CN114121719A - 衬底处理装置及衬底处理方法 - Google Patents

衬底处理装置及衬底处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114121719A
CN114121719A CN202110980004.0A CN202110980004A CN114121719A CN 114121719 A CN114121719 A CN 114121719A CN 202110980004 A CN202110980004 A CN 202110980004A CN 114121719 A CN114121719 A CN 114121719A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
processing
dummy
dummy substrate
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110980004.0A
Other languages
English (en)
Inventor
山口贵大
泽岛隼
圆札昭寿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of CN114121719A publication Critical patent/CN114121719A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65GTRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G47/00Article or material-handling devices associated with conveyors; Methods employing such devices
    • B65G47/74Feeding, transfer, or discharging devices of particular kinds or types
    • B65G47/90Devices for picking-up and depositing articles or materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769Storage means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67775Docking arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。本发明提供一种衬底处理装置,包含:分度器块;及处理块,在所述分度器块的横向上相邻,在上下方向积层着多个处理块层。所述分度器块包含:收容器保持部,用来保持收容衬底的衬底收容器;及第1搬送机构,在保持在所述收容器保持部的衬底收容器与所述处理块之间搬送衬底。各处理块层包含:多个处理单元,对衬底进行处理;衬底载置部,暂时保持在所述第1搬送机构与所述处理块层之间交接的衬底;伪衬底收容部,收容所述多个处理单元中能使用的伪衬底;及第2搬送机构,在所述衬底载置部与所述多个处理单元之间搬送衬底,在所述伪衬底收容部与所述多个处理单元之间搬送伪衬底。

Description

衬底处理装置及衬底处理方法
相关申请
本申请主张基于2020年8月28日提出的日本专利申请第2020-145033号的优先权,所述申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种处理衬底的装置及方法。处理对象的衬底中包含例如半导体晶圆、液晶显示装置及有机EL(Electroluminescence:电致发光)显示装置等FPD(Flat PanelDisplay:平板显示器)用衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、磁光盘用衬底、光罩用衬底、陶瓷衬底、太阳能电池用衬底等。
背景技术
半导体装置的制造步骤中,使用对像半导体晶圆那样的衬底进行处理的衬底处理装置。在日本专利特开2017-41506号公报中揭示了这种衬底处理装置的一个例子。这种衬底处理装置包含:载体保持部,保持收容衬底的载体;多个处理单元,对衬底进行处理;搬送单元,在载体与处理单元间搬送衬底;及控制单元。当处理单元的未使用持续时间达到特定时间时,控制装置要求对主机装置搬入保持着伪衬底的伪载体。将伪载体搬入到载体保持部后,搬送单元从伪载体向处理单元搬送伪衬底。使用所述伪衬底进行处理单元的清洗。
搬送单元包含分度器机械手与主搬送机械手,在这些机械手之间配置着交接单元。分度器机械手在载体与交接单元间搬送衬底。主搬送机械手在交接单元与处理单元间搬送衬底。
将伪载体置于载体保持部后,分度器机械手从伪载体取出伪衬底,将它搬送到交接单元。所述伪衬底通过主搬送机械手,从交接单元搬送到处理单元。当使用伪衬底的单元清洗处理结束时,主搬送机械手将伪衬底从处理单元取出,搬送到交接单元。所述伪衬底通过分度器机械手,从交接单元搬送到伪载体。将所有伪衬底收容在伪载体后,将伪载体从载体保持部搬出。
发明内容
如此,将伪衬底从衬底处理装置的外部导入,通过与制品衬底相同的路径搬送到处理单元,且从处理单元搬出,收容到伪载体。因此,为了搬送伪衬底而使用分度器机械手及主搬送机械手这两个,且通过交接单元搬送伪衬底。由此,伪衬底的搬送与制品衬底的搬送发生干扰,制品衬底的搬送效率变差,结果阻碍生产性的提高。
尤其,在以增加处理单元的数量,并行处理多块制品衬底的方式构成的衬底处理装置中,分度器机械手及主搬送机械手的搬送负载较大,减轻搬送负载是提高生产性的关键。
此外,将伪载体搬入到载体保持部,并将它从此处搬送到处理单元,直到结束处理单元的处理,将所述伪衬底收容到载体为止,伪载体占用载体保持部。因此,因伪载体持续占用载体保持部,所以担心在搬入制品衬底时会产生等待时间。因此,由所述观点来说,也阻碍了生产性提高。
因此,本发明的一实施方式提供一种能减轻对搬送制品用衬底的影响,同时在处理单元内进行使用伪衬底的处理的衬底处理装置及衬底处理方法。
本发明的一实施方式提供一种衬底处理装置,包含:分度器块;及处理块,在所述分度器机械手的横向上与其相邻,在上下方向积层着多个处理块层。所述分度器块包含:收容器保持部,用来保持收容衬底的衬底收容器;及第1搬送机构,在保持在所述收容器保持部的衬底收容器与所述处理块间搬送衬底。各处理块层包含:多个处理单元,对衬底进行处理;衬底载置部,暂时保持在所述第1搬送机构与所述处理块层间交接的衬底;伪衬底收容部,收容所述多个处理单元中能使用的伪衬底;及第2搬送机构,在所述衬底载置部与所述多个处理单元间搬送衬底,在所述伪衬底收容部与所述多个处理单元间搬送伪衬底。
根据所述构成,在分度器块的横向上相邻的处理块在上下方向积层多个处理块层而构成。并且,在各处理块层,配备收容伪衬底的伪衬底收容部。由于能在处理块层的内部收容伪衬底,所以处理单元中需要使用伪衬底时,能不涉及第1搬送机构,而在伪衬底收容部与处理单元间搬送伪衬底。
因此,能减轻第1搬送机构的搬送负载,所以能减轻对搬送制品用衬底的影响,且进行使用伪衬底的处理。尤其,在各自具有多个处理单元的多个处理块层与收容保持部间搬送衬底的第1搬送机构的搬送负载非常大。因此,通过减轻第1搬送机构的搬送负载,制品用衬底的搬送效率变好,相应地能提高生产效率。由于各处理块层的第2搬送机构负责所述处理块层内的衬底搬送,所以与第1搬送机构相比,搬送负载小。因此,基于生产效率的观点来说,第2搬送机构在处理块层的内部负责伪衬底的搬送问题不大。
此外,由于伪衬底收容部位于处理块层内,所以伪衬底收容部与处理单元间的伪衬底的搬送可不经由用于第1搬送机构与处理块层间的衬底交接的衬底载置部而进行。因此,能减少伪衬底的搬送与制品用衬底的搬送的干扰,所以制品用衬底的搬送效率变好,相应地能提高生产性。
此外,与日本专利特开2017-41506号公报的情况不同,收容器保持部不会被收容伪衬底的伪载体持续长时间占用。由此,能抑制收容着制品用衬底的衬底收容器的搬入产生等待时间,所以能有助于提高生产性。
本发明的一实施方式中,各处理块层中,所述多个处理单元沿由所述第2搬送机构搬送衬底的搬送路径,排列在所述搬送路径的两侧,且在上下方向积层而排列。
根据所述构成,以可由第2搬送机构有效进行衬底搬送的方式,设计处理块层内的多个处理单元的配置。由此,能有助于提高生产性。
本发明的一实施方式中,所述衬底载置部配置在所述第1搬送机构与所述第2搬送机构间,所述伪衬底收容部配置在所述第1搬送机构与所述第2搬送机构间。
根据所述构成,通过将衬底载置部配置在第1搬送机构与第2搬送机构间,可有效进行这些机构间的衬底搬送。此外,通过将伪衬底收容部配置在第1搬送机构与第2搬送机构间,可在不与第1搬送机构搬送衬底、及第2搬送机构搬送衬底发生干扰的位置,配置伪衬底收容部。因此,能抑制或防止对搬送制品用的衬底的影响,且在处理块层内保持伪衬底。
本发明的一实施方式中,所述伪衬底收容部配置在与所述衬底载置部不同的高度。根据所述构成,能立体地配置伪衬底收容部与衬底载置部,所以能有效利用处理块层内的空间,将伪衬底收容部适当配置在处理块层内。由此,能实现不阻碍制品用衬底的搬送的伪衬底收容部的配置。
本发明的一实施方式中,所述伪衬底收容部以在俯视时与所述衬底载置部(一部分或全部)重合的方式配置。根据所述构成,能利用衬底载置部的上方或下方的空间,以俯视时与衬底载置部重合的方式配置伪衬底收容部。由此,能实现不阻碍制品用衬底的搬送的伪衬底收容部的配置,且能有效利用处理块层内的空间,配置伪衬底收容部。
伪衬底收容部在俯视时与衬底载置部重合的配置具体来说也可为收容在伪衬底收容部的伪衬底的一部分或全部与保持在衬底载置部的衬底重合的配置。
本发明的一实施方式中,所述多个处理块层包含第1处理块层、与配置在所述第1处理块层的上方的第2处理块层。所述第1处理块层中,所述伪衬底收容部位于所述衬底载置部的下方。所述第2处理块层中,所述伪衬底收容部位于所述衬底载置部的上方。
根据所述构成,第1处理块层(下层)中,伪衬底收容部位于衬底载置部的下方,第2处理块层(上层)中,伪衬底收容部位于衬底载置部的上方。因此,能减少第1处理块层的衬底载置部与第2处理块层的衬底载置部间的高低差。由此,能缩短第1搬送机构在上下方向的衬底搬送行程,所以能减轻第1搬送机构的搬送负载。因此,能提高制品用衬底的搬送效率,有助于提高生产性。
多个处理块层也可具有3层以上的处理块层。所述情况下,第1处理块层与第2处理块层也可为上下相邻的处理块层,还可在这些处理块层间介置着其它处理块层。
本发明的一实施方式中,各处理块层的所述伪衬底收容部包含与所述处理块层所包含的所述多个处理单元相同数量的多个伪衬底槽。各伪衬底槽以保持1块伪衬底的方式构成。
根据所述构成,能在各处理块层内保持与处理单元相同数量的伪衬底。因此,如果需要对任一个处理单元搬入伪衬底,那么能通过第2搬送机构,对所述处理单元迅速搬入伪衬底。由于第1搬送机构不涉及伪衬底的搬入,所以能抑制或防止对搬送制品用衬底的影响。
本发明的一实施方式中,将各处理块层的所述多个处理单元与所述处理块层的所述多个伪衬底槽一对一建立对应。并且,所述第2搬送机构在互相对应的所述伪衬底槽与所述处理单元间搬送伪衬底。
根据所述构成,由于处理块层内的多个伪衬底槽与多个处理单元一对一建立对应,所以保持在伪衬底槽的伪衬底能设为对应的处理单元专用的伪衬底。由此,伪衬底的使用历程的管理变容易。
本发明的一实施方式中,所述衬底处理装置还包含控制器,构成(编程)为:记录收容在所述伪衬底收容部的伪衬底的使用历程,基于所述伪衬底的使用历程,当所述伪衬底达到使用界限时,发出警告。
根据所述构成,能适当管理伪衬底的使用状况,在适当时期发出警告。相应地衬底处理装置的用户能采取更换伪衬底等措施。由于将伪衬底保持在衬底处理装置内,所以能通过衬底处理装置所配备的控制器,适当管理伪衬底的使用状况。
所述使用历程也可包含伪衬底的使用次数。
所述控制器也可与主计算机能通信地连接。所述情况下,控制器也可构成为(编程为)对主计算机发送所述警告。
本发明的一实施方式中,所述衬底处理装置还包含控制器,构成(编程)为控制所述第2搬送机构及所述处理单元。当伪处理条件充足时,所述控制器控制所述第2搬送机构,从所述伪衬底收容部向所述处理单元搬送伪衬底,控制所述处理单元,执行伪处理。
根据所述构成,当伪处理条件充足时,通过搬送处理块层内的伪衬底,执行处理单元中的伪处理。因此,能抑制或防止对搬送制品用衬底的影响,且实现伪处理。
本发明的一实施方式中,所述伪处理包含用来维护所述处理单元的维护处理。优选为所述维护处理包含准备处理及单元清洗处理中的至少一个,所述准备处理调整用来处理保持在所述收容器保持部的衬底收容器所收容的衬底(制品用衬底)的环境;所述单元清洗处理用来清洗所述处理单元的内部。
例如,也可计数由处理单元处理后的衬底的块数,将它块数达到设定值(或超出设定值)作为伪处理条件(维护执行条件,例如单元清洗执行条件),进行维护处理(例如单元清洗处理)。此外,也可测量处理单元未用于衬底处理的未使用状态的持续时间(未使用持续时间),将所述未使用测量时间达到设定值(或超出设定值)作为伪处理条件(维护执行条件),进行维护处理(例如,准备处理或单元清洗处理)。
本发明的一实施方式提供一种在衬底处理装置中执行的衬底处理方法,所述衬底处理装置包含:收容器保持部,用来保持收容衬底的衬底收容器;分度器块,具有在保持在所述收容器保持部的衬底收容器与处理块间搬送衬底的第1搬送机构;及处理块,在所述分度器块的横向上相邻,在上下方向积层着多个处理块层。各处理块层包含:多个处理单元,对衬底进行处理;衬底载置部,暂时保持在所述第1搬送机构与所述处理块层间交接的衬底;伪衬底收容部,收容所述多个处理单元中能使用的伪衬底;及第2搬送机构,在所述衬底载置部与所述多个处理单元间搬送衬底,在所述伪衬底收容部与所述多个处理单元间搬送伪衬底。所述衬底处理方法执行以下步骤:伪衬底搬入步骤,在各处理块层内,所述第2搬送机构将收容在所述处理块层内的所述伪衬底收容部的伪衬底搬入到所述处理块层内的多个处理单元中的任一个;伪处理步骤,在所述处理单元内进行使用所述搬入的伪衬底的伪处理;所述伪处理后,所述第2搬送机构将所述伪衬底从所述处理单元取出,搬送到所述伪衬底收容部的步骤;所述第2搬送机构将载置在所述处理块层的所述衬底载置部的衬底搬入到所述处理块层的多个处理单元中的任一个步骤;及在所述处理单元内,处理所述搬入的衬底的步骤。
通过所述方法,能减轻第1搬送机构的搬送负载,且在各处理块层的处理单元中进行使用伪衬底的处理。由此,能提高生产效率。
本发明的一实施方式中,与衬底搬入步骤并行,或在所述衬底搬入步骤之前,执行所述伪衬底搬入步骤,所述衬底搬入步骤由所述第1搬送机构从所述衬底收容器取出衬底,将它搬入到所述多个处理块层中的任一个的所述衬底载置部。
通过所述方法,能通过第1搬送机构,将制品用衬底搬入到处理块层,另一方面,在各处理块层内,将伪衬底搬入到处理单元。由于第1搬送机构也可不涉及伪衬底的搬入,所以能不等待第1搬送机构对衬底的搬送,或与所述衬底搬送并行,进行处理块层内的伪衬底的搬送。因此,不仅可减轻第1搬送机构的搬送负载,也可在处理块层内,将伪衬底迅速搬送到处理单元。
本发明的一实施方式中,与所述衬底搬入步骤并行,或在所述衬底搬入步骤之前,执行所述伪处理步骤。
如上所述,由于第1搬送机构不涉及处理块层内的伪衬底的搬送,所以能不等待第1搬送机构对衬底的搬送,或与所述衬底搬送并行,开始处理单元的伪处理。因此,不仅能减轻第1搬送机构的搬送负载,也能在处理块层内迅速开始伪处理。
本发明中的所述或进而其它目的、特征及效果通过以下参考附图叙述的实施方式的说明而明确。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的衬底处理装置的内部构成的图解俯视图。
图2是从图1的II-II线观察的图解纵剖视图。
图3是从图1的III-III线观察的图解横剖视图。
图4是从图1的IV方向观察,表示处理块的内部构成的图解正视图。
图5是用来说明衬底载置部的构成例的图。
图6是用来说明伪衬底收容部的构成例的图。
图7是用来说明处理单元的构成例的图解剖视图。
图8是用来说明衬底处理装置的控制相关的构成的框图。
图9是用来说明与伪处理关联的控制器的动作的流程图。
具体实施方式
图1是表示本发明的一实施方式的衬底处理装置的内部构成的图解俯视图。图2是从图1的II-II线观察的图解纵剖视图。图3是从图1的III-III线观察的图解横剖视图。图4是从IV方向观察,表示一部分内部构成的图解正视图。
衬底处理装置1包含分度器块2与在分度器块2的横向(第1水平方向X)上相邻的处理块3。
分度器块2包含多个(本实施方式中为4个)载体保持部25(装载埠)与分度器机械手26。以下,为方便起见,有就第1水平方向X将载体保持部25侧定义为前方,将它的相反侧定义为后方而说明的情况。
多个载体保持部25沿与第1水平方向X正交的第2水平方向Y排列。各载体保持部25构成为能接收并保持由工厂内配备的自动载体搬送机构自动搬送的载体C。各载体保持部25以能保持一个载体C的方式构成。载体C为收容处理对象的衬底W(制品衬底)的衬底收容器。载体C的一个例子为FOUP(Front Opening Unified Pod:前开式晶圆盒)。载体C构成为能以积层状态保持多块(例如25块)衬底W。更具体来说,载体C构成为保持在载体保持部25时,能将多块衬底W保持水平姿势沿上下方向Z以积层状态保持。载体保持部25为保持衬底收容器也就是载体C的收容器保持部的一个例子。衬底W例如为半导体晶圆。
分度器机械手26为第1搬送机构的一个例子。分度器机械手26构成为能存取分别保持在多个载体保持部25的载体C,搬入/搬出衬底W,而在载体保持部25与处理块3之间搬送衬底W。本实施方式中,分度器机械手26为具备多关节臂27的多关节臂机械手。具体来说,分度器机械手26包含:连结着多个臂28的多关节臂27、与多关节臂27之前端连结的一个以上的手29、及支撑多关节臂27并上下移动的基台部30。构成多关节臂27的多个臂28及手29能绕设定在各基端部的垂直的摆动轴线摆动,虽省略图示,但具备用来使各臂28及各手29摆动的单独的致动器(典型来说为电动马达)。
处理块3包含在上下方向Z积层的多个处理块层BL、BU。本实施方式中,处理块3包含第1层(下层)处理块层(以下,称为“第1处理块层BL”)、与积层在它上方的第2层(上层)处理块层(以下,称为“第2处理块层BU”)。以下,要区分第1处理块层BL的构成要件与第2处理块层BU的构成要件时,对第1处理块层BL的构成要件,使用末尾具有英文字母“L”的参考符号,对第2处理块层BU的构成要件,使用末尾具有英文字母“U”的参考符号。附图中的参考符号也同样。
第1处理块层BL及第2处理块层BU在俯视时的内部构成实质相同。因此,图1中,要注意的是,通过将参考符号的末尾的英文字母“U”换读作英文字母“L”,而表示第1处理块层BL的构成(俯视时的配置)。
第1处理块层BL包含多个(本实施方式中为12个)处理单元11L-13L、21L-23L、31L-33L、41L-43L(以下,总称第1处理块层BL的处理单元时,将它称为“处理单元11L-43L”)、衬底载置部6L、伪衬底收容部7L、及主搬送机械手8L。多个处理单元11L-43L对衬底W进行处理。本实施方式中,各处理单元11L-43L为逐块处理衬底W的单片型处理单元。衬底载置部6L为提供暂时保持在分度器机械手26与第1处理块层BL间交接的衬底W的暂时衬底存放处的单元。伪衬底收容部7L为用来在衬底处理装置1的内部,预先保持在处理单元11L-43L中能使用的伪衬底DW的单元,提供伪衬底DW的等待场所。主搬送机械手8L为在衬底载置部6L与处理单元11L-43L间搬送衬底W,且在伪衬底收容部7L与处理单元11L-43L间搬送伪衬底DW的第2搬送机构的一个例子。
伪衬底DW是具有与衬底W相同形状(例如圆形)及大小的衬底。伪衬底DW与从载体C供给的制品用衬底W不同,不使用于制造实际的制品。伪衬底DW为了执行调整处理单元11L-43L内的环境的前处理(准备处理)、用来清洗处理单元11L-43L内的单元清洗处理等,而导入到处理单元11L-43L中使用。如此,以下将使用伪衬底DW的处理称为“伪处理”。所述前处理及单元清洗处理为用来维护处理单元11L-43L的维护处理,伪处理包含这种维护处理。
多个处理单元11L-43L沿提供由主搬送机械手8L搬送衬底W的搬送路径51L的搬送空间52L,排列在所述搬送空间52L的两侧,面向搬送空间52L。搬送空间52L在俯视时,在第2水平方向Y上具有固定宽度,朝沿第1水平方向X离开分度器块2的方向直线延伸。搬送空间52L在上下方向Z上,具有与第1处理块层BL的高度大致同等的高度。俯视时,在搬送空间52L的一侧,从靠近分度器块2的侧起沿搬送路径51L依序排列着第1液体供给部91、第1处理单元叠层S1L、第1排气部101、第2液体供给部92、第2处理单元叠层S2L及第2排气部102。在搬送空间52L的另一侧,从靠近分度器块2的侧起沿搬送路径51L排列着第3排气部103、第3处理单元叠层S3L、第3液体供给部93、第4排气部104、第4处理单元叠层S4L及第4液体供给部94。它们以划分大致长方体形状的搬送空间52L的方式排列。
第1~第4处理单元叠层S1L-S4L各自包含在上下方向Z积层的多层(本实施方式中为3层)处理单元11L-13L、21L-23L、31L-33L、41L-43L。第3处理单元叠层S3L隔着搬送空间52L,与第1处理单元叠层S1L对向。第4处理单元叠层S4L隔着搬送空间52L,与第2处理单元叠层S2L对向。因此,构成第3处理单元叠层S3L的多个处理单元31L-33L隔着搬送空间52L,与构成第1处理单元叠层S1L的多层处理单元11L-13L对向。同样,构成第4处理单元叠层S4L的多层处理单元41L-43L隔着搬送空间52L,与构成第2处理单元叠层S2L的多层处理单元21L-23L对向。本实施方式中,第1处理块层BL包含12个处理单元11L-13L、21L-23L、31L-33L、41L-43L,并将它们以3个为单位分开配置在4个处理单元叠层S1L-S4L中。
搬送空间52L由配置在与各处理单元叠层S1L-S4L的最上层的处理单元13L、23L、33L、43L的上表面一致的位置的中间隔板16与上方划分开,且由配置在与最下层的处理单元11L、21L、31L、41L的下表面一致的位置的下隔板15与下方划分开。所有处理单元11L-43L具有在面向搬送空间52L的位置开口的衬底搬入/搬出口37。主搬送机械手8L穿过搬送空间52L搬送衬底W及伪衬底DW,经由衬底搬入/搬出口37,对各处理单元11L-43L搬入/搬出衬底W及伪衬底DW。
衬底载置部6L配置在分度器机械手26与主搬送机械手8L间。更具体来说,衬底载置部6L在俯视时,配置在搬送空间52L内的分度器机械手26侧的端部。本实施方式中,衬底载置部6L位于第1液体供给部91与第3排气部103间。衬底载置部6L在上下方向Z上,配置在中间隔板16与下隔板15间的高度。本实施方式中,衬底载置部6L配置在从中间隔板16到上隔板17的高度范围的中间高度附近。衬底载置部6L的上下方向位置需要在能由分度器机械手26存取的高度范围内,且能由主搬送机械手8L存取的高度范围内。
衬底载置部6L包含载置未处理衬底W的未处理衬底载置部61、与载置已处理衬底W的已处理衬底载置部62。未处理衬底载置部61及已处理衬底载置部62在上下方向Z上积层。优选为已处理衬底载置部62配置在未处理衬底载置部61上。
图5中放大表示构成例,未处理衬底载置部61及已处理衬底载置部62包含沿第1水平方向X朝分度器机械手26侧及主搬送机械手8L侧这两侧打开的箱63、64、及配置在箱63、64的内部的衬底保持架65、66。衬底保持架65、66具有在上下方向Z上排列的多个(例如10个)衬底支撑部件67、68。各衬底支撑部件67、68构成为从下方支撑1块衬底W的下表面周缘部,以水平姿势保持所述衬底W。由此,未处理衬底载置部61及已处理衬底载置部62能分别将多块(例如10块)衬底W保持水平姿势在上下方向Z上以空开间隔积层的状态保持在这些衬底保持架65、66。
如图2所示,以贯通分度器块2的后隔板2a及处理块3之前隔板3a,也就是这些相邻的隔板的方式,形成与衬底载置部6L对应的窗4L。分度器机械手26能经由所述窗4L存取衬底载置部6L,对衬底载置部6L进行衬底W的搬入/搬出。
伪衬底收容部7L设置在与衬底载置部6L不同的高度,本实施方式中,在搬送空间52L内,配置在衬底载置部6L的下方。伪衬底收容部7L以俯视时,与衬底载置部6L重合的方式设置。更具体来说,在衬底载置部6L保持着衬底W,在伪衬底收容部7L保持着伪衬底DW时,以俯视时衬底W与伪衬底DW重合的方式,配置伪衬底收容部7L。衬底W与伪衬底DW在俯视时的重合可为局部重合,也可为整体重合,也就是说,伪衬底DW与衬底W几乎整体重合。
伪衬底收容部7L配置在下隔板15与中间隔板16间,配置在主搬送机械手8L能存取的高度范围内。分度器块2的后隔板2a及处理块3之前隔板3a,也就是这些相邻的隔板位于伪衬底收容部7L的前方,也就是分度器块2侧。这些隔板中未设置与伪衬底收容部7L对应的窗。因此,本实施方式中,分度器机械手26无法存取伪衬底收容部7L。
图6中放大表示构成例,伪衬底收容部7L具备伪衬底保持架71。伪衬底保持架71的构成也可与衬底载置部6L的衬底保持架65、66的构成实质相同。但,伪衬底保持架71能保持的伪衬底DW的块数无须与衬底保持架65、66能保持的衬底块数相等。具体来说,伪衬底保持架71具有在上下方向排列的多个(例如12个)伪衬底支撑部件72。各伪衬底支撑部件72构成为从下方支撑1块伪衬底DW的下表面周缘部,以水平姿势保持所述伪衬底DW。伪衬底收容部7L能将多块(例如12块)伪衬底DW保持水平姿势在上下方向Z以空开间隔积层的状态保持在伪衬底保持架71上。也就是说,伪衬底收容部7L具有以将各1块的伪衬底DW以水平姿势收容的方式,在上下方向积层的多层(本实施方式中,数量与第1处理块层BL所配备的处理单元的数量相同)槽(以下,称为“伪衬底槽DL1-DL12”)。也可具备用来检测各伪衬底槽DL1-DL12中有无伪衬底DW的伪衬底传感器(未图示)。本实施方式中,伪衬底收容部7L与衬底载置部6L不同,不具备包围所收容的伪衬底DW的箱。当然,也可具备这种箱。
如图2所示,主搬送机械手8L配置在搬送空间52L内。主搬送机械手8L包含将1块衬底以水平姿势保持的手81、与驱动手81的手驱动机构82。也可具备多个(例如2个)手81。手驱动机构82可使手81朝水平方向X、Y及上下方向Z移动,且使手81绕铅直旋转轴线回转。手驱动机构82包含2个支柱83、垂直移动部84、水平移动部85、旋转部86及进退部87。手81与进退部87连结。在设置多个手81的情况下,优选为设置与这些手对应的多个进退部87。
2个支柱83沿第1水平方向X空开间隔配置,分别固定在搬送空间52L的侧壁。2个支柱83沿上下方向Z延伸,具有作为引导垂直移动部84的垂直移动的导轨的功能。垂直移动部84具有跨及2根支柱83在第1水平方向X延伸,两端部与2根支柱83连结的导轨形式。垂直移动部84构成为一边由2根支柱83引导,一边相对于支柱83在上下方向移动。水平移动部85构成为支撑在垂直移动部84上,一边由垂直移动部84引导,一边相对于垂直移动部84在第1水平方向X移动。旋转部86由水平移动部85支撑。旋转部86构成为在水平移动部85上,绕铅直的旋转轴线旋转。进退部87与旋转部86连结。进退部87相对于旋转轴线在水平方向进退,由此,使手81在水平方向上进退。
通过这种构成,主搬送机械手8L能使手81存取衬底载置部6L,而与衬底载置部6L之间进行衬底W的交接。主搬送机械手8L还能使手81存取第1处理块层BL内的任意处理单元11L-43L,而与所述处理单元11L-43L之间进行衬底W或伪衬底DW的交接。此外,主搬送机械手8L能使手81存取伪衬底收容部7L,而与伪衬底收容部7L之间进行伪衬底DW的交接。并且,主搬送机械手8L能在第1处理块层BL内,在衬底载置部6L、处理单元11L-43L及伪衬底收容部7L间,搬送保持在手81的衬底W、DW。
由于第2处理块层BU的构成与第1处理块层BL的构成大致相同,所以以下尽可能省略重复的说明,主要对不同构成进行说明。附注与第1处理块层BL的情况相同名称的要件的构成实质上相同。
第2处理块层BU包含多个(本实施方式中为12个)处理单元11U-13U、21U-23U、31U-33U、41U-43U(以下,总称第2处理块层BU的处理单元时,将它称为“处理单元11U-43U”)、衬底载置部6U;伪衬底收容部7U;及主搬送机械手8U。第1~第4液体体供给部91-94、第1~第4排气部101-104跨及第1处理块层BL及第2处理块层BU,在上下方向Z上延伸配置。
第2处理块层BU内的多个处理单元11U-43U的配置与第1处理块层BL内的多个处理单元11L-43L的配置实质相同。第2处理块层BU具备第1~第4处理单元叠层S1U-S4U,这些处理单元叠层S1U-S4U各自具备在上下方向Z上积层的多层(本实施方式中为3层)处理单元11U-13U、21U-23U、31U-33U、41U-43U。
在俯视时,第2处理块层BU的第1~第4处理单元叠层S1U-S4U以分别与第1处理块层BL的第1~第4处理单元叠层S1L-S4L重合的方式配置。并且,第1及第2处理块层BL、BU中每一个的第1处理单元叠层S1L、S1U在上下方向Z上积层,形成积层着多层(本实施方式中为6层)处理单元11L、12L、13L、11U、12U、13U的第1塔T1。同样,第1及第2处理块层BL、BU中每一个的第2处理单元叠层S2L、S2U在上下方向Z上积层,形成积层着多层(本实施方式中为6层)处理单元21L、22L、23L、21U、22U、23U的第2塔T2。此外,第1及第2处理块层BL、BU中每一个的第3处理单元叠层S3L、S3U在上下方向Z上积层,形成积层着多层(本实施方式中为6层)处理单元31L、32L、33L、31U、32U、33U的第3塔T3。还是同样地,第1及第2处理块层BL、BU中每一个的第4处理单元叠层S4L、S4U在上下方向Z上积层,形成积层着多层(本实施方式中为6层)处理单元41L、42L、43L、41U、42U、43U的第4塔T4。
在第2处理块层BU内划出并提供搬送路径51U的搬送空间52U与第1处理块层BL的搬送空间52L重合。第2处理块层BU内的搬送空间52U通过中间隔板16与下方划分开,通过上隔板17与上方划分开。上隔板17配置在与第1~第4塔T1-T4的最上层处理单元13U、23U、33U、43U的上表面一致的高度。
俯视时衬底载置部6U的配置与第1处理块层BL的情况相同。也就是说,衬底载置部6U配置在分度器机械手26与主搬送机械手8U之间,配置在搬送空间52U内的分度器机械手26侧的端部。第2处理块层BU的衬底载置部6U以俯视时与第1处理块层BL的衬底载置部6L重合的方式配置。衬底载置部6U在上下方向Z上,配置在中间隔板16与上隔板17之间的高度。本实施方式中,衬底载置部6U配置在比从中间隔板16到上隔板17的高度范围的中间高度更下方。更具体来说,衬底载置部6U在能由分度器机械手26存取的高度范围内配置在最高位置。衬底载置部6U的上下方向位置需要在能由分度器机械手16存取的高度范围内,且能由主搬送机械手8U存取的高度范围内。与第1处理块层BL的情况同样,衬底载置部6U包含载置未处理衬底W的未处理衬底载置部61、与载置已处理衬底W的已处理衬底载置部62。未处理衬底载置部61及已处理衬底载置部62的构成与第1处理块层BL的衬底载置部6L的情况相同(参考图5)。
以贯通分度器块2的后隔板2a及处理块3之前隔板3a,也就是这些相邻隔板的方式,形成与衬底载置部6U对应的窗4U。分度器机械手26可经由所述窗4U存取衬底载置部6U,对衬底载置部6U进行衬底W的搬入/搬出。
伪衬底收容部7U设置在与衬底载置部6U不同的高度,本实施方式中,在搬送空间52U内,配置在衬底载置部6U的上方。伪衬底收容部7U以俯视时与衬底载置部6U重合的方式设置。更具体来说,在衬底载置部6U保持着衬底W,在伪衬底收容部7U保持着伪衬底DW时,以俯视时衬底W与伪衬底DW重合的方式,配置伪衬底收容部7U。衬底W与伪衬底DW在俯视时的重合可为局部重合,也可为整体重合,也就是说,伪衬底DW与衬底W几乎整体重合。伪衬底收容部7U配置在上隔板17与中间隔板16之间的高度,配置在主搬送机械手8U能存取的高度范围内。分度器机械手2的后隔板2a及处理块3的前隔板3a,也就是这些相邻隔板配置在伪衬底收容部7U的前方,也就是分度器块2侧。这些后隔板2a及前隔板3a中未设置与伪衬底收容部7U对应的窗。因此,分度器机械手26无法存取伪衬底收容部7U。
伪衬底收容部7U的构成也可与第1处理块层BL的伪衬底收容部7L的构成实质相同(参考图6)。伪衬底收容部7U具有以将各1块伪衬底DW以水平姿势收容的方式,在上下方向上积层的多层(本实施方式中,数量与第2处理块层BU所配备的处理单元的数量相同)槽(以下,称为“伪衬底槽DU1-DU12”)。也可具备用来检测各伪衬底槽DU1-DU12中有无伪衬底DW的伪衬底传感器。
主搬送机械手8U配置在搬送空间52U内。主搬送机械手8U包含将1块衬底以水平姿势保持的手81、与驱动手81的手驱动机构82。手驱动机构82包含2根支柱83、垂直移动部84、水平移动部85、旋转部86及进退部87。这些构成与第1处理块层BL的主搬送机械手8L相同。
液体供给部91-94划分出收容用来供给处理单元11L-43L;11U-43U中使用的处理液的配管类的液体配管空间。由各液体供给部91-94划分的液体配管空间在上下方向Z上贯通第1处理块层BL及第2处理块层BU。在各液体供给部91-94中,收容着处理液配管56,所述处理液配管56对俯视时在相同位置沿上下方向Z积层6层而形成塔T1-T4的6个处理单元11L、12L、13L、11U、12U、13U;21L、22L、23L、21U、22U、23U;31L、32L、33L、31U、32U、33U;41L、42L、43L、41U、42U、43U供给处理液。液体供给部91-94中,还可一并收容设置在配管中途的阀类、流量计、用来暂时贮存处理液的槽罐、用来输送液体的泵等处理液关联机器。
排气部101-104划分出收容用来将处理单元内部的气体氛围排气的配管类的排气配管空间。由各排气部101-104划分的排气配管空间在上下方向Z上贯通第1处理块层BL及第2处理块层BU。各排气部101-104中收容着排气配管76,所述排气配管76用来将来自俯视时在相同位置沿上下方向Z积层6层而形成塔T1-T4的6个处理单元11L、12L、13L、11U、12U、13U;21L、22L、23L、21U、22U、23U;31L、32L、33L、31U、32U、33U;41L、42L、43L、41U、42U、43U的排气引导到衬底处理装置1外的排气设备。排气部101-104还可根据处理单元内的处理种类(更具体来说,处理液的种类),一并收容着切换排气配管76的切换机构77。虽省略图示,但排气部101包含驱动切换机构77的致动器类。
图7是用来说明处理单元11L-43L;11U-43U(以下,总称时将它称为“处理单元11L-43U”)的构成例的图解剖视图。处理单元11L-43U包含:形成处理室35(腔室)的单元隔板36;配置在单元隔板36内的处理杯39;配置在处理杯39内的旋转夹盘40;及对保持在旋转夹盘40的衬底W、DW供给处理液的喷嘴55。
单元隔板36包含例如俯视时形成矩形的侧壁36a、划分上方的顶壁36b、及划分下方的底壁36c。侧壁36a的一面面向搬送空间52U,沿第1水平方向X及上下方向Z延伸,具有用来搬入/搬出衬底W、DW的衬底搬入/搬出口37。衬底搬入/搬出口37也可具有沿第1水平方向X延伸的槽形状。配置着用来开闭衬底搬入/搬出口37的挡板38。将衬底W、DW从形成在单元隔板36的衬底搬入/搬出口37搬入,交接给旋转夹盘40。
旋转夹盘40包含将1块衬底W、DW以水平姿势保持的旋转基座45、及使旋转基座45绕铅直的旋转轴线旋转的旋转马达46。旋转夹盘40也可为将衬底W、DW的下表面吸附在旋转基座45的上表面并保持的真空型。此外,旋转基座45也可具有与衬底W、DW对应的圆形的平面形状,在其周缘部具备在周向上空开间隔设置的3个以上的保持销,构成由这些保持销固持衬底W、DW的机械型夹盘。
处理单元11L-43U包含对保持在旋转夹盘40的衬底W、DW供给处理液的1个以上的喷嘴55。本实施方式中,具备多个喷嘴55。所述多个喷嘴55也可包含用来分别喷出多种药液的多个药液喷嘴。
从喷嘴55对由旋转夹盘40保持并旋转的衬底W、DW的表面供给处理液。喷嘴55与穿过液体供给部91-94配置的处理液配管56连结。处理液配管56穿过液体供给部91-94引绕并连接在处理液供给源54。在处理液配管56的中途,介装着开闭其流路的阀59。此外,在处理液配管56的中途,介装着用来朝喷嘴55输送处理液的泵60。阀59及泵60配置在液体供给部91-94。处理液供给源54供给蚀刻液等药液、或纯水(去离子水)等清洗液。也可根据处理液的种类,设置多个处理液配管56及对应的多个喷嘴55。多个喷嘴55的一部分或全部也可具有在衬底W、DW的上方沿衬底W、DW的上表面移动的移动喷嘴的形式。移动喷嘴也可具有以下构造:通过配置在旋转夹盘40的侧方的摆动轴58,支撑水平的喷嘴臂57的基端部,使摆动轴58绕铅直轴线旋动(参考图1)。多个喷嘴55的一部分或全部也可为相对于旋转夹盘40的相对位置不变的固定喷嘴。
将单元隔板36内的气体氛围经由贯通单元隔板36的排气连接管75排气。排气连接管75与配置在排气部101-104的排气配管76连接。排气连接管75也可经由切换机构77,与多个排气配管76连接。切换机构77例如如下动作:根据从多个喷嘴55喷出的处理液的种类(例如药液的种类),将来自排气连接管75的排气引导到与所述处理液的种类预先建立对应的排气配管76。
图8是用来说明衬底处理装置1的控制相关的构成的框图。衬底处理装置1具备控制器110。控制器110也可为包含处理器111(CPU(Central Processing Unit:中央处理单元))及存储器112的计算机。处理器111执行存储在存储器112的程序120。由此,控制器110实现由分度器机械手26及主搬送机械手8L、8U搬送衬底W、DW的衬底搬送动作;由处理单元11L-43U处理衬底W的衬底处理动作;处理单元11L-43U中执行使用伪衬底DW的伪处理的伪处理动作。为了这些动作,控制器110控制衬底处理装置1所配备的各控制对象。控制对象包含分度器机械手26、主搬送机械手8L、8U、及处理单元11L-43U等所配备的驱动部。此外,控制器110的控制对象包含配置在液体供给部91-94的阀59及泵69,包含配置在排气部101-104的致动器类。
存储器112中存储着各种数据130。数据130包含用来处理制品用衬底W的制品参数131、及用于使用伪衬底DW的伪处理的伪处理参数132。制品参数131为规定衬底W的搬送动作及针对衬底W的处理内容的数据。伪处理参数132为规定伪衬底DW的搬送动作及使用伪衬底DW的处理内容的数据。控制器110在处理衬底W时,依照制品参数131对控制对象进行控制,执行伪处理时,依照伪处理参数132对控制对象进行控制。
制品参数131也可通过来自能通信地连接在控制器110的主计算机150的数据通信给出,并存储在存储器112。伪处理参数132也同样,也可从主计算机150通过通信而给出,并存储在存储器112。此外,这些制品参数131及伪处理参数132也可使用连接在控制器110的用户界面140,由操作者输入或编辑。伪处理参数132也可根据制品参数131的内容,由控制器110自动产生。制品参数131及伪处理参数132中的任一个无须为一种,也可将多个制品参数131或多个伪处理参数132存储在存储器112。
例如,伪处理参数132包含规定对伪衬底DW实施与制品用衬底W相同处理的前处理的前处理参数。前处理参数也可为制品参数131中,将搬入到处理单元11L-43U的衬底从制品用衬底W置换为伪衬底DW的参数。这种前处理参数也可由控制器110基于制品参数131自动产生。例如,进行对衬底W供给高温处理液的处理的情况下,通过执行前处理,能将高温处理液引导到喷嘴55,且能通过高温处理液加热处理液配管56及处理单元11L-43U的内部。由此,能在经适当管理温度的环境下,对制品用衬底W供给适当温度的处理液。如此,前处理是为了适当处理制品用衬底W,而用来调整处理单元11L-43U的处理环境的准备处理的一例。
此外,伪处理参数132包含使旋转夹盘40保持伪衬底DW,清洗处理单元11L-43U的内部的单元清洗参数。依照单元清洗参数进行的单元清洗处理使旋转夹盘40保持伪衬底DW并旋转,在所述状态下,将清洗液(药液或纯水)供给到伪衬底DW。由此,在伪衬底DW上承受离心力的清洗液飞散到旋转夹盘40周围,将处理杯39的内部清洗。通过视需要使处理杯39上下移动,清洗液对处理杯39的内壁面的入射位置上下变化,所以能将处理杯39的内壁面有效清洗。此外,也能通过处理杯39的上下移动或旋转夹盘40的上下移动,将伪衬底DW配置在比处理杯39的上端更上方,对处理杯39外的处理室35的内部供给清洗液,清洗处理室35的内部。
存储在存储器112的数据130还包含将多个处理单元11L-43U与伪衬底收容部7L、7U的伪衬底槽DL1-DL12、DU1-DU12建立对应的伪衬底表格133。对多个伪衬底槽DL1-DL12、DU1-DU12分别附注唯一的伪衬底槽编号(伪衬底槽识别信息)。并且,将一个伪衬底槽编号与各处理单元11L-43U建立对应。伪衬底表格133将第1处理块层BL的多个(本实施方式中为12个)处理单元11L-43L、与所述第1处理块层BL的伪衬底收容部7L的多个(本实施方式中为12个)伪衬底槽编号一对一建立对应。此外,伪衬底表格133将第2处理块层BU的多个(本实施方式中为12个)处理单元11U-43U、与所述第2处理块层BU的伪衬底收容部7U的多个(本实施方式中为12个)伪衬底槽编号一对一建立对应。因此,伪衬底表格133将衬底处理装置1具备的多个(本实施方式中为24个)处理单元11L-43U、与伪衬底收容部7L、7U的多个(本实施方式中为24个)槽编号一对一建立对应。
存储在存储器112的数据130还包含伪衬底历程数据134。伪衬底历程数据134包含表示分别与伪衬底收容部7L、7U的多个伪衬底槽编号对应的伪衬底槽DL1-DL12、DU1-DU12所收容的伪衬底DW的使用历程的数据。使用历程优选为包含伪衬底DW用于处理单元11L-43U的处理的使用次数(累积次数)、伪衬底DW用于处理单元11L-43U的处理的使用时间(累积时间)、及伪衬底DW在处理单元11L-43U中接受的处理的历程中的至少一个。
存储在存储器112的数据130还包含表示各处理单元11L-43U的单元使用历程的单元使用历程数据135。单元使用历程数据135优选为包含各处理单元11L-43U的衬底处理块数、及表示各处理单元11L-43U未用于衬底处理的持续时间的未使用持续时间。处理单元11L-43U的内部环境因重复衬底处理而逐渐恶化,所以优选为对无须维护而能连续处理的衬底块数设定适当的上限。此外,当未处理衬底W的时间变长时,处理单元11L-43U的内部环境逐渐劣化。具体来说,有致使附着在处理杯39的内壁等的药液干燥结晶化,而成为颗粒的情况。此外,使用高于室温的温度的高温处理液的情况下,如果因未使用状态持续,长时间切断处理液的流通,那么处理液配管56或喷嘴55的温度降低。因此,有下一次喷出处理液时,处理液的热被处理液配管56或喷嘴55夺去,而使得刚喷出的处理液的温度不适当的情况。因此,优选为对于未使用持续时间也设定适当的上限。通过将单元使用历程数据135(衬底处理块数、未使用持续时间等)与对应的设定值进行比较,能判断是否需要针对处理单元11L-43U的维护。
图9是用来说明与伪处理关联的控制器110的动作的流程图。控制器110对多个处理单元11L-43U中的每一个并行或依序执行图9的处理。
控制器110判断对象处理单元11L-43U中,是否在执行制品用衬底W的处理(步骤A1)。如果处理单元11L-43U中,衬底W的处理结束,且将所述已处理衬底W从处理单元11L-43U搬出(步骤A1:否(NO)),那么控制器110参考所述处理单元11L-43U的单元使用历程数据135,判断衬底处理块数是否达到设定值(步骤A2)。衬底处理块数为设定值以上时(步骤A2:是(YES)),控制器110判断为单元清洗执行条件(维护执行条件的一个例自)已充足,为了清洗处理单元11L-43U的内部,依照单元清洗参数执行单元清洗处理(维护处理的一个例子)(步骤A3)。此外,控制器110将所述处理单元的衬底处理块数重设为初始值(例如0),更新单元使用历程数据135(步骤A4)。
单元清洗处理为伪处理的一个例子,包含伪衬底搬入步骤A31、伪处理步骤A32、及伪衬底收容步骤A33。伪衬底搬入步骤A31为以下步骤:由主搬送机械手8L、8U从对应的伪衬底槽DL1-DL12、DU1-DU12搬出伪衬底DW,向处理单元11L-43U搬送,并将它搬入到所述处理单元。伪处理步骤A32为在所述处理单元中,执行使用伪衬底DW的处理的步骤,此处为所述处理单元的内部的清洗处理。伪衬底收容步骤A33为以下步骤:在清洗处理单元内部后,从所述处理单元搬出伪衬底DW,搬送到原来的伪衬底槽DL1-DL12、DU1-DU12并收容。控制器110参考伪衬底表格133,特定与所述处理单元11L-43U对应的伪衬底槽DL1-DL12、DU1-DU12,执行伪衬底搬入步骤A31及伪衬底收容步骤A33。
单元清洗处理结束后,控制器110判断是否需要用来调整处理单元11L-43U的处理环境(处理条件)的前处理(步骤A5、A6)。具体来说,控制器110调查是否从主计算机150给出制品衬底的处理要求(处理预约)(步骤A5)。如果给出了制品衬底的处理要求(步骤A5:是),那么控制器110判断所述处理单元11L-43U的未使用持续时间是否达到设定值(步骤A6)。未使用持续时间为设定值以上的情况下(步骤A6:是),也就是说,处理单元11L-43U超出特定的长时间未用于制品用衬底W的情况下,控制器110判断为需要前处理,也就是说,前处理执行条件(维护执行条件的一个例子)充足。
当判断为需要前处理时,控制器110依照前处理参数执行前处理(步骤A7)。具体来说,控制器110参考伪衬底表格133,特定与所述处理单元11L-43U对应的伪衬底槽DL1-DL12、DU1-DU12。接着,控制器110控制主搬送机械手8L、8U,从所述特定出的伪衬底槽搬出伪衬底DW,将所述伪衬底DW搬送到所述处理单元11L-43U(伪衬底搬入步骤A71)。所述搬送后,主计算机150在所述处理单元11L-43U中,对伪衬底DW执行与对制品用衬底W的处理相同的处理(伪处理步骤A72)。当所述处理结束时,主计算机150控制主搬送机械手8L、8U,从所述处理单元11L-43U取出伪衬底DW,将其搬送到原来的伪衬底槽,将所述伪衬底DW收容在所述伪衬底槽(伪衬底收容步骤A73)。这样执行前处理后,控制器110将未使用持续时间重设为初始值(例如0)(步骤A8),更新单元使用历程数据135(步骤A9)。
如上所述,在给出制品衬底W的处理要求(处理预约)的时点,控制器110执行前处理。前处理包含搬送伪衬底DW(步骤A71)及使用所述伪衬底DW的伪处理(步骤A72)。因此,与将收容着制品衬底W的载体C保持在载体保持部25,由分度器机械手26从所述载体C取出处理对象衬底W,搬送到衬底载置部6L、6U的衬底搬入动作(步骤S20)并行,或在其之前执行前处理(伪衬底搬入步骤A71及/或伪处理步骤A72)。此时,分度器机械手26不涉及伪衬底DW的搬送。因此,分度器机械手26不会阻碍制品衬底W的搬送,而在处理块3的内部搬送伪衬底DW,执行前处理。
另外,为方便起见,图9表示分度器机械手26对制品衬底W的搬入步骤A20,但并非意指与前处理步骤A7的前后关系如图所示。如上所述,可在前处理步骤A7之前,或与其并行进行(可开始)制品衬底搬入步骤A20,此外,也可在前处理步骤A7之后,进行(开始)制品衬底搬入步骤20。
前处理参数规定了对伪衬底DW进行应对制品用衬底W进行的处理的前处理。因此,通过对伪衬底DW执行前处理,消耗伪衬底DW。具体来说,通过对伪衬底DW进行使用具有蚀刻作用的药液的前处理,蚀刻伪衬底DW的表面,伪衬底DW的厚度减少。因此,如果执行前处理参数,那么控制器110更新与所述处理单元11L-43U建立对应的伪衬底槽DL1-DL12、DU1-DU12的伪衬底历程数据134(步骤A9)。例如,伪衬底历程数据134包含使用次数数据的情况下,增加使用次数数据。并且,伪衬底历程数据134,例如使用次数数据达到设定值时(步骤A10:是),控制器110对主计算机150警告所述伪槽的伪衬底DW达到使用期间(使用界限)(步骤A11)。收到警告的主计算机150也可对用户发出警告,催促更换伪衬底DW,或自动计划更换所述伪衬底DW。
当前处理结束时,控制器110执行依照制品参数的控制(步骤A12)。由此,主搬送机械手8L、8U从衬底载置部6L、6U取出衬底W,将它搬送到处理单元11L-43U(衬底搬入步骤A121)。并且,处理单元11L-43U中,对衬底W执行使用处理液(药液、清洗液等)的处理(处理步骤A122)。所述处理结束后,主搬送机械手8L、8U取出已处理的衬底W,将它搬送到衬底载置部6L、6U(衬底收容步骤A123)。存在未处理衬底W的情况下(连续处理多块衬底W的情况下)(步骤A13:是),重复同样动作。在所述期间,当所述处理单元的衬底处理块数达到设定值时(步骤A14:是),返回到步骤A3,执行单元清洗处理。非连续处理的情况下(步骤A13:否),返回并重复从步骤A1起的处理。
如果无来自主计算机150的处理要求(处理预约)(步骤A5:否),那么控制器110判断待机状态的持续时间,也就是不使用持续时间是否达到设定值(步骤A15)。如果不使用持续时间未达设定值,那么成为待机状态。如果不使用持续时间达到设定值(步骤A15:YES(是)),那么控制器110执行预先设定的维护处理(步骤A16)。维护处理也可为单元清洗处理。所述单元清洗处理与步骤A3的情况同样,可为使用伪衬底DW的处理(伪处理的一种),也可为不使用伪衬底DW的处理。此外,维护处理也可为与前处理类似的处理。此外,维护处理也可为其它处理。维护处理主要为用来将处理单元11L-43U的处理室35内的环境保持适于处理制品用衬底W的状态的处理,也可为衬底处理装置1的用户预先设定的处理。进行使用伪衬底DW的伪处理作为维护处理的情况下,维护处理包含:从对应的伪衬底槽取出伪衬底DW,将它搬入到所述处理单元的步骤A161;在处理单元内进行使用伪衬底DW的伪处理的步骤A162;及在所述处理后,将伪衬底DW收容到对应的伪衬底槽的步骤A163。
在无来自主计算机150的处理要求(处理预约)的时点,控制器110无法自动计划与制品参数131相同的前处理。因此,优选为即使随时执行维护处理(步骤A16),在有来自主计算机150的处理要求(处理预约)时,也执行与所述制品处理对应的前处理(步骤A7)。
将伪衬底DW预先被导入到衬底处理装置1的内部,收容到伪衬底收容部7L、7U。具体来说,例如通过工厂内所配备的自动载体搬送机构,将收容伪衬底DW的载体C交给载体保持部25。分度器机械手26从所述载体C取出伪衬底DW,将它搬送到衬底载置部6L、6U。第1处理块层BL的主搬送机械手8L从衬底载置部6L向伪衬底收容部7L搬送伪衬底DW并收容。第2处理块层BU的主搬送机械手8U从衬底载置部6U向伪衬底收容部7U搬送伪衬底DW并收容。
如果导入新的伪衬底DW,并将它收容到伪衬底收容部7L、7U,那么控制器110将与收容所述新的伪衬底DW的伪衬底槽对应的伪衬底历程数据134重设为初始值。
更换衬底处理装置1内的伪衬底DW时,通过主搬送机械手8L、8U及分度器机械手26,从伪衬底收容部7L、7U向保持在载体保持部25的载体C搬送伪衬底DW。具体来说,将更换对象伪衬底DW收容到第1处理块层BL的伪衬底收容部7L时,主搬送机械手8L从伪衬底收容部7L向衬底载置部6L搬送所述伪衬底DW。将更换对象伪衬底DW收容到第2处理块层BU的伪衬底收容部7U时,主搬送机械手8U从伪衬底收容部7U向衬底载置部6U搬送所述伪衬底DW。分度器机械手26将放置在衬底载置部6L、6U的伪衬底DW搬送到保持在载体保持部25的载体C并收容。多块伪衬底DW为更换对象时,重复同样操作。
如上所述,根据本实施方式,在分度器块2的横向上相邻的处理块3构成为在上下方向Z积层多个处理块层BL、BU。并且,在各处理块层BL、BU,配备收容伪衬底DW的伪衬底收容部7L、7U。由于能在处理块层BL、BU的内部收容伪衬底DW,所以处理单元11L-43U中无须使用伪衬底DW时,能不涉及分度器机械手26,而在伪衬底收容部7L、7U与处理单元11L-43U间搬送伪衬底DW。
因此,能减轻分度器机械手26的搬送负载,所以能减轻对搬送制品用衬底W的影响,且进行使用伪衬底DW的处理。尤其,在各自具有多个处理单元11L-43L、11U-43U的多个处理块层BL、BU与载体保持部25间搬送衬底W的分度器机械手26的搬送负载非常大。因此,通过减轻分度器机械手26的搬送负载,制品用衬底W的搬送效率变好,相应地能提高生产性。由于各处理块层BL、BU的主搬送机械手8L、8U负责所述处理块层BL、BU内的衬底W的搬送,所以与分度器机械手26相比,搬送负载小。因此,基于生产效率的观点来说,由主搬送机械手8L、8U在处理块层BL、BU的内部负责搬送伪衬底DW问题不大。
此外,由于伪衬底收容部7L、7U位于处理块层BL、BU内,所以伪衬底收容部7L、7U与处理单元11L-43U间的伪衬底DW的搬送可不经由用于分度器机械手26与处理块层BL、BU间的衬底交接的衬底载置部6L、6U而进行。因此,能减少伪衬底DW的搬送与制品用衬底W的搬送的干扰,所以制品用衬底W的搬送效率变好,相应地能提高生产性。
而且,与日本专利特开2017-41506号公报的情况不同,不会被收容伪衬底DW的伪载体持续长时间占用收容保持部25。由此,能抑制收容制品用衬底W的载体C的搬入产生待机时间,所以能有助于提高生产性。
此外,本实施方式中,各处理块层BL、BU中,多个处理单元11L-43L、11U-43U沿由主搬送机械手8L、8U搬送衬底W的搬送路径51L、51U,排列在搬送路径51L、51U的两侧,且在上下方向Z积层而排列。因此,以能通过主搬送机械手8L、8U有效进行衬底搬送的方式,设计处理块层BL、BU内的多个处理单元11L-43U的配置。由此,能有助于提高生产性。
此外,本实施方式中,衬底载置部6L、6U及伪衬底收容部7L、7U均配置在分度器机械手26与主搬送机械手8L、8U间。由此,能有效进行经由衬底载置部6L、6U进行的分度器机械手26与主搬送机械手8L、8U间的衬底W的搬送。并且,能将伪衬底收容部7L、7U配置在不与分度器机械手26对衬底W的搬送、及主搬送机械手8L、8U对衬底W的搬送发生干扰的位置。因此,能不对制品用衬底W的搬送带来影响,而在处理块层BL、BU内保持伪衬底DW。
更具体来说,本实施方式中,伪衬底收容部7L、7U与衬底载置部6L、6U互相的高度不同而立体配置。由此,能有效利用处理块层BL、BU内的空间,将伪衬底收容部7L、7U适当配置在处理块层BL、BU内。其结果,实现不阻碍制品用衬底W的搬送的伪衬底收容部7L、7U的配置。
此外,本实施方式中,伪衬底收容部7L、7U以在俯视时,与衬底载置部6L、6U重合的方式配置。由此,利用衬底载置部6L、6U的上方或下方的空间,配置伪衬底收容部7L、7U。由此,能实现不阻碍制品用衬底W的搬送的伪衬底收容部7L、7U的配置,有效利用处理块层BL、BU内的空间,配置伪衬底收容部7L、7U。如上所述,具体来说,伪衬底收容部7L、7U在俯视时与衬底载置部6L、6U重合的配置也可为收容在伪衬底收容部7L、7U的伪衬底DW的一部分或全部与保持在衬底载置部6L、6U的衬底W重合的配置。
更具体来说,本实施方式中,在第1处理块层BL(下层处理块层)上,积层着第2处理块层BU(上层处理块层)。并且,第1处理块层BL中,伪衬底收容部7L位于衬底载置部6L的下方。另一方面,第2处理块层BU中,伪衬底收容部7U位于衬底载置部6U的下方。由此,能减少第1处理块层BL的衬底载置部6L与第2处理块层BU的衬底载置部6U间的高低差。由此,能缩短分度器机械手26在上下方向Z的衬底搬送行程,所以能减轻分度器机械手26的搬送负载。因此,能提高制品用衬底W的搬送效率,有助于提高生产性。
此外,本实施方式中,各处理块层BL、BU的伪衬底收容部7L、7U包含与所述处理块层BL、BU所含的多个处理单元11L-43L、11U-43U相同数量的多个伪衬底槽DL1-DL12、DU1-DU12。并且,各伪衬底槽DL1-DL12、DU1-DU12以保持1块伪衬底DW的方式构成。由此,能在各处理块层BL、BU内保持与处理单元11L-43L、11U-43U相同数量的伪衬底DW。因此,如果需要对任一个处理单元11L-43L、11U-43U搬入伪衬底DW,那么能通过主搬送机械手8L、8U,对所述处理单元迅速搬入伪衬底DW,进行伪处理。由于分度器机械手26不涉及伪衬底DW的搬入,所以能抑制或防止对搬送制品用衬底W的影响。
而且,本实施方式中,各处理块层BL、BU的多个处理单元11L-43L、11U-43U与所述处理块层的多个伪衬底槽DL1-DL12、DU1-DU12一对一建立对应。并且,主搬送机械手8L、8U在互相对应的伪衬底槽DL1-DL12、DU1-DU12与处理单元11L-43L、11U-43U间搬送伪衬底DW。根据所述构成,保持在伪衬底槽的伪衬底DW能设为对应的处理单元所使用的专用的伪衬底。由此,管理伪衬底DW的使用历程变容易。
此外,本实施方式中,伪处理条件(单元清洗执行条件、前处理条件、维护执行条件)充足时,控制器110控制主搬送机械手8L、8U,从伪衬底收容部7L、7U向处理单元11L-43L、11U-43U搬送伪衬底DW,在所述处理中执行伪处理。如此,能通过处理块层BL、BU内的伪衬底DW的搬送,开始伪处理,所以能抑制或防止对搬送制品用衬底W的影响,且迅速开始伪处理。
此外,根据本实施方式,通过控制器110控制衬底处理装置1的各部,执行如下步骤。也就是说,在各处理块层BL、BU内,执行主搬送机械手8L、8U将收容在所述处理块层内的伪衬底收容部7L、7U的伪衬底DW搬入到所述处理块层内的多个处理单元11L-43L、11U-43U中的任一个的伪衬底搬入步骤(步骤A31、A71、A161)。并且,执行在所述处理单元内进行使用所述搬入的伪衬底DW的伪处理的伪处理步骤(步骤A32、A72、A162)。而且,伪处理后,执行主搬送机械手8L、8U将伪衬底DW从处理单元取出,搬送到伪衬底收容部7L、7U的步骤(步骤A33、A73、A163)。此外,执行将载置在所述处理块层BL、BU的衬底载置部6L、6U的衬底W搬入到所述处理块层BL、BU的多个处理单元11L-43L、11U-43U中的任一个的步骤(步骤A121)。并且,执行在所述处理单元内处理所述搬入的衬底W的步骤(步骤A122)。由此,能减轻分度器机械手26的搬送负载,且在各处理块层BL、BU的处理单元11L-43L、11U-43U中进行使用伪衬底DW的处理。由此,能提高生产效率。
也可通过控制器110的控制,与分度器机械手26从保持在载体保持部25的载体C取出衬底W,搬入到任一个处理块层BL、BU的衬底载置部6L、6U的衬底搬入步骤(步骤A20)并行,或在所述衬底搬入步骤(步骤A20)之前,执行所述伪衬底搬入步骤(步骤A71)。由此,能通过分度器机械手26,将制品用衬底W搬入到处理块层BL、BU,另一方面,在各处理块层BL、BU内,将伪衬底DW搬入到处理单元11L-43L、11U-43U。由于分度器机械手26不涉及伪衬底DW的搬入,所以能不等待分度器机械手26的衬底W的搬送,或与所述衬底搬送并行,进行处理块层BL、BU内的伪衬底DW的搬送。因此,不仅能减轻分度器机械手26的搬送负载,也能在处理块层BL、BU内,将伪衬底DW迅速搬送到处理单元。
此外,也可通过控制器110的控制,与将制品用衬底W通过分度器机械手26搬入到衬底载置部6L、6U的衬底搬入步骤(步骤A20)并行,或在所述衬底搬入步骤之前,执行所述伪处理步骤(步骤A72)。由此,不仅能减轻分度器机械手26的搬送负载,也能在处理块层BL、BU内,迅速开始伪处理。例如,当从主计算机150接收衬底处理要求时,可对其进行应答,在适当时期开始搬送伪衬底DW及接续其后的伪处理。由此,可将处理单元11L-43L、11U-43U内的环境调整为适当时期,所以将收容制品用衬底W的载体C搬入到载体保持部25时,能迅速开始处理衬底W。由此,能有助于提高生产性。
以上,对本发明的一实施方式进行了说明,但本发明也能再以其它实施方式实施。例如,所述实施方式中,表示了积层2层处理块层BL、BU构成的处理块3的构成,但也可积层3层以上处理块层而构成处理块。此外,所述实施方式中,表示了具有将各处理块层BL、BU积层3层的处理单元配置的例,但各处理块层所包含的处理单元可积层2层,也可积层4层以上,还可在1层配置所有处理单元。此外,所述实施方式中,表示了在搬送路径51L、51U的两侧配置处理单元11L-43U的例,但也可在搬送路径51L、51U的一侧配置处理单元。此外,所述实施方式中,在搬送路径51L、51U的一侧,沿所述搬送路径51L、51U配置2个处理单元,但也可配置1个处理单元,还可配置3个以上的处理单元。
此外,所述实施方式中,在分度器块2及处理块3的相邻的后隔板2a及前隔板3a,形成与衬底载置部6L、6U对应的窗4L、4U,未形成与伪衬底收容部7L、7U对应的窗。但,也可在后隔板2a及前隔板3a追加与伪衬底收容部7L、7U对应的窗。通过设置这种追加的窗,将伪衬底DW导入到处理块层BL、BU时,分度器机械手26能直接存取伪衬底收容部7L、7U,搬入并伪衬底DW。但,由于无须频繁进行伪衬底DW的搬入,所以实用上无须设置如上所述的追加的窗。
此外,所述实施方式中,在各处理块层BL、BU的伪衬底收容部7L、7U,设置与处理单元11L-43L、11U-43U相同数量的伪衬底槽DL1-DL12、DU1-DU12,这些伪衬底槽与处理单元11L-43L、11U-43U一对一对应。但,例如也可使各处理块层BL、BU中伪衬底槽的数量少于处理单元的数量,将一个伪衬底槽与多个处理单元建立对应。
虽已对本发明的实施方式详细说明,但这些只不过是用来明确本发明的技术性内容的具体例,本发明不应限定在这些具体例而解释,本发明的范围仅由附加的权利要求书的范围限定。

Claims (15)

1.一种衬底处理装置,包含:分度器块;及
处理块,在所述分度器块的横向上相邻,在上下方向积层着多个处理块层;且
所述分度器块包含:收容器保持部,用来保持收容衬底的衬底收容器;及第1搬送机构,在保持在所述收容器保持部的衬底收容器与所述处理块之间搬送衬底;
各处理块层包含:多个处理单元,对衬底进行处理;衬底载置部,暂时保持在所述第1搬送机构与所述处理块层之间交接的衬底;伪衬底收容部,收容所述多个处理单元中能使用的伪衬底;及第2搬送机构,在所述衬底载置部与所述多个处理单元之间搬送衬底,在所述伪衬底收容部与所述多个处理单元之间搬送伪衬底。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中各处理块层中,
所述多个处理单元沿由所述第2搬送机构搬送衬底的搬送路径,排列在所述搬送路径的两侧,且在上下方向积层而排列。
3.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中所述衬底载置部配置在所述第1搬送机构与所述第2搬送机构之间,
所述伪衬底收容部配置在所述第1搬送机构与所述第2搬送机构之间。
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中所述伪衬底收容部配置在与所述衬底载置部不同的高度。
5.根据权利要求4所述的衬底处理装置,其中所述伪衬底收容部以俯视时,与所述衬底配置部重合的方式配置。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的衬底处理装置,其中所述多个处理块层包含第1处理块、与配置在所述第1处理块层的上方的第2处理块层。
所述第1处理块层中,所述伪衬底收容部位于所述衬底载置部的下方。
所述第2处理块层中,所述伪衬底收容部位于所述衬底载置部的上方。
7.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的衬底处理装置,其中各处理块层的所述伪衬底收容部包含与所述处理块层所包含的所述多个处理单元相同数量的多个伪衬底槽,各伪衬底槽以保持1块伪衬底的方式构成。
8.根据权利要求7所述的衬底处理装置,其中各处理块层的所述多个处理单元与所述处理块层的所述多个伪衬底槽一对一建立对应,所述第2搬送机构在互相对应的所述伪衬底槽与所述处理单元之间搬送伪衬底。
9.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的衬底处理装置,还包含控制器,记录收容在所述伪衬底收容部的伪衬底的使用历程,基于所述伪衬底的使用历程,当所述伪衬底达到使用界限时,发出警告。
10.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的衬底处理装置,还包含控制器,控制所述第2搬送机构及所述处理单元,
当伪处理条件充足时,所述控制器控制所述第2搬送机构,从所述伪衬底收容部向所述处理单元搬送伪衬底,控制所述处理单元,执行伪处理。
11.根据权利要求10所述的衬底处理装置,其中所述伪处理包含用来维护所述处理单元的维护处理。
12.根据权利要求11所述的衬底处理装置,其中所述维护处理包含准备处理及单元清洗处理中的至少一个,且所述准备处理调整用来处理保持在所述收容器保持部的衬底收容器所收容的衬底的环境;所述单元清洗处理用来清洗所述处理单元的内部。
13.一种衬底处理方法,其是在衬底处理装置中执行的衬底处理方法,所述衬底处理装置包含:收容器保持部,用来保持收容衬底的衬底收容器;分度器块,具有在保持在所述收容器保持部的衬底收容器与处理块之间搬送衬底的第1搬送机构;及所述处理块,在所述分度器块的横向上相邻,在上下方向积层着多个处理块层;且
各处理块层包含:多个处理单元,对衬底进行处理;衬底载置部,暂时保持在所述第1搬送机构与所述处理块层之间交接的衬底;伪衬底收容部,收容所述多个处理单元中能使用的伪衬底;及第2搬送机构,在所述衬底载置部与所述多个处理单元间搬送衬底,在所述伪衬底收容部与所述多个处理单元之间搬送伪衬底;且所述衬底处理方法执行以下步骤:
伪衬底搬入步骤,在各处理块层内,所述第2搬送机构将收容在所述处理块层内的所述伪衬底收容部的伪衬底搬入到所述处理块层内的多个处理单元中的任一个;伪处理步骤,在所述处理单元内进行使用所述搬入的伪衬底的伪处理;所述伪处理后,所述第2搬送机构将所述伪衬底从所述处理单元取出,搬送到所述伪衬底收容部的步骤;所述第2搬送机构将载置在所述处理块层的所述衬底载置部的衬底搬入到所述处理块层的多个处理单元中的任一个的步骤;及在所述处理单元内,处理所述搬入的衬底的步骤。
14.根据权利要求13所述的衬底处理方法,其中与所述第1搬送机构从所述衬底收容器取出衬底,将它搬入到所述多个处理块层中的任一个的所述衬底载置部的衬底搬入步骤并行,或在所述衬底搬入步骤之前,执行所述伪衬底搬入步骤。
15.根据权利要求14所述的衬底处理方法,其中与所述衬底搬入步骤并行,或在所述衬底搬入步骤之前,执行所述伪处理步骤。
CN202110980004.0A 2020-08-28 2021-08-25 衬底处理装置及衬底处理方法 Pending CN114121719A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020145033A JP2022039827A (ja) 2020-08-28 2020-08-28 基板処理装置および基板処理方法
JP2020-145033 2020-08-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114121719A true CN114121719A (zh) 2022-03-01

Family

ID=80358973

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110980004.0A Pending CN114121719A (zh) 2020-08-28 2021-08-25 衬底处理装置及衬底处理方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11640916B2 (zh)
JP (1) JP2022039827A (zh)
KR (1) KR102570393B1 (zh)
CN (1) CN114121719A (zh)
TW (1) TWI814058B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11442440B1 (en) * 2021-03-24 2022-09-13 Changxin Memory Technologies, Inc. Method and apparatus of handling control wafer, method of testing by using control wafer

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100763168B1 (ko) * 2001-05-15 2007-10-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수직형 세정장치
KR100539385B1 (ko) * 2004-06-03 2005-12-27 세메스 주식회사 기판 세정 설비 및 기판 세정 방법
JP4541966B2 (ja) * 2005-05-06 2010-09-08 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法及び塗布処理装置並びにコンピュータプログラム
JP2007173695A (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Sokudo:Kk 基板処理方法、基板処理システムおよび基板処理装置
JP2008153521A (ja) 2006-12-19 2008-07-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回収カップ洗浄方法および基板処理装置
JP4816545B2 (ja) * 2007-03-30 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5889814B2 (ja) 2013-02-20 2016-03-22 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板処理装置および基板収容方法
JP6512445B2 (ja) 2015-08-18 2019-05-15 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7277137B2 (ja) 2018-12-28 2023-05-18 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、および搬送モジュール
CN113644005A (zh) * 2020-05-11 2021-11-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种半导体处理系统

Also Published As

Publication number Publication date
US20220068682A1 (en) 2022-03-03
TW202226429A (zh) 2022-07-01
KR102570393B1 (ko) 2023-08-24
TWI814058B (zh) 2023-09-01
US11640916B2 (en) 2023-05-02
JP2022039827A (ja) 2022-03-10
US20230307277A1 (en) 2023-09-28
KR20220029456A (ko) 2022-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6769855B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5212165B2 (ja) 基板処理装置
KR101590648B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101295494B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20130118236A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP2013102235A (ja) 基板処理装置
KR101215712B1 (ko) 기판 처리 장치
CN114121719A (zh) 衬底处理装置及衬底处理方法
TWI807677B (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
WO2022201953A1 (ja) 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
WO2022201995A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5758509B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
WO2024042815A1 (ja) 基板処理装置
WO2024062695A1 (ja) 基板処理装置
JP2013051267A (ja) 槽キャリア及び基板処理装置
TW202414664A (zh) 基板處理裝置
TW202418458A (zh) 基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法
JP6195601B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR100625308B1 (ko) 기판세정장치
JP2001259543A (ja) 基板洗浄システム

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination