CN114830382A - 锂离子电池用集电体和该集电体的制造方法 - Google Patents

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Abstract

锂离子电池用集电体具有第1导电性树脂层和第2导电性树脂层。第1导电性树脂层包含第1导电性填充物。第2导电性树脂层形成在第1导电性树脂层上，包含第2导电性填充物。第1导电性填充物是导电性碳。第2导电性填充物包含选自铂、金、银、铜、镍和钛中的至少1种金属元素。第2导电性树脂层中的第1导电性树脂层侧的第1面侧的第2导电性填充物的体积％大于与第1导电性树脂层相反侧的第2面侧的第2导电性填充物的体积％。

Description

锂离子电池用集电体和该集电体的制造方法
技术领域
本发明涉及锂离子电池用集电体和该集电体的制造方法。
背景技术
日本特开2018-55967号公报(专利文献1)公开了一种锂离子电池用集电体，其具有：包含第1导电性填充物的第1导电性树脂层；和包含第2导电性填充物的第2导电性树脂层。在该锂离子电池用集电体中，第1导电性填充物是导电性碳，第2导电性填充物包含选自铂、金、银、铜、镍和钛的至少1种金属元素。通过使用导电性碳作为第1导电性填充物，与使用金属元素作为第1导电性填充物的情况相比，能够实现锂离子电池用集电体的轻量化(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-55967号公报。
发明内容
发明要解决的问题
但是，在上述专利文献1公开的包括锂离子电池用集电体的锂离子电池中，伴随第1导电性树脂层的发热，存在第2导电性树脂层的电阻值上升，电池输出下降的可能性。另一方面，当为了应对随第1导电性树脂层的发热而发生的电阻值上升，降低第2导电性树脂层的电阻值时，存在在锂离子电池中产生意料外的大电流的可能性。
本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种锂离子电池用集电体和该集电体的制造方法，其能够抑制随包含导电性碳的第1导电性树脂层的发热而发生的电阻值的上升，并且能够抑制意料外的大电流的产生。
用于解决问题的技术手段
本发明的一个方面的锂离子电池用集电体具有第1导电性树脂层和第2导电性树脂层。第1导电性树脂层包含第1导电性填充物。第2导电性树脂层形成在第1导电性树脂层上，包含第2导电性填充物。第1导电性填充物是导电性碳。第2导电性填充物包含选自铂、金、银、铜、镍和钛中的至少1种金属元素。第1导电性树脂层的与第2导电性树脂层相反的一侧的面为第1面。第2导电性树脂层的与第1导电性树脂层相反的一侧的面为第2面。第2导电性树脂层中的第1导电性树脂层侧的第2导电性填充物的体积％大于与第1导电性树脂层相反侧的第2面侧的第2导电性填充物的体积％。40℃环境下的比热容Cp为0.9mJ/mg·℃以上且2.2mJ/mg·℃以下，第2面的表面电阻值为1Ω/□以上且2Ω/□以下。
在该锂离子电池用集电体中，第2导电性树脂层中的第2导电性填充物，相比于第2面侧，较多地包含在第1导电性树脂层侧。在该锂离子电池用集电体中，即使第1导电性树脂层的温度上升，且随着该温度上升，第2导电性树脂层发生了膨胀，也由于第1导电性树脂层侧的第2导电性填充物的含有量多，因此容易维持第2导电性填充物彼此的接触。因此，根据该锂离子电池用集电体，能够抑制随着第1导电性树脂层的温度上升而发生的第2导电性树脂层的电阻值的上升。
此外，在该锂离子电池用集电体中，即使被施加了意料外的高电压，也因为第2面侧(第1导电性树脂层的相反侧)的第2导电性填充物的含有量较少，所以不容易产生大电流。因此，根据该锂离子电池用集电体，能够抑制意料外地产生大电流的情况。
该锂离子电池用集电体还可以具有形成在第2面上的金属覆膜层。
在该锂离子电池用集电体中，优选在第2面上形成金属覆膜层。根据该锂离子电池用集电体，配置在第2面上的活性物质隔着金属覆膜层在更宽广的部分与第2导电性填充物接触，因此能够抑制活性物质的局部的劣化。
在该锂离子电池用集电体中，第1面的表面电阻值优选为0.9Ω/□以上且8Ω/□以下。
在该锂离子电池用集电体中，优选第1导电性树脂层的厚度为第1导电性树脂层的厚度与第2导电性树脂层的厚度之和的80％以下。
本发明的另一方面的锂离子电池用集电体的制造方法包括：形成包含第1导电性填充物的第1导电性树脂层的步骤；和在第1导电性树脂层上形成包含第2导电性填充物的第2导电性树脂层的步骤，第1导电性填充物是导电性碳，第2导电性填充物包含选自铂、金、银、铜、镍和钛中的至少1种金属元素，第1导电性树脂层的与第2导电性树脂层相反的一侧的面为第1面，第2导电性树脂层的与第1导电性树脂层相反的一侧的面为第2面，第2导电性树脂层中的第1导电性树脂层侧的第2导电性填充物的体积％大于与第1导电性树脂层相反侧的第2面侧的第2导电性填充物的体积％，上述制造方法还包括通过调节第2导电性树脂层中的第2导电性填充物的体积％，将锂离子电池用集电体在40℃环境下的比热容Cp和第2面的表面电阻值控制为目标值的步骤，比热容的目标值为0.9mJ/mg·℃以上且2.2mJ/mg·℃以下，第2面的表面电阻值的目标值为1Ω/□以上且2Ω/□以下。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种能够抑制伴随包含导电性碳的第1导电性树脂层的发热而发生的电阻值的上升，并且能够抑制意料外地产生大电流的情况的锂离子电池用集电体和该集电体的制造方法。
附图说明
图1是表示集电体的截面的图。
图2是示意地表示集电体的制造装置的图。
图3是表示集电体的制造工序的流程图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。对于附图中的相同或相当部分赋予相同的附图标记，不进行重复的说明。
[1.集电体的结构]
图1是表示本实施方式的集电体10的截面的图。集电体10例如用于锂离子电池的负极用集电体。如图1所示，集电体10包括第1导电性树脂层100、第2导电性树脂层200和金属覆膜层300。
在锂离子电池中，在金属覆膜层300的上方涂覆负极用的活性物质，在第1导电性树脂层100的下方配置了正极用集电体。在锂离子电池中，在集电体10的贯通方向(图中上下方向)流动电流。其中，第1导电性树脂层100的厚度为第1导电性树脂层100的厚度与第2导电性树脂层200的厚度之和的80％以下。下面，对各层进行说明。
＜1-1.第1导电性树脂层＞
第1导电性树脂层100包含聚烯烃和导电性填充物。即，第1导电性树脂层100通过将聚烯烃和导电性填充物混合而形成。
作为聚烯烃，例如能够列举聚丙烯(PP)和聚乙烯(PE)。此外，作为聚烯烃，也可以使用以具有4～30个碳原子的α-烯烃(1-丁烯、异丁烯、1-己烯、1-癸烯或1-十二碳烯等)为基本组成单体的聚合物等。这些聚烯烃可以是单独1种，也可以是2种以上的混合物。
在聚烯烃的中，从防湿特性和机械强度的观点出发，优选聚丙烯。作为聚丙烯，例如能够列举均聚聚丙烯、无规聚丙烯、嵌段聚丙烯、具有长链分支结构的聚丙烯和酸改性聚丙烯。
均聚聚丙烯是丙烯的单聚物。无规聚丙烯是包含被无规则地导入的少量(优选，4.5重量％以下)的乙烯单位的共聚物。嵌段聚丙烯是在均聚聚丙烯中分散地存在乙烯丙烯橡胶(EPR)的组成物，具有在均聚聚丙烯的“海”中浮着包含EPR的“岛”的“海岛结构”。作为具有长链分支结构的聚丙烯，能够列举日本特开2001-253910号公报中记载的聚丙烯等。酸改性聚丙烯是导入了羧基的聚丙烯，能够通过在存在有机过氧化物的情况下使马来酸酐等不饱和羧酸与聚丙烯反应等公知的方法获得。
作为第1导电性树脂层100中包含的导电性填充物，能够列举导电性碳。作为导电性碳，例如能够列举石墨(Graphite)、碳黑(乙炔黑、科琴黑、炉黑、槽黑、热灯黑等)、碳纳米管和这些物质的混合物。
在导电性碳中，优选碳黑，更加优选乙炔黑、炉黑、或他们的混合物。碳黑的体积平均颗粒直径，不被特别限定，从使用集电体10的锂离子电池的电特性的观点出发，优选为3～500nm。
＜1-2.第2导电性树脂层＞
第2导电性树脂层200形成在第1导电性树脂层100上，包括第1面侧层220和第2面侧层210。其中，第1面240是第1导电性树脂层100的与第2导电性树脂层200相反一侧的面。第2面230是第2导电性树脂层200的与第1导电性树脂层100相反一侧的面。
第1面侧层220和第2面侧层210各自包含聚烯烃和导电性填充物。即，第1面侧层220和第2面侧层210各自通过将聚烯烃和导电性填充物混合而形成。作为聚烯烃，例如能够使用在第1导电性树脂层100的说明中例示了的材料。
作为第2导电性树脂层200中包含的导电性填充物，能够列举铂、金、银、铜、镍、钛和这些金属的混合物。即，第2导电性树脂层200中包含的导电性填充物，包含选自铂、金、银、铜、镍和钛中的至少1种金属元素。其中，在这些金属元素中，镍颗粒作为导电性填充物更加优选。
在第2导电性树脂层200中，相比于第2面侧层210，第1面侧层220含有较多的导电性填充物。因此，在集电体10中，即使第1导电性树脂层100的温度上升，且伴随该温度上升，第2导电性树脂层200(更靠近第1导电性树脂层100的第1面侧层220)发生了膨胀，也会由于第1面侧层220的导电性填充物的体积％较大，因此能够容易地维持导电性填充物彼此的接触。因此，根据集电体10，能够抑制伴随第1导电性树脂层100的温度上升而发生的第2导电性树脂层200的电阻值的上升。
此外，在集电体10中，例如，即使金属片这样的物体意料外地刺入了，也由于第2面侧层210的第2导电性填充物的含有量较少(因为第2面230的电阻值较大)，所以不容易产生大电流。因此，根据集电体10，能够抑制意料外地产生大电流的情况。
＜1-3.金属覆膜层＞
金属覆膜层300形成在第2导电性树脂层200的第2面230上。金属覆膜层300例如由铜构成。金属覆膜层300，例如通过蒸镀、溅射等公知的技术形成。金属覆膜层300的厚度不被特别限定，优选为10～100nm。
在集电体10中，在第2面230上形成金属覆膜层300。因此，根据集电体10，配置在第2面230上的活性物质隔着金属覆膜层300在更宽广的部分与导电性填充物接触，因此能够抑制活性物质的局部的劣化。
＜1-4.各种参数＞
40℃环境下的集电体10的比热容Cp为0.9mJ/mg·℃以上且2.2mJ/mg·℃以下。比热容Cp的测量以依照JIS K 7123的方法进行。
第2面230的表面电阻值为1Ω/□以上且2Ω/□以下。表面电阻值的测量以依照JIS K 7194的方法进行。
第1面240的表面电阻值为0.9Ω/□以上、8Ω/□以下。表面电阻值的测量以依照JIS K 7194的方法进行。
由于集电体10的比热容Cp与集电体10的贯通电阻是相关的，因此40℃环境下的集电体10的比热容Cp为0.9mJ/mg·℃以上且2.2mJ/mg·℃以下，并且第2面230的表面电阻值为1Ω/□以上且2Ω/□以下，这表示第1面侧层220的内部电阻一定程度较小(包含较多的导电性填充物)。通过实验可知，通过使这些参数处于上述的范围内，能够抑制伴随第1导电性树脂层100的温度上升而发生的第1面侧层220的内部电阻的上升。
[2.集电体的制造方法]
图2是示意地表示集电体10的制造装置500的图。如图2所示，制造装置500包括T模具部510和原料投入部520、530、540。
向原料投入部520投入用于形成第2导电性树脂层200的第2面侧层210的导电性树脂原料。具体而言，投入导电性填充物(金属)的含有量为水准1的母料(master batch)导电性树脂原料以及导电性填充物的含有量为水准2的母料导电性树脂原料。其中，水准2的母料导电性树脂原料，与水准1的母料导电性树脂原料相比包含更多的导电性填充物。
向原料投入部530投入用于形成第2导电性树脂层200的第1面侧层220的导电性树脂原料。具体而言，投入导电性填充物(金属)的含有量为水准1的母料导电性树脂原料以及导电性填充物的含有量为水准2的母料导电性树脂原料。
向原料投入部540中投入用于形成第1导电性树脂层100的导电性树脂原料。具体而言，投入导电性填充物(导电性碳)的含有量为水准3的母料导电性树脂原料以及导电性填充物的含有量为水准4的母料导电性树脂原料。其中，水准4的母料导电性树脂原料，与水准3的母料导电性树脂原料相比包含更多的导电性填充物。
T模具部510构成为，通过将经原料投入部520、530、540投入的原料共挤，使导电性树脂原料的熔融物彼此熔接而形成1片一体化了的薄膜。即，T模具部510构成为，基于经原料投入部520、530、540投入的原料，生成薄膜状的集电体10。
图3是表示集电体10的制造工序的流程图。在该制造工序中，首先，利用各母料导电性树脂原料的暂时的混合比率形成暂时的第1导电性树脂层100和暂时的第2导电性树脂层200，生成暂时的集电体10(没有形成金属覆膜层300)。测量暂时的集电体10的各种参数，调节各母料导电性树脂原料的混合比率直至各种参数处于目标范围。
参照图3，制造装置500形成暂时的第1导电性树脂层100和暂时的第2导电性树脂层200，生成暂时的集电体10(步骤S100)。其中，制造装置500以第1面侧层220的导电性填充物含有量比第2面侧层210的导电性填充物含有量多的方式形成暂时的第2导电性树脂层200。
作业者对所生产的暂时的集电体10的比热容Cp进行测量(步骤S110)。作业者对所生产的暂时的集电体10的第2面230的表面电阻值进行测量(步骤S120)。作业者判断比热容Cp和表面电阻值是否处于目标范围内(步骤S130)。
集电体10的比热容Cp的目标范围，在40℃环境中为0.9mJ/mg·℃以上且2.2mJ/mg·℃以下。第2面230的表面电阻值的目标范围为1Ω/□以上且2Ω/□以下。
当判断为处于目标范围内时(在步骤S130中，是)，作业者维持当前的母料导电性原料的混合比率，继续集电体10的生产。关于之后生产的集电体10，执行在第2面230上涂覆金属覆膜层300的步骤。
另一方面，当判断为没有处于目标范围时(在步骤S130中，否)，作业者调节母料导电性树脂原料的混合比率(步骤S140)。调节后的混合比率，可以基于作业者的经验法则被导出，或由计算机计算出。之后，反复进行步骤S100～S140的处理，直至各参数处于目标范围内。由此，能够生产各参数处于目标范围内的集电体10。
[3.特征]
如上所述，在集电体10中的第2导电性树脂层200中，相比于第2面侧层210，第1面侧层220较多地包含导电性填充物。在集电体10中，即使第1导电性树脂层100的温度上升且伴随该温度上升而第2导电性树脂层200(更靠近第1导电性树脂层100的第1面侧层220)发生了膨胀，也会由于第1面侧层220的导电性填充物的含有量较多，因此能够容易地维持导电性填充物彼此的接触。因此，根据集电体10，能够抑制伴随第1导电性树脂层100的温度上升而发生的第2导电性树脂层200的电阻值的上升。
此外，在集电体10中，例如，即使金属片这样的物体意料外地刺入了，也因为第2面侧层210的导电性填充物的含有量较少，所以难以产生大电流。因此，根据集电体10，能够抑制大电流意料外地产生的情况。
[4.变形例]
以上，对实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离其趣旨的范围，能够进行各种改变。下面，对变形例进行说明。
在上述实施方式中，在第2面230上形成了金属覆膜层300。但是，并不一定需要形成金属覆膜层300。在第2面230上也可以不形成金属覆膜层300。
此外，在上述实施方式中，在第1导电性树脂层100的下方(第1面240上)没有形成金属覆膜层。但是，也可以在第1面240上形成金属覆膜层。例如，取决于构成配置在第1导电性树脂层100的下方的正极用的集电体的材料(例如，与第1导电性树脂层100的材料完全不同的材料)，通过在第1面240上形成金属覆膜层，能够减小负极与正极之间的电阻。
[5.实施例等]
＜5-1.实施例和比较例＞
在各实施例和比较例的说明中，将第2面侧层210称为“A层”，将第1面侧层220称为“M层”，将第1导电性树脂层100称为“B层”。其中，A层、M层和B层的各个层中包含聚丙烯树脂，该聚丙烯树脂的熔体流动速率(MFR)为13g/10min。
(5-1-1.实施例1)
在实施例1的集电体中，整体的厚度为50μm，在第2面上形成铜薄膜，作为A层、M层的导电性填充物使用了镍(Ni)。此外，A层和M层的各个层的厚度为15μm，导电性填充物的含有量(体积％)，M层多于A层。B层的导电性填充物为乙炔黑，B层的厚度为20μm。此外，在第1面上形成了铜薄膜。40℃环境下的比热容为1.07mJ/mg·℃，第2面的表面电阻值为1.45Ω/□，第1面的表面电阻值为0.9Ω/□。
(5-1-2.实施例2)
在实施例2的集电体中，整体的厚度为50μm，在第2面上形成了铜薄膜，作为A层、M层的导电性填充物使用了镍(Ni)。此外，A层的厚度为20μm，M层的厚度为10μm。导电性填充物的含有量，M层多于A层。B层的导电性填充物为乙炔黑，B层的厚度为20μm。此外，在第1面上形成了铜薄膜。40℃环境下的比热容为1.15mJ/mg·℃，第2面的表面电阻值为1.49Ω/□，第1面的表面电阻值为1.07Ω/□。
(5-1-3.实施例3)
在实施例3的集电体中，整体的厚度为50μm，在第2面上形成了铜薄膜，作为A层、M层的导电性填充物使用了镍(Ni)。此外，A层和M层的各层的厚度为15μm，导电性填充物的含有量，M层多于A层。B层的导电性填充物为乙炔黑，B层的厚度为20μm。此外，在第1面上形成了铜薄膜。40℃环境下的比热容为0.92mJ/mg·℃，第2面的表面电阻值为1.47Ω/□，第1面的表面电阻值为1.04Ω/□。
(5-1-4.实施例4)
在实施例4的集电体中，整体的厚度为50μm，在第2面上形成了铜薄膜，作为A层、M层的导电性填充物使用了镍(Ni)。此外，A层和M层的各层的厚度为15μm，导电性填充物的含有量，M层多于A层。B层的导电性填充物为乙炔黑，B层的厚度为20μm。此外，在第1面上形成了铜薄膜。40℃环境下的比热容为1.14mJ/mg·℃，第2面的表面电阻值为1.4Ω/□，第1面的表面电阻值为10Ω/□。
(5-1-5.实施例5)
在实施例5的集电体中，整体的厚度为50μm，在第2面上形成了铜薄膜，作为A层、M层的导电性填充物使用了镍(Ni)。此外，A层和M层的各层的厚度为15μm，导电性填充物的含有量，M层多于A层。B层的导电性填充物为乙炔黑，B层的厚度为20μm。此外，在第1面上形成了铜薄膜。40℃环境下的比热容为2.2mJ/mg·℃，第2面的表面电阻值为1.5Ω/□，第1面的表面电阻值为1.07Ω/□。
(5-1-6.比较例1)
在比较例1的集电体中，整体的厚度为50μm，在第2面上形成了铜薄膜，作为A层、M层的导电性填充物使用了镍(Ni)。此外，A层和M层的各层的厚度为15μm，导电性填充物的含有量，A层多于M层。B层的导电性填充物为乙炔黑，B层的厚度为20μm。此外，在第1面上形成了铜薄膜。40℃环境下的比热容为2.4mJ/mg·℃，第2面的表面电阻值为1.5Ω/□，第1面的表面电阻值为1.1Ω/□。
(5-1-7.比较例2)
在比较例2的集电体中，整体的厚度为50μm，在第2面上形成了铜薄膜，作为A层、M层的导电性填充物使用了镍(Ni)。此外，A层和M层的各层的厚度为15μm，导电性填充物的含有量，A层多于M层。B层的导电性填充物为乙炔黑，B层的厚度为20μm。此外，在第1面上形成了铜薄膜。40℃环境下的比热容为2.2mJ/mg·℃，第2面的表面电阻值小于0.1Ω/□，第1面的表面电阻值为1.1Ω/□。
(5-1-8.比较例3)
在比较例3的集电体中，整体的厚度为50μm，在第2面上形成了铜薄膜，作为A层、M层的导电性填充物使用了镍(Ni)。此外，A层和M层的各层的厚度为15μm，导电性填充物的含有量，M层多于A层。B层的导电性填充物为乙炔黑，B层的厚度为20μm。此外，在第1面上形成了铜薄膜。40℃环境下的比热容为1.3mJ/mg·℃，第2面的表面电阻值为100Ω/□以上，第1面的表面电阻值为1.06Ω/□。
对上述实施例1～5、比较例1～3进行了汇总而得到以下的表1。
[表1]
Figure BDA0003700260980000111
＜5-2.评价方法＞
对于各实施例和比较例中的集电体的贯通电阻值因温度而受到怎样程度的影响进行了评价。具体而言，关于各实施例和比较例的集电体，按以下的顺序进行了评价。
(1)在40℃的恒温槽内将集电体静置2分钟，之后，将集电体从恒温槽取出，测量了贯通电阻值。令其测量结果为40℃电阻值。贯通电阻值的测量方法在后面详细进行说明。
(2)在80℃的恒温槽内将集电体静置2分钟，之后，将集电体从恒温槽取出，测量了贯通电阻值。令其测量结果为80℃电阻值。
(3)用下述式计算得到的温度影响系数小于0.02(Ω·cm2/℃)的集电体，因为不容易受到温度的影响，所以评价为“〇”；温度影响系数为0.02(Ω·cm2/℃)以上的集电体，因为容易受到温度的影响，所以评价为“×”。
温度影响系数(Ω·cm2/℃)＝(80℃电阻值(Ω·cm2)－40℃电阻值(Ω·cm2))/(80(℃)－40(℃))
其中，贯通电阻值的测量按以下的方法进行了。从各集电体截取7cm见方的试样，使用电阻测量器[IMC-0240型井元制作所(株)制]和电阻计[RM3548 HIOKI制]测量了集电体的厚度方向(贯通方向)的电阻值。在对电阻测量器施加了2.16kg的负荷的状态下测量了集电体的电阻值，将施加荷重起60秒后的值作为该集电体的电阻值。如以下式所示，乘以电阻测量时的夹具的接触表面的面积(3.14cm2)而得的值为贯通电阻值(Ω·cm2)。
贯通电阻值(Ω·cm2)＝电阻值(Ω)×3.14(cm2)
＜5-3.评价结果＞
上述评价的结果是，实施例1～5被评价为“〇”，比较例1～3被评价为“×”。
附图标记的说明
10集电体，100第1导电性树脂层，200第2导电性树脂层，210第2面侧层，220第1面侧层，230第2面，240第1面，300金属覆膜层，500制造装置，510T模具，520、530、540原料投入部。

Claims (5)

1.一种锂离子电池用集电体，其特征在于，具有：
包含第1导电性填充物的第1导电性树脂层；和
形成在所述第1导电性树脂层上的包含第2导电性填充物的第2导电性树脂层，
所述第1导电性填充物是导电性碳，
所述第2导电性填充物包含选自铂、金、银、铜、镍和钛中的至少1种金属元素，
所述第1导电性树脂层的与所述第2导电性树脂层相反的一侧的面为第1面，
所述第2导电性树脂层的与所述第1导电性树脂层相反的一侧的面为第2面，
所述第2导电性树脂层中的所述第1导电性树脂层侧的所述第2导电性填充物的体积％大于所述第2面侧的所述第2导电性填充物的体积％，
40℃环境下的比热容Cp为0.9mJ/mg·℃以上且2.2mJ/mg·℃以下，
所述第2面的表面电阻值为1Ω/□以上且2Ω/□以下。
2.如权利要求1所述的锂离子电池用集电体，其特征在于：
还具有形成在所述第2面上的金属覆膜层。
3.如权利要求1或2所述的锂离子电池用集电体，其特征在于：
所述第1面的表面电阻值为0.9Ω/□以上且8Ω/□以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的锂离子电池用集电体，其特征在于：
所述第1导电性树脂层的厚度为所述第1导电性树脂层的厚度与所述第2导电性树脂层的厚度之和的80％以下。
5.一种锂离子电池用集电体的制造方法，其特征在于，包括：
形成包含第1导电性填充物的第1导电性树脂层的步骤；和
在所述第1导电性树脂层上形成包含第2导电性填充物的第2导电性树脂层的步骤，
所述第1导电性填充物是导电性碳，
所述第2导电性填充物包含选自铂、金、银、铜、镍和钛中的至少1种金属元素，
所述第1导电性树脂层的与所述第2导电性树脂层相反的一侧的面为第1面，
所述第2导电性树脂层的与所述第1导电性树脂层相反的一侧的面为第2面，
所述第2导电性树脂层中的所述第1导电性树脂层侧的所述第2导电性填充物的体积％大于所述第2面侧的所述第2导电性填充物的体积％，
所述制造方法还包括：通过调节所述第2导电性树脂层中的所述第2导电性填充物的体积％，将所述锂离子电池用集电体在40℃环境下的比热容Cp和所述第2面的表面电阻值控制为目标值的步骤，所述比热容的目标值为0.9mJ/mg·℃以上且2.2mJ/mg·℃以下，
所述第2面的表面电阻值的目标值为1Ω/□以上且2Ω/□以下。
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