CN216155751U - 玻璃表面处理设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种玻璃表面处理设备，包括依次连接的进料室、进料缓冲工艺组、出料缓冲室以及出料室，工艺组包括清洗工艺室和蚀刻工艺室，清洗工艺室设置有第一等离子产生装置，所述蚀刻工艺室设置有第二等离子产生装置和偏压装置，所述第一等离子产生装置的气源入口与清洗气源连接，所述清洗气源包括惰性气体源；所述第二等离子产生装置的气源入口与蚀刻气源连接，所述蚀刻气源包括惰性气体源和含氟气体源。本实用新型能够高效率、无污染地利用玻璃基板制造出防眩光玻璃，且制造的防眩光玻璃的防眩光表面凹凸结构均匀，解析度好。

Description

玻璃表面处理设备

技术领域

本实用新型涉及玻璃加工技术领域，具体涉及一种玻璃表面处理设备。

背景技术

在电子设备如画板、电子白板、电子黑板等的显示屏幕上，若有较强的反射光，会对用户造成干扰，导致用户无法看清屏幕，因此，常常在这些电子设备的显示屏上覆盖防眩光玻璃制作的玻璃盖板。防眩光玻璃也叫AG (Anti-glare glass)玻璃，其原理是通过对玻璃表面进行粗化处理使平整的玻璃反光表面变为凹凸不平的粗表面，呈现出来的效果就是将玻璃表面镜面转换为哑光的表面，使照射到屏幕的光线发生漫反射，降低反射光强度，从而实现防眩光效果，保护眼睛，清晰视物。

防眩光玻璃可以通过喷涂或者喷砂方式实现，喷涂方式即在洁净环境中将亚微米级二氧化硅等微粒均匀涂布在玻璃表面，再经过加热固化处理，在玻璃表面形成一层颗粒层，对光线产生漫反射而达到防眩光效果；喷砂方式是利用压缩空气为动力，将金刚砂等砂材高速喷射到玻璃表面使其产生粗面的AG效果。

上述两种方式形成的AG玻璃的表面凹凸不均匀，表面粗糙度不均匀，玻璃解析度下降，只能造成雾面效果，光学透过率及粗糙度的均匀性较差，且涂层存在牢固度和耐候性等的问题，因此只能应用于装饰上，在应用于一些分辨率较高的显示屏使用时，比如4K或8K的显示屏，还会产生闪点现象，严重影响屏幕的视觉效果。虽然也有一些厂家提出了采用化学蚀刻的方法形成AG 玻璃，即利用化学反应方式将玻璃表面由光滑面变成微米级颗粒表面，玻璃基材在化学溶剂中通过化学反应、溶解、再结晶和离子置换等多种反应共同作用产生AG粗面效果，但是，这种工艺需要氢氟酸、盐酸、硫酸等化学物质，在生产过程中，也会产生酸性气体、酸性液体、酸性固体等有害物质，生产产生的含氟气体对人体有非常大的危害，严重环境污染。

实用新型内容

基于上述现状，本实用新型的主要目的在于提供一种玻璃加工设备，以解决现有加工设备制造的玻璃表面的颗粒均匀性差，产生闪点的问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

本实用新型提供了一种玻璃表面处理设备，包括沿待加工玻璃基板的移动方向依次布置的进料室、进料缓冲室、工艺组、出料缓冲室以及出料室，所述进料室远离所述工艺组的一侧设置有进料门阀，所述出料室远离所述工艺组的一侧设置有出料门阀；

所述工艺组包括用于对玻璃基板表面进行等离子清洗的清洗工艺室和用于对玻璃基板表面进行等离子蚀刻的蚀刻工艺室；所述清洗工艺室设置有第一等离子产生装置，所述第一等离子产生装置具有第一气源入口，所述第一气源入口与清洗气源连接，所述清洗气源包括惰性气体源；所述蚀刻工艺室设置有第二等离子产生装置和偏压装置，所述第二等离子产生装置具有第二气源入口，所述第二气源入口与蚀刻气源连接，所述蚀刻气源包括惰性气体源和含氟气体源；所述偏压装置的正极与所述蚀刻工艺室的腔壁连接，负极与用于安装待加工的玻璃基板的载具连接。

优选地，所述第一等离子产生装置和所述第二等离子产生装置均为感性耦合等离子体产生装置。

优选地，所述工艺组中任意相邻的两个腔室的连接处形成连通腔，所述连通腔的腔壁与安装有所述待加工玻璃基板的载具的外轮廓之间留有预定间隙。

优选地，所述进料缓冲室与所述进料室、所述工艺组之间分别设置有腔体门阀，所述出料缓冲室与所述出料室、所述工艺组之间也分别设置有腔体门阀。

优选地，所述清洗气源和所述蚀刻气源均包括氧气源，所述氧气源的流量为0～200sccm。

优选地，所述清洗工艺室沿所述移动方向设置有多个第一等离子产生装置；所述蚀刻工艺室沿所述移动方向设置有多个第二等离子产生装置。

优选地，所述工艺组中，所述清洗工艺室设置有一个，所述蚀刻工艺室连续设置有多个。

优选地，所述工艺组还包括过渡室，至少在相邻的清洗工艺室与蚀刻工艺室之间设置有过渡室。

优选地，所述进料室、所述进料缓冲室、所述至少一个工艺组、所述出料缓冲室和所述出料室设有并行的两套，两套之间具有共用的侧壁，载具在两套中的移动方向相同。

优选地，所述工艺组并排设置有两组，且两组工艺组的载具移动方向相反，载具能够顺次经过第一组和第二组，所述进料室、所述进料缓冲室分别与所述出料室、所述出料缓冲室并排设置，所述进料室、所述进料缓冲室与所述第一组位于同一列，所述出料室、所述出料缓冲室与所述第二组位于同一列；

所述第一组的最下游和所述第二组的最上游均设置有过渡室，两个所述过渡室并排设置并通过转换室连接，且各自与所述转换室的连接处也形成连通腔。

优选地，所述第一组和所述第二组中，离子产生装置的离子出射方向相向设置；

所述转换室设置有旋转台，所述旋转台能够带动所述载具转动180°以便于进入第二组，并使所述待加工玻璃基板分别在所述第一组和所述第二组中以同一表面朝向其中的等离子产生装置。

优选地，所述第一组和所述第二组中，等离子产生装置的离子出射方向相向设置；

所述转换室设置有平移台，所述平移台的平移方向平行于垂直于所述移动方向，以带动所述载具移动以便于进入第二组，并使所述待加工玻璃基板在所述第一组和所述第二组中分别以不同的表面朝向其中的等离子产生装置。

【有益效果】

本实用新型的玻璃表面处理设备先在清洗工艺室对待加工玻璃基板进行等离子清洗，清洗气源中的惰性气体源中的气体通过第一等离子产生装置后形成的活性离子，对玻璃基板的待处理表面进行物理溅射，从而清除待处理表面的污染物；然后再进入到蚀刻工艺室，在该工艺室，第二等离子产生装置和偏压装置同时工作，蚀刻气源中的惰性气体和含氟的气体通过第二等离子产生装置形成的等离子体，在偏压装置的偏压下形成大量高能量的活性离子，惰性气体形成的活性离子直接轰击待处理表面，发生溅射，溅射出的粒子中含有二氧化硅，会与含氟的气体形成的活性离子发生反应，生成纳米团簇，从而对玻璃基板进行刻蚀，即同时发生化学反应，从而使待处理表面形成均匀度较高的凹凸结构，即形成防眩光表面。这种设备由于对玻璃基板先进行等离子清洗再进行等离子蚀刻，在清洗过程中采用不与玻璃基板的基材反应的惰性气体，通过等离子产生装置形成的活性离子直接轰击待处理表面，不会与玻璃基板发生化学反应，属于物理蚀刻，经过轰击能够对玻璃基板的各种污染物进行彻底的清洗，因此，在发生化学反应的蚀刻过程中，减少了污染物对蚀刻效果的影响，且经过该等离子的清洗过程之后，基板上避免了后续过程中杂质与活性离子发生化学反应，减少了在待处理表面形成杂质的几率，从而进一步提高了防眩光表面的颗粒均匀性，基板不存在闪点现象，使玻璃基板在保留防眩晕功能的同时具有更清晰的视觉效果和更加细腻的触摸手感，在应用于要求分比率较高的电子产品显示屏(主要是手机及车载)的玻璃盖板方面有较大的优势；且这种设备对玻璃基板的整个加工过程都不会产生有害气体，不会对环境造成污染。

本实用新型的其他有益效果，将在具体实施方式中通过具体技术特征和技术方案的介绍来阐述，本领域技术人员通过这些技术特征和技术方案的介绍，应能理解所述技术特征和技术方案带来的有益技术效果。

附图说明

以下将参照附图对根据本实用新型的提供优选实施方式进行描述。图中：

图1为根据本实用新型的玻璃表面处理设备的一种优选实施方式的侧视结构示意图；

图2为根据本实用新型的玻璃表面处理设备的另一种优选实施方式的俯视结构示意图；

图3为根据本实用新型的玻璃表面处理设备的又一种优选实施方式的侧视结构示意图；

图4为根据本实用新型的玻璃表面处理设备的又一种优选实施方式的俯视结构示意图；

图5为根据本实用新型的玻璃表面处理设备的又一种优选实施方式的侧视结构示意图；

图6为根据本实用新型的玻璃表面处理设备的又一种优选实施方式的俯视结构示意图；

图7为根据本实用新型的玻璃表面处理设备的又一种优选实施方式的侧视结构示意图；

图8为根据本实用新型的玻璃表面处理设备的又一种优选实施方式的俯视结构示意图；

图9为根据本实用新型的玻璃表面处理设备中蚀刻工艺室的一种优选实施方式的结构示意图。

图中：

10、载具；

20、进料室；21、进料门阀；

30、进料缓冲室；

40、工艺组；41、清洗工艺室；411、第一等离子产生装置；42、蚀刻工艺室；421、第二等离子产生装置；43、过渡室；45、第一组；46、第二组； 47、转换室；48、偏压装置；

50、出料缓冲室；

60、出料室；61、出料门阀；

70、腔体门阀。

具体实施方式

以下基于实施例对本实用新型进行描述，但是本实用新型并不仅仅限于这些实施例。在下文对本实用新型的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分，为了避免混淆本实用新型的实质，公知的方法、过程、流程、元件并没有详细叙述。

此外，本领域普通技术人员应当理解，在此提供的附图都是为了说明的目的，并且附图不一定是按比例绘制的。

除非上下文明确要求，否则整个说明书和权利要求书中的“包括”、“包含”等类似词语应当解释为包含的含义而不是排他或穷举的含义；也就是说，是“包括但不限于”的含义。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

本实用新型提供了一种玻璃表面处理设备，可以采用等离子蚀刻的方式制备防眩光玻璃。

现有技术中虽然也有一些等离子表面处理设备用于在玻璃基板上形成凹凸结构，如太阳能板的制作，其先在基板(可能是玻璃基板)上先制作一层掩膜层，然后等离子产生装置产生的活性离子在偏压装置的作用下进行蚀刻，有掩膜的区域和没有掩膜的区域的蚀刻深度不同，之后再去除残余的掩膜层，最后表面形成凹凸不平的结构。由于太阳能板制作中追求的是增加表面积，以提高光电转化效率，而对于漫反射、雾都、清晰度上没有严格要求。而若直接采用上述方式制作防眩光玻璃，由于有掩膜层，在蚀刻时各处的深度差距较大，造成形成的凹凸结构均匀性较差，因此，当应用于分辨率较高的电子设备时，由于对防眩光玻璃要求其在不影响透过率的情况下增加漫反射，且不希望产生闪点，因此在粗糙度、雾都、解析度上均有严格要求。且现有的电子设备工艺流程复杂，良率较低，成本较高。

本实用新型的玻璃表面处理设备如图1-图8所示，包括沿待加工玻璃基板的移动方向依次连接(直接连接或者间接连接)的进料室20、进料缓冲室30、工艺组40、出料缓冲室50以及出料室60，进料室20远离工艺组40的一侧设置有进料门阀21，即进料室20的入口侧设置有进料门阀21，出料室60远离工艺组40的一侧设置出料门阀61，即出料室60的出口侧设置有出料门阀61。工艺组40包括用于对玻璃表面进行等离子清洗的清洗工艺室41和用于对玻璃表面进行等离子蚀刻的蚀刻工艺室42。清洗工艺室41设置有第一等离子产生装置411，第一等离子产生装置411安装于清洗工艺室41的侧壁，当载具10 进入清洗工艺室41时，安装于载具10上的玻璃基板与第一等离子产生装置 411相对；第一等离子产生装置411具有第一气源入口，第一气源入口与清洗气源连接，清洗气源包括惰性气体源。蚀刻工艺室42设置有第二等离子产生装置421和偏压装置，第二等离子产生装置421安装于蚀刻工艺室42的侧壁，当载具10进入蚀刻工艺室42时，安装于载具10上的玻璃基板与第二等离子产生装置421相对；第二等离子产生装置421具有第二气源入口，第二气源入口与蚀刻气源连接，蚀刻气源包括惰性气体源和含氟气体源，清洗气源的惰性气体源和蚀刻气源的惰性气体源可以共用同一个供气源，也可以使用不同的供气源。偏压装置48的正极与蚀刻工艺室42的腔壁连接，负极与用于安装待加工的玻璃基板的载具10连接，以在载具10与蚀刻工艺室42之间形成负偏压，这里的正极与负极是相对而言的，并不是说正极一定接正电压，负极接负电压，具体地，如图9所示，可以在载具10上连接负电压，蚀刻工艺室42的腔壁连接地，如此，当载具10移动至蚀刻工艺室42时，蚀刻工艺室42中在载具10 与腔壁之间形成了负偏压，第二等离子产生装置421与载具10相对，从而使第二等离子产生装置421产生的等离子处于负偏压的环境中。其中，清洗气源的惰性气体源和蚀刻气源的惰性气体源可以共用同一个供气源，也可以使用不同的供气源。其中，进料缓冲室30、清洗工艺室41、蚀刻工艺室42以及出料缓冲室50均为真空腔室。进料室20和出料室60作为等离子清洗和等离子蚀刻等工艺过程中各腔室与外界的过渡腔室，二者有时处于真空状态，有时处于常压状态。

上述玻璃表面处理设备工作时，使待加工的玻璃基板依次移动至进料室 20、进料缓冲室30、清洗工艺室41、蚀刻工艺室42、出料缓冲室50以及出料室60，在清洗工艺室41，清洗气源为第一等离子产生装置411供气，第一等离子产生装置411工作，以对待加工玻璃基板的待处理表面进行等离子清洗，即进行等离子清洗步骤，也叫清洗蚀刻，整个清洗过程中，含氟的气体不会为第一等离子产生装置411供气，在玻璃基板的表面不会发生化学蚀刻，仅通过轰击，将玻璃基板表面的粒子溅射出来，属于物理蚀刻，从而对待处理表面的污染物进行清除。在蚀刻工艺室42，蚀刻气源为第二等离子产生装置421 供气，第二等离子产生装置421和偏压装置工作，以对待处理表面进行等离子蚀刻，也叫AG蚀刻，在等离子蚀刻过程中，蚀刻气源中的惰性气体作为高能粒子的来源，含氟碳的气体作为中性反应蚀刻离子，在偏压装置的作用下，产生的带有高能量的活性离子轰击玻璃基板的表面，不仅将玻璃基板表面的粒子溅射出来，同时溅射出来的粒子还会与含氟的活性离子发生化学反应，形成离子团簇，对玻璃基板的表面进行化学蚀刻，该步骤不仅会发生物理反应，同时还会发生化学反应，从而同时进行物理蚀刻和化学蚀刻，在玻璃基板的表面形成凹凸结构的绒面结构，即形成防眩光表面。

上述玻璃表面处理设备，在对同一待加工玻璃基板进行处理时，先在清洗工艺室41内，第一等离子产生装置411工作，在该腔室内无偏压，此时清洗气源的气体通过第一等离子产生装置411后形成等离子体，对玻璃基板的待处理表面进行物理溅射，从而清除待处理表面的污染物，然后进入蚀刻工艺室 42，第二等离子产生装置31和偏压装置同时工作，此时蚀刻气源中的惰性气体和含氟的气体通过等离子产生装置形成的等离子体，在偏压装置的偏压下形成大量高能量的活性离子，惰性气体形成的活性离子直接轰击待处理表面，发生溅射，溅射出的粒子中含有二氧化硅，会与含氟的气体形成的活性离子发生反应，生成纳米团簇，从而对玻璃基板进行刻蚀，即同时与玻璃基板内的发生化学反应，从而使待处理表面形成均匀度较高的凹凸结构，即形成防眩表面。这种设备由于对玻璃基板先进行等离子清洗再进行等离子蚀刻，在清洗过程中采用不与玻璃基板的基材反应的惰性气体，通过等离子产生装置31形成的活性离子直接轰击待处理表面，不会与玻璃基板发生化学反应，属于物理蚀刻，因此，经过轰击对玻璃基板的各种污染物进行彻底的清洗，在后续发生化学反应的蚀刻过程中，减少了污染物对蚀刻效果的清洗，且经过该等离子的清洗过程之后，尽可能避免了后续工艺中玻璃基板的杂质与活性离子发生化学反应，减少了在待处理表面形成杂质的几率，从而进一步提高了防眩光表面的颗粒均匀性，玻璃基板几乎不存在闪点现象，使玻璃基板在保留防眩晕功能的同时具有更清晰的视觉效果和更加细腻的触摸手感，在应用于要求分辨率较高的电子产品显示屏(主要是手机及车载)的玻璃盖板方面有较大的优势；且这种设备对玻璃基板的整个加工过程都不会产生有害气体，不会对环境造成污染；也无需事先制作掩膜，因此能够提高玻璃的加工效率。本申请还增加进料缓冲室 30和出料缓冲室50，以更好地隔离环境中的空气，减少空气中的杂气对整个工艺制程的影响；且在连续生产过程中，能够更好地保证工艺组40中各腔室的真空度稳定，使其不受进料室20和出料室60中气压波动的影响。

进一步地，进料缓冲室30与进料室20、工艺组40之间分别设置有腔体门阀70，出料缓冲室50与出料室60、工艺组40之间也分别设置有腔体门阀 70，也就是说，在整个表面处理设备的两端分别设置有与外界连通和断开的进料门阀21和出料门阀61，除工艺组40内，其余各腔室中相邻的两个腔室之间设置有腔体门阀70，工艺组40的上游侧与进料缓冲室30之间、下游侧与出料缓冲室50之间也设置有腔体门阀70，该腔体门阀70可打开或者关闭，在关闭状态，隔离相邻的两个腔室，在打开状态，供载具10从一个腔室移动至另一个腔室。通过设置腔体门阀70，能够更好地隔离进料室20、出料室60 中压强变化对工艺组40内各腔室真空度的影响。

采用上述实施例时，表面处理设备工作时，首先，对出料室60、出料缓冲室50、进料缓冲室30以及工艺组40的各腔室(包括清洗工艺室41和蚀刻工艺室42)抽真空，当然，这个过程中出料门阀61、各腔体门阀70均处于关闭状态；优选地，此时出料室60、清洗工艺室41和蚀刻工艺室42各自的真空度一致，以便后续传送待加工玻璃基板时各腔室的本底真空度便于达到。之后，打开进料门阀21，待加工玻璃基板移动至进料室20，关闭进料门阀21，使进料室20处于封闭状态，并对进料室20抽真空；当抽到与进料缓冲室30 的真空度一致时，打开进料缓冲室30与进料室20之间的腔体门阀70，将待加工玻璃基板移动至进料缓冲室30，之后再移动至工艺组40，进而依次进入清洗工艺室41和蚀刻工艺室42，当传送至工艺组40的最下游腔室时，打开工艺组40与出料缓冲室50之间的腔体门阀70，将玻璃基板移动至出料缓冲室50，关闭该腔体门阀70；之后再打开出料缓冲室50与出料室60之间的腔体门阀70，将玻璃基板移动至出料室60，关闭该腔体门阀70；此时对出料室 60放气，具体可以打开出料室60的排气阀，直腔体达到常压，打开出料门阀 61，将玻璃基板移动出出料室60，关闭出料门阀61，可对出料室60重新抽真空，以备后续待加工玻璃基板的加工。

需要说明的是，也可以仅在进料室20与进料缓冲室30之间、出料缓冲室 50与出料室60之间设置腔体门阀70，

一种优选的实施例中，工艺组中40任意相邻的两个腔室的连接处形成连通腔，如在工艺组40仅设置有清洗工艺室41和蚀刻工艺室42时，这两个腔室的连接处形成连通腔，连通腔的内壁与载具10的外轮廓之间留有预定间隙该预订间隙可以为5～20mm，如5mm、7mm、10mm、12mm、15mm、17mm、 19mm、20mm等，可以进行调节，以用于形成相邻腔室之间的密封，即连通腔的内壁与载具10之间形成很小的缝隙，以便载具10沿着移动方向由进料缓冲室30进入工艺组40后顺次通过清洗工艺室41和蚀刻工艺室42，且在整个过程中能够尽可能隔离相邻两个腔室之间的气体，防止两个腔室发生串气。通过设置连通腔，使载具10与连通腔的腔壁之间形成间隙，采用这种间隙的设置方式，即使相邻的两个腔室之间有少量的串气，由于各腔室之间均为真空腔室，也基本上会被抽走；而且，这种通过间隙密封的方式，在整个工艺组40 中，载具10的移动也可以实现连续移动。且在流水线作业中，为了更好地隔离外界对工艺组40中各真空腔室的影响。

可以理解地，表面处理设备还包括真空装置，用于对各腔室抽真空。其中，在流水线作业时，可以先控制清洗工艺室41内的第一等离子产生装置411工作和控制蚀刻工艺室42内的第二等离子产生装置421、偏压装置48工作，使清洗工艺室41的离子和蚀刻工艺室42内的离子稳定之后，在控制载具10依次移动至各腔室。

第一等离子产生装置411和第二等离子产生装置421可以均为感性耦合等离子体(ICP)产生装置，即通过电感式放电方式产生等离子体；也可以为均容性耦合等离子产生装置(即CCP)，即通过电容式放电方式产生等离子体。优选均采用感性耦合等离子体，这种方式，产生的离子的能量更高，基本较容性耦合等离子产生装置高一个数量级，从而蚀刻后的防眩光表面效果明显且均匀。

具体地，第一等离子产生装置411和第二等离子产生装置421均包括相互连接的射频源和离子源本体，离子源本体设置有气源入口和气源出口。在控制第一等离子产生装置411或者第二等离子产生装置421工作时，先控制清洗气源或者蚀刻气源供气，待气源出口的气流平稳后再控制射频源工作，以形成活性等离子体。采用这种控制方式，能够保证发生清洗蚀刻和AG蚀刻时的活性离子稳定性，进而提高防眩晕玻璃的制造效率。

其中，清洗气源的惰性气体源和蚀刻气源的惰性气体源优选氩气源，也可以选其他惰性气体源；含氟气体源优选为CF₄的气体源，也可以为C₄F₈、CHF₃、 SF₆等的气体源。

具体地，蚀刻气源中混合气体中惰性气体和含氟的气体的气体含量配比以及蚀刻工艺室42内的真空度会影响蚀刻面中凹凸结构的均匀度以及整个表面的粗糙度，含氟的气体含量越多，AG蚀刻中参与化学反应的活性离子就越多，蚀刻形成的绒面中，凹凸结构的宽度会变大，若惰性气体的含量过少，则蚀刻中，离子溅射速度会变小，无法从玻璃基板表面轰击出粒子与活性离子进行反应，可能会导致蚀刻失败。优选地，蚀刻气源中惰性气体源与含氟气体源提供的气体含量的配比为9:1～2:1，如9:1、8:1、7:1、5:1、4:1、3:1、2.5:1、2:1等，采用这种比例，通过AG蚀刻处理后的表面均匀性更好，解析度较高。

对于清洗气源和蚀刻气源还可以都包括活性气体源，如氧气源、氢气源等，当包括活性气体源时，能够增加惰性气体形成的等离子体的活性，增加活性离子对玻璃基板表面的轰击，能够增加清洗和蚀刻过程中的溅射以及化学蚀刻的效果；且活性气体可以促使含氟的气体产生高密度的不饱和自由基，能够进一步增加化学蚀刻的效率和效果。具体地，活性气体源如氧气源的流量范围为 0～200sccm，优选为50sccm～200sccm，如50sccm、80sccm、100sccm、130sccm、 160sccm、200sccm等。

在清洗蚀刻(即等离子清洗)时，清洗工艺室41的本底真空度小于或者等于8.0*10^-4Pa，如8.0*10^-4Pa、5.0*10^-4Pa、1.0*10^-5Pa等，工作气压(即清洗蚀刻中的气压)为1.0*10^-1～3Pa，如10^-1Pa、1Pa、1.5Pa、2.0Pa、2.5Pa、 3Pa等。第一等离子产生装置411的功率为1.5～5kW，如1.5kW、2.0kW、3.5 kW、4.5kW、5kW，频率为13.56MHz。清洗气源的惰性气体源的气体流量为150sccm～500sccm，如150sccm、200sccm、230sccm、280sccm、300sccm、320sccm、350sccm、400sccm、430sccm、480sccm、500sccm等。其中，功率和频率均指第一等离子产生装置411的射频源的功率和频率。实际制程中，可以使清洗工艺室41的本底真空度小于或者等于8.0*10^-4Pa，之后通过调节清洗气源的惰性气体源的气体流量使整个清洗工艺室41的压强维持在 1.0*10^-1～3Pa，当然在包括有活性气体时，还调节活性气体源的气体流量。采用这种设置，能够通过物理蚀刻的方式对无机物等污染物彻底的清洁。

在AG蚀刻(即等离子蚀刻)时，蚀刻速度和等离子体的离子密度有关，通过射频源的功率和蚀刻气源的流量可以调整等离子体离子束流的大小，束流越大、等离子体的离子密度越大，则蚀刻速度越大，随着束流越大，溅射离子的产额就越大，蚀刻离子额也随着加大，进而促使粒子间的无序性增加，从而促使纳米团簇生成的效率。优选地，在AG蚀刻中，蚀刻工艺室42的本底真空度小于或者等于8.0*10^-4Pa，如8.0*10^-4Pa、5.0*10^-4Pa、1.0*10^-5Pa等，工作气压(即AG蚀刻中的气压)为1Pa～60Pa，如1Pa、5Pa、7Pa、10Pa、13Pa、 16Pa、18Pa、20Pa、30Pa、40Pa、45Pa、50Pa、55Pa、60Pa等。第二等离子产生装置421的功率为1.5～5kW；如1.5kW、2.0kW、3.5kW、4.5kW、 5kW；频率为13.56MHz；其中，功率和频率均指第二等离子产生装置421的射频源的功率和频率。偏压装置的偏压为400～1800V，如400V、500V、800V、1000V、1300V、1500V等；功率为1.5kW～4.5kW，如1.5kW、2.0kW、3.5kW、 4.5kW等；频率为13.56MHz，通过在此范围内对偏压调整可以实现AG工艺对于粗糙度要求的全部范围。即在上述步骤S200中，蚀刻工艺室42、第二等离子产生装置421以及偏压装置采用上述工艺参数。实际制程中，可以使蚀刻工艺室42的本底真空度小于或者等于8.0*10^-4Pa，之后通过调节蚀刻气源中惰性气体源与含氟气体源的气体流量使整个清洗工艺室41的压强维持在1Pa～60Pa，当然在包括有活性气体时，还调节活性气体源的气体流量，且不论如何调整，需要满足惰性气体源与含氟气体源提供的气体含量的配比为9:1～2:1。在这些参数设置下，同时设置蚀刻时间为20～40min，如20min、25min、30min、 38min、40min。采用这种设置，能够通过物理蚀刻和化学蚀刻相结合的方式对玻璃基板的表面进行蚀刻，从而形成更为均匀的凹凸结构，且解析度较高，闪点较少。

清洗工艺室41可以设置有一个第一等离子产生装置411，也可以沿移动方向设置有多个第一等离子产生装置411，如设置有两个或者更多个第一等离子产生装置411，且这些第一等离子产生装置411位于载具10的同一侧，即这些第一等离子产生装置411的离子出射方向相同，通过设置多个第一等离子产生装置能够提高等离子清洗的效率，如图1所示。同理，蚀刻工艺室42也可以设置有一个第二等离子产生装置421，也可以沿移动方向设置有多个第二等离子产生装置421，如设置有两个或者更多个第二等离子产生装置421，且这些第二等离子产生装置421位于载具10的同一侧，即这些第二等离子产生装置421的离子出射方向相同，通过设置多个第二等离子产生装置能够提高等离子蚀刻的效率，如图2所示。

具体地，在清洗工艺室41中的第一等离子产生装置411的排列个数可以根据其功率以及载具10的移动速度确定，在蚀刻工艺室42中的第二等离子产生装置421的排列个数可以根据其功率以及载具10的移动速度确定。具体地，载具10的移动速度与第一等离子产生装置411、第二等离子产生装置421的功率呈线性关系，如单个第一等离子产生装置411、第二等离子产生装置421 的功率是分别为5kW(电源最大功率为5kW)，当设置有一个第一等离子产生装置411和一个第二等离子产生装置421时，载具10的移动速度(即玻璃基板的移动速度)为0.18m/min；当设置有两个第一等离子产生装置411、两个第二等离子产生装置421时，载具10的移动速度(即玻璃基板的移动速度) 为0.36m/min。优选地，清洗工艺室41内第一等离子产生装置411的个数与蚀刻工艺室42内第二等离子产生装置421的个数相等，以协调整个生产线中的载具移动速度。

一种实施例中，工艺组40还包括过渡室43，过渡室43也为真空腔室，至少在相邻的清洗工艺室41与蚀刻工艺室42之间设置有过渡室43，即至少在位于最下游的清洗工艺室41和位于最上游的蚀刻工艺室42之间设置有过渡室43，也可以在其他位置处也设置有过渡室43，如进料缓冲室30与清洗工艺室41之间也可以设置有过渡室43，再如出料缓冲室50与蚀刻工艺室42之间也可以设置过渡室43，或者在上述各位置均设置有过渡室43。通过增加过渡室43，一方面能够隔离不同工艺室之间的气体，减少不同工艺室制程中不同工艺气体的相互影响，尤其是减少等离子清洗步骤中残留的剩余活性离子对等离子蚀刻工艺造成影响；另一方面，考虑到清洗工艺室41和蚀刻工艺室42 需要设置第一等离子产生装置411或者第二等离子产生装置421和偏置装置，在腔体空间有限的条件下，为二者抽真空的真空装置只能设置于腔室的外侧，通过增加过渡室43，可以为清洗工艺室41和蚀刻工艺室42抽真空用的真空装置提供安装空间，即至少部分过渡室43内可以设置有为自身和清洗工艺室41、蚀刻工艺室42抽真空用的真空装置，以保证各工艺室30的真空状态和提高了整个表面处理设备的空间利用率。

其中，上述工艺组40可以设置有一组，也可以设置有多组，不论哪种方式，工艺组40中，清洗工艺室41和蚀刻工艺室42可以分别设置有一个、两个或者更多个。一种实施例中，如图1所示，一组工艺组40中，清洗工艺室 41和蚀刻工艺室42各自设置有一个，在该实施例中，同一待加工玻璃基板的同一待加工表面经过一次清洗蚀刻步骤和一次AG蚀刻步骤。在另一个实施例中，清洗工艺室41设置有一个，蚀刻工艺室42设置有两个，如图3、图5所示，沿移动方向，清洗工艺室41设置有一个，蚀刻工艺室42设置有依次相邻的两个或者两个以上，即几个蚀刻工艺室42是相连的，其中，图3、图5示出设有两个蚀刻工艺室42，该工艺组40沿移动方向依次设置有清洗工艺室41、过渡室43、蚀刻工艺室42、蚀刻工艺室42，在该实施例中，同一待加工玻璃基板的同一待加工表面经过一次清洗蚀刻步骤和两次AG蚀刻步骤。又比如，在同一工艺组40中，清洗工艺室41和蚀刻工艺室42可以各设置有两个，在该实施例中，同一待加工玻璃基板的同一待加工表面经过两次清洗蚀刻步骤和两次AG蚀刻步骤；又或者清洗工艺室41设置有两个，蚀刻工艺室42设置有一个，此实施例中，同一待加工玻璃基板的同一待加工表面经过两次清洗蚀刻步骤和一次AG蚀刻步骤。根据需要可以设置清洗工艺室41和蚀刻工艺室42 的数量，优选地，清洗工艺室41设置有一个，蚀刻工艺室42设置有两个，由于清洗蚀刻主要是用于去除待加工玻璃基板上的杂质，因此，采用一次清洗蚀刻步骤基本能够达到较好的效果，通过两次AG蚀刻，能够提高蚀刻的效率和凹凸结构的均匀性。

当进行流水线生产时，清洗工艺室41与蚀刻工艺室42是同时工作的，即其中一块或者几块玻璃基板处于清洗工艺室41进行等离子清洗，同时，另一块或者几块玻璃基板处于蚀刻工艺室42进行等离子蚀刻。同理，在设置有多个清洗工艺室41时，可能其中一块或者几块玻璃基板处于其中一个清洗工艺室41进行等离子清洗，另一块或者几块玻璃基板处于另一个清洗工艺室41 进行等离子清洗。再如在设置有多个蚀刻工艺室42时，可能其中一块或者几块玻璃基板处于其中一个蚀刻工艺室42进行等离子蚀刻，另一块或者几块玻璃基板处于另一个蚀刻工艺室42进行等离子蚀刻。在流水线作业中，可以根据节拍以及玻璃基板的移动速度进行具体设置。

值得注意的是，不论工艺组40中设置有几个清洗工艺室41和蚀刻工艺室 42，所有的清洗工艺室41均位于蚀刻工艺室42的上游。各清洗工艺室41可以相互紧挨(即之间没有其他腔室)，也可以两个相邻的清洗工艺室41之间设置过渡室43。同理，各蚀刻工艺室42可以相互紧挨(即之间没有其他腔室)，也可以两个相邻的蚀刻工艺室42之间设置过渡室43。当然同一工艺组40还可以包括位于最上游的清洗工艺室41上游侧的过渡室43、位于最下游的蚀刻工艺室42下游侧的过渡室43。

由于进料室20和出料室60需要在真空状态和常压状态来回切换，因此，为了进一步提高工艺组40内各腔室的真空度，避免各真空腔室受进料室10 和出料室60常压状态的影响，本实用新型优选的一种实施例中，进料缓冲室 30与清洗工艺室41之间、蚀刻工艺室42与出料缓冲室50之间均设置有过渡室43。需要说明的是，也可以仅在进料缓冲室30与清洗工艺室41之间设置过渡室43，或者仅在蚀刻工艺室42与出料缓冲室50之间均设置有过渡室43。在设置有多个清洗工艺室41时，指进料缓冲室30与最上游的清洗工艺室41 之间设置过渡室43；在设置有多个蚀刻工艺室42时，指最下游的蚀刻工艺室 42与出料缓冲室50之间设置过渡室43。

可以理解地，相邻两个腔室之间的过渡室43可以根据需要设置一个或者多个。具体地，过渡室43可以根据不同工艺之间的隔离要求设置，同时还可以考虑各腔室的真空度要求进行设置，实际生产中，单个过渡室43设置成模块化，其内真空装置的抽真空能力具有最大的抽真空能力，因此，当需要的抽真空能力较大时，若单个过渡室43内的真空装置无法满足，则可以设置相连的两个或者多个过渡室43，如图3所示，设置有两个蚀刻工艺室42时，可以在其上游设置有两个相邻的过渡室43。

对于上述各真空腔室在整个待加工玻璃基板的加工过程中需要维持真空状态，根据需要可能会定时对各腔室进行抽真空，也可能通过传感器的检测实现自动控制，进行抽真空。对于为进料室20、进料缓冲室30、出料缓冲室50 和出料室60抽真空的真空装置，可以设置于过渡室43，也可以单独设置，如图6和图8所示，为进料室20、进料缓冲室30、出料缓冲室50和出料室60 抽真空的真空装置均单独设置于腔室外侧。

上面是以设置有一组工艺组40为例对表面处理设备进行了描述，本实用新型的工艺组40并不限于一组，即不论工艺组40采用上述哪种实施方式，都可以设置有多组工艺组40。一种优选的实时方式中，工艺组40设置有两组，两组工艺组40可以对同一待加工玻璃基板进行加工，也可以对不同的待加工玻璃基板进行加工，在对同一待加工玻璃基板进行加工时，两组工艺组40的移动方向相反，对于同一待加工玻璃基板来说，两组工艺组40位于同一生产线；在对不同的待加工玻璃基板进行加工时，两组工艺组40的移动方向相同，各自位于不同的生产线上。值得注意的是，不论两个工艺组40的移动方向如何设置，对于各工艺组40来说，清洗工艺室41均位于蚀刻工艺室42的上游，即保证对于同一玻璃基板来说，在同一工艺组40时，都是先进行清洗蚀刻再进行AG蚀刻；或者在多组工艺组中，也是先进行清洗蚀刻再进行AG蚀刻。

具体地，一种实施例中，如图3、图4所示，工艺组40并排设置有两组，且两组工艺组40的移动方向相同，各组的上游侧设置有进料室20和进料缓冲室30，下游侧均设置有出料缓冲室50和出料室60，图4可以作为图3所示实施例设置有两组工艺组时的俯视图，在图4中，两组工艺组40的移动方向如箭头所示，均由左向右，两组工艺组40的排列方向与移动方向垂直，两组工艺组40中的腔室一一对应设置，即在并排方向上，设置相同的腔室，上方一组工艺组40依次包括过渡室43、清洗工艺室41、过渡室43、过渡室43、蚀刻工艺室42、蚀刻工艺室42、过渡室43，则下方一组工艺组40也依次设置过渡室43、清洗工艺室41、过渡室43、过渡室43、蚀刻工艺室42、蚀刻工艺室42、过渡室43。且沿各套的移动方向，各自的上游侧均设置进料缓冲室 30和进料室20，下游侧均设置出料缓冲室50和出料室60，也就是说，上方和下方分别为一套完整的生产线，载具10分别装载不同的玻璃基板进入到两套设备中，也就是说，进料室20、进料缓冲室30、一个工艺组40、出料缓冲室50和出料室60设有并行的两套，两套之间具有共用的侧壁(即或者两个腔室的侧壁时同一侧壁，或者两个腔室的侧壁是相贴合的)，载具10在两套中的移动方向相同，采用这种方式，两组工艺组40同时分别对不同的玻璃基板进行加工，显然能够提高整个设备的工作效率。需要说明的是，在这种工艺组40的排布方式中，两组工艺组40也可以共用同一套进料室20、进料缓冲室 30、出料缓冲室50和出料室60。在该实施例中，也可以设置有更多组工艺组 40，即可以并排设置有多条生产线。

另一种实施例中，两组工艺组40用于对同一块或者几块玻璃基板进行加工，如图6、图8所示，工艺组40并排设置有两组，且两组工艺组40的载具移动方向相反，设位于移动方向上游侧的为第一组45，下游侧的为第二组46，即载具能够顺次经过第一组合第二组，进料室20、进料缓冲室30与出料室60、出料缓冲室50并排设置，进料室20、进料缓冲室30与第一组45位于同一列，出料室60、出料缓冲室50与第二组46位于同一列；在该实施例中，第一组 45的最下游和第二组46的最上游均设置有过渡室43，这两个过渡室43通过转换室47连接，且各自与转换室47的连接处也形成连通腔。也就是说，玻璃表面处理设备还包括转换室47，两组工艺组40之间通过转换室47连接，两组工艺组40与进料室20、进料缓冲室30、出料室60、出料缓冲室50以及转换室47共同形成一条完整的生产线，如图6、图8所示，整条生产线依次设置进料室20、进料缓冲室30、第一组、转换室47、第二组、出料缓冲室50、出料室60。从图上可以看出，第一组45的移动方向为S1，第二组46的移动方向为S2，S1与S2方向相反，两组工艺组40的并排方向与这两个移动方向垂直，只是在第一组45与第二组46之间连接了一个转换室47，以使安装有玻璃基板的载具10由第一组45出来后，在转换室47内运动第二组46的连通腔位置处，之后直接进入第二组46内进行加工。该实施例中，两组工艺组40 可以对同一块或者几块玻璃基板相同的待加工表面进行加工，也可以对不同的待加工表面加工。

第一实施例，两组工艺组对同一待加工玻璃基板的同一待加工表面加工时，如图6所示，第一组45和第二组46中，第一等离子产生装置411、第二等离子产生装置421的离子出射方向相向设置，也就是，第一组45中的第一等离子产生装置411、第二等离子产生装置421的离子出射方向朝向第二组46，第二组46中第一等离子产生装置411、第二等离子产生装置421的离子出射方向朝向第一组45；此时，可以在转换室47设置旋转台，旋转台带动载具10转动，如转动180°，以便进入第二组46，并使待加工玻璃基板分别在第一组 45和第二组46中以同一表面朝向其中的等离子产生装置，即使朝向第一等离子产生装置411或者第二等离子产生装置421的待加工表面为同一表面，也就是说，载具10从第一组45的最下游腔室进入到转换室47后，旋转台会带动载具10转动一个角度，此时载具10处于第二组46的连通腔位置处，且其在第一组45中被加工的表面朝向第二组46中的第一等离子产生装置411、第二等离子产生装置421。这种方式，可以缩短整个生产线的长度，如当需要进行两次或者更多次AG蚀刻时，可以在第一组45和第二组46中分别设置部分蚀刻工艺室42，这样整个生产线的长度减小了，如图6所示的实施例中，第一组45沿移动方向S1依次设置有过渡室43、清洗工艺室41、过渡室43、过渡室43、蚀刻工艺室42、蚀刻工艺室42、过渡室43；第二组46沿移动方向S2 依次设置有过渡室43、蚀刻工艺室43、过渡室43、过渡室43、蚀刻工艺室 42、蚀刻工艺室42、过渡室43。也就是说，两组工艺组40中的腔室并不限于有相同工艺的工艺室，可以根据需要进行设置。

第二实施例，两组工艺组40对同一待加工玻璃基板的不同待加工表面加工时，如图8所示，第一组45和第二组46中，第一等离子产生装置411、第二等离子产生装置421的离子出射方向相向设置；此实施例中，转换室47设置有平移台，平移台的平移方向平行于第一组45和第二组46的并排方向，垂直于载具10的移动方向，以带动载具10移动以便进入第二组46，并使载具 10上的待加工玻璃基板在第一组45和第二组46中分别以不同的表面朝向其中的等离子产生装置，即在两组中朝向第一等离子产生装置411或者第二等离子产生装置421的待加工表面为不同表面。也就是说，载具10从第一组45 的最下游腔室进入到转换室47后，平移台会带动载具10移动一定距离，此时载具10处于第二组46的连通腔位置处，且其在第一组45中被加工的表面背离第二组46中的第一等离子产生装置411、第二等离子产生装置421，这样在第二组中对玻璃基板上未被加工过的表面进行加工。采用这种方式，可以在一条生产线上完成对同一玻璃基板的两面进行AG蚀刻，从而提高生产效率。需要说明的是，在该实施例中，载具10可以选择镂空结构，以裸露出玻璃基板的两个待加工表面。

需要说明的是，两个工艺组40中的腔室可以相同，也可以不完全一致，如在第一组45可以设置清洗工艺室41，而在第二组46中不设置清洗工艺室 42。值得注意的是，在对玻璃基板的同一表面进行加工的实施例中，由于清洗蚀刻需要设置在AG蚀刻前，因此，当第一组45中设置有蚀刻工艺室42时，第二组46中不会设置清洗工艺室41。而在对玻璃基板的不同表面进行加工的实施例中，若要求两面的效果一致，可以两组的腔室设置相同，可以均包括清洗工艺室41和蚀刻工艺室42室。具体地，两组工艺组40的设置腔室可以根据具体需要进行调整。

上述两个实施例中设置旋转台和平移台，是考虑到清洗工艺室41和蚀刻工艺室42采用模块化制作，当组装成第一组和第二组并排的生产线时，两组中的离子出射方向正好是相对的；若在组装时，第一组和第二组的离子出射方向相同，则在第一实施例的转换室中也可以直接设置平移台(如下文所述的实施例中的平移台)，在第二实施例的转换室47设置旋转台，总之，转换室47 内的机构只要将载具10运动至第二组的连通腔处，且使玻璃基板需要加工的表面朝向第二组46的离子出射方向即可。

其中，上述清洗工艺室41可以设置有一个第一等离子产生装置411，也可以沿移动方向设置有多个第一等离子产生装置411，如设置有两个或者更多个第一等离子产生装置411，且这些第一等离子产生装置411位于载具10的同一侧，即这些第一等离子产生装置411的离子出射方向相同，通过设置多个第一等离子产生装置能够提高等离子清洗的效率，如图1所示。同理，蚀刻工艺室42也可以设置有一个第二等离子产生装置421，也可以沿移动方向设置有多个第二等离子产生装置421，如设置有两个或者更多个第二等离子产生装置421，且这些第二等离子产生装置421位于载具10的同一侧，即这些第二等离子产生装置421的离子出射方向相同，通过设置多个第二等离子产生装置能够提高等离子蚀刻的效率，如图2所示。

优选地，载具10在清洗工艺室41和蚀刻工艺室42中的移动速度为 2～8mm/s，如2mm/s、3mm/s、5mm/s、6mm/s、8mm/s等。进一步地，载具10在各腔室的移动速度可以不同，如在进料室20和进料缓冲室30、出料缓冲室50和出料室60中，可以移动的快一些，如30mm/s，或者在进料缓冲室30的前半段移动的快些，后半段移动的慢一些，在快进入工艺组40时逐步降为2mm/s～8mm/s；在出料缓冲室50的前半段可以慢一些，后半段快一些，如从2mm/s～8mm/s逐渐增加到30mm/s。具体地，载具在各腔室的移动速度可以根据整个生产线的节拍设置。

继续参考图9，为了方便玻璃基板的安装，载具10具有装载面，装载面相对于竖直方向倾斜设置，以使玻璃基板的待加工表面法向具有向上的分量，此时，等离子产生装置以相同的角度倾斜设置，以使等离子产生装置的工作面与装载面平行，即可以设置载具的顶部较底部向远离第一等离子产生装置411、第二等离子产生装置421的一侧倾斜，且装载面与第一等离子产生装置41、第二等离子产生装置42之间的距离为20～80mm，如20mm、25mm、30mm、33mm、36mm、38mm、40mm、50mm、55mm、60mm、67mm、75mm、80mm 等，采用该设置能够使得等离子产生装置与待加工表面的距离在较好的范围内，从而配合上述清洗蚀刻和AG蚀刻时的工艺参数达到更好地蚀刻效果，进一步提高成型的AG玻璃表面凹凸结构的均匀性，增加整个玻璃的解析度。

需要说明的是，文中所述的移动方向即玻璃基板的移动方向，上游和下游也是相对于玻璃基板的移动方向来说的。

以下以基恩士VK-X100作为测量仪器，对光泽度为108的样品玻璃、采用本实用新型的玻璃表面处理设备和加工方法加工的半成品和成品的表面进行测量后，得到的测量数据如下表1，其中，半成品为仅进行了清洗蚀刻后的样品，表中以清洗样品表示；成品指进行了清洗蚀刻和AG蚀刻后的样品，表中以AG蚀刻样品表示。

表1

可见，通过本实施方式形成的防眩光表面，能够符合不同参数范围的AG 玻璃性能要求，且得到的AG玻璃的清晰度较高。

需要说明的是，虽然上述各实施例描述的加工设备和加工方法是用于制造防眩光玻璃的，但是其也可以应用于太阳能板的制备，虽然太阳能板对防眩光要求、解析度等要求不高；在等离子清洗和等离子蚀刻过程中，由于发生溅射，因此整个玻璃基板在厚度上会有一定的减小，因此，本申请的加工设备和加工方法也可以应用于一些需要减薄的工艺处理。

需要说明的是，文中所述的排列方向指玻璃基板的移动方向，在设置有移动机构时，可以为移动机构的前进方向(其中往复运动时包括前进方向和其反方向)。上游和下游也是相对于玻璃基板的移动方向来说的。

本领域的技术人员能够理解的是，在不冲突的前提下，上述各优选方案可以自由地组合、叠加。

应当理解，上述的实施方式仅是示例性的，而非限制性的，在不偏离本实用新型的基板原理的情况下，本领域的技术人员可以针对上述细节做出的各种明显的或等同的修改或替换，都将包含于本实用新型的权利要求范围内。

Claims (12)

1.一种玻璃表面处理设备，其特征在于，包括沿待加工玻璃基板的移动方向依次布置的进料室(20)、进料缓冲室(30)、工艺组(40)、出料缓冲室(50)以及出料室(60)，所述进料室(20)远离所述工艺组(40)的一侧设置有进料门阀(21)，所述出料室(60)远离所述工艺组(40)的一侧设置有出料门阀(61)；

所述工艺组(40)包括用于对玻璃基板表面进行等离子清洗的清洗工艺室(41)和用于对玻璃基板表面进行等离子蚀刻的蚀刻工艺室(42)；所述清洗工艺室(41)设置有第一等离子产生装置(411)，所述第一等离子产生装置(411)具有第一气源入口，所述第一气源入口与清洗气源连接，所述清洗气源包括惰性气体源；所述蚀刻工艺室(42)设置有第二等离子产生装置(421)和偏压装置(48)，所述第二等离子产生装置(421)具有第二气源入口，所述第二气源入口与蚀刻气源连接，所述蚀刻气源包括惰性气体源和含氟气体源；所述偏压装置(48)的正极与所述蚀刻工艺室(42)的腔壁连接，负极与用于安装待加工玻璃基板的载具(10)连接。

2.根据权利要求1所述的玻璃表面处理设备，其特征在于，所述第一等离子产生装置(411)和所述第二等离子产生装置(421)均为感性耦合等离子体产生装置。

3.根据权利要求1所述的玻璃表面处理设备，其特征在于，所述工艺组(40)中任意相邻的两个腔室的连接处形成连通腔，所述连通腔的腔壁与安装有所述待加工玻璃基板的载具(10)的外轮廓之间留有预定间隙。

4.根据权利要求1所述的玻璃表面处理设备，其特征在于，所述进料缓冲室(30)与所述进料室(20)、所述工艺组(40)之间分别设置有腔体门阀(70)，所述出料缓冲室(50)与所述出料室(60)、所述工艺组(40)之间也分别设置有腔体门阀(70)。

5.根据权利要求1所述的玻璃表面处理设备，其特征在于，所述清洗气源和所述蚀刻气源均包括氧气源，所述氧气源的供气流量为0～200sccm。

6.根据权利要求1所述的玻璃表面处理设备，其特征在于，所述清洗工艺室(41)沿所述移动方向设置有多个第一等离子产生装置(411)；所述蚀刻工艺室(42)沿所述移动方向设置有多个第二等离子产生装置(421)。

7.根据权利要求1所述的玻璃表面处理设备，其特征在于，所述工艺组(40)中，所述清洗工艺室(41)设置有一个，所述蚀刻工艺室(42)连续设置有多个。

8.根据权利要求1-7任一项所述的玻璃表面处理设备，其特征在于，所述工艺组(40)还包括过渡室(43)，至少在相邻的清洗工艺室(41)与蚀刻工艺室(42)之间设置有过渡室(43)。

9.根据权利要求1-7任一项所述的玻璃表面处理设备，其特征在于，所述进料室(20)、所述进料缓冲室(30)、所述工艺组(40)、所述出料缓冲室(50)和所述出料室(60)设有并行的两套，两套之间具有共用的侧壁，载具(10)在两套中的移动方向相同。

10.根据权利要求1-7任一项所述的玻璃表面处理设备，其特征在于，所述工艺组(40)并排设置有两组，且两组工艺组(40)的载具(10)移动方向相反，载具(10)能够顺次经过第一组(45)和第二组(46)，所述进料室(20)、所述进料缓冲室(30)分别与所述出料室(60)、所述出料缓冲室(50)并排设置，所述进料室(20)、所述进料缓冲室(30)与所述第一组(45)位于同一列，所述出料室(60)、所述出料缓冲室(50)与所述第二组(46)位于同一列；

所述第一组(45)的最下游和所述第二组(46)的最上游均设置有过渡室(43)，两个所述过渡室(43)并排设置并通过转换室(47)连接，且各自与所述转换室(47)的连接处也形成连通腔。

11.根据权利要求10所述的玻璃表面处理设备，其特征在于，所述第一组(45)和所述第二组(46)中，离子产生装置的离子出射方向相向设置；

所述转换室(47)设置有旋转台，所述旋转台能够带动所述载具(10)转动180°以便于进入第二组(46)，并使所述待加工玻璃基板分别在所述第一组(45)和所述第二组(46)中以同一表面朝向其中的等离子产生装置。

12.根据权利要求10所述的玻璃表面处理设备，其特征在于，所述第一组(45)和所述第二组(46)中，等离子产生装置的离子出射方向相向设置；

所述转换室(47)设置有平移台，所述平移台的平移方向平行于垂直于所述移动方向，以带动所述载具(10)移动以便于进入第二组(46)，并使所述待加工玻璃基板在所述第一组(45)和所述第二组(46)中分别以不同的表面朝向其中的等离子产生装置。

Images