CN106683998A - 一种柔性基底的预处理工艺 - Google Patents
一种柔性基底的预处理工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106683998A CN106683998A CN201611064747.9A CN201611064747A CN106683998A CN 106683998 A CN106683998 A CN 106683998A CN 201611064747 A CN201611064747 A CN 201611064747A CN 106683998 A CN106683998 A CN 106683998A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- flexible substrates
- ion beam
- flexible substrate
- sacrifice layer
- flexible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 17
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 4
- 229920002943 EPDM rubber Polymers 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 2
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 argon (Ar) Chemical class 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
本发明公开了一种柔性基底的预处理工艺，包括以下步骤：在柔性基底上制备牺牲层；采用离子束刻蚀工艺对柔性基底上的牺牲层进行刻蚀，直至刻蚀到牺牲层与柔性基底的临界面；采用离子束抛光工艺对刻蚀后得到的柔性基底进行抛光，直至柔性基底表面平滑。本发明通过制备牺牲层，利用不同材料的刻蚀选择比，优化离子束入射角和最佳刻蚀参数，彻底的消除了柔性基底表面特有的凹槽、孔洞等缺陷，解决了传统机械抛光或常规半导体工艺以及现有离子束技术难以消除柔性基底表面缺陷的难题。
Description
技术领域
本发明属于柔性电子器件领域，具体涉及一种柔性基底的预处理工艺。
背景技术
柔性电子以其独特的延展性以及高效、低成本制造工艺，在消费电子、医学仪器、能源电力和军事装备等领域有着广阔的发展和应用前景，目前产品有电子眼、柔性电子显示器、电子报纸以及柔性生物医疗装置等等。然而，柔性基底表面存在凹槽、孔洞等缺陷，会大大降低微细加工的精度，最终导致均匀性及一致性水平较差，影响器件可靠性，不能满足实际应用需求。因此，如何消除柔性基底存在的这些缺陷已成为柔性电子器件的研究重点。
实际上，柔性基底预处理作为柔性电子器件的一项关键技术，已成为功能器件制备的必备工艺。然而，传统的机械抛光或半导体预处理工艺基本针对常规硬质基底，且只能去除基底表面的杂质、油污等，无法完全去除表面存在的凹槽、孔洞等缺陷。传统清洗方式是将基底进行化学清洗后，放入真空腔内进行离子束轰击预处理，通过轰击去除基底表面存在的杂质，这同样无法完全去除表面存在的凹槽、孔洞等缺陷。另外，现有技术普遍采用离子束进行基底处理，在真空条件下，将氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)等惰性气体通过离子源产生离子束，经加速、集束后，射到被加工表面上，剥离表层物质。可见，现有的离子束处理也只能去除表面的杂质，对于柔性基底的固有缺陷起不到消除的作用。因此，获得一种能够有效消除柔性基底表面存在的凹槽、孔洞等缺陷的处理技术，对提高柔性电子器件可靠性，使其更好的满足实际应用需要具有重要意义。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种能够有效消除柔性基底特有的凹槽或孔洞等缺陷的预处理工艺。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：
一种柔性基底的预处理工艺，包括以下步骤：
（1）在柔性基底上制备牺牲层；
（2）采用离子束刻蚀工艺对柔性基底上的牺牲层进行刻蚀，直至刻蚀到牺牲层与柔性基底的临界面；
（3）采用离子束抛光工艺对步骤（2）中得到的柔性基底进行抛光，直至柔性基底表面平滑。
上述的柔性基底的预处理工艺中，优选的，所述步骤（1）中，在制备牺牲层之前还包括对柔性基底进行展平。
上述的柔性基底的预处理工艺中，优选的，所述展平采用的是真空吸附的方式。
上述的柔性基底的预处理工艺中，优选的，所述柔性基底在固定支架上进行展平；所述固定支架包括基座1和盖板3，所述基座1上设有用于放置柔性基底的凹槽2，所述盖板3上设有用于溅射柔性基底的通孔，所述基座1与所述盖板3通过螺栓连接。
上述的柔性基底的预处理工艺中，优选的，所述展平包括以下步骤：
（a）将柔性基底放置于基座1上的凹槽2中；
（b）抽真空，使得柔性基底完全展平；
（c）盖上盖板3，通过螺栓将基座1与盖板3连接，固定展平后的柔性基底。
上述的柔性基底的预处理工艺中，优选的，所述步骤（1）中，所述牺牲层为光刻胶或玻璃膜。
上述的柔性基底的预处理工艺中，优选的，所述步骤（1）中，所述牺牲层的制备包括以下步骤：
（1.1）采用匀胶机在柔性基底表面制备一层厚度为2μm～2.5μm的牺牲层；
（1.2）采用离子束溅射工艺在光刻胶表面制备一层厚度为160nm～180nm的牺牲层。
上述的柔性基底的预处理工艺中，优选的，所述步骤（1.1）中，所述匀胶机的工艺参数为：在转速为1000rpm～1200rpm条件下匀胶10s～12s，然后在转速为5000rpm～5500rpm条件下匀胶30s～35s；
和/或，所述步骤（1.2）中，所述离子束溅射工艺的参数为：气体流量8sccm～9sccm，屏极电压250V～270V，阴极电压19V～22V，加速电压250V～270V，离子束流150mA～160mA，工作真空3×10-3Pa～3.5×10-3Pa。
上述的柔性基底的预处理工艺中，优选的，所述步骤（2）中，所述离子束刻蚀工艺的参数为：入射角度50°～53°，屏极电压450V～500V，离子束流130mA～160mA。
上述的柔性基底的预处理工艺中，优选的，所述步骤（3）中，所述离子束抛光工艺中通过控制工件台的倾斜角进行抛光；所述倾斜角为10°～15°；所述离子束抛光工艺的参数为：离子束流50 mA～70mA。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
1、本发明提供了一种柔性基底的预处理工艺，先在柔性基底表面制备牺牲层，然后通过离子束技术以特定的角度去除牺牲层直至刻蚀到基底材料，继而对基底材料进行抛光，达到基底平滑处理的目的。本发明中，通过制备牺牲层，利用不同材料的刻蚀选择比，优化离子束入射角和最佳刻蚀参数，彻底的消除了柔性基底表面特有的凹槽、孔洞等缺陷，解决了传统机械抛光或常规半导体工艺以及现有离子束技术难以消除柔性基底表面缺陷的难题。
2、本发明中，通过在柔性基底表面制备牺牲层，将柔性基底表面的沟壑基本填平，在牺牲层刻蚀工艺过后对基片进行离子束刻蚀和抛光，抛光到牺牲层与基底的临界面。由于选择的牺牲层材料与基底材料相同条件下刻蚀速率近似，当用离子束刻蚀和抛光后，近似等速率刻蚀完牺牲层，以至于将牺牲层表面的光滑面传递到基底表面，从而使柔性基底表面平滑。另外，适用本发明预处理工艺的牺牲层材料非常广泛，如，光刻胶或玻璃膜（SOG），而牺牲层选择的主要依据是牺牲层材料刻蚀速率要与基底材料在某一离子束刻刻蚀抛光参数下相接近，以至于最后可以将牺牲层表面的光滑面传递到基底表面上。同时本发明采用的离子束辅助抛光工艺，可以有效地改善基底表面的粗糙情况，适用于机械抛光引起的表面缺陷的处理。
3、本发明中，通过采用真空吸附的方式将柔性基底展平，避免了预处理过程中出现弯曲和褶皱等情况，使得柔性基底可以像硬质基片一样完全展平，更有利于去除表面缺陷，克服了现有柔性基底在安装过程中难以做到完全展平的问题。
附图说明
图1为本发明实施例1中柔性基底预处理的预处理工艺流程图。
图2为本发明实施例1中固定支架的示意图。
图3为本发明实施例1中离子束刻蚀角对不同材料刻蚀速率的影响图。
图4为未经表面处理的柔性基底的表面形貌图。
图5为本发明实施例1中得到的柔性基底的表面形貌图。
图例说明：
1、基座；2、凹槽；3、盖板；4、孔。
具体实施方式
以下结合说明书附图和具体优选的实施例对本发明作进一步描述，但并不因此而限制本发明的保护范围。
以下实施例中所采用的材料和仪器均为市售。
实施例1：
一种本发明的柔性基底的预处理工艺，工艺流程如图1所示，包括以下步骤：
（1）将尺寸为28mm×40mm×0.5mm的柔性基底EPDM（三元乙丙）平铺放入装满丙酮的烧杯内超声10min，然后平铺放入酒精中超声10min，最后用去离子束冲洗并吹干，放置在烘片台上于40℃下烘20min。
（2）采用真空吸附的方式将步骤（1）中经烘干后的柔性基底在固定支架上进行展平，其中，固定支架如图2所示，包括基座1和盖板3，基座1上设有用于放置柔性基底的凹槽2，盖板3上设有用于溅射柔性基底的通孔，同时，基座1和盖板3上还设有用于螺栓连接的孔4，基座1与盖板3通过螺栓连接。本实施例中，固定支架是采用精密机加工形成的，材料为铝，基座1的尺寸为40mm×60mm×0.5mm，盖板3为镂空金属框，其中外框的尺寸为35mm×45mm×0.5mm，内框的尺寸为30mm×42mm×0.5mm。
展平的具体步骤为：
（2.1）将柔性基底放置于基座1上的凹槽2中；
（2.2）抽真空，使柔性基底完全展平；
（2.3）盖上盖板3，通过螺栓将基座1与盖板3连接，固定展平后的柔性基底。
（3）在柔性基底上制备牺牲层：
（3.1）将步骤（2）中固定展平后的柔性基底置于匀胶机的旋转台上。
（3.2）将EPG533型光刻胶均匀滴加到步骤（3.1）中固定展平后的柔性基底上，使EPG533型光刻胶均匀覆盖柔性基底表面，采用匀胶机进行甩胶，具体工艺为：在转速为1000rpm条件下匀胶12s，然后在转速为5000rpm条件下匀胶30s，120℃烘烤1h，在柔性基底表面制备一层EPG533型光刻胶，厚度为2μm。
（3.3）将步骤（3.2）中得到的表面制备有EPG533型光刻胶的柔性基底安装在靶台上，抽真空至4×10-4Pa，采用离子束溅射工艺继续在EPG533型光刻胶表面制备一层EPG533型光刻胶，厚度为176nm。离子束溅射工艺的参数为：气体流量8sccm，屏极电压250V，阴极电压19V，加速电压250V，离子束流150mA，工作真空3×10-3Pa。
（4）将步骤（3）中制备有牺牲层的柔性基底，置于真空腔体的基底台上，抽真空至5.0×10-4Pa，采用离子束刻蚀工艺对柔性基底表面的牺牲层进行刻蚀，直至刻蚀到牺牲层与柔性基底的临界面，即去除柔性基底表面的EPG533型光刻胶层。其中，离子束刻蚀工艺中离子束参数为：入射角度50°，阴极41.5A，屏极500V，离子束流150mA，中和10A；刻蚀气体为Ar，气体流量8sccm，工作真空度3×10-3Pa，刻蚀时间18min。在采用离子束刻蚀工艺对柔性基底表面的牺牲层进行刻蚀的过程中，水冷直接与工件台相连，循环冷却，同时刻蚀工件台背面安装温控仪，实时监控刻蚀工件台温度，超过120℃时暂停刻蚀20min，从而保证基底及牺牲层不至于碳化变形。图3为本实施例中离子束刻蚀角对不同材料刻蚀速率的影响图。由图3可知，EPG533型光刻胶的刻蚀速率同三元乙丙的刻蚀速率在50°有相交点，这说明选择的牺牲层材料与基底材料相同条件下刻蚀速率近似，当用离子束刻蚀抛光后，近似等速率刻蚀完牺牲层，以至于将牺牲层表面的光滑表面传递到基底表面，从而获得了平滑的柔性基底。
（5）采用离子束抛光工艺继续对步骤（4）中经刻蚀后的柔性基底进行抛光，得到表面平滑的柔性基底。离子束抛光工艺中离子束参数为：阴极35A，屏极430V，离子束流120mA，中和8A；气体为Ar，气体流量6sccm，工作真空度3×10-3Pa，抛光时间23min。离子束抛光工艺中通过控制工件台的倾斜角进行抛光，其中倾斜角为10°～15°。
（6）将步骤（5）中表面平滑的柔性基底于真空条件下冷却1h，然后充气（N2），取出，并清洗去胶，烘干。
图4为未经表面处理的柔性基底的表面形貌图。图5为本实施例中得到的柔性基底的表面形貌图。对比图4和图5可知，通过离子束预处理前后的形貌对比，可以明显看出，经本发明方法处理后得到的基底材料的表面平整度、粗糙度得到明显改善，消除了柔性基底表面特有的凹槽、孔洞等缺陷，有利于薄膜生长。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例。凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应该指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下的改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种柔性基底的预处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：
（1）在柔性基底上制备牺牲层；
（2）采用离子束刻蚀工艺对柔性基底上的牺牲层进行刻蚀，直至刻蚀到牺牲层与柔性基底的临界面；
（3）采用离子束抛光工艺对步骤（2）中得到的柔性基底进行抛光，直至柔性基底表面平滑。
2.根据权利要求1所述的柔性基底的预处理工艺，其特征在于，所述步骤（1）中，在制备牺牲层之前还包括对柔性基底进行展平。
3.根据权利要求2所述的柔性基底的预处理工艺，其特征在于，所述展平采用的是真空吸附的方式。
4.根据权利要求3所述的柔性基底的预处理工艺，其特征在于，所述柔性基底在固定支架上进行展平；所述固定支架包括基座（1）和盖板（3），所述基座（1）上设有用于放置柔性基底的凹槽（2），所述盖板（3）上设有用于溅射柔性基底的通孔，所述基座（1）与所述盖板（3）通过螺栓连接。
5.根据权利要求4所述的柔性基底的预处理工艺，其特征在于，所述展平包括以下步骤：
（a）将柔性基底放置于基座（1）上的凹槽（2）中；
（b）抽真空，使得柔性基底完全展平；
（c）盖上盖板（3），通过螺栓将基座（1）与盖板（3）连接，固定展平后的柔性基底。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的柔性基底的预处理工艺，其特征在于，所述步骤（1）中，所述牺牲层为光刻胶或玻璃膜。
7.根据权利要求6所述的柔性基底的预处理工艺，其特征在于，所述步骤（1）中，所述牺牲层的制备包括以下步骤：
（1.1）采用匀胶机在柔性基底表面制备一层厚度为2μm～2.5μm的牺牲层；
（1.2）采用离子束溅射工艺在光刻胶表面制备一层厚度为160nm～180nm的牺牲层。
8.根据权利要求7所述的柔性基底的预处理工艺，其特征在于，所述步骤（1.1）中，所述匀胶机的工艺参数为：在转速为1000rpm～1200rpm条件下匀胶10s～12s，然后在转速为5000rpm～5500rpm条件下匀胶30s～35s；
和/或，所述步骤（1.2）中，所述离子束溅射工艺的参数为：气体流量8sccm～9sccm，屏极电压250V～270V，阴极电压19V～22V，加速电压250V～270V，离子束流150mA～160mA，工作真空3×10-3Pa～3.5×10-3Pa。
9.根据权利要求1～5中任一项所述的柔性基底的预处理工艺，其特征在于，所述步骤（2）中，所述离子束刻蚀工艺的参数为：入射角度50°～53°，屏极电压450V～500V，离子束流130mA～160mA。
10.根据权利要求1～5中任一项所述的柔性基底的预处理工艺，其特征在于，所述步骤（3）中，所述离子束抛光工艺中通过控制工件台的倾斜角进行抛光；所述倾斜角为10°～15°；所述离子束抛光工艺的参数为：离子束流50 mA～70mA。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611064747.9A CN106683998A (zh) | 2016-11-28 | 2016-11-28 | 一种柔性基底的预处理工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611064747.9A CN106683998A (zh) | 2016-11-28 | 2016-11-28 | 一种柔性基底的预处理工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106683998A true CN106683998A (zh) | 2017-05-17 |
Family
ID=58867336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611064747.9A Pending CN106683998A (zh) | 2016-11-28 | 2016-11-28 | 一种柔性基底的预处理工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106683998A (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108133887A (zh) * | 2017-12-04 | 2018-06-08 | 扬州国宇电子有限公司 | 基于深槽刻蚀的平坦化方法 |
| CN108747598A (zh) * | 2018-04-26 | 2018-11-06 | 华中光电技术研究所（中国船舶重工集团有限公司第七七研究所） | 超光滑玻璃镜片多级离子抛光方法 |
| CN111740008A (zh) * | 2020-06-17 | 2020-10-02 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种提高离子束剥离薄膜厚度均匀性的方法 |
| DE102019111681A1 (de) * | 2019-05-06 | 2020-11-12 | Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. | Verfahren zum Glätten von Oberflächen |
| WO2020225225A1 (de) * | 2019-05-06 | 2020-11-12 | Leibniz Institut Für Oberflächenmodifizierung E.V. | Verfahren zum glätten von oberflächen |
| CN113193125A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-07-30 | 北京大学 | 一种高功率质量比的柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
| CN113201718A (zh) * | 2021-04-01 | 2021-08-03 | 深圳仕上电子科技有限公司 | 具有牺牲层的镀腔内壁构件及其制备方法以及清洗方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060054514A (ko) * | 2004-11-16 | 2006-05-22 | 삼성전자주식회사 | 건식 식각 장치 |
| CN2862331Y (zh) * | 2005-12-22 | 2007-01-24 | 南开大学 | 用于柔性太阳电池制备的衬底支撑装置 |
| CN104934329A (zh) * | 2015-04-28 | 2015-09-23 | 吉林建筑大学 | 一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法 |
| CN105922083A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-09-07 | 西安工业大学 | 磷酸二氢钾类晶体的表面抛光方法 |
-
2016
- 2016-11-28 CN CN201611064747.9A patent/CN106683998A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060054514A (ko) * | 2004-11-16 | 2006-05-22 | 삼성전자주식회사 | 건식 식각 장치 |
| CN2862331Y (zh) * | 2005-12-22 | 2007-01-24 | 南开大学 | 用于柔性太阳电池制备的衬底支撑装置 |
| CN104934329A (zh) * | 2015-04-28 | 2015-09-23 | 吉林建筑大学 | 一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法 |
| CN105922083A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-09-07 | 西安工业大学 | 磷酸二氢钾类晶体的表面抛光方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108133887A (zh) * | 2017-12-04 | 2018-06-08 | 扬州国宇电子有限公司 | 基于深槽刻蚀的平坦化方法 |
| CN108747598A (zh) * | 2018-04-26 | 2018-11-06 | 华中光电技术研究所（中国船舶重工集团有限公司第七七研究所） | 超光滑玻璃镜片多级离子抛光方法 |
| CN108747598B (zh) * | 2018-04-26 | 2020-04-21 | 华中光电技术研究所（中国船舶重工集团有限公司第七一七研究所） | 超光滑玻璃镜片多级离子抛光方法 |
| DE102019111681A1 (de) * | 2019-05-06 | 2020-11-12 | Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. | Verfahren zum Glätten von Oberflächen |
| WO2020225225A1 (de) * | 2019-05-06 | 2020-11-12 | Leibniz Institut Für Oberflächenmodifizierung E.V. | Verfahren zum glätten von oberflächen |
| CN111740008A (zh) * | 2020-06-17 | 2020-10-02 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种提高离子束剥离薄膜厚度均匀性的方法 |
| CN113201718A (zh) * | 2021-04-01 | 2021-08-03 | 深圳仕上电子科技有限公司 | 具有牺牲层的镀腔内壁构件及其制备方法以及清洗方法 |
| CN113193125A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-07-30 | 北京大学 | 一种高功率质量比的柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106683998A (zh) | 一种柔性基底的预处理工艺 | |
| TWI360529B (en) | Methods of finishing quartz glass surfaces and com | |
| TW202336271A (zh) | 用於電性連接器之奈米塗層保護方法 | |
| CN111471995A (zh) | 一种防月尘材料及其应用 | |
| KR20110034550A (ko) | 플라즈마 에칭 장치용 실리콘제 부품의 재생 방법 및 플라즈마 에칭 장치용 실리콘제 부품 | |
| CN110190025B (zh) | 一种单层硅衬底的通孔刻蚀方法 | |
| CN111394771B (zh) | 一种在铜及其合金表面制备涂层的方法及铜制品 | |
| JP2011035262A (ja) | 結晶系太陽電池の製造における処理方法及び処理装置 | |
| CN111403596A (zh) | 一种离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法 | |
| CN108517502B (zh) | 一种在软基材表面制备低应力dlc薄膜的方法 | |
| CN216550160U (zh) | 用于ag玻璃的加工设备 | |
| US8512859B2 (en) | Housing and method for making the same | |
| CN108330449A (zh) | 磨砂面上的高漫反射铝膜及其制备方法 | |
| JP2819559B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| TWI273026B (en) | Method of low-temperature surface modification of plastic substrate | |
| TW201729285A (zh) | 蝕刻方法 | |
| JP2554100B2 (ja) | ダイヤモンド皮膜の研磨方法 | |
| JPH07183284A (ja) | 薄層をエッチングするための装置および方法 | |
| CN110106544A (zh) | 一种SiC单晶纳米尺度的等离子体电化学抛光方法 | |
| JPS6134931A (ja) | シリコン膜の製造方法 | |
| CN108847381A (zh) | 测试基板及延长测试基板使用寿命的方法 | |
| CN114592169B (zh) | 一种无靶框自支撑碳剥离膜及其制备方法 | |
| CN115057623B (zh) | 防眩光玻璃的加工设备及加工其的方法 | |
| CN104195509A (zh) | 基于ito加热片的金属膜电极的制作方法 | |
| CN104201235B (zh) | 一种薄膜太阳能电池azo薄膜的等离子体织构方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170517 |