CN114599461A - 用于清洁连续基材的系统和方法 - Google Patents

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CN114599461A CN202080055480.5A CN202080055480A CN114599461A CN 114599461 A CN114599461 A CN 114599461A CN 202080055480 A CN202080055480 A CN 202080055480A CN 114599461 A CN114599461 A CN 114599461A
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Abstract

用于清洁连续基材(102)的示例方法包括：从一个或多个喷嘴(126，128，144，146)向该连续基材施加第一清洁流体的高压低流量喷雾，以从该连续基材去除颗粒物质；搅拌器包括兆声波换能器或超声波换能器(138)中的至少一者，并且被配置为将能量引导到该连续基材；以及使该连续基材干燥。

Description

用于清洁连续基材的系统和方法
背景技术
本公开内容内容总体上涉及清洁纺织品的生产，更具体地涉及用于清洁连续基材的系统和方法。
将基材清洁到适于清洁室应用的水平的常规系统和方法具有有限的生产量和/或有限的从基材去除颗粒物质的能力。例如，常规的系统和方法。
发明内容
公开了用于清洁连续基材的系统和方法，基本上如至少一个附图所展示和所述，如权利要求中更完整地阐述的。
附图说明
当参照附图阅读以下详细描述时，本公开内容的这些和其他特征、方面和优点将得到更好的理解，贯穿附图，相同的附图标记表示相同的零件，在附图中：
图1A和图1B是根据本公开内容的各方面的用于清洁连续基材的示例系统的示意图。
图2是根据本公开内容的各方面的用于清洁连续基材的示例系统的示意图，该系统包括清洁流体的高压低流量喷雾，并且包括搅拌浴。
图3展示了通过图1A和/或图2的高压低流量喷雾的连续基材的示例移位。
图4是可以用于实施图1A和/或图2的喷嘴的示例高压低流量喷嘴组件的立体图。
图5是根据本公开内容的各方面的表示示例方法的流程图，该示例方法可以被执行来清洁连续基材。
图6是根据本公开内容的各方面的表示示例方法的流程图，该示例方法可以被执行以使用清洁流体的高压低流量喷雾来清洗连续基材。
附图不一定按比例绘制。在适当情况下，相似或相同的附图标记用于指代相似或相同的部件。
具体实施方式
洁净室应用通常受益于使用吸附性基材的清洁，比如使用擦拭器擦拭表面。为了降低敏感产品或设备被污染的可能性，通常生产吸附性基材的方式为使得基材上存在的颗粒物质和/或离子小于阈值量。
用于清洁连续基材(可以从该连续基材切割出并包装擦拭器)的常规技术可以提供有限的生产量(例如，小于被清洁、输出和/或包装的基材的阈值量)和/或有限的清洁度(例如，大于颗粒的阈值计数)。
公开的用于清洁连续基材的示例方法包括：从一个或多个喷嘴向该连续基材施加第一清洁流体的高压低流量喷雾，以从该连续基材去除颗粒物质；搅拌器包括兆声波换能器或超声波换能器中的至少一者，并且被配置为将能量引导到该连续基材；以及使该连续基材干燥。
公开的用于清洁连续基材的示例系统包括：一个或多个高压喷嘴，所述一个或多个高压喷嘴被配置为对该连续基材喷射第一清洁流体的高压低流量喷雾，以从该连续基材去除颗粒物质；搅拌器，该搅拌器包括兆声波换能器或超声波换能器中的至少一者，并且被配置为将能量引导到该连续基材；以及干燥器，该干燥器被配置为使该连续基材干燥。
一些示例系统进一步包括搅拌器，该搅拌器被配置为在搅拌浴中清洗连续基材。
一些示例系统和方法进一步包括使用反射板，该反射板被定位在连续基材的与搅拌器相反的侧上，并且被配置为将能量从搅拌器朝向连续基材反射。
在一些示例系统和方法中，施加高压低流量喷雾包括经由一个或多个第一喷嘴利用高压低流量喷雾来喷射连续基材的第一侧，以及经由一个或多个第二喷嘴利用高压低流量喷雾来喷射连续基材的第二侧。在一些示例中，施加高压低流量喷雾包括在连续基材的横向方向上的多个位置处使连续基材的部分移位，以产生用于引导喷射的第一清洁流体远离连续基材的波形。
在一些示例中，高压低流量喷雾在沿着连续基材的长度的不同位置处使连续基材在不同横向位置处移位。一些示例系统和方法进一步包括沿着连续基材的长度在不同位置之间围绕辊引导连续基材。
在一些示例中，连续基材的宽度在6英寸至12英寸之间。在一些示例中，清洗连续基材包括将连续基材输送到搅拌浴中，使该连续基材与一个或多个搅拌器相邻，并且使该连续基材从搅拌浴中出来。一些示例系统和方法进一步包括经由将第一清洁流体添加到腔室中并允许第一清洁流体流出搅拌浴外、越过堰壁到达排出口来使流体在搅拌浴中循环。在一些示例中，使第一清洁流体循环包括将颗粒导向排出口。一些示例系统和方法进一步包括经由一个或多个喷嘴将第一清洁流体喷射到搅拌浴中，以在搅拌浴中产生表面湍流。
在一些示例系统和方法中，在施加高压低流量喷雾期间，连续基材没有被浸没。一些示例系统和方法进一步包括在施加高压低流量喷雾之后对连续基材进行冲洗。一些示例系统和方法进一步包括将连续基材从具有高压低体积喷雾的第一体积输送到具有搅拌浴的第二体积。一些示例系统和方法进一步包括在将连续基材从第一体积输送到第二体积期间进行抽真空以从连续基材去除水分。
一些示例系统和方法包括在高压低流量喷雾之前对连续基材施加热水冲洗或冷水冲洗中的至少一项。一些示例系统和方法进一步包括在搅拌浴之后对连续基材进行冲洗。一些示例系统和方法进一步包括利用第二清洁流体的喷雾来冲洗连续基材。在一些示例中，第一清洁流体或第二清洁流体中的至少一者包括表面活性剂。在一些示例中，第一清洁流体和第二清洁流体是相同的。在一些示例系统和方法中，第一清洁流体包括去离子水。在一些示例中，干燥包括将温热且经过滤的空气施加到连续基材上。一些示例进一步包括使用一个或多个搅拌器在搅拌浴中清洗连续基材。
如本文所用，术语“高压低流量喷雾”是指每喷嘴压力为至少40磅每平方英寸(PSI)并且每喷嘴流体流速为至少0.15加仑每分钟(gpm)的流体喷雾。在一些示例系统和方法中，高压低流量喷雾包括每喷嘴0.15加仑每分钟(gpm)至0.42gpm之间的流量。在一些示例系统和方法中，高压低流量喷雾包括每喷嘴0.20gpm至0.28gpm之间的流量。在一些示例系统和方法中，高压低流量喷雾包括每喷嘴40磅每平方英寸(PSI)至80PSI之间的压力。
图1A和图1B是用于清洁连续基材102的示例系统100的示意图。示例系统100接收连续基材102(例如，卷材或其它原料源)的供应，使连续基材102清洁，并且使连续基材102干燥。在展示的示例中，与清洁和干燥一致地，系统100进一步切割连续基材102并对其进行包装。在一些示例中，基材102的宽度在6英寸至12英寸之间。然而，也可以使用其他宽度。
示例基材102可以是针织聚酯材料，比如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚己内酯、聚乙交酯、聚丙交酯、聚羟基丁酸酯、聚羟基戊酸酯、聚己二酸乙二醇酯、聚己二酸丁二醇酯、聚丁二酸丙二醇酯等。
附加地或可替代地，可以使用其它合成材料，比如聚酰胺、聚丙烯腈、聚对苯二甲酰对苯二胺、聚酰胺(例如尼龙6、尼龙6/6、尼龙12、聚天冬氨酸、聚谷氨酸等)、聚胺、聚酰亚胺、聚丙烯酸(例如，聚丙烯酰胺、聚丙烯腈、甲基丙烯酸酯和丙烯酸酯等)、聚碳酸酯(例如，聚双酚)、聚二烯(例如，聚丁二烯、聚异戊二烯、聚降冰片烯等)、聚环氧化物、聚醚(例如，聚乙二醇(聚环氧乙烷)、聚丁二醇、聚环氧丙烷、聚甲醛(多聚甲醛)、聚四亚甲基醚(聚四氢呋喃)、聚环氧氯丙烷等)、聚烯烃(例如，聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚异丁烯、聚辛烯等)、聚亚苯基(例如，聚苯醚、聚苯硫醚、聚亚苯基醚砜等)、含硅聚合物(例如，聚二甲基硅氧烷、聚碳甲基硅烷等)、聚氨酯、乙烯类聚合物(例如，聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇、聚乙烯醇的酯和醚、聚乙酸乙烯酯、聚苯乙烯、聚甲基苯乙烯、聚氯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚甲基乙烯基醚、聚乙基乙烯基醚、聚乙烯基甲基酮等)、聚缩醛和聚芳酯。
在一些示例中，可以使用聚酯和/或纤维素材料的共混物。也可以使用织造和/或非织造合成材料的共混物。
如图1A所展示，示例系统100包括第一冲洗区段104、第二冲洗区段106、清洗区段108、搅拌浴区段110和最终冲洗区段112。如图1B所示，在最终冲洗区段112之后，连续基材行进穿过干燥器114、切割器116和包装机118。
第一冲洗区段104和第二冲洗区段106使用冲洗喷嘴120、122向原料提供初始冲洗。在图1A的示例中，第一冲洗区段104中的冲洗喷嘴120喷射冷的去离子水作为冲洗流体，第二冲洗区段106中的冲洗喷嘴122喷射温热或热的去离子水作为冲洗流体。在一些示例中，第一冲洗区段104或第二冲洗区段106中的一者或两者包括带有去离子水的表面活性剂作为清洁流体。第一冲洗区段104和第二冲洗区段106可以用于从连续基材102上冲洗较大的颗粒物质，以减少清洗区段108和搅拌浴区段110上的负荷。在一些其他示例中，系统中省略了第一冲洗区段104和/或第二冲洗区段106。
示例冲洗喷嘴120、122可以向基材102提供高压和/或低流量冲洗。在其他示例中，与清洗区段108和/或搅拌浴区段110相比，冲洗可以处于不同的(多个)温度，可以具有较低的压力，和/或可以相对于基材102以不同的角度取向进行。
示例清洗区段108包括多组高压低流量喷嘴126、128，以将去离子水(或其他清洁流体)喷射到连续基材102的两侧上。基材102经由一组辊130而被引导穿过清洗区段108。辊130和各组喷嘴126、128被布置成使得一组喷嘴126喷射基材102的第一侧，并且另一组喷嘴128喷射基材102的第二侧。虽然在图1A中展示了示例布置，但是可以使用喷嘴126、128和辊130的任何其他布置。示例喷嘴126、128可以是固定的或可调节的(例如，能够旋转、平移等)。
在图1A的示例中，高压低流量喷嘴126、128使连续基材102的部分在横向方向上(例如，垂直于基材102在移位点处的行进方向)的多个位置处移位。示例喷嘴126、128可以使喷射流在基材102的宽度上分离或间隔开，以便在基材102中产生波形。通过在基材102中诱发波形，由喷嘴126、128喷射的流体被引导远离基材102，并且减少了被高压低流量喷雾松动的颗粒物质的再沉积。
示例喷嘴126、128沿着基材102的行进路径在多个位置处喷射基材102。在图1A的示例中，沿着行进路径的喷射位置被辊130分开，这些辊限定了基材102在清洗区段108内的行进路径。其他辊130类似地在其他区段104、106、110、112中限定基材102的行进路径。
在图1A的示例中，喷嘴126、128在沿着基材102的行进路径的不同位置处喷射基材102的横向方向上的不同的位置。图3(下面将更详细地讨论)展示了在给定时间沿着基材102的长度在顺序位置处喷射横向方向上的不同位置的示例。
通过在基材102的每一侧的横向方向上喷射不同的位置，由喷嘴126、128提供的高压低流量喷雾有效地从基材102去除较小的颗粒并将其冲洗掉，同时连续基材102行进穿过清洗区段108。
示例搅拌浴区段110被分成浴区段132和排出区段134，该浴区段和排出区段被堰壁136或其他屏障分开。浴区段包括搅拌器138，以进一步清洗连续基材102。在图1A的示例中，搅拌器138是兆声波发射器。兆声波发射器以在800kHz至2.0MHz之间的一个或多个频率发射声能。在一些示例中，兆声波发射器以800kHz至1.2MHz之间或900kHz至1.1MHz之间的一个或多个频率发射声能。然而，也可以使用其他搅拌器，比如超声波发射器(例如，频率在20kHz至80kHz之间，和/或在20kHz至50kHz之间)。示例搅拌浴110进一步包括反射器140，该反射器在基材102的与搅拌器138相反的侧上，以将搅拌能量(例如，兆声波能量)反射回基材102。示例堰壁136可以允许浴流体142流动越过堰壁136和/或围绕堰壁136(例如，通过堰壁136与搅拌浴区段110的盆池141之间的间隙)。
在浴区段132中从基材102上松动的离子和/或剩余颗粒142倾向于相对于浴流体漂浮。在图1A的示例中，浴流体142是去离子水。搅拌浴区段110包括高压低流量喷嘴144、146。喷嘴144、146可以与清洗区段108中的喷嘴126、128相似或相同，并且可以用于在搅拌浴之前对基材102提供附加的清洗。
搅拌浴区段110中的喷嘴144、146中的至少一个被指向浴流体142。指向浴流体142的喷射补充了浴流体142并在浴流体142中产生湍流。因此，漂浮在浴流体142中的颗粒和/或离子被带到堰壁136上和/或其周围，到达排出区段134。排出区段134排出流体。在一些示例中，排出的流体可以再循环回到系统100。
最终冲洗区段112包括喷嘴148、150，以在干燥、切割和/或包装之前向基材102提供清洁流体的最终冲洗。最终冲洗区段112可以去除在前面区段104-110中已经松动但没有从基材102去除的任何颗粒和/或离子，和/或在行进穿过搅拌浴区段110期间已经去除并重新粘附到基材102上的任何颗粒和/或离子。示例喷嘴148、150可以提供比喷嘴126、128、144、146低的喷射压力。
图1A的示例区段104-112被包含在单独的盆内，这些盆被配置为包含和/或回收清洁流体和/或减少或防止区段104-112之间的飞溅。示例系统100包括在区段104-112之间的辊152，这些辊被配置为引导基材102、提供中间力以推进基材102、和/或限定基材102的行进路径。在一些示例中，辊152由马达驱动，以将基材102从一个区段拉到另一个区段，这与从区段112的端部处的单个位置拉动基材102相比减少了基材102上的应力。
附加地或可替代地，系统100可以包括真空喷嘴154，这些真空喷嘴被配置为在区段104-112中的一个或多个之后从基材102去除水分和/或颗粒物质。在图1A的示例中，真空喷嘴154在每个区段104-112的端部处(或之后)与基材行进路径相邻地定位，并且进行抽真空以从基材102去除水分和/或颗粒。
转到图1B，在最终冲洗区段112之后，连续基材102被供送到干燥器114，该干燥器使用经过滤和加热的空气来干燥基材102。真空喷嘴154可以在干燥器114之前与基材相邻地定位，以从基材102去除水分和/或颗粒，从而减少干燥器114上的负荷。
示例切割器116将连续基材102切割成基材102的单个区段156，比如单个擦拭器。在一些示例中，切割器116还可以将基材102的多个区段156堆叠或以其他方式布置成组，以便包装。包装机118将由切割器116制造的区段156包装成包裹，比如包含预定数量的擦拭器的包裹158。
在一些其他示例中，干燥器114、切割器116和/或包装机118可以从系统100中省略，并且被清洗的连续基材和/或基材的各个区段可以被移动到用于干燥、切割和/或包装的单独区域。
图1A和图1B的示例系统100清洁基材102，使得在干燥器114、切割器116和/或包装机118的输出处，经清洁的基材102(例如，每个擦拭器)优选地具有每平方米约0.5×106至5.0×106个颗粒和/或在约0.5μm至5.0μm之间的纤维、每平方米约30,000至70,000个颗粒和/或长度在约5.0μm至100μm之间的纤维、和/或每平方米少于150根大于100μm的纤维。
在一些示例中，经清洁的基材102具有小于约0.06ppm的钾、小于约0.05ppm的氯化物、小于约0.05ppm的镁、小于约0.20ppm的钙、小于约0.30ppm的钠和/或小于约0.20ppm的硫酸盐。附加地或可替代地，经清洁的基材102(例如，由基材102制造的每个擦拭器)具有约0.02g/m2异丙醇萃取剂和约0.01g/m2去离子水萃取剂。附加地或可替代地，经清洁的基材102(例如，由基材102制造的每个擦拭器)具有在约300mL/m2至650mL/m2之间的吸水性。在一些示例中，经清洁的基材102具有大约450mL/m2的吸水性。
图2是用于清洁连续基材(例如，连续基材102)的另一示例系统200的示意图，该系统包括清洁流体的高压低流量喷雾和搅拌浴。图2的示例系统200包括图1A的清洗区段110和搅拌浴区段112，并且省略了其他区段104、106、112。与图1A和图1B的示例系统100相比，对于给定的原料，系统200可能经历增加的负荷和/或可能提供更高的生产量(例如，连续基材102的每分钟英尺)。
图3展示了通过图1A和/或图2的高压低流量喷雾的连续基材102的示例移位。虽然基材102的行进路径不是直的，但是基材102的示例行进路径302在图3的图示中是被平坦化的，以示出基材102在沿着行进路径的多个点处的宽度。
示例基材102在给定时间在多个区段304、306、308、310上行进，并且区段304-310被相应的辊312、314、316、318(或引导件)分开。辊312-318可以包括用于引导基材102和/或减少或防止基材102侧向移动的特征。
基材102的移位在图3中通过轮廓线展示，这些轮廓线以虚线形式示出。如示例中所示，在高压低流量喷雾的中心点处的移位比中心点之间的移位高，这导致在基材102的宽度上的波形。
在一些示例中，对于区段304-310中的一个或多个，移位发生在第一方向上(例如，通过从第一侧对基材102进行喷射)，而对于区段304-310中的其他区段，移位发生在相反方向上(例如，通过从另一侧对基材102进行喷射)。
图4是可以用于实施图1A和/或图2的喷嘴126、128、144、146的示例高压低流量喷嘴组件400的立体图。示例喷嘴组件400包括歧管402，该歧管接收清洁流体(例如，经由歧管中的入口404)并且包括在歧管的多侧上的一组出口。示例歧管具有正方形横截面，但是可以具有其他横截面形状。
示例歧管402中的出口联接到高压低流量喷嘴406或塞子408。在图4的示例中，在歧管402的给定侧上，出口以交替图案联接到喷嘴406和塞子408(例如，喷嘴406不与其他喷嘴406相邻，塞子408不与其他塞子408相邻，等等)。因此，歧管402的每一侧可以在基材102中产生移位图案，比如图3所展示的图案。
除了在歧管402的给定侧上具有交替的喷嘴图案之外，相邻侧(例如，第一侧410和第二侧412、第一侧和第三侧414，等等)也可以具有用于对应出口位置的交替图案。相邻侧之间的交替图案提供了交替的波形图案，以在横向方向上在基材102的不同部分上产生移位。例如，第一侧410上的第一出口416a联接到塞子408，而与第一侧410相邻的侧412、414上的相同纵向位置处的出口416b、416c联接到喷嘴406。相反地，第一侧410上的下一个出口418a联接到喷嘴406，而在与第一侧410相邻的侧412、414上的相同纵向位置处的出口418b、418c联接到塞子408。
示例喷嘴406提供清洁流体的高压低流量喷雾。在图1A、图1B、图2、图3和图4的示例中，每个示例喷嘴406被提供40磅每平方英寸(PSI)至80PSI之间的压力，并且每个喷嘴406输出在0.15加仑每分钟(gpm)至0.42gpm之间的流量。在一些这样的示例中，每个喷嘴406输出在0.20加仑每分钟(gpm)至0.28gpm之间的流量。
图5是表示可以被执行来清洁连续基材的示例方法500的流程图。示例方法500可以由图1A和图1B的示例系统100实施。
在框502处，将连续基材102的原料供应到清洁系统100的输入。例如，可以将连续基材102的卷材装载到主轴或其他支撑结构上，用于供给到系统100中。
在框504处，冲洗区段104、106使用热清洁流体冲洗和/或冷清洁流体冲洗来冲洗连续基材102。可以使用清洁流体的高压和/或低压喷雾来进行冲洗。在一些示例中，清洁流体是去离子水。然而，在一些其他示例中，(多种)表面活性剂和/或其他清洁剂可以与去离子水一起包含在清洁流体中。
在框506处，清洗区段108(例如，经由固定喷嘴126、128、图4的喷嘴406)从喷嘴(例如，图4的喷嘴126、128、喷嘴406)向连续基材102施加清洁流体的高压低流量喷雾，以从基材102去除颗粒物质。例如，清洗区段108可以经由第一喷嘴126利用高压低流量喷雾来喷射连续基材102的第一侧，并且经由第二喷嘴128利用高压低流量喷雾来喷射连续基材102的第二侧，同时连续基材102被引导穿过清洗区段108中的行进路径。在一些示例中，清洗也可以在具有附加喷嘴144、146的搅拌浴区段110中发生。
施加高压低流量喷雾(例如，经由喷嘴126、128、144、146)可以包括在连续基材102的横向或侧向方向上的多个位置处(例如，在基材102的宽度上)使连续基材102的部分移位，以产生用于引导喷雾流体和松动的颗粒远离基材102的波形。如图3所展示，高压低流量喷雾可以在沿着连续基材102长度的不同位置处使连续基材102在不同横向(例如，侧向)位置处移位。沿着基材102的长度的不同位置可以由引导件或辊(例如，辊130、312-318)分开。
在框508处，搅拌浴区段110使用一个或多个搅拌器(例如，兆声波发射器138、反射器140)在搅拌浴中清洗连续基材102。在一些示例中，在搅拌浴中清洗连续基材102包括将连续基材102输送到搅拌浴中，使该连续基材与(多个)搅拌器相邻，并使该连续基材从搅拌浴中出来，以减少或防止任何松动的颗粒和/或离子重新附接到基材102上。
在框510处，最终冲洗区段112冲洗连续基材102。在框512处，(多个)真空喷嘴154进行抽真空以从连续基材102去除水分。附加地或可替代地，可以在每个示例框504-510之后进行抽真空。在框514处，示例干燥器114使连续基材102干燥。例如，干燥器114可以在基材102处和/或周围吹送经加热和过滤的空气，以使基材102干燥。在一些示例中，方法500可以进一步包括按照框502-514切割和/或包装连续基材102。
示例方法500然后结束。上面参考基材102的给定区段描述了示例方法500。因为连续基材102连续地移动穿过系统100，所以可以在连续基材102的不同区段上连续地且同时地执行框504-514。
图6是表示示例方法600的流程图，可以执行该示例方法以使用清洁流体的高压低流量喷雾来清洗连续基材。可以由图1A和/或图2的清洗区段108使用示例方法600来实施图5的框506和/或涉及清洁流体的高压低流量喷射的任何其他框。
在框602处，示例喷嘴126(例如，经由图4的喷嘴组件400的侧414上的喷嘴406)利用高压低流量喷雾来喷射连续基材102的第一侧的第一区段。例如，喷嘴126可以使用喷嘴406在基材102的第一区段304的宽度上喷射间隔部分)。在一些示例中，喷嘴126没有对第一区段304在已喷射区段之间的部分进行喷射(或者喷射不足以产生有意义的移位)。换句话说，喷嘴126可以使基材102的宽度上由移位的区域与未移位的区域交替。
在框604处，喷嘴126(例如，经由图4的喷嘴组件400的侧410上的喷嘴406)利用高压低流量喷雾来喷射连续基材102的第一侧的第二区段。例如，喷嘴126可以使用喷嘴406在基材102的第二区段306的宽度上喷射间隔部分)。在一些示例中，喷射或移位的部分在基材102的宽度上不同于框602(例如，在区段304中)的喷射或移位的部分。
在框606处，喷嘴128(例如，经由图4的喷嘴组件400的侧414上的喷嘴406)利用高压低流量喷雾来喷射连续基材102的第一侧的第一区段。例如，喷嘴128可以使用喷嘴406在基材102的第三区段308的宽度上喷射间隔部分。在一些示例中，喷嘴128没有对已喷射区段之间的第三区段308的部分进行喷射(或者喷射不足以产生有意义的移位)。换句话说，喷嘴128可以使在基材102的宽度上被移位的区域与未被移位的区域交替。
在框608处，喷嘴128(例如，经由图4的喷嘴组件400的侧410上的喷嘴406)利用高压低流量喷雾来喷射连续基材102的第二侧的第二区段。例如，喷嘴128可以使用喷嘴406在基材102的第四区段310的宽度上喷射间隔部分。在一些示例中，喷射或移位的部分在基材102的宽度上不同于框606(例如，在区段306中)的喷射的或移位的部分。
可以使用高压低流量喷雾来喷射基材102的一侧或两侧的附加区段。上面参考基材102的给定区段描述了示例方法600。因为连续基材102连续地移动穿过系统100，所以可以在连续基材102的不同区段上连续地且同时地执行框602-608。
可以使用硬件、软件和/或硬件和软件的组合来控制本方法和系统。本方法和/或系统可以在至少一个计算系统中以集中式方式控制，或者以分布式方式控制，其中不同的元件分布在几个互连的计算系统中。适用于执行本文所描述的方法的任何种类的计算系统或其他装置都是适合的。硬件与软件的典型组合可以包括具有程序或其他代码的通用计算系统，该程序或其他代码当被加载和执行时控制该计算系统以使得该计算系统执行本文所描述的方法。另一个典型实施方式可以包括专用集成电路或芯片。一些实施方式可以包括非暂态机器可读(例如，计算机可读)介质(例如，闪存驱动器、光盘、磁存储盘等)，该非暂态机器可读介质上存储有可由机器执行的一行或多行代码，从而使机器执行如本文所描述的过程。
如本文所使用的，术语“电路”和“电路系统”是指物理电子部件(即，硬件)以及可以配置硬件、由硬件执行和/或以其他方式与硬件相关联的任何软件和/或固件(“代码”)。如本文中所使用的，例如，特定的处理器和存储器在执行第一一行或多行代码时可以构成第一“电路”，而在执行第二一行或多行代码时可以构成第二“电路”。如本文所使用的，“和/或”是指列表中由“和/或”连接的多个项中的任何一项或多项。例如，“x和/或y”是指三元素集合{(x),(y),(x,y)}中的任何元素。换言之，“x和/或y”是指“x和y中的一个或两个”。作为另一示例，“x、y和/或z”是指七元素集{(x),(y),(z),(x,y),(x,z),(y,z),(x,y,z)}中的任何元素。换言之，“x、y和/或z”是指“x、y和z中的一个或多个”。如本文所使用的，术语“示例性”是指用作非限制性示例、实例、或图示。如本文所使用的，术语“例如(e.g.)”和“例如(for example)”引出一个或多个非限制性示例、实例、或图示的列表。如本文所使用的，当电路系统包括某一执行功能所必需的硬件和代码(如果有必要)时，电路系统“能够操作”以执行该功能，而无论该功能的执行是被禁用或未被启用(例如，通过用户可配置的设置、出厂调整等)。
尽管已经参考某些实施方式描述了本方法和/或系统，但是本领域技术人员将理解，在不脱离本方法和/或系统的范围的情况下，可以进行各种改变并且可以替换等效物。例如，所公开的示例的框和/或部件可以被组合、划分、重新布置和/或以其他方式被修改。附加地，在不脱离本公开内容范围的情况下，可以做出许多修改以使特定情况或材料适应于本公开内容的教导。因此，本方法和/或系统不限于所公开的特定实施方式。替代地，本方法和/或系统将包括无论是从字面上还是依据等同原则都落入所附权利要求的范围内的所有实施方式。

Claims (26)

1.一种用于清洁连续基材的方法，所述方法包括：
从一个或多个喷嘴向所述连续基材施加第一清洁流体的高压低流量喷雾，以从所述连续基材去除颗粒物质；
搅拌器包括兆声波换能器或超声波换能器中的至少一者，并且被配置为将能量引导到所述连续基材；以及
使所述连续基材干燥。
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括反射板被定位在所述连续基材的与所述搅拌器的相反的侧上，并且被配置为将来所述自搅拌器的所述能量朝向所述连续基材反射。
3.如权利要求1所述的方法，其中，施加所述高压低流量喷雾包括：
经由一个或多个第一喷嘴利用所述高压低流量喷雾来喷射所述连续基材的第一侧；以及
经由一个或多个第二喷嘴利用所述高压低流量喷雾来喷射所述连续基材的第二侧。
4.如权利要求1所述的方法，其中，施加所述高压低流量喷雾包括在沿所述连续基材的横向方向的多个位置处使所述连续基材的部分移位，以产生用于引导喷射的第一清洁流体远离所述连续基材的波形。
5.如权利要求4所述的方法，其中，所述高压低流量喷雾在沿着所述连续基材的长度的不同位置处使所述连续基材在不同横向位置处移位。
6.如权利要求5所述的方法，进一步包括沿着所述连续基材的长度在所述不同位置之间围绕辊引导所述连续基材。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述连续基材的宽度在6英寸至12英寸之间。
8.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一清洁流体包括去离子水。
9.如权利要求1所述的方法，其中，在施加所述高压低流量喷雾期间，所述连续基材没有被浸没。
10.如权利要求1所述的方法，进一步包括在施加所述高压低流量喷雾之后冲洗所述连续基材。
11.如权利要求1所述的方法，进一步包括将所述连续基材从具有所述高压低体积喷雾的第一体积输送到具有搅拌浴的第二体积。
12.如权利要求11所述的方法，进一步包括经由向所述搅拌浴中添加水并允许所述第一清洁流体流出所述搅拌浴外、越过堰壁到达排出口来使所述第一清洗液在所述搅拌浴中循环。
13.如权利要求12所述的方法，其中，使所述第一清洁流体循环包括将颗粒导向所述排放口。
14.如权利要求11所述的方法，进一步包括经由一个或多个喷嘴将所述第一清洁流体喷射到所述搅拌浴中，以在所述搅拌浴中产生表面湍流。
15.如权利要求11所述的方法，进一步包括在将所述连续基材从所述第一体积输送到所述第二体积期间，进行抽真空以从所述连续基材去除水分。
16.如权利要求11所述的方法，进一步包括在所述搅拌浴之后冲洗所述连续基材。
17.如权利要求11所述的方法，进一步包括将所述连续基材输送到所述搅拌浴中，使所述连续基材与所述搅拌器相邻，并且使所述连续基材从所述搅拌浴中出来。
18.如权利要求1所述的方法，进一步包括利用第二清洁流体的喷雾来冲洗所述连续基材。
19.如权利要求18所述的方法，其中，所述第一清洁流体或所述第二清洁流体中的至少一者包括表面活性剂。
20.如权利要求18所述的方法，其中，所述第一清洁流体和所述第二清洁流体是相同的。
21.如权利要求1所述的方法，其中，所述干燥包括向所述连续基材施加温热的且经过滤的空气。
22.如权利要求1所述的方法，其中，所述高压低流量喷雾包括每喷嘴0.15加仑每分钟(gpm)至0.42gpm之间的流量。
23.如权利要求22所述的方法，其中，所述高压低流量喷雾包括每喷嘴0.20gpm至0.28gpm之间的流量。
24.如权利要求1所述的方法，其中，所述高压低流量喷雾包括每喷嘴40磅每平方英寸(PSI)至80PSI之间的压力。
25.如权利要求1所述的方法，进一步包括在所述高压低流量喷雾之前，对所述连续基材施加热水冲洗或冷水冲洗中的至少一项。
26.一种用于清洁连续基材的系统，所述系统包括：
一个或多个高压喷嘴，所述一个或多个高压喷嘴被配置为对所述连续基材喷射第一清洁流体的高压低流量喷雾，以从所述连续基材去除颗粒物质；
搅拌器，所述搅拌器包括兆声波换能器或超声波换能器中的至少一者，并且被配置为将能量引导到所述连续基材；以及
干燥器，所述干燥器被配置为使连续基材干燥。
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