CN116504895A - 发光二极管外延片及其制备方法、led - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有形核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述电子阻挡层包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一WS2层、第一AlN层、InGaN层、第二AlN层、第二WS2层。本发明提供的发光二极管外延片能提升发光二极管的发光强度和抗静电能力。
Description
技术领域
本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、LED。
背景技术
现阶段，传统的发光二极管外延片包括：一种衬底、以及在所述衬底上依次生长的形核层、本征GaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；发明人发现具有以下问题：
（1）由于电子迁移率过高，空穴迁移率低，导致多量子阱空穴不足，影响发光效率；
（2）由于电子迁移率高，所以现阶段采用高Al掺杂的AlGaN材料或者AlGaN/InGaN超晶格材料作为电子阻挡层，但是其本身也会阻挡一部分空穴，影响空穴注入效率；
（3）在传统的多量子阱和电子阻挡层间，由于晶格和能阶不匹配，会形成一个能带尖峰，影响空穴注入；
所以目前发光二极管的发光效率还需要提升，尤其是小电流密度下，发光效率受到电子溢流，非辐射复合等影响更大。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片，其能提升发光二极管的发光强度和抗静电能力。
本发明所要解决的技术问题还在于，提供一种发光二极管外延片的制备方法，其工艺简单，能够稳定制得发光效率良好的发光二极管外延片。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有形核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；
所述电子阻挡层包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一WS2层、第一AlN层、InGaN层、第二AlN层、第二WS2层。
在一种实施方式中，所述第一WS2层的厚度为3nm~10nm；
所述第二WS2层的厚度为3nm~10nm。
在一种实施方式中，所述第一AlN层的厚度为3nm~20nm；
所述第二AlN层的厚度为3nm~20nm。
在一种实施方式中，所述InGaN层的厚度为3nm~5nm。
在一种实施方式中，所述InGaN层的In组分为0.05~0.1。
为解决上述问题，本发明提供一种发光二极管外延片的制备方法，包括以下步骤：
S1、准备衬底；
S2、在所述衬底上依次沉积形核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；
所述电子阻挡层包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一WS2层、第一AlN层、InGaN层、第二AlN层、第二WS2层。
在一种实施方式中，所述第一WS2层或第二WS2层采用下述方法制得：
采用硫代硫酸钠固体粉末和二硫化钨固体粉末作为前驱物，放入石英管内，并将石英管放入电炉中，硫代硫酸钠与二硫化钨物质的量之比为1：（1~3），采用Ar和H2混合气作为载气，控制生长温度为700℃~1000℃，完成WS2层的沉积，冷却后取出。
在一种实施方式中，所述第一AlN层或第二AlN层采用下述方法制得：
控制生长温度为900℃~1000℃，通入N2和H2作为载气，通入NH3作为N源，通入TMAl作为Al源，完成AlN层的沉积。
在一种实施方式中，所述InGaN层采用下述方法制得：
控制生长温度为800℃~900℃，通入N2和H2作为载气，通入NH3作为N源，通入TMIn作为In源，通入TEGa作为Ga源，完成InGaN层的沉积。
相应地，本发明还提供了一种LED，所述LED包括上述的发光二极管外延片。
实施本发明，具有如下有益效果：
本发明提供的发光二极管外延片，其具有特定结构的电子阻挡层，本发明提出的电子阻挡层，克服了传统电子阻挡层对空穴的阻挡，避免了电子阻挡层和多量子阱层间的能带尖峰，从而增加了空穴的注入。并且由于晶格匹配更好，晶格质量大幅提升，所以发光二极管的抗静电能力大大提升。
附图说明
图1为本发明提供的发光二极管外延片的结构示意图；
图2为本发明提供的发光二极管外延片的制备方法的流程图；
图3为本发明提供的发光二极管外延片的制备方法的步骤S2的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本发明作进一步地详细描述。
除非另外说明或存在矛盾之处，本文中使用的术语或短语具有以下含义：
本发明中，“优选”仅为描述效果更好的实施方式或实施例，应当理解，并不构成对本发明保护范围的限制。
本发明中，以开放式描述的技术特征中，包括所列举特征组成的封闭式技术方案，也包括包含所列举特征的开放式技术方案。
本发明中，涉及到数值区间，如无特别说明，则包括数值区间的两个端点。
为解决上述问题，本发明提供了一种发光二极管外延片，如图1所示，包括衬底1，所述衬底1上依次设有形核层2、非掺杂GaN层3、N型GaN层4、多量子阱层5、电子阻挡层6、P型GaN层7；
所述电子阻挡层6包括依次层叠在所述多量子阱层5上的第一WS2层61、第一AlN层62、InGaN层63、第二AlN层64、第二WS2层65。
本发明提供的发光二极管外延片，其具有特定结构的电子阻挡层，本发明提出的电子阻挡层，克服了传统电子阻挡层对空穴的阻挡，避免了电子阻挡层和多量子阱层间的能带尖峰，从而增加了空穴的注入。并且由于晶格匹配更好，晶格质量大幅提升，所以发光二极管的抗静电能力大大提升。
所述电子阻挡层6的具体结构如下：
在一种实施方式中，所述第一WS2层61的厚度为3nm~10nm；所述第一WS2层61的示例性厚度为4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm，但不限于此。厚度控制在这个范围内，既可以保证起到缓冲晶格作用，又不会因为太厚吸光。所述第一WS2层主要作为缓冲层，增加多量子阱层与电子阻挡层的晶格匹配，减小由于晶格不匹配产生的应力造成的能带尖峰影响空穴的注入，并且由于缺陷的减少，避免了缺陷对空穴的捕捉，增加了空穴对多量子阱层注入。主要由于WS2材料中的S原子能同时形成范德华键和金属原子的共价键，弱的范德瓦尔斯力结合以及无需考虑晶格失配限制。所以其可以实现异质结界面上的晶格匹配，异质界面应力基本为0，界面表面平滑，位错密度相对较小，可实现面内晶格常数匹配和无应变材料生长；而且空穴本身在WS2材料中具有更好的迁移率，也有利于空穴进入多量子阱有源区。
在一种实施方式中，所述第一AlN层62的厚度为3nm~20nm；所述第一AlN层62的示例性厚度为6nm、9nm、12nm、15nm、18nm、19nm，但不限于此。AlN属于宽禁带半导体，由于其高的势垒高度，对电子的阻挡作用非常强，并且由于WS2的缓冲作用，AlN的晶格质量也非常好。
在一种实施方式中，所述InGaN层63的厚度为3nm~5nm；所述InGaN层63的示例性厚度为3.5nm、4nm、4.5nm，但不限于此。由于AlN厚度过厚会产生裂纹，但是AlN生长厚度太薄对电子的阻挡作用较弱，容易造成电子溢流，所以InGaN层首先可以作为两个AlN层中的缓冲层，避免裂纹产生；不仅如此，InGaN禁带宽度窄，可以作为穿过第二AlN层的电子的“陷阱”存在。
在一种实施方式中，所述第二AlN层64的厚度为3nm~20nm；所述第二AlN层64的示例性厚度为6nm、9nm、12nm、15nm、18nm、19nm，但不限于此。所述第二AlN层进一步阻止电子溢流，增强电子阻挡作用。由于InGaN层和AlN层间势垒高度差很大，即使穿过进入InGaN层的电子也无法穿过第二AlN层，降低了电子溢流的风险。
在一种实施方式中，所述第二WS2层65的厚度为3nm~10nm；所述第二WS2层65的示例性厚度为4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm，但不限于此。所述第二WS2层主要作为缓冲层，增加P型GaN层与电子阻挡层的晶格匹配，减少P型GaN层产生的空穴被缺陷捕捉的可能，并且增加空穴迁移率，克服了传统结构电子阻挡层对空穴的阻挡作用。
综上，本发明通过特定的电子阻挡层的结构设计，克服了传统电子阻挡层对空穴的阻挡，避免了电子阻挡层和多量子阱层间的能带尖峰，从而增加了空穴的注入。并且由于晶格匹配更好，晶格质量大幅提升，所以发光二极管的抗静电能力大大提升。
相应地，本发明提供了一种发光二极管外延片的制备方法，如图2所示，包括以下步骤：
S1、准备衬底1；
在一种实施方式中，所述衬底选用蓝宝石衬底，蓝宝石是目前最常用的GaN基LED衬底材料，蓝宝石衬底具有制备工艺成熟、价格较低、易于清洗和处理，高温下有很好的稳定性。优选地，首先控制反应室温度为1000℃~1200℃，控制反应室压力为200torr~600torr，在H2气氛下对衬底进行5min~8min的高温退火，对衬底表面的颗粒和氧化物进行清洁。
S2、在所述衬底1上依次沉积形核层2、非掺杂GaN层3、N型GaN层4、多量子阱层5、电子阻挡层6、P型GaN层7；
如图3所示，步骤S2包括以下步骤：
S21、在衬底1上沉积形核层2。
在一种实施方式中，所述形核层的生长气氛为N2和H2混合气体，生长温度为500℃~700℃；所述形核层的生长压力为200torr~400torr，通入NH3提供N源，通入TMGa作为Ga源，通入TMAl作为Al源，生长厚度为20nm~40nm的AlGaN作为形核层。
S22、在形核层2上沉积非掺杂GaN层3。
在一种实施方式中，采用金属有机物气相沉积法沉积非掺杂GaN层，生长温度为1100℃~1150℃，生长压力为100torr~500torr，N2和H2混合气体作为载气，通入NH3提供N源，通入TMGa作为Ga源，生长厚度为300nm~500nm的非掺杂GaN层。
S23、在非掺杂GaN层3上沉积N型GaN层4。
在一种实施方式中，生长温度为1100℃~1150℃，生长压力为100torr~500torr，N2和H2混合气体作为载气，通入NH3提供N源，通入TMGa作为Ga源，通入SiH4作为N型掺杂，生长厚度为1μm~3μm的N型GaN层。
S24、在N型GaN层4上沉积多量子阱层5。
在一种实施方式中，所述多量子阱层包括交替层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，堆叠周期数3~15个。其中，InGaN量子阱层生长温度为700℃~800℃，厚度为2nm~5nm，生长压力为100torr~500torr；GaN量子垒层的生长温度为800℃~900℃，厚度为5nm~15nm，生长压力为100torr~500torr。
S25、在多量子阱层5上沉积电子阻挡层6。
在一种实施方式中，所述第一WS2层或第二WS2层采用下述方法制得：
采用硫代硫酸钠固体粉末和二硫化钨固体粉末作为前驱物，放入石英管内，并将石英管放入电炉中，硫代硫酸钠与二硫化钨物质的量之比为1：（1~3），采用Ar和H2混合气作为载气，控制生长温度为700℃~1000℃，完成WS2层的沉积，冷却后取出。所述第一WS2层或第二WS2层的具体制备方法可参照公开号为CN110373718A的中国专利。
在一种实施方式中，所述第一AlN层或第二AlN层采用下述方法制得：
控制生长温度为900℃~1000℃，通入N2和H2作为载气，通入NH3作为N源，通入TMAl作为Al源，完成AlN层的沉积。
在一种实施方式中，所述InGaN层采用下述方法制得：
控制生长温度为800℃~900℃，通入N2和H2作为载气，通入NH3作为N源，通入TMIn作为In源，通入TEGa作为Ga源，完成InGaN层的沉积。
S26、在电子阻挡层6上沉积P型GaN层7。
在一种实施方式中，控制生长温度为800℃~1000℃，生长压力为100torr~300torr，通入NH3作为N源，N2和H2做载气，使用TEGa作为Ga源，通入CP2Mg作为P型掺杂，生长得到P型GaN层。
相应地，本发明还提供了一种LED，所述LED包括上述的发光二极管外延片。所述LED的光电效率得到有效提升，且其他项电学性能良好。
下面以具体实施例进一步说明本发明：
实施例1
本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有形核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；
所述电子阻挡层包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一WS2层、第一AlN层、InGaN层、第二AlN层、第二WS2层。
所述第一WS2层的厚度为5nm，所述第一AlN层的厚度为10nm，所述InGaN层的厚度为4nm，所述第二AlN层的厚度为10nm，所述第二WS2层的厚度为5nm。
实施例2
本实施例提供一种发光二极管外延片，与实施例1不同之处在于：所述第一WS2层的厚度为3nm，所述第一AlN层的厚度为3nm，所述InGaN层的厚度为3nm，所述第二AlN层的厚度为3nm，所述第二WS2层的厚度为3nm。其余皆与实施例1相同。
实施例3
本实施例提供一种发光二极管外延片，与实施例1不同之处在于：所述第一WS2层的厚度为10nm，所述第一AlN层的厚度为20nm，所述InGaN层的厚度为5nm，所述第二AlN层的厚度为20nm，所述第二WS2层的厚度为10nm。其余皆与实施例1相同。
对比例1
本对比例与实施例1不同之处在于，其电子阻挡层为高Al掺杂的AlGaN层。其余皆与实施例1相同。
对比例2
本对比例与实施例1不同之处在于，电子阻挡层内不设有第一WS2层和第二WS2层，仅设有第一AlN层、InGaN层、第二AlN层。其余皆与实施例1相同。
对比例3
本对比例与实施例1不同之处在于，电子阻挡层内不设有第一AlN层和第二AlN层，仅设有第一WS2层、InGaN层、第二WS2层。其余皆与实施例1相同。
对比例4
本对比例与实施例1不同之处在于，电子阻挡层内不设有InGaN层，仅设有第一WS2层、第一AlN层、第二AlN层、第二WS2层。其余皆与实施例1相同。
以实施例1~实施例3和对比例1~对比例4制得发光二极管外延片使用相同芯片工艺条件制备成10×24mil的芯片，分别抽取300颗LED芯片，在120 mA电流下测试所得芯片的发光强度；并且在HBM（人体放电模型）模型下运用静电仪对基芯片的抗静电性能进行测试，测试芯片能承受反向8000V静电的通过比例。具体测试结果如表1所示。
表1实施例1~实施例3和对比例1~对比例4制得LED的性能测试结果
由上述结果可知，本发明提供的发光二极管外延片，其具有特定结构的电子阻挡层，本发明提出的电子阻挡层，克服了传统电子阻挡层对空穴的阻挡，避免了电子阻挡层和多量子阱层间的能带尖峰，从而增加了空穴的注入。并且由于晶格匹配更好，晶格质量大幅提升，所以发光二极管的抗静电能力大大提升。
以上所述是发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有形核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；
所述电子阻挡层包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一WS2层、第一AlN层、InGaN层、第二AlN层、第二WS2层。
2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一WS2层的厚度为3nm~10nm；
所述第二WS2层的厚度为3nm~10nm。
3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一AlN层的厚度为3nm~20nm；
所述第二AlN层的厚度为3nm~20nm。
4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述InGaN层的厚度为3nm~5nm。
5.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述InGaN层的In组分为0.05~0.1。
6.一种如权利要求1~5任一项所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、准备衬底；
S2、在所述衬底上依次沉积形核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；
所述电子阻挡层包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一WS2层、第一AlN层、InGaN层、第二AlN层、第二WS2层。
7.如权利要求6所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述第一WS2层或第二WS2层采用下述方法制得：
采用硫代硫酸钠固体粉末和二硫化钨固体粉末作为前驱物，放入石英管内，并将石英管放入电炉中，硫代硫酸钠与二硫化钨物质的量之比为1：（1~3），采用Ar和H2混合气作为载气，控制生长温度为700℃~1000℃，完成WS2层的沉积，冷却后取出。
8.如权利要求6所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述第一AlN层或第二AlN层采用下述方法制得：
控制生长温度为900℃~1000℃，通入N2和H2作为载气，通入NH3作为N源，通入TMAl作为Al源，完成AlN层的沉积。
9.如权利要求6所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述InGaN层采用下述方法制得：
控制生长温度为800℃~900℃，通入N2和H2作为载气，通入NH3作为N源，通入TMIn作为In源，通入TEGa作为Ga源，完成InGaN层的沉积。
10.一种LED，其特征在于，所述LED包括如权利要求1~5任一项所述的发光二极管外延片。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116705937A (zh) * | 2023-08-02 | 2023-09-05 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| CN116741905A (zh) * | 2023-08-11 | 2023-09-12 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106848011A (zh) * | 2017-01-24 | 2017-06-13 | 厦门三安光电有限公司 | 氮化镓基发光二极管及其制作方法 |
| KR20170079643A (ko) * | 2015-12-30 | 2017-07-10 | 광운대학교 산학협력단 | 효율적인 종형 유기 전계 발광 트랜지스터 소자 및 그 제조방법 |
| CN110373718A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-10-25 | 杭州电子科技大学 | 一种二维二硫化钨薄膜的制备方法 |
| WO2022052927A1 (zh) * | 2020-09-10 | 2022-03-17 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN115101640A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-09-23 | 安顺市联顺达科技有限公司 | 一种柔性led器件及其制备方法 |
| CN115832135A (zh) * | 2023-02-14 | 2023-03-21 | 江西兆驰半导体有限公司 | 硅基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| CN115881865A (zh) * | 2023-03-03 | 2023-03-31 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| CN115954422A (zh) * | 2023-02-16 | 2023-04-11 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| CN115986022A (zh) * | 2023-03-17 | 2023-04-18 | 江西兆驰半导体有限公司 | 深紫外led外延片及其制备方法、深紫外led |
| CN116154066A (zh) * | 2023-04-19 | 2023-05-23 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| CN116169216A (zh) * | 2023-03-10 | 2023-05-26 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| CN116314514A (zh) * | 2023-05-19 | 2023-06-23 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、led |
-
2023
- 2023-06-29 CN CN202310777455.3A patent/CN116504895B/zh active Active
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170079643A (ko) * | 2015-12-30 | 2017-07-10 | 광운대학교 산학협력단 | 효율적인 종형 유기 전계 발광 트랜지스터 소자 및 그 제조방법 |
| CN106848011A (zh) * | 2017-01-24 | 2017-06-13 | 厦门三安光电有限公司 | 氮化镓基发光二极管及其制作方法 |
| CN110373718A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-10-25 | 杭州电子科技大学 | 一种二维二硫化钨薄膜的制备方法 |
| WO2022052927A1 (zh) * | 2020-09-10 | 2022-03-17 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN115101640A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-09-23 | 安顺市联顺达科技有限公司 | 一种柔性led器件及其制备方法 |
| CN115832135A (zh) * | 2023-02-14 | 2023-03-21 | 江西兆驰半导体有限公司 | 硅基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| CN115954422A (zh) * | 2023-02-16 | 2023-04-11 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| CN115881865A (zh) * | 2023-03-03 | 2023-03-31 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| CN116169216A (zh) * | 2023-03-10 | 2023-05-26 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| CN115986022A (zh) * | 2023-03-17 | 2023-04-18 | 江西兆驰半导体有限公司 | 深紫外led外延片及其制备方法、深紫外led |
| CN116154066A (zh) * | 2023-04-19 | 2023-05-23 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| CN116314514A (zh) * | 2023-05-19 | 2023-06-23 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、led |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116705937A (zh) * | 2023-08-02 | 2023-09-05 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| CN116705937B (zh) * | 2023-08-02 | 2023-10-20 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| CN116741905A (zh) * | 2023-08-11 | 2023-09-12 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| CN116741905B (zh) * | 2023-08-11 | 2023-10-20 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
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