TW202336271A - 用於電性連接器之奈米塗層保護方法 - Google Patents

Abstract

這裡介紹的是電漿聚合裝置和過程。示例性實施例包括與中心軸基本對稱的形狀的真空室。旋轉架可以可操作地以繞真空室的中心軸旋轉。另外，從真空室的外周以基本對稱的方式圍繞真空室的周邊定位的反應性物質釋放機制可以配置成將反應性物質分散到真空室中。反應性物質可以在一個或多個設備的表面上形成聚合物多層塗層。每層可具有不同的原子組成，以增強聚合物多層塗層的耐水性，耐腐蝕性，和耐摩擦性。

Description

用於電性連接器之奈米塗層保護方法

本公開涉及電漿聚合技術，更具體地，涉及電漿聚合塗層裝置和過程。

電漿聚合塗層處理是一種重要的表面處理技術，因為它具有優於其他傳統技術的優點。例如，在電漿聚合塗層中，聚合物可以直接附接到分子鏈生長的所需表面。這減少了塗覆待處理表面所需的總步驟數。與傳統化學聚合技術相比，其他優點包括可使用更廣泛的單體。

然而，由於傳統電漿塗覆器件的現有設計的多種缺點，傳統的電漿聚合處理經常受到生產限制，導致批量小，效率低，成本高，以及批次一致性差。

一種使用聚合過程產生電漿聚合塗層以保護電連接器免受腐蝕性損壞的方法，該方法包括： 在選定的時間段內，持續移動反應室內的該電連接器； 在該選定的時間段內： 通過以下方式將過渡層施加於該電連接器： 將第一單體蒸汽釋放到該反應室中， 通過將第一聚合電漿釋放到該反應室中，由該第一單體蒸汽產生第一反應性物質，和 沉積該第一反應性物質以在該電連接器的表面上形成該過渡層，該過渡層具有氧原子與碳原子的第一比率；和 通過以下方式將表面層施加於該電連接器： 將第二單體蒸汽釋放到該反應室中， 通過將第二聚合電漿釋放到該反應室中，由該第二單體蒸汽產生第二反應性物質，和 沉積該第二反應性物質以在該過渡層的表面上形成該表面層，該表面層具有小於該第一比率的氧原子與碳原子的第二比率。

一種反應室，用於使用聚合過程保護電連接器免受腐蝕性損壞，該反應室包括： 旋轉架，由旋轉馬達驅動，將電連接器安置於反應室內，並在該反應室內持續地移動電連接器； 放電腔，用於通過向載氣施加放電來產生聚合電漿； 單體蒸汽管，用於將單體蒸汽釋放到反應室中；和 該反應室和放電腔之間的金屬網格柵，其中電功率施加到金屬網格柵以： 通過將第一聚合電漿釋放到該反應室中以由單體蒸汽產生第一反應性物質，該第一反應性物質沉積在該電連接器的表面上，而將過渡層施加到該電連接器，並且過渡層具有碳原子與氧原子的第一比率，以及 通過將第二聚合電漿釋放到該反應室中以由單體蒸汽產生第二反應性物質，該第二反應性物質沉積在表面層上，而將表面層施加到該電連接器，並且該表面層具有大於該第一比率的碳原子與氧原子的第二比率。

一種電漿聚合塗層，用於保護電連接器免受濕氣和腐蝕性損壞，該電漿聚合塗層包括： 在電連接器的表面上的過渡層，該過渡層具有氧原子與碳原子的第一比率，其中該過渡層由以下中的一個或多個反應性物質形成： 至少一種多官能不飽和烴和烴衍生物單體，和 至少一種Si-Cl，Si-O-C中的有機矽單體；和 在該過渡層表面上的表面層，該表面層具有小於該第一比率的氧原子與碳原子的第二比率，其中該表面層由以下一種或多種產生的反應性物質形成： 至少一種具有低偶極矩的有機單體，和 至少一種單官能不飽和氟碳樹脂單體。

一種在電連接器上施加電漿聚合塗層的方法，該方法包括： 在電連接器的表面上施加過渡層，該過渡層具有氧原子與碳原子的第一比率；和 將表面層施加到過渡層的表面，該表面層具有小於該第一比率的氧原子與碳原子的第二比率，其中該電漿聚合塗層是耐水的，電漿聚合塗層的厚度範圍從5 nm-500 nm，當1 V至30 V的電壓被施加在該電漿聚合塗層上時該電漿聚合塗層是導電的。

下面將參考相關技術方案和附圖詳細描述本公開的某些實施例。在以下描述中，闡述了具體細節以提供對當前公開的技術的透徹理解。在其他實施例中，可以在沒有這些具體細節的情況下實踐這裡描述的技術。在其他情況下，沒有詳細描述諸如特定製造技術的公知特徵，以避免不必要地模糊本技術。本說明書中對“實施例”，“一個實施例”等的引用意味著所描述的特定特徵，結構，材料，或特性包括在本公開的至少一個實施例中。因此，本說明書中的這些短語的例子不一定都指代相同的實施例。另一方面，這些所提及的不一定是相互排斥的。此外，特定特徵，結構，材料，或特性可以在一個或多個實施例中以任何合適的方式組合。而且，應該理解，圖中所示的多種實施例僅僅是說明性的表示，並不一定按比例繪製。

如前所述，電漿聚合塗層能夠產生具有高度期望特性的結果，並且在某些應用中可以很好地發揮作用，例如疏水性薄膜塗層。然而，由於聚合物塗層可以非常薄，因此難以實現所需的塗層一致性。

為了進行電漿聚合塗覆，可以首先將待處理的設備置於真空室中，然後將載氣和氣態有機單體分散到真空室中。通過向單體釋放電能而使氣態有機單體變成等離子態以產生多種類型的反應性物質。接下來，在反應性物質與單體之間或反應性物質本身之間發生額外反應，並在設備表面上形成聚合物膜。在電漿聚合塗覆過程的多個點處，真空室的氣體可包括以下中的一種或多種：載氣，氣態有機單體，通過向單體釋放電能產生的電漿，由電漿和單體蒸汽的組合產生的反應性物質等。在某些應用中，例如疏水或疏油薄膜塗層，電漿聚合塗層能夠產生具有高度期望特性的結果。

傳統的電漿塗覆設備通常配備有矩形真空室，因此，在塗覆過程中，設備承載平臺和放置在其上的設備的位置通常固定在傳統的真空室內。因為同一批次中的不同設備在真空室中處於不同位置，所以它們與電極，單體/載氣出口，真空氣體出口等的距離不同。因此，施加到每個設備的塗層厚度不可避免地根據腔室內每個設備的不同位置而變化。因此，為了減少同一批次在一致性上的變化，目前可用的電漿塗覆設備通常採用小體積的真空室並且小批量處理。該過程大大降低了處理效率並增加了成本。即便如此，它也可能無法產生滿足客戶要求的令人滿意的批次一致性。隨著聚合物塗層應用的快速發展，對這種加工的需求正在迅速增加。

因此，這裡公開了電漿塗覆裝置和技術，其解決了現有電漿塗覆過程中的技術問題，例如小批量，低效率，高成本，和差的批次一致性。在一些實施例中，使用控制機制，例如控制從真空室氣體的排出，增強所施加的電漿聚合塗層的一致性。

電漿化學氣相沉積(PCVD)是使用電漿來在設備表面上產生保護塗層的技術。PCVD過程激活反應性氣體並促進表面上或設備附近的化學反應以產生保護塗層。

PCVD是在保護塗層的製備期間提供許多優點的過程。例如，PCVD是一種幹的過程，不會損壞接收塗層的設備。與聚對二甲苯氣相沉積方法相比，PCVD技術具有較低的沉積溫度，以避免損壞接收塗層的設備，同時提供對所用單體和形成的塗層結構的更大控制。另外，塗層可以均勻地施加在不一致或不規則形狀的設備上。

另外，塗覆過程可以在金手指和設備的其他導電構件上進行，因為塗層不影響產品的正常功能，例如電流傳導，散熱，和數據傳輸。因此，不需要掩模操作來控制設備的哪個區域將接收電漿聚合塗層。因此，簡化的塗覆過程可以提高生產吞吐量和更高的產量。最後，PCVD技術比使用液體化學品施加三塗層保護層更環保，因為減少了不希望的副產物的量。

除了在生產期間的優點之外，PCVD產生的保護塗層與使用其他方法生產的塗層相比具有顯著的優點。例如，相對於通過機械結構(例如，膠塗，橡膠環，和墊圈)的傳統耐水性保護，電漿聚合物膜提供的保護避免了複雜的機械設計，高成本，低產量，和易受磨損。此外，通過避免機械結構來提供耐水性，PCVD保護塗層改善了產品的外觀並改善了用戶體驗。

塗層的另一個優點是對設備的強黏合力，其允許塗層保留在設備的表面上，同時承受正常的磨損。塗層還具有穩定的化學和物理特性，可抵抗溶劑，化學腐蝕，熱，和磨損。另外，PCVD過程能夠產生可以薄至幾納米的塗層。因此，相對於其他塗層，電漿聚合物膜提供了一種有效的方法，用於提供薄且耐用的耐水和耐腐蝕塗層。在以下描述中，闡述了許多具體細節，諸如特定組件，電路，和過程的例子，以提供對本公開的透徹理解。而且，在以下描述中並且出於解釋的目的，闡述了具體的術語以提供對本實施例的透徹理解。然而，對於本領域技術人員顯而易見的是，可能不需要這些具體細節來實踐本實施例。在其他情況下，以框圖形式示出了公知的電路和設備以避免模糊本公開。

這裡使用的術語“耦合”意味著直接或通過一個或多個中間組件或電路連接。通過本文描述的多種總線提供的任何信號可以與其他信號時間複用並且通過一個或多個公共總線提供。另外，電路元件或軟件塊之間的互連可以顯示為總線或單個信號線。或者，每個總線可以是單個信號線，並且每個單個信號線可以替代地是總線，並且單個線路或總線可以表示用於組件之間通信(例如，網絡)的無數物理或邏輯機制中的任何一個或多個。本發明的實施例不應被解釋為限於這裡描述的特定例子，而是在其範圍內包括由所附申請專利範圍限定的所有實施例。 電漿聚合塗覆裝置

圖1和2中所示的是根據本公開的一個或多個實施例的電漿聚合塗覆裝置100，用於將電漿聚合塗層施加到設備115。在示例性實施例中，電漿聚合塗覆裝置包括真空室101，多孔電極102，射頻電源103，放電腔104，金屬網格105，脈衝電源106，放電源107，放電電源108，載氣管109，單體蒸汽管110，尾氣收集管111，旋轉架112，行星旋轉軸113，行星旋轉平臺114，待處理設備115，真空泵116，控制器117，旋轉馬達118，和導向套119。

在一些實施例中，設備115可以是用於傳輸電信號的連接器。連接器可以是用於連接兩個或更多個設備並允許電信號在連接的設備之間傳輸的接口。在一些實施例中，連接器可以是USB ^TM連接器(例如，Micro USB ^TM，USB-A ^TM，USB ^TMType-C連接器，micro-USB ^TM連接器等)，Apple ^TMLighting連接器，HDMI ^TM連接器，柔性印刷電路(FPC)連接器，板對板(BTB)連接器，探頭連接器，或射頻(RF)同軸連接器。在其他實施例中，設備115可以是家用電器，移動設備，計算設備，顯示設備，或可穿戴設備。在一些例子中，設備115是蜂窩電話，耳機，無線耳機，平板電腦，兒童手錶，定位跟蹤器，筆記本電腦，音頻系統，無人駕駛飛行器，增強現實(AR)眼鏡，或虛擬現實(VR)眼鏡。

通過進行電漿聚合過程，設備115可以獲得改善的耐用性和性能。對磨損的耐用性和恢復力是重要的，因為設備115可能遇到頻繁的插拔事件並且在惡劣環境中操作，這增加了潮濕和腐蝕損壞的可能性。因此，如下面將詳細描述的，電漿聚合塗層提供保護以防止設備115遇到的多種損耗。例如，電漿聚合塗層可以提供保護層，使設備115抵抗水和潮濕(例如，由於溫度變化引起的冷凝)。另外，電漿聚合塗層可以提供對抗酸性溶劑，酸性氣體，和鹼性溶劑的保護。最後，電漿聚合塗層還可以對汗液，化妝品，和頻繁的溫度變化提供保護或抵禦。 真空室

真空室101用作容器，其中聚合的電漿可以施加到設備115。為了本公開的目的，術語“真空室”意指具有比腔室外的氣壓低的腔室(例如，作為真空泵116將氣體泵出腔室的結果)。該術語不一定意味著腔室被排氣至真空狀態。出於本文討論的目的，真空室101也可以稱為“反應室”。真空室101可以是在其中發生本文所述的一種或多種化學反應(例如，用於實施所公開的電漿塗覆技術)的腔室。在一些例子中，在塗覆過程中，真空室101可首先排出氣體達到約5毫托的基礎壓力，然後填充載氣。在用載氣填充真空室101之後，真空室101中的氣壓可升高到大約幾十毫托。真空室101的容積可根據實踐運用而變化，例如，在50-3000升之間。腔室材料的例子可包括鋁合金或不鏽鋼。

真空室101具有沿著真空室101的周邊的腔室主體內壁。真空室101的內壁的特徵在於具有與其他俯視圖橫截面直徑相同的圓形俯視圖橫截面，或者具有與其他俯視圖橫截面邊長相同的多邊形。所述多邊形的一些實施例具有至少六個邊。

真空室101的頂蓋和底蓋可以是平板或拱形結構，例如球截形，正多邊形，或橢圓形。在一些實施例中，該結構匹配真空室101的腔室主體內壁的俯視圖橫截面。 多孔電極

在一些實施例中，多孔電極102可以產生電漿，用於預處理在後續步驟中通過聚合而被塗覆的設備115的表面。特別是，高的電功率(例如，超過600瓦)通過多孔電極102連續地放電以產生強電漿。所得到的電漿可用於至少兩個目的：(1)清潔基材表面上的有機雜質，例如水和油污，以及(2)激活有機基材以形成懸空鍵以促進塗層沉積並增強基材和塗層之間的黏合力。在一些實施例中，經由多孔電極102的電漿預處理的表面是可選的。

在一些實施例中，多孔電極102可以形成圓柱形或至少分成兩個圓柱形部分，並且多孔電極102可以與真空室101同軸。多孔電極102可以被孔覆蓋，孔的大小可以在2至30毫米的直徑範圍內。每個孔之間的間距可以在2到30毫米之間。另外，孔可以以均勻的方式佈置或者在每個孔之間具有變化的距離。

多孔電極102安裝在真空室101中，靠近或鄰近真空室101的內壁。多孔電極102可以在距離真空室101的內壁一定距離內形成多孔拱形結構。在一些實施例中，從多孔電極102到真空室101的內壁的距離可以在1到6釐米之間。

電漿聚合塗覆裝置100的真空室101可包括耦合到多孔電極102的射頻電源103。在一些實施例中，射頻電源103被配置為向多孔電極102提供電荷而產生處理用電漿以從一個或多個基材的表面除去雜質。射頻電源103可以耦合到控制器117以接收控制輸出到多孔電極102的功率的射頻控制信號。

例如，多孔電極102可以連接到射頻(例如，高頻)電源103。當來自射頻電源103的功率施加到多孔電極102時，產生電漿以從設備115表面去除雜質。射頻電源103的功率可以配置在15-1500瓦之間。要注意的是，在一些實施例中，在功率放電期間產生的電漿可用於基材表面清潔和預處理。根據一些實施例，用於產生用於清潔(例如，預處理基材表面)的電漿的氣體中含有氧氣。

如上所述，射頻電源103應用於多孔電極102以產生電漿，用於從設備115的表面去除雜質。在一個或多個實施例中，射頻電源103用於驅動放電，即使當或者如果多孔電極102被介電塗層覆蓋時也是如此。相比之下，直流(DC)電源或低頻電源(例如，低於50 Hz)不具有這種優點。由射頻電源103施加的可適用的高頻可以在幾十kHz到幾GHz的範圍內。典型的高頻包括40 kHz，13.56 MHz，和2.45 GHz等。頻率的選擇可能取決於技術要求或規格，現有產品的材料特性，和成本。應注意，介電塗層領域的普通技術人員應該能夠選擇合適的高頻率來進行特定材料的塗覆。

另外，因為射頻電源103的電極極性交替，所以電極被認定為驅動電極和接地電極而不是陰極和陽極電極。在所公開的裝置的一個或多個實施例中，連接到射頻電源103的輸出的多孔電極102是驅動電極。在這些實施例的至少一些中，真空室101的壁可以用作接地電極。附加地或替代地，尾氣收集管111也可以用作接地電極。 放電腔

電漿聚合塗覆裝置100的真空室101包括圍繞真空室101的周邊定位的分散機制。在一些實施例中，真空室101配置成以基本均勻的方式將反應性物質分散到真空室101中。分散機制可以配置成將反應性物質朝向真空室101的中心軸分散，使得反應性物質在一個或多個基材的表面上形成聚合物塗層。分散機制可包括放電腔104和金屬網格105，構造成在放電腔和真空室101之間產生壓差。金屬網格105還可配置成減少或防止氣體從真空室101回流到放電腔。

在一些實施例中，放電腔104連接到真空室101。放電腔104包括耦合到放電電源108的放電源107，以產生用於聚合的電漿。放電源107的一端可以連接到放電電源108。載氣管109的另一端可以與載氣源相鄰。單體蒸汽管110可以耦合到真空室101，並且其出口可以位於放電腔104的前面。單體蒸汽管110的另一端可以連接到單體蒸汽源。

在一些實施例中，放電腔104可以形成圓柱形，並且可以由包括例如鋁，碳鋼，或不鏽鋼材料的材料製成。放電腔104的直徑範圍為5至20釐米，深度為3至15釐米，兩個相鄰放電腔之間的距離為7至40釐米。放電腔104的軸可以與真空室101的軸正交，以向電漿提供最大的開口面積以行進到真空室101。在替換實施例中，該過程在幾帕斯卡的壓力下，自由擴散主導電漿蔓延，因此放電腔的方向不太重要。

放電腔和真空室之間的多種尺寸比。例如，單個，相對大的放電腔104允許分散更大體積的基於載氣的電漿。然而，單個放電腔將基於載氣的電漿從單一方向提供到真空室101中，因此不能提供聚合塗層的足夠一致性。相反，放電腔的數量和分佈由所需的塗層一致性決定。一致分佈的較小的放電腔104提供了塗覆塗層的更大一致性。然而，太多小的放電腔存在技術限制並增加了成本。應優化最終設計，以提供一致性，技術限制，和成本之間的平衡。

放電腔104設置有載氣管109，其將載氣從載氣源導入到放電腔104。載氣在放電腔104中被電離並變成電漿(即，通過電離產生的正離子和電子的混合物)。載氣將能量轉移到單體蒸汽中以使單體蒸汽激活成高能狀態(即，單體蒸汽變成被激活的物質)。在一些實施例中，載氣甚至可以使單體的一些化學鍵斷裂並形成反應性粒子，例如自由基。

當載氣在放電源107處遇到來自放電電源108的放電時，載氣形成電漿。在塗覆過程中，放電腔104以相對低的功率放電以產生弱電漿。弱電漿通過金屬網格105間歇地釋放到真空室101中，以引發單體聚合並沉積在基材表面上以形成聚合塗層。根據實施例，放電源107可以是燈絲，電極，感應線圈，或微波天線。放電源107可具有2至500 W的放電功率。

根據實施例，多孔電極102和放電腔104彼此獨立，並且它們可以一起或分開操作。在一些實施例中，在電漿聚合塗覆過程中，多孔電極102用於(1)樣品的預處理和(2)腔室的後清潔。也就是說，在這些實施例中，多孔電極102在塗覆過程中不起作用。另一方面，根據一個或多個實施例，放電腔104主要用於塗覆。附加地或替代地，放電腔104也可以用於腔自身的後清潔。

出於本文公開的目的，術語“強電漿”與射頻電源103施加的相對於放電電源108施加的功率的較高的功率相關。強電漿的典型放電功率可以是幾百瓦，電漿密度在10 ⁹-10 ¹⁰/cm ³之間。相反，術語“弱電漿”與放電電源108施加的相對於射頻電源103施加的功率的較低的功率相關。弱電漿的典型放電功率可以是幾瓦到幾十瓦，電漿密度在10 ⁷-10 ⁸/cm ³之間。單體的示例材料含有丙烯酸酯，如乙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯，或(全氟環己基)甲基丙烯酸酯(perfluorocyclohexyl methyl acrylate)。 金屬網格

在一般真空條件下，即使不存在網格，沿著從氣體入口到排氣口的路徑也可存在壓力梯度。這可以在真空室101的不同位置處通過真空公尺測量。因此，金屬網格105的策略性佈置，例如此處介紹的，可以通過阻礙載氣流來增加放電腔104和真空室101之間的壓力差。一般而言，壓力差可以隨著層數，網格數，和網格的透射率而增加。在一些實施例中，每個層可以具有不同的特徵。例如，一層可以具有較小的開口，而另一層具有較大的開口。另外，可能存在柵門的優選順序(例如，基於載氣的電漿在移動通過具有較小開口的柵門之前移動通過具有較大開口的柵門)。

在一些實施例中，金屬網格105的層數可以在2到6的範圍內。金屬網格105可以由包括例如不鏽鋼或鎳的材料製成。金屬網格105的範圍為100至1000目，透射率可以為25%至40%。金屬網格105增加了壓差以減少或防止載氣從真空室101回流到放電腔104。在一些實施例中，在放電腔和真空室101的內壁的連接位置處設置至少兩層金屬網格105。金屬網格105可以與真空室101的內壁絕緣。

在某些實施例中，金屬網格105可以佈置在放電腔和真空室101內壁的連接位置處。在一些實施例中，在真空室101的外壁上以密封方式設置至少兩個放電腔104。在一些例子中，多孔電極102和放電腔能夠根據特定過程的需要一起或各自地放電。

在一個或多個實施例中，脈衝電源106耦合到金屬網格105。脈衝電源106可以被配置為以脈衝形式向金屬網格105提供正電荷，其中在放電腔中的電漿在脈衝關閉週期被阻止進入真空室101。放電腔中的電漿可以在脈衝開啟週期通過真空室101。

結果，當施加功率時，在放電腔104中產生的電漿被釋放到真空室101中。例如，在脈衝關閉週期(即，當沒有功率施加到金屬網格105時)，電漿被放電腔104內的金屬網格105(至少部分地)阻擋，並且電漿可以在脈衝開啟週期(即，當功率施加到金屬網格105時)通過金屬網格105進入真空室101。在一些實施例中，脈衝電源106輸出具有以下參數的正脈衝：峰值為20至140 V，脈衝寬度為2 μs至1 ms，重複頻率為20 Hz至10 kHz。

類似地，金屬網格105可以對單體蒸汽從真空室101到放電腔104的反向擴散產生阻礙作用。而且，由於放電腔104的壓力會高於真空室101中的壓力，單體蒸汽可能不容易通過反向擴散從真空室101移動到放電腔104，從而防止單體蒸汽被放電腔104中連續釋放的電漿過度分解和破壞。在一些實施例中，金屬網格105可以幫助產生壓差，從而減少或防止載氣回流。 單體蒸汽管

單體蒸汽管110可以連接到真空室101，並且出口可以位於放電腔104附近。單體蒸汽管110的另一端連接到單體蒸汽源。在一些實施例中，單體蒸汽管110的出口與放電腔104之間的距離可以在1至10 cm的範圍內。在一個實施例中，單體蒸汽管110直接連接到真空室101而不是在放電腔104內。這是為了避免單體蒸汽暴露於來自放電腔104的強電荷。

在一些實施例中，當在預處理期間(例如，步驟306)激活多孔電極102時，沒有單體蒸汽被導入真空室101中。在電漿聚合塗覆期間，單體蒸汽可以部分地釋入和釋出放電腔104。然而，單體蒸汽釋入到放電腔104中可能是不希望的，因為它可能導致單體分子的過度分解。因此，單體蒸汽管110可以設計成直接連接到真空室101，以避免單體蒸汽在通過放電腔104時被強放電。當然，基於載氣的電漿間歇地從放電腔釋放，以最小化的放電來激活單體蒸汽。 尾氣收集管和真空泵

電漿聚合塗覆裝置100的真空室101可包括沿真空室101的中心軸垂直定位的尾氣收集管111。在一些實施例中，真空室101可操作以具有低於真空室的氣壓，以在受控的排氣速率下收集真空室101的氣體中的過量的反應性物質。

尾氣收集管111的一個或多個端部可以是中空的並且在排氣口處連接到真空泵116。另外，孔沿尾氣收集管111的壁分佈。真空室101中的氣體通過尾氣收集管111上的孔進入尾氣收集管111，然後通過真空泵116從真空室101排出。施加到真空泵116的功率可以在3-50 kW之間，並且泵速可以在600-1200 m ³/h之間。尾氣收集管111的內徑可以在25到100 mm的範圍內。在一些實施例中，孔可以均勻地設置在尾氣收集管111的壁上。孔的尺寸可以在2到30 mm的範圍內，並且孔之間的間隔可以在2到100 mm的範圍內。

真空泵116可以配置成通過尾氣收集管111評估來自真空室101的氣體。真空泵116的操作可以通過接收來自控制器117的控制信號來控制，該控制信號指示泵的速率，真空室101的氣體在該速率下被排出。

真空泵116可以接收控制信號，該控制信號啟動真空泵116的操作以排出真空室101中的氣體。這可以在引入載氣或單體蒸汽之前執行，以便在將電漿聚合塗層施加到設備115之前去除任何不需要的氣體，電漿，反應性物質，或污染物。例如，當真空室101中存在過高濃度的反應性物質時，可以從控制器117接收指示真空泵116應該在最大泵速下(例如，1200 m³/h)操作的控制信號。相反，當存在較低濃度的反應性物質時，可以使用最小泵速(例如600 m ³/h)或者可以停止真空泵116的操作。

另外，真空泵116可以接收控制信號，該控制信號控制在電漿聚合塗覆過程期間用於排出真空室101中的氣體的泵速。在一些例子中，反應性物質的產生可導致真空室101內的局部區域處的反應性物質的濃度變化。

在一個例子中，反應性物質的濃度可受單體蒸汽被導入真空室101的量或速率的影響。如果快速導入單體蒸汽，則可在真空室101內形成過量的反應性物質。除了反應性物質的總量之外，在導入更多單體蒸汽的區域中可能形成高局部濃度的反應性物質。

在另一個例子中。反應性物質的產生可能受到施加到載氣的放電功率的速率和/或水平的影響。速率或功率越大，總體上可產生的電漿的量越大。另外，放電施加到載氣的放電腔104的開口處可以維持電漿的較大局部濃度。當電漿與單體蒸汽會聚時，電漿的較大局部濃度可能會進而導致反應性物質的較大局部濃度。

在又一個例子中，反應性物質的產生可能受到能量從電漿轉移到單體蒸汽的速率的影響。例如，如果能量從電漿轉移到單體蒸汽的速率很高，則真空室101中電漿和單體蒸汽相遇處的局部濃度會增加。另外，在理想量的電漿和單體會聚的區域中，反應性物質的局部濃度會升高。

對於另一個例子，反應性物質的濃度可能受到設備115上的反應性物質的沉積的影響。當反應性物質沉積在設備115上時，較少的反應性物質保留在真空室101的氣體中。因此，反應性物質從真空室101的外部區域朝向中心軸移動並沉積在設備115上，氣體中的反應性物質的濃度朝向真空室101的中心軸減小而形成梯度。在一個對等效果的例子中，隨著反應性物質朝向真空室101的中心軸會聚，氣體中反應性物質的濃度升高。本領域普通技術人員將認識到多種其它因素可能影響真空室101中反應性物質的濃度。例如，反應性物質的濃度可能受電漿與單體蒸汽的比例的影響。

基於影響上述反應性物質產生的多種因素，在真空室101內可形成不均勻或不希望的反應性物質濃度水平。在一些實施例中，可控制真空泵116的泵速以補償對於反應性物質的不均勻或不希望的濃度水平。真空泵116可以接收控制信號以增加泵速從而減少真空室101內的反應性物質的總量。另外，真空泵116可以接收控制信號以減少在局部區域處例如電漿和單體蒸汽會聚的區域的反應性物質的較高濃度。

例如，可以增加泵速以消除電漿和單體氣會聚處的反應性物質的局部濃度的增加。在另一個例子中，可以降低泵速以消除在以降低的電功率施加到載氣處的反應性物質的減少了的局部濃度。本領域普通技術人員將認識到，真空泵116可以以多種方式配置以增強真空室101中的反應性物質的一致性。例如，可以控制時機，週期操作，和逐漸增加/降低泵速以對反應性物質濃度的變化進行補償或對具有不同反應性物質濃度的局部區域進行補償。 中空導向套

在一些實施例中，尾氣收集管111的一端可以連接到中空導向套119。中空導向套119可以被配置為允許尾氣收集管111沿中心軸旋轉的支撐結構。在一些例子中，尾氣收集管111可以插入到中空導向套中。這可以通過將中空導向套119的內徑配置為等於或大於尾氣收集管111的外徑來實現。本領域普通技術人員將認識到，可以以其他方式來配置中空導向套119用作支撐結構功能。例如，中空導向套119可以被構造成插入尾氣收集管111中。這可以通過將中空導向套119的外徑配置為等於或小於尾氣收集管111的內徑來實現。 旋轉架

電漿聚合塗覆裝置100的真空室101可包括旋轉架112，旋轉架112可操作地耦合到行星旋轉軸113並且構造成沿中心軸旋轉。在一些實施例中，主旋轉架包括一個或多個架層，每個架層架持來自一個或多個基材平臺的多個基材平臺。在一些實施例中，主旋轉軸可以與尾氣收集管111耦合或以其他方式集成。

在一些實施例中，旋轉架112耦合到一個或多個行星旋轉軸113，行星旋轉軸113又耦合到旋轉平臺114。行星旋轉軸113可支持沿與行星旋轉軸同軸的次軸旋轉的行星旋轉平臺114。另外，行星旋轉軸113可以遠離真空室101的中心軸。主旋轉架沿中心軸的旋轉和次旋轉架沿次軸的旋轉可以在塗覆過程中為一個或多個基材中的每一個提供相同的空間移動速率，以實現一致塗覆。在一些例子中，行星旋轉軸113的數量可以在2到8之間，並且行星旋轉平臺114的數量可以在1到10之間。

電漿聚合塗覆裝置的真空室101還包括一個或多個基材平臺，其配置成承載要接收電漿聚合塗覆的一個或多個基材。每個基材平臺可以位於次旋轉架上。基材平臺可以是行星旋轉平臺114。行星旋轉平臺114允許放置待處理的設備115，使得設備115沿著真空室101持續移動。行星旋轉平臺114沿著行星旋轉軸113安置，其中每個行星旋轉平臺114圍繞它們自己的行星旋轉軸旋轉，而行星旋轉軸圍繞真空室101的中心軸旋轉。持續的移動允許在設備115的表面上進行一致的電漿聚合處理。

注意，即使對於行星旋轉軸113的旋轉相對於旋轉架112的旋轉沒有特定的方向要求，總體上這些旋轉應該適當地被調節和調整(例如，為了旋轉平衡和穩定性)，使得基本上所有樣品在塗覆過程中都可以經歷相同的空間移動，以實現一致的塗覆。類似地，對轉速沒有特別限制；然而，很明顯，過快的轉速是不利的，因為不必要的功率消耗，部件損耗，以及平臺的不穩定性。 聚合控制器

在一些實施例中，電漿聚合塗覆裝置100包括控制器117，控制器117被配置為提供控制信號，以調節電漿聚合塗覆裝置100的多種部件的操作。控制信號允許裝置調節應用於設備115的電漿聚合過程。

控制器117可以將轉速信號傳輸到旋轉馬達118。轉速信號指示旋轉馬達118應該操作的轉速。調節轉速可以決定設備115穿梭真空室101的速率。例如，更快的轉速可以允許基材相對快速地穿梭真空室101。因此，真空室101中的電漿濃度的任何不均衡都將被抵消，因為設備115將快速暴露於電漿濃度梯度的兩端。

在一些實施例中，分散機制通信地耦合到控制器117，以從控制器接收分散控制信號，以基本上均勻地控制反應性物質在一個或多個基材上的分散速率。分散控制信號通過調節施加到分散機制的電功率和/或通過調節進入聚合用的分散機制的氣體速率來控制反應性物質的分散速率。在一些實施例中，分散速率控制信號調節分散速率以導致由於在一個或多個基材上反應性物質的沉積所致的真空室101內的反應性物質的密度降低，以及由於反應性物質朝向室的中心會聚所致的在真空室101內的反應性物質的密度增加，而使真空室101內的反應性物質的密度是一致的。

例如，控制器117可以發送分散控制信號到放電電源108以指示應該施加到放電源107的功率。調節施加到放電源107的功率允許控制在放電腔104形成電漿的速率。因此，放電源107的功率變化可能影響電漿密度的變化以及真空室101中電漿的特性，並最終影響施加到設備115的電漿的厚度。

在一些實施例中，脈衝電源從控制器接收脈衝控制信號，脈衝控制信號調節正電荷的功率和頻率。具體地，控制器117可以將脈衝控制信號發送到脈衝電源106。脈衝控制信號指示由脈衝電源106施加到金屬網格105的功率。具體地，脈衝電源106在金屬網格105上施加正電脈衝偏置，從而允許在放電腔104中產生的電漿間歇地釋放到真空室101中。例如，金屬網格105可以在脈衝關閉週期阻擋放電腔104內的電漿，並且金屬網格105可以在脈衝開啟週期允許電漿進入真空室101。使用這種機制，脈衝控制信號控制允許電漿從放電腔104進入真空室101的持續時間和頻率。

控制器117可以將射頻功率控制信號發送到射頻電源103。射頻功率信號向射頻電源103指示何時向多孔電極102施加功率以產生用於從設備115去除雜質的電漿。例如，控制器117可以在電漿聚合過程開始時將射頻功率控制信號發送到射頻電源103的功率，以預處理設備115，或者在將電漿施加到基材上之後進行設備115和真空室101的後處理。

控制器117還發送多種控制信號，用於調節氣體的導入和排出到行星旋轉架設備中。例如，控制器117將載氣控制信號傳輸到載氣管109。該控制信號指示應將載氣導入放電腔104的速率。控制器117還將單體蒸汽控制信號傳輸到單體蒸汽管110。單體蒸汽控制信號表示單體蒸汽氣體被導入真空室101的速率。

在一些實施例中，收集管通信地耦合到控制器以從控制器接收排氣速率控制信號以控制反應性物質的排氣速率。例如，控制器117向尾氣收集管111提供尾氣控制信號。該信號控制從真空室101排出氣體的速率。在一些實施例中，控制器發送排氣速率控制信號以調節反應性物質從真空室101中排出的速率。控制排氣速率以導致影響真空室101內反應性物質密度的兩個因素：(1)由於反應性物質沉積到一個或多個基材上而導致的真空室101內的反應性物質的密度降低和(2)由於反應性物質朝向腔室的中心會聚而導致真空室101中的反應性物質的密度增加，而使遍佈真空室101的反應性物質的密度是一致的，(3)基於導入反應室的單體蒸汽的速率，在真空室101內反應性物質的增加，和(4)基於電功率施加到載氣以產生電漿的速率，真空室101內反應性物質的增加，和(5)基於來自電漿的能量轉移到單體蒸汽的速率，真空室101內反應性物質的增加。

控制器117可以是微控制器，通用處理器，或者可以是專用集成電路，其提供算術和控制功能以實現本文公開的技術。處理器可以包括高速緩沖存儲器(為簡單起見未示出)以及其他存儲器(例如，主存儲器，和/或非易失性存儲器，例如硬盤驅動器或固態驅動器)。例如，高速緩沖存儲器使用SRAM實現，主存儲器使用DRAM實現，非易失性存儲器使用閃存或一個或多個磁盤驅動器實現。根據一些實施例，存儲器可包括一個或多個存儲器芯片或模塊，控制器117上的一個或多個處理器可以執行存儲在其存儲器中的多個指令或程序代碼。 旋轉馬達

在一些實施例中，電漿聚合塗覆裝置100包括旋轉馬達118以在真空室101內旋轉設備115。設備115的旋轉增強了在設備115上施加的電漿聚合塗層的一致性。在一些實施例中，旋轉馬達118致動旋轉架112的旋轉，該旋轉架112耦合到尾氣收集管111，使得行星旋轉平臺114沿著相對於真空室101的中心軸的同心路徑旋轉。另外，旋轉馬達118致動沿著沿著行星旋轉軸113的行星旋轉軸的基材平臺的旋轉。如上所述，來自控制器117的控制信號可用於控制旋轉馬達118操作來旋轉旋轉架112和/或行星旋轉軸113的速率。在一些例子中，旋轉頻率可以在10 Hz至50 Hz的範圍內。另外，在一些實施例中，可以在電漿聚合塗覆過程(例如，過程300)期間動態地調節旋轉頻率。

旋轉馬達118可以位於相對於真空室101的多種位置。例如，旋轉馬達118可以位於真空室101下方並且耦合到尾氣收集管111的下端。在其他例子中，旋轉馬達118可以位於真空室101的中心並且耦合到尾氣收集管111的中間。在其他例子中，旋轉馬達118可以位於真空室101上方並且耦合到尾氣收集管111的上端。另外，旋轉馬達118可位於真空室101內或真空室101的外部。

圖2是根據本公開的一個或多個實施例的圖1中所示的電漿聚合塗覆裝置100的結構的示意性俯視圖。

總之，本公開具有多種有益效果。首先，該裝置採用中心軸對稱的真空室101結構，以保持空間聚合反應性材料密度的一致性。真空室101採用一種機制，其中氣體通過側壁供給，徑向輸送，並沿中心軸方向釋放。

在一個或多個實施例中，載氣管109設置在每個放電腔104上並具有出口。載氣可以通過載氣管109進入放電腔，然後通過多層金屬網格105擴散到真空室101中。單體蒸汽管110在真空室101中的放電腔104前面設有出口。單體蒸汽氣體通過單體蒸汽管110進入真空室101。此外，尾氣收集管111沿真空室101的軸同軸地設置在真空室101中。尾氣收集管垂直穿過真空室101。尾氣收集管111的一端連接到真空泵116，並且孔均勻地分佈在管壁上。尾氣通過尾氣收集管上的孔進入尾氣收集管，然後通過真空泵116從真空室101排出。

在前述方法中，其中氣體經由側壁進料，徑向輸送並沿中心軸方向釋放，氣體輸送過程以會聚方式進行，這可以有助於增加在空間聚合反應中的反應性物質濃度的穩定性，以及更均勻的反應性物質分佈。在一個實施例中，該過程開始於當單體蒸汽在放電腔104附近與基於載氣的電漿接觸時產生聚合反應的反應性物質。由載氣激活，產生的聚合反應的反應性物質朝向真空室101的軸徑向分散。當設備115在真空室101中旋轉時，由於連續消耗，聚合反應的反應性物質的量逐漸減少。同時，聚合反應的反應性物質也逐漸會聚，這可以補償前述聚合反應的反應性物質的量的減少。以這種方式，聚合反應的反應性物質的濃度可以保持穩定。真空室101中的反應性物質的容積密度可以保持不變，因此批量處理可以具有良好的一致性。

換句話說，反應性物質釋放機制和收集管可以以這樣的方式共同配置，使得由於反應性物質的消耗導致的反應性物質的密度降低可以基本上等於由於反應性物質向收集管會聚而導致的反應性物質的密度增加。因此，反應性物質釋放機制和尾氣收集管111的協調操作可以在真空室101和設備115上提供密度一致的反應性物質。具體地，在一些實施方式中，可以調節釋放機制的釋放速率(例如，通過控制施加的電功率和/或氣體量)以及收集管的排氣速率(例如，通過調節真空泵的功率)，使得可以實現真空室101內的反應性物質的基本一致的密度。在許多實施例中，上述釋放機制和收集管的共同調節對應於給定真空室101的內側壁的橫截面的形狀。也就是說，在這些實施例中，調節釋放機制的釋放速率和收集管的排氣速率的組合以更好地匹配給定真空室101的特定形狀(例如，圓形或多邊形)，以便實現反應性物質的基本一致的密度。

與傳統塗覆設備和技術相比，傳統塗覆設備中相同批次處理的基材塗布厚度差異可大於30%，而使用所公開的設備的相同批次處理的基材塗布厚度差異可小於10%。

第二，該裝置還採用旋轉架112以顯著改善每個基材塗層的一致性。在一個或多個實施例中，真空室101設置有旋轉架112。旋轉架112上的行星旋轉平臺114可以在真空室101中執行行星旋轉運動。具體地，所公開的機制允許每個行星旋轉平臺114沿著行星旋轉軸(例如，沿著行星旋轉軸113)旋轉，同時在相對於真空室101的中心軸的同心路徑中進行旋轉運動(例如，沿著耦合到尾氣收集管111的旋轉架112的旋轉)。

待處理的設備115可以放置在行星旋轉平臺114上。引入的行星旋轉運動允許被處理的每個基材的空間位置和方向在處理過程中連續變化，使得在塗覆處理過程中不同基材的所有空間位置可以基本相同，從而消除了現有技術中不同基材的不同空間位置導致的塗覆差異。因此，所引入的技術可以實現相同塗覆效果和相同批次中不同位置的基材的更好的一致性。

第三，該裝置能夠大大增加真空室101的體積，並顯著提高處理效率。由於真空室101和旋轉架112的結構的改進，對於同一批次的處理，塗層膜厚度一致性可以大大提高。另外，真空室101的容積可以擴大5到6倍。因此，批量處理數量和處理效率大大提高。在一些實施例中，根據本發明的裝置可有效地保護單體蒸汽不被分解和破壞，從而獲得高質量的聚合物塗層。 電漿聚合塗覆過程

本文公開的技術的一個方面包括反應性物質釋放過程。在一個實施例中，該過程通過將基材定位在位於真空室中的基材平臺上開始。真空室101的氣體通過真空泵經由沿真空室101的中心軸定位的收集管的排氣口排出。該過程通過旋轉馬達旋轉耦合到主旋轉軸的主旋轉架來進行。在一些實施例中，主旋轉架被配置為沿中心軸旋轉。然後，載氣通過入口閥釋放到放電腔。載氣可以促進基材和反應性物質之間的反應。通過使用進氣口將單體蒸汽釋放到真空室101中來繼續該過程。該過程使用載氣在真空室101中通過聚合單體蒸汽而產生反應性物質。然後該過程將反應性物質沉積在基材表面上以形成聚合物塗層。

圖3是示出示例性反應性物質釋放過程300的流程圖。在一些實施例中，過程300控制和協調電漿聚合塗覆裝置100的多種組件。

在步驟301中，將設備115放置在真空室101內。在一些實施例中，設備115放置在行星旋轉平臺114上，如圖1和2所示。設備115在行星旋轉平臺114上的放置有助於在電漿聚合塗覆過程中設備115在真空室101內的移動。通過圍繞真空室101的不同區域行進，減小或抵消了電漿密度變化的負面影響，以允許在基材上更均勻的電漿塗布。

在步驟302中，真空泵116可以排出真空室101內的氣體。在一些實施例中，控制器117將控制信號傳輸到真空泵116以控制真空室101內的氣體排出。該過程確保氣體不干擾電漿聚合過程並有利於需要真空的電漿聚合過程。在一些例子中，真空泵116耦合到尾氣收集管111，以在尾氣收集管111中相對於真空室101的氣壓產生負氣壓。負氣壓產生從真空室101流出的氣流。控制器117可以將控制信號傳輸到真空泵116，以控制用於排出氣體的時機，功率，和其他操作參數。

在步驟303中，旋轉架112在真空室101中旋轉設備115。在一些實施例中，控制器可將控制信號傳送到旋轉馬達118以控制旋轉架112的轉速以對塗覆過程中的一個或多個基材中的每一個提供相同的空間移動速率，以實現一致塗覆。具體地，控制器117將控制信號發送到包含用於電漿聚合塗覆的設備115的旋轉架112。在接收到控制信號時，根據本發明的多種實施例，旋轉架112可以旋轉以使設備115在真空室101內旋轉。在一些實施例中，旋轉架112包含行星旋轉軸113和行星旋轉平臺114，用於安置經受電漿聚合過程設備115。旋轉馬達118產生旋轉架112的旋轉運動。控制器117可以將控制信號傳送到旋轉馬達118以控制旋轉的時機，持續時間，和速率。

在步驟304中，行星旋轉軸113和行星旋轉平臺114在真空室101中旋轉設備115。在一些實施例中，次旋轉架在不同於中心軸的次軸上旋轉。具體地，控制器117將控制信號傳輸到行星旋轉軸113。根據本發明的多種實施例，控制信號使行星旋轉軸113沿著次軸獨立地旋轉。額外的旋轉提供了設備115在真空室101內的更寬範圍的移動。這允許通過進一步改變待處理的每個設備115的位置和取向來額外地減輕由電漿密度變化引起的負面影響。

在步驟305中，將載氣導入放電腔104。在一些實施例中，控制器117將控制信號傳輸到載氣管109，以使其將載氣導入放電腔104以激活單體蒸汽。當載氣被導入放電腔104時，放電電源108將電荷施加到放電源107。由於電荷，載氣在放電腔104中被電離並變成電漿(即，電離產生的正離子和電子的混合物)。在一些實施例中，載氣連續地導入放電腔104並在整個聚合過程中變為電漿，直到步驟309。控制器117可以傳輸控制信號，該控制信號控制導入放電腔104的載氣的時機和量以及由放電電源108施加到放電源107的時機和功率。

在步驟306中，過程300可選地產生處理用電漿以從一個或多個設備115的表面去除雜質。在某些實施例中，處理用電漿可以在將反應性物質釋放到真空室101之前被導入真空室101中。在其他實施例中，也可以在將反應性物質沉積在基材表面上之後產生處理用電漿。

在一些實施例中，處理用電漿由耦合到射頻電源的電極產生。具體地，控制器117將控制信號發送到射頻電源103以產生在真空室101中產生電漿的電荷。產生電漿以從經受電漿聚合的設備115去除雜質。另外，電漿可以激活設備115的表面以允許設備115的表面與電漿之間的結合，以形成電漿聚合塗層。在一些實施例中，可以從載氣管109導入載氣以在整個真空室101中擴散電漿。控制器117可以將控制射頻電源103的時機，功率和其他操作參數的控制信號傳輸到多孔電極102。在一些例子中，在該步驟期間可能發生載氣的連續流動。

在步驟307中，反應性物質被產生以施加到經受電漿聚合的設備115的表面。當將電漿導入單體蒸汽時產生反應性物質。來自電漿的能量從電漿轉移到單體蒸汽中以激活單體蒸汽。在一些實施例中，控制器117將控制信號發送到單體蒸汽管110以將單體蒸汽導入真空室101。控制器117還將控制信號發送到放電電源108，以調節施加到放電源107的時機和電量。當放電電源108向放電源107施加功率時，放電腔104中的載氣變為電漿。這提供了控制放電腔104何時產生電漿的機制。

另外，控制器117可以向脈衝電源106提供控制信號以調節施加到金屬網格105的功率。金屬網格105被耦合到脈衝電源106並且被佈置在放電腔和真空室101內壁的連接位置處。金屬網格105調節在步驟305中產生的電漿進入真空室101的流動和到放電腔104中的載氣回流。在一些實施例中，控制器117可以提供控制導入放電腔104的載氣的控制時機和電量的控制信號。

具體地，當向金屬網格105施加功率時，電漿可以穿過金屬網格105，並且當沒有向金屬網格105施加功率時，阻止電漿穿過金屬網格105。當電漿穿過金屬網格105進入真空室101時，電漿將能量轉移到單體蒸汽以將單體蒸汽激活成高能狀態(即，單體蒸汽變成反應性物質)。在一些實施例中，載體蒸汽甚至可以使單體的一些化學鍵斷裂並形成反應性粒子，例如自由基。而且，在一些例子中，在該步驟期間可能發生連續的載氣流。

在步驟308中，可以將在步驟307中產生的反應性物質沉積到經受電漿聚合的設備115的表面。具體地，當單體蒸汽與步驟307中從放電腔104釋放的電漿接觸時，從單體蒸汽產生聚合反應的反應性物質。由載氣電漿激活，產生的聚合反應性物質朝著真空室101的軸徑向分散到設備115上。在一些實施例中，在將反應性物質導入真空室101之後，真空室101將具有電離物質，自由電子，自由基，被激活的分子或原子，和未改變的氣體的組合。

在步驟309中，反應性物質釋放過程300通過降低收集管處的氣壓至低於真空室101的氣壓來收集真空室101的氣體中的過量反應性物質。真空泵的排出速率被配置成導致：(1)由於反應性物質沉積到基材上所致的真空室101內的反應性物質的密度降低，(2)由於反應性物質朝向腔室的中心會聚所致的真空室101中反應性物質的密度增加，而使遍佈真空室101的反應性物質的密度是一致的，(3)基於單體蒸汽被導入反應室的速率在真空室101內的反應性物質的增加，(4)基於將功率施加到載氣以產生電漿的速率在真空室101內的反應性物質的增加，以及(5)基於來自電漿的能量轉移到單體蒸汽的速率在真空室101內的反應性物質的增加。

具體地，控制器117將控制信號發送到真空泵116以從真空室101的氣體中排出過量的氣體，電漿，和反應性物質。將真空泵116耦合到尾氣收集管111以在尾氣收集管111相對於真空室101的氣壓產生負氣壓。負氣壓產生從真空室101流出的氣流。

在一些實施例中，步驟306(即，預處理步驟)應該長於一個行星旋轉週期，使得所有基材樣品已經行進到最接近多孔電極的點以接受電漿。例如，步驟306可能需要1-30分鐘。相比之下，步驟308由所需的膜厚度來確定。通常，步驟308應該比其他步驟花費更長的時間。例如，步驟306可能需要20-300分鐘。最後，應該執行步驟309直到從室中排出過量的單體。例如，步驟309可能需要1-10分鐘。 處理系統

圖4是示出處理系統400的例子的框圖，其中可以實現本文描述的至少一些操作。例如，處理系統400的一些組件可以在控制器設備(例如，圖1和2的控制器117)中實現。

處理系統400可包括一個或多個中央處理單元(“處理器”)402，主存儲器406，非易失性存儲器410，網絡適配器412(例如，網絡接口)，視頻顯示器418，輸入/輸出設備420，控制設備422(例如，鍵盤和指示設備)，包括存儲介質426的驅動單元424，以及通信地連接到總線416的信號發生設備430。總線416被示為表示一個或多個物理總線和/或通過適當的橋接器，適配器，或控制器被連接的點對點連接的抽象。因此，總線416可以包括系統總線，外圍組件互連(PCI)總線或PCI-Express總線，HyperTransport或工業標準架構(ISA)總線，小型計算機系統接口(SCSI)總線，通用串行總線(USB)，IIC(I2C)總線，或電氣和電子工程師協會(IEEE)標準1394總線(也稱為“火線”)。

處理系統400可以與臺式計算機，平板計算機，個人數字助理(PDA)，移動電話，遊戲控制台，音樂播放器，可穿戴電子設備(例如，手錶或健康追蹤器)，網絡連接(“智能”)設備(例如，電視或家庭輔助設備)，虛擬/增強現實系統(例如，頭戴式顯示器)，或能夠執行一組指令(順序或其他)指定處理系統400要採取的動作的其他電子設備共享相似的處理結構。

雖然主存儲器406，非易失性存儲器410，和存儲介質426(也稱為“機器可讀介質”)被示出為單個介質，但術語“機器可讀介質”和“存儲介質”應當包括存儲一組或多組指令428的單個介質或多個介質(例如，集中/分布式數據庫和/或相關的高速緩存和服務器)。術語“機器可讀介質”和“存儲介質”還應當包括能夠存儲，編碼，或攜帶一組指令以供處理系統400執行的任何介質。

通常，為實現本公開的實施例而執行的例程可以實現為操作系統或特定應用，組件，程序，對象，模塊，或指令序列的一部分(統稱為“計算機程序”)。計算機程序通常包括在計算設備中的多種存儲器和存儲設備中的多次設置的一個或多個指令(例如，指令404，408，428)。當由一個或多個處理器402讀取和執行時，指令使處理系統400執行操作以執行涉及本公開的多個方面的元素。

此外，雖然已經在完全運行的計算設備的上下文中描述了實施例，但是本領域技術人員將理解，多種實施例能夠以多種形式被分佈為程序產品。無論何種用於實際產生分佈的特定類型的機器或計算機可讀介質，本公開都適用。

機器可讀存儲介質，機器可讀介質，或計算機可讀介質的其他例子包括可記錄型介質，諸如易失性和非易失性存儲器設備410，軟盤和其他可移動磁盤，硬盤驅動器，光盤(例如，光盤只讀存儲器(CD-ROM)，數字通用盤(DVD))，和諸如數字和模擬通信鏈路的傳輸型介質。

網絡適配器412使處理系統400能夠通過處理系統400和外部實體支持的任何通信協議調整處理系統400之外的實體所在網絡414的數據。網絡適配器412可以包括網絡適配卡，無線網絡接口卡，路由器，接入點，無線路由器，交換機，多層交換機，協議轉換器，網關，網橋，橋接路由器，集線器，數字媒體接收器，和/或轉發器。

網絡適配器412可以包括防火牆，其支配和/或管理接入/代理計算機網絡中的數據的許可，並跟蹤不同機器和/或應用程序之間的不同信任級別。防火牆可以是具有硬件和/或軟件組件的任何組合的任何數量的模塊，其能夠在特定的一組機器和應用程序，機器和機器，和/或應用程序和應用程序之間強制執行預定的一組訪問權限(例如，以規範這些實體之間的流量和資源共享)。防火牆可以另外管理和/或接入訪問控制列表，該訪問控制列表詳細描述了包括被個人，機器，和/或應用程序的對象的訪問和操作權限，以及處於許可權限下的情況的許可。

圖5是示例性電漿聚合塗覆裝置100的示意性前剖視圖，其具有用於旋轉旋轉架112和/或行星旋轉軸113的可選的軸和齒輪。在一些實施例中，聚合塗覆裝置100可包括旋轉馬達118，馬達軸120，馬達軸齒輪121，尾氣收集管主齒輪122，尾氣收集管次齒輪123，旋轉架軸125，旋轉架軸主齒輪126，旋轉架軸次齒輪127，和行星旋轉軸齒輪128。

在一些實施例中，旋轉馬達118耦合到馬達軸120，馬達軸120可以從旋轉馬達118的殼體突出。另外，馬達軸120可以耦合到馬達軸齒輪121。另外，尾氣收集管111可以耦合到尾氣收集管主齒輪122和尾氣收集管次齒輪123。相似地，旋轉架軸125可以被耦合到旋轉架軸主齒輪126和旋轉架軸次齒輪127。

在某些實施例中，旋轉馬達118的操作使尾氣收集管111旋轉。具體地，馬達軸齒輪121可與尾氣收集管主齒輪122配合。當旋轉馬達118旋轉馬達軸120時，馬達齒輪121驅動尾氣收集管主架122。如上所述，尾氣收集管111被耦合到尾氣收集管主齒輪122，並因此一起旋轉。實際上，旋轉馬達118產生的旋轉運動從馬達軸120通過馬達齒輪121和尾氣收集管主齒輪122傳遞到尾氣收集管111。

在一些實施例中，尾氣收集管111的旋轉運動被傳遞到旋轉架軸125。如上所述，尾氣收集管次齒輪123耦合到尾氣收集管111，並因此一起旋轉。另外，尾氣收集管次齒輪123與旋轉架軸主齒輪126配合。因此，當尾氣收集管111旋轉時，尾氣收集管次齒輪123也驅動旋轉架軸主齒輪126的旋轉。由於旋轉架軸主齒輪126耦合到旋轉架125，旋轉架軸主齒輪126的旋轉驅動旋轉架125的旋轉。在一些例子中，旋轉架軸125可以圍在旋轉架112內，實現為套筒圍著旋轉架112，或以任何方式實現，其將旋轉運動從尾氣收集管111傳遞到行星旋轉軸113。

在多種實施例中，旋轉架軸125的旋轉運動被傳遞到行星旋轉軸113。如上所述，旋轉架軸次齒輪127耦合到旋轉架125，並因此一起旋轉。另外，旋轉架次齒輪127與行星旋轉軸齒輪128配合。因此，當旋轉架125旋轉時，旋轉架次齒輪127也驅動行星旋轉軸齒輪128的旋轉。由於行星旋轉軸齒輪128耦合到行星旋轉軸113，行星旋轉軸齒輪128的旋轉驅動行星旋轉軸113的旋轉。

可選的軸和齒輪的一個效果是由旋轉馬達118產生的旋轉運動以多種受控的轉速傳遞到尾氣收集管111和/或行星旋轉軸113。例如，可以使用具有多種直徑的一系列齒輪來實現齒輪比以實現期望的扭矩或轉速。另外，可以配合多種齒輪以在齒輪之間傳遞旋轉運動或者脫離以停止齒輪之間的旋轉運動的傳遞。此外，多種直徑的一系列齒輪可以包含在齒輪箱中。在另一個例子中，一系列齒輪可以分成組(例如，馬達軸齒輪121和尾氣收集管主齒輪122在一組)，並且每組齒輪可以包含在齒輪箱殼體內。另外，一個或多個齒輪箱可以通信地耦合到控制器117，用於接收控制信號。例如，控制信號可以指示要選擇的齒輪的尺寸以及配合或脫離的齒輪。

例如，尾氣收集管111和/或行星旋轉軸113可以通過選擇多種齒輪的特定尺寸比率以受控速率旋轉。具體地，馬達軸齒輪121和尾氣收集管主齒輪122的尺寸比率可以被選擇，以確保尾氣旋轉架112，進而旋轉平臺114，以受控速率沿真空室101的中心軸旋轉。類似地，尾氣收集管次齒輪123和旋轉架軸125的尺寸比率可以被選擇，以確保旋轉架軸125以另一個受控速率旋轉。最後，旋轉架軸次齒輪127和行星旋轉軸齒輪128的尺寸比率可以被選擇，以確保行星旋轉軸113以特定的受控速率旋轉。因此，尾氣收集管次齒輪123，旋轉架軸125，旋轉架軸次齒輪127，和行星旋轉軸齒輪128的尺寸比率可以被選擇，以確保行星旋轉軸113，進而旋轉平臺114，以受控速率沿真空室101的行星軸旋轉。

受控的速率可以確保將電漿聚合塗層一致地施加到一個或多個設備115。受控的速率可以是足夠快的速率，使得一個或多個設備115中的每一個可以穿過具有不同密度的單體蒸汽，載氣，電漿，反應性物質等的真空室101的多個區域。通過確保一個或多個設備115中的每一個穿過多個區域，一個或多個基材中的每一個經歷相同的氣體變化並在每個基材上接受相同的一致的電漿聚合塗層。另外，受控速率可以確保一個或多個設備115中的每一個的方向被移位以確保一致的電漿聚合塗層在每個單獨的基材的表面上是一致的。

圖6是示出示例性反應性物質放電過程600的流程圖。在一些實施例中，過程600可以由電漿聚合塗覆裝置100的多種部件執行。另外，可以用過程600來來施加電漿聚合塗層到設備115。

在步驟601中，過程600準備真空室101，用於對設備115執行示例性反應性物質放電過程600。執行初始化操作以確保在施加電漿聚合塗層之前滿足適當的條件。在某些實施例中，可以以與圖3的步驟301-305一致的方式執行步驟601。

作為初始操作的一部分，設備115可以適當地定位在真空室101中以接收電漿聚合塗覆。例如，設備115可以被放置在行星旋轉平臺114上，如圖1和2所示。設備115在行星旋轉平臺114上的放置有利於設備115在電漿聚合塗覆過程中在真空室101的移動以減少電漿密度變化的負面影響並允許設備115上更一致的電漿塗覆。

在一些實施例中，適當地設定真空室101的氣體條件以確保氣體適合於電漿聚合過程。例如，真空室101可以關閉，使得真空泵116可以排出真空室101中的氣體，直到氣體達到10到300毫托。除了壓力之外，可以調節真空室101的溫度以有利於電漿聚合過程。在一些例子中，可以將真空室101的溫度控制在30至60℃之間。

在過程600中的任何時段期間，設備可以以一致的方式移動。例如，電漿聚合塗覆裝置100可以開始旋轉架112的旋轉以使設備115沿著真空室101的中心軸在受控制的轉速下旋轉。例如，旋轉架112可以使設備115沿中心軸以每分鐘1.5至2.5轉的速度旋轉。另外，電漿聚合塗覆裝置100可以開始行星旋轉軸113和行星旋轉平臺114的旋轉，以使設備115沿著次軸以受控的旋轉在真空室101中旋轉。在一些實施例中，次旋轉架在遠離真空室101的中心軸的次軸上旋轉。

控制器117可以將控制信號傳輸到旋轉馬達118和電漿聚合塗覆到設備115的其他部件，以控制旋轉架112和/或行星旋轉軸113的時機和轉速。另外，旋轉架112和/或行星旋轉軸113的操作與向金屬網格柵105施加功率同時發生，以在將反應性物質沉積到設備115的表面上的同時在整個真空室101中移動電連接器。

在一些實施例中，旋轉架112和/或行星旋轉軸113的旋轉導致設備115在真空室101內的運動。該運動可包括相對於反應室中心軸的線性往復運動或曲線運動。另外，曲線運動可包括沿中心軸的圓周運動，沿中心軸的橢圓運動，球面運動，和具有其他不規則路線的曲線運動中的一個或多個。另外，在一些實施例中，旋轉架112和/或行星旋轉軸113的操作在將反應性物質沉積到設備115上期間改變設備115相對於真空室101的中心軸的方向。另外，旋轉架112和行星旋轉軸113的轉速可以獨立地配置。

在某些實施例中，可將處理用電漿導入真空室101中以從設備115的表面除去雜質並防止電漿聚合塗層中的缺陷。另外，處理用電漿可以激活設備115的表面以允許設備115的表面與用於形成電漿聚合塗層的反應性物質之間的結合。可以通過從射頻電源103向多孔電極102施加電荷來產生處理用電漿。在一些實施例中，控制器117可以將控制時機，功率，和其他操作參數的控制信號發送到射頻電源103。例如，可以在將反應性物質釋放到真空室101之前和/或在將反應性物質沉積在基材的表面上之後施加處理用電漿。在一些例子中，由射頻電源103施加電荷的功率可以是連續放電，脈衝放電，或週期性交替放電。另外，可以根據所需的電漿聚合塗層改變電荷的功率和電荷的持續時間。在一些例子中，由射頻電源103施加的電功率可以在120-400瓦之間，並且電荷的持續時間可以在60到450秒之間。

在步驟602中，從載氣管109導入到放電腔104中的載氣產生電漿。通過從放電電源108向放電源107施加放電產生電漿。在一些實施例中，步驟602可以以與圖3的步驟305一致的方式進行。在將載氣導入放電腔104後，通過放電電源108將電荷施加到放電源107。電荷電離載氣並使載體氣體成為等離子。控制器117可以傳輸控制信號，該控制信號控制導入放電腔104的載氣的時機和量以及由放電電源108施加到放電源107的時機和功率。在一些實施例中，載氣可以包括以下一種或多種：氦，氖，氪，和氬。然而，本領域普通技術人員可以認識到，基於例如將能量轉移到單體蒸汽的能力，可以使用其他元素作為載氣。

在某些實施例中，可以使用以下中的一個或多個來產生放電：射頻放電，微波放電，中頻放電，正弦或雙極脈衝波形，高頻放電，和電火花放電。另外，高頻放電和中頻放電可以具有正弦或雙極脈衝波形。在一些例子中，射頻放電通過高頻電磁場放電產生電漿。在其他例子中，高頻放電和中頻放電具有正弦或雙極脈衝波形。

在又一個例子中，微波放電使用微波能量來激發電漿。微波方法具有高能量利用效率的優點。另外，微波放電不使用電極，所得到的電漿是純淨的。因此，微波放電提供高質量，高速度，和大面積應用的電漿聚合塗層。

在一些實施例中，可以通過放電電源108施加脈衝放電或週期性交替放電以產生電漿以在過程600的特定時段期間釋放到真空室101中。在一個例子中，脈衝放電使用功率在50到200瓦之間，持續時間在600到3600秒之間。另外，脈衝放電的頻率可以在1到1000 HZ之間，並且脈衝的占空比可以在1：1到1：500之間。在又一個例子中，週期性交替放電使用50-200瓦的功率，持續時間在600到3600秒之間。另外，放電的交替頻率可以在1到1000 HZ之間。在一些實施例中，週期性交替放電可以是鋸齒波形，正弦波形，方波形，全波整流波形，或半波整流波形。

在步驟603中，可以將單體蒸汽導入真空室101。在一些實施例中，步驟603可以以與圖3的步驟307一致的方式進行。單體蒸汽用於產生在設備115上沉積的反應性物質以形成電漿聚合塗層。當能量從電漿轉移到單體蒸汽時，可以從單體蒸汽中產生反應性物質。在一些實施例中，單體蒸汽可以部分地釋放到放電腔104中以釋放到真空室101中。在其他實施例中，單體蒸汽可以通過單體蒸汽管110直接釋放到真空室101中以避免單體蒸汽釋放到放電腔104。在其他實施例中，控制器117可以將控制信號傳輸到單體蒸汽尾管110，以選擇釋放的單體蒸汽的類型，單體蒸汽釋放的速率，以及單體蒸汽釋放的時機。在一些實施例中，將單體蒸汽以一定速率導入真空室101中，使得氣體達到10-300毫托。

可以選擇多種單體蒸汽以獲得具有良好電絕緣性能和低擊穿電壓的緊湊且一致的電漿聚合塗層。在一些實施例中，單體蒸汽可包括以下中的一種或多種：包含至少一種具有低偶極矩的有機單體的第一蒸汽，包含至少一種多官能不飽和烴和烴衍生物單體的第二蒸汽，包含至少一種單官能不飽和氟碳樹脂單體的第三蒸汽，和包含至少一種Si-Cl，Si-O-C，或環結構的有機矽單體的第四蒸汽。

單體蒸汽可包括包含至少一種具有低偶極矩的有機單體的第一蒸汽。具有低偶極矩的低偶極聚合物可以減少對電漿聚合塗層上的電信號的干擾。在某些實施例中，第一蒸汽可包括以下中的一種或多種：對二甲苯，苯，甲苯，四氟化碳，α-甲基苯乙烯，聚對二氯甲苯，二甲基矽氧烷，烯丙基苯，十氟聯苯，十氟二苯甲酮，全氟(丙烯基苯)，四氟乙烯，六氟丙烯，1H,1H-全氟辛胺，全氟十二烷基碘，全氟三丁胺，1,8-二碘全氟辛烷，全氟己基碘，全氟丁基碘，全氟癸基碘，全氟辛基碘，1,4-雙(2’,3’-環氧丙基)全氟丁烷，十二氟-2-甲基-2-戊烯，2-(全氟丁基)乙基甲基丙烯酸酯，2-(全氟辛基)乙基甲基丙烯酸酯，2-(全氟辛基)碘乙烷，全氟癸基乙基碘，1,1,2,2-四氫全氟己基碘，全氟丁基乙烯，1H,1H,2H-全氟-1-癸烯，2,4,6-三(全氟庚基)-1,3,5-三嗪，全氟己基乙烯，3-(全氟辛基)-1,2-環氧丙烷，全氟環醚，全氟十二基乙烯，全氟十二基乙基碘，二溴對二甲苯，1,1,4,4-四苯基-1,3-丁二烯，和聚二甲基矽氧烷(分子量為500-50000)。

單體蒸汽還可包括第二蒸汽，其包含至少一種多官能不飽和烴和烴衍生物單體。多官能不飽和烴和烴衍生物單體具有至少兩個反應性基團，以允許交聯聚合物塗層的形成。在一些實施例中，第二蒸汽可包括以下中的一種或多種：1,3-丁二烯，異戊二烯，1,4-戊二烯，三羥甲基丙烷乙氧基化物三丙烯酸酯，三(丙二醇)二丙烯酸酯，聚(乙二醇)二丙烯酸酯，1,6-己二醇二丙烯酸酯，乙二醇二丙烯酸酯，二乙二醇二乙烯基醚，和新戊二醇二丙烯酸酯。

單體蒸汽可進一步包括含有至少一種單官能不飽和氟碳樹脂單體的第三蒸汽。單官能不飽和氟碳樹脂單體是有利的，因為它允許形成防水聚合物塗層。第三蒸汽可包括一個或多個：單官能不飽和氟碳樹脂包括：3-(全氟-5-甲基己基)-2-羥基丙基甲基丙烯酸酯，2-(全氟癸基)乙基甲基丙烯酸酯，2-(全氟己基)乙基甲基丙烯酸酯，2-(全氟十二烷基)乙基丙烯酸酯，2-全氟辛基乙基丙烯酸酯，1H,1H,2H,2H-全氟辛基丙烯酸酯，2-(全氟丁基)乙基丙烯酸酯，(2H-全氟丙基)-2-丙烯酸酯，(全氟環己基)甲基丙烯酸酯，3,3,3-三氟-1-丙炔，1-乙炔基-3,5-二氟苯，和4-乙炔基三氟甲苯。

最後，單體蒸汽可包括第四蒸汽，其包含至少一種Si-Cl，Si-O-C，或環結構的有機矽單體，其允許形成耐磨塗層。在一些實施例中，第四蒸汽可包括一個或多個：四甲氧基矽烷，三甲氧基氫矽氧烷，三乙氧基辛基矽烷，苯基三乙氧基矽烷，乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)矽烷，三乙基乙烯基矽烷，六乙基環三矽氧烷，3-(甲基丙烯醯氧基)丙基三甲氧基矽烷，苯基三(三甲基矽氧基)矽烷，二苯基二乙氧基矽烷，十二烷基三甲氧基矽烷，三乙氧基辛基矽烷，二甲氧基矽烷，和3-氯丙基三甲氧基矽烷。

步驟603中使用的蒸汽取決於正在形成的塗層。例如，交聯結構單體產生反應性物質，其改善電漿聚合塗層的強度和耐水性。在一些實施例中，步驟603-605被執行以將過渡層施加到設備115的表面。過渡層是形成在設備115的表面和電漿聚合塗層的表面層之間的中間層。在一些實施例中，過渡層可以包括第二蒸汽，其包含至少一種多官能的不飽和烴和烴衍生的單體和/或包含在在Si-Cl，Si-O-C的至少一種有機矽單體的第四蒸汽。如上所述，兩種蒸汽提供了交聯聚合物塗層的形成和提供耐水性的結構。

可基於單體蒸汽和載氣的多種特性改變過程600中使用的過程參數。例如，可以基於分子鍵能，鍵長，和不同單體蒸汽的蒸發溫度差異來選擇步驟603中導入的蒸汽類型或不同蒸汽的比例。另外，蒸發溫度越高，施加到單體蒸汽的溫度需要越高。在其他實施例中，可以改變釋放單體蒸汽的速率，以影響產生反應性物質的速率和真空室101中反應性物質的所得密度。在一些例子中，單體蒸汽可以10至10-1000 μL/min的速率釋入真空室。

另外，可以根據分子鍵能，鍵長，和不同單體的汽化溫度差異的不同來選擇施加到第一，第二單體蒸汽，和/或載氣的能量，以產生提供耐水性和低擊穿電壓的緻密的過渡層和表面層。如上所述，來自電漿的能量被轉移到單體蒸汽中以釋放沉積在設備115上的反應性物質。所需的能量取決於所使用的單體蒸汽。例如，需要足夠的能量來破壞單體蒸汽的分子鍵並釋放反應性物質。如果試劑具有較大的鍵能，則施加於單體的能量需要更大。類似地，單體的鍵長越短，所需的能量越大。

在步驟604中，產生反應性物質以施加到設備115的表面上。當在步驟602中產生的電漿從放電腔104被釋放到真空室101中並且來自電漿的能量被轉移到在步驟603中釋放的單體蒸汽時，產生反應性物質。在一些實施例中，可以以與圖3的步驟307一致的方式執行步驟604。

在一些實施例中，可以通過金屬網格105來調節從放電腔104到真空室101的電漿的釋放。具體地，控制器117可以向脈衝電源106提供控制信號以調節施加到金屬網格105的功率。當向金屬網格105施加功率時，電漿可以穿過金屬網格105，並且當沒有向金屬網格105施加功率時，阻止電漿穿過金屬網格105。在一些實施例中，電漿可以引起單體的化學鍵斷裂並形成例如自由基的反應性粒子。

在一些實施例中，可以通過對金屬柵門105使用持續放電或週期性放電來控制電漿的釋放。例如，對金屬柵門105施加持續的放電允許電漿持續地流入真空室101。在另一個例子中，對金屬柵門105施加週期性放電允許電漿週期性地流入真空室101。週期性放電可以是連續放電或不連續放電，例如脈衝放電。

在一些實施例中，可以使用多個階段進行電漿的釋放。例如，可以使用向金屬柵門105施加持續放電的階段來執行電漿的釋放。持續的放電允許電漿持續地從放電腔104釋放到真空室101中。可以通過對金屬柵門105施加週期性放電來執行另一個階段。週期性放電可以是連續或不連續的放電。例如，連續放電可以採用正弦波形的形式。在另一個例子中，不連續放電可以採用鋸齒波形，方波形，全波整流波形，半波整流波形，或脈衝放電的形式。本領域普通技術人員將認識到，可以使用連續和週期波形的任何組合來執行一個或多個階段。

可以通過利用金屬網格105來精確控制流入真空室101的電漿脈衝來執行混合電漿聚合過程。例如，可以使用如上所述的週期性放電例如脈衝放電來執行混合電漿聚合過程。在週期性放電期間，週期性地向金屬柵門105施加放電。當對金屬柵門105施加放電時發生電漿開啟週期。相反，當沒有對金屬柵門105施加放電時發生電漿關閉週期。

在一些實施例中，該混合過程以電漿開啟週期開始(即，當電荷施加到金屬柵門105時)。隨著電漿流入真空室101並在電漿開啟週期沉積在設備115的表面上，電漿聚合物組形成的一部分通過碎裂-多重組合過程通過化學可聚合單體例如乙烯基或丙烯酸單體的電漿-化學激活而發生。

隨後，在電漿關閉週期(即，當電荷未施加到金屬柵門105時)，電漿不會流入真空室101。在此期間，在設備115的表面上發生自由基鏈增長。例如，與電漿開啟週期的碎裂-多重組合過程相比電漿聚合物形成的更大部分可歸因於電漿關閉週期的自由基鏈增長。在一些實施例中，變換在電漿開啟週期(即，碎裂-多重組合過程)和電漿關閉週期(即，自由基鏈增長過程)之間的時長比導致消散來自層的能量的層的交替微結構。

使用由金屬網格105提供的電漿釋放的精確控制，可以產生具有不同厚度的電漿開啟和電漿關閉子層的電漿聚合塗層。具體地，可以通過改變在電漿開啟或電漿關閉週期形成的每個層的厚度來產生漸變結構。例如，每個層的厚度可以隨著施加到設備115上的每個新層而減小。

在步驟605中，將步驟604中產生的反應性物質沉積到經受電漿聚合的設備115的表面。在一些實施例中，步驟605可以以與圖3的步驟308一致的方式執行。步驟604的所生成的反應性物質可以朝向真空室101的軸徑向分散到達設備115上。在一些實施例中，將反應性物質導入真空室101，真空室101將具有電離組分，自由電子，自由基，被激活的分子或原子，和無改變的氣體的組合。在一些實施例中，自由基在設備115的表面上聚合以形成聚合物塗層。

將反應性物質沉積在設備115的表面上以產生緊密且一致的電漿聚合塗層，其具有良好的電絕緣特性和與擊穿效應相關的低擊穿電壓。具體地，擊穿效應是允許通過塗層導電的機制。由於聚合物膜非常薄並且具有許多納米尺寸的孔，因此當在塗層上施加低電壓時，低電壓可以提供導電通道。

與本文公開的多種實施例一致，設備115的移動(例如，在步驟601中開始的移動)可以在整個過程600中操作，以確保設備115穿行於真空室101內通過氣體的不同區域以確保一致地塗覆電漿聚合塗層。另外，步驟601的處理用電漿可以激活設備115的有機基材以形成懸掛鍵，其有助於塗層沉積並增強設備115的表面與電漿聚合塗層之間的結合力。由步驟605得到的電漿聚合塗層可以是過渡層。在一些實施例中，過渡層直接沉積在設備115的表面上。表面層可以隨後沉積在過渡層的表面上。

在步驟606中，將單體蒸汽導入真空室101。在一些實施例中，步驟606可以以與步驟603一致的方式進行。單體蒸汽用於產生沉積在設備115上的反應性物質以形成電漿聚合塗層。當能量從電漿轉移到單體蒸汽時，反應性物質可以從單體蒸汽中釋放出來。

在步驟606中導入真空室101的蒸汽取決於正在形成的塗層。例如，交聯結構單體產生反應性物質，其改善電漿聚合塗層的強度和耐水性。在一些實施例中，執行步驟606-608以將表面層施加到設備115的表面。在一些實施例中，將電漿聚合塗層的表面層施加到在步驟603-605中施加的過渡層的表面。表面層可包括含有具有至少一種低偶極矩的有機單體的第一蒸汽和/或具有至少一種單官能不飽和氟碳樹脂單體的第三蒸汽。如上所述，第一和第三蒸汽允許形成低介電常數塗層和形成防水聚合物塗層。

在步驟607中，在真空室101中產生反應性物質。在一些實施例中，步驟607可以以與步驟604一致的方式進行。當在步驟602中產生的電漿從放電腔104釋放到真空室101中和來自電漿的能量被轉移到步驟603中釋放的單體蒸汽時，產生反應性物質。

在步驟608中，將步驟604中產生的反應性物質沉積到經受電漿聚合的設備115的表面。在一些實施例中，步驟608可以以與步驟605一致的方式執行。步驟608得到的電漿聚合塗層可以是表面層。在一些實施例中，表面層可以沉積在過渡層的表面上(例如，在步驟603-605中施加的過渡層)。

圖7是說明施加在設備115上的示例性電漿聚合塗層700的圖。電漿聚合塗層可包括過渡層701和表面層702。電漿聚合塗層還可包括過渡層703，表面層704，過渡層705，和/或表面層706。過渡層701，703，和705可以以與圖6的步驟603-605一致的方式產生。類似地，表面層702，704，和706可以以與圖6的步驟606-608一致的方式產生。

在一些實施例中，過渡層701可以直接沉積在設備115的表面上。隨後，表面層702可以隨後沉積在過渡層701的表面上。類似地，過渡層703可以沉積在表面層702的表面上，表面層704可以沉積在過渡層703的表面上，過渡層705可以沉積在表面層704的表面上，並且表面層706可以沉積在過渡層705的表面上。

在一些實施例中，過渡層701，703，705和/或表面層702，704，706各自可包括以下中的一個或多個：碳，氟，氧，矽，和氫原子。在一些例子中，電漿聚合塗層可具有1：3至1：20的氧原子與碳原子的比率。在某種程度上，氧原子是親水的而碳原子是疏水的。因此，如果氧原子與碳原子的比例太高，則塗層的耐水性降低。

在一些實施例中，過渡層701，703，705和表面層702，704，706各自可以使用混合電漿聚合過程形成，例如圖6的步驟604中描述的過程。混合過程開始在電漿開啟週期期間(即，當向金屬柵門105施加電荷時)，化學可聚合單體如乙烯基或丙烯酸單體的電漿-化學激活，以進行碎裂-多重組合過程。隨後，在電漿關閉週期期間(即，當電荷未施加到金屬柵門105時)，在設備115的表面上發生自由基鏈增長。在一些例子中，與電漿開啟週期的碎裂-多重組合過程相比電漿聚合物塗層形成的更大部分可歸因於電漿關閉週期的自由基鏈增長。例如，電漿開啟週期的碎裂-多重組合過程可能僅產生一小部分電漿聚合塗層。在一些實施例中，自由基鏈增長和碎裂-多重組合過程之間的交替導致層的交替排列，其從電漿聚合塗層消散能量。

已經出於說明和描述的目的提供了所要求保護的主題的多種實施例的前述描述。其並非旨在窮舉或將所要求保護的主題限制為所公開的具體形式。許多修改和變化對於本領域技術人員來說是顯而易見的。選擇和描述實施例是為了最好地描述本發明的原理及其實際應用，從而使相關領域的技術人員能夠理解所要求保護的主題，多種實施例，以及適合於可以預期的特定用途的多種修改。

儘管具體實施方式描述了某些實施例和預期的最佳模式，但無論詳細描述如何詳細出現，該技術都可以以多種方式實施。實施例的實現細節可以有很大不同，但仍然包含在說明書中。在描述多種實施例的某些特徵或方面時使用的特定術語不應被視為暗示本文中重新定義術語以限於與該術語相關聯的技術的任何特定特性，特徵，或方面。通常，以下申請專利範圍中使用的術語不應被解釋為將技術限制於說明書中公開的特定實施例，除非這些術語在本文中明確定義。因此，該技術的實際範圍不僅包括所公開的實施例，還包括實踐或實施實施例的所有等同方式。

主要為了可讀性和指導目的選擇說明書中使用的語言。它不會被選定來描繪或限制主題。因此，本技術的範圍旨在不受本詳細描述的限制，而是受基於此處的申請而授權的任何申請專利範圍的限制。因此，多種實施例的公開旨在說明而非限制如所附申請專利範圍中闡述的技術的範圍。 相關申請交叉引用

本申請要求Zong於2018年5月4日提交的名稱為“連接器的納米塗層保護方法”美國臨時專利申請No. 62/667,408和Zong於2018年5月4日提交的名稱為“移動設備的納米塗層保護方法”美國臨時專利申請No. 62/667,413的優先權。上述申請的內容通過引用整體併入本文。

100:電漿聚合塗覆裝置 101:真空室 102:多孔電極 103:射頻電源 104:放電腔 105:金屬網格 106:脈衝電源 107:放電源 108:放電電源 109:載氣管 110:單體蒸汽管 111:尾氣收集管 112:旋轉架 113:行星旋轉軸 114:行星旋轉平臺 115:待處理設備、設備 116:真空泵 117:控制器 118:旋轉馬達 119:導向套 301:步驟 302:步驟 303:步驟 304:步驟 305:步驟 306:步驟 307:步驟 308:步驟 309:步驟 402:處理器 404:指令 406:主存儲器 408:指令 410:非易失性存儲器 412:網絡適配器 414:網絡 418:視頻顯示器 420:輸入/輸出設備 422:控制設備 424:驅動單元 426:存儲介質 428:指令 430:信號發生設備 601:步驟 602:步驟 603:步驟 604:步驟 605:步驟 606:步驟 607:步驟 608:步驟 706:表面層 705:過渡層 704:表面層 703:過渡層 702:表面層 701:過渡層

本公開的一個或多個實施例通過示例的方式被示出，而非被附圖限制，其中相同的附圖標記表示類似的元件。這些附圖不一定按比例繪製。

[圖1]是根據本公開的一個或多個實施例的示例性電漿聚合塗覆裝置的結構的示意性前剖視圖，其中行星旋轉軸佈置在旋轉架上。

[圖2]是根據本公開的一個或多個實施例的圖1示出的示例性裝置結構的示意性俯視圖。

[圖3]是說明電漿聚合的示例性過程的流程圖。

[圖4]是示出處理系統示例的框圖，該處理系統可以實現本文描述的至少一些操作。

[圖5]是根據本公開的一個或多個實施例的示例性電漿聚合塗覆裝置的示意性前剖視圖，其具有可選的軸和齒輪用於轉動旋轉架和行星旋轉軸。

[圖6]是說明根據本發明的一個或多個實施例的用於電漿聚合的另一示例性過程的流程圖。

[圖7]是示出根據本公開的一個或多個實施例的施加在設備上的示例性電漿聚合塗層的圖。

Claims (18)

1. 一種使用聚合過程產生電漿聚合塗層以保護電連接器免受腐蝕性損壞的方法，該方法包括： 在選定的時間段內，持續移動反應室內的該電連接器； 在該選定的時間段內： 通過以下方式將過渡層施加於該電連接器： 將第一單體蒸汽釋放到該反應室中， 通過將第一聚合電漿釋放到該反應室中，由該第一單體蒸汽產生第一反應性物質，和 沉積該第一反應性物質以在該電連接器的表面上形成該過渡層，該過渡層具有氧原子與碳原子的第一比率；和 通過以下方式將表面層施加於該電連接器： 將第二單體蒸汽釋放到該反應室中， 通過將第二聚合電漿釋放到該反應室中，由該第二單體蒸汽產生第二反應性物質，和 沉積該第二反應性物質以在該過渡層的表面上形成該表面層，該表面層具有小於該第一比率且大於零的氧原子與碳原子的第二比率。
2. 根據請求項1之方法，其中該第一單體蒸汽和/或該第二單體蒸汽包括以下中的一種或多種： 第一蒸汽，包含至少一種具有低偶極矩的有機單體，其中該第一蒸汽的該低偶極矩減小了對該電漿聚合塗層上的電信號的干擾； 第二蒸汽，包含至少一種多官能不飽和烴或烴衍生物單體； 第三蒸汽，包含至少一種單官能不飽和氟碳樹脂單體；或 第四蒸汽，包含至少一種Si-Cl、Si-O-C或環結構的有機矽單體。
3. 根據請求項2之方法， 其中該第一單體蒸汽包括該第二蒸汽和/或該第四蒸汽；並且 該第二單體蒸汽包括該第一蒸汽和/或該第三蒸汽。
4. 根據請求項1之方法，還包括基於該單體蒸汽的分子鍵能、鍵長或汽化溫度差中的至少一個的差異來控制該蒸汽的比率。
5. 根據請求項1之方法，還包括根據不同單體的分子鍵能、鍵長或汽化溫度差中的至少一個的差異來改變該聚合過程的過程參數。
6. 根據請求項1之方法，其中該第一單體蒸汽和/或該第二單體蒸汽以10-1000 μL/min的速率釋放到該反應室中。
7. 根據請求項1之方法，其中通過向該反應室中的載氣施加電荷來形成該第一聚合電漿和/或該第二聚合電漿，並且其中使用脈衝放電或週期性交替放電來沉積該第一聚合電漿和/或該第二聚合電漿。
8. 根據請求項7之方法，其中，在施加該表面層期間，脈衝放電的持續時間為600-3600秒，施加的功率為1-600瓦，脈衝放電的頻率為1-1000 Hz，脈衝的占空比為1：1至1：500。
9. 根據請求項7之方法，其中在施加該表面層期間，該週期性交替放電的持續時間為600-3600秒，所施加的功率為1-600瓦，並且交替頻率為1-1000 Hz。
10. 根據請求項1之方法，還包括將電荷施加到載氣以產生該第一聚合電漿和/或該第二聚合電漿。
11. 根據請求項10之方法，其中該載氣包括氬(Ar)原子的惰性氣體。
12. 根據請求項1之方法，其中該過渡層和/或該表面層包括碳、氟、氧、矽和氫原子中的一種或多種。
13. 根據請求項1之方法，其中該過渡層的氧原子與碳原子的該第一比率在1：3至1：20之間。
14. 根據請求項1之方法，其中該第一反應性物質和/或該第二反應性物質是當能量從該第一聚合電漿和/或該第二聚合電漿轉移到該第一單體蒸汽和/或該第二單體蒸汽時從該第一單體蒸汽和/或該第二單體蒸汽釋放的自由基。
15. 根據請求項14之方法，其中該自由基在該電連接器的該表面上聚合以形成聚合物塗層。
16. 根據請求項1之方法，其中該電連接器是USB ^TMType-C連接器、micro-USB ^TM連接器、Lighting連接器、HDMI ^TM連接器、柔性印刷電路(FPC)連接器、板對板(BTB)連接器、探頭連接器或射頻(RF)同軸連接器。
17. 根據請求項1之方法，包括 其中在移動該電連接器之前，將該反應室中的壓力降低至10至300毫托的範圍。
18. 根據請求項1之方法，包括 施加第一功率水平以形成該過渡層； 和 施加第二功率水平以形成該表面層， 其中該第一功率水平高於該第二功率水平。

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