CN114605692A - 抗静电耐高温零电阻值超轻离型膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及离型膜技术领域，公开了一种抗静电耐高温零电阻值超轻离型膜的制备方法，该离型膜包括基材层（1），在所述基材层（1）的至少一面上按照从靠近至远离该基材层（1）的顺序，依次附着贴合有以下任意一种或其组合的功能层：抗静电层（2）、耐高温层（3）、零电阻层（4）、离型层（5）。与现有技术相比，本发明制备出的超轻离型膜经历高温后不发生变形，仍具有很好的离型效果；或者即使变形也具有低电阻值，有效保护电子原器件不受到微电子的破坏，离型力在高温过程中保持稳定。
Description
技术领域
本发明涉及离型膜技术领域，特别涉及一种抗静电耐高温零电阻值超轻离型膜的制备方法。
背景技术
随着工业化进程的加快，电子辅材的应用日趋重要，同时在性能上也有更高的要求。特别是在现代化的移动通信及5G基站的发展，对电子产品及材料超低电压及电阻的要求日益加强。从而引发在上游中的一些产品供应商不断的开发及寻求新型材料来满足客户的需求。在电子辅材领域，对辅材的要求也变得相当的精细化，在实际应用中，因为工艺的需要，离型膜需要跟随被承托物或者被电子原器件在经历高温的过程后还要有很好的离型效果。在高温过程中，为了保证产品品质，要求离型膜在此过程中不发生变形或者变形同时要有低电阻值的要求，并有效的保护电子原器件不受到微电子的破坏，离型力在高温过程中保持稳定，高温过程同时还面临转移问题和电阻的风险，因此，抗静电耐高温零电阻值超轻剥离力的离型膜材料应运而生。
发明内容
发明目的：针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种抗静电耐高温零电阻值超轻离型膜的制备方法，制备出的超轻离型膜经历高温后不发生变形，仍具有很好的离型效果；或者即使变形也具有低电阻值，有效保护电子原器件不受到微电子的破坏，离型力在高温过程中保持稳定。
技术方案：
本发明提供了一种抗静电耐高温零电阻值离型膜的制备方法，包括以下步骤：S1：将所述基材层的两面进行电晕处理，使其两面电晕面的达因值大于42；S2：在所述基材层的至少一个电晕面上涂布抗静电层涂液，然后进行涂层材料固化，得到所述抗静电层；所述抗静电层涂液由45~55份聚噻吩、25~35份负离子水和45~55份异丙醇进行充分搅拌混合制成；S3：在所述抗静电层的表面涂布耐高温层涂液，然后进行涂层材料固化，得到所述耐高温层；所述耐高温层涂液由15~25份硅乳液、2~4份高分子聚合物氮化硅、25~35份负离子水和45~55份丙醇类的有机液体充分搅拌混合制成；S4：将零电阻层涂液均匀涂布至所述耐高温层的表面后经烘箱干燥，得到所述零电阻层；所述零电阻层涂液由15~25份碳纳米管、15~25份聚脂材料和5~15份异氰酸脂类固化剂充分搅拌混合制成；S5：将离型层涂液均匀涂布到所述零电阻层的表面，然后经烘箱干燥，得到所述离型层；所述离型层涂液由25~35份二甲基硅油、55~65份有机溶剂、1~3份氢含量大于或等于1.6%的高含氢硅油、1~3份二甲类附着剂、1~3份浓度为4500~5500ppm的铂金类催化剂、1~3份克重调节剂和2~4份防粘剂充分搅拌混合制成。
进一步地，在所述S2中，在涂布时六节烘箱的烘烤温度分别为：65~75℃、95~105℃、115~125℃、135~145℃、115~125℃、90~105℃，涂布时所述基材层的传输速度为45~55m/min；总涂布时间为60~90s；和/或，在所述S3中，在涂布时六节烘箱的烘烤温度分别为：90~105℃、125~135℃、145~155℃、155~165℃、155~165℃、90~105℃，涂布时所述基材层的传输速度为45~55m/min；总涂布时间为60~90s；和/或，在所述S4中，烘箱内温度设置为：一区100℃、二区120℃、三区135℃、四区155℃、五区155℃、六区120℃、七区100℃，烘烤时所述基材层的传输速度为45~55m/min；烘烤总用时60~90秒；和/或，在所述S5中，烘箱内温度设置为：一区110℃、二区130℃、三区150℃、四区160℃、五区160℃、六区140℃、七区100℃，烘烤时所述基材层的传输速度为45~55m/min；烘烤总用时60~90秒。
进一步地，在所述S2中，通过200目微凹精密涂布工艺在所述基材层的至少一个电晕面上涂布抗静电层涂液；在所述S3中，通过150目微凹精密涂布工艺在所述抗静电层的表面涂布耐高温层涂液；在所述S5中，通过200目网辊将所述离型层涂液均匀涂布到所述零电阻层的表面。
优选地，所述基材层的材料为PET膜、纤维增强PET复合膜或PI膜。
优选地，制备成的所述抗静电耐高温零电阻值超轻离型膜包括基材层，在所述基材层的一面上按照从靠近至远离该基材层的顺序，依次附着贴合有抗静电层、耐高温层、零电阻层、离型层。
优选地，制备成的所述抗静电耐高温零电阻值超轻离型膜包括基材层，在所述基材层的两面上按照从靠近至远离该基材层的顺序，依次附着贴合有抗静电层、耐高温层、零电阻层、离型层。
优选地，所述基材层的厚度为10um~250um；所述抗静电层的厚度为0.1~0.2um；所述耐高温层的厚度为0.3um~10um；所述零电阻层的厚度为0.5~10μm；所述离型层的厚度为1~10um。
有益效果：本发明中的抗静电耐高温零电阻超轻离型膜，以耐高温膜为基材层，基材层的厚度为10um~250um，对基材层进行表面电晕处理，根据实际需要选择单面或者双面电晕。然后在基材的电晕面上涂布抗静电层涂液，经烘箱干燥后在抗静电层的表面涂布耐高温层，耐高温材质可选聚硅硼氧烷或添加了环保耐高温树脂涂料，厚度0.3um~10um。然后在耐高温层上涂布零电阻层，零电阻层为碳纳米管之类的有机混合物，这一层也起到粘连上下两层的作用，厚度为0.5um~10um。最后在零电阻层表面涂布1-3克的低克重离型层，离型层材料为以硅油为主剂的离型剂，厚度1um~10um。根据实际应用需要，任何一种功能层都可以选择单面涂布或双面涂布，还可以在满足性能的前提下优化及简化功能层。
与现有技术相比，本申请中的抗静电耐高温零电阻值离型膜具有如下优势：
1，本申请中的离型膜能在200度的超高温的测试环境下保持较好的离型效果，同时具备优秀的抗电阻特性，能有效的保护电子原器件不会因电阻而受到破坏，有效减少特定电子材料生产过程中的不良品，提高电子原器件的良率。
2，在特定环境下，本离型膜具有稳定的耐高温性能，同时具有优秀的剥离力。本涂层采用耐高温硅材料二甲基硅油为主剂，加入高含氢硅油作为交联剂进行高密度的交联反应，通过在耐高温层配方中少量添加的高分子聚合物氮化硅材料，使得形成的离型膜更加耐高温；通过精密微凹涂布再经高温固化成型，使其在基膜表面形成一种超低表面能的高附着力的固态膜层，此膜层具有耐高温，耐刮性，表面能极低，具备良好的耐温离型效果。同时此款材料表面采用多次不同性能的涂布工艺，抗静电表层采用导电单体材料聚噻吩、零电阻层的组分中含有高导电材料碳纳米管是一种，如此形成的表面涂层结构具有高导性能，电阻值极低的效果。本申请中的离型膜，是根据不同涂层的功能结合一体的一款新型材料，满足客户的特殊使用要求。
3，本离型膜可以根具客户需求制作成双面抗静电耐高温零电阻或单面抗静电耐高温零电阻。
4，本申请中离型膜的制备方法简单高效，节省人力成本。
附图说明
图1为实施方式1中抗静电耐高温零电阻值离型膜的截面示意图；
图2为实施方式2中抗静电耐高温零电阻值离型膜的截面示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行详细的介绍。
实施方式1：
本实施方式提供了一种抗静电耐高温零电阻值离型膜，如图1所示，该离型膜为双面离型膜，包括基材层1，在基材层1的两面上按照从靠近至远离该基材层1的顺序，依次附着贴合有抗静电层2、耐高温层3、零电阻层4、离型层5。
上述抗静电耐高温零电阻值离型膜中，基材层1的厚度为100um；抗静电层2的厚度为0.2um；耐高温层3的厚度为2um；零电阻层4的厚度为1μm；离型层5的厚度为3um。
上述抗静电耐高温零电阻值离型膜的制备方法如下：
S1：将基材层1的两面进行电晕处理，使其两面电晕面的达因值大于42；
S2：在基材层1的电晕面上涂布抗静电层涂液，然后进行涂层材料固化，得到抗静电层2；在涂布时六节烘箱的烘烤温度分别为：70℃、100℃、120℃、140℃、120℃、100℃，涂布时基材层的传输速度为50m/min；总涂布时间为75秒。
上述抗静电层涂液由50份聚噻吩、30份负离子水和50份异丙醇进行充分搅拌混合制成；
S3：在抗静电层2的表面涂布耐高温层涂液，然后进行涂层材料固化，得到耐高温层3；在涂布时六节烘箱的烘烤温度分别为：100℃、130℃、150℃、160℃、160℃、100℃，涂布时基材层的传输速度为50m/min；总涂布时间为75s。
上述耐高温层涂液由20份苯基硅乳液、3份高分子聚合物氮化硅、30份负离子水和50份丙醇类的有机液体充分搅拌混合制成；
S4：将零电阻层涂液均匀涂布至耐高温层3的表面后经烘箱干燥，得到零电阻层4；烘箱内温度设置为：一区100℃、二区120℃、三区135℃、四区155℃、五区155℃、六区120℃、七区100℃，烘烤时基材层的传输速度为50m/min，总用时90秒。
上述零电阻层涂液由20份碳纳米管、20份聚脂材料和10份异氰酸脂类固化剂充分搅拌混合制成；
S5：将离型层涂液均匀涂布到零电阻层4的表面，然后经烘箱干燥，得到离型层5；烘箱内温度设置为：一区110℃、二区130℃、三区150℃、四区160℃、五区160℃、六区140℃、七区100℃，烘烤时基材层的传输速度为50m/min，总用时90秒。
上述离型层涂液由30份二甲基硅油、60份有机溶剂、2份氢含量大于或等于1.6%的高含氢类交联剂硅油、2份二甲类附着剂、2份浓度为5000ppm的铂金类催化剂、2份克重调节剂和3份防粘剂充分搅拌混合制成。
经过上述方法制备得到抗静电耐高温零电阻值离型膜，经过测试得到如下表1的对比数据：
表1
从表1数据可见，本实施方式制备得到的抗静电耐高温零电阻值离型膜的离型力在常温和200度高温、30min条件下的离型力大致相同，说明该离型膜晶粒高温后仍具有很好的离型效果，而普通离型膜经过高温200度30min的过程后，离型力明显增大，离型效果不稳定。在电阻值方面，本申请实施方式制备得到的抗静电耐高温零电阻值离型膜的电阻值在10以下，而普通的离型膜的电阻值达到500，明显本申请中的离型膜的电阻值非常小，能够有效保护电子原器件不受到微电子的破坏，有效减少特定电子材料生产过程中的不良品，提高电子原器件的良率。另外，在厚度方面，本抗静电耐高温零电阻值离型膜的厚度比普通离型膜薄，具有超轻性能。
实施方式2：
本实施方式与实施方式1大致相同，不同点仅在于，本实施方式中的抗静电耐高温零电阻值离型膜为单面离型膜，如图2所示，该离型膜包括基材层1，在基材层1的一面上按照从靠近至远离该基材层1的顺序，依次附着贴合有抗静电层2、耐高温层3、零电阻层4、离型层5。
除此之外，本实施方式与实施方式1完全相同，此处不做赘述。
实施方式3：
本实施方式与实施方式1大致相同，不同点仅在于，本实施方式中的抗静电耐高温零电阻值离型膜的制备方法中，耐高温层涂液由23份苯基硅乳液、25份负离子水和55份丙醇类的有机液体充分搅拌混合制成。
除此之外，本实施方式与实施方式1完全相同，此处不做赘述。
实施方式4：
本实施方式与实施方式1大致相同，不同点仅在于，本实施方式中的抗静电耐高温零电阻值离型膜的制备方法中，耐高温层涂液由15份苯基硅乳液、25份负离子水和50份丙醇类的有机液体充分搅拌混合制成。
除此之外，本实施方式与实施方式1完全相同，此处不做赘述。
实施方式5：
本实施方式与实施方式1大致相同，不同点仅在于，本实施方式中的抗静电耐高温零电阻值离型膜的制备方法中，零电阻层涂液由18份碳纳米管、24份聚脂材料和8份异氰酸脂类固化剂充分搅拌混合制成。
除此之外，本实施方式与实施方式1完全相同，此处不做赘述。
实施方式6：
本实施方式与实施方式1大致相同，不同点仅在于，本实施方式中的抗静电耐高温零电阻值离型膜的制备方法中，零电阻层涂液由24份碳纳米管、18份聚脂材料和14份异氰酸脂类固化剂充分搅拌混合制成。
除此之外，本实施方式与实施方式1完全相同，此处不做赘述。
上述实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所做的等效变换或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种抗静电耐高温零电阻值离型膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将基材层（1）的两面进行电晕处理，使其两面电晕面的达因值大于42；
S2：在所述基材层（1）的至少一个电晕面上涂布抗静电层涂液，然后进行涂层材料固化，得到抗静电层（2）；
所述抗静电层涂液由45~55份聚噻吩、25~35份负离子水和45~55份异丙醇进行充分搅拌混合制成；
S3：在所述抗静电层（2）的表面涂布耐高温层涂液，然后进行涂层材料固化，得到耐高温层（3）；
所述耐高温层涂液由15~25份苯基硅乳液、2~4份高分子聚合物氮化硅、25~35份负离子水和45~55份丙醇类的有机液体充分搅拌混合制成；
S4：将零电阻层涂液均匀涂布至所述耐高温层（3）的表面后经烘箱干燥，得到零电阻层（4）；
所述零电阻层涂液由15~25份碳纳米管、15~25份聚脂材料和5~15份异氰酸脂类固化剂充分搅拌混合制成；
S5：将离型层涂液均匀涂布到所述零电阻层（4）的表面，然后经烘箱干燥，得到离型层（5）；
所述离型层涂液由25~35份二甲基硅油、55~65份有机溶剂、1~3份氢含量大于或等于1.6%的高含氢硅油、1~3份二甲类附着剂、1~3份浓度为4500~5500ppm的铂金类催化剂、1~3份克重调节剂和2~4份防粘剂充分搅拌混合制成。
2.根据权利要求1所述的抗静电耐高温零电阻值离型膜的制备方法，其特征在于，所述基材层（1）的厚度为10um~250um；
所述抗静电层（2）的厚度为0.1~0.2um；
所述耐高温层（3）的厚度为0.3um~10um；
所述零电阻层（4）的厚度为0.5~10um；
所述离型层（5）的厚度为1~10um。
3.根据权利要求1所述的抗静电耐高温零电阻值离型膜的制备方法，其特征在于，在所述S2中，在涂布时六节烘箱的烘烤温度分别为：65~75℃、95~105℃、115~125℃、135~145℃、115~125℃、90~105℃，涂布时所述基材层的传输速度为45~55m/min；总涂布时间为60~90s；
和/或，在所述S3中，在涂布时六节烘箱的烘烤温度分别为：90~105℃、125~135℃、145~155℃、155~165℃、155~165℃、90~105℃，涂布时所述基材层的传输速度为45~55m/min；总涂布时间为60~90s；
和/或，在所述S4中，烘箱内温度设置为：一区100℃、二区120℃、三区135℃、四区155℃、五区155℃、六区120℃、七区100℃，烘烤时所述基材层的传输速度为45~55m/min；烘烤总用时60~90秒；
和/或，在所述S5中，烘箱内温度设置为：一区110℃、二区130℃、三区150℃、四区160℃、五区160℃、六区140℃、七区100℃，烘烤时所述基材层的传输速度为45~55m/min；烘烤总用时60~90秒。
4.根据权利要求1所述的抗静电耐高温零电阻值离型膜的制备方法，其特征在于，在所述S2中，通过200目微凹精密涂布工艺在所述基材层（1）的至少一个电晕面上涂布抗静电层涂液；
在所述S3中，通过150目微凹精密涂布工艺在所述抗静电层（2）的表面涂布耐高温层涂液；
在所述S5中，通过200目网辊将所述离型层涂液均匀涂布到所述零电阻层（4）的表面。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的抗静电耐高温零电阻值离型膜的制备方法，其特征在于，所述基材层（1）的材料为PET膜、纤维增强PET复合膜或PI膜。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的抗静电耐高温零电阻值离型膜的制备方法，其特征在于，制备成的所述抗静电耐高温零电阻值超轻离型膜包括基材层（1），在所述基材层（1）的一面上按照从靠近至远离该基材层（1）的顺序，依次附着贴合有抗静电层（2）、耐高温层（3）、零电阻层（4）、离型层（5）。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的抗静电耐高温零电阻值离型膜的制备方法，其特征在于，制备成的所述抗静电耐高温零电阻值超轻离型膜包括基材层（1），在所述基材层（1）的两面上按照从靠近至远离该基材层（1）的顺序，依次附着贴合有抗静电层（2）、耐高温层（3）、零电阻层（4）、离型层（5）。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的抗静电耐高温零电阻值离型膜的制备方法，其特征在于，
所述基材层（1）的厚度为10um~250um；
所述抗静电层（2）的厚度为0.1~0.2um；
所述耐高温层（3）的厚度为0.3um~10um；
所述零电阻层（4）的厚度为0.5~10μm；
所述离型层（5）的厚度为1~10um。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN117844023A (zh) * | 2023-12-08 | 2024-04-09 | 惠州市贝斯特膜业有限公司 | 一种耐高温保护膜及其生产工艺 |
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| JP2007320219A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Toray Advanced Film Co Ltd | ラミネート用シーラントフィルム及びその製造方法 |
| CN110527122A (zh) * | 2019-07-12 | 2019-12-03 | 四川羽玺新材料股份有限公司 | 一种双面防静电超轻pet离型膜及其制备方法 |
| CN111548518A (zh) * | 2020-06-18 | 2020-08-18 | 太仓斯迪克新材料科技有限公司 | 一种超轻/超重非硅离型膜及其制备方法 |
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