CN210573180U - 掩模板 - Google Patents

Abstract

本公开的实施例公开了一种掩模板。掩模板包括多个遮光条，多个遮光条布置成网格状。掩模板包括掩模板正常曝光区域；以及由掩模板的侧边缘构成的并且与掩模板正常曝光区域邻接的掩模板拼接曝光区域。在掩模板拼接曝光区域与掩模板正常曝光区域之间具有分界线，多个遮光条包括位于掩模板拼接曝光区域并且交叉设置成网格状的多个第一遮光条和位于掩模板正常曝光区域并且交叉设置成网格状的多个第二遮光条，并且第一遮光条的宽度大于第二遮光条的宽度。采用根据本公开的实施例的掩模板，可以使基板拼接曝光区域的金属线的线宽与基板正常曝光区域的金属线的线宽更加一致。

Description

掩模板

技术领域

本公开的实施例涉及一种掩模板。

背景技术

为了使用小世代的生产线生产大尺寸的触控显示面板，通常采用拼接曝光工艺。即利用小尺寸的掩模板对大尺寸的基板进行多次曝光，由此形成具有网格结构的触控驱动电极或触控感应电极的金属线。

实用新型内容

本公开的实施例的目的是提供一种掩模板，由此例如可以提高利用该掩模板形成的具有网格结构的(诸如触控驱动电极或触控感应电极的)电极的质量。

本公开的实施例提供了一种掩模板，包括：多个遮光条，所述多个遮光条布置成网格状；掩模板正常曝光区域；以及由所述掩模板的侧边缘构成的并且与掩模板正常曝光区域邻接的掩模板拼接曝光区域，其中在掩模板拼接曝光区域与掩模板正常曝光区域之间具有分界线，所述多个遮光条包括位于掩模板拼接曝光区域并且交叉设置成网格状的多个第一遮光条和位于掩模板正常曝光区域并且交叉设置成网格状的多个第二遮光条，并且所述第一遮光条的宽度大于所述第二遮光条的宽度。

根据本公开的实施例，在掩模板拼接曝光区域中的多个第一遮光条中的每一个与掩模板的边的夹角小于90度。

根据本公开的实施例，在掩模板拼接曝光区域中的多个第一遮光条中的两个相邻并平行的第一遮光条之间的间距与在掩模板正常曝光区域中的多个第二遮光条中的两个相邻并平行的第二遮光条之间的间距之间的差值等于第一遮光条的线宽和第二遮光条的线宽之间的差值。

根据本公开的实施例，所述掩模板还包括：重叠区域，所述重叠区域的至少一部分由所述掩模板正常曝光区域的一部分构成，所述重叠区域和掩模板拼接曝光区域具有相同的尺寸，所述重叠区域的包括第二遮光条的遮光条或包括第一遮光条和第二遮光条的遮光条的中心线形成的图案与掩模板拼接曝光区域的第一遮光条的中心线形成的图案相同。

根据本公开的实施例，所述掩模板还包括：由所述掩模板正常曝光区域的一部分构成的重叠区域，所述重叠区域和掩模板拼接曝光区域分别由所述掩模板的两个相对的侧边缘构成并具有相同的尺寸，并且所述重叠区域的第二遮光条的中心线形成的图案与掩模板拼接曝光区域的第一遮光条的中心线形成的图案相同。

根据本公开的实施例，所述掩模板具有矩形的形状，并且所述掩模板拼接曝光区域具有矩形的形状。

根据本公开的实施例，所述掩模板包括由所述掩模板的相对的两个侧边缘分别构成的两个掩模板拼接曝光区域，两个掩模板拼接曝光区域包括第一掩模板拼接曝光区域和第二掩模板拼接曝光区域，掩模板正常曝光区域位于第一掩模板拼接曝光区域和第二掩模板拼接曝光区域之间，在第一掩模板拼接曝光区域与掩模板正常曝光区域之间具有第一分界线并且在第二掩模板拼接曝光区域与掩模板正常曝光区域之间具有第二分界线，第一分界线和第二分界线构成两个掩模板拼接曝光区域与掩模板正常曝光区域之间的分界线。

根据本公开的实施例，所述掩模板还包括：由所述掩模板正常曝光区域的一部分构成的第一重叠区域，所述第一重叠区域与所述第一掩模板拼接曝光区域邻接，并与第二掩模板拼接曝光区域具有相同的尺寸，并且所述第一重叠区域中的所述第二遮光条的中心线形成的图案与第二掩模板拼接曝光区域中的第一遮光条的中心线形成的图案相同；以及由所述掩模板正常曝光区域的另一部分构成的第二重叠区域，所述第二重叠区域与所述第二掩模板拼接曝光区域邻接，并与第一掩模板拼接曝光区域具有相同的尺寸，并且所述第二重叠区域中的所述第二遮光条的中心线形成的图案与第一掩模板拼接曝光区域中的第一遮光条的中心线形成的图案相同。

根据本公开的实施例，所述掩模板具有矩形的形状，所述掩模板包括由所述掩模板的四个侧边缘分别构成的四个掩模板拼接曝光区域，四个掩模板拼接曝光区域中的每两个相邻的掩模板拼接曝光区域在掩模板的角部重叠，四个掩模板拼接曝光区域形成矩形环状，四个掩模板拼接曝光区域包括相对的第一掩模板拼接曝光区域和第二掩模板拼接曝光区域；以及相对的第三掩模板拼接曝光区域和第四掩模板拼接曝光区域，掩模板正常曝光区域由四个掩模板拼接曝光区域围绕，并且四个掩模板拼接曝光区域与掩模板正常曝光区域之间具有矩形的分界线。

根据本公开的实施例，所述掩模板还包括：相对的第一重叠区域和第二重叠区域；以及相对的第三重叠区域和第四重叠区域，其中：所述第一重叠区域与所述第一掩模板拼接曝光区域邻接，并与第二掩模板拼接曝光区域具有相同的尺寸，并且所述第一重叠区域中的包括所述第一遮光条和所述第二遮光条的所述遮光条的中心线形成的图案与第二掩模板拼接曝光区域中的第一遮光条的中心线形成的图案相同，所述第二重叠区域与所述第二掩模板拼接曝光区域邻接，并与第一掩模板拼接曝光区域具有相同的尺寸，并且所述第二重叠区域中的包括所述第一遮光条和所述第二遮光条的所述遮光条的中心线形成的图案与第一掩模板拼接曝光区域中的第一遮光条的中心线形成的图案相同，所述第三重叠区域与所述第三掩模板拼接曝光区域邻接，并与第四掩模板拼接曝光区域具有相同的尺寸，并且所述第三重叠区域中的包括所述第一遮光条和所述第二遮光条的所述遮光条的中心线形成的图案与第四掩模板拼接曝光区域中的第一遮光条的中心线形成的图案相同，以及所述第四重叠区域与所述第四掩模板拼接曝光区域邻接，并与第三掩模板拼接曝光区域具有相同的尺寸，并且所述第四重叠区域中的包括所述第一遮光条和所述第二遮光条的所述遮光条的中心线形成的图案与第三掩模板拼接曝光区域中的第一遮光条的中心线形成的图案相同。

根据本公开的实施例，所述掩模板具有矩形的形状，所述掩模板包括由所述掩模板的两个相邻的侧边缘分别构成的两个掩模板拼接曝光区域，两个掩模板拼接曝光区域在掩模板的角部重叠，两个掩模板拼接曝光区域包括第一掩模板拼接曝光区域和第二掩模板拼接曝光区域，两个掩模板拼接曝光区域作为整体形成L形的形状，并且两个掩模板拼接曝光区域与掩模板正常曝光区域之间具有L形的分界线。

根据本公开的实施例，所述的掩模板还包括：第一重叠区域，所述第一重叠区域和第一掩模板拼接曝光区域分别由所述掩模板的两个相对的侧边缘构成，并具有相同的尺寸，并且所述第一重叠区域中的包括所述第一遮光条和所述第二遮光条的所述遮光条的中心线形成的图案与第一掩模板拼接曝光区域中的所述第一遮光条的中心线形成的图案相同；以及第二重叠区域，所述第二重叠区域和第二掩模板拼接曝光区域分别由所述掩模板的两个相对的侧边缘构成，并具有相同的尺寸，并且所述第二重叠区域中的包括所述第一遮光条和所述第二遮光条的所述遮光条的中心线形成的图案与第二掩模板拼接曝光区域中的所述第一遮光条的中心线形成的图案相同。

根据本公开的实施例，所述第一遮光条包括沿第一方向延伸的第一遮光条和沿第二方向延伸的第一遮光条，并且所述第二遮光条包括沿第一方向延伸的第二遮光条和沿第二方向延伸的第二遮光条，以及包括所述第一遮光条和所述第二遮光条的所述多个遮光条的中心线包括沿第一方向延伸的第一中心线和沿第二方向延伸的第二中心线，第一中心线和第二中心线交叉设置成一致的网格状。

根据本公开的实施例，在同一个交点与分界线相交的沿第一方向和第二方向中的同一个方向延伸的所述第一遮光条和所述第二遮光条具有共同的中心线。

根据本公开的实施例，在掩模板正常曝光区域中的所述第二遮光条中的每一个与掩模板的边的夹角小于90度。

采用根据本公开的实施例的掩模板，例如可以提高利用该掩模板形成的具有网格结构的(诸如触控驱动电极或触控感应电极的)电极的质量。

附图说明

通过下文中参照附图对本公开所作的描述，本公开的其它目的和优点将显而易见，并可帮助对本公开有全面的理解。

图1是根据本公开的一个实施例的掩模板的结构示意图；

图2是根据本公开的另一个实施例的掩模板的结构示意图；

图3是根据本公开的又一个实施例的掩模板的结构示意图；

图4是根据本公开的再一个实施例的掩模板的结构示意图；

图5是图1和图2中所示的掩模板的部分A的局部放大示意图；

图6是示意性示出使用图2中所示的掩模板执行拼接曝光工艺时两次相连的曝光中掩模板的相对位置关系的局部俯视图；

图7是示意性示出使用图2中所示的掩模板执行拼接曝光工艺时两次相连的曝光中掩模板的相对位置关系的立体图；

图8是示意性示出使用图2中所示的掩模板执行拼接曝光工艺时两次相连的曝光中掩模板的相对位置关系的主视图；

图9是示意性示出使用图2中所示的掩模板执行拼接曝光工艺时两次相连的曝光中掩模板的相对位置关系的俯视图；以及

图10是根据本公开的一个实施例的触控面板的基板的俯视示意图。

需要说明的是，附图并不一定按比例来绘制，而是仅以不影响读者理解的示意性方式示出。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

图10示出了根据本公开的一个实施例的触控显示面板的基板21。该基板21包括彼此相邻的第一曝光区域21A和第二曝光区域21B以及基板拼接曝光区域21C，基板拼接曝光区域21C是第一曝光区域21A和第二曝光区域21B的重叠区域。在制作具有金属网格结构的触控驱动电极或触控感应电极时，在形成有其它膜层或没有形成其它膜层的基板21上形成金属膜层，然后在金属膜层上涂覆光刻胶层、采用掩模板19对光刻胶层进行拼接曝光工艺、对曝光的光刻胶进行显影形成光刻胶图案，然后利用显影形成的光刻胶图案对金属膜层进行刻蚀，形成金属网格结构的触控驱动电极或触控感应电极。在进行拼接曝光工艺时，使用掩模板19对第一曝光区域21A进行曝光，然后使用掩模板19对第二曝光区域21B进行曝光，除了基板拼接曝光区域21C之外，第一曝光区域21A和第二曝光区域21B受到一次曝光，基板拼接曝光区域21C受到两次曝光。触控面板的基板21可以具有矩形的形状。需要在触控面板的基板21的两个方向上进行拼接曝光工艺的实施例与此类似，因此不再赘述。

图1是根据本公开的一个实施例的掩模板19的结构示意图；图2是根据本公开的另一个实施例的掩模板19的结构示意图；图3是根据本公开的又一个实施例的掩模板19的结构示意图；图4是根据本公开的再一个实施例的掩模板19的结构示意图；以及图5是图1和图2中所示的掩模板19的部分A的局部放大示意图。

如图1至图10所示，根据本公开的一些示例性实施例，提供了一种掩模板19。该掩模板19包括：多个遮光条191′、191，所述多个遮光条191′、191布置成网格状；掩模板正常曝光区域190；以及由所述掩模板19的侧边缘构成的并且与掩模板正常曝光区域190邻接的掩模板拼接曝光区域190′，在掩模板拼接曝光区域190′与掩模板正常曝光区域190之间具有分界线192，所述多个遮光条191′、191包括位于掩模板拼接曝光区域190′并且交叉设置成网格状的多个第一遮光条191′和位于掩模板正常曝光区域190并且交叉设置成网格状的多个第二遮光条191，并且所述第一遮光条191′的宽度大于所述第二遮光条191的宽度。所述掩模板19可以具有矩形的形状，并且所述掩模板拼接曝光区域190′可以具有矩形的形状。

采用根据本公开的实施例的掩模板19，例如可以提高利用该掩模板19形成的具有网格结构的(诸如触控驱动电极或触控感应电极的)电极的质量。

此外，采用根据本公开的实施例的掩模板19，基板拼接曝光区域21C的金属线的线宽与基板正常曝光区域的金属线的线宽更加一致，从而减轻甚至消除姆拉(mura)现象。

如图1至图10所示，根据本公开的一些示例性实施例，所述掩模板19还包括：重叠区域1901，所述重叠区域1901的至少一部分由所述掩模板正常曝光区域190的一部分构成，所述重叠区域1901和掩模板拼接曝光区域190′具有相同的尺寸，所述重叠区域1901的包括第二遮光条191的遮光条191或包括第一遮光条191′和第二遮光条191的遮光条191′、191的中心线193形成的图案与掩模板拼接曝光区域190′的第一遮光条191′的中心线193形成的图案相同。例如，所述重叠区域1901的包括第二遮光条191的遮光条191或包括第一遮光条191′和第二遮光条191的遮光条191′、191的中心线193形成的图案与掩模板拼接曝光区域190′的第一遮光条191′的中心线193形成的图案在重叠在一起时相互重合。

根据本公开的实施例，所述掩模板19包括至少包括第二遮光条191的重叠区域1901以及仅仅包括第一遮光条191′的掩模板拼接曝光区域190′，由此在对基板21的基板拼接曝光区域21C进行拼接曝光工艺时，使基板拼接曝光区域21C的至少大部分通过重叠区域1901的第二遮光条191进行一次曝光，并且由掩模板拼接曝光区域190′进行一次曝光，由此形成的金属网格结构的触控驱动电极或触控感应电极的在基板拼接曝光区域21C中的金属线的图案的线宽与基板正常曝光区域的金属线的图案的线宽基本一致，不会过宽或过窄。如果基板拼接曝光区域21C仅仅由掩模板拼接曝光区域190′进行两次曝光，在基板拼接曝光区域21C中的金属线的图案的线宽可能过宽，如果基板拼接曝光区域21C仅仅由掩模板正常曝光区域190进行两次曝光，在基板拼接曝光区域21C中的金属线的图案的线宽可能过窄。由此，尽可能地提高了形成的触控感应电极或触控驱动电极的图案的线宽在整体上的一致性。

如图1至图10所示，根据本公开的一些示例性实施例，所述第一遮光条191′包括沿第一方向延伸的第一遮光条191′和沿第二方向延伸的第一遮光条191′，并且所述第二遮光条191包括沿第一方向延伸的第二遮光条191和沿第二方向延伸的第二遮光条191，以及包括所述第一遮光条191′和所述第二遮光条191的所述多个遮光条191′、191的中心线193包括沿第一方向延伸的第一中心线193和沿第二方向延伸的第二中心线193，第一中心线193和第二中心线193交叉设置成一致的网格状。根据本公开的示例，参见图5，在同一个交点194与分界线192相交的沿第一方向和第二方向中的同一个方向延伸的所述第一遮光条191′和所述第二遮光条191具有共同的中心线193。

根据本公开的实施例，在同一个交点194与分界线192相交的沿第一方向和第二方向中的同一个方向延伸的所述第一遮光条191′和所述第二遮光条191具有共同的中心线193，由此确保形成的触控感应电极或触控驱动电极的图案与设计图案相一致。

如图1所示，根据本公开的一些示例性实施例，所述掩模板19还包括：由所述掩模板正常曝光区域190的一部分构成的重叠区域1901，所述重叠区域1901和掩模板拼接曝光区域190′分别由所述掩模板19的两个相对的侧边缘构成并具有相同的尺寸，并且所述重叠区域1901的第二遮光条191的中心线193形成的图案与掩模板拼接曝光区域190′的第一遮光条191′的中心线193形成的图案相同。例如，所述重叠区域1901的第二遮光条191的中心线193形成的图案与掩模板拼接曝光区域190′的第一遮光条191′的中心线193形成的图案在重叠在一起时相互重合。

根据本公开的实施例，所述掩模板19包括仅仅具有第二遮光条191的重叠区域1901以及仅仅包括第一遮光条191′的掩模板拼接曝光区域190′，由此利用该掩模板19形成的金属网格结构的触控驱动电极或触控感应电极的在基板拼接曝光区域21C中的金属线的图案的线宽与基板正常曝光区域的金属线的图案的线宽基本一致。由此，确保形成的触控感应电极或触控驱动电极的图案的线宽在整体上的一致性。

如图2所示，根据本公开的一些示例性实施例，所述掩模板19包括由所述掩模板19的相对的两个侧边缘分别构成的两个掩模板拼接曝光区域190′，两个掩模板拼接曝光区域190′包括第一掩模板拼接曝光区域190′和第二掩模板拼接曝光区域190′，掩模板正常曝光区域190位于第一掩模板拼接曝光区域190′和第二掩模板拼接曝光区域190′之间，在第一掩模板拼接曝光区域190′与掩模板正常曝光区域190之间具有第一分界线192并且在第二掩模板拼接曝光区域190′与掩模板正常曝光区域190之间具有第二分界线192，第一分界线192和第二分界线192构成两个掩模板拼接曝光区域190′与掩模板正常曝光区域190之间的分界线192。根据本公开的示例，所述掩模板19还包括：由所述掩模板正常曝光区域190的一部分构成的第一重叠区域1901，所述第一重叠区域1901与所述第一掩模板拼接曝光区域190′邻接，并与第二掩模板拼接曝光区域190′具有相同的尺寸，并且所述第一重叠区域1901中的所述第二遮光条191的中心线193形成的图案与第二掩模板拼接曝光区域190′中的第一遮光条191′的中心线193形成的图案相同；以及由所述掩模板正常曝光区域190的另一部分构成的第二重叠区域1901，所述第二重叠区域1901与所述第二掩模板拼接曝光区域190′邻接，并与第一掩模板拼接曝光区域190′具有相同的尺寸，并且所述第二重叠区域1901中的所述第二遮光条191的中心线193形成的图案与第一掩模板拼接曝光区域190′中的第一遮光条191′的中心线193形成的图案相同。例如，所述第一重叠区域1901中的所述第二遮光条191的中心线193形成的图案与第二掩模板拼接曝光区域190′中的第一遮光条191′的中心线193形成的图案在重叠在一起时相互重合，并且所述第二重叠区域1901中的所述第二遮光条191的中心线193形成的图案与第一掩模板拼接曝光区域190′中的第一遮光条191′的中心线193形成的图案在重叠在一起时相互重合。

采用如图2中所示的掩模板19，可以方便在拼接方向上实现拼接曝光。

如图3所示，根据本公开的一些示例性实施例，所述掩模板具有矩形的形状，所述掩模板19包括由所述掩模板19的四个侧边缘分别构成的四个掩模板拼接曝光区域190′，四个掩模板拼接曝光区域190′中的每两个相邻的掩模板拼接曝光区域190′在掩模板的角部重叠，四个掩模板拼接曝光区域190′形成矩形环状，四个掩模板拼接曝光区域190′包括相对的第一掩模板拼接曝光区域190′和第二掩模板拼接曝光区域190′；以及相对的第三掩模板拼接曝光区域190′和第四掩模板拼接曝光区域190′，掩模板正常曝光区域190由四个掩模板拼接曝光区域190′围绕，并且四个掩模板拼接曝光区域190′与掩模板正常曝光区域190之间具有矩形的分界线192。根据本公开的示例，所述掩模板19还包括：相对的第一重叠区域1901和第二重叠区域1901；以及相对的第三重叠区域1901和第四重叠区域1901。所述第一重叠区域1901与所述第一掩模板拼接曝光区域190′邻接，并与第二掩模板拼接曝光区域190′具有相同的尺寸，并且所述第一重叠区域1901中的包括所述第一遮光条191′和所述第二遮光条191的所述遮光条191′、191的中心线193形成的图案与第二掩模板拼接曝光区域190′中的第一遮光条191′的中心线193形成的图案相同，所述第二重叠区域1901与所述第二掩模板拼接曝光区域190′邻接，并与第一掩模板拼接曝光区域190′具有相同的尺寸，并且所述第二重叠区域1901中的包括所述第一遮光条191′和所述第二遮光条191的所述遮光条191′、191的中心线193形成的图案与第一掩模板拼接曝光区域190′中的第一遮光条191′的中心线193形成的图案相同，所述第三重叠区域1901与所述第三掩模板拼接曝光区域190′邻接，并与第四掩模板拼接曝光区域190′具有相同的尺寸，并且所述第三重叠区域1901中的包括所述第一遮光条191′和所述第二遮光条191的所述遮光条191′、191的中心线193形成的图案与第四掩模板拼接曝光区域190′中的第一遮光条191′的中心线193形成的图案相同，以及所述第四重叠区域1901与所述第四掩模板拼接曝光区域190′邻接，并与第三掩模板拼接曝光区域190′具有相同的尺寸，并且所述第四重叠区域1901中的包括所述第一遮光条191′和所述第二遮光条191的所述遮光条191′、191的中心线193形成的图案与第三掩模板拼接曝光区域190′中的第一遮光条191′的中心线193形成的图案相同。例如，所述第一重叠区域1901中的包括所述第一遮光条191′和所述第二遮光条191的所述遮光条191′、191的中心线193形成的图案与第二掩模板拼接曝光区域190′中的第一遮光条191′的中心线193形成的图案在重叠在一起时相互重合，所述第二重叠区域1901中的包括所述第一遮光条191′和所述第二遮光条191的所述遮光条191′、191的中心线193形成的图案与第一掩模板拼接曝光区域190′中的第一遮光条191′的中心线193形成的图案在重叠在一起时相互重合，所述第三重叠区域1901中的包括所述第一遮光条191′和所述第二遮光条191的所述遮光条191′、191的中心线193形成的图案与第四掩模板拼接曝光区域190′中的第一遮光条191′的中心线193形成的图案在重叠在一起时相互重合，并且所述第四重叠区域1901中的包括所述第一遮光条191′和所述第二遮光条191的所述遮光条191′、191的中心线193形成的图案与第三掩模板拼接曝光区域190′中的第一遮光条191′的中心线193形成的图案在重叠在一起时相互重合。

采用如图3中所示的掩模板19，可以方便在两个拼接方向上实现拼接曝光。

如图4所示，根据本公开的一些示例性实施例，所述掩模板具有矩形的形状，所述掩模板19包括由所述掩模板19的两个相邻的侧边缘分别构成的两个掩模板拼接曝光区域190′，两个掩模板拼接曝光区域190′在掩模板的角部重叠，两个掩模板拼接曝光区域190′包括第一掩模板拼接曝光区域190′和第二掩模板拼接曝光区域190′，两个掩模板拼接曝光区域190′作为整体形成L形的形状，并且两个掩模板拼接曝光区域190′与掩模板正常曝光区域190之间具有L形的分界线192。根据本公开的示例，所述掩模板19还包括：第一重叠区域1901，所述第一重叠区域1901和第一掩模板拼接曝光区域190′分别由所述掩模板19的两个相对的侧边缘构成，并具有相同的尺寸，并且所述第一重叠区域1901中的包括所述第一遮光条191′和所述第二遮光条191的所述遮光条191′、191的中心线193形成的图案与第一掩模板拼接曝光区域190′中的所述第一遮光条191′的中心线193形成的图案相同；以及第二重叠区域1901，所述第二重叠区域1901和第二掩模板拼接曝光区域190′分别由所述掩模板19的两个相对的侧边缘构成，并具有相同的尺寸，并且所述第二重叠区域1901中的包括所述第一遮光条191′和所述第二遮光条191的所述遮光条191′、191的中心线193形成的图案与第二掩模板拼接曝光区域190′中的所述第一遮光条191′的中心线193形成的图案相同。例如，所述第一重叠区域1901中的包括所述第一遮光条191′和所述第二遮光条191的所述遮光条191′、191的中心线193形成的图案与第一掩模板拼接曝光区域190′中的所述第一遮光条191′的中心线193形成的图案在重叠在一起时相互重合，并且所述第二重叠区域1901中的包括所述第一遮光条191′和所述第二遮光条191的所述遮光条191′、191的中心线193形成的图案与第二掩模板拼接曝光区域190′中的所述第一遮光条191′的中心线193形成的图案在重叠在一起时相互重合。

采用如图4中所示的掩模板19，同样可以方便在两个拼接方向上实现拼接曝光。

根据本公开的实施例，如图1至图5所示，掩模板19包括遮光部和透光部，遮光部阻止光线从其通过，透光部允许光线从其通过。遮光部包括多个遮光条191′、191，多个遮光条191′、191布置成网格状，多个遮光条191′、191之间的间隙形成透光部。如图5所示，第一遮光条191′与掩模板拼接曝光区域190′对应，具有第一宽度W_m1。第二遮光条191与掩模板正常曝光区域190对应，具有第二宽度W_m2。

在图1所示的实施例中，与掩模板拼接曝光区域190′对应的第一遮光条191′是位于掩模板19的沿第一方向(图1中的左右方向)的左侧边缘中的遮光条191′，在图2所示的实施例中，与掩模板拼接曝光区域190′对应的第一遮光条191′是位于掩模板19的沿第一方向(图2中的左右方向)的两个侧边缘中的遮光条191′，在图3所示的实施例中，与掩模板拼接曝光区域190′对应的第一遮光条191′是位于掩模板19的沿第一方向(图3中的左右方向)的两个侧边缘中的遮光条191′以及位于掩模板19的沿第二方向(图3中的上下方向)的两侧边缘中的遮光条191′，以及在图4所示的实施例中，与掩模板拼接曝光区域190′对应的第一遮光条191′是位于掩模板19的相邻两个侧边缘(上侧的侧边缘和左侧的侧边缘)中的遮光条191′。在该实施例中，第一遮光条191′可以位于掩模板19的至少一侧边缘处，除第一遮光条191′之外，其它的遮光条191均为第二遮光条191。例如，在图3所示的示例中，第二遮光条191可以位于掩模板19的非侧边缘处。结合图1至图4，掩模板19包括4个侧边缘，除该4个侧边缘之外，掩模板19的其它位置可以称为掩模板19的非侧边缘位置。

根据本公开的实施例，掩模板拼接曝光区域190′可以根据曝光工艺的需要设置在掩模板19中，而不限于图中所示的实施例。此外，掩模板19的侧边缘可以具有矩形的形状，掩模板拼接曝光区域190′可以具有矩形的形状，掩模板19可以具有矩形的形状，并且掩模板正常曝光区域190可以具有矩形的形状。

在该实施例中，第一宽度W_m1大于第二宽度W_m2。

图5示出了第一遮光条191′与第二遮光条191的放大图。根据本公开的实施例，如图5所示，第二遮光条191单边外扩宽度W_p，形成第一遮光条191′。这样，第一遮光条191′的第一宽度W_m1与第二遮光条191的第二宽度W_m2之间存在如下关系：

W_m1＝W_m2+2W_p。

需要指出的是，单边外扩宽度W_p与两次曝光过程之间掩模板19的位置偏差成正比。

参照图5，根据本公开的实施例，掩模板19的第二遮光条191与掩模板正常曝光区域190对应，具有第二宽度W_m2。根据本公开的实施例，该第二宽度W_m2可以为约6μm。这样，在使用掩模板19进行曝光工艺以形成具有金属网格结构的触控驱动电极或触控感应电极时，形成的金属网格的金属线的线宽可以小于等于5μm。通过形成这样细线宽的金属网格电极，可以提升触控面板的消影效果。

根据本公开的实施例，在掩模板19中，每两个相邻的遮光条191′、191之间的间距可以为100～300μm，根据本公开的实施例，可以为145～255μm。当每两个相邻的遮光条191′、191之间的间距为145～255μm时，在使用掩模板19进行曝光工艺以形成具有金属网格结构的触控驱动电极或触控感应电极时，形成的金属网格中每两个相邻的金属线之间的间距可以在150～250μm范围内。通过形成细线宽且小间距的金属网格电极，可以进一步提升触控面板的消影效果。

根据本公开的实施例，参见图1、图2、图3、图4、图10，掩模板19的第一遮光条191′用于形成基板21的彼此相邻的第一曝光区域21A和第二曝光区域21B中的具有金属网格结构的触控驱动电极或触控感应电极的公共的金属线的图案(在基板拼接曝光区域21C中的金属线的图案)。在第二次曝光后在基板拼接曝光区域中的金属线的图案的线宽与基板正常曝光区域的金属线的图案的线宽的差值可以小于第二阈值，例如0.5μm。

参见图1至图4，在本公开的实施例中，掩模板19的侧边缘可以称为掩模板拼接曝光区域190′，在该掩模板拼接曝光区域190′中的遮光条191′为第一遮光条191′，掩模板19其它有效曝光区域190称为掩模板正常曝光区域190，掩模板正常曝光区域190中的遮光条191为第二遮光条191。

参见图1、图4、图5，在本公开的实施例中，掩模板拼接曝光区域190′具有大致矩形的形状，并且在掩模板拼接曝光区域190′与掩模板正常曝光区域190之间具有分界线192。掩模板拼接曝光区域190′具有宽度Ws，例如，该Ws可以在6毫米至10毫米之间的范围内，或3毫米至5毫米之间的范围内。

参见图2、图3、图5，在本公开的实施例中，掩模板拼接曝光区域190′具有大致矩形的形状，并且在掩模板拼接曝光区域190′与掩模板正常曝光区域190之间具有分界线192。两个或四个掩模板拼接曝光区域190′具有相同的宽度，并且两个或四个掩模板拼接曝光区域190′中的每一个都具有宽度Ws，例如，该Ws可以在3毫米至5毫米之间的范围内，例如可以是3毫米、3.5毫米、4毫米、4.5毫米、5毫米。

参见图1、以及图5，在本公开的实施例中，所述掩模板19还包括：由所述掩模板正常曝光区域190的一部分构成的重叠区域1901。重叠区域1901和掩模板拼接曝光区域190′分别由所述掩模板19的两个相对的侧边缘构成。在进行拼接曝光工艺时所述重叠区域1901与掩模板拼接曝光区域190′共同形成图10中所示的基板21的基板拼接曝光区域21C的图案。即基板21的基板拼接曝光区域21C的图案通过利用重叠区域1901进行一次曝光并且利用掩模板拼接曝光区域190′进行一次曝光而形成。重叠区域1901的宽度可以等于掩模板拼接曝光区域190′的宽度Ws。所述重叠区域1901的第二遮光条191的中心线形成的图案与掩模板拼接曝光区域190′的第一遮光条191′的中心线形成的图案相同。所述重叠区域1901的第二遮光条191的中心线形成的图案与掩模板拼接曝光区域190′的第一遮光条191′的中心线形成的图案在重叠在一起时相互重合。重叠区域1901的宽度和掩模板拼接曝光区域190′的宽度等于基板21的基板拼接曝光区域21C的宽度。

参见图2、以及图5，在本公开的实施例中，所述掩模板19还包括：由所述掩模板正常曝光区域190的一部分构成的第一重叠区域1901以及由所述掩模板正常曝光区域190的另一部分构成的第二重叠区域1901。所述两个重叠区域1901分别与两个掩模板拼接曝光区域190′邻接。在进行拼接曝光工艺时，参见图6，掩模板19的左侧的重叠区域1901和掩模板拼接曝光区域190′分别与右侧的掩模板拼接曝光区域190′和重叠区域1901共同形成图10中所示的基板21的基板拼接曝光区域21C的图案。即基板21的基板拼接曝光区域21C的图案通过利用右侧的掩模板拼接曝光区域190′和重叠区域1901进行一次曝光并且利用左侧的重叠区域1901和掩模板拼接曝光区域190′进行一次曝光而形成。重叠区域1901的宽度可以等于掩模板拼接曝光区域190′的宽度Ws。掩模板19的左侧的重叠区域1901的第二遮光条191的中心线形成的图案和掩模板拼接曝光区域190′的第一遮光条191′的中心线形成的图案分别与右侧的掩模板拼接曝光区域190′的第一遮光条191′的中心线形成的图案和重叠区域1901的第二遮光条191的中心线形成的图案相同。在重叠在一起时，掩模板19的左侧的重叠区域1901的第二遮光条191的中心线形成的图案和掩模板拼接曝光区域190′的第一遮光条191′的中心线形成的图案分别与右侧的掩模板拼接曝光区域190′的第一遮光条191′的中心线形成的图案和重叠区域1901的第二遮光条191的中心线形成的图案相互重合。掩模板19的左侧的重叠区域1901和掩模板拼接曝光区域190′的总宽度与右侧的掩模板拼接曝光区域190′和重叠区域1901的总宽度相同，并且等于基板21的基板拼接曝光区域21C的宽度。

利用如图4中所示的掩模板19进行拼接曝光工艺的方式与利用图1中所示的掩模板19进行拼接曝光工艺的方式类似，但是利用如图4中所示的掩模板19可以在两个相互垂直的方向上进行拼接曝光工艺。此外，利用如图3中所示的掩模板19进行拼接曝光工艺的方式与利用图2中所示的掩模板19进行拼接曝光工艺的方式类似，但是利用如图3中所示的掩模板19可以在两个相互垂直的方向上进行拼接曝光工艺。

参见图1至图5，在本公开的实施例中，在掩模板拼接曝光区域190′中的多个第一遮光条191′中的每一个与掩模板19的边的夹角小于90度。例如，在掩模板拼接曝光区域190′中的多个第一遮光条191′中的每一个倾斜设置。掩模板19具有矩形的形状，并且具有四个边，在掩模板拼接曝光区域190′中的多个第一遮光条191′中的每一个与掩模板19的四个边中的一个边的夹角小于90度，或在掩模板拼接曝光区域190′中的多个第一遮光条191′中的每一个相对于掩模板19的四个边中的一个边倾斜设置。此外，掩模板正常曝光区域190中的多个第二遮光条191中的每一个与掩模板19的边的夹角小于90度。例如，在掩模板正常曝光区域190中的多个第二遮光条191中的每一个倾斜设置。在掩模板的掩模板正常曝光区域190中的多个第二遮光条191中的每一个与掩模板19的四个边中的一个边的夹角小于90度，或在掩模板正常曝光区域190中的多个第二遮光条191中的每一个相对于掩模板19的四个边中的一个边倾斜设置。

在本公开的实施例中，由于第一遮光条191′和第二遮光条191倾斜设置，有利于在实际中形成触控感应电极或触控驱动电极的图案。

参见图1至图5，在本公开的实施例中，在掩模板拼接曝光区域190′中的多个第一遮光条191′中的两个相邻并平行的第一遮光条191′之间的间距与在掩模板正常曝光区域190中的所述第二遮光条191中的两个相邻并平行的第二遮光条191之间的间距之间的差值等于第一遮光条191′的线宽和第二遮光条191的线宽之间的差值2W_p。两个相邻并平行的第一遮光条191′的中心线之间的间距与两个相邻并平行的第二遮光条191的中心线之间的间距相等。根据本公开的实施例，可以确保形成的触控感应电极或触控驱动电极的图案在整个基板上的一致性。

参见图1至图5，在本公开的实施例中，包括所述第一遮光条191′和所述第二遮光条191的所述多个遮光条191′、191的中心线193包括第一中心线193和第二中心线193，如图5所示，所述第一中心线193等间隔排列，所述第二中心线193等间隔排列，并且第一中心线193和第二中心线193交叉设置成一致的网格状。参见图5，例如，在同一个交点194与分界线192相交的第一遮光条191′和所述第二遮光条191具有共同的中心线193。在与共同的中心线193垂直的第一遮光条191′的截面中，第一遮光条191′相对于共同的中心线193对称，在与共同的中心线垂直的第二遮光条191的截面中，所述第二遮光条191相对于共同的中心线193对称。

参见图2以及图5，在本公开的实施例中，包括所述第一遮光条191′和所述第二遮光条191的所述多个遮光条191′、191的中心线193包括第一中心线193和第二中心线193，如图5所示，所述第一中心线193等间隔排列，所述第二中心线193等间隔排列，并且第一中心线193和第二中心线193交叉设置成一致的网格状。参见图2、图5，例如，在同一个交点194与第一分界线192和第二分界线192中的同一个分界线192相交的第一遮光条191′和所述第二遮光条191具有共同的中心线193。在与共同的中心线193垂直的第一遮光条191′的截面中，第一遮光条191′相对于共同的中心线193对称，在与共同的中心线垂直的第二遮光条191的截面中，所述第二遮光条191相对于共同的中心线193对称。

图6是示意性示出使用图2中所示的掩模板19执行拼接曝光工艺时两次相连的曝光中掩模板19的相对位置关系的局部俯视图；图7是示意性示出使用图2中所示的掩模板19执行拼接曝光工艺时两次相连的曝光中掩模板19的相对位置关系的立体图；图8是示意性示出使用图2中所示的掩模板19执行拼接曝光工艺时两次相连的曝光中掩模板19的相对位置关系的主视图；以及图9是示意性示出使用图2中所示的掩模板19执行拼接曝光工艺时两次相连的曝光中掩模板19的相对位置关系的俯视图。

图6至图9中，为了清楚起见，在左侧的掩模板拼接曝光区域(第一掩模板拼接曝光区域)的附图标记中增加了“-L”，在右侧的掩模板拼接曝光区域(第二掩模板拼接曝光区域)的附图标记中增加了“-R”，在左侧的分界线(第一分界线)的附图标记中增加了“-L”，在右侧的分界线(第二分界线)的附图标记中增加“-R”，在左侧的重叠区域(第一重叠区域)的附图标记中增加了“-L”，并且在右侧的重叠区域(第二重叠区域)的附图标记中增加了“-R”；并且在第一次曝光时的掩模板19和掩模板19的组件的附图标记中增加了“-1”，在第二次曝光时的掩模板19和掩模板19的组件的附图标记中增加了“-2”。需要说明的是，图6至图9中的掩模板仅仅是为了说明两次曝光时掩模板利用曝光光源形成的投影的相对位置关系，并不是掩模板的实际位置关系。因此，图6至图9中的掩模板在一定程度上可以理解为掩模板利用曝光光源形成的投影。

图6至图9中，左侧的掩模板19-1为两次曝光中的第一次曝光时的掩模板19-1的位置，右侧的掩模板19-2为两次曝光中的第二次曝光时的掩模板19-2的位置，第一次曝光时的掩模板19-1的掩模板拼接曝光区域190′-R-1和第二次曝光时的掩模板19-2的掩模板拼接曝光区域190′-L-2在图10中所示的基板21的基板拼接曝光区域21C中。图6中仅仅示出了第二次曝光时的掩模板19-2的一部分。参见图2至图3，图10中所示的基板21的基板拼接曝光区域21C的宽度可以大致等于掩模板19的掩模板拼接曝光区域190′的宽度Ws的两倍。

参见图6至图9，根据本公开的实施例，在第一次曝光过程中，使用掩模板19-1对基板的第一区域进行曝光。在第二次曝光过程中，使用掩模板19-2对基板的第二区域进行曝光。通过两次曝光，在基板上形成完整的触控感应电极或触控驱动电极的图案。因此，通过对掩模板19的部分遮光条进行加宽设计，可以补偿两次曝光之间的基板的位置偏差，使得在最终形成的显示面板或触控面板中，基板拼接曝光区域的金属线的线宽等于基板正常曝光区域的金属线的线宽，从而减轻甚至消除姆拉(mura)现象。

参见图2、图6至图9，在本公开的实施例中，所述掩模板19还包括：第一掩模板拼接曝光区域190′-L和第二掩模板拼接曝光区域190′-R以及掩模板正常曝光区域190。第一掩模板拼接曝光区域190′-L和第二掩模板拼接曝光区域190′-R由所述掩模板19的相对的两个侧边缘分别构成，并且所述第一掩模板拼接曝光区域190′-L和第二掩模板拼接曝光区域190′-R具有矩形的形状。掩模板正常曝光区域190位于第一掩模板拼接曝光区域190′-L和第二掩模板拼接曝光区域190′-R之间。在第一掩模板拼接曝光区域190′-L与掩模板正常曝光区域190之间具有第一分界线192-L并且在第二掩模板拼接曝光区域190′-R与掩模板正常曝光区域190之间具有第二分界线192-R。所述第一遮光条191′位于所述掩模板19的所述第一掩模板拼接曝光区域190′-L和第二掩模板拼接曝光区域190′-R中，并且所述第二遮光条191位于掩模板正常曝光区域190中。

参见图5、图6，在本公开的实施例中，所述掩模板19还包括：由所述掩模板正常曝光区域190的一部分构成的第一重叠区域1901-L以及由所述掩模板正常曝光区域190的另一部分构成的第二重叠区域1901-R。所述第一重叠区域1901-L与所述第一掩模板拼接曝光区域190′-L邻接，并与第二掩模板拼接曝光区域190′-R具有相同的尺寸，所述第一重叠区域1901-L中的所述第二遮光条191的中心线193形成的图案与第二掩模板拼接曝光区域190′-R中的第一遮光条191′的中心线193形成的图案相同。例如，所述第一重叠区域1901-L中的所述第二遮光条191的中心线193形成的图案与第二掩模板拼接曝光区域190′-R中的第一遮光条191′的中心线193形成的图案在重叠在一起时，相互重合。此外，所述第二重叠区域1901-R与所述第二掩模板拼接曝光区域190′-R邻接，并与第一掩模板拼接曝光区域190′-L具有相同的尺寸，所述第二重叠区域1901-R中的所述第二遮光条191的中心线193形成的图案与第一掩模板拼接曝光区域190′-L中的第一遮光条191′的中心线193形成的图案相同。例如，所述第二重叠区域1901-R中的所述第二遮光条191的中心线193形成的图案与第一掩模板拼接曝光区域190′-L中的第一遮光条191′的中心线193形成的图案在重叠在一起时，相互重合。

参见图1至图9，在本公开的实施例中，在第二次曝光时的掩模板19-2的第一分界线192-L-2在所述基板上的投影与在第一次曝光时的掩模板19-1的第二分界线192-R-1在所述基板上的投影重合。例如在第二次曝光时利用曝光光源由掩模板19-2的第一分界线192-L-2在所述基板上形成的投影与在第一次曝光时利用曝光光源由掩模板19-1的第二分界线192-R-1在所述基板上形成的投影重合。例如，由于掩模板19从第一次曝光时的位置平移到第二次曝光时的位置，因此，在第二次曝光时的掩模板19-2的第一分界线192-L-2与在第一次曝光时的掩模板19-1的第二分界线192-R-1相互重合。

在第二次曝光时所述掩模板19-2的第一掩模板拼接曝光区域190′-L-2的第一遮光条191′在所述基板上的投影与在第一次曝光时所述掩模板19-1的掩模板正常曝光区域190-1的第二遮光条191在所述基板上的投影的一部分(由图6中所示的所述第二重叠区域1901-R-1中的所述第二遮光条191形成的一部分)部分重叠，在第一次曝光时所述掩模板19-1的掩模板正常曝光区域190-1的第二遮光条191在所述基板上的投影的所述一部分(由图6中所示的所述第二重叠区域1901-R-1中的所述第二遮光条191形成的一部分)邻接在第一次曝光时的掩模板19-1的第二分界线192-R-1在所述基板上的投影。例如，在第二次曝光时利用曝光光源由所述掩模板19-2的第一掩模板拼接曝光区域190′-L-2的第一遮光条191′在所述基板上形成的投影与在第一次曝光时利用曝光光源由所述掩模板19-1的掩模板正常曝光区域190-1的第二遮光条191在所述基板上形成的投影的一部分(由图6中所示的所述第二重叠区域1901-R-1中的所述第二遮光条191形成的一部分)部分重叠。

在第二次曝光时所述掩模板19-2的掩模板正常曝光区域190-2的第二遮光条191在所述基板上的投影的一部分(由图6中所示的所述第一重叠区域1901-L-2中的所述第二遮光条191形成的一部分)与在第一次曝光时所述掩模板19-1的第二掩模板拼接曝光区域190′-R-1的第一遮光条191′在所述基板上的投影部分重叠，在第二次曝光时所述掩模板19-2的掩模板正常曝光区域190-2的第二遮光条191在所述基板上的投影的所述一部分(由图6中所示的所述第一重叠区域1901-L-2中的所述第二遮光条191形成的一部分)邻接第二次曝光时的掩模板19-2的第一分界线192-L-2在所述基板上的投影。例如，在第二次曝光时利用曝光光源由所述掩模板19-2的掩模板正常曝光区域190-2的第二遮光条191在所述基板上形成的投影的一部分(由图6中所示的所述第一重叠区域1901-L-2中的所述第二遮光条191形成的一部分)与在第一次曝光时利用曝光光源由所述掩模板19-1的第二掩模板拼接曝光区域190′-R-1的第一遮光条191′在所述基板上形成的投影部分重叠。

根据本公开的实施例，通过使用包括两次曝光的拼接曝光工艺，可以满足使用小世代的生产线生产大尺寸的显示面板或触控面板的需求。

此外，根据本公开的实施例，所述掩模板19包括至少包括第二遮光条191的重叠区域1901以及仅仅包括第一遮光条191′的掩模板拼接曝光区域190′，由此在对基板21的基板拼接曝光区域21C进行拼接曝光工艺时，使基板拼接曝光区域21C的至少大部分通过重叠区域1901的第二遮光条191进行一次曝光，并且由掩模板拼接曝光区域190′进行一次曝光，由此形成的金属网格结构的触控驱动电极或触控感应电极的在基板拼接曝光区域21C中的金属线的图案的线宽与基板正常曝光区域的金属线的图案的线宽基本一致，不会过宽或过窄。

对于本公开的实施例，还需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

此外，掩模板拼接曝光区域190′可以具有相同的宽度或不同的宽度，重叠区域1901可以具有相同的宽度或不同的宽度，以及掩模板拼接曝光区域190′和重叠区域1901可以具有相同的宽度。

虽然上面已经示出了本公开的一些示例性实施例，但是本领域的技术人员将理解，在不脱离本公开的原理和精神的情况下，可以对这些示例性实施例做出改变，本公开的范围由权利要求及其等同物限定。

需要说明的是，上述一个或多个实施例中的特征可以组合成新的实施例。一个实施例中的特征可以用于另外一个实施例，除非一个实施例中的特征与另外一个实施例的技术方案相冲突。

Claims (15)

1.一种掩模板，其特征在于包括：

多个遮光条，所述多个遮光条布置成网格状；

掩模板正常曝光区域；以及

由所述掩模板的侧边缘构成的并且与掩模板正常曝光区域邻接的掩模板拼接曝光区域，

其中在掩模板拼接曝光区域与掩模板正常曝光区域之间具有分界线，所述多个遮光条包括位于掩模板拼接曝光区域并且交叉设置成网格状的多个第一遮光条和位于掩模板正常曝光区域并且交叉设置成网格状的多个第二遮光条，并且所述第一遮光条的宽度大于所述第二遮光条的宽度。

2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于：

在掩模板拼接曝光区域中的多个第一遮光条中的每一个与掩模板的边的夹角小于90度。

3.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于：

在掩模板拼接曝光区域中的多个第一遮光条中的两个相邻并平行的第一遮光条之间的间距与在掩模板正常曝光区域中的多个第二遮光条中的两个相邻并平行的第二遮光条之间的间距之间的差值等于第一遮光条的线宽和第二遮光条的线宽之间的差值。

4.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于还包括：

重叠区域，所述重叠区域的至少一部分由所述掩模板正常曝光区域的一部分构成，所述重叠区域和掩模板拼接曝光区域具有相同的尺寸，所述重叠区域的包括第二遮光条的遮光条或包括第一遮光条和第二遮光条的遮光条的中心线形成的图案与掩模板拼接曝光区域的第一遮光条的中心线形成的图案相同。

5.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于还包括：

由所述掩模板正常曝光区域的一部分构成的重叠区域，所述重叠区域和掩模板拼接曝光区域分别由所述掩模板的两个相对的侧边缘构成并具有相同的尺寸，并且所述重叠区域的第二遮光条的中心线形成的图案与掩模板拼接曝光区域的第一遮光条的中心线形成的图案相同。

6.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于：

所述掩模板具有矩形的形状，并且所述掩模板拼接曝光区域具有矩形的形状。

7.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于：

所述掩模板包括由所述掩模板的相对的两个侧边缘分别构成的两个掩模板拼接曝光区域，两个掩模板拼接曝光区域包括第一掩模板拼接曝光区域和第二掩模板拼接曝光区域，掩模板正常曝光区域位于第一掩模板拼接曝光区域和第二掩模板拼接曝光区域之间，在第一掩模板拼接曝光区域与掩模板正常曝光区域之间具有第一分界线并且在第二掩模板拼接曝光区域与掩模板正常曝光区域之间具有第二分界线，第一分界线和第二分界线构成两个掩模板拼接曝光区域与掩模板正常曝光区域之间的分界线。

8.根据权利要求7所述的掩模板，其特征在于还包括：

由所述掩模板正常曝光区域的一部分构成的第一重叠区域，所述第一重叠区域与所述第一掩模板拼接曝光区域邻接，并与第二掩模板拼接曝光区域具有相同的尺寸，并且所述第一重叠区域中的所述第二遮光条的中心线形成的图案与第二掩模板拼接曝光区域中的第一遮光条的中心线形成的图案相同；以及

由所述掩模板正常曝光区域的另一部分构成的第二重叠区域，所述第二重叠区域与所述第二掩模板拼接曝光区域邻接，并与第一掩模板拼接曝光区域具有相同的尺寸，并且所述第二重叠区域中的所述第二遮光条的中心线形成的图案与第一掩模板拼接曝光区域中的第一遮光条的中心线形成的图案相同。

9.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于：

所述掩模板具有矩形的形状，所述掩模板包括由所述掩模板的四个侧边缘分别构成的四个掩模板拼接曝光区域，四个掩模板拼接曝光区域中的每两个相邻的掩模板拼接曝光区域在掩模板的角部重叠，四个掩模板拼接曝光区域形成矩形环状，四个掩模板拼接曝光区域包括相对的第一掩模板拼接曝光区域和第二掩模板拼接曝光区域；以及相对的第三掩模板拼接曝光区域和第四掩模板拼接曝光区域，掩模板正常曝光区域由四个掩模板拼接曝光区域围绕，并且四个掩模板拼接曝光区域与掩模板正常曝光区域之间具有矩形的分界线。

10.根据权利要求9所述的掩模板，其特征在于还包括：

相对的第一重叠区域和第二重叠区域；以及

相对的第三重叠区域和第四重叠区域，其中：

所述第一重叠区域与所述第一掩模板拼接曝光区域邻接，并与第二掩模板拼接曝光区域具有相同的尺寸，并且所述第一重叠区域中的包括所述第一遮光条和所述第二遮光条的所述遮光条的中心线形成的图案与第二掩模板拼接曝光区域中的第一遮光条的中心线形成的图案相同，

所述第二重叠区域与所述第二掩模板拼接曝光区域邻接，并与第一掩模板拼接曝光区域具有相同的尺寸，并且所述第二重叠区域中的包括所述第一遮光条和所述第二遮光条的所述遮光条的中心线形成的图案与第一掩模板拼接曝光区域中的第一遮光条的中心线形成的图案相同，

所述第三重叠区域与所述第三掩模板拼接曝光区域邻接，并与第四掩模板拼接曝光区域具有相同的尺寸，并且所述第三重叠区域中的包括所述第一遮光条和所述第二遮光条的所述遮光条的中心线形成的图案与第四掩模板拼接曝光区域中的第一遮光条的中心线形成的图案相同，以及

所述第四重叠区域与所述第四掩模板拼接曝光区域邻接，并与第三掩模板拼接曝光区域具有相同的尺寸，并且所述第四重叠区域中的包括所述第一遮光条和所述第二遮光条的所述遮光条的中心线形成的图案与第三掩模板拼接曝光区域中的第一遮光条的中心线形成的图案相同。

11.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于：

所述掩模板具有矩形的形状，所述掩模板包括由所述掩模板的两个相邻的侧边缘分别构成的两个掩模板拼接曝光区域，两个掩模板拼接曝光区域在掩模板的角部重叠，两个掩模板拼接曝光区域包括第一掩模板拼接曝光区域和第二掩模板拼接曝光区域，两个掩模板拼接曝光区域作为整体形成L形的形状，并且两个掩模板拼接曝光区域与掩模板正常曝光区域之间具有L形的分界线。

12.根据权利要求11所述的掩模板，其特征在于还包括：

第一重叠区域，所述第一重叠区域和第一掩模板拼接曝光区域分别由所述掩模板的两个相对的侧边缘构成，并具有相同的尺寸，并且所述第一重叠区域中的包括所述第一遮光条和所述第二遮光条的所述遮光条的中心线形成的图案与第一掩模板拼接曝光区域中的所述第一遮光条的中心线形成的图案相同；以及

第二重叠区域，所述第二重叠区域和第二掩模板拼接曝光区域分别由所述掩模板的两个相对的侧边缘构成，并具有相同的尺寸，并且所述第二重叠区域中的包括所述第一遮光条和所述第二遮光条的所述遮光条的中心线形成的图案与第二掩模板拼接曝光区域中的所述第一遮光条的中心线形成的图案相同。

13.根据权利要求1、7、9和11中的任一项所述的掩模板，其特征在于：

所述第一遮光条包括沿第一方向延伸的第一遮光条和沿第二方向延伸的第一遮光条，并且所述第二遮光条包括沿第一方向延伸的第二遮光条和沿第二方向延伸的第二遮光条，以及

包括所述第一遮光条和所述第二遮光条的所述多个遮光条的中心线包括沿第一方向延伸的第一中心线和沿第二方向延伸的第二中心线，第一中心线和第二中心线交叉设置成一致的网格状。

14.根据权利要求13所述的掩模板，其特征在于：

在同一个交点与分界线相交的沿第一方向和第二方向中的同一个方向延伸的所述第一遮光条和所述第二遮光条具有共同的中心线。

15.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于：

在掩模板正常曝光区域中的所述第二遮光条中的每一个与掩模板的边的夹角小于90度。

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