下底和第二上底的两个第二侧边。

在示例性实施方式中，第二上底的第二宽度K2可以大于或等于3μm，第二侧边的第二坡度角β2可以约为30°至90°，第二宽度是第一方向D1上的尺寸。

在示例性实施方式中，第二像素定义结构20的第二高度H2可以约为0.3μm至0.8μm，第二高度是第三方向D3(垂直于基底的方向)上的尺寸。

在示例性实施方式中，在垂直于第三像素定义结构30延伸方向的平面内，即在垂直于第一方向D1的平面内，第三像素定义结构30的截面形状可以为矩形或梯形。

在示例性实施方式中，第三像素定义结构30的第三高度H3可以约为0.1μm至0.3μm，第三高度是第三方向D3(垂直于基底的方向)上的尺寸。

在示例性实施方式中，在第二方向D2上，相邻第一像素定义结构10之间的距离可以根据像素尺寸和墨水液滴的最小直径等因素来确定，相邻第一像素定义结构10之间的距离大于墨水液滴的最小直径。例如，相邻第一像素定义结构10之间的距离可以大于或等于12μm。在第一方向D1上，相邻第二像素定义结构20之间的距离可以根据像素尺寸等因素来确定，本公开在此不做限定。

下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”或者“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。

在示例性实施方式中，本示例性实施例显示基板的制备过程可以包括如下操作。

(11)形成基底图案。在示例性实施例中，基底可以是刚性基底，或者是柔性基底。刚性基底可以是玻璃或者石英，柔性基底可以是单层结构或叠层结构。

在示例性实施例中，柔性基底可以包括在玻璃载板上叠设的第一柔性材料层、第一无机层、第二柔性材料层和第二无机层。在示例性实施方式中，第一柔性层和第二柔性层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一无机层和第二无机层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，第一无机层和第二无机层可以称为阻挡(Barrier)层或缓冲(Buffer)层。

(12)在基底上形成驱动电路层图案。在示例性实施方式中，驱动电路层可以包括构成像素驱动电路的晶体管和存储电容。在示例性实施方式中，形成驱动电路层图案可以包括：

在基底上沉积半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，在基底上形成半导体层图案，半导体层图案至少包括有源层。

随后，依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过图案化工艺对第一金属薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第一绝缘层，以及设置在第一绝缘层上的第一金属层图案，第一金属层图案至少包括栅电极和第一电容电极。

随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过图案化工艺对第二金属薄膜进行图案化，形成覆盖第一金属层图案的第二绝缘层，以及设置在第二绝缘层上的第二金属层图案，第二金属层图案至少包括第二电容电极，第二电容电极的位置与第一电容电极的位置相对应。

随后，沉积第三绝缘薄膜，通过图案化工艺对第三绝缘薄膜进行图案化，形成覆盖第二金属层图案的第三绝缘层，第三绝缘层上形成有至少一个有源过孔，有源过孔内的第三绝缘层、第二绝缘层和第一绝缘层被刻蚀掉，暴露出有源层的表面。

随后，沉积第三金属薄膜，通过图案化工艺对第三金属薄膜进行图案化，在第三绝缘层上形成第三金属层图案，第三金属层图案至少包括源电极和漏电极，源电极和漏电极分别通过有源过孔与有源层连接。

随后，沉积平坦薄膜，通过图案化工艺对平坦薄膜进行图案化，形成覆盖第三金属层图案的平坦层，平坦层上开设有至少一个阳极过孔图案，阳极过孔暴露出漏电极的表面。

至此，制备完成设置在基底101上的驱动电路层102图案，如图9所示，图9示意了显示基板一个子像素的结构，子像素中的像素驱动电路以一个晶体管101A和一个存储电容101B作为示例。在示例性实施方式中，有源层、栅电极、源电极和漏电极组成晶体管101A，第一电容电极和第二电容电极组成存储电容101B。在示例性实施方式中，晶体管可以是像素驱动电路中的驱动晶体管。

在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层和第二绝缘层称为(GI)层，第三绝缘层称为层间绝缘(ILD)层。平坦薄膜可以采用有机材料，如聚硅氧烷系材料、亚克力系材料、聚酰亚胺系材料或树脂等。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。

在示例性实施方式中，驱动电路层102可以包括第四绝缘层，第四绝缘层可以覆盖第三金属层图案，平坦层设置在第四绝缘层上，第四绝缘层称为钝化(PVX)层。

(13)形成阳极图案。在示例性实施方式中，形成阳极图案可以包括：在形成前述图案的基底上沉积导电薄膜，通过图案化工艺对导电薄膜进行图案化，形成阳极301图案，阳极301通过阳极过孔与晶体管的漏电极连接，如图10所示。

在示例性实施方式中，在平行于基底的平面内，阳极301的形状可以是如下任意一种或多种：正方形、矩形、五边形、六边形、圆形和椭圆形。

在示例性实施方式中，导电薄膜可以采用金属材料或者透明导电材料，金属材料可以包括银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，透明导电材料可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。在示例性实施方式中，导电薄膜可以是单层结构，或者是多层复合结构，如ITO/Al/ITO等。

(14)形成第三像素定义层图案。在示例性实施方式中，形成第三像素定义层图案可以包括：在形成前述图案的基底上沉积或涂覆第三像素定义薄膜，通过图案化工艺对第三像素定义薄膜进行图案化，形成第三像素定义层图案，如图11a、图11b和图11c所示，图11a为显示基板中一个子像素的平面示意图，图11b为图11a中A-A向的剖视图，图11c为图11a中B-B向的剖视图。

在示例性实施方式中，第三像素定义层图案可以至少包括两个第三像素定义结构30，两个第三像素定义结构30为沿着第一方向D1延伸的长条形状，两个第三像素定义结构30分别设置在阳极301第二方向D2的两侧，第三像素定义结构30在基底上的正投影与阳极301在基底上的正投影至少部分交叠。

在示例性实施方式中，在垂直于第一方向D1的平面(即D2-D3平面)内，第三像素定义结构30的截面形状可以为矩形或梯形。在示例性实施方式中，第三像素定义结构30的截面形状可以为其它规则形状，本公开在此不做限定。

在示例性实施方式中，第三像素定义结构30的第三高度H3可以约为0.1μm至0.3μm。

在示例性实施方式中，第三像素定义薄膜可以采用采用纳米压印工艺涂膜，然后通过图案化工艺形成第三像素定义层图案。

在示例性实施方式中，驱动电路层102中阳极过孔在基底上的正投影可以位于第三像素定义结构30在基底上的正投影的范围之内，使得阳极过孔所在区域被第三像素定义结构30覆盖，可以保证阳极的平坦性。

(15)形成第二像素定义层图案。在示例性实施方式中，形成第二像素定义层图案可以包括：在形成前述图案的基底上涂覆第二像素定义薄膜，通过图案化工艺对第二像素定义薄膜进行图案化，形成第二像素定义层图案，如图12a、图12b和图12c所示，图12b为图12a中A-A向的剖视图，图12c为图12a中B-B向的剖视图。

在示例性实施方式中，第二像素定义层图案可以至少包括两个第二像素定义结构20，两个第二像素定义结构20为沿着第二方向D2延伸的长条形状，两个第二像素定义结构20分别设置在阳极301第一方向D1的两侧，第二像素定义结构20在基底上的正投影与阳极301在基底上的正投影至少部分交叠。

在示例性实施方式中，在第二方向D2上，第二像素定义结构20的两端分别搭设在两个第三像素定义结构30上，第二像素定义结构20在基底上的正投影与第三像素定义结构30在基底上的正投影存在第二重叠区域。

在示例性实施方式中，在第二方向D2上，第二重叠区域的第二重叠宽度K2可以约为1μm至3μm。

在示例性实施方式中，在垂直于第二方向D2的平面(即D1-D3平面)内，第二像素定义结构20的截面形状可以为梯形状的第二梯形。第二梯形具有靠近基底一侧的第二下底、远离基底一侧的第二上底以及分别连接第二下底和第二上底的两个第二侧边，第二侧边的第二坡度角β2可以约为30°至90°，第二上底的第二宽度B2可以大于或等于3μm，以能够对阳极进行有效的包裹。

在示例性实施方式中，第二像素定义结构20的第二高度H2可以大于第三像素定义结构30的第三高度H3。

在示例性实施方式中，第二像素定义结构20的第二高度H2可以约为0.3μm至0.8μm。

在示例性实施方式中，相邻第二像素定义结构20之间的距离可以根据像素尺寸等因素来确定，本公开在此不做限定。

在示例性实施方式中，驱动电路层102中阳极过孔在基底上的正投影可以位于第二像素定义结构20在基底上的正投影的范围之内，使得阳极过孔所在区域被第二像素定义结构20覆盖，可以保证阳极的平坦性。

(16)形成第一像素定义层图案。在示例性实施方式中，形成第一像素定义层图案可以包括：在形成前述图案的基底上涂覆第一像素定义薄膜，通过图案化工艺对第一像素定义薄膜进行图案化，形成第一像素定义层图案，如图13a、图13b和图13c所示，图13b为图13a中A-A向的剖视图，图13c为图13a中B-B向的剖视图。

在示例性实施方式中，第一像素定义层图案可以至少包括两个第一像素定义结构10，两个第一像素定义结构10为沿着第一方向D1延伸的长条形状，两个第一像素定义结构10分别设置在阳极301第二方向D2的两侧，第一像素定义结构10在基底上的正投影与阳极301在基底上的正投影至少部分交叠。

在示例性实施方式中，在第二方向D2上，第一像素定义结构10靠近阳极301的一侧搭设在第三像素定义结构30上，第一像素定义结构10在基底上的正投影与第三像素定义结构30在基底上的正投影存在第一重叠区域。

在示例性实施方式中，在第二方向D2上，第一重叠区域的第一重叠宽度K1可以约为1μm至3μm。

在示例性实施方式中，在第二方向D2上，第一像素定义结构10靠近第一像素定义结构10一侧的第一边缘与第二像素定义结构20靠近第一像素定义结构10的第一端面之间具有第一距离L1，形成墨水可以在第一方向D1上流动的墨水通道。在示例性实施方式中，第一距离L1可以大于或等于2μm。例如，第一距离L1可以约为2μm至4μm，使得墨水在墨水通道中有较好的流动性。

在示例性实施方式中，在垂直于第一方向D1的平面(即D2-D3平面)内，第一像素定义结构10的截面形状可以为梯形状的第一梯形。第一梯形具有靠近基底一侧的第一下底、远离基底一侧的第一上底以及分别连接第一下底和第一上底的两个第一侧边，第一上底的第一宽度B1可以大于或等于15μm，第一侧边的第一坡度角β1可以约为30°至70°。

在示例性实施方式中，第一像素定义结构10的第一高度H1可以大于第二像素定义结构20的第二高度H2。

在示例性实施方式中，第一像素定义结构10的第一高度H1可以约为1.0μm至2.0μm。

在示例性实施方式中，在第二方向D2上，相邻第一像素定义结构10之间的距离可以根据像素尺寸和墨水液滴的最小直径等因素来确定，相邻第一像素定义结构10之间的距离大于墨水液滴的最小直径。例如，相邻第一像素定义结构10之间的距离可以大于或等于12μm。

在示例性实施方式中，驱动电路层102中阳极过孔在基底上的正投影可以位于第一像素定义结构10在基底上的正投影的范围之内，使得阳极过孔所在区域被第一像素定义结构10覆盖，可以保证阳极的平坦性。

至此，完成本公开示例性实施例像素定义结构的制备。像素定义结构包括三层像素定义结构，即第一像素定义结构10、第二像素定义结构20和第三像素定义结构30，相邻的第一像素定义结构10之间形成墨水储存空间，相互交叉的第一像素定义结构10和第二像素定义结构20形成子像素的开口区域，相互交叉的第二像素定义结构20和第三像素定义结构30形成暴露出阳极301的子像素的发光区域，位于阳极301上的第三像素定义结构30远离阳极一侧的表面、位于第三像素定义结构30一侧的第一像素定义结构10以及位于第三像素定义结构30另一侧的第二像素定义结构20构成墨水流动的墨水通道，使得墨水可以在第一方向D1相邻的子像素的开口区域之间流动。

在示例性实施方式中，第一像素定义结构、第二像素定义结构和第三像素定义结构的材料可以采用疏液性的有机材料，第一像素定义结构的疏液性可以强于第二像素定义结构的疏液性，第二像素定义结构的疏液性可以强于第三像素定义结构的疏液性。

在示例性实施方式中，疏液性的有机材料可以是疏水亲油材料，例如聚酰亚胺、聚硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚甲基丙烯酸环己酯或者聚苯乙烯等。或者，疏液性的有机材料可以是疏水疏油材料，比如聚六氟丙烯、氟化聚对二甲苯、氟化聚硅基醚、氟化聚酰亚胺或者氟化聚酰胺等，本公开在此不做限定。

在示例性实施方式中，第三像素定义结构的材料可以采用亲液性的无机材料，或者采用亲液性的有机材料。例如，亲液性的无机材料可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。

在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面内，由第二像素定义结构20和第三像素定义结构30限定的子像素发光区域的形状可以是三角形、矩形、多边形、圆形或椭圆形等，本公开在此不做限定。

在示例性实施方式中，在形成第一像素定义结构图案过程中，可以形成隔垫柱图案，本公开在此不做限定。

(17)形成有机发光层图案。在示例性实施方式中，形成有机发光层图案可以包括：

A、在形成有前述图案的基底上，采用喷墨打印方式喷印有机发光材料的墨水303'，使墨水303'填充在相邻的第一像素定义结构10之间，如图14所示。

在示例性实施方式中，在相邻的第一像素定义结构10之间，墨水303'远离基底一侧的表面呈拱形，墨水303'完全覆盖第二像素定义结构20和第三像素定义结构30，即第二像素定义结构20和第三像素定义结构30在墨水303'上表面的下方。

在示例性实施方式中，拱形状墨水的拱高GH与墨水量和第一像素定义结构的疏液性有关，墨水量越多，拱高GH越高，第一像素定义结构的疏液性越强，拱高越高。在示例性实施方式中，拱高GH可以小于或等于第一间距GL的一半，第一间距GL是第二方向D2上相邻第一像素定义结构之间的间距。

在示例性实施方式中，第一像素定义结构10远离基底一侧表面的疏液性会稍弱，墨水303'可以在第一像素定义结构10远离基底一侧的表面上有一定的延展。

B、通过烘干工艺对墨水进行烘干处理，使墨水逐步干燥。在墨水干燥初期，墨水远离基底一侧的表面逐步从拱形变成平面，形成半干燥墨水303"，半干燥墨水303"仍完全覆盖第二像素定义结构20和第三像素定义结构30，如图15所示。在墨水干燥后期，由于位于第二像素定义结构20所在区域的墨水有支撑，而位于第一像素定义结构10与第二像素定义结构20之间区域的墨水没有支撑，因而墨水进一步干燥过程中第二像素定义结构20形成柱型的突兀，使得第二像素定义结构20容易暴露出来。最后墨水完全干燥形成有机发光层303，第二像素定义结构20将相邻子像素发光区域的墨水隔开，如图16所示。

在示例性实施方式中，有机发光层303覆盖第三像素定义结构30，即第三像素定义结构30在有机发光层303上表面(远离基底一侧的表面)的下方。

在示例性实施方式中，由于像素定义结构形成了墨水流动的墨水通道，在墨水的干燥过程中，使墨水的受力方向朝向墨水通道方向，改善了墨水爬坡的现象。虽然墨水干燥过程中围绕第一像素定义结构10仍有一定的爬坡，使得有机发光层303靠近第一像素定义结构10的边缘区域的厚度大于有机发光层303远离第一像素定义结构10的中部区域的厚度，但由于边缘区域的有机发光层303形成在第三像素定义结构30上，第一像素定义结构10边缘区域的有机发光层303与阳极不接触，该边缘区域的有机发光层303不发光，因而边缘区域较厚的有机发光层303不会影响发光器件点亮后的显示效果，避免了因膜厚不同导致的显示亮度不均匀的问题。

在示例性实施方式中，有机发光层可以包括叠设的空穴注入层(Hole InjectionLayer，简称HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，简称HTL)、电子阻挡层(ElectronBlock Layer，简称EBL)、发光层(Emitting Layer，简称EML)、空穴阻挡层(Hole BlockLayer，简称HBL)、电子传输层(Electron Transport Layer，简称ETL)和电子注入层(Electron Injection Layer，简称EIL)。在示例性实施方式中，所有子像素的空穴注入层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的电子注入层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的空穴传输层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的电子传输层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的空穴阻挡层可以是连接在一起的共通层，相邻子像素的发光层可以有少量的交叠，或者可以是隔离的，相邻子像素的电子阻挡层可以有少量的交叠，或者可以是隔离的。

后续制备过程可以包括形成阴极和封装层等结构，本公开在此不做限定。

图17为本公开示例性实施例另一种像素定义层的结构，图17为图6c中A-A向的剖视图。在示例性实施方式中，本示例性实施例像素定义层的主体结构与图7和图8所示结构相近，一个子像素中的像素定义层可以包括第一像素定义结构10、第二像素定义结构20和第三像素定义结构30，相互交叉的第一像素定义结构10和第二像素定义结构20形成子像素的开口区域，相互交叉的第二像素定义结构20和第三像素定义结构30形成子像素的发光区域。所不同的是，本示例性实施例的第二像素定义结构20和第三像素定义结构30为相互连接一体结构，且通过同一次图案化工艺同时形成，如图17所示。

在示例性实施方式中，第一像素定义结构10、第二像素定义结构20和第三像素定义结构30的结构可以与前述实施例的结构相近，第一距离L1、第一重叠宽度K1、第一宽度B1、第一高度H1、第二高度H2、第三高度H3等相关参数可以与前述实施例的结构相近。所不同的是，第二像素定义结构20和第三像素定义结构30连接成一体，不存在前述实施例的第二重叠区域。

在示例性实施方式中，第三像素定义结构30与第一像素定义结构10可以至少部分交叠，第三像素定义结构30在基底上的正投影与第一像素定义结构10在基底上的正投影存在第一重叠区域。在示例性实施方式中，第二像素定义结构20与第三像素定义结构30之间的高度变化可以是高度突变的台阶结构。在第二方向D2上，第二高度H2的第二像素定义结构20与第三高度H3的第三像素定义结构30之间具有高度变化分界线，第一像素定义结构10靠近第二像素定义结构20一侧的第一边缘与高度变化分界线之间具有第一距离L1。

在示例性实施方式中，本示例性实施例显示基板的制备过程可以包括如下操作。

(21)至(23)形成基底、驱动电路层和阳极图案的过程与前述实施例制备流程(11)至(13)的过程相近，这里不再赘述。

(24)形成第二像素定义结构和第三像素定义结构图案。在示例性实施方式中，形成第二像素定义结构和第三像素定义结构图案可以包括：在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，采用半色调或灰色调掩膜板的图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，形成第二像素定义结构和第三像素定义结构图案图案，第二像素定义结构20具有沿着第二方向D2延伸的长条形状，多个第二像素定义结构20沿着第一方向D1依次设置，第三像素定义结构30具有沿着第一方向D1延伸的长条形状，分别设置在第二像素定义结构20第二方向D2的两侧，相互交叉的第二像素定义结构20和第三像素定义结构30形成子像素的发光区域。

在示例性实施方式中，本次工艺可以包括表面处理工艺，通过对第二像素定义结构的表面和/或第三像素定义结构的表面进行处理，使得第二像素定义结构的疏液性强于第三像素定义结构的疏液性，或者使得第二像素定义结构的表面具有疏液性，而第三像素定义结构的表面具有亲水性。

(25)至(26)形成第一像素定义结构和有机发光层图案，可以与前述实施例制备流程(16)至(17)的过程相近，这里不再赘述。

本示例性实施例的像素定义结构通过形成墨水流动的墨水通道，改善了墨水爬坡的现象，避免了因膜厚不同导致的显示亮度不均匀的问题。本示例性实施例通过采用同一次图案化工艺同时形成第二像素定义结构和第三像素定义结构，简化了工艺，缩短了工艺时间，可以有效降低生产成本。

图18为本公开示例性实施例又一种像素定义层的结构，图18为图6c中A-A向的剖视图。在示例性实施方式中，本示例性实施例像素定义层的主体结构与图7和图8所示结构相近，一个子像素中的像素定义层可以包括第一像素定义结构10、第二像素定义结构20和第三像素定义结构30，相互交叉的第一像素定义结构10和第二像素定义结构20形成子像素的开口区域，相互交叉的第二像素定义结构20和第三像素定义结构30形成子像素的发光区域。所不同的是，本示例性实施例的第一像素定义结构10和第三像素定义结构30为相互连接一体结构，且通过同一次图案化工艺同时形成，如图18所示。

在示例性实施方式中，第一像素定义结构10、第二像素定义结构20和第三像素定义结构30的结构可以与前述实施例的结构相近，第一距离L1、第二重叠宽度K2、第一宽度B1、第一高度H1、第二高度H2、第三高度H3等相关参数可以与前述实施例的结构相近。所不同的是，第一像素定义结构10和第三像素定义结构30连接成一体，不存在前述实施例的第一重叠区域。

在示例性实施方式中，第三像素定义结构30与第二像素定义结构20可以至少部分交叠，第三像素定义结构30在基底上的正投影与第二像素定义结构20在基底上的正投影存在第二重叠区域。在示例性实施方式中，第一像素定义结构10与第三像素定义结构30之间的高度变化可以是高度突变的台阶结构。在第二方向D2上，第一高度H1的第一像素定义结构10与第三高度H3的第三像素定义结构30之间具有高度变化分界线，高度变化分界线与第二像素定义结构20靠近第一像素定义结构10的第一端面之间具有第一距离L1。

在示例性实施方式中，本示例性实施例显示基板的制备过程可以包括如下操作。

(31)至(33)形成基底、驱动电路层和阳极图案的过程与前述实施例(11)至(13)的过程相近，这里不再赘述。

(34)形成第一像素定义结构和第三像素定义结构图案。在示例性实施方式中，形成第一像素定义结构和第三像素定义结构图案可以包括：在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，采用半色调或灰色调掩膜板的图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，形成第一像素定义结构和第三像素定义结构图案图案，

第一像素定义结构10和第三像素定义结构30均具有沿着第一方向D1延伸的长条形状，第三像素定义结构30分别设置在第一像素定义结构10第二方向D2的一侧或两侧。

在示例性实施方式中，本次工艺可以包括表面处理工艺，通过对第一像素定义结构的表面和/或第三像素定义结构的表面进行处理，使得第一像素定义结构的疏液性强于第三像素定义结构的疏液性，或者使得第一像素定义结构的表面具有疏液性，而第三像素定义结构的表面具有亲水性。

(35)至(36)形成第二像素定义结构和有机发光层图案，形成第二像素定义结构可以与前述实施例制备流程(15)的过程相近，形成有机发光层图案可以与前述实施例制备流程(17)的过程相近，这里不再赘述。

本示例性实施例的像素定义结构通过形成墨水流动的墨水通道，改善了墨水爬坡的现象，避免了因膜厚不同导致的显示亮度不均匀的问题。本示例性实施例通过采用同一次图案化工艺同时形成第一像素定义结构和第三像素定义结构，简化了工艺，缩短了工艺时间，可以有效降低生产成本。

图19为本公开示例性实施例又一种像素定义层的结构，图19为图6c中A-A向的剖视图。在示例性实施方式中，本示例性实施例像素定义层的主体结构与图18所示结构相近，所不同的是，本示例性实施例的第一像素定义结构10和第三像素定义结构30之间的高度变化是平缓变化的斜坡结构，如图19所示。

在示例性实施方式中，第一像素定义结构10远离第二像素定义结构20一侧的第一侧边具有第一坡度角β1，第三像素定义结构30远离第一侧边的第三侧边具有第三坡度角β3，第一坡度角β1可以大于第三坡度角β3。

图20为本公开示例性实施例又一种像素定义层的结构，图20为图6c中A-A向的剖视图。在示例性实施方式中，本示例性实施例像素定义层的主体结构与图18所示结构相近，所不同的是，本示例性实施例的第一像素定义结构10和第三像素定义结构30之间的高度变化是平缓变化的斜坡结构，且第一像素定义结构10朝向第二像素定义结构20一侧的侧边为弧线，如图20所示。

在示例性实施方式中，第一像素定义结构10朝向第二像素定义结构20一侧的侧边可以为多个依次连接的折线。

图21为本公开示例性实施例又一种像素定义层的结构。在示例性实施方式中，本示例性实施例像素定义层的主体结构与图7和图8所示结构相近，一个子像素中的像素定义层可以包括第一像素定义结构10、第二像素定义结构20和第三像素定义结构30。所不同的是，本示例性实施例的第三像素定义结构30包括沿第一方向X依次排列的至少二个相互隔离的子定义结构31，如图21所示。

在示例性实施方式中，第一像素定义结构10和第二像素定义结构20的结构和相关参数可以与前述实施例的结构相近。每个子定义结构31在基底上的正投影与第一像素定义结构10在基底上的正投影存在第一重叠区域，每个子定义结构31在基底上的正投影与第二像素定义结构20在基底上的正投影存在第二重叠区域。

本示例性实施例的像素定义结构通过形成墨水流动的墨水通道，改善了墨水爬坡的现象，避免了因膜厚不同导致的显示亮度不均匀的问题。本示例性实施例通过将第三像素定义结构设置成相互隔离的子定义结构，可以增加子像素发光区域的面积，提高开口率。

图22为本公开示例性实施例又一种像素定义层的结构。在示例性实施方式中，本示例性实施例像素定义层的主体结构与图21所示结构相近，一个子像素中的像素定义层可以包括第一像素定义结构10、第二像素定义结构20和第三像素定义结构30。所不同的是，本示例性实施例的第三像素定义结构30包括沿第一方向X依次排列的三个相互隔离的子定义结构31，如图22所示。

在示例性实施方式中，第一像素定义结构10和第二像素定义结构20的结构和相关参数可以与前述实施例的结构相近。第一子定义结构31-1在基底上的正投影分别与第一像素定义结构10和第二像素定义结构20在基底上的正投影存在第一重叠区域和第二重叠区域，第二子定义结构31-2在基底上的正投影分别与第一像素定义结构10和第二像素定义结构20在基底上的正投影存在第一重叠区域和第二重叠区域，第一子定义结构31-1位于第二子定义结构31-2第一方向D1的一侧。

在示例性实施方式中，第三子定义结构31-3位于第一子定义结构31-1和第二子定义结构31-2之间，第三子定义结构31-3在基底上的正投影与第二像素定义结构20在基底上的正投影没有重叠。

在示例性实施方式中，第三子定义结构31-3在基底上的正投影可以与第一像素定义结构10在基底上的正投影存在重叠区域，或者，第三子定义结构31-3在基底上的正投影可以与第一像素定义结构10在基底上的正投影没有重叠。

图23为一种显示基板发光器件点亮后的显示效果图，图24为本公开示例性实施例显示基板发光器件点亮后的显示效果图。一种显示基板中，像素定义结构由第一像素定义结构和第二像素定义结构组成，第二像素定义结构将相邻子像素开口区域的有机发光层分割开。由于墨水干燥过程中会在第一像素定义结构和第二像素定义结构的边缘处存在爬坡现象，使得干燥后形成的有机发光层的厚度不同，靠近第一像素定义结构和第二像素定义结构边缘区域的有机发光层的厚度明显大于其它位置的有机发光层的厚度。有机发光层不同位置膜层厚度的不同最终会反映在发光器件点亮后的显示效果，使得像素定义结构边缘区域的亮度大于其它位置处的亮度，尤其是第一像素定义结构边缘区域的亮度大于其它位置处的亮度，如图17中的墨水异常聚集区域所示。

本公开示例性实施例中，通过设置第三像素定义结构，利用第三像素定义结构与第一像素定义结构和第二像素定义结构构成墨水流动的通道，使得第三像素定义结构不仅可以在第一像素定义结构的边缘区域实现导流功能，有效降低了第一像素定义结构边缘区域有机发光层的厚度，而且可以在第一像素定义结构的边缘区域实现有机发光层与阳极的隔离，有效消除了第一像素定义结构边缘区域有机发光层对发光效果的影响。在发光器件点亮后，第一像素定义结构边缘区域的亮度明显降低。与现有结构相比，本公开示例性实施例有效降低了像素定义结构边缘区域的亮度，提高了显示均匀性，提高了显示品质。本公开示例性实施例制备显示基板不需要改变现有工艺流程，不需改变现有工艺设备，工艺兼容性好，工艺可实现性高，实用性强，方法简单，效果明显，具有良好的应用前景。

本公开所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明，在示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如，形成第一像素定义结构和第二像素定义结构可以采用一次图案化工艺同时形成，随后进行疏水性处理。又如，第三像素定义结构与第一像素定义结构之间可以不交叠，第三像素定义结构与第二像素定义结构之间可以不交叠。再如，驱动结构层和发光结构层中还可以设置其它电极或引线，本公开在此不做限定。

在示例性实施方式中，本公开显示基板可以应用于具有像素驱动电路的显示装置中，如OLED、量子点显示(QLED)、发光二极管显示(Micro LED或Mini LED)或量子点发光二极管显示(QDLED)等，本公开在此不做限定。

本公开示例性实施例还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。显示装置可以是手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (19)

1.一种显示基板，其特征在于，包括基底和设置在所述基底上的像素定义层；所述像素定义层包括多个第一像素定义结构、多个第二像素定义结构和多个第三像素定义结构；所述第一像素定义结构具有沿着第一方向延伸的长条形状，多个第一像素定义结构沿着第二方向依次排列，第一方向与第二方向交叉；所述第二像素定义结构具有沿着所述第二方向延伸的长条形状，多个第二像素定义结构间隔设置在相邻的第一像素定义结构之间；至少一个第三像素定义结构设置在所述第一像素定义结构和第二像素定义结构之间；在垂直于所述基底方向上，所述第三像素定义结构的高度小于所述第二像素定义结构的高度。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述基底方向上，所述第二像素定义结构的高度小于所述第一像素定义结构的高度。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述基底方向上，所述第一像素定义结构的高度为1.0μm至2.0μm。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述基底方向上，所述第二像素定义结构的高度为0.3μm至0.8μm。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述基底方向上，所述第三像素定义结构的高度为0.1μm至0.3μm。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素定义结构靠近所述第二像素定义结构的边缘与所述第二像素定义结构靠近所述第一像素定义结构的端面之间具有第一距离，所述第一距离大于或等于2μm。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述第一方向的平面内，所述第一像素定义结构的截面形状为第一梯形，所述第一梯形的上底的宽度大于或等于15μm，所述第一梯形的侧边的第一坡度角为30°至70°；在垂直于所述第二方向的平面内，所述第二像素定义结构的截面形状为第二梯形，所述第二梯形的上底的宽度大于或等于3μm，所述第二梯形的侧边的第二坡度角为30°至90°。

8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素定义结构的疏液性强于所述第二像素定义结构的疏液性，所述第二像素定义结构的疏液性强于所述第三像素定义结构的疏液性。

9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第三像素定义结构的材料包括亲液性的无机材料，或者包括亲液性的有机材料。

10.根据权利要求1至9任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素定义结构在所述基底上的正投影与所述第三像素定义结构在所述基底上的正投影存在第一重叠区域，在所述第二方向上，所述第一重叠区域的第一重叠宽度为1μm至3μm。

11.根据权利要求1至9任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第二像素定义结构在所述基底上的正投影与所述第三像素定义结构在所述基底上的正投影存在第二重叠区域，在所述第二方向上，所述第二重叠区域的第二重叠宽度为1μm至3μm。

12.根据权利要求1至9任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素定义结构和所述第三像素定义结构为相互连接的一体结构。

13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素定义结构远离所述第二像素定义结构一侧的第一侧边具有第一坡度角，所述第一像素定义结构远离所述第一侧边一侧的第三侧边具有第三坡度角，所述第一坡度角大于所述第三坡度角。

14.根据权利要求1至9任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第二像素定义结构和所述第三像素定义结构为相互连接的一体结构。

15.根据权利要求1至9任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第三像素定义结构包括至少二个相互隔离的子定义结构，至少二个子定义结构沿着所述第一方向依次排列。

16.根据权利要求15所述的显示基板，其特征在于，至少一个子定义结构在基底上的正投影与所述第一像素定义结构在基底上的正投影至少部分交叠，和/或，至少一个子定义结构在基底上的正投影与所述第二像素定义结构在基底上的正投影至少部分交叠。

17.根据权利要求15所述的显示基板，其特征在于，至少一个子定义结构在基底上的正投影与所述第一像素定义结构在基底上的正投影不交叠，和/或，至少一个子定义结构在基底上的正投影与所述第二像素定义结构在基底上的正投影不交叠。

18.根据权利要求1至9任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括有机发光层，所述有机发光层设置在所述第一像素定义结构和第二像素定义结构限定的开口区域内，所述有机发光层覆盖所述第三像素定义结构。

19.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至18任一项所述的显示基板。

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