CN117276435B - 发光二极管外延片及其制备方法、led - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层。本发明提供的发光二极管外延片能够改善紫外LED的P型欧姆接触性能，提高载流子的迁移能力。
Description
技术领域
本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、LED。
背景技术
AlGaN基紫外LED的研制面临的许多的技术困难，如电子本身有效质量较小，具有较高的迁移率，导致电子很多容易通过量子阱而溢出到P层；随着Al组分的增加，容易导致外延生长的AlGaN薄膜缺陷密度高、表面不平整等问题，难以获得高晶体质量的AlGaN材料。理想的N型和P型材料是各种半导体材料得以应用的前提，是各种半导体器件发挥良好性能的基础，对于已经进入市场化生产的AlGaN基紫外LED器件，N型掺杂已经具备较成熟的技术，P型掺杂仍是目前阻碍AlGaN基紫外LED进一步发展的障碍。且高Al组分的AlGaN材料的P型掺杂尤为棘手，掺杂剂Mg的活化效率低，导致空穴不足，辐射复合效率降低，内量子效率偏低；P型AlGaN基材料的空穴浓度是直接影响器件的发光效率的重要参数，Mg是P型AlGaN基材料的主要掺杂剂，而P型AlGaN基材料中受主（Mg）杂质难以电离，导致空穴浓度偏低，欧姆接触电阻偏高，如何获得高空穴浓度的P型AlGaN基材料，实现低P型欧姆接触一直是阻碍AlGaN基半导体材料进一步发展的关键。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片，其能够改善紫外LED的P型欧姆接触性能，提高载流子的迁移能力。
本发明所要解决的技术问题还在于，提供一种发光二极管外延片的制备方法，其工艺简单，能够稳定制得发光效率良好的发光二极管外延片。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层。
在一种实施方式中，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层包括交替层叠的AlSb层和AlN层，所述AlSb层和所述AlN层交替层叠的周期数为2~10。
在一种实施方式中，所述AlSb/AlN超晶格层的厚度为10nm~50nm。
在一种实施方式中，所述AlSb/AlN超晶格层的Mg掺杂浓度为1×1018atoms/cm3~1×1020atoms/cm3。
在一种实施方式中，所述AlSb层的厚度为2nm~5nm。
在一种实施方式中，所述AlN层的厚度为2nm~5nm。
为解决上述问题，本发明还提供了一种发光二极管外延片的制备方法，包括以下步骤：
S1、准备衬底；
S2、在所述衬底上依次沉积缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层。
在一种实施方式中，所述AlSb/AlN超晶格层采用下述方法制得：
将反应室的温度控制在800℃~1100℃，压力控制为30torr~100torr，通入Al源、Sb源，生长AlSb层；
将反应室的温度控制在800℃~1100℃，压力控制为30torr~100torr，通入Al源、N源，生长AlN层；
交替生长所述AlSb层和AlN层，得到所述AlSb/AlN超晶格层。
相应地，本发明还提供了一种LED，所述LED包括上述的发光二极管外延片。
实施本发明，具有如下有益效果：
本发明提供的发光二极管外延片，其具有特定组成的P型接触层，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层。AlSb/AlN超晶格层在紫外光波段良好的透过性能，有利于紫外光的提取，AlSb的禁带宽度约1.6eV，AlN的禁带宽度约6.1eV，AlSb/AlN异质结的极化电场可获得高浓度的二维空穴气，二维空穴气有较高的空穴迁移率，起到电流扩展作用，降低接触电阻，最终提高LED的发光效率。
进一步地，AlSb/AlN超晶格层中的极化效应会导致在材料界面形成二维空穴气，可以提高空穴迁移率，增大空穴隧穿的几率，从而获得较低的欧姆接触。而且，在AlSb/AlN超晶格层中价带的不连续产生了价带边的周期性摆动，超晶格能带的周期性摆动使空穴和电离受主在空间上有效地分离，从而提高了掺杂受主Mg的离化效率，而内建极化电场会加剧这种摆动，而Mg在AlN基材料中能级位置较深，这样有更多的受主能级处在费米能级下方，能最大程度地提高Mg受主的电离。
附图说明
图1为本发明提供的发光二极管外延片的结构示意图；
图2为本发明提供的发光二极管外延片的制备方法的流程图；
图3为本发明提供的发光二极管外延片的制备方法的步骤S2的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本发明作进一步地详细描述。
除非另外说明或存在矛盾之处，本文中使用的术语或短语具有以下含义：
本发明中，“优选”仅为描述效果更好的实施方式或实施例，应当理解，并不构成对本发明保护范围的限制。
本发明中，以开放式描述的技术特征中，包括所列举特征组成的封闭式技术方案，也包括包含所列举特征的开放式技术方案。
本发明中，涉及到数值区间，如无特别说明，则包括数值区间的两个端点。
为解决上述问题，本发明提供了一种发光二极管外延片，如图1所示，包括衬底100，所述衬底100上依次设有缓冲层200、非掺杂AlGaN层300、N型AlGaN层400、多量子阱层500、电子阻挡层600、P型AlGaN层700和P型接触层800，所述P型接触层800为AlSb/AlN超晶格层。
所述P型接触层800的具体结构如下：
在一种实施方式中，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层包括交替层叠的AlSb层和AlN层，所述AlSb层和所述AlN层交替层叠的周期数为2~10；所述AlSb层和所述AlN层交替层叠的示例性周期数为3、4、5、6、7、8、9，但不限于此。交替层叠的周期数过少，会导致二维空穴气浓度下降，进而影响空穴迁移率、工作电压及内量子效率；周期数过多，对量子阱发出的光本征吸收增加，使紫外光出光效率会下降。
在一种实施方式中，所述AlSb/AlN超晶格层的厚度为10nm~50nm；所述AlSb/AlN超晶格层的示例性厚度为15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、45nm，但不限于此。所述AlSb/AlN超晶格层的厚度过大，材料对量子阱发出的光本征吸收增加，会使紫外光出光效率会下降；所述AlSb/AlN超晶格层的厚度过小，对二维空穴气浓度、空穴的迁移率、及工作电压都有一定的不利影响。
在一种实施方式中，所述AlSb层的厚度为2nm~5nm；所述AlSb层的示例性长度为2.5nm、3nm、3.5nm、4nm、4.5nm，但不限于此。所述AlSb层的厚度过大，紫外光出光效率会略微下降，因为AlSb对紫外光有一定的吸收；所述AlSb层的厚度过小，AlSb/AlN超晶格层的极化效应会减弱，因极化效应产生的二维空穴气浓度降低，电流扩展能力下降。
在一种实施方式中，所述AlN层的厚度为2nm~5nm；所述AlN层的示例性长度为2.5nm、3nm、3.5nm、4nm、4.5nm，但不限于此。所述AlN层的厚度过大，反而会阻挡空穴的迁移，导致量子阱内电子空穴波函数重叠率下降；所述AlN层的厚度过少，AlSb/AlN超晶格层的极化效应会减弱，因极化效应产生的二维空穴气浓度降低，导致空穴迁移率下降。
在一种实施方式中，所述AlSb/AlN超晶格层的Mg掺杂浓度为1×1018atoms/cm3~1×1020atoms/cm3。优选地，所述AlSb/AlN超晶格层的Mg掺杂浓度为5×1018atoms/cm3~5×1019atoms/cm3。更佳地，所述AlSb/AlN超晶格层的Mg掺杂浓度为1×1019atoms/cm3~4×1019atoms/cm3。掺杂浓度过多，外延薄膜的晶体质量下降，导致出光效率降低；掺杂浓度过低，欧姆接触电阻增加，导致工作电压上升。
本发明所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层。所述AlSb/AlN超晶格层在紫外光波段良好的透过性能，有利于紫外光的提取，AlSb的禁带宽度约1.6eV，AlN的禁带宽度约6.1eV，AlSb/AlN异质结的极化电场可获得高浓度的二维空穴气，二维空穴气有较高的空穴迁移率，起到电流扩展作用，降低接触电阻，最终提高LED的发光效率。
进一步地，AlSb/AlN超晶格层中的极化效应会导致在材料界面形成二维空穴气，可以提高空穴迁移率，增大空穴隧穿的几率，从而获得较低的欧姆接触。而且，在AlSb/AlN超晶格层中价带的不连续产生了价带边的周期性摆动，超晶格能带的周期性摆动使空穴和电离受主在空间上有效地分离，从而提高了掺杂受主Mg的离化效率，而内建极化电场会加剧这种摆动，而Mg在AlN基材料中能级位置较深，这样有更多的受主能级处在费米能级下方，能最大程度地提高Mg受主的电离。
相应地，本发明提供了一种发光二极管外延片的制备方法，如图2所示，包括以下步骤：
S1、准备衬底100；
在一种实施方式中，以（0001）晶向蓝宝石Al2O3为衬底。蓝宝石是目前最常用的衬底材料，蓝宝石衬底具有制备工艺成熟、价格较低、易于清洗和处理，高温下有很好的稳定性。
S2、在所述衬底100上依次沉积缓冲层200、非掺杂AlGaN层300、N型AlGaN层400、多量子阱层500、电子阻挡层600、P型AlGaN层700和P型接触层800。
如图3所示，所述步骤S2具体包括以下步骤：
S21、在衬底100上沉积缓冲层200。
在一种实施方式中，在PVD中沉积AlN缓冲层，生长温度为400℃~650℃，溅射功率为2000W~4000W，压力为1torr~10torr。生长厚度为15nm~50nm的AlN缓冲层。
优选地，缓冲层在MOCVD中，在氢气气氛下进行原位退火处理，温度在1000℃~1200℃，压力区间为150torr~500torr，时间在5min~10min。
S22、在缓冲层200上沉积非掺杂AlGaN层300。
在一种实施方式中，将反应室的温度控制在1050℃~1200℃，压力控制为50torr~100torr，通入Al源、N源、Ga源，生长厚度为1μm~3μm的非掺杂AlGaN层。
S23、在非掺杂AlGaN层300上沉积N型AlGaN层400。
在一种实施方式中，将反应室的温度控制在1100℃~1200℃，压力控制在50torr~100torr，通入Al源、N源、Ga源、Si源，生长厚度为1μm~3μm所述N型AlGaN层。优选地，所述N型AlGaN层的Si掺杂浓度为1×1019atoms/cm3~1×1020atoms/cm3。优选地，所述N型AlGaN层的Al组分为0.2~0.6。
S24、在N型AlGaN层400上沉积多量子阱层500。
在一种实施方式中，所述多量子阱层为交替堆叠的AlxGa1-xN量子阱层和AlyGa1-yN量子垒层，堆叠周期数5~12个，x范围在0.1~0.5，y范围在0.2~0.7，且x＜y；所述AlxGa1-xN量子阱层的生长温度为900℃~1000℃，厚度为2nm~4nm，生长压力为50torr~100torr；所述GaN量子垒层的生长温度为1000℃~1100℃，厚度为8nm~20nm，生长压力为50torr~100torr。
S25、在多量子阱层500上沉积电子阻挡层600。
在一种实施方式中，将反应室的温度控制在1000℃~1100℃，压力控制在50torr~100torr，通入N源、Al源、Ga源，生长厚度为20nm~100nm的AlGaN电子阻挡层，所述AlGaN电子阻挡层的Al组分为0.1~0.5。
S26、在电子阻挡层600上沉积P型AlGaN层700。
在一种实施方式中，将反应室的温度控制在950℃~1050℃，压力控制在50torr~100torr，通入Al源、N源、Ga源、Mg源，生长厚度为30nm~200nm的P型AlGaN层。优选地，所述P型AlGaN层的Mg掺杂浓度为1×1019atoms/cm3~1×1020atoms/cm3。优选地，所述P型AlGaN层的Al组分为0.1~0.5。
S27、在P型AlGaN层700上沉积P型接触层800。
在一种实施方式中，所述AlSb/AlN超晶格层采用下述方法制得：
将反应室的温度控制在800℃~1100℃，压力控制为30torr~100torr，通入Al源、Sb源，生长AlSb层；
将反应室的温度控制在800℃~1100℃，压力控制为30torr~100torr，通入Al源、N源，生长AlN层；
交替生长所述AlSb层和AlN层，得到所述AlSb/AlN超晶格层。
优选地，所述AlSb/AlN超晶格层采用下述方法制得：
将反应室的温度控制在900℃~950℃，压力控制为40torr~60torr，通入Al源、Sb源，生长AlSb层；
将反应室的温度控制在1000℃~1050℃，压力控制为40torr~60torr，通入Al源、N源，生长AlN层；
交替生长所述AlSb层和AlN层，得到所述AlSb/AlN超晶格层。
优选地，外延结构生长结束后，将反应腔温度降低，在氮气气氛中退火处理，退火温度区间为650℃~850℃，退火处理5min~15min，降至室温外延生长结束。
相应地，本发明还提供了一种LED，所述LED包括上述的发光二极管外延片。所述LED的光电效率得到有效提升，且其他项电学性能良好。
下面以具体实施例进一步说明本发明：
实施例1
本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层；
所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层包括交替层叠的AlSb层和AlN层，所述AlSb层和所述AlN层交替层叠的周期数为10。
所述AlSb层的厚度为1nm，Mg掺杂浓度为2×1019atoms/cm3，生长温度为1000℃，生长压力为50torr。
所述AlN层的厚度为1nm，Mg掺杂浓度为2×1019atoms/cm3，生长温度为1000℃，生长压力为50torr。
实施例2
本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层；
所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层包括交替层叠的AlSb层和AlN层，所述AlSb层和所述AlN层交替层叠的周期数为10。
所述AlSb层的厚度为1nm，Mg掺杂浓度为2×1019atoms/cm3，生长温度为1000℃，生长压力为50torr。
所述AlN层的厚度为1nm，Mg掺杂浓度为2×1019atoms/cm3，生长温度为1050℃，生长压力为50torr。
实施例3
本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层；
所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层包括交替层叠的AlSb层和AlN层，所述AlSb层和所述AlN层交替层叠的周期数为10。
所述AlSb层的厚度为1nm，Mg掺杂浓度为2×1019atoms/cm3，生长温度为1000℃，生长压力为50torr。
所述AlN层的厚度为1nm，Mg掺杂浓度为2×1019atoms/cm3，生长温度为1100℃，生长压力为50torr。
实施例4
本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层；
所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层包括交替层叠的AlSb层和AlN层，所述AlSb层和所述AlN层交替层叠的周期数为10。
所述AlSb层的厚度为1nm，Mg掺杂浓度为2×1019atoms/cm3，生长温度为950℃，生长压力为50torr。
所述AlN层的厚度为1nm，Mg掺杂浓度为2×1019atoms/cm3，生长温度为1050℃，生长压力为50torr。
实施例5
本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层；
所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层包括交替层叠的AlSb层和AlN层，所述AlSb层和所述AlN层交替层叠的周期数为10。
所述AlSb层的厚度为1nm，Mg掺杂浓度为2×1019atoms/cm3，生长温度为900℃，生长压力为50torr。
所述AlN层的厚度为1nm，Mg掺杂浓度为2×1019atoms/cm3，生长温度为1050℃，生长压力为50torr。
实施例6
本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层；
所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层包括交替层叠的AlSb层和AlN层，所述AlSb层和所述AlN层交替层叠的周期数为7。
所述AlSb层的厚度为2nm，Mg掺杂浓度为2×1019atoms/cm3，生长温度为950℃，生长压力为50torr。
所述AlN层的厚度为1nm，Mg掺杂浓度为2×1019atoms/cm3，生长温度为1050℃，生长压力为50torr。
实施例7
本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层；
所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层包括交替层叠的AlSb层和AlN层，所述AlSb层和所述AlN层交替层叠的周期数为5。
所述AlSb层的厚度为3nm，Mg掺杂浓度为2×1019atoms/cm3，生长温度为950℃，生长压力为50torr。
所述AlN层的厚度为1nm，Mg掺杂浓度为2×1019atoms/cm3，生长温度为1050℃，生长压力为50torr。
实施例8
本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层；
所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层包括交替层叠的AlSb层和AlN层，所述AlSb层和所述AlN层交替层叠的周期数为7。
所述AlSb层的厚度为2nm，Mg掺杂浓度为3×1019atoms/cm3，生长温度为950℃，生长压力为50torr。
所述AlN层的厚度为1nm，Mg掺杂浓度为2×1019atoms/cm3，生长温度为1050℃，生长压力为50torr。
实施例9
本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层；
所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层包括交替层叠的AlSb层和AlN层，所述AlSb层和所述AlN层交替层叠的周期数为7。
所述AlSb层的厚度为2nm，Mg掺杂浓度为4×1019atoms/cm3，生长温度为950℃，生长压力为50torr。
所述AlN层的厚度为1nm，Mg掺杂浓度为2×1019atoms/cm3，生长温度为1050℃，生长压力为50torr。
实施例10
本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层；
所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层包括交替层叠的AlSb层和AlN层，所述AlSb层和所述AlN层交替层叠的周期数为7。
所述AlSb层的厚度为2nm，Mg掺杂浓度为3×1019atoms/cm3，生长温度为950℃，生长压力为50torr。
所述AlN层的厚度为1nm，Mg掺杂浓度为3×1019atoms/cm3，生长温度为1050℃，生长压力为50torr。
实施例11
本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层；
所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层包括交替层叠的AlSb层和AlN层，所述AlSb层和所述AlN层交替层叠的周期数为7。
所述AlSb层的厚度为2nm，Mg掺杂浓度为3×1019atoms/cm3，生长温度为950℃，生长压力为50torr。
所述AlN层的厚度为1nm，Mg掺杂浓度为4×1019atoms/cm3，生长温度为1050℃，生长压力为50torr。
对比例1
本对比例提供一种发光二极管外延片，其与实施例1不同之处在于：所述P型接触层为GaN层，所述GaN层的厚度为20nm，Mg掺杂浓度为3×1019atoms/cm3，生长温度为950℃，生长压力为100torr。其余参照实施例1。
对比例2
本对比例提供一种发光二极管外延片，其与实施例1不同之处在于：所述P型接触层为AlGaN层，所述AlGaN层的厚度为20nm，Mg掺杂浓度为3×1019atoms/cm3，生长温度为1050℃，生长压力为50torr。其余参照实施例1。
以实施例1~实施例11和对比例1~对比例2制得发光二极管外延片使用相同芯片工艺条件制备成20mil×20mil芯片，分别抽取300颗LED芯片，在40mA电流下测试，具体测试结果如表1所示。
表1 实施例1~实施例11和对比例1~对比例2制得LED的性能测试结果
由上述结果可知，本发明提供的发光二极管外延片，特定组成的P型接触层，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层。相较于具有传统P型接触层的发光二极管外延片，本发明提供的发光二极管外延片能够改善紫外LED的P型欧姆接触性能，提高载流子的迁移能力。
以上所述是发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层；
所述P型AlGaN层的P型掺杂剂为Mg。
2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层包括交替层叠的AlSb层和AlN层，所述AlSb层和所述AlN层交替层叠的周期数为2~10。
3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述AlSb/AlN超晶格层的厚度为10nm~50nm。
4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述AlSb/AlN超晶格层的Mg掺杂浓度为1×1018atoms/cm3~1×1020atoms/cm3。
5.如权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述AlSb层的厚度为2nm~5nm。
6.如权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述AlN层的厚度为2nm~5nm。
7.一种如权利要求1~6任一项所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、准备衬底；
S2、在所述衬底上依次沉积缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层为AlSb/AlN超晶格层。
8.如权利要求7所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述AlSb/AlN超晶格层采用下述方法制得：
将反应室的温度控制在800℃~1100℃，压力控制为30torr~100torr，通入Al源、Sb源，生长AlSb层；
将反应室的温度控制在800℃~1100℃，压力控制为30torr~100torr，通入Al源、N源，生长AlN层；
交替生长所述AlSb层和AlN层，得到所述AlSb/AlN超晶格层。
9.一种LED，其特征在于，所述LED包括如权利要求1~6任一项所述的发光二极管外延片。
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