CN115057623A - 防眩光玻璃的加工设备及加工其的方法 - Google Patents
防眩光玻璃的加工设备及加工其的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115057623A CN115057623A CN202111258313.3A CN202111258313A CN115057623A CN 115057623 A CN115057623 A CN 115057623A CN 202111258313 A CN202111258313 A CN 202111258313A CN 115057623 A CN115057623 A CN 115057623A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas source
- plasma generating
- process chamber
- generating device
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 216
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 158
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 348
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 187
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 147
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 147
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 111
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 40
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 34
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 11
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract description 4
- 206010052128 Glare Diseases 0.000 abstract 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 211
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 44
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 36
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 6
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提供了一种防眩光玻璃的加工设备及加工其的方法，加工设备包括控制器、工艺室、转台、转架、等离子产生装置、偏压装置以及真空装置；工艺室的侧壁外设置有安装法兰，安装法兰设置有贯通侧壁的安装孔；等离子产生装置包括相互连接的射频源和离子源本体，射频源安装于安装法兰，离子源本体穿过安装孔伸入工艺室内，其气源出口朝向所述转架，可连通清洗气源或者蚀刻气源，清洗气源包括第一惰性气体源，蚀刻气源包括第二惰性气体源和含氟气体源。本发明能够高效率、无污染地完成大面积玻璃基板的表面防眩光处理使玻璃基板在保留防眩晕功能的同时具有更清晰的视觉效果和更加细腻的触摸手感。
Description
技术领域
本发明涉及玻璃加工技术领域，具体涉及一种防眩光玻璃的加工设备及加工其的方法。
背景技术
在电子设备如画板、电子白板、电子黑板等的显示屏幕上，若有较强的反射光，会对用户造成干扰，导致用户无法看清屏幕，因此，常常在这些电子设备的显示屏上覆盖防眩光玻璃制作的玻璃盖板。防眩光玻璃，也叫AG(Anti-glare glass)玻璃，其原理是通过对玻璃表面进行粗化处理使平整的玻璃反光表面变为凹凸不平的粗表面，呈现出来的效果就是将玻璃表面镜面转换为哑光的表面，使照射到屏幕的光线发生漫反射，降低反射光强度，从而实现防眩光效果，保护眼睛，清晰视物。
防眩光玻璃可以通过喷涂或者喷砂方式实现，喷涂方式即在洁净环境中将亚微米级二氧化硅等微粒均匀涂布在玻璃表面，再经过加热固化处理，在玻璃表面形成一层颗粒层，对光线产生漫反射而达到防眩光效果；喷砂方式是利用压缩空气为动力，将金刚砂等砂材高速喷射到玻璃表面使其产生粗面的AG效果。
上述两种方式形成的AG玻璃的表面凹凸不均匀，表面粗糙度不均匀，玻璃的解析度下降，只能造成雾面效果，光学透过率及粗糙度的均匀性较差，且涂层存在牢固度和耐候性等的问题，因此只能应用于装饰上，在应用于一些分辨率较高的显示屏使用时，比如4K或8K的显示屏，还会产生闪点现象，严重影响屏幕的视觉效果。虽然也有一些厂家提出了采用化学蚀刻的方法形成AG玻璃，即利用化学反应方式将玻璃表面由光滑面变成微米级颗粒表面，玻璃基材在化学溶剂中通过化学反应、溶解、再结晶和离子置换等多种反应共同作用产生AG粗面效果，但是，这种工艺需要氢氟酸、盐酸、硫酸等化学物质，在生产过程中，也会产生酸性气体、酸性液体、酸性固体等有害物质，生产产生的含氟气体对人体有非常大的危害，严重环境污染。
发明内容
基于上述现状，本发明的主要目的在于提供一种防眩光玻璃的加工设备及加工其的方法，以解决现有加工设备制造的防眩光表面的颗粒均匀性差，产生闪点的问题。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明的第一方面提供了一种防眩光玻璃的加工设备，包括控制器、具有门阀的工艺室、设置于所述工艺室内的转台、能够安装于所述转台的转架、第一等离子产生装置、第二等离子产生装置、偏压装置以及用于对所述工艺室抽真空的真空装置，所述工艺室的侧壁外设置有安装法兰，所述安装法兰设置有贯通所述侧壁的安装孔；在所述工艺室的周向上，所述第一等离子产生装置和所述第二等离子产生装置分别位于所述真空装置与所述工艺室的连接部的两侧，二者均包括相互连接的射频源和离子源本体，所述射频源安装于所述安装法兰，所述离子源本体设置有气源入口和气源出口，所述离子源本体穿过所述安装孔伸入所述工艺室内，且所述气源出口朝向所述转架；其中，所述第一等离子产生装置的气源入口为第一气源入口，所述第一气源入口连接清洗气源，所述清洗气源包括惰性气体源；所述第二等离子产生装置的气源入口为第二气源入口，所述第二气源入口连接蚀刻气源，所述蚀刻气源包括惰性气体源和含氟气体源；所述偏压装置的正极与所述工艺室的腔壁连接，负极与所述转架连接，以在所述等离子产生装置与所述转架之间形成偏压；
所述控制器能够控制所述转台转动以带动安装于所述转架的待加工玻璃基板转动；并能够控制所述第一等离子产生装置、所述第二等离子产生装置、所述偏压装置和所述真空装置工作，以及控制所述清洗气源和所述蚀刻气源先后连通所述第一气源入口、所述第二气源入口进行供气；
其中，当所述清洗气源供气时，所述控制器控制所述第一等离子产生装置工作且所述偏压装置关闭，以利用所述第一等离子产生装置对位于所述工艺室内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗；当所述蚀刻气源供气时，同时控制所述第二等离子产生装置和所述偏压装置工作，以对位于所述工艺室内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子蚀刻，以形成防眩光表面。
优选地，所述控制器能够先控制所述第一等离子产生装置工作，待等离子清洗完成时，控制所述第一等离子产生装置关闭和所述清洗气源停止供气，间隔第一预设时间之后再控制蚀刻气源供气以及所述第二等离子产生装置、所述偏压装置工作。
优选地，所述真空装置的所述连接部与所述门阀相对设置，在所述连接部的两侧至所述门阀之间的工艺室侧壁上，分别沿所述工艺室的周向排布有多个所述第一等离子产生装置和多个所述第二等离子产生装置。
本发明的第二方面提供了一种防眩光玻璃的加工设备，包括控制器、具有门阀的工艺室、设置于所述工艺室内的转台、能够安装于所述转台的转架、等离子产生装置、偏压装置以及用于对所述工艺室抽真空的真空装置；所述工艺室的侧壁外设置有安装法兰，所述安装法兰设置有贯通所述侧壁的安装孔；所述等离子产生装置包括相互连接的射频源和离子源本体，所述射频源安装于所述安装法兰，所述离子源本体设置有气源入口和气源出口，所述离子源本体穿过所述安装孔伸入所述工艺室内，且所述气源出口朝向所述转架，所述气源入口可择一连通清洗气源和蚀刻气源，所述清洗气源包括惰性气体源，所述蚀刻气源包括惰性气体源和含氟气体源；所述偏压装置的正极与所述工艺室的腔壁连接，负极与所述转架连接，以在所述等离子产生装置与所述转架之间形成偏压；
所述控制器能够控制所述转台转动以带动安装于所述转架的待加工玻璃基板转动；并能够控制所述等离子产生装置、所述偏压装置和所述真空装置工作，以及控制所述清洗气源和所述蚀刻气源先后连通所述气源入口进行供气；
其中，当所述清洗气源供气时，所述控制器控制所述等离子产生装置工作且所述偏压装置关闭，以利用所述等离子产生装置对位于所述工艺室内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗；当所述蚀刻气源供气时，同时控制所述等离子产生装置和所述偏压装置工作，以对位于所述工艺室内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子蚀刻，以形成防眩光表面。
优选地，
所述控制器先控制所述清洗气源供气，并控制所述等离子产生装置工作，以对位于所述工艺室内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗；等离子清洗完成时控制所述清洗气源停止供气，然后间隔第二预设时间之后控制所述蚀刻气源供气，同时控制所述等离子产生装置和偏压装置工作，以对位于所述工艺室内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子蚀刻，从而形成防眩光表面。
优选地，所述工艺室的侧壁上沿其周向设置有多个所述等离子产生装置。
优选地，所述等离子产生装置为感性耦合等离子体产生装置。
优选地，控制器控制所述等离子产生装置工作时先控制所述清洗气源或者蚀刻气源供气，待所述气源出口的气流平稳后再控制所述射频源工作，以形成活性等离子体。
优选地，所述蚀刻气源的所述惰性气体源与所述含氟气体源所提供的气体含量配比为9:1～2:1。
优选地，所述清洗气源和所述蚀刻气源均还包括氧气源，所述氧气源的供气流量控制为0～200sccm。
优选地，所述转架包括大致棱柱状结构，所述棱柱状结构的各棱柱面形成安装待加工玻璃基板的安装面。
优选地，在所述转架转动至所述安装面与所述等离子产生装置正对的状态时，所述安装面与所述等离子产生装置之间的距离为20～80mm。
本发明的第三方面提供了一种采用上述任一项所述的加工设备加工防眩光玻璃的方法，包括步骤：
S100：打开门阀，将安装有待加工玻璃基板的转架安装于所述转台上，关闭所述门阀，并控制所述真空装置对所述工艺室抽真空，同时控制所述转台持续转动；
S200：控制所述清洗气源供气，并控制与所述清洗气源连通的等离子产生装置工作，对所述工艺室内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗，以至少去除所述待处理表面的杂质；之后控制所述清洗气源停止供气，所述蚀刻气源供气，并控制与所述蚀刻气源连通的等离子产生装置和所述偏压装置工作，对所述待处理表面进行等离子蚀刻，形成防眩光表面；
S300：控制所述转台停止转动，所述工艺室放气至常压，打开所述门阀，将加工好的玻璃基板输送出工艺室。
优选地，控制所述清洗气源停止供气和所述蚀刻气源供气之间，还包括：保持所述真空装置对所述工艺室抽真空预设时间，以排空所述工艺室内残留的清洗气体。
优选地，所述等离子产生装置包括第一等离子产生装置和第二等离子产生装置，二者分别位于所述真空装置与所述工艺室的连接部的两侧，所述第一等离子产生装置的气源入口连接所述清洗气源，所述第二等离子产生装置的气源入口连接所述蚀刻气源；所述步骤S200包括步骤：
S210：控制所述清洗气源供气，并控制所述第一等离子产生装置工作，对所述工艺室内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗，以至少去除所述待处理表面的杂质；
S220：控制所述清洗气源停止供气，并控制所述工艺室排气第一预设时间，以排空所述工艺室内残留的清洗气体；
S230：控制所述蚀刻气源供气，并控制所述第二等离子产生装置和所述偏压装置工作，对所述待处理表面进行等离子蚀刻，形成防眩光表面。
优选地，所述步骤S200中，对所述工艺室内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗时，所述工艺室的本底真空度小于或者等于8.0*10-4Pa，工作气压为1.0*10-1～3Pa；所述等离子产生装置的功率为1.5～5kW，频率为13.56MHz；所述惰性气体源的气体流量为150sccm～500sccm。
优选地，所述步骤S200中，对所述待处理表面进行等离子蚀刻时，所述工艺室的本底真空度小于或者等于8.0*10-4Pa，工作气压为1Pa～60Pa；所述等离子产生装置的功率为1.5～5kW；频率为13.56MHz，蚀刻时间为20～40min；偏压装置的偏压为400～1800V，功率为1.5～4.5kW，频率为13.56MHz；所述蚀刻气源中所述惰性气体源与所述含氟气体源提供的气体含量的配比为9:1～2:1。
优选地，所述转台的转动速度为10～100转/分钟。
【有益效果】
本发明的加工设备在对待加工玻璃基板进行处理时，先控制工艺室内的等离子产生装置单独工作，偏压装置不工作，此时清洗气源的气体通过等离子产生装置后形成等离子体，对玻璃基板的待处理表面进行物理溅射，从而清除待处理表面的污染物，然后再控制工艺室内的等离子产生装置和偏压装置同时工作，此时蚀刻气源中的惰性气体和含氟的气体通过等离子产生装置形成的等离子体，在偏压装置的偏压下形成大量高能量的活性离子，惰性气体形成的活性离子直接轰击待处理表面，发生溅射，溅射出的粒子中含有二氧化硅，会与含氟的气体形成的活性离子发生反应，生成纳米团簇，从而对玻璃基板进行刻蚀，即同时与玻璃基板内的成分发生化学反应，使待处理表面形成均匀度较高的凹凸结构，即形成防眩表面。这种加工设备由于对玻璃基板先进行清洗蚀刻再进行等离子蚀刻，在清洗过程中采用不与玻璃基板的基材成分反应的惰性气体，通过等离子产生装置形成的活性离子直接轰击待处理表面，不会与玻璃基板发生化学反应，属于物理蚀刻，因此，经过轰击能够对玻璃基板的各种污染物进行彻底的清洗，尤其是附着牢固的无机物能够进行彻底清除，经过该等离子的清洗过程之后，尽可能避免了后续工艺中玻璃基板的杂质与活性离子发生化学反应，减少了在待处理表面形成杂质的几率，从而进一步提高了防眩光表面的颗粒均匀性，使加工后的基板基本不存在闪点现象，使玻璃基板在保留防眩晕功能的同时具有更清晰的视觉效果和更加细腻的触摸手感，在应用于要求分辨率较高的电子产品显示屏(主要是手机及车载)的玻璃盖板方面有较大的优势；且这种设备对玻璃基板的整个加工过程都不会产生有害气体，不会对环境造成污染；也无需事先制作掩膜，因此能够提高玻璃的加工效率。
本发明的其他有益效果，将在具体实施方式中通过具体技术特征和技术方案的介绍来阐述，本领域技术人员通过这些技术特征和技术方案的介绍，应能理解所述技术特征和技术方案带来的有益技术效果。
附图说明
以下将参照附图对根据本发明的提供优选实施方式进行描述。图中：
图1为根据本发明的防眩光玻璃的加工设备的一种优选实施方式的结构示意图；
图2为根据本发明的防眩光玻璃的加工设备的另一种优选实施方式的结构示意图；
图3为根据本发明的防眩光玻璃的加工设备的另一种优选实施方式门阀打开状态的结构示意图；
图4为根据本发明的防眩光玻璃的加工设备的一种优选实施方式立体结构示意图；
图5为根据本发明的防眩光玻璃的加工设备的又一种优选实施方式的结构示意图；
图6为根据本发明的防眩光玻璃的加工设备的又一种优选实施方式的结构示意图；
图7为根据本发明的加工防眩光玻璃的加工设备的方法的一种优选实施方式的流程图；
图8、图9为采用本发明的加工设备和方法加工的玻璃基板的防眩光表面在不同角度的局部放大图。
图中：
10、工艺室；11、门阀；
20、转架；
30、等离子产生装置；31、第一等离子产生装置；32、第二等离子产生装置；33、射频源；34、离子源本体；
40、真空装置；41、一级泵；42、二级泵；
50、偏压装置；
60、控制器。
具体实施方式
以下基于实施例对本发明进行描述，但是本发明并不仅仅限于这些实施例。在下文对本发明的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分，为了避免混淆本发明的实质，公知的方法、过程、流程、元件并没有详细叙述。
此外，本领域普通技术人员应当理解，在此提供的附图都是为了说明的目的，并且附图不一定是按比例绘制的。
除非上下文明确要求，否则整个说明书和权利要求书中的“包括”、“包含”等类似词语应当解释为包含的含义而不是排他或穷举的含义；也就是说，是“包括但不限于”的含义。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
本发明提供了一种防眩光玻璃的加工设备，可以采用AG蚀刻的方式形成防眩光玻璃。
现有技术中虽然也有一些等离子加工设备用于在玻璃基板上形成凹凸结构，如太阳能板的制作，其先在基板(可能是玻璃基板)上先制作一层掩膜层，然后等离子产生装置产生的活性离子在偏压装置的作用下进行蚀刻，有掩膜的区域和没有掩膜的区域的蚀刻深度不同，之后再去除残余的掩膜层，最后表面形成凹凸不平的结构。由于太阳能板制作中追求的是增加表面积，以提高光电转化效率，而对于漫反射、雾都、清晰度上没有严格要求。而若直接采用上述方式制作防眩光玻璃，由于有掩膜层，在蚀刻时各处的深度差距较大，造成形成的凹凸结构均匀性较差，因此，当应用于分辨率较高的电子设备时，由于对防眩光玻璃要求其在不影响透过率的情况下增加漫反射，且不希望产生闪点，因此在粗糙度、雾都、解析度上均有严格要求。且现有的电子设备工艺流程复杂，良率较低，成本较高。
本发明提供了一种防眩光玻璃的加工设备如图1-图4所示，包括控制器60(图中未示出)、具有门阀11的工艺室10、设置于工艺室10内的转台、能够安装于转台的转架20、等离子产生装置30、偏压装置50以及用于对工艺室10抽真空的真空装置40，工艺室10的侧壁外设置有安装法兰，安装法兰设置有贯通侧壁的安装孔；转台位于工艺室10内，转架20与转台为可拆卸连接，能够安装于转台以通过转台带动其转动，也可以从转台上拆卸下来，等离子产生装置30与转台之间的空间形成工艺空间。
等离子产生装置30设置于工艺室10的侧壁，与转架20相对。具体地，等离子产生装置30包括相互连接的射频源33和离子源本体34，射频源33安装于安装法兰，可以通过螺钉等紧固件与安装法兰锁紧，离子源本体34设置有气源入口和气源出口，离子源本体穿过安装孔伸入工艺室10内，且气源出口朝向转架20。其中，气源入口可择一连通清洗气源和蚀刻气源，也就是说，等离子产生装置30要么与清洗气源连通，要么与蚀刻气源连通，但不会同时采用清洗气源与蚀刻气源为其供气。清洗气源包括惰性气体源，蚀刻气源包括惰性气体源和含氟气体源，其中，清洗气源的惰性气体源和蚀刻气源的惰性气体源可以共用同一个供气源，也可以使用不同的供气源，即二者可以为同一种类惰性气源，也可以为不同种类的惰性气源。
偏压装置50的正极与工艺室10的腔壁连接，负极与转架20连接，以能够在等离子产生装置30与转架20之间形成负偏压，需要说明的是，这里的正极可以接地，负极接负电压，也就是说，正极与负极是相对而言的，并不是说正极一定接正电压，负极接负电压。工艺室30均为真空腔室，即在工作过程中(指清洗蚀刻和AG蚀刻过程)工艺室30一直处于真空状态。控制器60控制转台转动以带动安装有待加工玻璃基板的转架20转动；并能够控制等离子产生装置30、偏压装置50和真空装置40工作，以及控制清洗气源和蚀刻气源先后连通气源入口进行供气。其中，当清洗气源供气时，控制器60控制等离子产生装置30工作和偏压装置50关闭，以利用等离子产生装置30对位于工艺室10内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗；当蚀刻气源供气时，同时控制等离子产生装置30和偏压装置50工作，以对位于工艺室30内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子蚀刻，即AG蚀刻，以形成防眩光表面。需要说明的是，上述蚀刻气源供气时同时控制偏压装置工作，并不限于二者在同一时刻开启，可以一者先开启，另一者后开启；也可以同时开启；且控制器60需要控制清洗蚀刻的过程中，偏压装置50不工作。
本发明还提供了一种采用采用上述加工设备加工防眩光玻璃的方法，也可以理解为对上述加工设备的控制方法，如图7所示，方法包括步骤：
S100：打开门阀11，将安装有待加工玻璃基板的转架20安装于转台，关闭门阀11，并控制真空装置40对工艺室10抽真空，同时控制转台持续转动，具体地，控制器60控制真空装置40工作，以使工艺室10达到清洗蚀刻需要的本底真空度，并在清洗蚀刻和AG蚀刻过程中需要维持工艺需要的真空度；且转架20会在整个工艺过程中都一直转动。
S200：控制清洗气源供气，并控制与清洗气源连通的等离子产生装置30工作，对工艺室10内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗，即清洗蚀刻，以至少去除待处理表面的杂质；之后控制蚀刻气源供气，并控制与蚀刻气源连通的等离子产生装置30和偏压装置50工作，对待处理表面进行等离子蚀刻，形成防眩光表面，即防眩光表面呈凹凸结构，或者成为为绒面，从而得到防眩光玻璃，也叫AG玻璃。也就是说，对于同一玻璃基板来说，需要先进行清洗蚀刻，然后再进行AG蚀刻，包括清洗蚀刻步骤和AG蚀刻步骤，这两个步骤都属于等离子蚀刻工艺，但具体的蚀刻原理有所不同：
清洗蚀刻步骤：在清洗时含氟气体源不会为等离子产生装置30供气，因此，整个清洗过程中，在玻璃基板的表面不会发生化学蚀刻，仅通过轰击，将玻璃基板表面的粒子溅射出来，属于物理蚀刻，从而对表面的污染物进行清除。
AG蚀刻步骤：在AG蚀刻过程中，蚀刻气源为等离子产生装置30供气，惰性气体作为高能粒子的来源，含氟的气体作为中性反应蚀刻离子，在偏压装置的作用下，产生的带有高能量的活性离子轰击玻璃基板的表面，不仅将玻璃基板表面的粒子溅射出来，同时溅射出来的粒子还会与含氟的活性离子发生化学反应，形成离子团簇，对玻璃基板的表面进行化学蚀刻，该步骤不仅会发生物理反应，同时还会发生化学反应，从而同时进行物理蚀刻和化学蚀刻。
S300：控制转台停止转动，即转架20停止转动，工艺室10放气至常压，打开门阀，将加工好的玻璃基板输送出工艺室10。具体地，工艺室10具有放气阀，当等离子蚀刻结束后，打开放气阀使工艺室10放气，达到常压时，打开门阀11，将玻璃基板取出。
上述加工设备和方法，在对同一待加工玻璃基板进行处理时，先控制工艺室内的等离子产生装置30单独工作，偏压装置50不工作，此时清洗气源的气体通过等离子产生装置30后形成等离子体，对玻璃基板的待处理表面进行物理溅射，从而清除待处理表面的污染物，然后再控制工艺室10内的等离子产生装置30和偏压装置同时工作，此时蚀刻气源的含氟气体通过等离子产生装置形成的等离子体，在偏压装置50的偏压下形成大量高能量的活性离子，这些活性离子直接轰击待处理表面，同时与玻璃基板的基材发生化学反应，从而使待处理表面形成均匀度较高的凹凸结构，即形成防眩光表面。
这种加工设备由于对玻璃基板先进行清洗蚀刻再进行AG蚀刻，在清洗过程中采用不与玻璃基板的基材反应的惰性气体，通过等离子产生装置30形成的活性离子直接轰击待处理表面，不会与玻璃基板发生化学反应，属于物理蚀刻，因此，经过轰击能够对玻璃基板的各种污染物进行彻底的清洗，在后续发生化学反应的蚀刻过程中，且经过该等离子的清洗过程之后，尽可能避免了后续工艺中玻璃基板的杂质与活性离子发生化学反应，减少了在待处理表面形成杂质的几率，从而进一步提高了防眩光表面的颗粒均匀性，基板不存在闪点现象，使玻璃基板在保留防眩晕功能的同时具有更清晰的视觉效果和更加细腻的触摸手感，在应用于要求分辨率较高的电子产品显示屏(主要是手机及车载)的玻璃盖板方面有较大的优势；且这种设备对玻璃基板的整个加工过程都不会产生有害气体，不会对环境造成污染。
其中，工艺室10可以为棱柱形空间、圆柱形空间等柱形空间，转台设置于工艺室的中间区域，等离子产生装置布置于该空间的侧壁，在设有多个等离子产生装置30时，沿该空间的周向布置于边缘区域，以在转台转动过程中，使安装于转架20上的待加工玻璃基板与等离子产生装置30之间的距离尽可能相等，以保证玻璃基板各处蚀刻的效果。
真空装置40具有连接部，真空装置40通过连接部连接于工艺室10的侧壁，具体地，连接部可以包括第一法兰，工艺室10的侧壁设置有第二法兰，第二法兰上设置有贯通工艺室10内腔的抽气口，第一法兰和第二法兰通过螺钉等紧固件连接，为了保证二者之间的密封性，可以在第一法兰和第二法兰之间设置密封圈。
其中，真空装置40可以包括一级泵41和二级泵42，如图1-图3所示，一级泵41通过真空管道与二级泵42连接，二级泵42与工艺室10连接，一级泵41进行预抽真空，即将工艺室10内由大气状态抽到低真空状态，二级泵42为精抽泵，其用于将工艺室10内由低真空状态抽到高真空状态，如工作时，一级泵41先工作，当工艺室10达到低真空状态时，二级泵42再开始工作，此时一级泵41仍在工作，二者共同使工艺室10处于本底真空度(后面详述)，当进行等离子清洗和等离子蚀刻时，一级泵41和二级泵42共同工作，配合清洗气体源的气体流量、蚀刻气体源的气体流量使工艺室10内维持等离子清洗时的压强或者等离子蚀刻时的压强。
在上述步骤S200中，清洗蚀刻时的清洗气源不包含有含氟气体源，而清洗蚀刻步骤和AG蚀刻步骤在同一工艺室10内完成，因此，为了避免清洗蚀刻过程中残留的活性离子对后续AG蚀刻过程中的活性离子中含氟的离子的浓度造成影响，影响对AG蚀刻的精确控制，在进行完清洗蚀刻之后，优选地先停留预设时间(如下文所述第一预设时间或第二预设时间)之后再进行AG蚀刻步骤，在该预设时间内，可以通过抽真空的方式将工艺室10内残留的来自于清洗气源的清洗气体排出，以排空工艺室30内的残留气体。也就是说，上述步骤S200中，控制清洗气源停止供气和蚀刻气源供气之间，还包括：保持真空装置40对工艺室10抽真空预设时间，以排空工艺室10内残留的清洗气体。
具体地，控制器60先控制清洗气源供气，并控制与清洗气源连通的等离子装置30工作，以对位于工艺室10内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗；待等离子清洗结束时控制清洗气源停止供气；然后间隔第二预设时间之后再控制蚀刻气源供气，同时控制与蚀刻气源连通的等离子产生装置30和偏压装置工作，以对位于工艺室10内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子蚀刻，从而形成防眩光表面。在该第二预设时间内，可以通过真空装置40对工艺室10抽真空的方式将残留的清洗气体排空。
其中，工艺室10可以设置有一个等离子产生装置30，如图1所示；也可以设置多个等离子产生装置30，如图2所示，在设置有多个等离子产生装置30时，多个等离子产生装置30可以沿工艺室10的周向分布，转架20转动一圈的过程中，待加工玻璃基板能够被多个等离子产生装置30作用，从而提高等离子清洗和等离子蚀刻的效率。
上述等离子产生装置30的气源入口同时需要连接清洗气源和蚀刻气源，并通过选择开关阀控制气源入口与哪个气源连通。在另一种实施例中，上述等离子产生装置30可以直接替换为第一等离子产生装置31和第二等离子产生装置32，即采用两种等离子产生装置，这种方式，第一等离子产生装置31和第二等离子产生装置32只需要分别连接一种气源，其他部件可以通用。对应地，分别在等离子清洗工艺和等离子蚀刻工艺中控制不同的等离子产生装置工作即可。具体地，如图5、图6所示，第一等离子产生装置31具有第一气源入口，即第一等离子产生装置31的气源入口为第一气源入口，第一气源入口连接清洗气源，第二等离子产生装置32具有第二气源入口，即第二等离子产生装置32的气源入口为第二气源入口，第二气源入口连接蚀刻气源；此时，在该实施例中，当加工设备处于等离子清洗状态时，清洗气源为第一等离子产生装置31供气，与清洗气源连通的第一等离子产生装置31工作，第二等离子产生装置32和偏压装置不工作；当加工设备处于等离子蚀刻状态时，蚀刻气源为第二等离子产生装置32供气，与蚀刻气源连通的第二等离子产生装置32和偏压装置工作。通过采用两种等离子产生装置，在控制时，不同的步骤控制不同的等离子产生装置，不易造成混乱，从而提高整个防眩光玻璃加工的效率。
具体地，在设置第一等离子产生装置31和第二等离子产生装置32的实施例中，清洗气源供气时，控制器60控制第一等离子产生装置31工作且偏压装置50关闭，以利用第一等离子产生装置31对位于工艺室10内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗；当蚀刻气源供气时，同时控制第二等离子产生装置32和偏压装置50工作，以对位于工艺室10内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子蚀刻，以形成防眩光表面。也就是说，上述步骤S200中，控制与清洗气源连通的等离子产生装置工作替换为控制第一等离子产生装置31工作，控制与蚀刻气源连通的等离子产生装置工作替换为控制第二等离子产生装置32工作。
在设有两种等离子产生装置的实施例中，由于二者仍然在同一工艺室10内，因此，仍然存在等离子清洗工艺和等离子蚀刻工艺中气体相互影响的问题，因此，在等离子清洗之后优选地停留预设时间之后再进行等离子蚀刻，也就是说，上述步骤S200具体包括步骤：S210：控制清洗气源供气，即为第一等离子产生装置31供气，并控制第一等离子产生装置31工作，对工艺室10内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗，以至少去除待处理表面的杂质；
S220：控制工艺室10排气第一预设时间，以排空工艺室10内残留的清洗气体，同时会通过控制真空装置40工作，使工艺室10处于真空状态；也就是说，在等离子清洗结束时，控制清洗气源停止供气，并关闭第一等离子产生装置，之后等待第一预设时间，在该第一预设时间内可以通过真空装置40将工艺室10残留的清洗气体排出，具体可以抽真空到等离子蚀刻时的本底真空度(下文详述)；
S230：控制蚀刻气源供气，即为第二等离子产生装置32供气，并控制第二等离子产生装置32和控制偏压装置工作，对待处理表面进行等离子蚀刻，形成防眩光表面。
进一步地，为了更好地隔离等离子清洗工艺中残留的清洗气体对等离子蚀刻工艺的影响真空装置40的抽气方向为界，第一等离子产生装置31和第二等离子产生装置32位于该界限的两边，如图5所示，第一等离子产生装置31和第二等离子产生装置32在工艺室10的周向上分别位于真空装置40的连接部的两侧，这样，即使有残留的清洗气体，真空装置40也能够更快的将其抽走。当然，第一等离子产生装置31和第二等离子产生装置32的个数也可以不相等，二者也可以采用其他方式排布，如图6所示，第一等离子产生装置31设置有一个，位于上述界限的一边，第二等离子产生装置32设置有三个，其中一个与第一等离子产生装置31位于上述界限的同一边，另外两个位于第二等离子产生装置32位于上述界限的另一边。
具体地，第一等离子产生装置31和第二等离子产生装置32可以分别设置有一个，也可以分别设置有多个，如两个、三个或者更多个，且二者的数量可以相等，也可以不相等，如第一等离子产生装置31设置有一个，第二等离子产生装置32设置有两个，或者第一等离子产生装置31设置有两个，第二等离子产生装置32也设置有两个。在一种具体的实施例中，真空装置40的连接部与门阀11相对设置，在二者相对方向的两侧沿工艺室10的周向分别排布有多个第一等离子产生装置31和多个第二等离子产生装置32，也就是说，在连接部的两侧至门阀11之间的工艺室10侧壁上，分别沿工艺室10的周向排布有多个第一等离子产生装置31和多个第二等离子产生装置32，如图5所示，第一等离子产生装置31与第二等离子产生装置32是沿着工艺室10的周向排布的，且二者被真空装置40的连接部和门阀11隔离开。通过设置多个第一等离子产生装置31与第二等离子产生装置32，在转架20转动一圈的过程中，能够被多个等离子产生装置30作用，从而提高等离子清洗和等离子蚀刻的效率。
其中，上述第一预设时间和第二预设时间可以相同，也可以不同，优选地，二者分别选自1～3分钟，如1分钟、1.5分钟、2分钟、3分钟等。当然，也可以选自小于1分钟，或者大于3分钟。
不论等离子产生装置设置有几种，等离子产生装置均可以为感性耦合等离子体(ICP)产生装置，即通过电感式放电方式产生等离子体；也可以为容性耦合等离子产生装置(即CCP)，即通过电容式放电方式产生等离子体。优选采用感性耦合等离子体，这种方式，产生的离子的能量更高，基本较容性耦合等离子产生装置高一个数量级，从而蚀刻后的防眩光表面效果明显且均匀。
具体地，控制器可以在控制清洗气源或者蚀刻气源供气时，同时控制射频源工作。一种优选的实施例中，控制器控制等离子产生装置30工作时先控制清洗气源或者蚀刻气源供气，待气源出口的气流平稳后再控制射频源工作，以形成活性等离子体。具体地，在上述步骤S200中的清洗蚀刻步骤包括：
控制清洗气源为离子源本体供气，直到离子源的气源出口喷射的气流平稳(即在相同的时间内气流量基本一致)后，再控制射频源工作，从而使等离子产生装置30工作，此时，才会产生等离子体，进而对工艺室10内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗，以去除待处理表面的杂质。
同理，上述步骤S200中的AG蚀刻(即等离子蚀刻)步骤包括：
控制蚀刻气源为离子源本体供气，直到离子源的气源出口喷射的气流平稳(即在相同的时间内气流量基本一致)后，再控制射频源工作，从而使等离子产生装置30工作，此时，才会产生等离子体，同时控制偏压装置工作，使等离子体在偏压的作用下形成高能量的活性离子，对待处理表面进行AG蚀刻，形成防眩光表面。
采用这种控制方式，能够保证发生清洗蚀刻和AG蚀刻时的活性离子稳定性，进而提高防眩光玻璃的制造效率。
其中，清洗气源的惰性气体源和蚀刻气源的惰性气体源优选氩气源，也可以选其他惰性气体源。蚀刻气源中含氟气体源优选为CF4的气体源，也可以为C4F8、CHF3、SF6等的气体源。
在AG蚀刻中，蚀刻速度和等离子体的离子密度有关，通过射频源的功率和蚀刻气源的流量可以调整等离子体离子束流的大小，束流越大、等离子体的离子密度越大，则蚀刻速度越大，随着束流越大，溅射离子的产额就越大，蚀刻离子额也随着加大，进而促使粒子间的无序性增加，从而促使纳米团簇生成的效率。
具体地，蚀刻气源中混合气体中惰性气体和含氟气体源的配比以及工艺室30内的真空度会影响蚀刻面中凹凸结构的均匀度以及整个表面的粗糙度，含氟气体含量越多，AG蚀刻中参与化学反应的活性离子就越多，蚀刻形成的绒面中，宽度会变大，若惰性气体的含量过少，则蚀刻中，离子溅射速度会变小，无法从玻璃基板表面轰击出粒子与活性离子进行反应，可能会导致蚀刻失败。优选地，蚀刻气源中惰性气体源与含氟气体源提供的气体含量的配比为9:1～2:1，如9:1、8:1、7:1、5:1、4:1、3:1、2.5:1、2:1等，采用这种比例，通过AG蚀刻处理后的表面均匀性更好，解析度较高。
对于清洗气源和蚀刻气源还可以都包括活性气体源，如氧气源、氢气源等，当包括活性气体源时，能够增加惰性气体形成的等离子体的活性，增加活性离子对玻璃基板表面的轰击，能够增加清洗和蚀刻过程中的溅射以及化学蚀刻的效果；且活性气体可以促使含氟的气体产生高密度的不饱和自由基，能够进一步增加化学蚀刻的效率和效果。具体地，活性气体源如氧气源的流量范围为0～200sccm，优选为50sccm～200sccm，如50sccm、80sccm、100sccm、130sccm、160sccm、200sccm等。
其中，上述步骤S200中，对工艺室10内的待加工玻璃基板的待处理表面进行清洗蚀刻时，工艺室10的本底真空度(即清洗气源供气前的气压)小于或者等于8.0*10-4Pa，如8.0*10-4Pa、5.0*10-4Pa、1.0*10-5Pa等；工作气压(即进行清洗蚀刻时的气压)为1.0*10-1～3Pa，如10-1Pa、1Pa、1.5Pa、2Pa、3Pa等。第一等离子产生装置411的功率为1.5～5kW，如1.5kW、2.0kW、3.5kW、4.5kW、5kW，频率为13.56MHz。第一惰性气体源的气体流量为150sccm～500sccm，如150sccm、200sccm、230sccm、280sccm、300sccm、320sccm、350sccm、400sccm、430sccm、480sccm、500sccm等。其中，功率和频率均指等离子产生装置30的射频源的功率和频率。实际制程中，可以再S100时对工艺室10抽真空，使其的本底真空度达到小于或者等于8.0*10-4Pa，在进入步骤S200的清洗蚀刻步骤时，通过调节清洗气源的惰性气体流量使整个工艺室10的压强维持在1.0*10-1～3Pa的工作气压，当然在包括有活性气体时，还调节活性气体源的气体流量。也可以在进入步骤S200的清洗蚀刻步骤时，先将工艺室10内的气压抽到小于或者等于8.0*10-4Pa的本底真空度，之后再通过调节清洗气源的惰性气体流量使工艺室10的气压维持在1.0*10-1～3Pa的工作气压。采用这种设置，能够通过物理蚀刻的方式对无机物等污染物彻底的清洁。
上述步骤S200中，对待处理表面进行AG蚀刻时，工艺室10的本底真空度(即蚀刻气源供气前的气压)小于或者等于8.0*10-4Pa，如8.0*10-4Pa、5.0*10-4Pa、1.0*10-5Pa等；；工作气压(即蚀刻气源供气时要达到的气压，也是进行AG蚀刻过程中的气压)为1Pa～60Pa，如1Pa、5Pa、7Pa、10Pa、13Pa、16Pa、18Pa、20Pa、30Pa、40Pa、45Pa、50Pa、55Pa、60Pa等；等离子产生装置30的功率为1.5～5kW；如1.5kW、2.0kW、3.5kW、4.5kW、5kW；频率为13.56MHz；其中，功率和频率均指等离子产生装置30的射频源的功率和频率。偏压装置50的偏压为400～1800V，如400V、500V、800V、1000V、1300V、1500V等；功率为1.5kW～4.5kW，如1.5kW、2.0kW、3.5kW、4.5kW等；频率为13.56MHz，通过在此范围内对的偏压调整可以实现AG工艺对于粗糙度要求的全部范围。实际制程中，在进入步骤S200的AG蚀刻步骤时，可以在等离子清洗结束后先通过抽真空方式使工艺室10的本底真空度达到小于或者等于8.0*10-4Pa，如8.0*10- 4Pa、5.0*10-4Pa、1.0*10-5Pa等，如在上述第一预设时间内或者第二预设时间内先使工艺室10达到等离子蚀刻的本底真空度，之后通过调节蚀刻气源的惰性气体源与含氟气体源的气体流量使整个工艺室10的压强维持在1Pa～60Pa，当然在包括有活性气体时，还调节活性气体源的气体流量，且不论如何调整，需要满足第二惰性气体源与含氟气体源提供的气体含量的配比为9:1～2:1。在这些参数设置下，同时设置蚀刻时间为20～40min，如20min、25min、30min、38min、40min。用这种设置，能够通过物理蚀刻和化学蚀刻相结合的方式对玻璃基板的表面进行蚀刻，从而形成更为均匀的凹凸结构，且解析度较高，闪点较少。
在采用上述清洗蚀刻和AG蚀刻时的工艺参数时，转台的转动速度优选10～100转/分钟，如10转/分钟、20转/分钟、30转/分钟、45转/分钟、50转/分钟、55转/分钟、60转/分钟、67转/分钟、75转/分钟、80转/分钟、85转/分钟、90转/分钟、96转/分钟、100转/分钟等。优选为60～100转/分钟，以进一步提高蚀刻的效率和蚀刻的效果。
待加工的玻璃基板可以直接粘接或者通过真空吸附的方式安装于转架20上，为了方便玻璃基板的安装以及能够同时进行对多块玻璃基板的加工，本发明的一种优选实施例中，转架20为大致棱柱状结构，即呈多面棱柱结构，如四棱柱、五棱柱、六棱柱等，实际中，并不限于规则的棱柱状，可以为类似棱柱的结构，转架20具有中空的安装孔，安装孔与转台配合安装，棱柱结构的各棱柱面形成用于安装待加工玻璃基板的安装面，也就是说，每一个棱柱面上可以安装一块玻璃基板，如此，一个转架20可以同时安装有多个玻璃基板，这种方式能够同时加工多个玻璃基板，提高防眩光玻璃的加工效率；尤其在工艺室10内同时设置有多个同一种等离子产生装置30或者同时设置有多个第一等离子产生装置31和多个第二等离子产生装置32的实施例中，其中一个玻璃基板在处于清洗蚀刻或者AG蚀刻时，至少有另一个玻璃基板也处于清洗蚀刻或者AG蚀刻，因此，能够进一步提高加工设备的加工效率。可以理解地，转架20也可以选用其他结构，如平板结构等。其中，玻璃基板与转架20的安装可以为真空吸附、夹持、悬挂等多种方式。
在用于曲面屏的镀膜设备中，可以设置公自转架以安装待镀膜的基片，其中，公自转架可以包括相对设置的两个转盘，这两个转盘绕公转轴转动，两个转盘之间设置多个自转轴，多个自转轴沿转盘的周向布置，各自转轴上转动安装有一个六棱柱的基片架，如此，各基片架能够在自转的同时公转，待镀膜的基片安装在基片架的侧面上。这种公自转架的结构，如果用于防眩光玻璃的加工，对于单块待加工的玻璃基板来说，由于基片架自身还存在自转，当玻璃基板所在的基片架经过同一个第一等离子产生装置31或第二等离子产生装置32时，该块玻璃基板与离子蚀刻源本体34相对的时间太短、且二者之间的距离也处于快速变化中，会造成整个等离子清洗过程和等离子蚀刻过程的效率太低。而采用本申请的转架20，单块待加工的玻璃基板与同一离子蚀刻源本体34相对的时间较长、二者之间的距离也相对稳定，因此，能够大大提高离子清洗过程和等离子蚀刻过程的效率；且采用本申请的转架20，在转架20的外径尺寸相同的情况下，每个安装面在周向上的尺寸更大，从而能够对较大尺寸的玻璃基板进行加工。
为了提高等离子产生装置30的蚀刻效率，在转架20旋转至安装面与等离子产生装置30(或者第一等离子产生装置31或者第二等离子产生装置32)正对的状态时，安装面与等离子产生装置30之间的距离优选为20～80mm，具体地，指安装面与等离子产生装置30的工作面之间的距离为20～80mm，如20mm、25mm、30mm、33mm、36mm、38mm、40mm、50mm、55mm、60mm、67mm、75mm、80mm等。
在流水线作业时，为了提高作业的效率，加工设备还包括传送机构，传送机构包括台车，台车用于将转架20安装于转台上。
可以理解地，在使用上述加工设备和方法对待加工玻璃基板进行加工时，会先使用超声波等方式先将玻璃基板清洗干净后再进入该加工设备进行清洗蚀刻和AG蚀刻。
其中，图8、图9示出采用本发明的加工设备和方法加工后的玻璃基板的局部图，以下以基恩士VK-X100作为测量仪器，对光泽度为108的样品玻璃、采用本发明的加工设备和加工方法加工的半成品和成品的表面进行测量后，得到的测量数据如下表1，其中，半成品为仅进行了清洗蚀刻后的样品，表中以清洗样品表示；成品指进行了清洗蚀刻和AG蚀刻后的样品，表中以AG蚀刻样品表示。
表1
可见，通过本实施方式形成的防眩光表面，能够符合不同参数范围的AG玻璃性能要求，且得到的AG玻璃的清晰度较高。
需要说明的是，虽然上述各实施例描述的加工设备和加工方法是用于制造防眩光玻璃的，但是其也可以应用于太阳能板的制备，虽然太阳能板对防眩光要求、解析度等要求不高；在等离子清洗和等离子蚀刻过程中，由于发生溅射，因此整个玻璃基板在厚度上会有一定的减小，因此，本申请的加工设备和加工方法也可以应用于一些需要减薄的工艺处理。
需要说明的是，本发明中采用步骤编号(字母或数字编号)来指代某些具体的方法步骤，仅仅是出于描述方便和简洁的目的，而绝不是用字母或数字来限制这些方法步骤的顺序。本领域的技术人员能够明了，相关方法步骤的顺序，应由技术本身决定，不应因步骤编号的存在而被不适当地限制。
本领域的技术人员能够理解的是，在不冲突的前提下，上述各优选方案可以自由地组合、叠加。
应当理解，上述的实施方式仅是示例性的，而非限制性的，在不偏离本发明的基板原理的情况下，本领域的技术人员可以针对上述细节做出的各种明显的或等同的修改或替换，都将包含于本发明的权利要求范围内。
Claims (18)
1.一种防眩光玻璃的加工设备，其特征在于，包括控制器、具有门阀的工艺室、设置于所述工艺室内的转台、能够安装于所述转台的转架、第一等离子产生装置、第二等离子产生装置、偏压装置以及用于对所述工艺室抽真空的真空装置，所述工艺室的侧壁外设置有安装法兰，所述安装法兰设置有贯通所述侧壁的安装孔；在所述工艺室的周向上，所述第一等离子产生装置和所述第二等离子产生装置分别位于所述真空装置与所述工艺室的连接部的两侧，二者均包括相互连接的射频源和离子源本体，所述射频源安装于所述安装法兰，所述离子源本体设置有气源入口和气源出口，所述离子源本体穿过所述安装孔伸入所述工艺室内，且所述气源出口朝向所述转架；其中，所述第一等离子产生装置的气源入口为第一气源入口，所述第一气源入口连接清洗气源，所述清洗气源包括惰性气体源；所述第二等离子产生装置的气源入口为第二气源入口，所述第二气源入口连接蚀刻气源，所述蚀刻气源包括惰性气体源和含氟气体源；所述偏压装置的正极与所述工艺室的腔壁连接，负极与所述转架连接，以在所述等离子产生装置与所述转架之间形成偏压；
所述控制器能够控制所述转台转动以带动安装于所述转架的待加工玻璃基板转动；并能够控制所述第一等离子产生装置、所述第二等离子产生装置、所述偏压装置和所述真空装置工作，以及控制所述清洗气源和所述蚀刻气源先后连通所述第一气源入口、所述第二气源入口进行供气；
其中，当所述清洗气源供气时，所述控制器控制所述第一等离子产生装置工作且所述偏压装置关闭，以利用所述第一等离子产生装置对位于所述工艺室内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗；当所述蚀刻气源供气时，同时控制所述第二等离子产生装置和所述偏压装置工作，以对位于所述工艺室内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子蚀刻，以形成防眩光表面。
2.根据权利要求1所述的加工设备，其特征在于，所述控制器能够先控制所述第一等离子产生装置工作，待等离子清洗完成时，控制所述第一等离子产生装置关闭和所述清洗气源停止供气；间隔第一预设时间之后再控制蚀刻气源供气以及所述第二等离子产生装置、所述偏压装置工作。
3.根据权利要求1所述的加工设备，其特征在于，所述真空装置的所述连接部与所述门阀相对设置，在所述连接部的两侧至所述门阀之间的工艺室侧壁上，分别沿所述工艺室的周向排布有多个所述第一等离子产生装置和多个所述第二等离子产生装置。
4.一种防眩光玻璃的加工设备，其特征在于，包括控制器、具有门阀的工艺室、设置于所述工艺室内的转台、能够安装于所述转台的转架、等离子产生装置、偏压装置以及用于对所述工艺室抽真空的真空装置，所述工艺室的侧壁外设置有安装法兰，所述安装法兰设置有贯通所述侧壁的安装孔；所述等离子产生装置包括相互连接的射频源和离子源本体，所述射频源安装于所述安装法兰，所述离子源本体设置有气源入口和气源出口，所述离子源本体穿过所述安装孔伸入所述工艺室内，且所述气源出口朝向所述转架，所述气源入口可择一连通清洗气源和蚀刻气源，所述清洗气源包括惰性气体源，所述蚀刻气源包括惰性气体源和含氟气体源；所述偏压装置的正极与所述工艺室的腔壁连接，负极与所述转架连接，以在所述等离子产生装置与所述转架之间形成偏压；
所述控制器能够控制所述转台转动以带动安装于所述转架的待加工玻璃基板转动；并能够控制所述等离子产生装置、所述偏压装置和所述真空装置工作，以及控制所述清洗气源和所述蚀刻气源先后连通所述气源入口进行供气；
其中，当所述清洗气源供气时，所述控制器控制所述等离子产生装置工作且所述偏压装置关闭，以利用所述等离子产生装置对位于所述工艺室内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗；当所述蚀刻气源供气时，同时控制所述等离子产生装置和所述偏压装置工作，以对位于所述工艺室内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子蚀刻，以形成防眩光表面。
5.根据权利要求4所述的加工设备，其特征在于，
所述控制器先控制所述清洗气源供气，并控制所述等离子产生装置工作，以对位于所述工艺室内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗；等离子清洗完成时控制所述清洗气源停止供气，然后间隔第二预设时间之后控制所述蚀刻气源供气，同时控制所述等离子产生装置和偏压装置工作，以对位于所述工艺室内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子蚀刻，从而形成防眩光表面。
6.根据权利要求4所述的加工设备，其特征在于，所述工艺室的侧壁上沿其周向设置有多个所述等离子产生装置。
7.根据权利要求1-6任一项所述的加工设备，其特征在于，所述等离子产生装置为感性耦合等离子体产生装置。
8.根据权利要求7所述的加工设备，其特征在于，控制器控制所述等离子产生装置工作时先控制所述清洗气源或者蚀刻气源供气，待所述气源出口的气流平稳后再控制所述射频源工作，以形成活性等离子体。
9.根据权利要求1-6任一项所述的加工设备，其特征在于，所述蚀刻气源的所述惰性气体源与所述含氟气体源所提供的气体含量配比为9:1～2:1。
10.根据权利要求1-6任一项所述的加工设备，其特征在于，所述清洗气源和所述蚀刻气源均还包括氧气源，所述氧气源的供气流量控制为0～200sccm。
11.根据权利要求1-10任一项所述的加工设备，其特征在于，所述转架包括大致棱柱状结构，所述棱柱状结构的各棱柱面形成安装待加工玻璃基板的安装面。
12.根据权利要求11所述的加工设备，其特征在于，在所述转架转动至所述安装面与所述等离子产生装置正对的状态时，所述安装面与所述等离子产生装置之间的距离为20～80mm。
13.一种采用权利要求1-12任一项所述的加工设备加工防眩光玻璃的方法，其特征在于，包括步骤：
S100：打开门阀，将安装有待加工玻璃基板的转架安装于所述转台上，关闭所述门阀，并控制所述真空装置对所述工艺室抽真空，同时控制所述转台持续转动；
S200：控制所述清洗气源供气，并控制与所述清洗气源连通的等离子产生装置工作，对所述工艺室内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗，以至少去除所述待处理表面的杂质；之后控制所述清洗气源停止供气，所述蚀刻气源供气，并控制与所述蚀刻气源连通的等离子产生装置和所述偏压装置工作，对所述待处理表面进行等离子蚀刻，形成防眩光表面；
S300：控制所述转台停止转动，所述工艺室放气至常压，打开所述门阀，将加工好的玻璃基板输送出工艺室。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述步骤S200中，控制所述清洗气源停止供气和所述蚀刻气源供气之间，还包括：保持所述真空装置对所述工艺室抽真空预设时间，以排空所述工艺室内残留的清洗气体。
15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述等离子产生装置包括第一等离子产生装置和第二等离子产生装置，二者分别位于所述真空装置与所述工艺室的连接部的两侧，所述第一等离子产生装置的气源入口连接所述清洗气源，所述第二等离子产生装置的气源入口连接所述蚀刻气源；所述步骤S200包括步骤：
S210：控制所述清洗气源供气，并控制所述第一等离子产生装置工作，对所述工艺室内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗，以至少去除所述待处理表面的杂质；
S220：控制所述清洗气源停止供气，并控制所述工艺室排气第一预设时间，以排空所述工艺室内残留的清洗气体；
S230：控制所述蚀刻气源供气，并控制所述第二等离子产生装置和所述偏压装置工作，对所述待处理表面进行等离子蚀刻，形成防眩光表面。
16.根据权利要求13-15任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤S200中，对所述工艺室内的待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗时，所述工艺室的本底真空度小于或者等于8.0*10-4Pa，工作气压为1.0*10-1～3Pa；所述等离子产生装置的功率为1.5～5kW，频率为13.56MHz；所述惰性气体源的气体流量为150sccm～500sccm。
17.根据权利要求13-16任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤S200中，对所述待处理表面进行等离子蚀刻时，所述工艺室的本底真空度小于或者等于8.0*10-4Pa，工作气压为1Pa～60Pa；所述等离子产生装置的功率为1.5～5kW；频率为13.56MHz，蚀刻时间为20～40min；偏压装置的偏压为400～1800V，功率为1.5～4.5kW，频率为13.56MHz；所述蚀刻气源中所述惰性气体源与所述含氟气体源提供的气体含量的配比为9:1～2:1。
18.根据权利要求13-17任一项所述的方法，其特征在于，所述转台的转动速度为10～100转/分钟。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111258313.3A CN115057623B (zh) | 2021-10-27 | 2021-10-27 | 防眩光玻璃的加工设备及加工其的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111258313.3A CN115057623B (zh) | 2021-10-27 | 2021-10-27 | 防眩光玻璃的加工设备及加工其的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115057623A true CN115057623A (zh) | 2022-09-16 |
| CN115057623B CN115057623B (zh) | 2023-11-28 |
Family
ID=83196372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111258313.3A Active CN115057623B (zh) | 2021-10-27 | 2021-10-27 | 防眩光玻璃的加工设备及加工其的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115057623B (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1050675A (ja) * | 1996-08-06 | 1998-02-20 | Canon Inc | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
| US20040251236A1 (en) * | 2003-05-23 | 2004-12-16 | Applied Materials, Inc. | [deposition-selective etch-deposition process for dielectric film gapfill] |
| US20150155189A1 (en) * | 2013-12-04 | 2015-06-04 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
| CN105200377A (zh) * | 2015-09-16 | 2015-12-30 | 北京丹鹏表面技术研究中心 | 离子镀膜机、气体离子刻蚀清洗方法及辅助沉积方法 |
| WO2021137274A1 (ja) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | ナルックス株式会社 | 石英ガラス基板に微細凹凸表面構造を製造する方法 |
| WO2021167787A1 (en) * | 2020-02-18 | 2021-08-26 | Corning Incorporated | Etching of glass surfaces to reduce electrostatic charging during processing |
-
2021
- 2021-10-27 CN CN202111258313.3A patent/CN115057623B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1050675A (ja) * | 1996-08-06 | 1998-02-20 | Canon Inc | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
| US20040251236A1 (en) * | 2003-05-23 | 2004-12-16 | Applied Materials, Inc. | [deposition-selective etch-deposition process for dielectric film gapfill] |
| US20150155189A1 (en) * | 2013-12-04 | 2015-06-04 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
| CN105200377A (zh) * | 2015-09-16 | 2015-12-30 | 北京丹鹏表面技术研究中心 | 离子镀膜机、气体离子刻蚀清洗方法及辅助沉积方法 |
| WO2021137274A1 (ja) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | ナルックス株式会社 | 石英ガラス基板に微細凹凸表面構造を製造する方法 |
| WO2021167787A1 (en) * | 2020-02-18 | 2021-08-26 | Corning Incorporated | Etching of glass surfaces to reduce electrostatic charging during processing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115057623B (zh) | 2023-11-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100553481B1 (ko) | 챔버 세정을 강화시키는 방법 및 장치 | |
| JP3133196B2 (ja) | シールド又はクランプ用リングの事前処理方法 | |
| CN114262159B (zh) | 防眩光玻璃的加工设备及加工方法 | |
| KR20120112242A (ko) | 기판 세정 장치 및 진공 처리 시스템 | |
| CN216550160U (zh) | 用于ag玻璃的加工设备 | |
| CN106683998A (zh) | 一种柔性基底的预处理工艺 | |
| CN114262160B (zh) | 防眩光玻璃及其制备方法 | |
| CN111020534A (zh) | 镀膜设备 | |
| US11339477B2 (en) | Plasma polymerization coating apparatus and process | |
| JP7270974B2 (ja) | 樹脂表面親水化方法、プラズマ処理装置、および積層体の製造方法 | |
| CN115057623B (zh) | 防眩光玻璃的加工设备及加工其的方法 | |
| CN216155751U (zh) | 玻璃表面处理设备 | |
| US20090311145A1 (en) | Reaction chamber structural parts with thermal spray ceramic coating and method for forming the ceramic coating thereof | |
| KR20080099418A (ko) | 마그네트론 롤 스퍼터링을 이용한 유연성 폴리머 기판상의금속박막 증착방법 | |
| TWI273026B (en) | Method of low-temperature surface modification of plastic substrate | |
| JP4137611B2 (ja) | 積層膜の形成方法 | |
| JP2001279457A (ja) | 常圧プラズマを用いた連続表面処理法又は連続成膜法及び連続表面処理装置又は連続成膜装置 | |
| US20180059289A1 (en) | Apparatus for plasma processing on optical surfaces and methods of manufacturing and use thereof | |
| TW202039895A (zh) | 成膜方法 | |
| JP7317421B2 (ja) | 積層体 | |
| WO2021109425A1 (zh) | 镀膜设备 | |
| CN114645281B (zh) | 一种褪除金属工件表面碳膜的方法 | |
| CN117947399A (zh) | 一种ar膜层表面处理方法 | |
| RU2433081C1 (ru) | Способ ионно-лучевой обработки | |
| CN115404487A (zh) | Dlc膜的脱膜方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |