TWI814058B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種基板處理裝置，其包含：傳載區塊；及處理區塊，其相鄰於上述傳載區塊之橫向，於上下方向積層有複數個處理區塊。上述傳載區塊包含：收容器保持部，其用以保持收容基板之基板收容器；及第1搬送機構，其於上述收容器保持部所保持之基板收容器與上述處理區塊之間搬送基板。各處理區塊層包含：複數個處理單元，其等對基板進行處理；基板載置部，其暫時保持於上述第1搬送機構與該處理區塊層之間交接之基板；虛設基板收容部，其收容可於上述複數個處理單元中使用之虛設基板；及第2搬送機構，其於上述基板載置部與上述複數個處理單元之間搬送基板，於上述虛設基板收容部與上述複數個處理單元之間搬送虛設基板。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種處理基板之裝置及方法。成為處理對象之基板包含例如半導體晶圓、液晶顯示裝置及有機EL(Electroluminescence：電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display：平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。
半導體裝置之製造步驟中，使用對如半導體晶圓般之基板進行處理之基板處理裝置。此種基板處理裝置之一例揭示於日本專利特開2017-41506號公報中。此種基板處理裝置包含：載體保持部，其保持收容基板之載體；複數個處理單元，其等對基板進行處理；搬送單元，其於載體與處理單元之間搬送基板；及控制單元。當處理單元之未使用持續時間達到特定時間時，控制裝置要求對主機裝置搬入保持有虛設基板之虛設載體。若將虛設載體搬入至載體保持部，則搬送單元自虛設載體向處理單元搬送虛設基板。使用該虛設基板進行處理單元之洗淨。
搬送單元包含傳載機械手與主搬送機械手，於該等之間配置有交接單元。傳載機械手於載體與交接單元之間搬送基板。主搬送機械手於交接單元與處理單元之間搬送基板。
若將虛設載體配置於載體保持部，則傳載機械手自虛設載體取出虛設基板，將其搬送至交接單元。將該虛設基板藉由主搬送機械手，自交接單元搬送至處理單元。當使用虛設基板之單元洗淨處理結束時，主搬送機械手將虛設基板自處理單元取出，將其搬送至交接單元。將該虛設基板藉由傳載機械手，自交接單元搬送至虛設載體。將所有虛設基板收容於虛設載體後，將虛設載體自載體保持部搬出。
如此，將虛設基板自基板處理裝置之外部導入，通過與製品基板相同之路徑搬送至處理單元，且自處理單元搬出，收容於虛設載體。因此，為搬送虛設基板而使用傳載機械手及主搬送機械手之兩者，且通過交接單元搬送虛設基板。藉此，虛設基板之搬送與製品基板之搬送會發生干涉，製品基板之搬送效率變差，結果阻礙生產性之提高。
尤其，以增加處理單元之數量，並行處理多塊製品基板之方式構成之基板處理裝置中，傳載機械手及主搬送機械手之搬送負載較大，其之減輕係提高生產性之關鍵。
又，將虛設載體搬入至載體保持部，將虛設基板自此處搬送至處理單元，直至結束處理單元之處理，將該虛設基板收容至載體為止，虛設載體佔用載體保持部。因此，因虛設載體持續佔用載體保持部，故有製品基板之搬入產生等待時間之虞。因此，基於該觀點，亦會阻礙生產性提高。
因此，本發明之一實施形態提供一種可減輕對搬送製品用基板之影響，且於處理單元內進行使用虛設基板之處理之基板處理裝置及基板處理方法。
本發明之一實施形態提供一種基板處理裝置，其包含：傳載區塊；及處理區塊，其相鄰於上述傳載區塊之橫向，於上下方向積層有複數個處理區塊層。上述傳載區塊包含：收容器保持部，其用以保持收容基板之基板收容器；及第1搬送機構，其於上述收容器保持部所保持之基板收容器與上述處理區塊之間搬送基板。各處理區塊層包含：複數個處理單元，其等對基板進行處理；基板載置部，其暫時保持於上述第1搬送機構與該處理區塊層之間交接之基板；虛設基板收容部，其收容可於上述複數個處理單元中使用之虛設基板；及第2搬送機構，其於上述基板載置部與上述複數個處理單元之間搬送基板，於上述虛設基板收容部與上述複數個處理單元之間搬送虛設基板。
根據該構成，於相鄰傳載區塊之橫向之處理區塊係於上下方向積層複數個處理區塊層而構成。且，於各處理區塊層，具備收容虛設基板之虛設基板收容部。由於可於處理區塊層之內部收容虛設基板，故當處理單元中需要使用虛設基板時，無需藉由第1搬送機構，即可於虛設基板收容部與處理單元之間搬送虛設基板。
因此，由於可減輕第1搬送機構之搬送負載，故可減輕對搬送製品用基板之影響，且進行使用虛設基板之處理。尤其，於各自具有複數個處理單元之複數個處理區塊層與收容保持部之間搬送基板之第1搬送機構之搬送負載非常大。因此，藉由減輕第1搬送機構之搬送負載，製品用基板之搬送效率變佳，相應地，可提高生產效率。由於各處理區塊層之第2搬送機構負責該處理區塊層內之基板搬送，故與第1搬送機構相比，搬送負載較小。因此，第2搬送機構於處理區塊層之內部負責虛設基板之搬送，基於生產效率之觀點問題亦不大。
又，由於虛設基板收容部位於處理區塊層內，故虛設基板收容部與處理單元之間之虛設基板之搬送可不經由用於第1搬送機構與處理區塊層之間之基板交接的基板載置部而進行。因此，由於可減少虛設基板之搬送與製品用基板之搬送之干涉，故製品用基板之搬送效率變佳，相應地，可提高生產性。
再者，與日本專利特開2017-41506號公報之情形不同，收容器保持部不會被收容虛設基板之虛設載體持續長時間佔用。藉此，可抑制收容製品用基板之基板收容部之搬入產生等待時間，故可有助於提高生產性。
本發明之一實施形態中，於各處理區塊層中，上述複數個處理單元沿著由上述第2搬送機構搬送基板之搬送路徑，排列於該搬送路徑之兩側，且於上下方向積層而排列。
根據該構成，以可由第2搬送機構有效進行基板搬送之方式，設計處理區塊層內之複數個處理單元之配置。藉此，可有助於提高生產性。
本發明之一實施形態中，上述基板載置部配置於上述第1搬送機構與上述第2搬送機構之間，上述虛設基板收容部配置於上述第1搬送機構與上述第2搬送機構之間。
根據該構成，藉由將基板載置部配置於第1搬送機構與第2搬送機構之間，可有效進行該等之間之基板搬送。又，藉由將虛設基板收容部配置於第1搬送機構與第2搬送機構之間，可於不與第1搬送機構之基板搬送、及第2搬送機構之基板搬送干涉之位置，配置虛設基板收容部。因此，可抑制或防止對搬送製品用之基板之影響，且於處理區塊層內保持虛設基板。
本發明之一實施形態中，上述虛設基板收容部配置於與上述基板載置部不同之高度。根據該構成，由於可立體地配置虛設基板收容部與基板載置部，故可有效利用處理區塊層內之空間，將虛設基板收容部適當配置於處理區塊層內。藉此，可實現不阻礙製品用基板之搬送之虛設基板收容部之配置。
本發明之一實施形態中，上述虛設基板收容部以於俯視下與上述基板載置部(一部分或全部)重合之方式配置。根據該構成，可利用基板載置部之上方或下方之空間，以於俯視時與基板載置部重合之方式配置虛設基板收容部。藉此，可實現不阻礙製品用基板之搬送之虛設基板收容部之配置，且可有效利用處理區塊層內之空間，配置虛設基板收容部。
虛設基板收容部於俯視時與基板載置部重合之配置具體而言亦可為收容於虛設基板收容部之虛設基板之一部分或全部與保持於基板載置部之基板重合的配置。
本發明之一實施形態中，上述複數個處理區塊層包含第1處理區塊層、及配置於上述第1處理區塊層之上方之第2處理區塊層。於上述第1處理區塊層中，上述虛設基板收容部位於上述基板載置部之下方。於上述第2處理區塊層中，上述虛設基板收容部位於上述基板載置部之上方。
根據該構成，第1處理區塊層(下層)中，虛設基板收容部位於基板載置部之下方，第2處理區塊層(上層)中，虛設基板收容部位於基板載置部之上方。因此，可減少第1處理區塊層之基板載置部與第2處理區塊層之基板載置部之間之高低差。藉此，由於可縮短第1搬送機構之上下方向之基板搬送行程，故可減輕第1搬送機構之搬送負載。因此，可提高製品用基板之搬送效率，有助於提高生產性。
複數個處理區塊層亦可具有3層以上之處理區塊層。該情形時，第1處理區塊層與第2處理區塊層亦可為上下相鄰之處理區塊層，進而可於該等之間介置其他處理區塊層。
本發明之一實施形態中，各處理區塊層之上述虛設基板收容部包含與該處理區塊層所包含之上述複數個處理單元相同數量之複數個虛設基板槽。各虛設基板槽構成為保持1塊虛設基板。
根據該構成，可於各處理區塊層內保持與處理單元相同數量之虛設基板。因此，若需要對任一處理單元搬入虛設基板，則可藉由第2搬送機構，對該處理單元迅速搬入虛設基板。由於第1搬送機構不參與虛設基板之搬入，故可抑制或防止對搬送製品用基板之影響。
本發明之一實施形態中，各處理區塊層之上述複數個處理單元與該處理區塊層之上述複數個虛設基板槽一對一相對應。且，上述第2搬送機構於互相對應之上述虛設基板槽與上述處理單元之間搬送虛設基板。
根據該構成，由於處理區塊層內之複數個虛設基板槽與複數個處理單元一對一相對應，故保持於虛設基板槽之虛設基板可設為對應之處理單元專用之虛設基板。藉此，虛設基板之使用歷程之管理變容易。
本發明之一實施形態中，上述基板處理裝置進而包含控制器，其如下構成(編程)：記錄收容於上述虛設基板收容部之虛設基板之使用歷程，基於上述虛設基板之使用歷程，當該虛設基板達到使用界限時發出警告。
根據該構成，可適當管理虛設基板之使用狀況，可於適當時期發出警告。相應地，基板處理裝置之使用者可採取更換虛設基板等措施。由於虛設基板保持於基板處理裝置內，故可藉由配備於基板處理裝置之控制器，適當管理虛設基板之使用狀況。
上述使用歷程亦可包含虛設基板之使用次數。
上述控制器亦可與主機電腦可通信地連接。該情形時，控制器亦可以對主機電腦發送上述警告之方式構成(編程)。
本發明之一實施形態中，上述基板處理裝置進而包含控制器，其以控制上述第2搬送機構及上述處理單元之方式構成(編程)。上述控制器於滿足虛設處理條件時，控制上述第2搬送機構，使其自上述虛設基板收容部向上述處理單元搬送虛設基板，且控制上述處理單元，使其執行虛設處理。
根據該構成，當虛設處理條件滿足時，藉由搬送處理區塊層內之虛設基板，執行處理單元之虛設處理。因此，可抑制或防止對搬送製品用基板之影響，且實現虛設處理。
本發明之一實施形態中，上述虛設處理包含用以維護上述處理單元之維護處理。較佳為上述維護處理包含準備處理及單元洗淨處理中之至少一者，上述準備處理準備用以處理保持於上述收容器保持部之基板收容器所收容之基板(製品用基板)之環境；上述單元洗淨處理用以洗淨上述處理單元之內部。
例如，亦可計數由處理單元處理之基板之塊數，將其塊數達到設定值(或超出設定值)作為虛設處理條件(維護執行條件，例如單元洗淨執行條件)，進行維護處理(例如單元洗淨處理)。又，亦可測量處理單元未用於基板處理之未使用狀態之持續時間(未使用持續時間)，將該未使用測量時間達到設定值(或超出設定值)作為虛設處理條件(維護執行條件)，進行維護處理(例如，準備處理或單元洗淨處理)。
本發明之一實施形態提供一種於基板處理裝置中執行之基板處理方法，該基板處理裝置包含：收容器保持部，其用以保持收容基板之基板收容器；傳載區塊，其具有於上述收容器保持部所保持之基板收容器與處理區塊之間搬送基板的第1搬送機構；及處理區塊，其相鄰於上述傳載區塊之橫向，於上下方向積層有複數個處理區塊層。各處理區塊層包含：複數個處理單元，其等對基板進行處理；基板載置部，其暫時保持於上述第1搬送機構與該處理區塊層至間交接之基板；虛設基板收容部，其收容可於上述複數個處理單元中使用之虛設基板；及第2搬送機構，其於上述基板載置部與上述複數個處理單元之間搬送基板，於上述虛設基板收容部與上述複數個處理單元之間搬送虛設基板。上述基板處理方法執行以下步驟：於各處理區塊層內，上述第2搬送機構將收容於該處理區塊層內之上述虛設基板收容部之虛設基板搬入至該處理區塊層內之複數個處理單元之任一者的虛設基板搬入步驟；於該處理單元內進行使用上述搬入之虛設基板之虛設處理的虛設處理步驟；於上述虛設處理後，上述第2搬送機構將上述虛設基板自上述處理單元取出，搬送至上述虛設基板收容部的步驟；上述第2搬送機構將載置於該處理區塊層之上述基板載置部之基板搬入至該處理區塊層之複數個處理單元之任一者的步驟；及於該處理單元內，處理上述搬入之基板之步驟。
藉由該方法，可減輕第1搬送機構之搬送負載，且於各處理區塊層之處理單元中進行使用虛設基板之處理。藉此，可提高生產效率。
本發明之一實施形態中，與基板搬入步驟並行、或於該基板搬入步驟之前，執行上述虛設基板搬入步驟，上述虛設基板搬入步驟係由上述第1搬送機構自上述基板收容器取出基板，且將其搬入至上述複數個處理區塊層中之任一者之上述基板載置部。
根據該方法，可藉由第1搬送機構，將製品用基板搬入至處理區塊層，另一方面，於各處理區塊層內，將虛設基板搬入至處理單元。由於第1搬送機構亦可不參與虛設基板之搬入，故可不等待第1搬送機構對基板之搬送，或與其之基板搬送並行，進行處理區塊層內之虛設基板之搬送。因此，除可減輕第1搬送機構之搬送負載以外，亦可於處理區塊層內，將虛設基板迅速搬送至處理單元。
本發明之一實施形態中，與上述基板搬入步驟並行、或於該基板搬入步驟之前，執行上述虛設處理步驟。
如上所述，由於第1搬送機構不參與處理區塊層內之虛設基板之搬送，故可不等待第1搬送機構對基板之搬送，或與其之基板搬送並行，開始處理單元中之虛設處理。因此，除可減輕第1搬送機構之搬送負載以外，亦可於處理區塊層內迅速開始虛設處理。
本發明中之上述或進而其他目的、特徵及效果藉由以下參照隨附圖式敘述之實施形態之說明而明確。
圖1係顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置之內部構成之圖解俯視圖。圖2係自圖1之II-II線觀察之圖解縱剖視圖。圖3係自圖1之III-III線觀察之圖解橫剖視圖。圖4係自IV方向觀察，顯示一部分內部構成之圖解正視圖。
基板處理裝置1包含傳載區塊2、及於傳載區塊2之橫向(第1水平方向X)上與之相鄰之處理區塊3。
傳載區塊2包含複數個(本實施形態中為4個)載體保持部25(裝載埠)、及傳載機械手26。以下，為方便起見，有就第1水平方向X將載體保持部25之側定義為前方，將其相反側定義為後方而說明之情形。
複數個載體保持部25沿與第1水平方向X正交之第2水平方向Y排列。各載體保持部25構成為可接收並保持由工廠內配備之自動載體搬送機構自動搬送之載體C。各載體保持部25以可保持一個載體C之方式構成。載體C為收容處理對象之基板W(製品基板)之基板收容器。載體C之一例為FOPU(Front Opening Unified Pod：前開式晶圓盒)。載體C構成為可以積層狀態保持複數塊(例如25塊)基板W。更具體而言，載體C構成為保持於載體保持部25時，可將複數塊基板W保持水平姿勢且沿上下方向Z以積層狀態保持。載體保持部25為保持基板收容器即載體C之收容器保持部之一例。基板W例如為半導體晶圓。
傳載機械手26為第1搬送機構之一例。傳載機械手26構成為可接取分別保持於複數個載體保持部25之載體C，搬入/搬出基板W，而於載體保持部25與處理區塊3之間搬送基板W。本實施形態中，傳載機械手26為具備多關節臂27之多關節臂機械手。具體而言，傳載機械手26包含：連結有複數個臂28之多關節臂27、與多關節臂27之前端連結之一個以上之手29、及支持多關節臂27並上下移動之基台部30。構成多關節臂27之複數個臂28及手29可繞設定於各基端部之垂直之擺動軸線擺動，雖省略圖示，但具備用以使各臂28及各手29擺動之單獨之致動器(典型而言，為電動馬達)。
處理區塊3包含於上下方向Z積層之複數個處理區塊層BL、BU。本實施形態中，處理區塊3包含第1層(下層)處理區塊層(以下，稱為「第1處理區塊層BL」)、與積層於其上方之第2層(上層)處理區塊層(以下，稱為「第2處理區塊層BU」)。以下，要區分第1處理區塊層BL之構成要件與第2處理區塊層BU之構成要件時，對於第1處理區塊層BL之構成要件，使用末尾具有英文字母「L」之參照符號，對於第2處理區塊層BU之構成要件，使用末尾具有英文字母「U」之參照符號。隨附圖式中之參照符號亦同樣。
第1處理區塊層BL及第2處理區塊層BU於俯視時之內部構成實質相同。因此，圖1中，當注意的是，藉由將參照符號之末尾之英文字母「U」換讀作英文字母「L」，而顯示第1處理區塊層BL之構成(俯視時之配置)。
第1處理區塊層BL包含複數個(本實施形態中為12個)處理單元11L-13L、21L-23L、31L-33L、41L-43L(以下，總稱第1處理區塊層BL之處理單元時，稱為「處理單元11L-43L」)、基板載置部6L、虛設基板收容部7L、及主搬送機械手8L。複數個處理單元11L-43L對基板W進行處理。本實施形態中，各處理單元11L-43L為逐塊處理基板W之單片型處理單元。基板載置部6L為提供暫時保持於傳載機械手26與第1處理區塊層BL之間交接之基板W之暫時基板存放處之單元。虛設基板收容部7L為用以於基板處理裝置1之內部，預先保持處理單元11L-43L中可使用之虛設基板DW之單元，提供虛設基板DW之等待場所。主搬送機械手8L為於基板載置部6L與處理單元11L-43L之間搬送基板W，且於虛設基板收容部7L與處理單元11L-43L之間搬送虛設基板DW之第2搬送機構之一例。
虛設基板DW係具有與基板W相同形狀(例如圓形)及大小之基板。虛設基板DW與自載體C供給之製品用基板W不同，不使用於製造實際製品。虛設基板DW為了執行調整處理單元11L-43L內之環境之預處理(準備處理)、用以洗淨處理單元11L-43L內之單元洗淨處理等，而導入至處理單元11L-43L中使用。如此，以下將使用虛設基板DW之處理稱為「虛設處理」。上述預處理及單元洗淨處理為用以維護處理單元11L-43L之維護處理，虛設處理包含此種維護處理。
複數個處理單元11L-43L沿提供由主搬送機械手8L搬送基板W之搬送路徑51L之搬送空間52L，排列於該搬送空間52L之兩側，面向搬送空間52L。搬送空間52L於俯視時，於第2水平方向Y具有固定寬度，朝沿第1水平方向X離開傳載區塊2之方向直線延伸。搬送空間52L於上下方向Z上，具有與第1處理區塊層BL之高度大致同等之高度。俯視時，於搬送空間52L之一側，自靠近傳載區塊2之側起沿搬送路徑51L依序排列有第1液體供給部91、第1處理單元堆疊S1L、第1排氣部101、第2液體供給部92、第2處理單元堆疊S2L及第2排氣部102。於搬送空間52L之另一側，自靠近傳載區塊2之側起沿搬送路徑51L依序排列有第3排氣部103、第3處理單元堆疊S3L、第3液體供給部93、第4排氣部104、第4處理單元堆疊S4L及第4液體供給部94。該等以劃分大致長方體形狀之搬送空間52L之方式排列。
第1～第4處理單元堆疊S1L-S4L各自包含於上下方向Z積層之複數段(本實施形態中為3段)處理單元11L-13L、21L-23L、31L-33L、41L-43L。第3處理單元堆疊S3L隔著搬送空間52L，與第1處理單元堆疊S1L對向。第4處理單元堆疊S4L隔著搬送空間52L，與第2處理單元堆疊S2L對向。因此，構成第3處理單元堆疊S3L之複數個處理單元31L-33L隔著搬送空間52L，與構成第1處理單元堆疊S1L之複數段處理單元11L-13L對向。同樣，構成第4處理單元堆疊S4L之複數段處理單元41L-43L隔著搬送空間52L，與構成第2處理單元堆疊S2L之複數段處理單元21L-23L對向。本實施形態中，第1處理區塊層BL包含12個處理單元11L-13L、21L-23L、31L-33L、41L-43L，並將該等以3個為單位分開配置於4個處理單元堆疊S1L-S4L。
搬送空間52L由配置於與各處理單元堆疊S1L-S4L之最上段之處理單元13L、23L、33L、43L之上表面一致之位置之中間隔板16與上方劃分開，且由配置於與最下段之處理單元11L、21L、31L、41L之下表面一致之位置之下隔板15與下方劃分開。所有處理單元11L-43L具有於面向搬送空間52L之位置開口之基板搬入/搬出口37。主搬送機械手8L穿過搬送空間52L搬送基板W及虛設基板DW，經由基板搬入/搬出口37，對各處理單元11L-43L搬入/搬出基板W及虛設基板DW。
基板載置部6L配置於傳載機械手26與主搬送機械手8L之間。更具體而言，基板載置部6L於俯視時，配置於搬送空間52L內之傳載機械手26側之端部。本實施形態中，基板載置部6L位於第1液體供給部91與第3排氣部103之間。基板載置部6L於上下方向Z上，配置於中間隔板16與下隔板15之間之高度。本實施形態中，基板載置部6L配置於中間隔板16至上隔板17之高度範圍之中間高度附近。基板載置部6L之上下方向位置需要在可由傳載機械手26接取之高度範圍內，且可由主搬送機械手8L接取之高度範圍內。
基板載置部6L包含載置未處理基板W之未處理基板載置部61、與載置已處理基板W之已處理基板載置部62。未處理基板載置部61及已處理基板載置部62於上下方向Z積層。較佳為已處理基板載置部62配置於未處理基板載置部61之上。
如圖5中放大顯示構成例，未處理基板載置部61及已處理基板載置部62包含沿第1水平方向X朝傳載機械手26側及主搬送機械手8L側之兩者開放之箱63、64；及配置於箱63、64之內部之基板保持架65、66。基板保持架65、66具有於上下方向Z排列之複數個(例如10個)基板支持構件67、68。各基板支持構件67、68構成為自下方支持1塊基板W之下表面周緣部，以水平姿勢保持該基板W。藉此，未處理基板載置部61及已處理基板載置部62可分別將複數塊(例如10塊)基板W保持水平姿勢且以於上下方向Z空出間隔積層之狀態保持於該等基板保持架65、66。
如圖2所示，以貫通傳載區塊2之後隔板2a及處理區塊3之前隔板3a、即該等所相鄰之隔板之方式，形成有與基板載置部6L對應之窗4L。傳載機械手26可經由該窗4L接取基板載置部6L，對基板載置部6L進行基板W之搬入/搬出。
虛設基板收容部7L設置於與基板載置部6L不同之高度，本實施形態中，於搬送空間52L內，配置於基板載置部6L之下方。虛設基板收容部7L以俯視下與基板載置部6L重合之方式設置。更具體而言，於基板載置部6L保持著基板W、於虛設基板收容部7L保持著虛設基板DW時，以於俯視下基板W與虛設基板DW重合之方式，配置有虛設基板收容部7L。基板W與虛設基板DW於俯視下重合，可為局部重合，亦可為整體重合，即，虛設基板DW與基板W之大致整體重合。
虛設基板收容部7L配置於下隔板15與中間隔板16之間，配置在主搬送機械手8L可接取之高度範圍內。傳載區塊2之後隔板2a及處理區塊3之前隔板3a、即該等所相鄰之隔板，位於虛設基板收容部7L之前方，即傳載區塊2側。於該等隔板，未設置與虛設基板收容部7L對應之窗。因此，本實施形態中，傳載機械手26無法接取虛設基板收容部7L。
如圖6中放大顯示構成例，虛設基板收容部7L具備虛設基板保持架71。虛設基板保持架71之構成亦可與基板載置部6L之基板保持架65、66之構成實質相同。但，虛設基板保持架71可保持之虛設基板DW之塊數無須與基板保持架65、66可保持之基板塊數相等。具體而言，虛設基板保持架71具有排列於上下方向之複數個(例如12個)虛設基板支持構件72。各虛設基板支持構件72構成為自下方支持1塊虛設基板DW之下表面周緣部，且以水平姿勢保持該虛設基板DW。虛設基板收容部7L可將複數塊(例如12塊)虛設基板DW以水平姿勢且以於上下方向Z空出間隔而積層之狀態保持於虛設基板保持架71上。即，虛設基板收容部7L具有以將各1塊虛設基板DW以水平姿勢收容之方式，於上下方向積層之複數段(本實施形態中，數量與第1處理區塊層BL所配備之處理單元之數量相同)槽(以下，稱為「虛設基板槽DL1-DL12」)。亦可具備用以檢測各虛設基板槽DL1-DL12中有無虛設基板DW之虛設基板感測器(未圖示)。本實施形態中，虛設基板收容部7L與基板載置部6L不同，不具備包圍所收容之虛設基板DW之箱。當然，亦可具備此種箱。
如圖2所示，主搬送機械手8L配置於搬送空間52L內。主搬送機械手8L包含將1塊基板以水平姿勢保持之手81、與驅動手81之手驅動機構82。亦可具備複數個(例如2個)手81。手驅動機構82可使手81朝水平方向X、Y及上下方向Z移動，且使手81繞鉛直旋轉軸線回轉。手驅動機構82包含2個支柱83、垂直移動部84、水平移動部85、旋轉部86及進退部87。手81與進退部87連結。於設置複數個手81之情形時，較佳為設置與該等對應之複數個進退部87。
2個支柱83沿第1水平方向X空出間隔配置，分別固定於搬送空間52L之側壁。2個支柱83沿上下方向Z延伸，具有作為引導垂直移動部84之垂直移動之導軌之功能。垂直移動部84具有跨及2根支柱83於第1水平方向X延伸，兩端部與2根支柱83連結之導軌形態。垂直移動部84構成為一面由2根支柱83引導，一面相對於支柱83於上下方向移動。水平移動部85構成為支持於垂直移動部84上，一面由垂直移動部84引導，一面相對於垂直移動部84於第1水平方向X移動。旋轉部86由水平移動部85支持。旋轉部86構成為於水平移動部85上，繞鉛直之旋轉軸線旋轉。進退部87與旋轉部86連結。進退部87相對於旋轉軸線於水平方向進退，藉此，使手81於水平方向進退。
藉由此種構成，主搬送機械手8L可使手81接取基板載置部6L，而與基板載置部6L之間進行基板W之交接。主搬送機械手8L進而可使手81接取第1處理區塊層BL內之任意處理單元11L-43L，與該等處理單元11L-43L之間進行基板W或虛設基板DW之交接。又，主搬送機械手8L可使手81接取虛設基板收容部7L，而與虛設基板收容部7L之間進行虛設基板DW之交接。且，主搬送機械手8L可於第1處理區塊層BL內，於基板載置部6L、處理單元11L-43L及虛設基板收容部7L之間，搬送保持於手81之基板W、DW。
由於第2處理區塊層BU之構成與第1處理區塊層BL之構成大致相同，故以下盡可能省略重複說明，主要對不同之構成進行說明。標註與第1處理區塊層BL之情形相同名稱之要件之構成實質上相同。
第2處理區塊層BU包含複數個(本實施形態中為12個)處理單元11U-13U、21U-23U、31U-33U、41U-43U(以下，總稱第2處理區塊層BU之處理單元時，將其稱為「處理單元11U-43U」)、基板載置部6U、虛設基板收容部7U、及主搬送機械手8U。第1～第4液體體供給部91-94、第1～第4排氣部101-104跨及第1處理區塊層BL及第2處理區塊層BU，於上下方向Z延伸配置。
第2處理區塊層BU內之複數個處理單元11U-43U之配置與第1處理區塊層BL內之複數個處理單元11L-43L之配置實質相同。第2處理區塊層BU具備第1～第4處理單元堆疊S1U-S4U，其等各自具備於上下方向Z積層之複數段(本實施形態中為3段)處理單元11U-13U、21U-23U、31U-33U、41U-43U。
於俯視時，第2處理區塊層BU之第1～第4處理單元堆疊S1U-S4U以分別與第1處理區塊層BL之第1～第4處理單元堆疊S1L-S4L重合之方式配置。且，第1及第2處理區塊層BL、BU各者之第1處理單元堆疊S1L、S1U於上下方向Z積層，形成積層有複數段(本實施形態中為6段)處理單元11L、12L、13L、11U、12U、13U之第1塔T1。同樣，第1及第2處理區塊層BL、BU各者之第2處理單元堆疊S2L、S2U於上下方向Z積層，形成積層有複數段(本實施形態中為6段)處理單元21L、22L、23L、21U、22U、23U之第2塔T2。再者，第1及第2處理區塊層BL、BU各者之第3處理單元堆疊S3L、S3U於上下方向Z積層，形成積層有複數段(本實施形態中為6段)處理單元31L、32L、33L、31U、32U、33U之第3塔T3。進而同樣地，第1及第2處理區塊層BL、BU各者之第4處理單元堆疊S4L、S4U於上下方向Z積層，形成積層有複數段(本實施形態中為6段)處理單元41L、42L、43L、41U、42U、43U之第4塔T4。
於第2處理區塊層BU內劃分出並提供搬送路徑51U之搬送空間52U與第1處理區塊層BL之搬送空間52L重合。第2處理區塊層BU內之搬送空間52U藉由中間隔板16與下方劃分開，藉由上隔板17與上方劃分開。上隔板17配置於與第1～第4塔T1-T4之最上段處理單元13U、23U、33U、43U之上表面一致之高度。
俯視時基板載置部6U之配置與第1處理區塊層BL之情形相同。即，基板載置部6U配置於傳載機械手26與主搬送機械手8U之間，配置於搬送空間52U內之傳載機械手26側之端部。第2處理區塊層BU之基板載置部6U以於俯視時，與第1處理區塊層BL之基板載置部6L重合之方式配置。基板載置部6U於上下方向Z上，配置於中間隔板16與上隔板17之間之高度。本實施形態中，基板載置部6U配置於較中間隔板16至上隔板17之高度範圍之中間高度下方。更具體而言，基板載置部6U於可由傳載機械手26接取之高度範圍內配置於最高位置。基板載置部6U之上下方向位置需要為可由傳載機械手26接取之高度範圍內，且可由主搬送機械手8U接取之高度範圍內。與第1處理區塊層BL之情形同樣，基板載置部6U包含載置未處理基板W之未處理基板載置部61、與載置已處理基板W之已處理基板載置部62。未處理基板載置部61及已處理基板載置部62之構成與第1處理區塊層BL之基板載置部6L之情形相同(參照圖5)。
以貫通傳載區塊2之後隔板2a及處理區塊3之前隔板3a，即該等相鄰之隔板之方式，形成與基板載置部6U對應之窗4U。傳載機械手26可經由該窗4U接取基板載置部6U，對基板載置部6U進行基板W之搬入/搬出。
虛設基板收容部7U設置於與基板載置部6U不同之高度，本實施形態中，於搬送空間52U內，配置於基板載置部6U之上方。虛設基板收容部7U以俯視時與基板載置部6U重合之方式設置。更具體而言，於基板載置部6U保持基板W，於虛設基板收容部7U保持虛設基板DW時，以於俯視時，基板W與虛設基板DW重合之方式，配置有虛設基板收容部7U。基板W與虛設基板DW於俯視時之重合可為局部重合，亦可為整體重合，即，虛設基板DW與基板W之幾乎整體重合。虛設基板收容部7U配置於上隔板17與中間隔板16之間之高度，配置於主搬送機械手8U可接取之高度範圍內。傳載區塊2之後隔板2a及處理區塊3之前隔板3a，即該等相鄰之隔板配置於虛設基板收容部7U之前方，即傳載區塊2側。於該等後隔板2a及前隔板3a中未設置與虛設基板收容部7U對應之窗。因此，傳載機械手26無法接取虛設基板收容部7U。
虛設基板收容部7U之構成亦可與第1處理區塊層BL之虛設基板收容部7L之構成實質相同(參照圖6)。虛設基板收容部7U具有以將各1塊虛設基板DW以水平姿勢收容之方式，於上下方向積層之複數段(本實施形態中，數量與第2處理區塊層BU所配備之處理單元之數量相同)槽(以下，稱為「虛設基板槽DU1-DU12」)。亦可具備用以檢測各虛設基板槽DU1-DU12中有無虛設基板DW之虛設基板感測器。
主搬送機械手8U配置於搬送空間52U內。主搬送機械手8U包含將1塊基板以水平姿勢保持之手81、與驅動手81之手驅動機構82。手驅動機構82包含2根支柱83、垂直移動部84、水平移動部85、旋轉部86及進退部87。該等構成與第1處理區塊層BL之主搬送機械手8L相同。
液體供給部91-94劃分出收容用以供給處理單元11L-43L；11U-43U中使用之處理液之配管類之液體配管空間。由各液體供給部91-94劃分之液體配管空間於上下方向Z貫通第1處理區塊層BL及第2處理區塊層BU。於各液體供給部91-94中，收容有處理液配管56，其對俯視時於相同位置沿於上下方向Z積層6段而形成塔T1-T4之6個處理單元11L、12L、13L、11U、12U、13U；21L、22L、23L、21U、22U、23U；31L、32L、33L、31U、32U、33U；41L、42L、43L、41U、42U、43U供給處理液。液體供給部91-94中，亦可一併收容設置於配管中途之閥類、流量計、用以暫時貯存處理液之槽罐、用以輸送液體之泵等處理液關聯機器。
排氣部101-104劃分出收容用以將處理單元內部之氣體氛圍排氣之配管類之排氣配管空間。由各排氣部101-104劃分之排氣配管空間於上下方向Z貫通第1處理區塊層BL及第2處理區塊層BU。各排氣部101-104中收容有排氣配管76，其用以將來自俯視時於相同位置沿上下方向Z積層6段而形成塔T1-T4之6個處理單元11L、12L、13L、11U、12U、13U；21L、22L、23L、21U、22U、23U；31L、32L、33L、31U、32U、33U；41L、42L、43L、41U、42U、43U之排氣引導至基板處理裝置1外之排氣設備。排氣部101-104亦可進而根據處理單元內之處理種類(更具體而言，處理液之種類)，一併收容切換排氣配管76之切換機構77。雖省略圖示，但排氣部101包含驅動切換機構77之致動器類。
圖7係用以說明處理單元11L-43L；11U-43U(以下，總稱時將其稱為「處理單元11L-43U」)之構成例之圖解剖視圖。處理單元11L-43U包含：形成處理室35(腔室)之單元隔板36、配置於單元隔板36內之處理杯39、配置於處理杯39內之旋轉夾盤40、及對保持於旋轉夾盤40之基板W、DW供給處理液之噴嘴55。
單元隔板36包含例如俯視時形呈矩形之側壁36a、劃分上方之頂壁36b、及劃分下方之底壁36c。側壁36a之一面面向搬送空間52U，沿第1水平方向X及上下方向Z延伸，具有用以搬入/搬出基板W、DW之基板搬入/搬出口37。基板搬入/搬出口37亦可具有沿第1水平方向X延伸之槽形狀。配置有用以開閉基板搬入/搬出口37之擋板38。將基板W、DW自形成於單元隔板36之基板搬入/搬出口37搬入，交接至旋轉夾盤40。
旋轉夾盤40包含將1塊基板W、DW以水平姿勢保持之旋轉基座45、及使旋轉基座45繞鉛直之旋轉軸線旋轉之旋轉馬達46。旋轉夾盤40亦可為將基板W、DW之下表面吸附保持於旋轉基座45之上表面之真空型。又，旋轉基座45亦可具有與基板W、DW對應之圓形之平面形狀，於其周緣部具備於周向空出間隔設置之3根以上之保持銷，構成由該等保持銷固持基板W、DW之機械型夾盤。
處理單元11L-43U包含對保持於旋轉夾盤40之基板W、DW供給處理液之1個以上噴嘴55。本實施形態中，具備複數個噴嘴55。該等複數個噴嘴55亦可包含用以分別噴出複數種藥液之複數個藥液噴嘴。
自噴嘴55對由旋轉夾盤40保持並旋轉之基板W、DW之表面供給處理液。噴嘴55與穿過液體供給部91-94配置之處理液配管56連結。處理液配管56穿過液體供給部91-94引繞並連接於處理液供給源54。於處理液配管56之中途，介裝有開閉其流路之閥59。又，於處理液配管56之中途，介裝有用以朝噴嘴55輸送處理液之泵60。閥59及泵60配置於液體供給部91-94。處理液供給源54供給蝕刻液等藥液，或純水(去離子水)等清洗液。亦可根據處理液之種類，設置複數個處理液配管56及對應之複數個噴嘴55。複數個噴嘴55之一部分或全部亦可具有於基板W、DW之上方沿基板W、DW之上表面移動之移動噴嘴之形態。移動噴嘴亦可具有以下構造：藉由配置於旋轉夾盤40之側方之擺動軸58，支持水平之噴嘴臂57之基端部，使擺動軸58繞鉛直軸線旋動(參照圖1)。複數個噴嘴55之一部分或全部亦可為相對於旋轉夾盤40之相對位置不變之固定噴嘴。
將單元隔板36內之氣體氛圍經由貫通單元隔板36之排氣連接管75排氣。排氣連接管75與配置於排氣部101-104之排氣配管76連接。排氣連接管75亦可經由切換機構77，與複數個排氣配管76連接。切換機構77例如如下動作：以根據自複數個噴嘴55噴出之處理液之種類(例如藥液之種類)，將來自排氣連接管75之排氣引導至與該處理液之種類預先建立對應之排氣配管76。
圖8係用以說明基板處理裝置1之控制相關之構成之方塊圖。基板處理裝置1具備控制器110。控制器110亦可為包含處理器111(CPU(Central Processing Unit：中央處理單元))及記憶體112之電腦。處理器111執行存儲於記憶體112之程式120。藉此，控制器110實現藉由傳載機械手26及主搬送機械手8L、8U搬送基板W、DW之基板搬送動作；由處理單元11L-43U處理基板W之基板處理動作；處理單元11L-43U中執行使用虛設基板DW之虛設處理之虛設處理動作。為了該等動作，控制器110控制基板處理裝置1所配備之各控制對象。控制對象包含傳載機械手26、主搬送機械手8L、8U、及處理單元11L-43U等所配備之驅動部。再者，控制器110之控制對象包含配置於液體供給部91-94之閥59及泵69，包含配置於排氣部101-104之致動器類。
於記憶體112存儲有各種資料130。資料130包含用以處理製品用基板W之製品配方131、及用以使用虛設基板DW之虛設處理之虛設處理配方132。製品配方131包含規定基板W之搬送動作及針對基板W之處理內容之資料。虛設處理配方132為規定虛設基板DW之搬送動作及使用虛設基板DW之處理內容之資料。控制器110於處理基板W時，依照製品配方131對控制對象進行控制，執行虛設處理時，依照虛設處理配方132對控制對象進行控制。
製品配方131亦可藉由來自可通信地連接於控制器110之主機電腦150之資料通信賦予，並存儲於記憶體112。虛設處理配方132亦同樣，亦可自主機電腦150藉由通信賦予，並存儲於記憶體112。又，該等製品配方131及虛設處理配方132亦可使用連接於控制器110之使用者介面140，由操作者輸入或編輯。虛設處理配方132亦可根據製品配方131之內容，由控制器110自動產生。關於製品配方131及虛設處理配方132之任一者，無須為一種，亦可將複數個製品配方131或複數個虛設處理配方132存儲於記憶體112。
例如，虛設處理配方132包含規定對虛設基板DW實施與製品用基板W相同之處理之預處理之預處理配方。預處理配方亦可為製品配方131中，將搬入至處理單元11L-43U之基板自製品用基板W置換為虛設基板DW之配方。此種預處理配方亦可由控制器110基於製品配方131自動產生。例如，進行對基板W供給高溫處理液之處理之情形時，藉由執行預處理，可將高溫處理液引導至噴嘴55，且可藉由高溫處理液加熱處理液配管56及處理單元11L-43U之內部。藉此，可於經適當管理溫度之環境下，對製品用基板W供給適當溫度之處理液。如此，預處理係為了適當處理製品用基板W，而用以調整處理單元11L-43U之處理環境之準備處理之一例。
又，虛設處理配方132包含使旋轉夾盤40保持虛設基板DW洗淨處理單元11L-43U之內部之單元洗淨配方。依照單元洗淨配方進行之單元洗淨處理使旋轉夾盤40保持虛設基板DW並旋轉，於該狀態下，將洗淨液(藥液或純水)供給至虛設基板DW。藉此，於虛設基板DW上受到離心力之洗淨液飛散至旋轉夾盤40周圍，將處理杯39之內部洗淨。藉由視需要使處理杯39上下移動，使洗淨液對處理杯39之內壁面之入射位置上下變化，故可將處理杯39之內壁面有效洗淨。又，亦可藉由處理杯39之上下移動或旋轉夾盤40之上下移動，將虛設基板DW配置於較處理杯39之上端上方，對處理杯39外之處理室35之內部供給洗淨液，而洗淨處理室35之內部。
存儲於記憶體112之資料130進而包含將複數個處理單元11L-43U與虛設基板收容部7L、7U之虛設基板槽DL1-DL12、DU1-DU12建立對應之虛設基板表格133。對複數個虛設基板槽DL1-DL12、DU1-DU12分別標註唯一之虛設基板槽編號(虛設基板槽識別資訊)。且，將一虛設基板槽編號與各處理單元11L-43U建立對應。虛設基板表格133將第1處理區塊層BL之複數個(本實施形態中為12個)處理單元11L-43L，與該第1處理區塊層BL之虛設基板收容部7L之複數個(本實施形態中為12個)虛設基板槽編號一對一地建立對應。又，虛設基板表格133將第2處理區塊層BU之複數個(本實施形態中為12個)處理單元11U-43U，與該第2處理區塊層BU之虛設基板收容部7U之複數個(本實施形態中為12個)虛設基板槽編號一對一地建立對應。因此，虛設基板表格133將基板處理裝置1具備之複數個(本實施形態中為24個)處理單元11L-43U，與虛設基板收容部7L、7U之複數個(本實施形態中為24個)槽編號一對一地建立對應。
存儲於記憶體112之資料130進而包含虛設基板歷程資料134。虛設基板歷程資料134包含分別與虛設基板收容部7L、7U之複數個虛設基板槽編號對應之虛設基板槽DL1-DL12、DU1-DU12所收容之虛設基板DW之使用歷程之資料。使用歷程較佳為包含虛設基板DW用於處理單元11L-43U之處理之使用次數(累積次數)、虛設基板DW用於處理單元11L-43U之處理之使用時間(累積時間)、及虛設基板DW於處理單元11L-43U中接受之處理之歷程之至少一者。
存儲於記憶體112之資料130進而包含顯示各處理單元11L-43U之單元使用歷程之單元使用歷程資料135。單元使用歷程資料135較佳為包含各處理單元11L-43U之基板處理塊數、及表示各處理單元11L-43U未用於基板處理之持續時間之未使用持續時間。處理單元11L-43U之內部環境因重複基板處理而逐漸惡化，故較佳為對可無須維護而連續處理之基板塊數設定適當之上限。又，當未處理基板W之時間變長時，處理單元11L-43U之內部環境逐漸劣化。具體而言，有導致附著於處理杯39之內壁等之藥液乾燥結晶化，而成為顆粒之情形。又，使用高於室溫之溫度之高溫處理液之情形時，若因未使用狀態持續而長時間切斷處理液之流通，則處理液配管56或噴嘴55之溫度降低。因此，有下一次噴出處理液時，處理液之熱被處理液配管56或噴嘴55奪去，而使得剛噴出之處理液之溫度不適宜之情形。因此，較佳為對於未使用持續時間亦設定適當之上限。藉由將單元使用歷程資料135(基板處理塊數、未使用持續時間等)與對應之設定值進行比較，可判斷是否需要對處理單元11L-43U之維護。
圖9係用以說明與虛設處理關聯之控制器110之動作之流程圖。控制器110對複數個處理單元11L-43U各者並行或依序執行圖9之處理。
控制器110判斷對象處理單元11L-43U中，是否在執行製品用基板W之處理(步驟A1)。若處理單元11L-43U中，基板W之處理結束，且將該已處理基板W自處理單元11L-43U搬出(步驟A1：否(NO))，則控制器110參照該處理單元11L-43U之單元使用歷程資料135，判斷基板處理塊數是否達到設定值(步驟A2)。基板處理塊數為設定值以上時(步驟A2：是(YES))，控制器110判斷為單元洗淨執行條件(維護執行條件之一例)已滿足，為了洗淨處理單元11L-43U之內部，依照單元洗淨配方執行單元洗淨處理(維護處理之一例)(步驟A3)。又，控制器110將該處理單元之基板處理塊數重設為初始值(例如0)，更新單元使用歷程資料135(步驟A4)。
單元洗淨處理為虛設處理之一例，包含虛設基板搬入步驟A31、虛設處理步驟A32、及虛設基板收容步驟A33。虛設基板搬入步驟A31為以下之步驟：主搬送機械手8L、8U自對應之虛設基板槽DL1-DL12、DU1-DU12搬出虛設基板DW，向處理單元11L-43U搬送，並將其搬入至該處理單元。虛設處理步驟A32為於該處理單元中，執行使用虛設基板DW之處理之步驟，此處，為該處理單元之內部之洗淨處理。虛設基板收容步驟A33為以下步驟：於洗淨處理單元內部後，自該處理單元搬出虛設基板DW，搬送、收容至原來的虛設基板槽DL1-DL12、DU1-DU12。控制器110參照虛設基板表格133，特定與該處理單元11L-43U對應之虛設基板槽DL1-DL12、DU1-DU12，執行虛設基板搬入步驟A31及虛設基板收容步驟A33。
單元洗淨處理結束後，控制器110判斷是否需要用以調整處理單元11L-43U之處理環境(處理條件)之預處理(步驟A5、A6)。具體而言，控制器110調查是否自主機電腦150賦予製品基板之處理要求(處理預約)(步驟A5)。若被賦予製品基板之處理要求(步驟A5：是)，則控制器110判斷該處理單元11L-43U之未使用持續時間是否達到設定值(步驟A6)。未使用持續使用為設定值以上之情形時(步驟A6：是)，即，處理單元11L-43U超出特定之長時間未用於製品用基板W之情形時，控制器110判斷為需要預處理，即，滿足預處理執行條件(維護執行條件之一例)。
當判斷為需要預處理時，控制器110依照預處理配方執行預處理(步驟A7)。具體而言，控制器110參照虛設基板表格133，特定與該處理單元11L-43U對應之虛設基板槽DL1-DL12、DU1-DU12。且，控制器110控制主搬送機械手8L、8U，自該特定出之虛設基板槽搬出虛設基板DW，將該虛設基板DW搬送至該處理單元11L-43U(虛設基板搬入步驟A71)。該搬送後，主機電腦150於該處理單元11L-43U中，對虛設基板DW執行與對製品用基板W之處理相同之處理(虛設處理步驟A72)。當該處理結束時，主機電腦150控制主搬送機械手8L、8U，自該處理單元11L-43U取出虛設基板DW，將其搬送至原來的虛設基板槽，將該虛設基板DW收容於該虛設基板槽(虛設基板收容步驟A73)。如此執行預處理後，控制器110將未使用持續時間重設為初始值(例如0)(步驟A8)，更新單元使用歷程資料135(步驟A9)。
如上所述，於被賦予製品基板W之處理要求(處理預約)之時點，控制器110執行預處理。預處理包含搬送虛設基板DW(步驟A71)及使用其之虛設處理(步驟A72)。因此，與將收容有製品基板W之載體C保持於載體保持部25，由傳載機械手26自該載體C取出處理對象基板W，將其搬送至基板載置部6L、6U之基板搬入動作(步驟S20)並行，或於其之前執行預處理(虛設基板搬入步驟A71及/或虛設處理步驟A72)。此時，傳載機械手26不參與虛設基板DW之搬送。因此，傳載機械手26不會阻礙製品基板W之搬送，而於處理區塊3之內部搬送虛設基板DW，執行預處理。
另，為方便起見，圖9顯示傳載機械手26對製品基板W之搬入步驟A20，但並非意指與預處理步驟A7之前後關係如圖所示。如上所述，可於預處理步驟A7之前，或與其並行進行(開始)製品基板搬入步驟A20，又，亦可於預處理步驟A7之後，進行(開始)製品基板搬入步驟20。
預處理配方規定了對虛設基板DW進行應對製品用基板W進行之處理之預處理。因此，藉由對虛設基板DW執行預處理，消耗虛設基板DW。具體而言，藉由對虛設基板DW進行使用具有蝕刻作用之藥液之預處理，蝕刻虛設基板DW之表面，虛設基板DW之厚度減少。因此，若執行預處理配方，則控制器110更新與該處理單元11L-43U建立對應之虛設基板槽DL1-DL12、DU1-DU12之虛設基板歷程資料134(步驟A9)。例如，虛設基板歷程資料134包含使用次數資料之情形時，增加使用次數資料。且，控制器110於虛設基板歷程資料134之例如使用次數資料達到設定值時(步驟A10：是)，對主機電腦150警告該虛設槽之虛設基板DW達到使用期間(使用界限)(步驟A11)。收到警告之主機電腦150亦可對使用者發出警告，催促更換虛設基板DW，或自動計劃更換該虛設基板DW。
當結束預處理時，控制器110執行依照製品配方之控制(步驟A12)。藉此，主搬送機械手8L、8U自基板載置部6L、6U取出基板W且搬送至處理單元11L-43U(基板搬入步驟A121)。且，於處理單元11L-43U中，對基板W執行使用處理液(藥液、清洗液等)之處理(處理步驟A122)。其結束後，主搬送機械手8L、8U取出已處理基板W，將其搬送至基板載置部6L、6U(基板收容步驟A123)。若存在未處理基板W時(連續處理複數塊基板W之情形時)(步驟A13：是)，重複同樣動作。於該期間，當該處理單元中之基板處理塊數達到設定值時(步驟A14：是)，返回至步驟A3，執行單元洗淨處理。如為非連續處理時(步驟A13：否)，則返回並重複自步驟A1起之處理。
若無來自主機電腦150之處理要求(處理預約)(步驟A5：否)，則控制器110判斷等待狀態之持續時間、即未使用持續時間是否達到設定值(步驟A15)。若未使用持續時間未達設定值，則成為等待狀態。若未使用持續時間達到設定值(步驟A15：是)，則控制器110執行預先設定之維護處理(步驟A16)。維護處理亦可為單元洗淨處理。該單元洗淨處理與步驟A3之情形同樣地，可為使用虛設基板DW之處理(虛設處理之一種)，亦可為不使用虛設基板DW之處理。又，維護處理亦可為與預處理類似之處理。又，維護處理亦可為其他處理。維護處理主要為用以將處理單元11L-43U之處理室35內之環境保持在適於處理製品用基板W之狀態之處理，亦可為基板處理裝置1之使用者預先設定之處理。進行使用虛設基板DW之虛設處理作為維護處理之情形時，維護處理包含：自對應之虛設基板槽取出虛設基板DW，將其搬入至該處理單元之步驟A161；於處理單元內進行使用虛設基板DW之虛設處理之步驟A162；及於該處理後，將虛設基板DW收容至對應之虛設基板槽之步驟A163。
於無來自主機電腦150之處理要求(處理預約)之時點，控制器110無法自動計劃與製品配方131相同之預處理。因此，較佳為即使隨時執行維護處理(步驟A16)，當有來自主機電腦150之處理要求(處理預約)時，亦執行與該製品處理對應之預處理(步驟A7)。
將虛設基板DW預先導入至基板處理裝置1之內部，收容至虛設基板收容部7L、7U。具體而言，例如藉由工廠內所配備之自動載體搬送機構，將收容有虛設基板DW之載體C交給載體保持部25。傳載機械手26自該載體C取出虛設基板DW，將其搬送至基板載置部6L、6U。第1處理區塊層BL之主搬送機械手8L自基板載置部6L將虛設基板DW搬送、收容至虛設基板收容部7L。第2處理區塊層BU之主搬送機械手8U自基板載置部6U將虛設基板DW搬送、收容至虛設基板收容部7U。
若導入新的虛設基板DW，並將其收容至虛設基板收容部7L、7U，則控制器110將與收容有該新的虛設基板DW之虛設基板槽對應之虛設基板歷程資料134重設為初始值。
更換基板處理裝置1內之虛設基板DW時，藉由主搬送機械手8L、8U及傳載機械手26，自虛設基板收容部7L、7U向保持於載體保持部25之載體C搬送虛設基板DW。具體而言，更換對象虛設基板DW被收容至第1處理區塊層BL之虛設基板收容部7L時，主搬送機械手8L自虛設基板收容部7L向基板載置部6L搬送該虛設基板DW。更換對象虛設基板DW被收容至第2處理區塊層BU之虛設基板收容部7U時，主搬送機械手8U自虛設基板收容部7U向基板載置部6U搬送該虛設基板DW。傳載機械手26將置於基板載置部6L、6U之虛設基板DW搬送、收容至保持於載體保持部25之載體C。複數塊虛設基板DW為更換對象時，重複同樣操作。
如上所述，根據本實施形態，於傳載區塊2之橫向上與之相鄰之處理區塊3將複數個處理區塊層BL、BU於上下方向Z積層而構成。且，於各處理區塊層BL、BU，配備有收容虛設基板DW之虛設基板收容部7L、7U。由於可於處理區塊層BL、BU之內部收容虛設基板DW，故處理單元11L-43U中無須使用虛設基板DW時，傳載機械手26可不參與，而於虛設基板收容部7L、7U與處理單元11L-43U之間搬送虛設基板DW。
因此，因可減輕傳載機械手26之搬送負載，故可減輕對搬送製品用基板W之影響，且進行使用虛設基板DW之處理。尤其，於各自具有複數個處理單元11L-43L、11U-43U之複數個處理區塊層BL、BU與載體保持部25之間搬送基板W之傳載機械手26之搬送負載非常大。因此，藉由減輕傳載機械手26之搬送負載，製品用基板W之搬送效率變佳，相應地可提高生產性。由於各處理區塊層BL、BU之主搬送機械手8L、8U負責該處理區塊層BL、BU內之基板W之搬送，故與傳載機械手26相比，搬送負載小。因此，基於生產效率之觀點，由主搬送機械手8L、8U負責於處理區塊層BL、BU內部搬送虛設基板DW問題不大。
又，由於虛設基板收容部7L、7U位於處理區塊層BL、BU內，故虛設基板收容部7L、7U與處理單元11L-43U之間之虛設基板DW之搬送可不經由用於傳載機械手26與處理區塊層BL、BU之間之基板交接之基板載置部6L、6U而進行。因此，因可減少虛設基板DW之搬送與製品用基板W之搬送之干涉，故製品用基板W之搬送效率變佳，相應地可提高生產性。
再者，與日本專利特開2017-41506號公報之情形不同，不會被收容虛設基板DW之虛設載體持續長時間佔用載體保持部25。藉此，因可抑制收容有製品用基板W之載體C之搬入產生等待時間，故可有助於提高生產性。
又，本實施形態中，各處理區塊層BL、BU中，複數個處理單元11L-43L、11U-43U沿由主搬送機械手8L、8U搬送基板W之搬送路徑51L、51U，排列於搬送路徑51L、51U之兩側，且於上下方向Z積層而排列。因此，以可由主搬送機械手8L、8U有效進行基板搬送之方式，設計處理區塊層BL、BU內之複數個處理單元11L-43U之配置。藉此，可有助於提高生產性。
又，本實施形態中，基板載置部6L、6U及虛設基板收容部7L、7U皆配置於傳載機械手26與主搬送機械手8L、8U之間。藉此，可有效進行經由基板載置部6L、6U進行之傳載機械手26與主搬送機械手8L、8U之間之基板W之搬送。且，可將虛設基板收容部7L、7U配置於不與傳載機械手26之基板W之搬送及主搬送機械手8L、8U之基板W之搬送干涉之位置。因此，可不對製品用基板W之搬送造成影響，而於處理區塊層BL、BU內保持虛設基板DW。
更具體而言，本實施形態中，虛設基板收容部7L、7U與基板載置部6L、6U使高度互不相同而立體配置。藉此，可有效利用處理區塊層BL、BU內之空間，將虛設基板收容部7L、7U適當配置於處理區塊層BL、BU內。其結果，實現不阻礙製品用基板W之搬送之虛設基板收容部7L、7U之配置。
再者，本實施形態中，虛設基板收容部7L、7U以於俯視時，與基板載置部6L、6U重合之方式配置。藉此，利用基板載置部6L、6U之上方或下方之空間，配置有虛設基板收容部7L、7U。藉此，可實現不阻礙製品用基板W之搬送之虛設基板收容部7L、7U之配置，有效利用處理區塊層BL、BU內之空間，配置虛設基板收容部7L、7U。如上所述，具體而言，虛設基板收容部7L、7U於俯視時與基板載置部6L、6U重合之配置亦可為收容於虛設基板收容部7L、7U之虛設基板DW之一部分或全部與保持於基板載置部6L、6U之基板W重合之配置。
再者，具體而言，本實施形態中，於第1處理區塊層BL(下層處理區塊層)之上，積層有第2處理區塊層BU(上層之處理區塊層)。且，第1處理區塊層BL中，虛設基板收容部7L位於基板載置部6L之下方。另一方面，第2處理區塊層BU中，虛設基板收容部7U位於基板載置部6U之下方。藉此，可減少第1處理區塊層BL之基板載置部6L與第2處理區塊層BU之基板載置部6U之間之高低差。藉此，因可縮短傳載機械手26於上下方向Z之基板搬送行程，故可減輕傳載機械手26之搬送負載。因此，可提高製品用基板W之搬送效率，有助於提高生產性。
又，本實施形態中，各處理區塊層BL、BU之虛設基板收容部7L、7U包含與該處理區塊層BL、BU所含之複數個處理單元11L-43L、11U-43U相同數量之複數個虛設基板槽DL1-DL12、DU1-DU12。且，各虛設基板槽DL1-DL12、DU1-DU12以保持1塊虛設基板DW之方式構成。藉此，可於各處理區塊層BL、BU內保持與處理單元11L-43L、11U-43U相同數量之虛設基板DW。因此，若需要對任一處理單元11L-43L、11U-43U搬入虛設基板DW，則可藉由主搬送機械手8L、8U，對該處理單元迅速搬入虛設基板DW，進行虛設處理。由於傳載機械手26不參與虛設基板DW之搬入，故可抑制或防止對搬送製品用基板W之影響。
再者，本實施形態中，各處理區塊層BL、BU之複數個處理單元11L-43L、11U-43U與該等處理區塊層之複數個虛設基板槽DL1-DL12、DU1-DU12一對一地建立對應。且，主搬送機械手8L、8U於互相對應之虛設基板槽DL1-DL12、DU1-DU12與處理單元11L-43L、11U-43U之間搬送虛設基板DW。根據該構成，保持於虛設基板槽之虛設基板DW可設為用於對應之處理單元之專用之虛設基板。藉此，管理虛設基板DW之使用歷程變容易。
又，本實施形態中，控制器110於滿足虛設處理條件(單元洗淨執行條件、預處理條件、維護執行條件)時，控制主搬送機械手8L、8U，自虛設基板收容部7L、7U向處理單元11L-43L、11U-43U搬送虛設基板DW，於該處理中執行虛設處理。如此，可藉由處理區塊層BL、BU內之虛設基板DW之搬送開始虛設處理，故可抑制或防止對搬送製品用基板W之影響，且迅速開始虛設處理。
又，根據本實施形態，藉由控制器110控制基板處理裝置1之各部，執行如下之步驟。即，於各處理區塊層BL、BU內，執行主搬送機械手8L、8U將收容於該處理區塊層內之虛設基板收容部7L、7U之虛設基板DW搬入至該處理區塊層內之複數個處理單元11L-43L、11U-43U之任一者之虛設基板搬入步驟(步驟A31、A71、A161)。且，執行於該處理單元內進行使用該搬入之虛設基板DW之虛設處理之虛設處理步驟(步驟A32、A72、A162)。再者，虛設處理後，執行主搬送機械手8L、8U將虛設基板DW自處理單元取出，搬送至虛設基板收容部7L、7U之步驟(步驟A33、A73、A163)。又，執行將載置於該處理區塊層BL、BU之基板載置部6L、6U之基板W搬入至該處理區塊層BL、BU之複數個處理單元11L-43L、11U-43U之任一者之步驟(步驟A121)。且，執行於該處理單元內處理該搬入之基板W之步驟(步驟A122)。藉此，可減輕傳載機械手26之搬送負載，且於各處理區塊層BL、BU之處理單元11L-43L、11U-43U中進行使用虛設基板DW之處理。藉此，可提高生產效率。
亦可藉由控制器110之控制，與傳載機械手26自保持於載體保持部25之載體C取出基板W，搬入至任一處理區塊層BL、BU之基板載置部6L、6U之基板搬入步驟(步驟A20)並行，或於該基板搬入步驟(步驟A20)之前，執行上述虛設基板搬入步驟(步驟A71)。藉此，可藉由傳載機械手26，將製品用基板W搬入至處理區塊層BL、BU，另一方面，於各處理區塊層BL、BU內，將虛設基板DW搬入至處理單元11L-43L、11U-43U。由於傳載機械手26不參與虛設基板DW之搬入，故可不等待傳載機械手26之基板W之搬送，或與該基板搬送並行，進行處理區塊層BL、BU內之虛設基板DW之搬送。因此，不僅可減輕傳載機械手26之搬送負載，亦可於處理區塊層BL、BU內，將虛設基板DW迅速搬送至處理單元。
再者，亦可藉由控制器110之控制，與將製品用基板W藉由傳載機械手26搬入至基板載置部6L、6U之基板搬入步驟(步驟A20)並行，或於該基板搬入步驟之前，執行上述虛設處理步驟(步驟A72)。藉此，不僅可減輕傳載機械手26之搬送負載，亦可於處理區塊層BL、BU內，迅速開始虛設處理。例如，當自主機電腦150接收基板處理要求時，可對其進行應答，於適當時期開始虛設基板DW之搬送及接續其之虛設處理。藉此，因可於適當時期調整處理單元11L-43L、11U-43U內之環境，故將收容有製品用基板W之載體C搬入至載體保持部25後，可迅速開始處理基板W。藉此，可有助於提高生產性。
以上，已對本發明之一實施形態進行說明，但本發明亦可進而以其他實施形態實施。例如，上述實施形態中，已顯示將2層處理區塊層BL、BU積層而構成之處理區塊3之構成，但亦可將3層以上處理區塊層積層而構成處理區塊。又，上述實施形態中，已顯示各處理區塊層BL、BU具有積層為3段之處理單元配置之例，但各處理區塊層所包含之處理單元亦可積層為2段，又可積層為4段以上，還可將所有處理單元配置成1段。再者，上述實施形態中，已顯示於搬送路徑51L、51U之兩側配置處理單元11L-43U之例，但亦可於搬送路徑51L、51U之一側配置處理單元。又，上述實施形態中，於搬送路徑51L、51U之一側，沿該搬送路徑51L、51U配置有2個處理單元，但可配置1個處理單元，亦可配置3個以上處理單元。
又，上述實施形態中，於傳載區塊2及處理區塊3之相鄰之後隔板2a及前隔板3a，形成與基板載置部6L、6U對應之窗4L、4U，未形成與虛設基板收容部7L、7U對應之窗。但，亦可對後隔板2a及前隔板3a追加與虛設基板收容部7L、7U對應之窗。藉由設置此種追加之窗，將虛設基板DW導入至處理區塊層BL、BU時，傳載機械手26可直接接取虛設基板收容部7L、7U，搬入虛設基板DW。但，由於無須頻繁進行虛設基板DW之搬入，故實用上無須設置如上述之追加之窗。
再者，上述實施形態中，於各處理區塊層BL、BU之虛設基板收容部7L、7U，設置與處理單元11L-43L、11U-43U相同數量之虛設基板槽DL1-DL12、DU1-DU12，其等與處理單元11L-43L、11U-43U一對一地對應。但，例如亦可使各處理區塊層BL、BU中之虛設基板槽之數量少於處理單元之數量，將一個虛設基板槽與複數個處理單元建立對應。
雖已對本發明之實施形態詳細說明，但其僅為用以明確本發明之技術性內容之具體例，本發明不應限定於該等具體例而解釋，本發明之範圍僅由隨附之申請專利範圍限定。
[相關申請] 本申請案基於2020年8月28日提交之日本專利申請案第2020-145033號之優先權，並主張該優先權，該申請案之全部內容以引用之方式併入本文中。
1:基板處理裝置 2:傳載區塊 2a:隔板 3:處理區塊 3a:前隔板 4L:窗 4U:窗 6L:基板載置部 6U:基板載置部 7L:虛設基板收容部 7U:虛設基板收容部 8L:主搬送機械手 8U:主搬送機械手 11L-13L:處理單元 11U-13U:處理單元 15:下隔板 16:中間隔板 17:上隔板 20:製品基板搬入步驟 21L-23L:處理單元 21U-23U:處理單元 25:載體保持部 26:傳載機械手 27:多關節臂 28:臂 29:手 30:基台部 31L-33L:處理單元 31U-33U:處理單元 35:處理室 36:單元隔板 36a:側壁 36b:頂壁 36c:底壁 37:搬出口 38:擋板 39:處理杯 40:旋轉夾盤 41L-43L:處理單元 41U-43U:處理單元 45:旋轉基座 46:旋轉馬達 51L:搬送路徑 51U:搬送路徑 52L:搬送空間 52U:搬送空間 54:處理液供給源 55:噴嘴 56:處理液配管 57:噴嘴臂 58:擺動軸 59:閥 60:泵 61:未處理基板載置部 62:已處理基板載置部 63:箱 64:箱 65:基板保持棚 66:基板保持棚 67:基板支持構件 68:基板支持構件 69:泵 71:虛設基板保持棚 72:虛設基板支持構件 75:排氣連接管 76:排氣配管 77:切換機構 81:手 82:手驅動機構 83:支柱 84:垂直移動部 85:水平移動部 86:旋轉部 87:進退部 91:第1液體供給部 92:第2液體供給部 93:第3液體供給部 94:第4液體供給部 101:第1排氣部 102:第2排氣部 103:第3排氣部 104:第4排氣部 110:控制器 111:處理器 112:記憶體 120:程式 130:資料 131:製品配方 132:虛設處理配方 133:虛設基板表格 134:虛設基板歷程資料 135:單元使用歷程資料 140:使用者介面 150:主機電腦 A1-A16:步驟 A20:製品基板搬入步驟 A31:虛設基板搬入步驟 A32:虛設處理步驟 A33:虛設基板收容步驟 A71:虛設基板搬入步驟 A72:虛設處理步驟 A73:虛設基板收容步驟 A121:基板搬入步驟 A122:處理步驟 A123:基板收容步驟 A161:步驟 A162:步驟 A163:步驟 BL:第1處理區塊層 BU:第2處理區塊層 C:載體 DL1-DL12:虛設基板槽 DU1-DU12:虛設基板槽 DW:虛設基板 S1L:第1處理單元堆疊 S1U:第1處理單元堆疊 S2L:第2處理單元堆疊 S2U:第2處理單元堆疊 S3L:第3處理單元堆疊 S3U:第3處理單元堆疊 S4L:第4處理單元堆疊 S4U:第4處理單元堆疊 T1:第1塔 T2:第2塔 T3:第3塔 T4:第4塔 W:製品基板 X:第1水平方向 Y:第2水平方向 Z:上下方向
圖1係顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置之內部構成之圖解俯視圖。
圖2係自圖1之II-II線觀察之圖解縱剖視圖。
圖3係自圖1之III-III線觀察之圖解橫剖視圖。
圖4係自圖1之IV方向觀察，顯示處理區塊之內部構成之圖解正視圖。
圖5係用以說明基板載置部之構成例之圖。
圖6係用以說明虛設基板收容部之構成例之圖。
圖7係用以說明處理單元之構成例之圖解剖視圖。
圖8係用以說明基板處理裝置之控制相關之構成之方塊圖。
圖9係用以說明與虛設處理關聯之控制器之動作之流程圖。
1:基板處理裝置
2:傳載區塊
2a:隔板
3:處理區塊
3a:前隔板
4L:窗
4U:窗
6L:基板載置部
6U:基板載置部
7L:虛設基板收容部
7U:虛設基板收容部
8L:主搬送機械手
8U:主搬送機械手
11L-13L:處理單元
11U-13U:處理單元
15:下隔板
16:中間隔板
17:上隔板
21L-23L:處理單元
21U-23U:處理單元
25:載體保持部
26:傳載機械手
27:多關節臂
28:臂
29:手
30:基台部
37:搬出口
51L:搬送路徑
51U:搬送路徑
52L:搬送空間
52U:搬送空間
61:未處理基板載置部
62:已處理基板載置部
71:虛設基板保持棚
81:手
82:手驅動機構
83:支柱
84:垂直移動部
85:水平移動部
86:旋轉部
87:進退部
92:第2液體供給部
101:第1排氣部
102:第2排氣部
BL:第1處理區塊層
BU:第2處理區塊層
C:載體
DW:虛設基板
S1L:第1處理單元堆疊
S1U:第1處理單元堆疊
S2L:第2處理單元堆疊
S2U:第2處理單元堆疊
T1:第1塔
T2:第2塔
W:製品基板
X:第1水平方向
Y:第2水平方向
Z:上下方向

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，其包含：傳載區塊；及處理區塊，其相鄰於上述傳載區塊之橫向，於上下方向積層有複數個處理區塊層；且上述傳載區塊包含：收容器保持部，其用以保持收容基板之基板收容器；及第1搬送機構，其於上述收容器保持部所保持之基板收容器與上述處理區塊之間搬送基板；各處理區塊層包含：複數個處理單元，其等對基板進行處理；基板載置部，其暫時保持於上述第1搬送機構與該處理區塊層之間交接之基板；虛設基板收容部，其收容可於上述複數個處理單元中使用之虛設基板；及第2搬送機構，其於上述基板載置部與上述複數個處理單元之間搬送基板，於上述虛設基板收容部與上述複數個處理單元之間，不藉由上述第1搬送機構，而搬送虛設基板。
  2. 一種基板處理裝置，其包含：傳載區塊；及處理區塊，其相鄰於上述傳載區塊之橫向，於上下方向積層有複數個處理區塊層；且上述傳載區塊包含：收容器保持部，其用以保持收容基板之基板收容器；及第1搬送機構，其於上述收容器保持部所保持之基板收容器與上述處理區塊之間搬送基板； 各處理區塊層包含：複數個處理單元，其等對基板進行處理；基板載置部，其暫時保持於上述第1搬送機構與該處理區塊層之間交接之基板；虛設基板收容部，其收容可於上述複數個處理單元中使用之虛設基板；及第2搬送機構，其於上述基板載置部與上述複數個處理單元之間搬送基板，於上述虛設基板收容部與上述複數個處理單元之間搬送虛設基板；上述基板處理裝置進而包含控制器，其控制上述第2搬送機構及上述處理單元，上述控制器於滿足虛設處理條件時，控制上述第2搬送機構，使其自上述虛設基板收容部向上述處理單元搬送虛設基板，且控制上述處理單元，使其執行虛設處理。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述虛設處理包含用以維護上述處理單元之維護處理。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中上述維護處理包含：準備處理及單元洗淨處理中之至少一者，上述準備處理係調整用以處理被保持於上述收容器保持部之基板收容器所收容之基板之環境；上述單元洗淨處理係用以洗淨上述處理單元之內部。
  5. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中於各處理區塊層中，上述複數個處理單元沿著由上述第2搬送機構搬送基板之搬送路徑，排列於該搬送路徑之兩側，且於上下方向積層而排列。
  6. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中上述基板載置部配置於上述第1搬送機構與上述第2搬送機構之間，上述虛設基板收容部配置於上述第1搬送機構與上述第2搬送機構之間。
  7. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中上述虛設基板收容部配置於與上述基板載置部不同之高度。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中上述虛設基板收容部以於俯視下與上述基板載置部上下重合之方式配置。
  9. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中上述複數個處理區塊層包含第1處理區塊層、及配置於上述第1處理區塊層上方之第2處理區塊層，於上述第1處理區塊層中，上述虛設基板收容部位於上述基板載置部之下方，於上述第2處理區塊層中，上述虛設基板收容部位於上述基板載置部之上方。
  10. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中各處理區塊層之上述虛設基板收容部包含與該處理區塊層所包含之上述複數個處理單元相同數量之複數個虛設基板槽，各虛設基板槽構成為保持1塊虛設基板。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中各處理區塊層之上述複數個處理單元與該處理區塊層之上述複數個虛設基板槽一對一相對應，上述第2搬送機構於互相對應之上述虛設基板槽與上述處理單元之間搬送虛設基板。
  12. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其進而包含控制器，其記錄收容於上述虛設基板收容部之虛設基板之使用歷程，基於上述虛設基板之使用歷程，當該虛設基板達到使用界限時發出警告。
  13. 一種基板處理裝置，其包含：傳載區塊；及處理區塊，其相鄰於上述傳載區塊之橫向，於上下方向積層有複數個處理區塊層；且上述傳載區塊包含：收容器保持部，其用以保持收容基板之基板收容器；及第1搬送機構，其於上述收容器保持部所保持之基板收容器與上述處理區塊之間搬送基板；各處理區塊層包含：複數個處理單元，其等對基板進行處理；基板載置部，其暫時保持於上述第1搬送機構與該處理區塊層之間交接之基板；虛設基板收容部，其收容可於上述複數個處理單元中使用之虛設基板；及第2搬送機構，其於上述基板載置部與上述複數個處理單元之間搬送基板，於上述虛設基板收容部與上述複數個處理單元之間搬送虛設基板；上述複數個處理區塊層包含第1處理區塊層、及配置於上述第1處理 區塊層上方之第2處理區塊層，於上述第1處理區塊層中，上述虛設基板收容部位於上述基板載置部之下方，於上述第2處理區塊層中，上述虛設基板收容部位於上述基板載置部之上方。
  14. 一種基板處理裝置，其包含：傳載區塊；及處理區塊，其相鄰於上述傳載區塊之橫向，於上下方向積層有複數個處理區塊層；且上述傳載區塊包含：收容器保持部，其用以保持收容基板之基板收容器；及第1搬送機構，其於上述收容器保持部所保持之基板收容器與上述處理區塊之間搬送基板；各處理區塊層包含：複數個處理單元，其等對基板進行處理；基板載置部，其暫時保持於上述第1搬送機構與該處理區塊層之間交接之基板；虛設基板收容部，其收容可於上述複數個處理單元中使用之虛設基板；及第2搬送機構，其於上述基板載置部與上述複數個處理單元之間搬送基板，於上述虛設基板收容部與上述複數個處理單元之間搬送虛設基板；各處理區塊層之上述虛設基板收容部包含與該處理區塊層所包含之上述複數個處理單元相同數量之複數個虛設基板槽，各虛設基板槽構成為保持1塊虛設基板；各處理區塊層之上述複數個處理單元與該處理區塊層之上述複數個 虛設基板槽一對一相對應，上述第2搬送機構於互相對應之上述虛設基板槽與上述處理單元之間搬送虛設基板。
  15. 一種基板處理裝置，其包含：傳載區塊；及處理區塊，其相鄰於上述傳載區塊之橫向，於上下方向積層有複數個處理區塊層；且上述傳載區塊包含：收容器保持部，其用以保持收容基板之基板收容器；及第1搬送機構，其於上述收容器保持部所保持之基板收容器與上述處理區塊之間搬送基板；各處理區塊層包含：複數個處理單元，其等對基板進行處理；基板載置部，其暫時保持於上述第1搬送機構與該處理區塊層之間交接之基板；虛設基板收容部，其收容可於上述複數個處理單元中使用之虛設基板；及第2搬送機構，其於上述基板載置部與上述複數個處理單元之間搬送基板，於上述虛設基板收容部與上述複數個處理單元之間搬送虛設基板；上述基板處理裝置進而包含控制器，其記錄收容於上述虛設基板收容部之虛設基板之使用歷程，基於上述虛設基板之使用歷程，當該虛設基板達到使用界限時發出警告。
  16. 一種基板處理方法，其係於基板處理裝置中執行之基板處理方法，該基板處理裝置包含：收容器保持部，其用以保持收容基板之基板收容器；傳載區塊，其具有於上述收容器保持部所保持之基板收容器與處理區 塊之間搬送基板的第1搬送機構；及上述處理區塊，其相鄰於上述傳載區塊之橫向，於上下方向積層有複數個處理區塊層；且各處理區塊層包含：複數個處理單元，其等對基板進行處理；基板載置部，其暫時保持於上述第1搬送機構與該處理區塊層之間交接之基板；虛設基板收容部，其收容可於上述複數個處理單元中使用之虛設基板；及第2搬送機構，其於上述基板載置部與上述複數個處理單元之間搬送基板，於上述虛設基板收容部與上述複數個處理單元之間搬送虛設基板；且上述基板處理方法執行以下步驟：於各處理區塊層內，上述第2搬送機構將收容於該處理區塊層內之上述虛設基板收容部之虛設基板搬入至該處理區塊層內之複數個處理單元之任一者的虛設基板搬入步驟；於該處理單元內進行使用上述搬入之虛設基板之虛設處理的虛設處理步驟；於上述虛設處理後，上述第2搬送機構將上述虛設基板自上述處理單元取出，搬送至上述虛設基板收容部的步驟；上述第2搬送機構將載置於該處理區塊層之上述基板載置部之基板搬入至該處理區塊層之複數個處理單元之任一者的步驟；及於該處理單元內處理上述搬入之基板之步驟。
  17. 如請求項16之基板處理方法，其與基板搬入步驟並行、或於該基板搬入步驟之前，執行上述虛設基板搬入步驟，上述基板搬入步驟係上述第1搬送機構自上述基板收容器取出基板，且將其搬入至上述複數個處理區塊層中之任一者之上述基板載置部。
  18. 如請求項17之基板處理方法，其與上述基板搬入步驟並行、或於該基板搬入步驟之前，執行上述虛設處理步驟。
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