CN114127631B - 掩模版、曝光方法和触控面板 - Google Patents

掩模版、曝光方法和触控面板 Download PDF

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Abstract

本公开提供了一种掩模版(13)、曝光方法和触控面板(170)。掩模版(13)包括第一区域(130’)和第二区域(130)，第一区域(130’)位于第二区域(130)的至少一侧，其中，第一区域(130’)包括第一遮光条(131”)和第二遮光条(131’)，第二区域(130)包括第三遮光条(131)，第一遮光条(131”)、第二遮光条(131’)和第三遮光条(131)的延伸方向相同，第二遮光条(131’)位于第一遮光条(131”)和第三遮光条(131)之间，第一遮光条(131”)、第二遮光条(131’)和第三遮光条(131)配置为阻挡光线，多个第一遮光条(131”)、多个第二遮光条(131’)和多个第三遮光条(131)包围形成的间隙允许光线通过，第一遮光条(131”)在第一方向上的宽度大于第二遮光条(131’)在第一方向上的宽度，且第二遮光条(131’)在第一方向上的宽度大于第三遮光条(131)在第一方向上的宽度。

Description

掩模版、曝光方法和触控面板
相关申请的交叉引用
本申请主张在2020年5月28日在中国提交的PCT国际申请PCT/CN2020/092806的优先权，其全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别是指一种掩模版、曝光方法和触控面板。
背景技术
随着显示技术的不断发展，显示面板或触控面板的尺寸在不断增大。为了生产出更大尺寸的显示面板或触控面板，存在使用小世代的生产线生产大尺寸的显示面板或触控面板的需求。
发明内容
本公开提供一种掩模版、曝光方法和触控面板。
一方面，提供一种掩模版，包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于所述第二区域的至少一侧，其中，所述第一区域包括第一遮光条和第二遮光条，所述第二区域包括第三遮光条，所述第一遮光条、所述第二遮光条和所述第三遮光条的延伸方向相同，所述第二遮光条位于所述第一遮光条和所述第三遮光条之间，所述第一遮光条、所述第二遮光条和所述第三遮光条配置为阻挡光线，多个所述第一遮光条、多个所述第二遮光条和多个所述第三遮光条包围形成的间隙允许光线通过，所述第一遮光条在第一方向上的宽度大于所述第二遮光条在所述第一方向上的宽度，且所述第二遮光条在第一方向上的宽度大于所述第三遮光条在所述第一方向上的宽度。
可选地，每个所述第二遮光条包括第一子遮光条、第二子遮光条和第三子遮光条，所述第二子遮光条位于所述第一子遮光条和所述第三子遮光条之间，所述第一子遮光条在第一方向上的宽度大于所述第二子遮光条在第一方向上的宽度，且所述第二子遮光条在第一方向上的宽度大于所述第三子遮光条在第一方向上的宽度。
可选地，所述第一子遮光条在第一方向上的宽度沿第二方向逐渐减小，所述第二方向与所述第一方向大致垂直。
可选地，所述第一子遮光条包括第一方向上相对的第一边缘和第二边缘，所述第一边缘的延长线与所述第二边缘的延长线相交，所述第一边缘相对于第一子遮光条的中心线的第一角度大于0°，且小于90°，所述第二边缘相对于第一子遮光条的中心线的第二角度大于0°，且小于90°。
可选地，所述第一角度为45°～55°，所述第二角度为60°～70°。
可选地，所述第一边缘的长度为1μm～10μm，所述第二边缘的长度为1μm～10μm。
可选地，所述第二子遮光条包括第一方向上的两个相对的第三边缘和第四边缘，所述第三边缘沿第二方向的长度与所述第四边缘沿第二方向的长度不相等，所述第二方向与所述第一方向大致垂直。
可选地，所述第三子遮光条在第一方向上的宽度沿第二方向逐渐减小，所述第二方向与所述第一方向大致垂直。
可选地，所述第三子遮光条包括第一方向上相对的第五边缘和第六边缘，所述第五边缘的延长线与所述第六边缘的延长线相交，所述第五边缘相对于第三子遮光条的中心线的第三角度大于0°，且小于90°，所述第六边缘相对于第三子遮光条的中心线的第四角度大于0°，且小于90°。
可选地，所述第三角度为45°～55°，所述第四角度为80°～90°。
可选地，所述第五边缘的长度为10μm～21μm，所述第六边缘的长度为6μm～16μm。
可选地，所述第二遮光条各部分在第一方向上的宽度沿第二方向相等。
可选地，所述第一遮光条、所述第三遮光条和所述第二遮光条的中心线重合。
可选地，所述第一遮光条、所述第三遮光条和所述第二遮光条的中心线与掩模版的边的夹角小于90°。
可选地，所述第一遮光条、所述第三遮光条和所述第二遮光条为一体成型结构。
另一方面，还提供一种曝光方法，包括：
提供如上任一所述的掩模版；
提供基板，所述基板包括第三区域和第四区域；
对准所述掩模版与所述基板的第三区域，以执行第一次曝光；
使所述掩模版与所述基板相对运动；和
对准所述掩模版与所述基板的第四区域，以执行第二次曝光。
可选地，所述对准所述掩模版与所述基板的第三区域，以执行第一次曝光，包括：
利用所述掩模版的第一遮光条和第二遮光条，在所述第三区域中形成第一图案和第二图案；和
利用所述掩模版的第三遮光条，在所述第三区域中形成第三图案，
其中，所述第一图案的线宽大于所述第二图案的线宽，且所述第二图案的线宽大于所述第三图案的线宽。
可选地，每个所述第二遮光条包括第一子遮光条、第二子遮光条和第三子遮光条，所述基板还包括位于所述第三区域和所述第四区域之间的分界线，
所述对准所述掩模版与所述基板的第三区域，以执行第一次曝光，包括：
利用所述第二子遮光条，在所述第三区域中形成第二子图案，及
利用所述第三子遮光条，在所述第三区域中形成第三子图案；
所述对准所述掩模版与所述基板的第四区域，以执行第二次曝光，包括：
利用所述第二子遮光条，在所述第四区域中形成第四子图案，
利用所述第三子遮光条，在所述第四区域中形成第五子图案；
其中，所述第二子图案、第三子图案与所述第四子图案、所述第五子图案具有重叠区域，所述重叠区域的面积小于预设阈值，所述预设阈值为第一宽度与第二宽度的乘积，所述第一宽度为拼接曝光工艺中两次曝光之间的掩模版的最大位置偏差的两倍，所述第二宽度为所述第一遮光条在平行于所述分界线的方向上的宽度。
可选地，每个所述第二遮光条包括第一子遮光条、第二子遮光条和第三子遮光条，所述第三子遮光条包括第三边缘和第四边缘，所述第三边缘的延长线与所述第四边缘的延长线相交，所述基板还包括位于所述第三区域和所述第四区域之间的分界线，
所述对准所述掩模版与所述基板的第三区域，以执行第一次曝光，包括：
利用所述第二子遮光条，在所述第三区域中形成第二子图案，
利用所述第三子遮光条，在所述第三区域中形成第三子图案，其中，所述第三子图案包括与所述第三边缘和所述第四边缘对应的第五边缘和第六边缘，所述第五边缘与所述分界线平行，所述第五边缘与所述分界线之间的距离为拼接曝光工艺中两次曝光之间的掩模版的最大位置偏差。
可选地，所述对准所述掩模版与所述基板的第四区域，以执行第二次曝光，包括：
利用所述第二子遮光条，在所述第四区域中形成第四子图案，
利用所述第三子遮光条，在所述第四区域中形成第五子图案，其中，所述第五子图案包括与所述第三边缘和所述第四边缘对应的第七边缘和第八边缘，所述第七边缘与所述分界线平行，所述第七边缘与所述分界线之间的距离为所述最大位置偏差；
其中，所述第二子图案、第三子图案、所述第四子图案及所述第五子图案的中心线重合，所述第二子图案、第三子图案与所述第四子图案、所述第五子图案形成重叠区域。
可选地，所述对准所述掩模版与所述基板的第四区域，以执行第二次曝光，包括：
利用所述第二子遮光条，在所述第四区域中形成第六子图案；
利用所述第三子遮光条，在所述第四区域中形成第七子图案，其中，所述第七子图案包括与所述第三边缘和所述第四边缘对应的第九边缘和第十边缘，所述第九边缘与所述分界线平行，所述第九边缘与所述分界线之间的距离的取值范围为零至所述最大位置偏差的两倍；
其中，所述第二子图案、第三子图案与所述第六子图案、所述第七子图案形成重叠区域。
可选地，所述对准所述掩模版与所述基板的第四区域，以执行第二次曝光，包括：
利用所述第二子遮光条，在所述第四区域中形成第八子图案；
利用所述第三子遮光条，在所述第四区域中形成第九子图案，
其中，所述第二子图案、第三子图案与所述第八子图案、所述第九子图案形成重叠区域，所述第二子图案、第三子图案的中心线重合，所述第八子图案、所述第九子图案的中心线重合，所述第二子图案的中心线与所述第八子图案的中心线的距离的取值范围为零至所述最大位置偏差。
可选地，所述对准所述掩模版与所述基板的第四区域，以执行第二次曝光，包括：
利用所述第三子遮光条，在所述第四区域中形成第十子图案，其中，所述第十子图案包括与所述第三边缘和所述第四边缘对应的第十一边缘和第十二边缘；所述第十一边缘与所述分界线平行，所述第十一边缘与所述分界线之间的距离为零；
利用所述第三遮光条，在所述第四区域中形成第四图案；
其中，所述第三子图案、所述第十子图案及所述第四图案的中心线重合，所述第三子图案与所述第十子图案、所述第四图案形成重叠区域。
可选地，所述重叠区域的面积小于预设阈值，所述预设阈值为第一宽度与第二宽度的乘积，所述第一宽度为所述最大位置偏差的两倍，所述第二宽度为所述第一遮光条在平行于所述分界线的方向上的宽度。
另一方面，还提供一种触控面板，包括：
基板；
设置于所述基板上的触控驱动电极；和
设置于所述基板上的触控感应电极，
其中，所述触控驱动电极和所述触控感应电极中的至少一个具有网格结构，所述网格结构包括结点，所述结点包括分布在网格条中心线两侧的第一突起结构和第二突起结构，所述第一突起结构和所述第二突起结构沿所述中心线方向错开布置。
可选地，所述第一突起结构和所述第二突起结构均包括圆弧状的边缘。
可选地，所述基板包括第三区域、第四区域及位于所述第三区域和所述第四区域之间的分界线，所述结点沿所述分界线依次排布。
可选地，所述网格结构包括第五区域，所述第五区域位于所述第三区域和所述第四区域远离所述分界线的至少一侧，
所述第三区域包括第一网格条，所述第四区域包括第二网格条，所述第五区域包括第三网格条，所述第三网格条在垂直于所述第三网格条延伸方向上的宽度大于所述第一网格条在垂直于所述第一网格条延伸方向上的宽度，和/或，所述第三网格条在垂直于所述第三网格条延伸方向上的宽度大于所述第二网格条在垂直于所述第二网格条延伸方向上的宽度。
可选地，所述网格结构包括第四网格条，所述第四网格条与所述结点的至少一端相连接，所述结点的顶点与所述第四网格条中心线的距离为d3，所述第四网格条的宽度为d4，d3与d4的比值n＝d3/d4，n大于等于1且小于等于2.3。
可选地，所述第一突起结构与所述网格条中心线相交的两侧边的长度不相等，和/或所述第二突起结构与所述网格条中心线相交的两侧边的长度不相等。
可选地，所述第一突起结构的两侧边中远离所述第二突起结构的第一侧边边长比靠近所述第二突起结构的第二侧边边长短，和/或所述第二突起结构的两侧边中远离所述第一突起结构的第三侧边边长比靠近所述第一突起结构的第四侧边边长短。
可选地，至少一个所述结点中所述第一突起结构和所述第二突起结构呈中心对称设置。
可选地，所述第一突起结构的两侧边包括远离所述第二突起结构的第一侧边和靠近所述第二突起结构的第二侧边，所述第二突起结构的两侧边包括远离所述第一突起结构的第三侧边和靠近所述第一突起结构的第四侧边，所述第一侧边与所述网格条中心线具有第一夹角β1，所述第二侧边与所述网格条中心线具有第二夹角β2，所述第三侧边与所述网格条中心线具有第三夹角β3，所述第四侧边与所述网格条中心线具有第四夹角β4，所述第一侧边与所述第二侧边具有第五夹角β5，所述第三侧边与所述第四侧边具有第六夹角β6，其中，β1大于等于110°小于等于150°，β2大于等于125°小于等于165°，β3大于等于110°小于等于150°，β4大于等于125°小于等于165°，β5大于等于80°小于等于100°，β6大于等于80°小于等于100°。
可选地，所述网格结构包括与所述结点的两端分别连接的第五网格条和第六网格条，所述第五网格条中心线和所述第六网格条中心线的距离为d5，d5大于等于0且小于等于6微米。
可选地，所述触控驱动电极和所述触控感应电极沿垂直于基板方向层叠设置，所述触控驱动电极和所述触控感应电极均具有所述网格结构，且所述网格结构包括结点，不同层中的所述结点大致沿同一直线排布或不同层中的所述结点大致分别沿两根直线排布。
可选地，所述触控驱动电极和所述触控感应电极沿垂直于基板方向层叠设置，所述触控驱动电极和所述触控感应电极均具有所述网格结构，且所述网格结构包括结点，不同层中的所述结点在所述基板上的正投影至少部分重叠。
本公开的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，通过对掩模版的部分遮光条进行多个不同尺寸的加宽设计，不仅可以补偿两次曝光之间的位置偏差，使得在最终形成的显示面板或触控面板中，基板拼接曝光区域的导电线的线宽等于基板正常曝光区域的导电线的线宽，从而减轻甚至消除姆拉(mura)现象。而且拼接曝光后拼接处形成的导电线的尺寸适中，既避免拼接处导电线太细而导致断路，又可以避免拼接处导电线过粗而造成消影的问题。
附图说明
图1示意性示出了金属网格电极的结构；
图2是根据本公开的一个实施例的触控面板的结构示意图；
图3是根据本公开的一个实施例的掩模版的结构示意图；
图4是根据本公开的一个实施例的触控面板的基板的俯视示意图；
图5A-5C示意性示出了基板拼接曝光区域在两次曝光过程中的局部放大图；
图6是根据本公开的又一个实施例的掩模版的结构示意图；
图7是图6中所示的掩模版的部分A的局部放大示意图；
图8A-8C示意性示出了使用图6-7中的掩模版在基上执行拼接曝光工艺中基板拼接曝光区域在两次曝光过程中的局部放大图；
图9为使用图6-7中的掩模版在基上执行拼接曝光工艺中基板拼接曝光区域形成的拼接图案的示意图；
图10是根据本公开的又一个实施例的掩模版的结构示意图；
图11是本公开实施例提供的图10中所示的掩模版的部分A的局部放大示意图；
图12是另一实施例提供的图10中所示的掩模版的部分A的局部放大示意图；
图13是根据本公开的又一个实施例的掩模版的结构示意图；
图14是根据本公开的又一个实施例的掩模版的结构示意图；
图15是根据本公开的又一个实施例的掩模版的结构示意图；
图16是本公开实施例提供的曝光方法的流程图；
图17是示意性示出使用图13中所示的掩模版执行拼接曝光工艺时两次相连的曝光中掩模版的相对位置关系的局部俯视图；
图18是示意性示出使用图13中所示的掩模版执行拼接曝光工艺时两次相连的曝光中掩模版的相对位置关系的立体图；
图19是示意性示出使用图13中所示的掩模版执行拼接曝光工艺时两次相连的曝光中掩模版的相对位置关系的主视图；
图20是示意性示出使用图13中所示的掩模版执行拼接曝光工艺时两次相连的曝光中掩模版的相对位置关系的俯视图；
图21为本公开实施例提供的使用图13中的掩模版在基上执行拼接曝光工艺中基板拼接曝光区域形成的拼接图案的示意图；
图22为本公开另一实施例提供的使用图13中的掩模版在基上执行拼接曝光工艺中基板拼接曝光区域形成的拼接图案的示意图；
图23为本公开另一实施例提供的使用图13中的掩模版在基上执行拼接曝光工艺中基板拼接曝光区域形成的拼接图案的示意图；
图24为本公开另一实施例提供的使用图13中的掩模版在基上执行拼接曝光工艺中基板拼接曝光区域形成的拼接图案的示意图；
图25为本公开另一实施例提供的使用图13中的掩模版在基上执行拼接曝光工艺中基板拼接曝光区域形成的拼接图案的示意图；以及
图26是根据本公开的另一个实施例的触控面板的结构示意图；
图27为本公开实施例提供的拼接图案；及
图28为本公开另一实施例提供的拼接图案。
具体实施方式
为使本公开的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
为了生产大尺寸的显示面板或触控面板，例如掩模版的掩模版的尺寸也需要随之增大。目前，曝光机对掩模版的尺寸有一定的限制，而且大尺寸的掩模版也存在制造困难、成本高、日常存放使用不方便等缺陷，因此，在制造大尺寸的显示面板或触控面板时，一般需要将大尺寸的基板划分成若干区域，并使用掩模版依次对各个区域进行曝光，形成大尺寸的显示面板或触控面板，这一过程称为拼接曝光工艺。例如，以京东方触控面板工厂的G6代线为例，掩模版的有效曝光区域是1100mm×752mm，而大尺寸触控面板，例如65英寸的外形尺寸是1460mm×831mm，75英寸的外形尺寸是1687mm×957mm，由于外形尺寸超出掩模版的有效曝光区，因此需要进行多次曝光，即，进行上述拼接曝光工艺，才能形成期望的图案。
图1示意性示出了金属网格电极的结构。随着触控面板产业的快速发展，对于透明导体，例如铟锡氧化物(ITO)的需求也大幅增加。然而，ITO的高价格、低效能、易碎性以及低导电率等缺点，都迫使研发人员不断地尝试寻找能够替代ITO的电极材料或电极结构。金属网格(即metal mesh)电极是一种可能替代ITO的电极结构。如图1所示，金属网格10包括多条金属线1，多条金属线1布置成网格状。每一条金属线1具有大于零的宽度We，每两条相邻的金属线1之间具有间隙Se。当利用该金属网格电极作为触控面板的触控电极时，金属线具有非常低的电阻，而且，金属网格上的大部分区域(即间隙所在的区域)都没有任何遮光物体，使得光线可以完全穿过，从而增加透光率。
金属网格电极可以应用于大尺寸触控面板中，以用作触控驱动电极和触控感应电极中的至少一个。以OGS(One Glass Solution)触控面板为例，如图2所示，触控面板20可以包括：基板21；设置于基板21上的黑矩阵22；设置于基板21上且覆盖黑矩阵22的第一覆盖层(overcoat，OC)23；设置于第一覆盖层23上的触控感应电极24；设置于触控感应电极24上的第二覆盖层25；设置于第二覆盖层25上的触控驱动电极26；和设置于触控驱动电极26上的第三覆盖层27。触控感应电极24和触控驱动电极26中的至少一个可以包括图1示出的金属网格结构。
需要说明的是，在本文中，覆盖层为起绝缘或保护作用的层，一般为透明的光学材料层。
为了在基板21上形成触控感应电极24或触控驱动电极26，可以采用构图工艺。例如，该构图工艺可以包括金属镀膜、涂覆光刻胶、采用掩模版曝光、显影和刻蚀等步骤。
在根据本公开的实施例中，基板21可以是大尺寸的基板，例如，可以为65英寸的基板，外形尺寸是1460mm×831mm；再例如，可以是75英寸的基板，外形尺寸是1687mm×957mm。为了在大尺寸的基板21上形成触控感应电极24或触控驱动电极26，在曝光步骤中，需要进行上述的拼接曝光工艺。
下面，以包括2次曝光为例，对拼接曝光工艺进行更详细的说明。本领域技术人员应理解，本公开实施例中的拼接曝光工艺不限于2次曝光，可以包括更多次曝光，例如3次曝光、4次曝光、6次曝光等。
为了在基板21上形成触控感应电极24或触控驱动电极26，而且触控感应电极24或触控驱动电极26具有图1示出的金属网格结构。在曝光步骤中，需要使用与金属网格结构对应的掩模版，图3示出了根据本公开实施例的一种掩模版。如图3所示，掩模版30包括遮光部31和透光部32。遮光部31包括多个遮光条311，多个遮光条311布置成网格状，每个遮光条311具有宽度Wm。多个遮光条311包围而成的间隙形成透光部32。每两个相邻的遮光条311之间具有间距Sm。在一个示例中，遮光条311可以由不透光材料(例如金属)制成。在使用掩模版30进行曝光时，光线可以穿过透光部32，但被遮光部31阻挡，从而在基板上形成与掩模版30对应的图案。
基板21被划分为两个区域，如图4所示，第一区域21A和第二区域21B。在第一次曝光过程中，使用掩模版30对第一区域21A进行曝光。在第二次曝光过程中，使用掩模版30对第二区域21B进行曝光。通过两次曝光，在基板21上形成完整的触控感应电极24或触控驱动电极26的图案，从而满足使用小世代的生产线生产大尺寸的显示面板或触控面板的需求。
然而，在上述曝光过程中，第一区域21A与第二区域21B相邻的区域，会受第一次曝光和第二次曝光两次曝光过程的作用，这一区域可以称为基板拼接曝光区域，基板21上除基板拼接曝光区域之外的曝光区域可以称为基板正常曝光区域。为了便于理解，在图4中示意性示出基板拼接曝光区域21C。理论上，经过拼接曝光之后，可以形成图1所示的金属网格10，并且每一条金属线1具有宽度We，每两条相邻的金属线1之间具有间隙Se。然而，实际上，基板拼接曝光区域21C中形成的金属线1的线宽小于宽度We。这样，导致在最终形成的显示面板或触控面板中，基板拼接曝光区域的透光率比基板正常曝光区域的透光率高，使得在显示时基板拼接曝光区域比基板正常曝光区域更亮，即，形成了姆拉(mura)现象。
进一步分析发现，姆拉现象产生的原因是两次曝光过程之间的对位偏差。具体地，图5A-5C示意性示出了基板拼接曝光区域在两次曝光过程中的局部放大图。如图5A所示，在第一次曝光过程中，由于掩模版30的遮光条311的遮光作用，在基板拼接曝光区域中形成具有宽度We的第一金属线51。然后，如图5B所示，在第二次曝光过程中，受限于曝光机的定位精度等因素，掩模版30的遮光条311与第一金属线51不会重现图5A中示出的完全对准的位置关系，而是会产生一定的位置偏差δ，这样，在第二次曝光过程中，第一金属线51未被遮光条311遮挡的部分会被曝光。最终形成的第一金属线51如图5C所示，由于第一金属线51未被遮光条311遮挡的部分在第二次曝光过程中被曝光，导致最终形成的第一金属线51的线宽We＇小于宽度We，二者之间的差值与两次曝光过程之间的位置偏差成正比。
为了解决上述技术问题，相关技术提供一种掩模版。如图6所示，掩模版60包括遮光部和透光部62，其中，遮光部阻止光线从其通过，透光部62允许光线从其通过。遮光部包括多个遮光条，多个遮光条布置成网格状，多个遮光条之间的间隙形成透光部62。多个遮光条可以包括第一遮光条611＇和第二遮光条611。第一遮光条611＇与基板拼接曝光区域对应，具有第一宽度Wm1，如图7所示。第二遮光条611与基板正常曝光区域对应，具有第二宽度Wm2,如图7所示。例如，与基板拼接曝光区域对应的第一遮光条611＇可以是位于掩模版60的至少一侧边缘处的遮光条。在该实施例中，掩模版60还包括掩模版拼接曝光区域和掩模版正常曝光区域之间的分界线63。
在该实施例中，第一宽度Wm1大于第二宽度Wm2。
图8A-8C示意性示出了基板拼接曝光区域在两次曝光过程中的局部放大图。结合图8A至图8C，在第一次曝光过程中，使用掩模版60对第一区域21A进行曝光。在第二次曝光过程中，使用掩模版60对第二区域21B进行曝光。通过两次曝光，在基板21上形成完整的触控感应电极24或触控驱动电极26的图案。如图8A所示，在第一次曝光过程中，由于掩模版60的第一遮光条611＇的遮光作用，在基板拼接曝光区域21C中形成具有宽度We＇的第一金属线51，由于第一遮光条611＇的第一宽度Wm1大于上述的宽度Wm，所以形成的第一金属线51的宽度We＇大于宽度We。然后，如图8B所示，在第二次曝光过程中，即使受限于曝光机的定位精度等因素，掩模版60的第一遮光条611＇与第一金属线51会产生一定的位置偏差δ，由于第一遮光条611＇具有较宽的第一宽度Wm1，第一金属线51具有较宽的宽度We＇，这样，在第二次曝光过程中，虽然仍存在第一金属线51与第一遮光条611＇部分重叠的情况，但是通过设计，可以使得较宽的第一遮光条611＇与较宽的第一金属线51之间具有的重叠部分的宽度等于基板正常曝光区域中的遮光条的宽度，即等于第二遮光条611的第二宽度Wm2。最终形成的第一金属线51如8C所示，最终形成的第一金属线51的线宽等于宽度We。因此，通过对掩模版的部分遮光条进行加宽设计，可以补偿两次曝光之间的位置偏差，使得在最终形成的显示面板或触控面板中，基板拼接曝光区域的金属线的线宽等于基板正常曝光区域的金属线的线宽，从而减轻甚至消除姆拉(mura)现象。
然而，在使用图6-7所示的掩模版60进行拼接曝光工艺时，还可能会造成在基板拼接曝光区域内形成的金属线的宽度较大，导致基板拼接曝光区域的透光率低，造成显示图像消影的问题。
图9示出了在进行拼接曝光工艺时，使用掩模版60对基板的第一次曝光区域进行曝光形成的第一预图案，与使用掩模版60对基板的第二次曝光区域进行曝光形成的第二预图案形成的拼接图案。然而，该拼接图案的宽度较大，导致基板拼接曝光区域的透光率低，造成显示图像消影的问题。
针对上述技术问题，本公开的一些实施例提出一种掩模版。
如图10-11所示，掩模版13包括第一区域130’(即掩模版拼接曝光区域)和第二区域130(即掩模版正常曝光区域)，所述第一区域130’位于所述第二区域130的至少一侧。其中，所述第一区域130’包括第一遮光条131”和第二遮光条131’，所述第二区域130包括第三遮光条131，所述第一遮光条131”、所述第二遮光条131’和所述第三遮光条131的延伸方向相同，所述第二遮光条131’位于所述第一遮光条131”和所述第三遮光条131之间。所述第一遮光条131”、所述第二遮光条131’和所述第三遮光条131配置为阻挡光线，多个所述第一遮光条131”、多个所述第二遮光条131’和多个所述第三遮光条131包围形成的间隙允许光线通过。所述第一遮光条131”在所述第一方向上的宽度大于所述第二遮光条131’在所述第一方向上的宽度，且所述第二遮光条131’在第一方向上的宽度大于所述第三遮光条131在所述第一方向上的宽度。
本公开实施例中，由于所述第二遮光条131’在所述第一方向上的宽度小于所述第一遮光条131”在所述第一方向上的宽度，且大于所述第三遮光条131在所述第一方向上的宽度，这样拼接曝光后拼接处形成的导电线的尺寸适中，既避免拼接处导电线太细而导致断路，又可以避免拼接处导电线过粗而造成消影的问题，提高拼接曝光质量，进而提高显示装置的良率。
在本公开的一些实施例中，如图11所示，所述第二遮光条131’包括第一子遮光条1311’、第二子遮光条1312’和第三子遮光条1313’，所述第二子遮光条1312’位于所述第一子遮光条1311’和所述第三子遮光条1313’之间，所述第一子遮光条1311’在第一方向上的宽度大于所述第二子遮光条1312’在第一方向上的宽度，且所述第二子遮光条1312’在第一方向上的宽度大于所述第三子遮光条1313’在第一方向上的宽度。
通过将所述第二遮光条131’的各部分设计成在第一方向上的宽度不同，可以更好地保证拼接曝光后拼接处形成的导电线的尺寸适中。
在本公开的一些实施例中，如图11所示，所述第一子遮光条1311’在第一方向上的宽度沿第二方向逐渐减小，所述第二方向与所述第一方向大致垂直。
在一些实施例中，所述第二方向与所述第一方向大致垂直，可选的，所述第二方向与所述第一方向垂直。
如图11所示，所述第一子遮光条1311’在第一方向上的任一宽度均大于所述第二子遮光条1312’在第一方向上的宽度。
在本公开的一些实施例中，如图11所示，所述第一子遮光条1311’包括第一方向上相对的第一边缘L1和第二边缘L2，所述第一边缘L1的延长线与所述第二边缘L2的延长线相交，所述第一边缘L1相对于第一子遮光条的中心线1310的第一角度α1为大于0°，且小于90°，所述第二边缘L2相对于第一子遮光条的中心线1310的第二角度α2为大于0°，且小于90°。
在本公开的一些实施例中，所述第一角度α1为45°～55°，所述第二角度α2为60°～70°。所述第一角度α1可以包括45°以及55°的端值情况。所述第二角度α2可以包括60°以及70°的端值情况。在一些实施例中，所述第一角度α1可以为50°。在一些实施例中，所述第二角度α2可以为67°。
在本公开的一些实施例中，所述第一边缘L1的长度为1μm～10μm，所述第二边缘L2的长度为1μm～10μm。在一些实施例中，所述第一边缘L1的长度可以为6.5μm。所述第二边缘L2的长度可以为5.5μm。
在本公开的一些实施例中，如图11所示，所述第二子遮光条1312’包括第一方向上的两个相对的第三边缘L3和第四边缘L4，所述第三边缘L3沿第二方向的长度与所述第四边缘L4沿第二方向的长度不相等，所述第二方向与所述第一方向大致垂直。
在本公开的一些实施例中，如图11所示，所述第三子遮光条1313’在第一方向上的宽度沿第二方向逐渐减小，所述第二方向与所述第一方向大致垂直。
如图11所示，所述第三子遮光条1313’在第一方向上的任一宽度均小于所述第二子遮光条1312’在第一方向上的宽度。
在本公开的一些实施例中，如图11所示，所述第三子遮光条1313’包括第一方向上相对的第五边缘L5和第六边缘L6，所述第五边缘L5的延长线与所述第六边缘L6的延长线相交，所述第五边缘相对于第三子遮光条1313’的中心线1310的第三角度α3为大于0°，且小于90°，所述第六边缘L6相对于第三子遮光条1313’的中心线1310的第四角度α4大于0°，且小于90°。
在本公开的一些实施例中，所述第三角度α3为45°～55°，所述第四角度α4为80°～90°。所述第三角度α3可以包括45°以及55°的端值情况。所述第四角度α4可以包括80°以及90°的端值情况。在一些实施例中，所述第三角度α3可以为50°。在一些实施例中，所述第四角度α4可以为83°。
在本公开的一些实施例中，所述第五边缘的长度为10μm～21μm，所述第六边缘的长度为6μm～16μm。在一些实施例中，所述第五边缘的长度可以为15μm。在一些实施例中，所述第六边缘的长度可以为11μm。
在本公开的一些实施例中，如图12所示，所述第二遮光条131’各部分在第一方向上的宽度沿第二方向相等。
也即，所述第一子遮光条1311’的第一边缘L1和第二边缘L2和所述第三子遮光条1313’的第五边缘L5和第六边缘L6均垂直于所述中心线，与所述中心线的角度为90°。
在本公开的一些实施例中，如图11、12所示，所述第一遮光条131”、所述第二遮光条131’和所述第三遮光条131的中心线重合。
在本公开的一些实施例中，如图10所示，所述第一遮光条、所述第三遮光条和所述第二遮光条的中心线与掩模版的边的夹角小于90°。
在本公开的一些实施例中，所述第一遮光条、所述第三遮光条和所述第二遮光条为一体成型结构。
在图10所示的实施例中，与掩模版拼接曝光区域130＇对应的第一遮光条131＇＇和第二遮光条131＇是位于掩模版13的左侧边缘中的遮光条。在图13所示的实施例中，与掩模版拼接曝光区域130＇对应的第一遮光条131＇＇和第二遮光条131＇是位于掩模版13的左右两个侧边缘中的遮光条。在图14所示的实施例中，与掩模版拼接曝光区域130＇对应的第一遮光条131＇＇和第二遮光条131＇是位于掩模版13的左右两个侧边缘中的遮光条以及位于掩模版13的上下两侧边缘中的遮光条。在图15所示的实施例中，与掩模版拼接曝光区域130＇对应的第一遮光条131＇＇和第二遮光条131＇是位于掩模版13的相邻两个侧边缘(上侧的侧边缘和左侧的侧边缘)中的遮光条。在该实施例中，第一遮光条131＇＇和第二遮光条131＇可以位于掩模版13的至少一侧边缘处，除第一遮光条131＇＇和第二遮光条131＇之外，其它的遮光条131均为第三遮光条131。例如，在图13所示的示例中，第三遮光条131可以位于掩模版13的非侧边缘处。结合图10、图13、图14、图15，掩模版13包括4个侧边缘，除该4个侧边缘之外，掩模版13的其它位置可以称为掩模版13的非侧边缘位置。
根据本公开的实施例，掩模版拼接曝光区域130＇可以根据曝光工艺的需要设置在掩模版13中，而不限于图中所示的实施例。此外，掩模版13的侧边缘可以具有矩形的形状，掩模版拼接曝光区域130＇可以具有矩形的形状，掩模版13可以具有矩形的形状，并且掩模版正常曝光区域130可以具有矩形的形状。
本公开的一些实施例还提出一种曝光方法，包括：
步骤1610，提供如上任一实施例中的掩模版；
步骤1620，提供基板，所述基板包括第三区域和第四区域；
步骤1630，对准所述掩模版与所述基板的第三区域，以执行第一次曝光；
步骤1640，使所述掩模版与所述基板相对运动；和
步骤1650，对准所述掩模版与所述基板的第四区域，以执行第二次曝光。
在本公开的一些实施例中，所述对准所述掩模版与所述基板的第三区域，以执行第一次曝光，包括：
利用所述掩模版的第一遮光条和第二遮光条，在所述第三区域中形成第一图案和第二图案；和
利用所述掩模版的第三遮光条，在所述第三区域中形成第三图案，
其中，所述第一图案的线宽大于所述第二图案的线宽，且所述第二图案的线宽大于所述第三图案的线宽。
第一次曝光所形成的第一图案、第二图案和第三图案之间的尺寸关系可以参见图11所示的第一遮光条、第二遮光条和第三遮光条之间的尺寸关系。
在本公开的一些实施例中，每个所述第二遮光条包括第一子遮光条、第二子遮光条和第三子遮光条，所述基板还包括位于所述第三区域和所述第四区域之间的分界线，
所述对准所述掩模版与所述基板的第三区域，以执行第一次曝光，包括：
利用所述第二子遮光条，在所述第三区域中形成第二子图案，及
利用所述第三子遮光条，在所述第三区域中形成第三子图案；
所述对准所述掩模版与所述基板的第四区域，以执行第二次曝光，包括：
利用所述第二子遮光条，在所述第四区域中形成第四子图案，
利用所述第三子遮光条，在所述第四区域中形成第五子图案；
其中，所述第二子图案、第四子图案与所述第三子图案、所述第五子图案具有重叠区域，所述重叠区域的面积小于预设阈值，所述预设阈值为第一宽度与第二宽度的乘积，所述第一宽度为拼接曝光工艺中两次曝光之间的掩模版的最大位置偏差的两倍，所述第二宽度为所述第一遮光条在平行于所述分界线的方向上的宽度。
在一些实施例中，所述分界线可以平行于如图21所示的上下方向。
由于第二遮光条在第一方向上的宽度小于第一遮光条在第一方向上的宽度，本公开实施例中，第一次曝光时掩模版中第二遮光条在基板上对应形成的图案的一部分与第二次曝光时掩模版中第二遮光条在基板上对应形成的图案的一部分形成的重叠区域的面积小于预设阈值。所述预设阈值可以为相关技术中的第一次曝光时掩模版中第一遮光条在基板上对应形成的图案与第二次曝光时掩模版中第一遮光条在基板上对应形成的图案形成的重叠区域的面积，如图9中91所示的矩形区域的面积。
图17是示意性示出使用图13中所示的掩模版13执行拼接曝光工艺时，两次相连的曝光中掩模版13的相对位置关系的局部俯视图；图18是示意性示出使用图13中所示的掩模版13执行拼接曝光工艺时，两次相连的曝光中掩模版13的相对位置关系的立体图；图19是示意性示出使用图13中所示的掩模版13执行拼接曝光工艺时，两次相连的曝光中掩模版13的相对位置关系的主视图；以及图20是示意性示出使用图13中所示的掩模版13执行拼接曝光工艺时，两次相连的曝光中掩模版13的相对位置关系的俯视图。
图17至图20中，为了清楚起见，在左侧的掩模版拼接曝光区域(第一掩模版拼接曝光区域)的附图标记中增加了“-L”，在右侧的掩模版拼接曝光区域(第二掩模版拼接曝光区域)的附图标记中增加了“-R”，在左侧的分界线(第一分界线)的附图标记中增加了“-L”，在右侧的分界线(第二分界线)的附图标记中增加了“-R”。并且在第一次曝光时的掩模版13和掩模版13的组件的附图标记中增加了“-1”，在第二次曝光时的掩模版13和掩模版13的组件的附图标记中增加了“-2”。需要说明的是，图17至图20中的掩模版仅仅是为了说明两次相连的曝光中掩模版利用曝光光源形成的投影的相对位置关系，并不是掩模版的实际位置关系。因此，图17至图20中的掩模版在一定程度上可以理解为掩模版利用曝光光源形成的投影。
图17至图20中，左侧的掩模版13-1为两次曝光中的第一次曝光时的掩模版13-1的位置，右侧的掩模版13-2为两次曝光中的第二次曝光时的掩模版13-2的位置。图17中仅仅示出了第二次曝光时的掩模版13-2的一部分。
参见图17至图20，根据本公开的实施例，在第一次曝光过程中，使用掩模版13-1对基板的第一区域进行曝光。在第二次曝光过程中，使用掩模版13-2对基板的第二区域进行曝光。通过两次曝光，在基板上形成完整的触控感应电极或触控驱动电极的图案。因此，通过对掩模版13的部分遮光条进行多个不同尺寸的加宽设计，不仅可以补偿两次曝光之间的位置偏差，使得在最终形成的显示面板或触控面板中，基板拼接曝光区域的导电线的线宽等于基板正常曝光区域的导电线的线宽，从而减轻甚至消除姆拉(mura)现象。而且拼接曝光后拼接处形成的导电线的尺寸适中，既避免拼接处导电线太细而导致断路，又可以避免拼接处导电线过粗而造成消影的问题。
参见图10、图17至图20，在本公开的实施例中，所述掩模版13还包括：第一掩模版拼接曝光区域130＇-L和第二掩模版拼接曝光区域130＇-R以及掩模版正常曝光区域130。第一掩模版拼接曝光区域130＇-L和第二掩模版拼接曝光区域130＇-R由所述掩模版13的相对的两个侧边缘分别构成，并且所述第一掩模版拼接曝光区域130＇-L和第二掩模版拼接曝光区域130＇-R具有矩形的形状。掩模版正常曝光区域130位于第一掩模版拼接曝光区域130＇-L和第一掩模版拼接曝光区域130＇-R之间。在第一掩模版拼接曝光区域130＇-L与掩模版正常曝光区域130之间具有第一分界线132-L并且在第二掩模版拼接曝光区域130＇-R与掩模版正常曝光区域130之间具有第二分界线132-R。所述第一遮光条131＇＇和所述第二遮光条131＇位于所述掩模版13的所述第一掩模版拼接曝光区域130＇-L和第一掩模版拼接曝光区域130＇-R中，并且所述第三遮光条131位于掩模版正常曝光区域130中。
参见图17至图20，在本公开的实施例中，在第二次曝光时的掩模版13-2的第一分界线132-L-2在所述基板上的投影与在第一次曝光时的掩模版13-1的第二分界线132-R-1在所述基板上的投影不重合。例如在第二次曝光时利用曝光光源由掩模版13-2的第一分界线132-L-2在所述基板上形成的投影与在第一次曝光时利用曝光光源由掩模版13-1的第二分界线132-R-1在所述基板上形成的投影不重合。例如，掩模版13从第一次曝光时的位置平移到第二次曝光时的位置时，在第二次曝光时的掩模版13-2的第一分界线132-L-2与在第一次曝光时的掩模版13-1的第二分界线132-R-1不重合，且错开一定距离。
在本公开的一些实施例中，每个所述第二遮光条包括第一子遮光条、第二子遮光条和第三子遮光条，所述第三子遮光条包括第三边缘和第四边缘，所述第三边缘的延长线与所述第四边缘的延长线相交，所述基板还包括位于所述第三区域和所述第四区域之间的分界线，
所述对准所述掩模版与所述基板的第三区域，以执行第一次曝光，包括：
利用所述第二子遮光条，在所述第三区域中形成第二子图案，
利用所述第三子遮光条，在所述第三区域中形成第三子图案，其中，所述第三子图案包括与所述第三边缘和所述第四边缘对应的第五边缘和第六边缘，所述第五边缘与所述分界线平行，所述第五边缘与所述分界线之间的距离为拼接曝光工艺中两次曝光之间的掩模版的最大位置偏差。
经过上述第一次曝光后，第一次曝光时所述掩模版13-1在基板上形成对应的第一预图案，所述第一预图案包括所述第二子图案和所述第三子图案。
在一些实施例中，所述第五边缘平行于所述分界线，如图21所示，第五边缘2304平行于分界线2300，且第五边缘2304与分界线2300之间的距离d2为拼接曝光工艺中两次曝光之间的掩模版的最大位置偏差D。
在本公开的一些实施例中，所述对准所述掩模版与所述基板的第四区域，以执行第二次曝光，包括：
利用所述第二子遮光条，在所述第四区域中形成第四子图案，
利用所述第三子遮光条，在所述第四区域中形成第五子图案，其中，所述第五子图案包括与所述第三边缘和所述第四边缘对应的第七边缘和第八边缘，所述第七边缘与所述分界线平行，所述第七边缘与所述分界线之间的距离为拼接曝光工艺中两次曝光之间的掩模版的最大位置偏差；
其中，所述第二子图案、第三子图案、所述第四子图案及所述第五子图案的中心线重合，所述第二子图案、第三子图案与所述第四子图案、所述第五子图案形成重叠区域。
经过上述第二次曝光后，第二次曝光时所述掩模版13-1在基板上形成对应的第二预图案，所述第二预图案包括所述第四子图案和所述第五子图案。
在一些实施例中，所述第七边缘平行于所述分界线，如图21所示，第七边缘2302平行于分界线2300，且第七边缘2302与分界线2300之间的距离d1为拼接曝光工艺中两次曝光之间的掩模版的最大位置偏差D，即d1＝d2。此外，所述第四子图案、所述第五子图案的中心线与所述第二子图案、所述第三子图案的中心线完全重合。
在第二次曝光时所述掩模版13-2的第一掩模版拼接曝光区域130＇-L-2的第二遮光条131＇在所述基板上的投影的一部分与在第一次曝光时所述掩模版13-1的第二掩模版拼接曝光区域130＇-R-1的第二遮光条131＇在所述基板上的投影的一部分重叠。如图21所示，第二次曝光时所述掩模版13-2的第一掩模版拼接曝光区域130＇-L-2的第二遮光条131＇的第二子遮光条1312＇和第三子遮光条1313＇分别在所述基板上第四子图案和第五子图案，第一次曝光时所述掩模版13-1的第二掩模版拼接曝光区域130＇-R-1的第二遮光条131＇的第二子遮光条1312＇和第三子遮光条1313＇分别在所述基板上第二子图案和第三子图案，所述第四子图案、所述第五子图案与所述第二子图案、所述第三子图案形成重叠区域，该重叠区域对应图案为第一图案230。该第一图案230为六边形的形状。且该第一图案230的面积小于预设阈值，所述预设阈值为第一宽度与第二宽度的乘积，所述第一宽度为所述最大位置偏差D的两倍，即，2D，所述第二宽度为所述第一遮光条在平行于所述分界线的方向上的宽度。在一些实施例中，该预设阈值可以对应图9中91所示的矩形对应的面积。
如图21所示，所示第一图案230由在第二次曝光时所述掩模版13-2的所述第二子遮光条在所述显示基板上形成的第四子图案的边缘2306的一部分、第五子图案的第七边缘2302和第八边缘2301及第一曝光时所述掩模版13-1的所述第二子遮光条在所述显示基板上形成的第二子图案的边缘2306的一部分、第三子图案的第五边缘2304和第六边缘2303构成。其中，第七边缘2302和第八边缘2301的延长线在第二次曝光时所述掩模版13-2的第三遮光条对应形成的图案(即下文的第四图案)处相交，形成所述第一图案230的一个角。同样，第五边缘2304和第六边缘2303在第一曝光时所述掩模版13-1的第三遮光条处对应形成的图案相交，形成所述第一图案的另一个角。
图21所示为第二次曝光时所述掩模版的遮光条与第一次曝光时利用所述掩模版在基板上形成的第一预图案的导电线完全对准的情形。
如图21所示，所述第一预图案的中心线与所述第二预图案的中心线完全重合，且第七边缘2302与分界线之间的距离d1和第五边缘2304与分界线之间的距离d2相等，均等于拼接曝光工艺中两次曝光之间的掩模版的最大位置偏差D。在一些实施例中，D可以为6μm。其中，所述最大位置偏差D是指实际情况中第二次曝光时所述掩模版的遮光条相对于图21所示的第一预图案中的导电线可以在上、下、左、右各方向偏移的最大距离。所述第二子图案、所述第三子图案可以为导电线的一部分。
然而实际情况中由于曝光机的定位精度等因素，第二次曝光时所述掩模版的遮光条与所述第一预图案的导电线并非完全对准，以图21对应的第二次曝光时所述掩模版的位置为基准，实际情况中第二次曝光时所述掩模版遮光条的位置可以相对于图21中的第二次曝光时所述掩模版的遮光条的位置向上、下、左和右平移，其中图21示出了上、下、左和右各个方向。
实际情况中第二次曝光时所述掩模版的位置相对于图21对应的第二次曝光时所述掩模版的位置在左、右方向偏移的情形如下。
在经过上述第一次曝光形成所述第一预图案后，所述对准所述掩模版与所述基板的第四区域，以执行第二次曝光，还可以包括：
利用所述第二子遮光条，在所述第四区域中形成第六子图案；
利用所述第三子遮光条，在所述第四区域中形成第七子图案，其中，所述第七子图案包括与所述第三边缘和所述第四边缘对应的第九边缘和第十边缘，所述第九边缘与所述分界线平行，所述第九边缘与所述分界线之间的距离的取值范围为零至所述最大位置偏差的两倍；
其中，所述第二子图案、第三子图案与所述第六子图案、所述第七子图案形成重叠区域。
在第二次曝光时所述掩模版的遮光条的位置相对于图21对应的第二次曝光时所述掩模版的位置向左平移最大位置偏差D时，第九边缘与所述分界线之间的距离为所述最大位置偏差D的两倍。在第二次曝光时所述掩模版的位置相对于图21对应的第二次曝光时所述掩模版的位置向右平移最大位置偏差D时，第九边缘与所述分界线之间的距离为零。实际情况中第二次曝光时所述掩模版的位置相对于图21对应的第二次曝光时所述掩模版的位置可以在左、右各方向分别平移零至所述最大位置偏差D之间的任一值，所述第二子图案、第三子图案与所述第六子图案、所述第七子图案仍然形成重叠区域，且该重叠区域对应的图案尺寸适中，既能避免因该图案太细而导致断路，又可以避免因该图案过粗而造成消影的问题。
实际情况中第二次曝光时所述掩模版的位置相对于图21对应的第二次曝光时所述掩模版的位置在上、下方向偏移的情形如下。
在经过上述第一次曝光形成所述第一预图案后，所述对准所述掩模版与所述基板的第四区域，以执行第二次曝光，包括：
利用所述第二子遮光条，在所述第四区域中形成第八子图案；
利用所述第三子遮光条，在所述第四区域中形成第九子图案，
其中，所述第二子图案、第三子图案与所述第八子图案、所述第九子图案形成重叠区域，所述第二子图案、第三子图案的中心线重合，所述第八子图案、所述第九子图案的中心线重合，所述第二子图案的中心线与所述第八子图案的中心线的距离的取值范围为零至所述最大位置偏差。
在第二次曝光时所述掩模版的位置相对于图21对应的第二次曝光时所述掩模版的位置向上平移最大位置偏差D时，所述第八子图案的中心线与所述第二子图案的中心线的距离为所述最大位置偏差D。在第二次曝光时所述掩模版的位置相对于图21对应的第二次曝光时所述掩模版的位置向上平移最大位置偏差D时，所述第二子图案的中心线与所述第八子图案的中心线的距离为所述最大位置偏差D。实际情况中第二次曝光时所述掩模版的位置相对于图21对应的第二次曝光时所述掩模版的位置可以在上、下各方向分别平移零至所述最大位置偏差D之间的任一值，所述第二子图案、第三子图案与所述第八子图案、所述第九子图案仍然形成重叠区域，且该重叠区域对应的图案尺寸适中，既能避免因该图案太细而导致断路，又可以避免因该图案过粗而造成消影的问题。
图22-图25中示例性的示意出了第二次曝光时所述掩模版的遮光条与第一次曝光时利用所述掩模版在基板上形成的第一预图案的导电线存在对位偏差的几种举例情形。以图21所示的第二预图案的位置为基准，其中，图22中第二次曝光后形成第二预图案相较于图21中的第二预图案分别向左上方偏移所述最大位置偏差D，图23中第二次曝光后形成第二预图案相较于图21中的第二预图案分别向左下方偏移所述最大位置偏差D，图24中第二次曝光后形成第二预图案相较于图21中的第二预图案分别向右上方偏移所述最大位置偏差D，图25中第二次曝光后形成第二预图案相较于图21中的第二预图案分别向右下方偏移所述最大位置偏差D。
具体地，图22中第二次曝光后形成的第二预图案相较于图21中的第二预图案向左方偏移所述最大位置偏差D，并向上方偏移所述最大位置偏差D。
在第二次曝光时所述掩模版13-2的第一掩模版拼接曝光区域130＇-L-2的第二遮光条131＇在所述基板上的投影与在第一次曝光时所述掩模版13-1的第二掩模版拼接曝光区域130＇-R-1的第二遮光条131＇在所述基板上的投影的一部分重叠。如图22所示，第二次曝光时所述掩模版13-2的第一掩模版拼接曝光区域130＇-L-2的第二遮光条131＇的第二子遮光条1312＇和第三子遮光条1313＇分别在所述基板上第十一子图案和第十二子图案，第一次曝光时所述掩模版13-1的第二掩模版拼接曝光区域130＇-R-1的第二遮光条131＇的第二子遮光条1312＇和第三子遮光条1313＇分别在所述基板上第二子图案和第三子图案，所述第二子图案、第三子图案与所述第十一子图案、所述第十二子图案形成重叠区域，该重叠区域对应图案为第二图案240。该第二图案240为六边形的形状。且该第二图案240的面积小于所述预设阈值。
如图22所示，所示第二图案240由在第二次曝光时所述掩模版13-2的第二子遮光条1312＇和第三子遮光条1313＇分别在所述基板上形成的第十一子图案的边缘2405的一部分、第十二子图案的第十五边缘2402和第十六边缘2401及第一曝光时所述掩模版13-1的所述第二子遮光条在所述基板上形成的第二子图案的边缘2306的一部分、第三子图案的第五边缘2304和第六边缘2303构成。其中，第十五边缘2402和第十六边缘2401的延长线在第二次曝光时所述掩模版13-2的第三遮光条对应形成的图案(即下文的第四图案)处相交，形成所述第二图案240的一个角。同样，第五边缘2304和第六边缘2303在第一曝光时所述掩模版13-1的第三遮光条处对应形成的图案相交，形成所述第二图案240的另一个角。
具体地，图23中第二次曝光后形成第二预图案相较于图21中的第二预图案向左方偏移所述最大位置偏差D，并向下方偏移所述最大位置偏差D。
在第二次曝光时所述掩模版13-2的第一掩模版拼接曝光区域130＇-L-2的第二遮光条131＇在所述基板上的投影与在第一次曝光时所述掩模版13-1的第二掩模版拼接曝光区域130＇-R-1的第二遮光条131＇在所述基板上的投影的一部分重叠。如图23所示，第二次曝光时所述掩模版13-2的第一掩模版拼接曝光区域130＇-L-2的第二遮光条131＇的第二子遮光条1312＇和第三子遮光条1313＇分别在所述基板上第十三子图案和第十四子图案，第一次曝光时所述掩模版13-1的第二掩模版拼接曝光区域130＇-R-1的第二遮光条131＇的第二子遮光条1312＇和第三子遮光条1313＇分别在所述基板上第二子图案和第三子图案，所述第二子图案、第三子图案与所述第十三子图案、所述第十四子图案形成重叠区域，该重叠区域对应图案为第三图案250。该第三图案250为类似六边形的形状。且第三图案250的面积小于所述预设阈值。
如图23所示，所述第十三子图案的边缘2505的一部分、第十四子图案的第十七边缘2502的一部分和第十八边缘2501及第一曝光时所述掩模版13-1的所述第二子遮光条和第三子遮光条在所述基板上形成的第二子图案的边缘2306的一部分、第三子图案的第五边缘2304的一部分和第六边缘2303及第一曝光时所述掩模版13-1的所述第一子遮光条在所述基板上形成的十五子图案的一个边缘2307的一部分构成。其中，第十七边缘2502和第十八边缘2501的延长线在第二次曝光时所述掩模版13-2的第三遮光条对应形成的图案(即下文的第四图案)处相交，形成所述第三图案250的一个角。同样，第五边缘2304和第六边缘2303在第一曝光时所述掩模版13-1的第三遮光条处对应形成的图案相交，形成所述第三图案250的另一个角。
具体地，图24中第二次曝光后形成第二预图案相较于图21中的第二预图案向右方偏移所述最大位置偏差D，并向上方偏移所述最大位置偏差D。
在第二次曝光时所述掩模版13-2的第一掩模版拼接曝光区域130＇-L-2的第二遮光条131＇在所述基板上的投影与在第一次曝光时所述掩模版13-1的第二掩模版拼接曝光区域130＇-R-1的第二遮光条131＇在所述基板上的投影的一部分重叠。如图24所示，第二次曝光时所述掩模版13-2的第一掩模版拼接曝光区域130＇-L-2的第二遮光条131＇的第二子遮光条1312＇和第三子遮光条1313＇分别在所述基板上第十六子图案和第十七子图案，第一次曝光时所述掩模版13-1的第二掩模版拼接曝光区域130＇-R-1的第二遮光条131＇的第二子遮光条1312＇和第三子遮光条1313＇分别在所述基板上第二子图案和第三子图案，所述第二子图案、第三子图案与所述第十六子图案、所述第十七子图案形成重叠区域，该重叠区域对应图案为第四图案260。该第四图案260为六边形的形状。且该第四图案260的面积小于所述预设阈值。
如图24所示，所述第四图案260由所述第十六子图案的边缘2605的一部分、第十七子图案的第十九边缘2602和第二十边缘2601的一部分及第一曝光时所述掩模版13-1的所述第二子遮光条在所述基板上形成的第二子图案的边缘2306的一部分、第三子图案的第五边缘2304和第六边缘2303的一部分构成。其中，第十九边缘2602和第二十边缘2601的延长线在第二次曝光时所述掩模版13-2的第三遮光条对应形成的图案(即下文的第四图案)处相交，形成所述第四图案260的一个角。同样，第五边缘2304和第六边缘2303在第一曝光时所述掩模版13-1的第三遮光条处对应形成的图案相交，形成所述第四图案260的另一个角。
具体地，图25中第二次曝光后形成的第二预图案相较于图21中的第二预图案向右方偏移所述最大位置偏差D，并向下方偏移所述最大位置偏差D。
所述对准所述掩模版与所述基板的第四区域，以执行第二次曝光，包括：
利用所述第三子遮光条，在所述第四区域中形成第十子图案，其中，所述第十子图案包括与所述第三边缘和所述第四边缘对应的第十一边缘和第十二边缘；所述第十一边缘与所述分界线平行，所述第十一边缘与所述分界线之间的距离为零；
利用所述第三遮光条，在所述第四区域中形成第四图案；
其中，所述第三子图案、所述第十子图案及所述第四图案的中心线重合，所述第二子图案、第三子图案与所述第十子图案、所述第四图案形成重叠区域。
在第二次曝光时所述掩模版13-2的第一掩模版拼接曝光区域130＇-L-2的第二遮光条131＇在所述基板上的投影与在第一次曝光时所述掩模版13-1的第二掩模版拼接曝光区域130＇-R-1的第二遮光条131＇在所述基板上的投影的一部分重叠。如图25所示，第二次曝光时所述掩模版13-2的第一掩模版拼接曝光区域130＇-L-2的第二遮光条131＇的第三子遮光条1313＇在所述基板上第十子图案，第二次曝光时所述掩模版13-2的第一掩模版拼接曝光区域130＇-L-2的第三遮光条131在所述基板上形成第四图案，第一次曝光时所述掩模版13-1的第二掩模版拼接曝光区域130＇-R-1的第二遮光条131＇的第三子遮光条1313＇在所述基板上形成第三子图案，所述第三子图案、所述第十子图案及所述第四图案的中心线重合，所述第三子图案与所述第十子图案、所述第四图案形成重叠区域，该重叠区域对应图案为第五图案270。该第五图案270为六边形的形状。且该第五图案270的面积小于所述预设阈值。
如图25所示，所述第五图案270由第十子图案的第二十一边缘2702的一部分和第二十二边缘2703的一部分、所述第四图案的其中一个边缘2701的一部分及所述第三子图案的第五边缘2304的一部分和第六边缘2303的一部分构成。其中，第五边缘2304和第六边缘2303在第一曝光时所述掩模版13-1的第三遮光条处对应形成的图案相交，形成所述第五图案270的一个角。
本公开实施例还提供一种触控面板，包括：
基板；
设置于所述基板上的触控驱动电极；和
设置于所述基板上的触控感应电极，
其中，所述触控驱动电极和所述触控感应电极中的至少一个具有网格结构，所述网格结构包括结点，所述结点包括分布在网格条中心线两侧的第一突起结构和第二突起结构，所述第一突起结构和所述第二突起结构沿所述中心线方向错开布置。
在一些实施例中，所述网格结构可以是根据如上任一实施例所述的曝光方法制造而成。
在一些实施例中，所述网格结构包括金属网格结构。
在一些实施例中，所述触控面板可以为OGS(One Glass Solution)触控面板或GG(Glass-Glass)触控面板。
在一些实施例中，OGS(One Glass Solution)触控面板可以如图2所示，触控感应电极24和触控驱动电极26中的至少一个可以包括金属网格结构。
在一些实施例中，如图26所示，CG触控面板170可以包括：第一基板171；设置于第一基板171上的触控驱动电极172；设置于触控驱动电极172上的第一覆盖层(overcoat，OC)173；设置于第一覆盖层173上的触控感应电极174；设置于触控感应电极174上的第二覆盖层175；设置于第二覆盖层175上的粘合材料层176；和设置于粘合材料层176上的第二基板177。触控感应电极174和触控驱动电极172中的至少一个可以包括金属网格结构。第一基板171和第二基板177可以为玻璃基板。
需要说明的是，本文中的结点可以是通过掩模版一次曝光构图形成的结构，也可以是通过掩模版多次曝光构图形成的结构，本公开中主要以通过掩模版多次曝光构图形成的拼接结点为例进行说明。
在一些实施例中，所述网格结构包括拼接结点2710，如图27所示，所述拼接结点2710包括分布在网格条中心线两侧的第一突起结构2711和第二突起结构2712，所述第一突起结构2711和所述第二突起结构2712沿所述中心线方向错开布置。
如图27所示，第一突起结构2711和第二突起结构2712均包括圆弧状的边缘。
在一些实施例中，所述基板包括第三区域、第四区域及位于所述第三区域和所述第四区域之间的分界线，所述拼接结点沿所述分界线依次排布。在一些实施例中，如图10所示，所述掩模版13仅在一侧设置有所述第一区域130’。利用如图10所示的掩模版13进行一次拼接曝光工艺时，形成的网格结构包括第六区域和第七区域，所述第六区域为位于所述分界线处且沿所述分界线延伸的条状区域，所述第七区域为所述网格结构中除了所述第六区域以外的区域；所述第六区域包括所述拼接结点，所述拼接结点沿所述分界线依次排布。在一些实施例中，所述第六区域沿所述分界线方向的中心线与所述分界线重合。
在一些实施例中，在利用如图10所示的掩模版13进行一次拼接曝光工艺时，第二次曝光时需旋转所述掩模版，以使第二次曝光时所述掩模版的第一区域在基板上的正投影与第一次曝光时所述掩模版的第一区域在基板上的正投影重合。
所述第六区域包括如图27中的2710所示的拼接结点。在一些实施例中，所述拼接结点可以对应于所述第一图案230、所述第二图案240、所述第三图案250、第四图案260和所述第五图案270中的任一个。所述第七区域中的网格条对应于所述第三遮光条131。
在一些实施例中，所述第六区域沿所述分界线方向的中心线与所述分界线重合时，所述拼接结点沿所述第六区域沿所述分界线方向的中心线依次排布。
在一些实施例中，所述掩模版为矩形时，还可在所述掩模版相邻的两个侧边设置所述第一区域，如图15所示。利用该掩模版可以进行2次拼接曝光，其中存在两个拼接曝光区域。此时，所述基板还可包括所述第四区域和第八区域的第二分界线，所述第二分界线与所述第三区域和所述第四区域之间的分界线相交，所述网格结构还包括位于所述第二分界线处的第六区域，即，所述网格结构包括两个第六区域。
在一些实施例中，也可以利用如图15所示的掩模版进行一次拼接曝光，那么所形成的网格结构还将包括第五区域，该第五区域对应于所述掩模版的第一区域。
在一些实施例中，所述网格结构包括第五区域，所述第五区域位于所述第三区域和所述第四区域远离所述分界线的至少一侧，所述第三区域包括第一网格条，所述第四区域包括第二网格条，所述第五区域包括第三网格条，所述第三网格条在垂直于所述第三网格条延伸方向上的宽度大于所述第一网格条在垂直于所述第一网格条延伸方向上的宽度，和/或，所述第三网格条在垂直于所述第三网格条延伸方向上的宽度大于所述第二网格条在垂直于所述第二网格条延伸方向上的宽度。
在一些实施例中，还可在所述掩模版的相对的两侧均具设置有所述第一区域，如图13所示。利用该掩模版可以进行一次拼接曝光时，第二次曝光时，可以不用旋转所述掩模版。利用该掩模版可以进行一次拼接曝光所形成的网格结构，除了具有上述第六区域和第七区域外，还包括所述第五区域。所述掩模版为矩形时，所述第五区域位于所述网格结构的相对的两侧。
在一些实施例中，所述掩模版为矩形时，还可在所述掩模版的四个侧边缘均设置所述第一区域，如图14所示。利用如图14所示的掩模版可以进行4次拼接曝光，形成的网格结构在其四个侧边缘均形成有所述第五区域。
在一些实施例中，所述网格结构包括第四网格条，所述第四网格条与所述拼接结点的至少一端相连接，所述拼接结点的顶点与所述第四网格条中心线的距离为d3，所述第四网格条的宽度为d4，d3与d4的比值n＝d3/d4，n大于等于1且小于等于2.3。
如图27所示，网格结构包括第四网格条2720，所述第四网格条2720与所述拼接结点2710的至少一端相连接，所述拼接结点2710的顶点与所述第四网格条中心线的距离为d3，所述第四网格条的宽度为d4，d3与d4的比值n＝d3/d4，n大于等于1且小于等于2.3。在一些实施例中，n可以为1、5/3或6/3。
在一些实施例中，所述第一突起结构与所述网格条中心线相交的两侧边的长度不相等，和/或所述第二突起结构与所述网格条中心线相交的两侧边的长度不相等。
如图27所示，第一突起结构2711具有与第四网格条中心线相交的第一侧边E1和第二侧边E2，第一侧边E1和第二侧边E2的长度不相等。第二突起结构2712具有与第四网格条中心线相交的第三侧边E3和第四侧边E4，第三侧边E3和第四侧边E4的长度不相等。
在一些实施例中，如图27所示，所述第一突起结构2711的两侧边中远离所述第二突起结构2712的第一侧边E1边长比靠近所述第二突起结构2712的第二侧边E2边长短，和/或所述第二突起结构2712的两侧边中远离所述第一突起结构2711的第三侧边E3边长比靠近所述第一突起结构2711的第四侧边E4边长短。
在一些实施例中，至少一个所述拼接结点中所述第一突起结构和所述第二突起结构呈中心对称设置。
在一些实施例中，如图27所示，所述第一突起结构2711的两侧边包括远离所述第二突起结构2712的第一侧边E1和靠近所述第二突起结构2712的第二侧边E2，所述第二突起结构2712的两侧边包括远离所述第一突起结构2711的第三侧边E3和靠近所述第一突起结构2711的第四侧边E4，所述第一侧边E1与所述网格条中心线具有第一夹角β1，所述第二侧边E2与所述网格条中心线具有第二夹角β2，所述第三侧边E3与所述网格条中心线具有第三夹角β3，所述第四侧边E4与所述网格条中心线具有第四夹角β4，所述第一侧边E1与所述第二侧边E2具有第五夹角β5，所述第三侧边E3与所述第四侧边E4具有第六夹角β6，其中，β1大于等于110°小于等于150°，β2大于等于125°小于等于165°，β3大于等于110°小于等于150°，β4大于等于125°小于等于165°，β5大于等于80°小于等于100°，β6大于等于80°小于等于100°。
通过设置上述拼接结点的结构，可以避免拼接处导电线太细而导致断路，还可以避免拼接处导电线过粗而造成消影的问题。
在一些实施例中，所述网格结构包括与所述拼接结点的两端分别连接的第五网格条和第六网格条，所述第五网格条中心线和所述第六网格条中心线的距离为d5，d5大于等于0且小于等于6微米。
如图28所示，所述网格结构包括与所述拼接结点280的两端分别连接的第五网格条281和第六网格条282，所述第五网格条中心线和所述第六网格条中心线的距离为d5，d5等于0。
在一些实施例中，所述第五网格条中心线和所述第六网格条中心线的距离d5与掩模版两次曝光之间的位置偏差在平行于第三区域和第四区域之间的分界线方向的分量对应。例如，相邻两次曝光掩模版的位置偏差在平行于第三区域和第四区域之间的分界线方向的分量为6微米时，如图23、24所示，所述第五网格条中心线和所述第六网格条中心线的距离d5也为6微米。
在一些实施例中，所述触控驱动电极和所述触控感应电极沿垂直于基板方向层叠设置，所述触控驱动电极和所述触控感应电极均具有所述网格结构，且所述网格结构包括拼接结点，不同层中的所述拼接结点大致沿同一直线排布或不同层中的所述拼接结点大致分别沿两根直线排布。
在一些实施例中，位于不同层的所述触控驱动电极和所述触控感应电极中的拼接结点可以沿同一直线排布，或分别沿两根直线排布。
在一些实施例中，所述触控驱动电极和所述触控感应电极沿垂直于基板方向层叠设置，所述触控驱动电极和所述触控感应电极均具有所述网格结构，且所述网格结构包括拼接结点，不同层中的所述拼接结点在所述基板上的正投影至少部分重叠。
在一些实施例中，如图28所示，位于不同层的所述触控驱动电极和所述触控感应电极中的拼接结点在基板上的正投影至少部分重叠，以避免拼接结点对于网格均一性的影响。其中，网格条283和网格条284与第五网格条281、第六网格条282和拼接结点280处于不同层。
需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (32)

1.一种曝光方法，包括：
提供掩模版，所述掩模版包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于所述第二区域的至少一侧，其中，所述第一区域包括第一遮光条和第二遮光条，所述第二区域包括第三遮光条，所述第一遮光条、所述第二遮光条和所述第三遮光条的延伸方向相同，所述第二遮光条位于所述第一遮光条和所述第三遮光条之间，所述第一遮光条、所述第二遮光条和所述第三遮光条配置为阻挡光线，多个所述第一遮光条、多个所述第二遮光条和多个所述第三遮光条包围形成的间隙允许光线通过，所述第一遮光条在第一方向上的宽度大于所述第二遮光条在所述第一方向上的宽度，且所述第二遮光条在第一方向上的宽度大于所述第三遮光条在所述第一方向上的宽度；
提供基板，所述基板包括第三区域和第四区域；
对准所述掩模版与所述基板的第三区域，以执行第一次曝光；
使所述掩模版与所述基板相对运动；和
对准所述掩模版与所述基板的第四区域，以执行第二次曝光；
其中，每个所述第二遮光条包括第一子遮光条、第二子遮光条和第三子遮光条，所述基板还包括位于所述第三区域和所述第四区域之间的分界线，
所述对准所述掩模版与所述基板的第三区域，以执行第一次曝光，包括：
利用所述第二子遮光条，在所述第三区域中形成第二子图案，及
利用所述第三子遮光条，在所述第三区域中形成第三子图案；
所述对准所述掩模版与所述基板的第四区域，以执行第二次曝光，包括：
利用所述第二子遮光条，在所述第四区域中形成第四子图案，
利用所述第三子遮光条，在所述第四区域中形成第五子图案；
其中，所述第二子图案、第三子图案与所述第四子图案、所述第五子图案具有重叠区域，所述重叠区域的面积小于预设阈值，所述预设阈值为第一宽度与第二宽度的乘积，所述第一宽度为拼接曝光工艺中两次曝光之间的掩模版的最大位置偏差的两倍，所述第二宽度为所述第一遮光条在平行于所述分界线的方向上的宽度。
2.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，每个所述第二遮光条包括第一子遮光条、第二子遮光条和第三子遮光条，所述第二子遮光条位于所述第一子遮光条和所述第三子遮光条之间，所述第一子遮光条在第一方向上的宽度大于所述第二子遮光条在第一方向上的宽度，且所述第二子遮光条在第一方向上的宽度大于所述第三子遮光条在第一方向上的宽度。
3.根据权利要求2所述的曝光方法，其中，所述第一子遮光条在第一方向上的宽度沿第二方向逐渐减小，所述第二方向与所述第一方向大致垂直。
4.根据权利要求3所述的曝光方法，其中，所述第一子遮光条包括第一方向上相对的第一边缘和第二边缘，所述第一边缘的延长线与所述第二边缘的延长线相交，所述第一边缘相对于第一子遮光条的中心线的第一角度大于0°，且小于90°，所述第二边缘相对于第一子遮光条的中心线的第二角度大于0°，且小于90°。
5.根据权利要求4所述的曝光方法，其中，所述第一角度为45°～55°，所述第二角度为60°～70°。
6.根据权利要求4所述的曝光方法，其中，所述第一边缘的长度为1μm～10μm，所述第二边缘的长度为1μm～10μm。
7.根据权利要求2-6任一项所述的曝光方法，其中，所述第二子遮光条包括第一方向上的两个相对的第三边缘和第四边缘，所述第三边缘沿第二方向的长度与所述第四边缘沿第二方向的长度不相等，所述第二方向与所述第一方向大致垂直。
8.根据权利要求2-6任一项所述的曝光方法，其中，所述第三子遮光条在第一方向上的宽度沿第二方向逐渐减小，所述第二方向与所述第一方向大致垂直。
9.根据权利要求8所述的曝光方法，其中，所述第三子遮光条包括第一方向上相对的第五边缘和第六边缘，所述第五边缘的延长线与所述第六边缘的延长线相交，所述第五边缘相对于第三子遮光条的中心线的第三角度大于0°，且小于90°，所述第六边缘相对于第三子遮光条的中心线的第四角度大于0°，且小于90°。
10.根据权利要求9所述的曝光方法，其中，所述第三角度为45°～55°，所述第四角度为80°～90°。
11.根据权利要求9所述的曝光方法，其中，所述第五边缘的长度为10μm～21μm，所述第六边缘的长度为6μm～16μm。
12.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，所述第二遮光条各部分在第一方向上的宽度沿第二方向相等。
13.根据权利要求1-6任一项所述的曝光方法，其中，所述第一遮光条、所述第三遮光条和所述第二遮光条的中心线重合。
14.根据权利要求1-6任一项所述的曝光方法，其中，所述第一遮光条、所述第三遮光条和所述第二遮光条的中心线与掩模版的边的夹角小于90°。
15.根据权利要求1-6任一项所述的曝光方法，其中，所述第一遮光条、所述第三遮光条和所述第二遮光条为一体成型结构。
16.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，所述对准所述掩模版与所述基板的第三区域，以执行第一次曝光，包括：
利用所述掩模版的第一遮光条和第二遮光条，在所述第三区域中形成第一图案和第二图案；和
利用所述掩模版的第三遮光条，在所述第三区域中形成第三图案，
其中，所述第一图案的线宽大于所述第二图案的线宽，且所述第二图案的线宽大于所述第三图案的线宽。
17.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，所述第三子遮光条包括第三边缘和第四边缘，所述第三边缘的延长线与所述第四边缘的延长线相交，所述基板还包括位于所述第三区域和所述第四区域之间的分界线，
所述对准所述掩模版与所述基板的第三区域，以执行第一次曝光，包括：
利用所述第二子遮光条，在所述第三区域中形成第二子图案，
利用所述第三子遮光条，在所述第三区域中形成第三子图案，其中，所述第三子图案包括与所述第三边缘和所述第四边缘对应的第五边缘和第六边缘，所述第五边缘与所述分界线平行，所述第五边缘与所述分界线之间的距离为拼接曝光工艺中两次曝光之间的掩模版的最大位置偏差。
18.根据权利要求17所述的曝光方法，其中，所述对准所述掩模版与所述基板的第四区域，以执行第二次曝光，包括：
利用所述第二子遮光条，在所述第四区域中形成第四子图案，
利用所述第三子遮光条，在所述第四区域中形成第五子图案，其中，所述第五子图案包括与所述第三边缘和所述第四边缘对应的第七边缘和第八边缘，所述第七边缘与所述分界线平行，所述第七边缘与所述分界线之间的距离为所述最大位置偏差；
其中，所述第二子图案、第三子图案、所述第四子图案及所述第五子图案的中心线重合，所述第二子图案、第三子图案与所述第四子图案、所述第五子图案形成重叠区域。
19.根据权利要求17所述的曝光方法，其中，所述对准所述掩模版与所述基板的第四区域，以执行第二次曝光，包括：
利用所述第二子遮光条，在所述第四区域中形成第六子图案；
利用所述第三子遮光条，在所述第四区域中形成第七子图案，其中，所述第七子图案包括与所述第三边缘和所述第四边缘对应的第九边缘和第十边缘，所述第九边缘与所述分界线平行，所述第九边缘与所述分界线之间的距离的取值范围为零至所述最大位置偏差的两倍；
其中，所述第二子图案、第三子图案与所述第六子图案、所述第七子图案形成重叠区域。
20.根据权利要求19所述的曝光方法，其中，所述对准所述掩模版与所述基板的第四区域，以执行第二次曝光，包括：
利用所述第二子遮光条，在所述第四区域中形成第八子图案；
利用所述第三子遮光条，在所述第四区域中形成第九子图案，
其中，所述第二子图案、第三子图案与所述第八子图案、所述第九子图案形成重叠区域，所述第二子图案、第三子图案的中心线重合，所述第八子图案、所述第九子图案的中心线重合，所述第二子图案的中心线与所述第八子图案的中心线的距离的取值范围为零至所述最大位置偏差。
21.根据权利要求17所述的曝光方法，其中，所述对准所述掩模版与所述基板的第四区域，以执行第二次曝光，包括：
利用所述第三子遮光条，在所述第四区域中形成第十子图案，其中，所述第十子图案包括与所述第三边缘和所述第四边缘对应的第十一边缘和第十二边缘；所述第十一边缘与所述分界线平行，所述第十一边缘与所述分界线之间的距离为零；
利用所述第三遮光条，在所述第四区域中形成第四图案；
其中，所述第三子图案、所述第十子图案及所述第四图案的中心线重合，所述第三子图案与所述第十子图案、所述第四图案形成重叠区域。
22.根据权利要求18-21任一项所述的曝光方法，其中，所述重叠区域的面积小于预设阈值，所述预设阈值为第一宽度与第二宽度的乘积，所述第一宽度为所述最大位置偏差的两倍，所述第二宽度为所述第一遮光条在平行于所述分界线的方向上的宽度。
23.一种触控面板，包括：
基板，所述基板包括第三区域、第四区域及位于所述第三区域和所述第四区域之间的分界线；
设置于所述基板上的触控驱动电极；和
设置于所述基板上的触控感应电极，
其中，所述触控驱动电极和所述触控感应电极中的至少一个具有网格结构，所述网格结构包括结点，所述结点沿所述分界线依次排布，所述结点包括分布在网格条中心线两侧的第一突起结构和第二突起结构，所述第一突起结构和所述第二突起结构沿所述中心线方向错开布置；
所述网格结构包括第五区域，所述第五区域位于所述第三区域和所述第四区域远离所述分界线的至少一侧，
所述第三区域包括第一网格条，所述第四区域包括第二网格条，所述第五区域包括第三网格条，所述第三网格条在垂直于所述第三网格条延伸方向上的宽度大于所述第一网格条在垂直于所述第一网格条延伸方向上的宽度，和/或，所述第三网格条在垂直于所述第三网格条延伸方向上的宽度大于所述第二网格条在垂直于所述第二网格条延伸方向上的宽度。
24.根据权利要求23所述的触控面板，其中，所述第一突起结构和所述第二突起结构均包括圆弧状的边缘。
25.根据权利要求23所述的触控面板，其中，所述网格结构包括第四网格条，所述第四网格条与所述结点的至少一端相连接，所述结点的顶点与所述第四网格条中心线的距离为d3，所述第四网格条的宽度为d4，d3与d4的比值n＝d3/d4，n大于等于1且小于等于2.3。
26.根据权利要求23所述的触控面板，其中，所述第一突起结构与所述网格条中心线相交的两侧边的长度不相等，和/或所述第二突起结构与所述网格条中心线相交的两侧边的长度不相等。
27.根据权利要求26所述的触控面板，其中，所述第一突起结构的两侧边中远离所述第二突起结构的第一侧边边长比靠近所述第二突起结构的第二侧边边长短，和/或所述第二突起结构的两侧边中远离所述第一突起结构的第三侧边边长比靠近所述第一突起结构的第四侧边边长短。
28.根据权利要求23所述的触控面板，其中，至少一个所述结点中所述第一突起结构和所述第二突起结构呈中心对称设置。
29.根据权利要求23所述的触控面板，其中，所述第一突起结构的两侧边包括远离所述第二突起结构的第一侧边和靠近所述第二突起结构的第二侧边，所述第二突起结构的两侧边包括远离所述第一突起结构的第三侧边和靠近所述第一突起结构的第四侧边，所述第一侧边与所述网格条中心线具有第一夹角β1，所述第二侧边与所述网格条中心线具有第二夹角β2，所述第三侧边与所述网格条中心线具有第三夹角β3，所述第四侧边与所述网格条中心线具有第四夹角β4，所述第一侧边与所述第二侧边具有第五夹角β5，所述第三侧边与所述第四侧边具有第六夹角β6，其中，β1大于等于110°小于等于150°，β2大于等于125°小于等于165°，β3大于等于110°小于等于150°，β4大于等于125°小于等于165°，β5大于等于80°小于等于100°，β6大于等于80°小于等于100°。
30.根据权利要求23所述的触控面板，其中，所述网格结构包括与所述结点的两端分别连接的第五网格条和第六网格条，所述第五网格条中心线和所述第六网格条中心线的距离为d5，d5大于等于0且小于等于6微米。
31.根据权利要求23所述的触控面板，其中，所述触控驱动电极和所述触控感应电极沿垂直于基板方向层叠设置，所述触控驱动电极和所述触控感应电极均具有所述网格结构，且所述网格结构包括结点，不同层中的所述结点大致沿同一直线排布或不同层中的所述结点大致分别沿两根直线排布。
32.根据权利要求23所述的触控面板，其中，所述触控驱动电极和所述触控感应电极沿垂直于基板方向层叠设置，所述触控驱动电极和所述触控感应电极均具有所述网格结构，且所述网格结构包括结点，不同层中的所述结点在所述基板上的正投影至少部分重叠。
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