CN114669620A - 一种精密陶瓷烧结用承烧钼板及其制备工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及钼板生产技术领域,具体提供了一种精密陶瓷烧结用承烧钼板的制备工艺,包括如下步骤:S1、制备钼板坯体;S2、对步骤S1所得钼板坯体进行加热并多道次轧制,得到第一半成品;S3、对步骤S2所得第一半成品进行热处理,得到第二半成品;S4、对步骤S3所得第二半成品进行保温,自然冷却后即得;本发明还提供了由上述制备工艺制得的精密陶瓷烧结用承烧钼板。
Description
技术领域
本发明涉及钼板生产技术领域,具体而言,涉及一种精密陶瓷烧结用承烧钼板及其制备工艺。
背景技术
钼很坚硬,也很柔软,比钨有韧性。钼具有高弹性模量,钨,钽,只具有较高的熔点。钼板用于许多特种钢。其他一些常见的用途是钼电极,真空炉应用,核能,导弹和飞机零部件。目前对于钼板的生产,有熔炼法和粉末冶金法等方法。熔炼法制备钼板坯优点在于生产规模大、板坯尺寸大,但产品的微观组织不均匀;粉末冶金法经过几十年的发展,也已经可以生产大尺寸板材,但通常采用电阻炉进行常规烧结致密化,致密化过程较慢,所需烧结温度过高,烧结时间过长,同时,制备出的板材同样显微组织均匀性较差。
发明内容
本发明提供了一种精密陶瓷烧结用承烧钼板及其制备工艺,能够有效解决上述问题。
本发明的实施例通过以下技术方案实现:
本发明一方面提供了一种精密陶瓷烧结用承烧钼板的制备工艺,包括如下步骤:
S1、制备钼板坯体;
S2、对步骤S1所得钼板坯体进行加热并多道次轧制,得到第一半成品;
S3、对步骤S2所得第一半成品进行热处理,得到第二半成品;
S4、对步骤S3所得第二半成品进行保温,自然冷却后即得。
本发明另一方面提供了一种由上述制备工艺制得的精密陶瓷烧结用承烧钼板。
本发明实施例的技术方案至少具有如下优点和有益效果:
本发明所提供的制备工艺所制得的精密陶瓷烧结用承烧钼板,具有超大晶组织结构,该组织结构在高温下具备优异的抗蠕变性能,在1500℃以上高温环境中仍能保持较低的变形量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例1提供的精密陶瓷烧结用承烧钼板的组织结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者,按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市售购买获得的常规产品。
本具体实施方式提供了一种精密陶瓷烧结用承烧钼板的制备工艺,包括如下步骤:
S1、制备钼板坯体;
S2、对步骤S1所得钼板坯体进行加热并多道次轧制,得到第一半成品;
S3、对步骤S2所得第一半成品进行热处理,得到第二半成品;
S4、对步骤S3所得第二半成品进行保温,自然冷却后即得。
进一步地,在步骤S1中:
将钼粉压制成板,在惰性气体氛围下烧结,得到钼板坯体。
进一步地,在步骤S2中:
加热的温度为800℃-1300℃。
进一步地,在步骤S2中:
单道次变形量为10%-30%。
进一步地,在步骤S3中:
热处理时的升温速率为100-200℃/h。
进一步地,在步骤S4中:
保温的温度为1500℃-2000℃。
进一步地,在步骤S4中:
保温时间为3-10小时。
本具体实施方式还提供了一种精密陶瓷烧结用承烧钼板,由上述制备工艺制得。
进一步地,本精密陶瓷烧结用承烧钼板具有超大晶组织结构。
进一步地,超大晶组织结构的晶粒尺寸>1cm,超大晶组织结构的面积占钼板总面积的80%以上。
实施例1
本实施例用于制备精密陶瓷烧结用承烧钼板,包括如下步骤:
S1、制备钼板坯体;
将钼粉压制成板,在惰性气体氛围下烧结,得到钼板坯体;
S2、对步骤S1所得钼板坯体进行加热,温度至1000℃,并多道次轧制,单道次变形量为20%,得到第一半成品;
S3、对步骤S2所得第一半成品进行热处理,热处理时的升温速率为150℃/h,最高温度为1800℃,得到第二半成品;
S4、对步骤S3所得第二半成品进行保温6小时,自然冷却后即得精密陶瓷烧结用承烧钼板A1。
实施例2
本实施例用于制备精密陶瓷烧结用承烧钼板,包括如下步骤:
S1、制备钼板坯体;
将钼粉压制成板,在惰性气体氛围下烧结,得到钼板坯体;
S2、对步骤S1所得钼板坯体进行加热,温度至800℃,并多道次轧制,单道次变形量为10%,得到第一半成品;
S3、对步骤S2所得第一半成品进行热处理,热处理时的升温速率为100℃/h,最高温度为1500℃,得到第二半成品;
S4、对步骤S3所得第二半成品进行保温3小时,自然冷却后即得精密陶瓷烧结用承烧钼板A2。
实施例3
本实施例用于制备精密陶瓷烧结用承烧钼板,包括如下步骤:
S1、制备钼板坯体;
将钼粉压制成板,在惰性气体氛围下烧结,得到钼板坯体;
S2、对步骤S1所得钼板坯体进行加热,温度至1300℃,并多道次轧制,单道次变形量为30%,得到第一半成品;
S3、对步骤S2所得第一半成品进行热处理,热处理时的升温速率为200℃/h,最高温度为2000℃,得到第二半成品;
S4、对步骤S3所得第二半成品进行保温10小时,自然冷却后即得精密陶瓷烧结用承烧钼板A3。
实施例1-3所制得的精密陶瓷烧结用承烧钼板,均具有超大晶组织结构,且超大晶组织结构的晶粒尺寸>1cm,超大晶组织结构的面积占钼板总面积的80%以上。
以上仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种精密陶瓷烧结用承烧钼板的制备工艺,其特征在于,包括如下步骤:
S1、制备钼板坯体;
S2、对步骤S1所得钼板坯体进行加热并多道次轧制,得到第一半成品;
S3、对步骤S2所得第一半成品进行热处理,得到第二半成品;
S4、对步骤S3所得第二半成品进行保温,自然冷却后即得。
2.根据权利要求1所述的精密陶瓷烧结用承烧钼板的制备工艺,其特征在于,在步骤S1中:
将钼粉压制成板,在氢气气体氛围下烧结,得到钼板坯体,钼坯晶粒度控制在1000-3000个/mm2。
3.根据权利要求1所述的精密陶瓷烧结用承烧钼板的制备工艺,其特征在于,在步骤S2中:
加热的温度为800℃-1300℃。
4.根据权利要求1所述的精密陶瓷烧结用承烧钼板的制备工艺,其特征在于,在步骤S2中:
单道次变形量为10%-30%。
5.根据权利要求1所述的精密陶瓷烧结用承烧钼板的制备工艺,其特征在于,在步骤S3中:
热处理时的升温速率为100-200℃/h。
6.根据权利要求1所述的精密陶瓷烧结用承烧钼板的制备工艺,其特征在于,在步骤S4中:
保温的温度为1500℃-2000℃。
7.根据权利要求1所述的精密陶瓷烧结用承烧钼板的制备工艺,其特征在于,在步骤S4中:
保温时间为3-10小时。
8.一种精密陶瓷烧结用承烧钼板,其特征在于,由权利要求1-7任意一项所述的制备工艺制得。
9.根据权利要求8所述的精密陶瓷烧结用承烧钼板,其特征在于,具有超大晶组织结构。
10.根据权利要求9所述的精密陶瓷烧结用承烧钼板,其特征在于,超大晶组织结构的晶粒尺寸>1cm,超大晶组织结构的面积占钼板总面积的80%以上。
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