TW201505117A - 基板搬送裝置、基板處理裝置及基板收容方法 - Google Patents

Abstract

對匣盒適當地收容基板。 實施形態之基板搬送裝置，係具備有基板搬送部、檢測部及控制裝置。基板搬送部，係在與可收容複數片基板的匣盒之間進行基板的收授。檢測部，係檢測收容於匣盒的基板。控制裝置，係控制基板搬送部。又，控制裝置係具備搬送控制部、判定部及修正部。搬送控制部，係以對基板事先決定之目標收容位置收容基板的方式，控制基板搬送部。判定部，係藉由檢測部檢測被收容到匣盒的基板後，根據檢測部的檢測結果，判定該基板之實際的收容位置。修正部，係根據基板之實際的收容位置與目標收容位置的偏移，對作為其他基板之收容位置而事先決定的目標收容位置進行修正。

Description

基板搬送裝置、基板處理裝置及基板收容方法

揭示之實施形態，係與基板搬送裝置、基板處理裝置及基板收容方法相關。

以往，已知從收容有複數片基板的匣盒依次取出基板進行處理的基板處理裝置。

例如在專利文獻1中，揭示有一種基板處理裝置，其係使用透過型感測器等的檢測部來特定收容於匣盒之基板的各收容位置，並隨著所特定的收容位置進行從同匣盒取出基板與使取出的基板返回到同匣盒。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平11-145244號公報

但是，在使從匣盒取出的基板返回到其他匣 盒而非原本的匣盒時，難以使用上述的習知技術來掌握往其他匣盒的收容位置。因此，在該情況下，係隨著事先記憶的目標收容位置而進行基板的收容。

然而，例如若匣盒未被正確地設置於載置台或稍微歪斜時，事先記憶的目標收容位置與實際的收容位置會偏移，因此，會有無法對匣盒適當地收容基板之虞。

實施形態之一態樣，係提供一種能夠對匣盒適切地收容基板之基板搬送裝置、基板處理裝置及基板收容方法來作為目的。

實施形態之一態樣的基板搬送裝置，係具備有基板搬送部、檢測部及控制裝置。基板搬送部，係在與可收容複數片基板的匣盒之間進行基板的收授。檢測部，係檢測收容於匣盒的基板。控制裝置，係控制基板搬送部。又，控制裝置係具備搬送控制部、判定部及修正部。搬送控制部，係以對基板事先決定之目標收容位置收容基板的方式，控制基板搬送部。判定部，係藉由檢測部檢測被收容到匣盒的基板後，根據檢測部的檢測結果，判定該基板之實際的收容位置。修正部，係根據基板之實際的收容位置與目標收容位置的偏移，對作為其他基板之收容位置而事先決定的目標收容位置進行修正。

藉由實施形態之一態樣，能夠對匣盒適切地收容基板。

W‧‧‧晶圓

Wd‧‧‧虛擬晶圓

C1~C4‧‧‧匣盒

1‧‧‧搬入搬出站

2‧‧‧搬送站

6‧‧‧控制裝置

21‧‧‧基板搬送部

22‧‧‧基板收授台

23‧‧‧基板檢測部

61‧‧‧控制部

62‧‧‧記憶部

100‧‧‧基板處理裝置

211‧‧‧第1保持部

212‧‧‧第2保持部

231‧‧‧投光器

232‧‧‧受光器

611‧‧‧搬送控制部

612‧‧‧判定部

613‧‧‧修正部

621‧‧‧目標位置資訊

622‧‧‧判定資訊

[圖1]圖1係表示第1實施形態之基板處理裝置之概略構成的圖。

[圖2A]圖2A係表示匣盒及基板檢測部之概略構成的圖。

[圖2B]圖2B係表示匣盒及基板檢測部之概略構成的圖。

[圖3A]圖3A係具備有基板搬送裝置之第1保持部的模式立體圖。

[圖3B]圖3B係具備有基板搬送裝置之第2保持部的模式立體圖。

[圖4]圖4係表示控制裝置之構成的方塊圖。

[圖5A]圖5A係判定部所致之判定處理的說明圖。

[圖5B]圖5B係判定部所致之判定處理的說明圖。

[圖6]圖6係表示基板處理裝置執行之基板收容處理之處理步驟的流程圖。

[圖7]圖7係表示第2實施形態之基板收容處理之處理步驟的流程圖。

[圖8]圖8係預測下次晶圓之目標收容位置與實際之收容位置的偏移量時的說明圖。

以下，參閱添附圖面，對本申請案所揭示之基板搬送裝置、基板處理裝置及基板收容方法的實施形態進行詳細說明。另外，該發明並不受以下所示之實施形態限定者。

(第1實施形態)

首先，使用圖1對第1實施形態之基板處理裝置的概略構成進行說明。圖1係表示第1實施形態之基板處理裝置之概略構成的圖。

另外，在下述中為了明確位置關係，進而規定彼此正交之X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向設為垂直向上方向。又，在下述中，將X軸負方向側規定為基板處理裝置的前方，將X軸正方向側規定為基板處理裝置的後方。

如圖1所示，基板處理裝置100係具備搬入搬出站1、搬送站2及處理站3。該些搬入搬出站1、搬送站2及處理站3，係依搬入搬出站1、搬送站2及處理站3的順序，從基板處理裝置100的前方往後方配置。

搬入搬出站1係載置有複數個匣盒的地方，在緊貼於搬送站2之前壁的狀態下，以左右並排方式載置有例如4個匣盒C1~C4。各匣盒C1~C4，係以水平姿勢可多段地收容複數片晶圓W的收納容器。

搬送站2被配置於搬入搬出站1的後方，在內部具備有基板搬送部21與基板收授台22。在基板收授台22中，載置有暫時收容有複數片晶圓W的緩衝卡匣(未圖示)。

基板搬送部21，係在載置於搬入搬出站1的匣盒C1~C4與載置於基板收授台22的緩衝卡匣之間進行晶圓W的收授。具體而言，基板搬送部21將執行從匣盒C1~C4取出晶圓W並收容到緩衝卡匣的處理與從緩衝卡匣取出晶圓W並收容到匣盒C1~C4的處理。

又，在搬送站2中，對應於匣盒C1~C4各別設有檢測收容於匣盒C1~C4之晶圓W的基板檢測部23。

在此，參閱圖2A及圖2B對匣盒C1~C4及基板檢測部23的概略構成進行說明。圖2A及圖2B係表示匣盒C1~C4及基板檢測部23之概略構成的圖。在圖2A中，係表示對應於作為一例之匣盒C1而設的基板檢測部23。

如圖2A所示，匣盒C1為箱體，其係在與搬送站2相對的側(X軸正方向側)具有開口部。匣盒C1之左右的尺寸，係稍微大於晶圓W的尺寸。又，深度亦大於晶圓W之尺寸的晶圓W將形成為不會有從開口部露出程度的尺寸。

匣盒C1的內部，係設有：支撐部(未圖示)，支撐開口部與位於相反側之晶圓W的緣部；及一對支撐部12，12，支撐晶圓W之左右的緣部。藉由被支 撐於該些支撐部的方式，晶圓W會形成為以水平姿勢被收容於匣盒C1的狀態。

另外，匣盒C2~C4亦與匣盒C1有相同的構 成。在此，雖例示了收容12片晶圓W的匣盒，但可收容匣盒C1~C4之晶圓W的片數並不限定為12片。

基板檢測部23，係如圖2A及圖2B所示，具 備：投光器231，用於照射光；受光器232，接受由投光器231照射的光；及未圖示的移動部，使投光器231及受光器232沿垂直方向移動。投光器231及受光器232，係設定成在匣盒C1之開口部的左右兩側彼此相對而水平配置。

基板檢測部23，係在使光從投光器231照射 的狀態下，使用未圖示的移動部來使投光器231及受光器232沿垂直方向移動。晶圓W不存在於投光器231及受光器232之間時，從投光器231照射的光係藉由受光器232來接受。另一方面，晶圓W存在於投光器231及受光器232之間時，由於從投光器231照射的光被晶圓W遮蔽，故無法到達受光器232。藉此，基板檢測部23可檢測收容於匣盒C1的晶圓W。

後述的控制裝置6，係根據從該基板檢測部23輸出的檢測訊號S來判定晶圓W之實際的收容位置。對於該點如後所述。

另外，在此，雖表示了基板檢測部23具有透過型之光感測器時的例子，但基板檢測部23並不限於透 過型的光感測器亦可具有反射型的光感測器。

設置於搬送站2的基板搬送部21，係具備可 獨立動作的2個基板保持部。在此，參閱圖3A及圖3B對具備有基板搬送部21之各基板保持部的構成進行說明。圖3A係具備有基板搬送部21之第1保持部的模式立體圖，圖3B係具備有基板搬送部21之第2保持部的模式立體圖。

如圖3A所示，具備有基板搬送部21的第1 保持部211，係具備1個夾盤211a，而使用該夾盤211a以水平姿勢保持1片晶圓W。另一方面，如圖3B所示，具備有基板搬送部21的第2保持部212，係具備複數個(在此為4個)夾盤212a~212d，而使用該些複數個夾盤212a~212d於垂直方向以水平姿勢多段地保持複數個(在此為4片)晶圓W。第2保持部212，係被配置於第1保持部211的上方。

第1保持部211及第2保持部212，係例如各 別設於不同支臂的前端部，可獨立動作。各夾盤211a、212a~212d之垂直方向的間隔，係與匣盒C1~C4之各一對支撐部12，12(參閱圖2A)之垂直方向的間隔相同程度，基板搬送部21係可使用第1保持部211及第2保持部212，在匣盒C1~C4與緩衝卡匣之間同時收授複數個(在此為最大5片)的晶圓W。

又，如圖1所示，在搬送站2中，更設有虛 擬晶圓存放部24。在該虛擬晶圓存放部24中，存放有虛 擬晶圓Wd。虛擬晶圓Wd，係與晶圓W不同而並非為製品晶圓的晶圓。在第2實施形態中，對使用了該虛擬晶圓Wd之基板收納處理的具體內容進行說明。另外，在第1實施形態中，不一定設有虛擬晶圓存放部24。

處理站3係被配置於搬送站2的後方。在該 處理站3的中央部配置有基板搬送部31，在該基板搬送部31的左右兩側，分別以前後方向並排方式載置有複數個(在此為各6個)基板處理部5。在該處理站3中，基板搬送部31係在搬送站2的基板收授台22與各基板處理部5之間逐片搬送晶圓W，各基板處理部5係對晶圓W逐片進行洗淨處理等的基板處理。

在如此構成之基板處理裝置100中，首先， 搬送站2的基板搬送部21將從載置於搬入搬出站1的匣盒C1~C4取出晶圓W，並將取出的晶圓W收容於基板收授台22之未圖示的緩衝卡匣。收容於緩衝卡匣的晶圓W被處理站3的基板搬送部31取出，且被搬入至任一個基板處理部5。

被搬入至基板處理部5的晶圓W，係藉由該基板處理部5施予基板處理後，從基板處理部5被基板搬送部31搬出，再次被收容於基板收授台22的緩衝卡匣。且，收容於緩衝卡匣之處理完畢的晶圓W，係藉由基板搬送部21回到匣盒C1~C4。

又，基板處理裝置100係具備控制裝置6。控制裝置6，係控制上述之基板處理裝置100之動作的裝 置。

在此，參閱圖4對控制裝置6的構成進行說 明。圖4係表示控制裝置6之構成的方塊圖。另外，在圖4中，為了說明控制裝置6的特徵，而僅表示所需的構成要素，省略關於一般之構成要素的記載。

如圖4所示，控制裝置6係具備控制部61與 記憶部62。控制部61，係根據記憶於記憶部62的資訊，使從匣盒C1~C4取出晶圓W並收容到緩衝卡匣的處理與從緩衝卡匣取出晶圓W並收容到匣盒C1~C4的處理執行於基板搬送部21。

另外，本案所揭示的基板搬送裝置，係構成 為包含圖4所示的控制裝置6、基板搬送部21及基板檢測部23。

接下來，對基板處理裝置100的具體動作進 行說明。在基板處理裝置100中，首先，基板搬送部21係隨著控制裝置6的控制，從匣盒C1~C4取出晶圓W進行收容到基板收授台22之緩衝卡匣的處理。

具體而言，首先，基板檢測部23將檢測收容 於匣盒C1~C4之各晶圓W的位置。接下來，控制部61係根據由基板檢測部23檢測的位置來決定目標取出位置，而使基板搬送部21的第1保持部211或第2保持部212對所決定的目標取出位置移動，並從匣盒C1~C4取出晶圓W。

另外，關於從匣盒C1~C4取出晶圓W的具體 方法，係可採用例如日本特開2003-168715號公報所記載的基板取出方法。

接下來，基板搬送部31將從緩衝卡匣取出收 容於緩衝卡匣的晶圓W並搬入至基板處理部5。又，基板處理部5所致之晶圓W的處理室結束時，基板搬送部31將從基板處理部5取出處理完畢的晶圓W並收容到緩衝卡匣。

接下來，基板搬送部21將從緩衝卡匣取出收 容於緩衝卡匣而處理完畢的晶圓W並收容到匣盒C1~C4。

在此，將處理完畢的晶圓W收容到原本的匣 盒C1~C4時，控制部61係使用從匣盒C1~C4取出晶圓W時所取得之基板檢測部23的檢測結果(目標取出位置)，將處理完畢的晶圓W收容到原本的匣盒C1~C4之原本的位置。

另一方面，在將處理完畢的晶圓W收容到其 他匣盒C1~C4時，進行與上述情況不同的處理。在此，關於將處理完畢的晶圓W收容到其他匣盒C1~C4的情況，係舉一將從匣盒C1取出的晶圓W收容到匣盒C3的例子具體地進行說明。另外，收容有處理完畢之晶圓W的匣盒C3為空的狀態。

如圖4所示，控制裝置6的控制部61，係具 備搬送控制部611、判定部612、及修正部613。又，在控制裝置6的記憶部62中，記憶有目標位置資訊621與 判定資訊622。

搬送控制部611，係控制基板搬送部21，並使晶圓W之收授在匣盒C1~C4與基板收授台22的緩衝卡匣之間進行。該搬送控制部611，係在對空的匣盒C3收容最一開始的晶圓W(以下記載為「第1晶圓」)時，使用記憶於記憶部62的目標位置資訊621控制基板搬送部21，藉此，使第1晶圓收容於作為第1晶圓之收容位置而事先決定的目標收容位置。

記憶於記憶部62的目標位置資訊621，係表示相對於匣盒C1~C4之各縫槽之晶圓W之目標收容位置的資訊。又，目標收容位置是指事先決定之晶圓W的收容位置。

另外，從上述的匣盒C1~C4取出晶圓W時的動作，亦藉由搬送控制部611控制基板搬送部21的方式予以進行。

判定部612，係根據基板檢測部23的檢測結果來判定收容於匣盒C3之晶圓W之實際的收容位置。在此，參閱圖5A及圖5B對判定部612所致之判定處理的內容進行說明。圖5A及圖5B係判定部612所致之判定處理的說明圖。

如圖5A及圖5B所示，判定部612係從基板檢測部23繼續檢測晶圓W的時間(參閱圖5B的t1，t2)與基板檢測部23沿垂直方向移動的速度，來判定該晶圓W之垂直方向的厚度。且，判定部612係將該厚度 的中心位置(參閱圖5B的P1，P2)判定為晶圓W之實際的收容位置。又，判定部612係能夠從已檢測的晶圓W厚度來判定晶圓W的姿勢是否正常。

且，判定部612係將包含所判定之晶圓W之 實際的收容位置及該晶圓W厚度之資訊的判定資訊622記憶於記憶部62。另外，判定為晶圓W之實際的收容位置之位置，係不限於上述厚度的中心位置。

修正部613將計算出垂直方向中的偏移量， 該垂直方向係指由判定部612所判定之第1晶圓之實際的收容位置與相對於由目標位置資訊621所示之匣盒C3之各縫槽的晶圓之目標收容位置的垂直方向。且，修正部613將在垂直方向僅偏移上述偏移量部份的位置作為修正後的目標收容位置予以計算，並使作為對匣盒C3接下來所應收容的晶圓W(以下，記載為「第2晶圓」)之收容位置而事先決定的目標收容位置輸出到搬送控制部611。

且，搬送控制部611，係以將第2晶圓收容於 修正後之目標收容位置的方式，控制基板搬送部21。藉此，假設匣盒C3之各縫槽的位置沿垂直方向全體偏移，亦不會使第2晶圓干擾到第1晶圓且能夠適當地收容到匣盒C3。

另外，關於第1晶圓係隨著事先記憶的目標 位置資訊621進行往匣盒C3的收容，此時，由於匣盒C3為空的狀態，故，不會有第1晶圓干擾到其他晶圓W之虞。

接下來，參閱圖6，對從匣盒C1被取出後， 使由基板處理部5所處理而收容於緩衝卡匣的晶圓W收容到匣盒C3時之基板收容處理的具體處理步驟進行說明。圖6係表示基板處理裝置100所執行之基板收容處理之處理步驟的流程圖。另外，在圖6中，係表示使匣盒C3從空的狀態成為充滿之狀態的處理步驟。

如圖6所示，在基板處理裝置100中，控制 部61之搬送控制部611將控制基板搬送部21，並使用第1保持部211予以保持收容於基板收授台22之未圖示之緩衝卡匣的第1晶圓(步驟S101)。且，搬送控制部611係使藉由第1保持部211保持的第1晶圓收容到匣盒C3之最下段的縫槽(步驟S102)。

如此一來，藉由使第1晶圓的收容位置成為 匣盒C3的最下段，可更安全地將第1晶圓收容於匣盒C3。

亦即，假設匣盒C3傾斜時，各縫槽之目標收 容位置與實際之收容位置的誤差會隨著上段側的縫槽而變大。於此，藉由將目標收容位置與實際之收容位置的誤差為最小的最下段設定為隨著事先記憶的目標位置資訊621而收容之第1晶圓的收容位置，可降低第1晶圓與匣盒C3之支撐部12接觸的可能性。

另外，第1晶圓的收容位置並不限於匣盒C3的最下段，亦可為匣盒C3的最上段，或亦可為其他段。

接著，基板檢測部23將檢測收容於匣盒C3 的第1晶圓。然後，在基板處理裝置100中，控制裝置6的判定部612係根據基板檢測部23的檢測結果，來判定收容於匣盒C3之第1晶圓之實際的收容位置及第1晶圓的厚度(步驟S103)。且，判定部612係將已包含第1晶圓之實際的收容位置與第1晶圓的厚度之判定資訊622記憶於記憶部62。

接下來，搬送控制部611將判定第1晶圓的 厚度是否正常(步驟S104)。具體而言，搬送控制部611係若由判定資訊622所示之第1晶圓的厚度在臨界值內，則判定第1晶圓的厚度為正常，若超過臨界值則判定為異常。

亦即，由判定部612判定之第1晶圓的厚度 較大時，換句話說，基板檢測部23所致之第1晶圓的檢測時間較長時，會有第1晶圓傾斜而被收容之虞。於此，搬送控制部611在該情況下，判定第1晶圓的厚度為異常(步驟S104，No)，並中止接下來的處理(步驟S105)且結束基板收容處理。

如此一來，搬送控制部611係根據基板檢測 部23所致之第1晶圓的檢測時間，來判定收容於匣盒C3之第1晶圓的厚度是否正常，判定為異常時，則中止接下來的處理。藉此，能夠防止因異常的姿勢使第2晶圓以後的晶圓W與收容於匣盒C3的第1晶圓接觸而破損於未然。

另外，在此，雖藉由判定第1晶圓的厚度是 否在臨界值內，來判定第1晶圓的厚度是否正常，但亦可藉由判定基板檢測部23所致之第1晶圓的檢測時間是否在臨界值內，來判定第1晶圓的厚度是否正常。

另一方面，判定了第1晶圓的厚度為正常(步驟S104，Yes)時，修正部613將計算出由目標位置資訊621所示之第1晶圓的目標收容位置與由判定資訊622所示之第1晶圓之實際收容位置的偏移量。且，搬送控制部611將判定所計算出的偏移量是否在臨界值內(步驟S106)。

且，搬送控制部611，係在上述偏移量超過臨界值時(步驟106，No)，中止接下來的處理(步驟S105)且結束基板收容處理。

如此一來，搬送控制部611，係在第1晶圓之實際的收容位置與目標收容位置的偏移超過臨界值時，判定為在匣盒C3有異常並中止接下來的處理。藉此，能夠防止對異常之匣盒C3收容第2晶圓以後的晶圓W而使該些晶圓W破損於未然。

另一方面，在判定為第1晶圓之實際的收容位置與目標收容位置的偏移量在臨界值內時(步驟S106，Yes)，修正部613將以僅在步驟S106所計算出的偏移量部份來修正複數片(例如5片)晶圓W的各目標收容位置(步驟S107)。

接下來，搬送控制部611將控制基板搬送部21，並使用第1保持部211及第2保持部212予以保持收 容於基板收授台22之未圖示之緩衝卡匣的複數片晶圓W(第2晶圓)(步驟S108)。且，搬送控制部611將對於在步驟S107修正之各晶圓W的目標收容位置，使同時收容由第1保持部211及第2保持部212保持的複數片晶圓W(步驟S109)。

如此一來，控制部61係使第1晶圓收容到匣 盒C3後，對修正後的各目標收容位置使同時收容複數片第2晶圓。藉此，能夠縮短基板收容處理所需的時間。

另外，在此，雖使用第1保持部211及第2 保持部212使複數片第2晶圓保持並同時收容到匣盒C3，但搬送控制部611係只要至少使用第2保持部212而使複數片第2晶圓保持並收容到匣盒C3即可，不一定要使用第1保持部211。

接下來，控制部61將判定匣盒C3是否已充 滿(步驟S110)。匣盒是否已充滿，係可基於從搬送控制部611送來之基板搬送部21的控制資訊來進行判斷。 控制部61，係在匣盒C3未充滿時(步驟S110，No)，至匣盒C3充滿為止重複步驟S107~S110的處理(亦即繼續對第3晶圓以後的晶圓W進行相同的動作)。且，若判定為匣盒C3已充滿時(步驟S110，Yes)，控制部61將結束基板收容處理。

如上述，第1實施形態之基板處理裝置100， 係具備基板搬送部21、基板檢測部23及控制裝置6。基板搬送部21，係在與可收容複數片晶圓W的匣盒C1~C4 之間進行基板的收授。基板檢測部23，係檢測收容於匣盒C1~C4的基板。控制裝置6，係控制基板搬送部21。

又，控制裝置6係具備搬送控制部611、判定 部612及修正部613。搬送控制部611，係以對事先決定之目標收容位置收容第1晶圓的方式，控制基板搬送部21。判定部612，係藉由基板檢測部23檢測被收容到匣盒C3的第1晶圓後，根據基板檢測部23的檢測結果，來判定第1晶圓之實際的收容位置。且，修正部613，係根據第1晶圓之實際的收容位置與目標收容位置的偏移，對作為第2晶圓及其後之收容位置而事先決定的目標收容位置進行修正。

因此，根據第1實施形態之基板處理裝置 100，可對匣盒C3適當地收容晶圓W。

(第2實施形態)

然後，對於在上述的第1實施形態中，將第1晶圓之實際的收容位置與目標收容位置的偏移量設定成修正量，並將該修正量應用來作為以後之所有晶圓W之目標收容位置之修正量時的例子進行說明。亦即，在上述的第1實施形態中，係僅對於作為第1片晶圓W的第1晶圓，計算晶圓W之實際的收容位置與目標收容位置的偏移量。

但，基板收容處理並不限於此，亦可在每次將晶圓W收容到匣盒C3時進行上述偏移量的計算。以下是使用圖7，對該情況之基板收容處理的例子進行說明。 圖7係表示第2實施形態之基板收容處理之處理步驟的流程圖。另外，由於圖7的步驟S201~S206係與圖6的步驟S101~S106相同，故省略說明。

如圖7所示，若在步驟S206中判定為第1晶 圓的厚度為正常時(步驟S206，Yes)，控制部61將判定對匣盒C3收容預定片數(在此設定為m片)的晶圓W是否已結束(步驟S207)。

在該處理中，收容到匣盒C3之晶圓W的片 數未達到m片時(步驟S207，No)，修正部613將基於收容於此次匣盒C3之晶圓W實際的收容位置，來修正接下來應收容於匣盒C3之1片晶圓W的目標收容位置(步驟S208)。且，搬送控制部611將控制基板搬送部21，而以第1保持部211予以保持收容於緩衝卡匣的1片晶圓W(步驟S209)，並使該晶圓W收容到修正後的目標收容位置(步驟S210)。

接下來，控制部61將判定匣盒C3是否已充 滿(步驟S211)。控制部61係在匣盒C3未充滿時(步驟S211，No)，至收容到匣盒C3之晶圓W的片數達到m片為止，重複步驟S203~S211的處理。

如此一來，在第2實施形態中，在每次將晶 圓W收容到匣盒C3時，計算出實際的收容位置並修正下次的目標收容位置。具體而言，判定部612係在每次晶圓W被收容到匣盒C3時，判定該晶圓W的實際收容位置，修正部613係在每次晶圓W被收容到匣盒C3時，根據晶 圓W之實際的收容位置來修正下次晶圓W的目標收容位置。藉此，可更適當地對匣盒C3收容晶圓W。

另一方面，在步驟S207中，判定為第m片晶 圓W的收容已結束時(步驟S207，Yes)，修正部613將基於第m片晶圓W之實際的收容位置來修正複數片(例如5片)晶圓W的各目標收容位置(步驟S212)。

且，搬送控制部611將控制基板搬送部21， 且以第1保持部211及第2保持部212予以保持收容於緩衝卡匣的複數片晶圓W(步驟S213)，並使各晶圓W同時收容到修正後的各目標收容位置(步驟S214)。

接下來，控制部61將判定匣盒C3是否已充 滿(步驟S215)。控制部61係在匣盒C3未充滿時(步驟S215，No)，至匣盒C3充滿為止，重複步驟S212~S215的處理。

且，控制部61係在步驟S211中，判定了匣 盒C3已充滿時(步驟S211，Yes)、在步驟S215中，判定了匣盒C3已充滿時(步驟S215，Yes)、或是在步驟S205中，中止了處理時，結束基板收容處理。

如此一來，在第2實施形態中，係在收容到 匣盒C3之晶圓W的片數已達到預定片數時，亦即，不用中止處理而可正常地收容預定片數的晶圓W時，判斷為將來發生異常的可能性較低，並使複數片晶圓W移行至一次收容到匣盒C3的處理。藉此，能夠適當且以短時間地將晶圓W收容到匣盒C3。

(第3實施形態)

然後，對在上述的第1實施形態及第2實施形態中，一開始被收容到匣盒C1~C4的第1晶圓是作為製品晶圓的晶圓W時的例子進行說明。但是，第1晶圓係亦可為虛擬晶圓Wd(參閱圖1)而非製品晶圓。以下，在第3實施形態中，對使用虛擬晶圓Wd來作為第1晶圓時的例子進行說明。

該情況下，於基板處理裝置100，係在基板處理部5中晶圓W被予以處理之間，基板搬送部21會隨著搬送控制部61所致的控制而從虛擬晶圓存放部24取出虛擬晶圓Wd。

接下來，在基板處理裝置100中，係進行與圖6所示的步驟S102及S103或圖7所示的步驟S202及S203相同的處理。亦即，在基板搬送部21將從虛擬晶圓存放部24取出的虛擬晶圓Wd收容到空的匣盒C3之最下段的縫槽且基板檢測部23進行虛擬晶圓Wd的檢測後，判定部612將根據基板檢測部23的檢測結果來判定虛擬晶圓Wd之實際的收容位置及厚度。

若藉由判定部612判定虛擬晶圓Wd之實際的收容位置及厚度時，基板搬送部21將從匣盒C3取出虛擬晶圓Wd而返回到虛擬晶圓存放部24。藉此，匣盒C3會再次成為空的狀態。

接下來，基板搬送部21將從緩衝卡匣取出作 為由基板處理部5所處理之製品晶圓的晶圓W。且，基板搬送部21將從緩衝卡匣取出的晶圓W收容於由判定部612所判定之虛擬晶圓Wd之實際的收容位置。

如此一來，在第2實施形態中，將製品晶圓 收容於匣盒C3之前，將虛擬晶圓Wd收容到匣盒C3並判定虛擬晶圓Wd之實際的收容位置，且使用虛擬晶圓Wd之實際的收容位置，使第1片的製品晶圓收容到匣盒C3。藉此，可降低一開始收容於匣盒C3的製品晶圓破損的風險。

另外，其後的處理，係與圖6所示之步驟 S103~S110或圖7所示之步驟S203~S215的處理相同。亦即，在藉由判定部612判定收容於匣盒C3之晶圓W之實際的收容位置及厚度，並各別判定晶圓W的厚度是否正常及與目標收容位置的偏移量是否在臨界值內後，修正複數片晶圓W的各目標收容位置，並對修正後的目標收容位置同時收容複數片晶圓W。

在上述的例子中，判定了虛擬晶圓Wd之實際 的收容位置等後，進一步針對收容於與虛擬晶圓Wd相同之地方的晶圓W，判定實際的收容位置等。但是，亦可省略針對收容於與虛擬晶圓Wd相同之地方的判定處理，根據虛擬晶圓Wd之實際的收容位置進行複數片晶圓W之各目標收容位置的修正。

(第4實施形態)

基板處理裝置100，係亦可使用儲存的判定資訊622來預測下次晶圓W之目標收容位置與實際之收容位置的偏移量。關於該觀點，參照圖8進行說明。圖8係預測下次晶圓W之目標收容位置與實際之收容位置的偏移量時的說明圖。

另外，圖8所示的P1~P4係表示目標收容位 置，p1~p3係表示根據基板檢測部23的檢測結果所判定之實際的收容位置。

例如匣盒C3傾斜時，如圖8所示，目標收容 位置P1~P3與實際的收容位置p1~p3的偏移量g1~g3會隨著匣盒C3的上段側而變大。修正部613，係事先在記憶部62儲存上述偏移量g1~g3而從所儲存的偏移量g1~g3計算出偏移量的變化率，並使用計算出的變化率與下次的目標收容位置P4來預測下次的偏移量g4。且，修正部613係使用所預測的偏移量g4計算出修正後的目標收容位置P4。

如此一來，亦可將目標收容位置與實際之收 容位置的偏移量儲存於記憶部62，並根據所儲存的偏移量來預測下次的偏移量。藉此，可提高目標收容位置的修正精度。

又，控制部61係亦可根據目標收容位置與實 際之收容位置的偏移量之儲存資訊來變更同時收容的晶圓W片數。

亦即，匣盒C3的傾斜越大，越難以對匣盒 C3同時收容複數片晶圓W。於此，搬送控制部611係上述偏移量的變化率越高，亦可減少同時收容的晶圓W片數。

例如，搬送控制部611，係亦可藉由下述方式 控制基板搬送部21，該方式係使用上述偏移量的變化率來各別預測下次應被收容之複數個晶圓W之實際的收容位置，分割出可同時對所預測之實際的收容位置予以收容之晶圓W的最大片數，並將該最大片數之晶圓W同時收容於匣盒C3。

在上述的各實施形態中，雖表示了基板檢測 部23被設於搬送站2之專用單元時的例子，但，基板檢測部23亦可為各別將投光器及受光部安裝於例如第1保持部211的夾盤211a的前端者。

又，在上述的各實施形態中，雖表示了第1 晶圓為對匣盒C3所收容之第1片晶圓W時的例子，但，第1晶圓並不限於此，亦可為第2片以後的晶圓W。

更進一步之效果或變形例，係具有該發明技 術領域之通常知識者能夠輕易進行導出。因此，本發明之更廣泛的態樣，係不限定於如上述所表示且記述之特定及代表性的實施形態者。因此，在不脫離藉由附加之申請專利範圍及其均等物所定義之所有發明的概念精神或範圍下，可進行各種變更。

6‧‧‧控制裝置

21‧‧‧基板搬送部

23‧‧‧基板檢測部

61‧‧‧控制部

62‧‧‧記憶部

611‧‧‧搬送控制部

612‧‧‧判定部

613‧‧‧修正部

621‧‧‧目標位置資訊

622‧‧‧判定資訊

Claims (13)

1. 一種基板搬送裝置，其特徵係具備：基板搬送部，係在與可收容基板的匣盒之間進行前述基板的收授；檢測部，係檢測收容於前述匣盒的基板；及控制裝置，係控制前述基板搬送部，前述控制裝置，係具備：搬送控制部，係以對事先決定之目標收容位置收容基板的方式，控制前述基板搬送部；判定部，係藉由前述檢測部檢測被收容到前述匣盒的基板後，根據前述檢測部的檢測結果，判定前述基板之實際的收容位置；及修正部，係根據前述基板之實際的收容位置與前述目標收容位置的偏移，對作為其他基板之收容位置而事先決定的目標收容位置進行修正。
2. 如申請專利範圍第1項之基板搬送裝置，其中，前述搬送控制部，係以對事先決定之目標收容位置收容1片基板的方式，控制前述基板搬送部，前述修正部，係根據前述1片基板之實際的收容位置與前述目標收容位置的偏移，對作為接下來所應收容之複數片基板的收容位置而各別事先決定的目標收容位置進行修正。
3. 如申請專利範圍第2項之基板搬送裝置，其中， 前述基板搬送部，係具備：第1保持部，保持前述基板；及第2保持部，保持複數片前述基板，前述搬送控制部，係以前述第1保持部保持前述1片基板並使收容到前述匣盒後，至少以前述第2保持部保持前述複數片基板，並對由前述修正部所修正之前述複數片基板的各個目標收容位置，使同時收容前述複數片基板。
4. 如申請專利範圍第1項之基板搬送裝置，其中，前述判定部，係在每次前述基板被收容到前述匣盒時，判定該基板之實際的收容位置，前述修正部，係在每次前述基板被收容到前述匣盒時，根據該基板之實際的收容位置與對於該基板之修正後之目標收容位置的偏移來修正下次之前述基板的目標收容位置。
5. 如申請專利範圍第1~4項中任一項之基板搬送裝置，其中，前述搬送控制部，係以對作為前述匣盒之最下段的位置而事先決定之目標收容位置收容一開始應被收容到前述匣盒之基板的方式，控制前述基板搬送部。
6. 如申請專利範圍第1~4項中任一項之基板搬送裝置，其中， 前述搬送控制部，係以對事先決定之目標收容位置收容虛擬基板的方式，控制前述基板搬送部，藉由前述判定部判定前述虛擬基板之實際的收容位置後，從前述匣盒取出前述虛擬基板後，以對前述虛擬基板之實際的收容位置收容前述基板的方式，控制前述基板搬送部。
7. 一種基板處理裝置，其特徵係具備：基板搬送裝置，係從外部搬入基板；基板處理部，係對由前述基板搬送裝置搬入的前述基板進行處理；及收授部，係用於將由前述基板搬送裝置搬入的前述基板收授到前述基板處理部；前述基板搬送裝置，係具備：基板搬送部，係在與可收容基板的匣盒之間進行前述基板的收授；檢測部，係檢測收容於前述匣盒的基板；及控制裝置，係控制前述基板搬送部，前述控制裝置，係具備：搬送控制部，係以對事先決定之目標收容位置收容基板的方式，控制前述基板搬送部；判定部，係藉由前述檢測部檢測被收容到前述匣盒的基板後，根據前述檢測部的檢測結果，判定前述基板之實際的收容位置；及修正部，係根據前述基板之實際的收容位置與前述目 標收容位置的偏移，對作為其他基板之收容位置而事先決定的目標收容位置進行修正。
8. 一種基板收容方法，其特徵係包含：第1收容工程，係控制在與可收容基板的匣盒之間進行前述基板之收授的基板搬送部，並對事先決定的目標收容位置收容基板；判定工程，係藉由檢測收容於前述匣盒之基板的檢測部，來檢測收容到前述匣盒的基板後，根據前述檢測部的檢測結果，判定前述基板之實際的收容位置；修正工程，係根據前述基板之實際的收容位置與前述目標收容位置的偏移，對作為其他基板之收容位置而事先決定的目標收容位置進行修正；及第2收容工程，控制前述基板搬送部，並對在前述修正工程所修正的目標收容位置收容前述其他基板。
9. 如申請專利範圍第8項之基板收容方法，其中，前述第1收容工程，係控制前述基板搬送部，並對作為1片基板之收容位置而事先決定的目標收容位置收容該1片基板，前述修正工程，係根據前述1片基板之實際的收容位置與前述目標收容位置的偏移，對作為接下來所應收容之複數片基板的收容位置而各別事先決定的目標收容位置進行修正。
10. 如申請專利範圍第9項之基板收容方法，其中，前述基板搬送部，係具備： 第1保持部，保持前述基板；及第2保持部，保持複數片前述基板，前述第1收容工程，係以前述第1保持部使前述1片基板予以保持，並收容到前述匣盒，前述第2收容工程，係至少以前述第2保持部使前述複數片基板予以保持，並對在前述修正工程所修正之前述複數片基板的各個目標收容位置同時收容前述複數片基板。
11. 如申請專利範圍第8項之基板收容方法，其中，前述判定工程，係在每次前述基板被收容到前述匣盒時，判定該基板之實際的收容位置，前述修正工程，係在每次前述基板被收容到前述匣盒時，根據該基板之實際的收容位置與對於該基板之修正後之目標收容位置的偏移來修正下次之前述基板的目標收容位置。
12. 如申請專利範圍第8~11項中任一項之基板收容方法，其中，前述第1收容工程，係控制前述基板搬送部，並對作為前述匣盒之最下段的位置而事先決定的目標收容位置收容一開始應被收容到前述匣盒的基板。
13. 如申請專利範圍第8~11項中任一項之基板收容方 法，其中，前述第1收容工程，係控制前述基板搬送部，並對事先決定的目標收容位置收容虛擬基板，且在前述判定工程中判定前述虛擬基板之實際的收容位置後，控制前述基板搬送部而從前述匣盒取出前述虛擬基板，並對前述虛擬基板之實際的收容位置收容前述基板。