CN114214060A - 一种高稳定钙钛矿量子点及其制备方法 - Google Patents
一种高稳定钙钛矿量子点及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114214060A CN114214060A CN202111502580.0A CN202111502580A CN114214060A CN 114214060 A CN114214060 A CN 114214060A CN 202111502580 A CN202111502580 A CN 202111502580A CN 114214060 A CN114214060 A CN 114214060A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- perovskite quantum
- solution
- octadecene
- oleic acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 59
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229940049964 oleate Drugs 0.000 claims abstract description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 7
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 4
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 26
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 20
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 9
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims description 7
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 5
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 5
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000413 hydrolysate Substances 0.000 claims description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 4
- NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N caesium(1+) Chemical compound [Cs+] NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 125000001273 sulfonato group Chemical group [O-]S(*)(=O)=O 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002372 labelling Methods 0.000 claims 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 abstract description 4
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 abstract 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 11
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 7
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 6
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-heptadecafluorooctane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 4
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 4
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 3
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 3
- 241001411320 Eriogonum inflatum Species 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 halogen ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 3
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- VNBLTKHUCJLFSB-UHFFFAOYSA-N n-(trimethoxysilylmethyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CNC1=CC=CC=C1 VNBLTKHUCJLFSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- QAIHWMZHLIBAFX-QZOPMXJLSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine;(z)-octadec-9-enoic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O QAIHWMZHLIBAFX-QZOPMXJLSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPHAWBYUDZISNL-UHFFFAOYSA-N CO[Si](CCCNNCCNCCN)(OC)OC Chemical compound CO[Si](CCCNNCCNCCN)(OC)OC VPHAWBYUDZISNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N dodecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- KOVKEDGZABFDPF-UHFFFAOYSA-N n-(triethoxysilylmethyl)aniline Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CNC1=CC=CC=C1 KOVKEDGZABFDPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 1
- 238000012430 stability testing Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/59—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
- C09K11/592—Chalcogenides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
- C09K11/664—Halogenides
- C09K11/665—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种高稳定钙钛矿量子点及其制备方法。该量子点具有CsPbX3+SF@SiO2结构，其中，X为Cl、Br、I中的一种或几种，所述的SF为磺酸根，量子点的粒径范围在5‑15nm之间，制备时，首先将油酸铯溶液在合适的温度下注入含有硅烷偶联剂的前驱体溶液以获得量子点原液，经过冷却后氮气氛围下向上述量子点原液中添加适量或磺酸类有机盐，充分搅拌低速离心，取上清液在环境条件下充分水解，离心后获得原位表面修饰与封装的量子点。与现有的钙钛矿量子点制备技术相比，该方法一步表面修饰和封装，工艺简单高效兼具成本较低，适于工业化生产。
Description
技术领域
本发明属于材料工程技术领域，具体涉及一种高稳定钙钛矿量子点的制备方法。
背景技术
全无机卤化铅钙钛矿量子点材料(CsPbX3,X＝Cl,Br,I)具有优异的发光性质，表现出了超高的荧光量子产率(PLQY)，较窄的半峰宽(FWHM)，合适的直接带隙，并且可以通过卤素种类、比例精确调控发光波长，完全覆盖可见光范围(390nm-700nm)，可作为下一代新型发光材料，近些年越来越广泛的应用于光电子器件，如太阳能电池、激光器、探测器、显示等。此外，相较于传统镉基量子点等，钙钛矿结构的量子点表现出更高的缺陷容忍度。全无机钙钛矿量子点是典型的立方相晶体结构，较强的离子特性导致高度动态的离子迁移扩散现象，卤素离子、铯离子空位是导致量子点缺陷能级的最主要因素之一，而量子点表面裸露的铅与未配对卤素形成的悬键，不仅与缺陷能级(非辐射复合)有关更是导致了量子点的高活性特点，在水、氧、光照等因素诱导下极容易发生配体脱落导致的相转化、重结晶、晶体溶解、团聚并最终淬灭。
表面修饰和基质封装提高稳定性的重要方法。油酸、油胺属于长链配体，长链配体能够增加量子点表面的空间位阻，降低离子交换、扩散、迁移速率，同时也能延缓配体自身的脱落/迁移进程，相较于短链配体下，量子点的生长尺寸通常偏大，稳定性也更差。此外，选用结合能的配体、增加配体携带结合基团比例等方法也是对量子点表面修饰的可行方案。现有的基质封装方案主要集中于高分子聚合物封装、无机微孔模板等材料，如PMMA、多孔氧化铝等。
现有的钙钛矿量子点表面修饰和封装往往是分离的工艺，不兼容的工艺导致额外的量子产率损失，例如聚合物极性溶剂会造成量子点配体的损失，而多孔介质无法真正隔离空气中氧气和水分的腐蚀，因此亟需提出一种高稳定钙钛矿量子点的制备方法。
发明内容
本发明的目的在于克服量子点的光、热稳定性差，对水、氧条件敏感的问题，提供一种高稳定钙钛矿量子点及其制备方法。
为解决上述问题，本发明的技术方案之一为：
一种高稳定钙钛矿量子点，具有CsPbX3+SF@SiO2结构，其中，X为Cl、Br、I中的一种或几种，所述的SF为磺酸根，量子点的粒径范围为5-15nm。磺酸根离子钝化量子点表面缺陷，二氧化硅层对量子点进行原位包裹。
优选地，量子点的粒径范围为7-12nm。
本发明还提供所述的高稳定钙钛矿量子点在白光照明、色转换、全彩显示、光电探测器、生物荧光标记中的应用。
在本发明中，具有CsPbX3+SF@SiO2结构的量子点含有磺酸根钝化，且包裹在SiO2中的纳米颗粒，其中磺酸根表面修饰钝化量子点的缺陷，磺酸根的修饰不影响量子点的形貌和晶型，量子点表面的缺陷得到钝化。二氧化硅封装量子点隔绝水、氧侵蚀，量子点整体具有极高的水、氧、紫外稳定性。
本发明的技术方案之二为：
一种高稳定钙钛矿量子点的制备方法，包括以下步骤：
S1.制备钙钛矿量子点前驱体溶液；前驱体溶液为油酸、十八烯、卤化铅的混合物；
S2.往步骤S1的溶液中加入硅烷偶联剂，硅烷偶联剂的加入量范围为体积比油酸：硅烷偶联剂＝1：0.8-1.5；
S3、将油酸铯溶液注入S2含有硅烷偶联剂的前驱体溶液，油酸铯的加入量范围为油酸：油酸铯＝1:0.8-1.2，100-150℃下充分搅拌至卤化铅充分溶解；
S4、S3溶解液冷却后，加入过量磺酸类有机盐充分共混后水解；所述的磺酸类有机盐化学结构式为R1R2SO3，R1是钾离子、钠离子、锂离子、铯离子中的一种或几种，R2是碳链长度为1-12的烷烃、烯烃、苯环、卤代烷烃、卤代烯烃、卤代苯环中的一种或几种；所得的水解产物即为高稳定钙钛矿量子点。
所述量子点包括全无机钙钛矿类量子点CsPbX3,X是Cl、Br、I中的一种或几种。
油酸：硅烷偶联剂体积比＝1：0.8-1.5，如果硅烷偶联剂小于0.8，量子点不易完全包裹；如果大于1.5，会影响光学吸收和发射。
在较佳的实施例中，步骤S3中注入温度在140℃-180℃之间，注入在保护气氛下(例如：氮气、氩气、氦气中的一种)进行。
在较佳的实施例中，步骤S1和S2中，前驱体溶液为油酸、十八烯、卤化铅的混合物，油酸、十八烯和卤化铅的比例范围为油酸：十八烯体积比＝1:8-15，每100ml十八烯中卤化铅1.5-2.0mmol。
在较佳的实施例中，步骤S3中油酸铯溶液的溶质为十八烯，油酸铯与卤化铅摩尔比为1-1.1:1。
在较佳的实施例中，步骤S2中硅烷偶联剂为含有-Si-O-R结构的一类硅烷偶联剂，R及为烷烃、烷胺基中的一种或几种。具体种类例如γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷、N-β(氨乙基)-Y-氨丙基三乙氧基硅烷、N-β(氨乙基)-Y-氨丙基三甲氧基硅烷、苯氨基甲基三乙氧基硅烷、苯氨基甲基三甲氧基硅烷、氨乙基氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷等中的至少一种。
在较佳的实施例中，步骤S4中的水解在空气条件下进行，温度为30～60℃。
在较佳的实施例中，本发明的方法还包括步骤S5，将S4中的水解产物离心分离、洗涤、烘干、压制粉末。
作为本发明的一个实施方案，步骤S5所述洗涤溶剂为正己烷、甲苯、乙酸乙酯中的一种或几种。
本发明提出的一种高稳定钙钛矿量子点的制备方法。首先是将油酸铯溶液在合适条件下注入含有硅烷偶联剂的前驱体溶液,获得量子点原液后加入含有磺酸根类有机盐，并通过水解获得原位修饰和封装的量子点。和十二烷基苯磺酸等其它磺酸类物质相比，磺酸类有机盐生成的磺酸根SF属于小分子配体，配体空间位阻低，在量子点表面迁移/配位/钝化速率更快/更高效。此外，十二烷基苯的极性和烷烃/氟代烷烃极性相比更小，磺酸根基团S元素电子云更加偏向极性更强的长链(S元素电子云密度减小)，与量子点成键的氧原子电子云密度增加，表现出更强的电负性，因此SF结合能力强于十二烷基苯磺酸。
磺酸根对量子点的修饰是和水解过程共同进行的，水解过程中，结合能更大的磺酸根离子通过离子交换的方式钝化量子点表面缺陷，与此同时，同样结合到量子点表面的硅烷偶联剂水解缩合形成致密的二氧化硅层，对量子点进行原位包裹。与现有的量子点修饰配体相比，磺酸根能够更加有效的钝化缺陷，并且无需额外的封装材料和步骤，工艺简单高效，有效提升量子点的稳定性。
综上，基于量子点表面缺陷导致光热稳定性差的事实，本发明设计一种高稳定钙钛矿量子点的制备方法。本发明利用同量子点表面结合能更强的磺酸类有机盐钝化缺陷，并采用硅烷偶联剂水解形成的致密二氧化硅层对量子点封装，克服了水、氧对量子点的侵蚀，极大地提高了量子点的稳定性。
与现有的量子点稳定性提升办法相比，本发明具有以下有益效果：
(1)采用本发明制备的量子点稳定性有极大提升；
(2)本发明为一步法表面修饰和封装，极大地简化工艺，简单高效，易于工业生产。。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清晰地理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明的目的、优势作进一步说明：
图1一种高稳定钙钛矿量子点的制备方法合成工艺示意图。
图2量子点修饰前后的TEM图像以及XRD图像，CsPbBr3(左)、CsPbBr3-SF(中)、CsPbBr3-SF@SiO2(右)的TEM图像。
图3量子点修饰、封装前后的XRD图像。
图4量子点表面修饰后PL增强(a),以及经过紫外LED老化测试后的衰减对比(b)。
图5量子点修饰和封装前后紫外稳定性测试。
具体实施方式
一种高稳定钙钛矿量子点的制备的流程如图1所示，下面借助附图和实例对本发明作进一步的阐述。
实施例1
CsPbBr3-SF量子点合成步骤如下(如图1所示)：
碳酸铯(2.5mmol)、十八烯(30ml)、油酸(2.5ml)混合加入250ml两口烧瓶中，120℃下真空搅拌干燥1h，充分干燥后，充入N2,在氮气氛围下升温至150℃，直至溶液完全变为透明溶液。得到的透明溶液即油酸铯溶液。
将十八烯(20ml)、PbBr2(0.376mmol)混合加入另一250ml两口烧瓶中，120℃下真空搅拌干燥1h。充分干燥后，充入N2(抽充三次)后加入油酸(2ml)、油胺(2ml)，120℃下充分搅拌至PbX2充分溶解。固体完全溶解后，升温至170℃，待溶液温度完全稳定后，将前面得到的油酸铯(2ml)快速注入上述溶液，5s后冰水浴冷却，8000r/min离心洗涤后再分散至正己烷即可获得CsPbBr3 QDs胶体溶液。向CsPbBr3 QDs胶体溶液加入全氟代辛磺酸盐，震荡0.5h后，过滤去除多余盐分即获得表面修饰后的量子点CsPbBr3-SF QDs。
实施例2
CsPbBr3+SF@SiO2量子点合成表征步骤如下：
碳酸铯(2.5mmol)、十八烯(30ml)、油酸(2.5ml)混合加入250ml两口烧瓶中，120℃下真空搅拌干燥1h，充分干燥后，充入N2,在氮气氛围下升温至150℃，直至溶液完全变为透明溶液。得到的透明溶液即油酸铯溶液。
将十八烯(20ml)、PbBr2(0.376mmol)混合加入另一250ml两口烧瓶中，120℃下真空搅拌干燥1h。充分干燥后，充入N2(抽充三次)后加入油酸(2ml)、γ-氨丙基三乙氧基硅烷(2ml)，120℃下充分搅拌至PbBr2充分溶解。固体完全溶解后，升温至160℃，待溶液温度完全稳定后，将油酸铯(2ml)快速注入上述溶液，5s后冰水浴冷却。加入适量全氟代辛磺酸盐，搅拌0.5h后轻微离心分离多余的磺酸盐，打开瓶塞室温下搅拌3h，最终5000r/min离心分离沉淀，用正己烷洗涤三次，放入真空烘箱室温过夜即获得最终产物。
对比例1
CsPbBr3量子点合成步骤如下：
碳酸铯(2.5mmol)、十八烯(30ml)、油酸(2.5ml)混合加入250ml两口烧瓶中，120℃下真空搅拌干燥1h，充分干燥后，充入N2,在氮气氛围下升温至150℃，直至溶液完全变为透明溶液。得到的透明溶液即油酸铯溶液。
将十八烯(20ml)、PbX2(0.376mmol)混合加入另一250ml两口烧瓶中，120℃下真空搅拌干燥1h。充分干燥后，充入N2(抽充三次)后加入油酸(2ml)、油胺(2ml)，120℃下充分搅拌至PbX2充分溶解。固体完全溶解后，升温至170℃，待溶液温度完全稳定后，将前面得到的油酸铯(2ml)快速注入上述溶液，5s后冰水浴冷却，8000r/min离心洗涤后再分散至正己烷即可获得CsPbBr3 QDs胶体溶液。。
对比例2
CsPbBr3@SiO2量子点合成步骤如下：
碳酸铯(2.5mmol)、十八烯(30ml)、油酸(2.5ml)混合加入250ml两口烧瓶中，120℃下真空搅拌干燥1h，充分干燥后，充入N2,在氮气氛围下升温至150℃，直至溶液完全变为透明溶液。得到的透明溶液即油酸铯溶液。
将十八烯(20ml)、PbBr2(0.376mmol)混合加入另一250ml两口烧瓶中，120℃下真空搅拌干燥1h。充分干燥后，充入N2(抽充三次)后加入油酸(2ml)、γ-氨丙基三乙氧基硅烷(2ml)，120℃下充分搅拌至PbBr2充分溶解。固体完全溶解后，升温至160℃，待溶液温度完全稳定后，将油酸铯(2ml)快速注入上述溶液，5s后冰水浴冷却。5000r/min离心洗涤后再分散至正己烷即可获得CsPbBr3 QDs胶体溶液。
表征测试：
图2的TEM图像显示，量子点经过磺酸盐钝化前后的形貌并未发生改变，而经过二氧化硅封装后的形貌有一定的改变，但是图3XRD结果说明无论是修饰还是封装都未真正改变量子点的晶型，说明本发明提出的方法是可行的。另外图4的PL光谱说明磺酸盐修饰有效钝化表面缺陷，宏观表现为PL的增强，同时LED老化的测试结果说明磺酸根延缓了量子点的老化，磺酸盐相较于传统的油酸油胺配体具有更强的结合能。最终将产物涂覆到石英基底，并使用紫外LED灯(365nm)进行持续的老化测试，另外在50℃热板上进行热稳定性测试。图5显示出使用本发明后的量子点稳定性的提升效果非常显著。
实施例3
CsPbBr3+SF@SiO2量子点合成表征步骤如下：
碳酸铯(2.5mmol)、十八烯(30ml)、油酸(2.5ml)混合加入250ml两口烧瓶中，120℃下真空搅拌干燥1h，充分干燥后，充入N2,在氮气氛围下升温至150℃，直至溶液完全变为透明溶液。得到的透明溶液即油酸铯溶液。
将十八烯(20ml)、PbBr2(0.376mmol)混合加入另一250ml两口烧瓶中，120℃下真空搅拌干燥1h。充分干燥后，充入N2(抽充三次)后加入油酸(2ml)、苯氨基甲基三甲氧基硅烷(2ml)，120℃下充分搅拌至PbBr2充分溶解。固体完全溶解后，升温至160℃，待溶液温度完全稳定后，将油酸铯(2ml)快速注入上述溶液，5s后冰水浴冷却。加入适量全氟代辛磺酸盐，搅拌0.5h后轻微离心分离多余的磺酸盐，打开瓶塞室温下搅拌3h，最终5000r/min离心分离沉淀，用正己烷洗涤三次，放入真空烘箱室温过夜即获得最终产物。
实施例4
CsPbBr3+SF@SiO2量子点合成表征步骤如下：
碳酸铯(2.5mmol)、十八烯(30ml)、油酸(2.5ml)混合加入250ml两口烧瓶中，120℃下真空搅拌干燥1h，充分干燥后，充入N2,在氮气氛围下升温至150℃，直至溶液完全变为透明溶液。得到的透明溶液即油酸铯溶液。
将十八烯(20ml)、PbBr2(0.376mmol)混合加入另一250ml两口烧瓶中，120℃下真空搅拌干燥1h。充分干燥后，充入N2(抽充三次)后加入油酸(2ml)、N-β(氨乙基)-Y-氨丙基三甲氧基硅烷(2ml)，120℃下充分搅拌至PbBr2充分溶解。固体完全溶解后，升温至160℃，待溶液温度完全稳定后，将油酸铯(2ml)快速注入上述溶液，5s后冰水浴冷却。加入适量全氟代辛磺酸盐，搅拌0.5h后轻微离心分离多余的磺酸盐，打开瓶塞室温下搅拌3h，最终5000r/min离心分离沉淀，用正己烷洗涤三次，放入真空烘箱室温过夜即获得最终产物。
显然，上述实例仅仅是为了清楚的说明本发明所进行的距离，并非对实施方式、实施对象的限定，在上述说明的基础上还可以做其他不同形式的改变，在此无需也无法通过穷举所有的实施方式，而由此引申的显而易见的变动亦属于本发明创造的保护范围中。
Claims (10)
1.一种高稳定钙钛矿量子点，其特征在于，具有CsPbX3+SF@SiO2结构，其中，X为Cl、Br、I中的一种或几种，所述的SF为磺酸根，量子点的粒径范围在5-15nm之间。
2.根据权利要求1所述的一种高稳定钙钛矿量子点在白光照明、色转换、全彩显示、光电探测器或生物荧光标记中的应用。
3.一种高稳定钙钛矿量子点的制备方法，包括以下步骤：
S1.制备钙钛矿量子点前驱体溶液；前驱体溶液为油酸、十八烯、卤化铅的混合物；
S2.往步骤S1的溶液中加入硅烷偶联剂，硅烷偶联剂的加入量范围为相较于油酸体积比为1:0.8-1.5；
S3、将油酸铯溶液注入S2含有硅烷偶联剂的前驱体溶液，油酸铯的加入量范围为相较于油酸体积比为1:0.8-1.2，100-150℃下充分搅拌至卤化铅充分溶解；
S4、S3溶解液冷却后，加入过量磺酸类有机盐充分共混后水解；所述的磺酸类有机盐化学结构式为R1R2SO3，R1是钾离子、钠离子、锂离子、铯离子中的一种或几种，R2是碳链长度为1-12的烷烃、烯烃、苯环、卤代烷烃、卤代烯烃、卤代苯环中的一种或几种；所得的水解产物即为高稳定钙钛矿量子点。
4.根据权利要求3所述的一种高稳定钙钛矿量子点的制备方法，其特征在于，所述量子点包括全无机钙钛矿类量子点CsPbX3,X是Cl、Br、I中的一种或几种。
5.根据权利要求3所述的一种高稳定钙钛矿量子点的制备方法，其特征在于，步骤S3中注入温度在140℃-180℃之间，注入在保护气氛下进行。
6.根据权利要求3所述的一种高稳定钙钛矿量子点的制备方法，其特征在于，步骤S1和S2中，前驱体溶液为油酸、十八烯、卤化铅的混合物，油酸、十八烯和卤化铅的比例范围为油酸：十八烯体积比＝1:8-15，每100ml十八烯中卤化铅1.5-2.0mmol。
7.根据权利要求3所述的一种高稳定钙钛矿量子点的制备方法，其特征在于，步骤S3中油酸铯溶液的溶质为十八烯，油酸铯与卤化铅摩尔比为1-1.1：1。
8.根据权利要求3所述的一种高稳定钙钛矿量子点的制备方法，其特征在于，步骤S2中硅烷偶联剂为含有-Si-O-R结构的一类硅烷偶联剂，R及为烷烃、烷胺基中的一种或几种。
9.根据权利要求3所述的一种高稳定钙钛矿量子点的制备方法，其特征在于，步骤S4中的水解在空气条件下进行，温度为30-60℃。
10.根据权利要求3所述的一种高稳定钙钛矿量子点的制备方法，其特征在于，还包括步骤S5，将S4中的水解产物离心分离、洗涤、烘干、压制粉末。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2021114801664 | 2021-12-06 | ||
| CN202111480166 | 2021-12-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114214060A true CN114214060A (zh) | 2022-03-22 |
Family
ID=80700630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111502580.0A Pending CN114214060A (zh) | 2021-12-06 | 2021-12-09 | 一种高稳定钙钛矿量子点及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114214060A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114656952A (zh) * | 2022-03-29 | 2022-06-24 | 无锡极电光能科技有限公司 | 一种钙钛矿量子点及其制备方法和用途 |
| CN116376547A (zh) * | 2023-04-07 | 2023-07-04 | 极电光能有限公司 | 一种固态钙钛矿量子点复合材料及其制备方法和应用 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106025042A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-10-12 | 吉林大学 | 基于二氧化硅包覆钙钛矿量子点的稳定白光led及制备方法 |
| CN108929671A (zh) * | 2018-08-06 | 2018-12-04 | 湖北文理学院 | 二氧化硅包覆钙钛矿量子点的纳米颗粒、其制备方法及光电纳米材料 |
| CN109935665A (zh) * | 2017-12-15 | 2019-06-25 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点薄膜及其制备方法、qled器件及其制备方法 |
| CN110872510A (zh) * | 2018-09-04 | 2020-03-10 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 基于二氧化硅包覆的红绿光钙钛矿量子点稳定荧光粉及制备 |
| CN112051249A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-12-08 | 福州大学 | 一种对氨基苯磺酸修饰的钙钛矿复合材料及其在检测亚硝酸盐中的应用 |
| CN112375567A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-02-19 | 合肥工业大学 | 基于原位氨基硅烷和溴离子钝化制备铯铅溴钙钛矿量子点的方法 |
| CN112467038A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-03-09 | 厦门大学 | 一种钝化钙钛矿薄膜层的方法及钙钛矿太阳能电池 |
| KR102243623B1 (ko) * | 2020-03-11 | 2021-04-23 | 중앙대학교 산학협력단 | 페로브스카이트 나노입자 제조방법 및 이에 의해 제조된 페로브스카이트 나노입자를 포함하는 광전자소자 |
| CN112964687A (zh) * | 2021-02-22 | 2021-06-15 | 江南大学 | 一种基于荧光钙钛矿纳米材料的油脂中水分含量测定的荧光比率检测方法 |
| CN113150768A (zh) * | 2020-01-07 | 2021-07-23 | 纳晶科技股份有限公司 | 钙钛矿量子点及其制备方法、量子点组合物、量子点器件 |
-
2021
- 2021-12-09 CN CN202111502580.0A patent/CN114214060A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106025042A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-10-12 | 吉林大学 | 基于二氧化硅包覆钙钛矿量子点的稳定白光led及制备方法 |
| CN109935665A (zh) * | 2017-12-15 | 2019-06-25 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点薄膜及其制备方法、qled器件及其制备方法 |
| CN108929671A (zh) * | 2018-08-06 | 2018-12-04 | 湖北文理学院 | 二氧化硅包覆钙钛矿量子点的纳米颗粒、其制备方法及光电纳米材料 |
| CN110872510A (zh) * | 2018-09-04 | 2020-03-10 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 基于二氧化硅包覆的红绿光钙钛矿量子点稳定荧光粉及制备 |
| CN113150768A (zh) * | 2020-01-07 | 2021-07-23 | 纳晶科技股份有限公司 | 钙钛矿量子点及其制备方法、量子点组合物、量子点器件 |
| KR102243623B1 (ko) * | 2020-03-11 | 2021-04-23 | 중앙대학교 산학협력단 | 페로브스카이트 나노입자 제조방법 및 이에 의해 제조된 페로브스카이트 나노입자를 포함하는 광전자소자 |
| CN112051249A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-12-08 | 福州大学 | 一种对氨基苯磺酸修饰的钙钛矿复合材料及其在检测亚硝酸盐中的应用 |
| CN112375567A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-02-19 | 合肥工业大学 | 基于原位氨基硅烷和溴离子钝化制备铯铅溴钙钛矿量子点的方法 |
| CN112467038A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-03-09 | 厦门大学 | 一种钝化钙钛矿薄膜层的方法及钙钛矿太阳能电池 |
| CN112964687A (zh) * | 2021-02-22 | 2021-06-15 | 江南大学 | 一种基于荧光钙钛矿纳米材料的油脂中水分含量测定的荧光比率检测方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114656952A (zh) * | 2022-03-29 | 2022-06-24 | 无锡极电光能科技有限公司 | 一种钙钛矿量子点及其制备方法和用途 |
| CN114656952B (zh) * | 2022-03-29 | 2023-10-27 | 无锡极电光能科技有限公司 | 一种钙钛矿量子点及其制备方法和用途 |
| CN116376547A (zh) * | 2023-04-07 | 2023-07-04 | 极电光能有限公司 | 一种固态钙钛矿量子点复合材料及其制备方法和应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Lv et al. | Improving the stability of metal halide perovskite quantum dots by encapsulation | |
| Yang et al. | CsPbBr3‐Quantum‐Dots/Polystyrene@ Silica hybrid microsphere structures with significantly improved stability for white LEDs | |
| CN108251109B (zh) | 一种钙钛矿量子点材料及其制备方法 | |
| Wang et al. | Perovskite quantum dots and their application in light‐emitting diodes | |
| CN114214060A (zh) | 一种高稳定钙钛矿量子点及其制备方法 | |
| CN109796976B (zh) | 一种铜掺杂红光钙钛矿量子点及其制备方法 | |
| CN110184056B (zh) | 用于x射线成像的高效率卤素钙钛矿量子点闪烁体的合成方法 | |
| Chen et al. | Highly efficient and stable luminescence from microbeans integrated with Cd‐free quantum dots for white‐light‐emitting diodes | |
| Liu et al. | A review of stability-enhanced luminescent materials: fabrication and optoelectronic applications | |
| Zhang et al. | Confined synthesis of stable and uniform CsPbBr3 nanocrystals with high quantum yield up to 90% by high temperature solid‐state reaction | |
| CN110305349A (zh) | 一种复合材料及其制备方法及应用 | |
| Ren et al. | In situ embedding synthesis of CsPbBr3@ Ce-MOF@ SiO2 nanocomposites for high efficiency light-emitting diodes: suppressing reabsorption losses through the waveguiding effect | |
| Fang et al. | Atomic layer deposition assisted encapsulation of quantum dot luminescent microspheres toward display applications | |
| CN103408229A (zh) | 一种通过调节孔隙率制备二氧化硅宽带增透膜的方法 | |
| CN114196393A (zh) | 一种增强核壳锚定的钙钛矿量子点、制备方法和用途 | |
| Yang et al. | Precipitation promotion of highly emissive and stable CsPbX3 (Cl, Br, I) perovskite quantum dots in borosilicate glass with alkaline earth modification | |
| CN112251219A (zh) | 一种耐湿型氟化物红色荧光粉及其制备方法 | |
| CN110564416A (zh) | 高稳定的钙钛矿量子点复合材料及其制备方法 | |
| CN111057542B (zh) | 一种室温水乳液法制备CsPbX3钙钛矿量子点的方法 | |
| Xu et al. | Transient Optical Properties of CsPbX3/Poly (maleic anhydride‐alt‐1‐octadecene) Perovskite Quantum Dots for White Light‐Emitting Diodes | |
| You et al. | Ultrastable monodispersed lead halide perovskite nanocrystals derived from interfacial compatibility | |
| Xu et al. | Highly efficient silica coated perovskite nanocrystals with the assistance of ionic liquids for warm white LEDs | |
| WO2024078624A1 (zh) | 荧光复合颗粒及其制备方法 | |
| Xu et al. | Stability of CsPbX3 (X= Br, Cl, I) perovskite nanocrystalline | |
| CN111704168B (zh) | 一种二氧化硅单颗粒包裹锰掺杂纯无机钙钛矿的纳米晶及其制备方法和应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |