CN115101638A - 一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 - Google Patents

一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN115101638A
CN115101638A CN202211022861.0A CN202211022861A CN115101638A CN 115101638 A CN115101638 A CN 115101638A CN 202211022861 A CN202211022861 A CN 202211022861A CN 115101638 A CN115101638 A CN 115101638A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
gan
superlattice
emitting diode
epitaxial wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202211022861.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115101638B (zh
Inventor
张彩霞
印从飞
程金连
胡加辉
金从龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangxi Zhao Chi Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Jiangxi Zhao Chi Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangxi Zhao Chi Semiconductor Co Ltd filed Critical Jiangxi Zhao Chi Semiconductor Co Ltd
Priority to CN202211022861.0A priority Critical patent/CN115101638B/zh
Publication of CN115101638A publication Critical patent/CN115101638A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115101638B publication Critical patent/CN115101638B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；所述N‑GaN层与所述多量子阱层之间设有电子调制层；所述电子调制层包括依次设于所述N‑GaN层上的第一超晶格层、N‑AlaGa1‑aN层和InbGa1‑bN层，所述第一超晶格层包括第一预设周期个交替层叠的SicN1‑c层和第一GaN层；其中，a为0.1‑0.2，b为0.1‑0.2，c为0.1‑0.3。实施本发明，可有效提升发光二极管的发光效率。

Description

一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
技术领域
本发明涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。
背景技术
发光二极管中，由P型层提供空穴，N型层提供电子，当发光二极管两端外加电场时，N型层中的电子向P型层方向迁移，P型层中的空穴向N型层方向迁移，两者在多量子阱层中汇合，从而实现发光。但由于空穴迁移率低，电子移动速度过快，导致电子空穴的复合几率较低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片及其制备方法，其可有效降低电子的迁移速度，提升电子空穴的复合几率，进而提升发光二极管的光效。
本发明还要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管，其光效高。
为了解决上述问题，本发明公开了一种发光二极管外延片，包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、U-GaN层、N-GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P-GaN层；所述N-GaN层与所述多量子阱层之间设有电子调制层；所述电子调制层包括依次设于所述N-GaN层上的第一超晶格层、N-AlaGa1-aN层和InbGa1-bN层，所述第一超晶格层包括第一预设周期个交替层叠的SicN1-c层和第一GaN层；其中，a为0.1-0.2，b为0.1-0.2，c为0.1-0.3。
作为上述技术方案的改进，所述第一超晶格层中，单个SicN1-c层的厚度为1-3nm，单个第一GaN层的厚度为3-5nm，所述第一超晶格层的第一预设周期为10-20。
作为上述技术方案的改进，所述N-AlaGa1-aN层的厚度为20-50nm，所述InbGa1-bN层的厚度为10-20nm。
作为上述技术方案的改进，所述N-AlaGa1-aN层中Si的掺杂浓度为1×1016-1×1017cm-3，所述N-GaN层中Si的掺杂浓度为5×1018-1×1019cm-3。
作为上述技术方案的改进，所述电子阻挡层与所述P-GaN层之间设有空穴调制层，所述空穴调制层包括依次设于所述电子阻挡层上的第二超晶格层、P-AlxGa1-xN层和InyGa1- yN层，所述第二超晶格层包括第二预设周期个交替层叠的MgzN1-z层和第二GaN层；其中，x为0.1-0.2，y为0.1-0.2，z为0.1-0.3。
作为上述技术方案的改进，所述InyGa1-yN层呈氮极性。
作为上述技术方案的改进，所述第二超晶格层中，单个MgzN1-z层的厚度为1-3nm，单个第二GaN层的厚度为3-5nm，所述第二超晶格层中的第二预设周期为10-20。
作为上述技术方案的改进，所述P-AlxGa1-xN层的厚度为5-10nm，所述InyGa1-yN层的厚度为5-10nm。
作为上述技术方案的改进，所述P-AlxGa1-xN层中Mg的掺杂浓度为1×1017-1×1018cm-3，所述P-GaN层中Mg的掺杂浓度为5×1019-1×1020cm-3。
相应的，本发明还公开了一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备上述的发光二极管外延片，其包括：
（1）提供衬底；
（2）在所述衬底上依次生长缓冲层、U-GaN层、N-GaN层、电子调制层、多量子阱层、电子阻挡层和P-GaN层；
所述电子调制层包括依次设于所述N-GaN层上的第一超晶格层、N-AlaGa1-aN层和InbGa1-bN层，所述第一超晶格层包括第一预设周期个交替层叠的SicN1-c层和第一GaN层；其中，a为0.1-0.2，b为0.1-0.2，c为0.1-0.3。
作为上述技术方案的改进，所述第一超晶格层生长时石墨基座的转动速度大于所述N-AlaGa1-aN层生长时石墨基座的转动速度，所述第一超晶格层的生长温度大于所述N-AlaGa1-aN层的生长温度；
所述N-AlaGa1-aN层生长时石墨基座的转动速度大于所述InbGa1-bN层生长时石墨基座的转动速度，所述N-AlaGa1-aN层的生长温度大于所述InbGa1-bN层的生长温度。
作为上述技术方案的改进，所述第一超晶格层的生长温度为1100-1200℃，生长时石墨基座的转速为900-1200rpm；
所述N-AlaGa1-aN层的生长温度为900-1000℃，生长时石墨基座的转速为700-900rpm；
所述InbGa1-bN层的生长温度为700-900℃，生长时石墨基座的转速为500-700rpm。
作为上述技术方案的改进，步骤（2）中，依次在所述衬底上依次生长缓冲层、U-GaN层、N-GaN层、电子调制层、多量子阱层、电子阻挡层、空穴调制层和P-GaN层；
其中，所述空穴调制层依次包括设于所述电子阻挡层上的第二超晶格层、P-AlxGa1-xN层和InyGa1-yN层，所述第二超晶格层包括第二预设周期个交替层叠的MgzN1-z层和第二GaN层；其中，x为0.1-0.2，y为0.1-0.2，z为0.1-0.3。
作为上述技术方案的改进，所述第二超晶格层的生长温度小于所述P-AlxGa1-xN层的生长温度；
所述P-AlxGa1-xN层生长时石墨基座的转动速度大于所述InyGa1-yN层生长时石墨基座的转动速度，所述P-AlxGa1-xN层的生长温度大于所述InyGa1-yN层的生长温度。
作为上述技术方案的改进，所述第二超晶格层的生长温度为800-900℃，生长时石墨基座的转速为700-1000rpm；
所述P-AlxGa1-xN层的生长温度为900-1000℃，生长时石墨基座的转速为700-1000rpm；
所述InyGa1-yN层的生长温度为600-800℃，生长时石墨基座的转速为500-700rpm。
作为上述技术方案的改进，所述InyGa1-yN层生长完成后，采用NH3对其进行处理，以使其呈氮极性。
相应的，本发明还公开了一种发光二极管，包括上述的发光二极管外延片。
实施本发明，具有如下有益效果：
1. 本发明的发光二极管外延片，在N-GaN层与多量子阱层之间设置了电子调制层，其依次包括多个SicN1-c层和多个第一GaN层交替层叠形成的第一超晶格层、N-AlaGa1-aN层和InbGa1-bN层。其中，SicN1-c/GaN形成了极化电场、导带偏移，该极化电场方向与电子迁移方向相同，降低了电子的迁移速率。N-AlaGa1-aN层中的Al由于原子较小，可以起到填补Ga空位，阻挡底层缺陷的作用。InbGa1-bN层的能阶较低，可以形成电子“陷阱”，进一步降低电子的迁移速率，增加电子空穴在多量子阱层的复合几率。三者复合，有效降低了电子的迁移速率，增加了电子的扩展能力，提升了电子空穴的复合几率，提升了发光效率。
2. 本发明的发光二极管外延片，在电子阻挡层与P-GaN层之间设置了空穴调制层，其包括多个MgzN1-z层和多个第二GaN层形成的第二超晶格层、P-AlxGa1-xN层和InyGa1-yN层，且InyGa1-yN层呈氮极性。其中，InyGa1-yN层与P-GaN层接触，由于InyGa1-yN层呈氮极性，一者，使得其与高掺Mg的P-GaN层结合更加紧密；二者氮极性不稳定，可以增加Mg和In的扩散，In原子可以降低Mg的激活能，得到更多空穴，增加空穴浓度。P-AlxGa1-xN层可起到空穴扩展的作用；此外，P-AlxGa1-xN层中的Al原子可以填补Ga空位，增加表面平整度。MgzN1-z层可以提供部分空穴。且MgzN1-z/GaN材料组成的超晶格结构会产生强的极化电场，形成二维空穴气。二维空穴气有很高的空穴迁移率，从而可以提高P-GaN层中的空穴迁移率；并且极化电场使得价带发生倾斜，使得更多的受主能级处在费米能级的下方，也有利于增加空穴浓度。通过空穴调制层中的三者复合，可以有效增加空穴浓度，增加空穴的扩展的迁移率，使得更多的空穴进入到多量子阱层，增加发光效率。
附图说明
图1是本发明一实施例中发光二极管外延片的结构示意图；
图2是本发明一实施例中电子调制层的结构示意图；
图3是本发明另一实施例中发光二极管外延片的结构示意图；
图4是本发明一实施例中空穴调制层的结构示意图；
图5是本发明一实施例中发光二极管外延片的制备方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本发明作进一步地详细描述。
参考图1和图2，本发明公开了一种发光二极管外延片，包括衬底1和依次设于所述衬底1上的缓冲层2、U-GaN层3、N-GaN层4、电子调制层5、多量子阱层6、电子阻挡层7和P-GaN层8。
其中，电子调制层5包括依次设于N-GaN层4上的第一超晶格层51、N-AlaGa1-aN层52和InbGa1-bN层53，第一超晶格层包括第一预设周期个交替层叠的SicN1-c层511和第一GaN层512；其中，a为0.1-0.2，b为0.1-0.2，c为0.1-0.3。
其中，在第一超晶格层51中，SicN1-c/GaN形成了极化电场、导带偏移，该极化电场方向与电子迁移方向相同，降低了电子的迁移速率。具体的，在第一超晶格层51中，单个SicN1-c层511的厚度为1-3nm，当其厚度＜1nm时，其形成电场较弱，难以有效降低电子迁移速率；当其厚度＞3nm时，容易产生裂纹。示例性的，单个SicN1-c层511厚度为1.2nm、1.5nm、1.8nm、2.1nm、2.4nm或2.7nm，但不限于此。单个第一GaN层512的厚度为3-5nm，当其厚度＜3nm时，晶体质量较差，难以有效形成极化电场，当其厚度＞5nm时，虽然晶体质量高，但成本高。示例性的，单个第一GaN层512的厚度为3.1nm、3.5nm、3.9nm、4.3nm、4.5nm或4.8nm，但不限于此。具体的，第一超晶格层51的第一预设周期为10-20。当其周期＜10时，其形成的极化电场弱，难以有效降低电子迁移速率；当其周期＞20时，电子阻碍作用过强，反而不利于提升光效。
其中，N-AlaGa1-aN层52中的Al原子较小，可起到填补Ga空位的作用，从而阻挡底层缺陷。具体的，N-AlaGa1-aN层52中的掺杂元素为Si，但不限于此。N-AlaGa1-aN层52中Si的掺杂浓度为1×1016-1×1017cm-3，其低于N-GaN层4中Si的掺杂浓度（5×1018-1×1019cm-3）。低掺杂浓度的N-AlaGa1-aN层52具有较强的电子扩展能力。示例性的，N-AlaGa1-aN层52中Si的掺杂浓度为1.1×1016 cm-3、1.3×1016 cm-3、1.5×1016 cm-3、1.8×1016 cm-3或1.95×1016 cm-3，但不限于此。优选的，N-AlaGa1-aN层52中Si的掺杂浓度为1.3×1016-1.8×1016cm-3，该掺杂浓度的N-AlaGa1-aN层52的电子扩展能力、阻挡缺陷能力均较强。
具体的，N-AlaGa1-aN层52的厚度为20-50nm，当其厚度＜20nm时，N-AlaGa1-aN层52中晶体质量差，难以有效阻挡缺陷，且对电子的扩展能力较差；当其厚度＞50nm时，N-AlaGa1- aN层52的厚度过高，对电子阻碍能力过强，反而降低光效。示例性的，N-AlaGa1-aN层52的厚度为25nm、30nm、35nm、40nm或45nm，但不限于此。
其中，InbGa1-bN层53靠近多量子阱层设置，其能阶较低，可形成电子陷阱，进一步降低电子的迁移速率。具体的，InbGa1-bN层53的厚度为10-20nm，当其厚度＜10nm时，难以有效降低电子的迁移速率；当其厚度＞10nm时，降低了晶格质量。示例性的，InbGa1-bN层53的厚度为12nm、14nm、16nm、18nm或19nm，但不限于此。
进一步的，在本发明中，控制电子调制层的总厚度为80-140nm，示例性的为85nm、95nm、108nm、112nm、125nm、132nm、134nm或138nm，但不限于此。
其中，衬底1可为蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底，但不限于此。
其中，缓冲层2可为AlN层和/或AlGaN层，但不限于此；优选的，缓冲层2为AlGaN层，其可提升电子调制层5的晶体质量。缓冲层2的厚度为20-80nm，示例性的为25nm、30nm、35nm、40nm、45nm、50nm、60nm、70nm或75nm，但不限于此。
其中，U-GaN层3的厚度500-800nm，示例性的为520nm、560nm、600nm、650nm、700nm、720nm或780nm，但不限于此。
其中，N-GaN层4的掺杂元素为Si，但不限于此。N-GaN层4的掺杂浓度为5×1018-1×1019cm-3，厚度为1-3μm。
其中，多量子阱层6为多个InGaN阱层和多个GaN垒层形成的周期性结构，其周期数为3-15。单个InGaN阱层的厚度为2-5nm，单个GaN垒层的厚度为3-15nm。具体的，InGaN阱层中In所占摩尔比为10%-35%。
其中，电子阻挡层7为多个AlαGa1-αN层和多个InβGa1-βN层形成的周期性结构，其周期数为3-15个。其中，α为0.05-0.2，β为0.1-0.5。电子阻挡层7的厚度为20-50nm，示例性的为22nm、28nm、36nm、40nm或45nm，但不限于此。
其中，P-GaN层8中的掺杂元素为Mg，但不限于此。P-GaN层8中Mg的掺杂浓度为5×1017-1×1020cm-3；优选的，在本发明的一个实施例中，当引入空穴调制层9后，通过空穴调制层9的综合作用，可将P-GaN层8中Mg的掺杂浓度提高至5×1019-1×1020cm-3。具体的，P-GaN层8的厚度为200-300nm。示例性的为210nm、225nm、240nm、250nm或280nm，但不限于此。
优选的，参考图3和图4，在本发明的一个实施例中，电子阻挡层7上还设置了空穴调制层9。空穴调制层9包括依次设于电子阻挡层7上的第二超晶格层91、P-AlxGa1-xN层92和InyGa1-yN层93，第二超晶格层91包括第二预设周期个交替层叠的MgzN1-z层911和第二GaN层912，InyGa1-yN层93呈氮极性。其中，x为0.1-0.2，y为0.1-0.2，z为0.1-0.3。
其中，InyGa1-yN层93与P-GaN层8接触。由于InyGa1-yN层93呈氮极性，使得InyGa1-yN层93与掺Mg的P-GaN层8结合更加紧密，进而使得P-GaN层8可采用更高的Mg掺杂浓度。具体的，本发明的P-GaN层8中Mg掺杂浓度为5×1019-1×1020cm-3，而采用传统的P-GaN层中Mg的掺杂浓度仅为5×1017-2×1019cm-3。此外，InyGa1-yN层93中的In和P-GaN层8中Mg相互扩散，In降低了Mg的激活能，增加了空穴浓度。具体的，InyGa1-yN层93通过NH3的处理赋予氮极性，其处理时间为10-30s。
具体的，InyGa1-yN层93的厚度为5-10nm，若其厚度＜5nm，则难以有效增加空穴浓度；若其厚度＞10nm，则晶格质量降低，发光亮度下降。示例性的，InyGa1-yN层93的厚度为5.5nm、6nm、6.5nm、7nm、7.5nm、8nm或9nm，但不限于此。
其中，P-AlxGa1-xN层92可起到空穴扩展的作用。此外，P-AlxGa1-xN层92中的Al原子可以填补Ga空位，增加表面平整度。具体的，P-AlxGa1-xN层92的厚度为5-10nm；若其厚度＜5nm，则空穴扩展作用较弱；若其厚度＞10nm，则对空穴的阻碍作用过强，导致发光亮度下降。示例性的为，P-AlxGa1-xN层92的厚度为5.5nm、6nm、6.5nm、7nm、7.5nm、8nm或9nm，但不限于此。具体的，P-AlxGa1-xN层92中Mg的掺杂浓度为1×1017-1×1018cm-3，其小于P-GaN层8中Mg的掺杂浓度，这种低掺杂浓度的P-AlxGa1-xN层92可进一步提升对于空穴的扩展作用。
其中，在第二超晶格层91中，MgzN1-z层911可以提供部分空穴，且MgzN1-z/GaN材料会产生强的极化电场，形成二维空穴气。二维空穴气有很高的空穴迁移率，从而可以提高P-GaN层8中的空穴迁移率；并且极化电场使得价带发生倾斜，使得更多的受主能级处在费米能级的下方，也有利于增加空穴浓度。
具体的，在第二超晶格层91中，单个MgzN1-z层911的厚度为1-3nm，当其厚度＜1nm时，难以有效提升空穴迁移率；当其厚度＞3nm时，容易产生裂纹。示例性的，单个MgzN1-z层911的厚度为1.3nm、1.6nm、1.8nm、2nm、2.2nm、2.4nm、2.6nm或2.8nm，但不限于此。单个第二GaN层912的厚度为3-5nm，当其厚度＜3nm时，晶格质量差，产生的极化电场弱；当其厚度＞5nm时，材料成本过高。示例性的，单个第二GaN层912的厚度为3.3nm、3.6nm、3.8nm、4nm、4.2nm、4.4nm、4.6nm或4.8nm，但不限于此。具体的，第二超晶格层91中的第二预设周期为10-20，当其周期＜10时，形成的极化电场弱，无法产生二维空穴气；当其周期＞20时，材料成本过高。
优选的，在本发明中，控制空穴调制层9的总厚度为50-80nm，示例性的为55nm、60nm、65nm、70nm或75nm，但不限于此。
相应的，参考图5，本申请还公开了一种发光二极管外延片的制备方法，其用于制备上述的发光二极管外延片，其包括以下步骤：
S1：提供衬底；
具体的，该衬底为蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底，但不限于此。优选的为蓝宝石衬底。
优选的，在本发明的一个实施例之中，对衬底进行退火处理。具体的，将衬底加载至MOCVD中，控制反应室温度为1000-1200℃，反应室压力为200-600Torr，石墨基座转速为500-1200rpm，在H2气氛下对衬底进行5-8min的高温退火。通过退火，可清洁衬底表面的颗粒和氧化物。
S2：在衬底上依次生长缓冲层、U-GaN层、N-GaN层、电子调制层、多量子阱层、电子阻挡层和P-GaN层；
具体的，S2包括：
S21：在衬底上生长缓冲层；
具体的，控制反应室温度为500-700℃，反应室压力为200-400Torr，石墨基座转速为500-1200rpm，通入N2和H2做载气，通入TMGa作为Ga源，NH3作为N源，TMAl作为Al源，生长AlGaN层作为缓冲层。
S22：在缓冲层上生长U-GaN层；
具体地，控制反应室为1100-1150℃，反应室压力为100-500Torr，石墨基座转速为500-1200rpm，通入N2和H2做载气，通入TMGa作为Ga源，NH3作为N源，生长得到U-GaN层。
S23：在U-GaN层上生长N-GaN层；
具体的，控制反应室温度为1100-1150℃，反应室压力为100-500Torr，石墨基座转速为500-1200rpm，通入N2和H2做载气，通入TMGa作为Ga源，NH3作为N源，SiH4作为硅源，生长得到N-GaN层。
S24：在N-GaN层上生长电子调制层；
其中，电子调制层5中，第一超晶格层51生长时石墨基座的转动速度大于N-AlaGa1-aN层52生长时石墨基座的转动速度，第一超晶格层51的生长温度大于N-AlaGa1-aN层52的生长温度；N-AlaGa1-aN层52生长时石墨基座的转动速度大于InbGa1-bN层53生长时石墨基座的转动速度，N-AlaGa1-aN层52的生长温度大于InbGa1-bN层53的生长温度。通过上述温度、转动速度的控制，可有效释放N-GaN层4生长后的应力，避免应力积累到多量子阱层6中，造成缺陷增多，影响发光效率。
具体的，S24包括：
S241：在N-GaN层上生长第一超晶格层；
具体的，控制反应室温度为1100-1200℃，反应室压力为150-500Torr，石墨基座转速为900-1200rpm，通入N2和H2做载气，通入NH3作为N源，SiH4作为Si源，以生长SicN1-c层；然后控制温度、压力、转速不变，关闭SiH4，通入TMGa作为Ga源，以生长第一GaN层。如此周期性循环，直至生长出第一超晶格层。
S242：在第一超晶格层上生长N-AlaGa1-aN层；
具体的，控制反应室温度为900-1000℃，反应室压力为150-500Torr，石墨基座转速为700-900rpm，通入N2和H2作为载气，通入NH3作为N源，TMGa作为Ga源，TMAl作为Al源，SiH4作为Si源，以生长N-AlaGa1-aN层。
S243：在N-AlaGa1-aN层上生长InbGa1-bN层；
具体的，控制反应室温度为700-900℃，反应室压力为150-500Torr，石墨基座转速为500-700 rpm；通入N2和H2作为载气，通入TEGa作为Ga源（TEGa比TMGa更有利于In源并入），通入TMIn作为In源，NH3作为N源，以生长InbGa1-bN层。
S25：在电子调制层上生长多量子阱层；
具体的，控制反应室温度为700-800℃，反应室压力为100-500Torr，石墨基座转速为600-1000rpm，通入N2作为载气，通入NH3作为N源，TEGa作为Ga源，TMIn作为In源，生长InGaN阱层；然后将反应室温度提升为800-900℃，关闭TMIn，并通入用H2和N2做载气，以生长GaN垒层；如此重复若干个周期，形成多量子阱层。
S26：在多量子阱层上生长电子阻挡层；
具体的，控制反应室温度为900-1000℃，反应室压力为100-500Torr，石墨基座转速为600-1200rpm，通入NH3作为N源，TMGa作为Ga源，TMAl作为Al源，以生长AlαGa1-αN层。然后关闭Al源，继续通入Ga源，通入TMIn作为In源，以生长InβGa1-βN层，如此重复3-15个周期，得到电子阻挡层。
S27：在电子阻挡层上生长空穴调制层；
其中，空穴调制层9中，第二超晶格层91的生长温度小于P-AlxGa1-xN层92的生长温度；P-AlxGa1-xN层92生长时石墨基座的转动速度大于InyGa1-yN层93生长时石墨基座的转动速度，P-AlxGa1-xN层92的生长温度大于InyGa1-yN层93的生长温度。基于以上控制，一者，防止第二超晶格层91生长温度过高破坏量子阱层；二者，P-AlxGa1-xN层92生长温度高，提升其晶体质量，增加了对P-GaN层8中Mg的激活。三者，InyGa1-yN层93生长时温度和转速均较低，有利于In的并入。
具体的，S27包括：
S271：在电子阻挡层上生长第二超晶格层；
具体的，控制反应室温度为800-900℃，反应室压力为150-500Torr，石墨基座转速为700-1000rpm，通入N2和H2做载气，通入NH3作为N源，CP2Mg作为镁源，以生长MgzN1-z层911。然后关闭CP2Mg，通入TMGa作为Ga源，生长第二GaN层912。如此周期性循环，直至生长出第二超晶格层。
S272：在第二超晶格层上生长P-AlxGa1-xN层；
具体的，控制反应室温度为900-1000℃，反应室压力为150-500Torr，石墨基座转速为700-1000rpm，通入N2和H2作为载气，通入NH3作为N源，TMGa作为Ga源，TMAl作为Al源，CP2Mg作为Mg源，生长P-AlxGa1-xN层。
S273：在P-AlxGa1-xN层上生长InyGa1-yN层；
具体的，控制反应室温度为600-800℃，反应室压力为150-500Torr，石墨基座转速为500-700rpm，通入N2和H2作为载气，通入NH3作为N源，TEGa作为Ga源，TMIn作为In源，生长InyGa1-yN层。
S274：将InyGa1-yN层进行氮极性处理；
具体的，控制反应室温度为600-800℃，反应室压力为150-500Torr，石墨基座转速为500-700rpm，通入N2和H2作为载气，通入NH3，对InyGa1-yN层处理10-30s。
S28：在空穴调制层上生长P-GaN层；
具体的，控制反应室温度为800-1000℃，反应室压力为100-300Torr，石墨基座转速为800-1200rpm，通入NH3作为N源，TMGa作为Ga源，CP2Mg作为P型掺杂剂，生长得到P-GaN层。
下面以具体实施例对本发明进行进一步说明：
实施例1
本实施例提供一种发光二极管外延片，参考图1、图2，其包括衬底1和依次设于所述衬底1上的缓冲层2、U-GaN层3、N-GaN层4、电子调制层5、多量子阱层6、电子阻挡层7和P-GaN层8。
其中，衬底1为蓝宝石衬底，缓冲层2为AlGaN层，其厚度为30nm，U-GaN层3的厚度600nm。N-GaN层4中Si的掺杂浓度为7.5×1018cm-3，其厚度为2μm。
其中，电子调制层5包括依次设于N-GaN层4上的第一超晶格层51、N-AlaGa1-aN层52和InbGa1-bN层53，第一超晶格层51为SicN1-c层511和第一GaN层512交替层叠形成的周期性超晶格结构，其周期数为12；其中，a为0.15，b为0.12，c为0.2。单个SicN1-c层511的厚度为1.5nmn，单个第一GaN层512的厚度为4.2nm。N-AlaGa1-aN层中Si的掺杂浓度为4.5×1016cm-3，厚度为30nm，InbGa1-bN层53的厚度为15nm。
其中，多量子阱层6为InGaN阱层和GaN垒层交替层叠形成的周期性超晶格结构，其周期数为10。单个InGaN阱层的厚度为3nm，单个GaN垒层的厚度为10nm。具体的，InGaN阱层中In所占摩尔比为22%。
其中，电子阻挡层7为AlαGa1-αN层和InβGa1-βN层交替层叠形成的周期性超晶格结构，其周期数为8。其中，α为0.1，β为0.35。单个AlαGa1-αN层的厚度为3nm，单个InβGa1-βN层的厚度为3nm，电子阻挡层7的总厚度为48nm。
其中，P-GaN层8中Mg的掺杂浓度为6.5×1018 cm-3，厚度为240nm。
本实施例中发光二极管外延片的制备方法为：
（1）提供衬底；
具体的，提供蓝宝石衬底，将衬底加载至MOCVD中，控制反应室温度为1100℃，反应室压力为420Torr，石墨基座转速为1000rpm，在H2气氛下对衬底进行7min的高温退火。
（2）在衬底上生长缓冲层；
具体的，控制反应室温度为550℃，反应室压力为300Torr，石墨基座转速为800rpm，通入N2和H2做载气，通入TMGa作为Ga源，NH3作为N源，TMAl作为Al源，生长AlGaN层作为缓冲层。
（3）在缓冲层上生长U-GaN层；
具体地，控制反应室为1120℃，反应室压力为400Torr，石墨基座转速为900rpm，通入N2和H2做载气，通入TMGa作为Ga源，NH3作为N源，生长得到U-GaN层。
（4）在U-GaN层上生长N-GaN层；
具体的，控制反应室温度为1130℃，反应室压力为400Torr，石墨基座转速为1100rpm，通入N2和H2做载气，通入TMGa作为Ga源，NH3作为N源，SiH4作为硅源，生长得到N-GaN层。
（5）在N-GaN层上生长第一超晶格层；
具体的，控制反应室温度为1110℃，反应室压力为300Torr，石墨基座转速为1100rpm，通入N2和H2做载气，通入NH3作为N源，SiH4作为Si源，以生长SicN1-c层；然后控制温度、压力、转速不变，关闭SiH4，通入TMGa作为Ga源，以生长第一GaN层。如此周期性循环，直至生长出第一超晶格层。
（6）在第一超晶格层上生长N-AlaGa1-aN层；
具体的，控制反应室温度为950℃，反应室压力为300Torr，石墨基座转速为880rpm，通入N2和H2作为载气，通入NH3作为N源，TMGa作为Ga源，TMAl作为Al源，SiH4作为Si源，以生长N-AlaGa1-aN层。
（7）在N-AlaGa1-aN层上生长InbGa1-bN层；
具体的，控制反应室温度为790℃，反应室压力为450Torr，石墨基座转速为650pm；通入N2和H2作为载气，通入TEGa作为Ga源（TEGa比TMGa更有利于In源并入），通入TMIn作为In源，NH3作为N源，以生长InbGa1-bN层。
（8）在InbGa1-bN层上生长多量子阱层；
具体的，控制反应室温度为720℃，反应室压力为360Torr，石墨基座转速为800rpm，通入N2作为载气，通入NH3作为N源，TEGa作为Ga源，TMIn作为In源，生长InGaN阱层；然后将反应室温度提升为870℃，关闭TMIn，并通入H2和N2做载气，以生长GaN垒层；如此重复形成多量子阱层。
（9）在多量子阱层上生长电子阻挡层；
具体的，控制反应室温度为950℃，反应室压力为350Torr，石墨基座转速为1050rpm，通入NH3作为N源，TMGa作为Ga源，TMAl作为Al源，以生长AlαGa1-αN层。然后关闭Al源，继续通入Ga源，通入TMIn作为In源，以生长InβGa1-βN层，如此重复得到电子阻挡层。
（10）在电子阻挡层上生长P-GaN层；
具体的，控制反应室温度为950℃，反应室压力为150Torr，石墨基座转速为1000rpm，通入NH3作为N源，TMGa作为Ga源，CP2Mg作为P型掺杂剂，生长得到P-GaN层。
实施例2
本实施例提供一种发光二极管外延片，参考图3、图4，其包括衬底1和依次设于所述衬底1上的缓冲层2、U-GaN层3、N-GaN层4、电子调制层5、多量子阱层6、电子阻挡层7、空穴调制层9和P-GaN层8。
其中，衬底1为蓝宝石衬底，缓冲层2为AlGaN层，其厚度为30nm，U-GaN层3的厚度600nm。N-GaN层4中Si的掺杂浓度为7.5×1018cm-3，其厚度为2μm。
其中，电子调制层5包括依次设于N-GaN层4上的第一超晶格层51、N-AlaGa1-aN层52和InbGa1-bN层53，第一超晶格层51为SicN1-c层511和第一GaN层512交替层叠形成的周期性超晶格结构，其周期数为12；其中，a为0.15，b为0.12，c为0.2。单个SicN1-c层511的厚度为1.5nmn，单个第一GaN层512的厚度为4.2nm。N-AlaGa1-aN层中Si的掺杂浓度为4.5×1016cm-3，厚度为30nm，InbGa1-bN层53的厚度为15nm。
其中，多量子阱层6为InGaN阱层和GaN垒层交替层叠形成的周期性超晶格结构，其周期数为10。单个InGaN阱层的厚度为3nm，单个GaN垒层的厚度为10nm。具体的，InGaN阱层中In所占摩尔比为22%。
其中，电子阻挡层7为AlαGa1-αN层和InβGa1-βN层交替层叠形成的周期性超晶格结构，其周期数为8。其中，α为0.1，β为0.35。单个AlαGa1-αN层的厚度为3nm，单个InβGa1-βN层的厚度为3nm，电子阻挡层7的总厚度为48nm。
其中，空穴调制层9包括依次设于电子阻挡层7上的第二超晶格层91、P-AlxGa1-xN层92和InyGa1-yN层93，第二超晶格层为MgzN1-z层911和第二GaN层912交替层叠形成的周期性超晶格结构，其周期数为12。其中，x为0.14，y为0.15，z为0.22。单个MgzN1-z层911的厚度为2nm，单个第二GaN层912的厚度为4nm。P-AlxGa1-xN层92的厚度为8nm，Mg的掺杂浓度为8×1017cm-3。InyGa1-yN层93的厚度为8nm，其呈氮极性。
其中，P-GaN层8中Mg的掺杂浓度为6.5×1018 cm-3，厚度为240nm。
本实施例中发光二极管外延片的制备方法为：
（1）提供衬底；
具体的，提供蓝宝石衬底，将衬底加载至MOCVD中，控制反应室温度为1100℃，反应室压力为420Torr，石墨基座转速为1000rpm，在H2气氛下对衬底进行7min的高温退火。
（2）在衬底上生长缓冲层；
具体的，控制反应室温度为550℃，反应室压力为300Torr，石墨基座转速为800rpm，通入N2和H2做载气，通入TMGa作为Ga源，NH3作为N源，TMAl作为Al源，生长AlGaN层作为缓冲层。
（3）在缓冲层上生长U-GaN层；
具体地，控制反应室为1120℃，反应室压力为400Torr，石墨基座转速为900rpm，通入N2和H2做载气，通入TMGa作为Ga源，NH3作为N源，生长得到U-GaN层。
（4）在U-GaN层上生长N-GaN层；
具体的，控制反应室温度为1130℃，反应室压力为400Torr，石墨基座转速为1100rpm，通入N2和H2做载气，通入TMGa作为Ga源，NH3作为N源，SiH4作为硅源，生长得到N-GaN层。
（5）在N-GaN层上生长第一超晶格层；
具体的，控制反应室温度为1110℃，反应室压力为300Torr，石墨基座转速为1100rpm，通入N2和H2做载气，通入NH3作为N源，SiH4作为Si源，以生长SicN1-c层；然后控制温度、压力、转速不变，关闭SiH4，通入TMGa作为Ga源，以生长第一GaN层。如此周期性循环，直至生长出第一超晶格层。
（6）在第一超晶格层上生长N-AlaGa1-aN层；
具体的，控制反应室温度为950℃，反应室压力为300Torr，石墨基座转速为880rpm，通入N2和H2作为载气，通入NH3作为N源，TMGa作为Ga源，TMAl作为Al源，SiH4作为Si源，以生长N-AlaGa1-aN层。
（7）在N-AlaGa1-aN层上生长InbGa1-bN层；
具体的，控制反应室温度为790℃，反应室压力为450Torr，石墨基座转速为650pm；通入N2和H2作为载气，通入TEGa作为Ga源（TEGa比TMGa更有利于In源并入），通入TMIn作为In源，NH3作为N源，以生长InbGa1-bN层。
（8）在InbGa1-bN层上生长多量子阱层；
具体的，控制反应室温度为720℃，反应室压力为360Torr，石墨基座转速为800rpm，通入N2作为载气，通入NH3作为N源，TEGa作为Ga源，TMIn作为In源，生长InGaN阱层；然后将反应室温度提升为870℃，关闭TMIn，并通入用H2和N2做载气，以生长GaN垒层；如此重复形成多量子阱层。
（9）在多量子阱层上生长电子阻挡层；
具体的，控制反应室温度为950℃，反应室压力为350Torr，石墨基座转速为1050rpm，通入NH3作为N源，TMGa作为Ga源，TMAl作为Al源，以生长AlαGa1-αN层。然后关闭Al源，继续通入Ga源，通入TMIn作为In源，以生长InβGa1-βN层，如此重复得到电子阻挡层。
（10）在电子阻挡层上生长第二超晶格层；
具体的，控制反应室温度为850℃，反应室压力为300Torr，石墨基座转速为800rpm，通入N2和H2做载气，通入NH3作为N源，CP2Mg作为镁源，以生长MgzN1-z层911。然后关闭CP2Mg，通入TMGa作为Ga源，生长第二GaN层912。如此周期性循环，直至生长出第二超晶格层。
（11）在第二超晶格层上生长P-AlxGa1-xN层；
具体的，控制反应室温度为960℃，反应室压力为300Torr，石墨基座转速为800rpm，通入N2和H2作为载气，通入NH3作为N源，TMGa作为Ga源，TMAl作为Al源，CP2Mg作为Mg源，生长P-AlxGa1-xN层。
（12）在P-AlxGa1-xN层上生长InyGa1-yN层；
具体的，控制反应室温度为640℃，反应室压力为280Torr，石墨基座转速为550rpm，通入N2和H2作为载气，通入NH3作为N源，TEGa作为Ga源，TMIn作为In源，生长InyGa1- yN层。
（13）将InyGa1-yN层进行氮极性处理；
具体的，控制反应室温度为640℃，反应室压力为300Torr，石墨基座转速为550rpm，通入N2和H2作为载气，通入NH3，对InyGa1-yN层处理20s。
（14）在InyGa1-yN层上生长P-GaN层；
具体的，控制反应室温度为950℃，反应室压力为150Torr，石墨基座转速为1000rpm，通入NH3作为N源，TMGa作为Ga源，CP2Mg作为P型掺杂剂，生长得到P-GaN层。
实施例3
本实施例与实施例2的区别在于，本实施例中P-GaN层中Mg的掺杂浓度为8.5×1019cm-3，其他均与实施例2相同。
对比例1
本对比例与实施例1的区别在于，不设置电子调制层，相应的，制备方法中也不包括电子调制层的制备步骤。
对比例2
本对比例与实施例2的区别在于，不设置电子调制层，相应的，制备方法中也不包括电子调制层的制备步骤。
将实施例1-3，对比例1-2所得的发光二极管外延片进行亮度测试，具体结果如下：
Figure 41393DEST_PATH_IMAGE001
由表中可以看出，当在外延结构中引入电子调制层后（实施例1），亮度即可提升至187.2mW，相较对比例1提升了1.68%，相较仅设置空穴调制层的对比例2提升了0.75%。表明本发明中的电子调制层可有效提升发光效率。
以上所述是发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (17)

1.一种发光二极管外延片，包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、U-GaN层、N-GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P-GaN层；其特征在于，所述N-GaN层与所述多量子阱层之间设有电子调制层；所述电子调制层包括依次设于所述N-GaN层上的第一超晶格层、N-AlaGa1-aN层和InbGa1-bN层，所述第一超晶格层包括第一预设周期个交替层叠的SicN1-c层和第一GaN层；其中，a为0.1-0.2，b为0.1-0.2，c为0.1-0.3。
2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一超晶格层中，单个SicN1-c层的厚度为1-3nm，单个第一GaN层的厚度为3-5nm，所述第一超晶格层的第一预设周期为10-20。
3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述N-AlaGa1-aN层的厚度为20-50nm，所述InbGa1-bN层的厚度为10-20nm。
4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述N-AlaGa1-aN层中Si的掺杂浓度为1×1016-1×1017cm-3，所述N-GaN层中Si的掺杂浓度为5×1018-1×1019cm-3。
5.如权利要求1~4任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述电子阻挡层与所述P-GaN层之间设有空穴调制层，所述空穴调制层包括依次设于所述电子阻挡层上的第二超晶格层、P-AlxGa1-xN层和InyGa1-yN层，所述第二超晶格层包括第二预设周期个交替层叠的MgzN1-z层和第二GaN层；其中，x为0.1-0.2，y为0.1-0.2，z为0.1-0.3。
6.如权利要求5所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述InyGa1-yN层呈氮极性。
7.如权利要求5所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二超晶格层中，单个MgzN1-z层的厚度为1-3nm，单个第二GaN层的厚度为3-5nm，所述第二超晶格层中的第二预设周期为10-20。
8.如权利要求5所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P-AlxGa1-xN层的厚度为5-10nm，所述InyGa1-yN层的厚度为5-10nm。
9.如权利要求5所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P-AlxGa1-xN层中Mg的掺杂浓度为1×1017-1×1018cm-3，所述P-GaN层中Mg的掺杂浓度为5×1019-1×1020cm-3。
10.一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备如权利要求1-9任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，包括：
（1）提供衬底；
（2）在所述衬底上依次生长缓冲层、U-GaN层、N-GaN层、电子调制层、多量子阱层、电子阻挡层和P-GaN层；
所述电子调制层包括依次设于所述N-GaN层上的第一超晶格层、N-AlaGa1-aN层和InbGa1-bN层，所述第一超晶格层包括第一预设周期个交替层叠的SicN1-c层和第一GaN层；其中，a为0.1-0.2，b为0.1-0.2，c为0.1-0.3。
11.如权利要求10所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述第一超晶格层生长时石墨基座的转动速度大于所述N-AlaGa1-aN层生长时石墨基座的转动速度，所述第一超晶格层的生长温度大于所述N-AlaGa1-aN层的生长温度；
所述N-AlaGa1-aN层生长时石墨基座的转动速度大于所述InbGa1-bN层生长时石墨基座的转动速度，所述N-AlaGa1-aN层的生长温度大于所述InbGa1-bN层的生长温度。
12.如权利要求10或11所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述第一超晶格层的生长温度为1100-1200℃，生长时石墨基座的转速为900-1200rpm；
所述N-AlaGa1-aN层的生长温度为900-1000℃，生长时石墨基座的转速为700-900rpm；
所述InbGa1-bN层的生长温度为700-900℃，生长时石墨基座的转速为500-700rpm。
13.如权利要求10所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，依次在所述衬底上依次生长缓冲层、U-GaN层、N-GaN层、电子调制层、多量子阱层、电子阻挡层、空穴调制层和P-GaN层；
其中，所述空穴调制层依次包括设于所述电子阻挡层上的第二超晶格层、P-AlxGa1-xN层和InyGa1-yN层，所述第二超晶格层包括第二预设周期个交替层叠的MgzN1-z层和第二GaN层；其中，x为0.1-0.2，y为0.1-0.2，z为0.1-0.3。
14.如权利要求13所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述第二超晶格层的生长温度小于所述P-AlxGa1-xN层的生长温度；
所述P-AlxGa1-xN层生长时石墨基座的转动速度大于所述InyGa1-yN层生长时石墨基座的转动速度，所述P-AlxGa1-xN层的生长温度大于所述InyGa1-yN层的生长温度。
15.如权利要求13或14所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述第二超晶格层的生长温度为800-900℃，生长时石墨基座的转速为700-1000rpm；
所述P-AlxGa1-xN层的生长温度为900-1000℃，生长时石墨基座的转速为700-1000rpm；
所述InyGa1-yN层的生长温度为600-800℃，生长时石墨基座的转速为500-700rpm。
16.如权利要求13所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述InyGa1-yN层生长完成后，采用NH3对其进行处理，以使其呈氮极性。
17.一种发光二极管，其特征在于，包括如权利要求1~9任一项所述的发光二极管外延片。
CN202211022861.0A 2022-08-25 2022-08-25 一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 Active CN115101638B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211022861.0A CN115101638B (zh) 2022-08-25 2022-08-25 一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211022861.0A CN115101638B (zh) 2022-08-25 2022-08-25 一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115101638A true CN115101638A (zh) 2022-09-23
CN115101638B CN115101638B (zh) 2022-11-18

Family

ID=83300975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211022861.0A Active CN115101638B (zh) 2022-08-25 2022-08-25 一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115101638B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115472720A (zh) * 2022-10-31 2022-12-13 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN115832139A (zh) * 2023-02-24 2023-03-21 江西兆驰半导体有限公司 用于Mini-LED的外延片及其制备方法、Mini-LED
CN116154066A (zh) * 2023-04-19 2023-05-23 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN116759500A (zh) * 2023-08-17 2023-09-15 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN117276435A (zh) * 2023-11-21 2023-12-22 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、led

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105552186A (zh) * 2014-10-29 2016-05-04 南通同方半导体有限公司 一种具有抑制极化效应垒层蓝光led外延结构
CN106098882A (zh) * 2016-07-25 2016-11-09 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片及其制备方法
US20170047481A1 (en) * 2014-02-13 2017-02-16 Mled Limited Semiconductor modification process and structures
US20170133552A1 (en) * 2015-11-10 2017-05-11 PlayNitride Inc. Semiconductor light-emitting device
CN107293622A (zh) * 2017-04-27 2017-10-24 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管的外延片及其制备方法
CN110112269A (zh) * 2019-03-29 2019-08-09 华灿光电股份有限公司 发光二极管外延片及其制备方法
CN110311022A (zh) * 2019-05-31 2019-10-08 华灿光电（浙江）有限公司 GaN基发光二极管外延片及其制造方法
CN114725258A (zh) * 2022-04-08 2022-07-08 江西兆驰半导体有限公司 一种led外延片及其制备方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170047481A1 (en) * 2014-02-13 2017-02-16 Mled Limited Semiconductor modification process and structures
CN105552186A (zh) * 2014-10-29 2016-05-04 南通同方半导体有限公司 一种具有抑制极化效应垒层蓝光led外延结构
US20170133552A1 (en) * 2015-11-10 2017-05-11 PlayNitride Inc. Semiconductor light-emitting device
CN106098882A (zh) * 2016-07-25 2016-11-09 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片及其制备方法
CN107293622A (zh) * 2017-04-27 2017-10-24 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管的外延片及其制备方法
CN110112269A (zh) * 2019-03-29 2019-08-09 华灿光电股份有限公司 发光二极管外延片及其制备方法
CN110311022A (zh) * 2019-05-31 2019-10-08 华灿光电（浙江）有限公司 GaN基发光二极管外延片及其制造方法
CN114725258A (zh) * 2022-04-08 2022-07-08 江西兆驰半导体有限公司 一种led外延片及其制备方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115472720A (zh) * 2022-10-31 2022-12-13 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN115832139A (zh) * 2023-02-24 2023-03-21 江西兆驰半导体有限公司 用于Mini-LED的外延片及其制备方法、Mini-LED
CN116154066A (zh) * 2023-04-19 2023-05-23 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN116154066B (zh) * 2023-04-19 2023-06-23 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN116759500A (zh) * 2023-08-17 2023-09-15 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN116759500B (zh) * 2023-08-17 2023-11-17 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN117276435A (zh) * 2023-11-21 2023-12-22 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、led
CN117276435B (zh) * 2023-11-21 2024-01-26 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、led

Also Published As

Publication number Publication date
CN115101638B (zh) 2022-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN115101638B (zh) 一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN115377259B (zh) 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN115347098B (zh) 低工作电压发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
JP3778344B2 (ja) 発光半導体デバイスの製造方法
CN116581217B (zh) 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
JP5861947B2 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
CN116093223B (zh) 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN115172555B (zh) 高光效发光二极管的外延片及其制备方法、发光二极管
CN109326697B (zh) 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法
CN116914046B (zh) 发光二极管外延片及其制备方法
CN115224171A (zh) 高光效发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN115458649A (zh) 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN115986020A (zh) 深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN116093220A (zh) 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN116169216A (zh) 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN116454186A (zh) 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN115241336A (zh) 外延片、外延片生长工艺及发光二极管
CN116504895A (zh) 发光二极管外延片及其制备方法、led
CN111029444A (zh) 一种led外延结构及其制备方法
CN116154060B (zh) 黄绿光led外延片及其制备方法、黄绿光led
CN117199203A (zh) 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN116581219B (zh) 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN117637954B (zh) 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN117810324B (zh) 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN116705927B (zh) Led外延片及其制备方法、led

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant