CN116705937B - 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管,涉及半导体光电器件领域。其中,发光二极管外延片包括衬底,依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层;有源层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层;每个量子阱层均包括依次层叠的第一WS2层、InxGa1‑xN薄层和第二WS2层;每个量子垒层均包括依次层叠的第一BN层、P‑GaN层和第二BN层;其中,x≥0.24,InxGa1‑ xN薄层的厚度≤2.5nm。实施本发明,可提升发光二极管外延片的发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电器件领域,尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。
背景技术
GaN基发光二极管是目前应用最为广泛的发光二极管,其外延结构中以InGaN/GaN多量子阱作为核心结构。该结构具有较宽的光谱范围和发光效率。但由于目前外延结构多为异质外延,这使得InGaN/GaN多量子阱内存在巨大的极化电场,导致量子阱能带向下弯曲,降低了空穴和电子的辐射复合几率,降低了发光效率(即量子限制斯塔克效应,QCSE)。而对于一些高In组分的多量子阱结构而言,GaN与InGaN之间的晶格失配进一步加剧,量子限制斯塔克效应更为显著,大幅降低了发光效率。
此外,高In组分的多量子阱层往往生长困难,这主要是由于高In组分的InGaN与GaN之间的失配应力更大,容易引起In聚集分凝。此外,In-N的分解温度低(<700℃),提高生长温度容易造成In分凝,In分布不均匀。并且后期GaN的生长温度较高,也会造成In组分的解析分离。而若降低生长温度,则InGaN层的晶体质量下降,InGaN与GaN之间的失配应力更为严重。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种发光二极管外延片及其制备方法,其可提升发光二极管的发光效率。
本发明还要解决的技术问题在于,提供一种发光二极管,其发光效率高。
为了解决上述问题,本发明公开了一种发光二极管外延片,包括衬底,依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层;所述有源层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层;每个所述量子阱层均包括依次层叠的第一WS2层、InxGa1-xN薄层和第二WS2层;每个所述量子垒层均包括依次层叠的第一BN层、P-GaN层和第二BN层;
其中,x≥0.24,所述InxGa1-xN薄层的厚度≤2.5nm。
作为上述技术方案的改进,所述第一WS2层的厚度为0.7nm~1nm,所述第二WS2层的厚度为0.7nm~1nm。
作为上述技术方案的改进,所述第一BN层的厚度为2nm~4nm,所述第二BN层的厚度为2nm~4nm。
作为上述技术方案的改进,所述P-GaN层的厚度为3nm~10nm;
所述P-GaN层的P型掺杂元素为Mg,掺杂浓度为5×1017cm-3~8×1018cm-3。
作为上述技术方案的改进,所述InxGa1-xN薄层的厚度为1nm~2nm,x为0.28~0.4。
相应的,本发明还公开了一种发光二极管外延片的制备方法,用于制备上述的发光二极管外延片,其包括:
提供衬底,在所述衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层;
所述有源层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层;每个所述量子阱层均包括依次层叠的第一WS2层、InxGa1-xN薄层和第二WS2层;每个所述量子垒层均包括依次层叠的第一BN层、P-GaN层和第二BN层;其中,x≥0.24,所述InxGa1-xN薄层的厚度≤2.5nm;
所述InxGa1-xN薄层的生长温度≤780℃。
作为上述技术方案的改进,所述InxGa1-xN薄层的生长温度为760℃~780℃,生长压力为50torr~300torr,V/III比为2000~3000。
作为上述技术方案的改进,所述第一WS2层的生长温度为800℃~950℃,生长时,钨源和硫源的摩尔比为1:1~1:3,以Ar和H2的混合气体作为载气,且Ar与H2的体积比为1:1~1:5;
所述第二WS2层的生长温度为800℃~950℃,生长时,钨源和硫源的摩尔比为1:1~1:3,以Ar和H2的混合气体作为载气,且Ar与H2的体积比为1:1~1:5。
作为上述技术方案的改进,所述第一BN层的生长温度为1150℃~1300℃,生长压力为50torr~300torr,V/III比为800~2000;
所述P-GaN层的生长温度为900℃~1100℃,生长压力为100torr~300torr;
所述第二BN层的生长温度为1150℃~1300℃,生长压力为50torr~300torr,V/III比为800~2000。
相应的,本发明还公开了一种发光二极管,其包括上述的发光二极管外延片。
实施本发明,具有如下有益效果:
1. 本发明的发光二极管外延片中,采用第一WS2层、InxGa1-xN薄层(x≥0.24)、第二WS2层的叠层结构作为量子阱层,以第一BN层、P-GaN层和第二BN层的叠层结构作为量子垒层。一者,设置在InxGa1-xN薄层与P-GaN层之间的第二WS2层、第一BN层、第二BN层、第一WS2层有效缓冲了两者之间的晶格失配,使得In组分占比提升(x≥0.24),且弱化了量子限制斯托克效应,提升了发光效率。二者,通过采用较小厚度的InxGa1-xN薄层(厚度≤2.5nm),减少了In分凝,提升了In组分占比。此外,覆盖在InxGa1-xN薄层两侧的第一WS2层、第二WS2层也保护了InxGa1-xN薄层中的In,防止其在量子垒层的高温生长过程中分解。三者,高禁带宽度的第一BN层、第二BN层弱化了高In组分有源层中的能带弯曲,提升了空穴、电子的辐射复合几率,提升了发光效率。四者,量子垒层中的P-GaN层可提供空穴,提升了电子、空穴的辐射复合效率,解决了因BN材质高势垒造成的空穴传输效率下降的问题。综上,本发明的发光二极管外延片,提升了有源层中In组分的含量,弱化了量子限制斯托克效应,提升了发光效率。
2. 本发明的发光二极管外延片中,控制第一WS2层、第二WS2层的厚度为0.7nm~1nm,使得其带隙宽度与高In组分的InxGa1-xN薄层相近,提升了所得光的波长均匀性。
附图说明
图1是本发明一实施例中发光二极管外延片的结构示意图;
图2是本发明一实施例中量子阱层的结构示意图;
图3是本发明一实施例中量子垒层的结构示意图;
图4是本发明一实施例中发光二极管外延片的制备方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面对本发明作进一步地详细描述。
参考图1~图3,本发明公开了一种发光二极管外延片,其包括衬底1、依次层叠于衬底1上的缓冲层2、非掺杂GaN层3、N型GaN层4、有源层5、电子阻挡层6和P型GaN层7;其中,有源层5包括多个交替层叠的量子阱层51和量子垒层52,交替周期数为3~15,示例性的为3、5、7、10、12或14,但不限于此。
其中,每个量子阱层51均包括依次层叠的第一WS2层511、InxGa1-xN薄层512(x≥0.24)和第二WS2层513。每个量子垒层52均包括依次层叠的第一BN层521、P-GaN层522和第二BN层523。
其中,第一WS2层511、第二WS2层513的厚度为0.7nm~1.5nm,当其厚度>1.5nm时,虽然其缓冲应力失配的作用较强,但其呈间接带隙结构,导致电子、空穴发生非辐射复合,大幅降低发光效率。当其厚度<0.7nm时,其为非连续层结构,难以有效缓冲晶格失配,且无法在后期高温生长量子垒层52时保护InxGa1-xN薄层512。示例性的,第一WS2层511、第二WS2层513的厚度为0.8nm、0.9nm、1.0nm、1.1nm或1.3nm,但不限于此。优选的,在本发明的一个实施例之中,第一WS2层511、第二WS2层513的厚度为0.7nm~1nm,基于该厚度,可提升发光效率和波长均一性。
其中,InxGa1-xN薄层512的厚度≤2.5nm。通过降低厚度,可提升In的并入效率,且维持相对较高的晶体质量。而且,也正是由于InxGa1-xN薄层512引入的BN-WS2结构缓冲了晶格失配,才提升了In组分占比(即x)。具体的,InxGa1-xN薄层512中In组分占比为0.25~0.4,优选的为0.28~0.4。InxGa1-xN薄层512的厚度为1nm~2.5nm,示例性的为1.3nm、1.6nm、1.9nm、2.0nm、2.2nm或2.4nm,但不限于此。优选的,InxGa1-xN薄层512的厚度为1nm~2nm。
其中,第一BN层521、第二BN层523的厚度为2nm~5nm,示例性的为2.4nm、2.8nm、3.2nm、3.6nm、4nm、4.4nm或4.8nm,但不限于此。优选的为2nm~4nm。更优选的为2nm~3nm。
其中,P-GaN层522中P型掺杂元素为Mg或Zn,但不限于此。优选的为Mg。P-GaN层522的掺杂浓度为5×1017cm-3~1×1019cm-3,优选的为5×1017cm-3~8×1018cm-3,更优选的为3×1018cm-3~8×1018cm-3。
P-GaN层522的厚度为3nm~12nm,示例性的为4nm、6nm、8nm、10nm或11nm,但不限于此。优选的为3nm~10nm。
其中,衬底1为蓝宝石衬底、硅衬底、氧化镓衬底、氧化锌衬底或碳化衬底,但不限于此。
其中,缓冲层2为AlN层或AlGaN层,但不限于此。优选的为AlN层。缓冲层2的厚度为30nm~80nm,示例性的为35nm、40nm、45nm、55nm、60nm或75nm,但不限于此。
其中,非掺杂GaN层3的厚度为1μm~3μm,示例性的为1.4μm、1.8μm、2.2μm、2.5μm或2.8μm,但不限于此。
其中,N型GaN层4的N型掺杂元素为Si或Ge,但不限于此。N型GaN层4的N型掺杂浓度为5×1018cm-3~5×1019cm-3,厚度为1μm~3μm,示例性的为1.5μm、1.7μm、2.3μm或2.5μm,但不限于此。
其中,电子阻挡层6为AlGaN层或InAlGaN层,但不限于此。优选的为AlGaN层。电子阻挡层6的厚度为30nm~100nm,示例性的为40nm、50nm、60nm、70nm、80nm或90nm,但不限于此。
其中,P型GaN层7中的P型掺杂元素为Mg、Be或Zn,但不限于此。优选的为Mg。P型GaN层7中P型掺杂浓度为1×1019cm-3~1×1021cm-3。P型GaN层7的厚度为20nm~50nm,示例性的为22nm、24nm、30nm、40nm或45nm,但不限于此。
相应的,参考图4,本发明还提供了一种发光二极管外延片的制备方法,用于制备上述的发光二极管外延片,其具体包括以下步骤:
S1:提供衬底;
S2:在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层;
具体的,步骤S2包括:
S21:在衬底生长缓冲层;
其中,可通过PVD、MOCVD、MBE或VPE生长缓冲层,但不限于此。
优选的,在本发明的一个实施例之中,通过PVD生长AlN层,作为缓冲层。
S22:在缓冲层上生长非掺杂GaN层;
其中,可通过PVD、MOCVD、MBE或VPE生长非掺杂GaN层,但不限于此。
优选的,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD生长非掺杂GaN层。其生长温度为1100℃~1150℃,生长压力为100torr~500torr。
S23:在非掺杂GaN层上生长N型GaN层;
其中,可通过MOCVD、MBE或VPE生长N型GaN层,但不限于此。
优选的,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD生长N型GaN层,其生长温度为1100℃~1150℃,生长压力为100torr~500torr。
S24:在N型GaN层上生长有源层;
具体的,周期性生长量子阱层和量子垒层,直至得到有源层。
具体的,每个量子阱层的制备方法为:
(i)生长第一WS2层;
其中,可通过CVD或PVT生长第一WS2层,但不限于此。
优选的,在本发明的一个实施例之中,通过CVD生长第一WS2层,其生长温度为800℃~950℃,生长时,钨源和硫源的摩尔比为1:(1~3),以Ar和H2的混合气体作为载气,且Ar与H2的体积比为1:(1~5)。基于这种条件生长得到的第一WS2层中WS2晶体为单晶结构,且取向一致,具有良好的热稳定性和化学稳定性。具体的,硫源可选用硫代硫酸钠,但不限于此。钨源可选用二硫化钨,但不限于此。
(ii)在第一WS2层上生长InxGa1-xN薄层;
其中,可通过MOCVD、MBE或VPE生长InxGa1-xN薄层,但不限于此。
优选的,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD生长InxGa1-xN薄层,其生长温度≤780℃,由于本发明采用了第一WS2层、第二WS2层夹InxGa1-xN薄层的结构,InxGa1-xN薄层的晶体质量较高,故采用较低的生长温度,优化In的并入效率。具体的,InxGa1-xN薄层的生长温度为760℃~780℃,生长压力为50torr~300torr,V/III比为2000~3000。
(iii)在InxGa1-xN薄层上生长第二WS2层;
具体的,第二WS2层的生长条件与第一WS2层相同。
其中,每个量子垒层的制备方法为:
(I)在量子阱层上生长第一BN层;
其中,可通过MOCVD、CVD或MBE生长第一BN层,但不限于此。
优选的,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD生长第一BN层,其生长温度为1150℃~1300℃,生长压力为50torr~300torr,V/III为800~2000。由于引入了第一WS2层、第二WS2层,有效地保护了InxGa1-xN薄层,故第一BN层可采用较高的生长温度,提升了晶体质量,提升了量子局域化效应,提升了发光效率。
(II)在第一BN层上生长P-GaN层;
其中,可通过MOCVD、MBE或VPE生长P-GaN层,但不限于此。
优选的,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD生长P-GaN层,其生长温度为900℃~1100℃,生长压力为100torr~300torr。
(III)在P-GaN层上生长第二BN层;
具体的,第二BN层的生长条件与第一BN层相同。
S25:在有源层上生长电子阻挡层;
其中,可通过MOCVD、MBE或VPE生长电子阻挡层,但不限于此。
优选的,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD生长AlGaN层,作为电子阻挡层,其生长温度为1000℃~1100℃,生长压力为100torr~300torr。
S26:在电子阻挡层上生长P型GaN层;
其中,可通过MOCVD、MBE或VPE生长P型GaN层,但不限于此。
优选的,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD生长P型GaN层,其生长温度为900℃~1000℃,生长压力为100torr~300torr。
下面以具体实施例对本发明进行进一步说明:
实施例1
参考图1~图3,本实施例提供一种发光二极管外延片,其包括衬底1,依次层叠于衬底1上的缓冲层2、非掺杂GaN层3、N型GaN层4、有源层5、电子阻挡层6和P型GaN层7。
其中,衬底1为蓝宝石衬底,缓冲层2为AlN层,其厚度为45nm。非掺杂GaN层3的厚度为1.8μm。N型GaN层4的掺杂元素为Si,掺杂浓度为3.5×1019cm-3,其厚度为2.4μm。
其中,有源层5为周期性结构,周期数为10,每个周期均包括依次层叠的量子阱层和量子垒层。每个量子阱层均包括依次层叠的第一WS2层511、InxGa1-xN薄层512(x=0.32)和第二WS2层;第一WS2层511、第二WS2层513的厚度均为1.2nm,InxGa1-xN薄层512的厚度为2.4nm。每个量子垒层52均包括依次层叠的第一BN层521、P-GaN层522和第二BN层523,第一BN层521、第二BN层523的厚度均为4.5nm。P-GaN层522中P型掺杂元素为Mg,掺杂浓度为9×1018cm-3,厚度为3nm。
其中,电子阻挡层6为AlGaN层,其厚度为65nm。P型GaN层7的掺杂元素为Mg,其掺杂浓度3×1020cm-3,其厚度为25nm。
本实施例中发光二极管外延片的制备方法包括以下步骤:
(1)提供衬底。
(2)在衬底上生长缓冲层;
其中,通过PVD生长AlN层,作为缓冲层;
(3)在缓冲层上生长非掺杂GaN层;
其中,通过MOCVD生长非掺杂GaN层。其生长温度为1110℃,生长压力为300torr。
(4)在非掺杂GaN层上生长N型GaN层;
其中,通过MOCVD生长N型GaN层,其生长温度为1130℃,生长压力为300torr。
(5)在N型GaN层上生长有源层;
其中,周期性生长量子阱层和量子垒层,直至得到有源层。
(i)生长第一WS2层;
其中,通过CVD生长第一WS2层,其生长温度为880℃,生长时,钨源和硫源的摩尔比为1:2.3,以Ar和H2的混合气体作为载气,且Ar与H2的体积比为1:3。
(ii)在第一WS2层上生长InxGa1-xN薄层;
其中,通过MOCVD生长InxGa1-xN薄层,其生长温度为770℃,生长压力为200torr,V/III比为2400。
(iii)在InxGa1-xN薄层上生长第二WS2层;
具体的,第二WS2层的生长条件与第一WS2层相同。
其中,每个量子垒层的制备方法为:
(I)在量子阱层上生长第一BN层;
其中,通过MOCVD生长第一BN层,其生长温度为1200℃,生长压力为200torr,V/III为1000。
(II)在第一BN层上生长P-GaN层;
其中,通过MOCVD生长P-GaN层,其生长温度为1020℃,生长压力为200torr。
(III)在P-GaN层上生长第二BN层;
具体的,第二BN层的生长条件与第一BN层相同。
(6)在有源层上生长电子阻挡层;
其中,通过MOCVD生长AlGaN层,作为电子阻挡层。电子阻挡层的生长温度为1050℃,生长压力为200torr。
(7)在电子阻挡层上生长P型GaN层;
其中,通过MOCVD生长P型GaN层。其生长温度为950℃,生长压力为200torr。
实施例2
本实施例提供一种发光二极管外延片,其与实施例1的区别在于,第一WS2层511、第二WS2层513的厚度均为0.85nm。
其余均与实施例1相同。
实施例3
本实施例提供一种发光二极管外延片,其与实施例2的区别在于,第一BN层521、第二BN层523的厚度均为2.5nm,P-GaN层的厚度为7nm。
其余均与实施例2相同。
实施例4
本实施例提供一种发光二极管外延片,其与实施例3的区别在于,InxGa1-xN薄层512的厚度为1.8nm。
其余均与实施例3相同。
实施例5
本实施例提供一种发光二极管外延片,其与实施例4的区别在于,P-GaN层522的掺杂浓度为5×1018cm-3。
其余均与实施例4相同。
对比例1
本对比例提供一种发光二极管外延片,其与实施例1的区别在于,量子阱层为InGaN层,其In组分占比为0.3,厚度为3nm。量子垒层为GaN层,厚度为12nm。
量子阱层的生长温度为820℃,生长压力为300torr;量子垒层的生长温度为930℃,生长压力为300torr。
其余均与实施例1相同。
对比例2
本对比例提供一种发光二极管外延片,其与实施例1的区别在于,不包括第一WS2层和第二WS2层,相应的,制备方法中也不包括该两层的制备步骤,其余均与实施例1相同。
对比例3
本对比例提供一种发光二极管外延片,其与实施例1的区别在于,不包括第一BN层和第二BN层,相应的,制备方法中也不包括该两层的制备步骤,其余均与实施例1相同。
对比例4
本对比例提供一种发光二极管外延片,其与实施例1的区别在于,不包括P-GaN层,相应的,制备方法中也不包括该层的制备步骤,其余均与实施例1相同。
对比例5
本对比例提供一种发光二极管外延片,其与实施例1的区别在于,量子垒层包括依次层叠的第一BN层、GaN层和第二BN层。其中,第一BN层和第二BN层的厚度为4.5nm。GaN层的厚度为3nm。第一BN层和第二BN层均通过MOCVD生长,其生长温度为1200℃,生长压力为200torr,V/III为1000。GaN层通过MOCVD生长,生长温度为820℃,生长压力为300torr;量子垒层的生长温度为930℃,生长压力为300torr。
其余均与实施例1相同。
采用实施例1~实施例5,对比例1~对比例5的方法各生长发光二极管外延片10片,测试发光亮度。以对比例1的数据为基准,计算发光亮度提升率,具体结果如下表所示。
由表中可以看出,当将传统的有源层(对比例1)替换为本发明的有源层(实施例1)后,提升了发光二极管外延片的发光亮度。
以上所述是发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种发光二极管外延片,包括衬底,依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层;其特征在于,所述有源层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层;每个所述量子阱层均包括依次层叠的第一WS2层、InxGa1-xN薄层和第二WS2层;每个所述量子垒层均包括依次层叠的第一BN层、P-GaN层和第二BN层;
其中,x≥0.24,所述InxGa1-xN薄层的厚度≤2.5nm;
所述第一WS2层的厚度为0.7nm~1.5nm,所述第二WS2层的厚度为0.7nm~1.5nm;
所述第一BN层的厚度为2nm~5nm,所述第二BN层的厚度为2nm~5nm。
2.如权利要求1所述的发光二极管外延片,其特征在于,所述第一WS2层的厚度为0.7nm~1nm,所述第二WS2层的厚度为0.7nm~1nm。
3.如权利要求1所述的发光二极管外延片,其特征在于,所述第一BN层的厚度为2nm~4nm,所述第二BN层的厚度为2nm~4nm。
4.如权利要求1所述的发光二极管外延片,其特征在于,所述P-GaN层的厚度为3nm~10nm;
所述P-GaN层的P型掺杂元素为Mg,掺杂浓度为5×1017cm-3~8×1018cm-3。
5.如权利要求1所述的发光二极管外延片,其特征在于,所述InxGa1-xN薄层的厚度为1nm~2nm,x为0.28~0.4。
6.一种发光二极管外延片的制备方法,用于制备如权利要求1~5任一项所述的发光二极管外延片,其特征在于,包括:
提供衬底,在所述衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层;
所述有源层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层;每个所述量子阱层均包括依次层叠的第一WS2层、InxGa1-xN薄层和第二WS2层;每个所述量子垒层均包括依次层叠的第一BN层、P-GaN层和第二BN层;其中,x≥0.24,所述InxGa1-xN薄层的厚度≤2.5nm;
所述第一WS2层的厚度为0.7nm~1.5nm,所述第二WS2层的厚度为0.7nm~1.5nm;
所述第一BN层的厚度为2nm~5nm,所述第二BN层的厚度为2nm~5nm;
所述InxGa1-xN薄层的生长温度≤780℃。
7.如权利要求6所述的发光二极管外延片的制备方法,其特征在于,所述InxGa1-xN薄层的生长温度为760℃~780℃,生长压力为50torr~300torr,V/III比为2000~3000。
8.如权利要求6所述的发光二极管外延片的制备方法,其特征在于,所述第一WS2层的生长温度为800℃~950℃,生长时,钨源和硫源的摩尔比为1:1~1:3,以Ar和H2的混合气体作为载气,且Ar与H2的体积比为1:1~1:5;
所述第二WS2层的生长温度为800℃~950℃,生长时,钨源和硫源的摩尔比为1:1~1:3,以Ar和H2的混合气体作为载气,且Ar与H2的体积比为1:1~1:5。
9.如权利要求6所述的发光二极管外延片的制备方法,其特征在于,所述第一BN层的生长温度为1150℃~1300℃,生长压力为50torr~300torr,V/III比为800~2000;
所述P-GaN层的生长温度为900℃~1100℃,生长压力为100torr~300torr;
所述第二BN层的生长温度为1150℃~1300℃,生长压力为50torr~300torr,V/III比为800~2000。
10.一种发光二极管,其特征在于,包括如权利要求1~5任一项所述的发光二极管外延片。
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