CN114068677A - 一种AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置，包括外延层、GaN衬底以及SiN钝化层，外延层设置在所述GaN衬底的上方；SiN钝化层设置在所述外延层的上方；外延层从下到上依次包括：GaN缓冲层、AlGaN沟槽、AlGaN势垒层；本发明通过增加AlGaN沟槽，采用基于AlGaN沟槽的垂直器件结构，解决了现有GaN HEMT器件为耗尽型器件的问题，将器件改进为增强型器件，实现常关状态，在提升了反向击穿电压的同时不存在电流崩塌现象。

Description

一种AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置
技术领域
本发明涉及高压GaN基器件领域，具体涉及一种AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置。
背景技术
高压功率器件在电力电子中起着重要作用。作为第三代宽禁带半导体的典型代表，氮化镓(GaN)材料具有临界击穿电场高、电子饱和漂移速度高、耐高温、耐辐射和化学稳定性好等特点。AlGaN/GaN HFET器件具有耐压高、驱动电流大、开关速度快等优点，成为当前电力电子器件领域的研究热点。然而，对于横向GaN基功率器件，为了获得更高的击穿电压，需要增加栅漏距离，这会增加器件尺寸和导通电阻，降低单位芯片面积的有效电流密度和芯片性能，导致芯片面积和开发成本的增加。此外，横向GaN基功率器件存在严重的电流崩塌问题，并且无法实现增强型。虽然有许多技术和措施可以改善横向GaN的功率器件的性能，横向GaN基功率器件的电流崩塌问题和增强型的实现困难仍然存在。纵向器件以体电子为载流子通过体电子来导电，因此可以从根源上解决横向器件中电流崩塌的问题。另外，纵向器件将电场峰值转移到器件的体内，从而避免了横向器件由于电场在栅附近处集中而引起器件过早击穿的问题。纵向器件能够通过改变漂移区的厚度和漂移区的掺杂浓度来控制器件的击穿电压，因此可以解决横向器件用面积来换取器件耐压的问题，能够很好的降低生产成本。目前，纵向器件中CAVET(Current Aperture Vertical Electron Transistors)结构的研究成为了焦点，而传统的CAVET结构无法实现增强型且反向击穿电压无法达到很高，是目前存在的两大问题；
现阶段，对于AlGaN/GaN HFET器件研究主要集中在如何实现增强型和实现更高的反向击穿电压，由于AlGaN/GaN异质结导致的二维电子气(2DEG)的存在使常规的AlGaN/GaNHFET在不加栅压情况下呈导通状态，即耗尽型器件；且AlGaN/GaN HFET栅边缘处会出现电力线集中的问题，从而导致栅边缘的沟道处的电场先达到GaN材料的临界击穿电场，导致器件的提前击穿。
发明内容
针对现有技术中的上述不足，解决了现有GaN HEMT器件为耗尽型器件的问题，再提升反向击穿电压的同时，且没有电流崩塌现象，本发明一种AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置。
为了达到上述发明目的，本发明采用的技术方案为：
一方面，一种AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置，包括：GaN衬底、外延层以及SiN钝化层；所述外延层设置在所述GaN衬底的表面，所述SiN钝化层设置在所述外延层的上方；
所述外延层采用纵向结构，从下到上依次包括：GaN缓冲层、AlGaN沟槽、AlGaN势垒层；
所述AlGaN沟槽与所述AlGaN势垒层构成T字结构，所述GaN缓冲层上且所述AlGaN沟槽的两侧对称设置有P型电流阻挡层，P型电流阻挡层上方设置有GaN沟道层；所述AlGaN沟槽两侧设置有栅极；所述栅极的两侧分别与P型电流阻挡层和GaN沟道层接触；所述栅极的上、下方分别与AlGaN势垒层和GaN缓冲层接触；
所述SiN钝化层设置在AlGaN势垒层上表面；所述P型电流阻挡层的上表面且GaN沟道层的侧面设置有源极；SiN钝化层的左右两端均与源极相连；
漏极设置在所述GaN衬底的底部。
本发明具有以下有益效果：
包括外延层、GaN衬底以及SiN钝化层，外延层从下到上依次包括：GaN缓冲层、AlGaN沟槽、AlGaN势垒层、SiN钝化层的外延层以及GaN衬底，外延层设置在GaN衬底的表面，其中，AlGaN沟槽与AlGaN势垒层构成T字结构，GaN缓冲层上且AlGaN沟槽的两侧对称设置有P型电流阻挡层，P型电流阻挡层上方设置有GaN沟道层；AlGaN沟槽两侧设置有栅极；栅极的两侧分别与P型电流阻挡层和GaN沟道层接触；栅极的上、下方分别与AlGaN势垒层和GaN缓冲层接触；SiN钝化层设置在AlGaN势垒层上表面；P型电流阻挡层的上表面且GaN沟道层的侧面设置有源极；SiN钝化层的左右两端均与源极相连；漏极设置在所述GaN衬底的底部；采用基于AlGaN沟槽的垂直器件结构，解决了现有GaN HEMT器件为耗尽型器件的问题，并将器件改进为增强型器件，实现常关状态，提升了反向击穿电压，并且不存在电流崩塌现象。
优选地，所述源极与所述GaN沟道层形成欧姆接触；所述漏极与所述GaN衬底形成欧姆接触；所述栅极与金属形成肖特基接触。
该优选方案具有以下有益效果：
欧姆接触可以使得电流与电压成正比，而栅极采用的肖特基接触，可以对栅极电流进行更好的控制。
优选地，所述AlGaN沟槽分布在与所述GaN缓冲层的接触面上，并与所述GaN缓冲层形成均匀分布于PN结处大电场的异质结。
该优选方案具有以下有益效果：
异质结可以提高沟道内的电场，使得击穿发生在异质结处，均匀了沟道内的电场并提升装置的整体反向击穿电压。
优选地，所述AlGaN沟槽采用氮化镓铝AlGaN材料。
该优选方案具有以下有益效果：
使AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置具有耐压高、驱动电流大、开关速度快的特点。
附图说明
图1为本发明提供的一种AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的常规GaN基垂直装置的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的常规GaN基垂直装置与具有AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置间的反向击穿电压对比图；
图4为本发明实施例提供的常规GaN基垂直装置与具有AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置间的转移特性图；
图5为本发明实施例提供的常规GaN基垂直装置与具有AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置间的正向导通时的仿真结果图。
其中：101、GaN衬底；102、GaN缓冲层；103、P型电流阻挡层；104、AlGaN沟槽；105、AlGaN势垒层；106、GaN沟道层；107、SiN钝化层；108、源极；109、漏极；110、栅极。
具体实施方式
下面对本发明的具体实施方式进行描述，以便于本技术领域的技术人员理解本发明，但应该清楚，本发明不限于具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本发明的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本发明构思的发明创造均在保护之列。
如图1所示，本发明实施例提供了一种AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置，包括：GaN衬底101、外延层以及SiN钝化层107；外延层设置在GaN衬底101的表面，SiN钝化层107设置在外延层的上方；
外延层采用纵向结构，从下到上依次包括：GaN缓冲层102、AlGaN沟槽104、AlGaN势垒层105；
AlGaN沟槽104与AlGaN势垒层105构成T字结构，GaN缓冲层102上且AlGaN沟槽104的两侧对称设置有P型电流阻挡层103，P型电流阻挡层103上方设置有GaN沟道层106；AlGaN沟槽104两侧设置有栅极110；栅极110的两侧分别与P型电流阻挡层103和GaN沟道层106接触；栅极110的上、下方分别与AlGaN势垒层105和GaN缓冲层102接触；
SiN钝化层107设置在AlGaN势垒层105上表面；P型电流阻挡层103的上表面且GaN沟道层106的侧面设置有源极108；SiN钝化层107的左右两端均与源极108相连；
漏极109设置在GaN衬底101的底部。
可选的，利用掩膜法在位于栅极外侧的GaN缓冲层102上注入金属镁离子形成了P型电流阻挡层103，P型电流阻挡层103可用于阻挡电流，使电流仅能通过P型电流阻挡层103上的孔径完成电流的传输，此孔径位于两个对称分布的P型电流阻挡层103的中间位置；
可选的，在GaN缓冲层102上设置AlGaN沟槽104，在AlGaN沟槽104的两侧且GaN缓冲层102的上方通过栅极金属沉淀形成栅极110。
可选的，通过GaN沟道层106与AlGaN势垒层105的生长，并经过SiN钝化层107的钝化，在AlGaN势垒层105和SiN钝化层107的两侧生成位于GaN沟道层106上方且GaN沟道层106侧面的源极108。
优选地，源极108与GaN沟道层106形成欧姆接触；漏极109与GaN衬底101形成欧姆接触；栅极110与金属形成肖特基接触。
实际中，欧姆接触可以使得电流与电压成正比，而栅极采用的肖特基接触，可以对栅极电流进行更好的控制。
优选地，AlGaN沟槽104分布在与GaN缓冲层102的接触面上，并与GaN缓冲层102形成均匀分布于PN结处大电场的异质结。
优选地，AlGaN沟槽104采用氮化镓铝AlGaN材料。
实际中，如图2所示，对于传统的垂直器件CAVET，由于GaN/AlGaN极化效应，使得沟道内一直存在二维电子气(2DEG)，导致传统的垂直器件CAVET为常开型，而本发明提供的一种具有AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置，当对栅极施加正偏压VG且大于阈值电压Vth，即：VG>Vth，沿沟槽纵向侧壁在p型区表面形成电子反型层，从而提供源极-漏极导电通道，导致本发明为常关型，即增强型器件，更便于对器件的控制；
对于传统的垂直器件CAVET，由于电流阻挡层为P型掺杂，而非故意掺杂的GaN为N型，所以击穿发生在PN结处，而对于本发明提供的基于AlGaN沟槽型垂直器件结构，通过AlGaN沟槽10与GaN缓冲层102形成可均匀分布于PN结处大电场的异质结，即：AlGaN/GaN异质结，可以提高沟道内的电场，使得击穿发生在异质结处，均匀了沟道内的电场并提升装置的整体反向击穿电压；且本发明中AlGaN势垒层105上方全部钝化，因此没有电流崩塌，本发明对于传统的垂直器件CAVET结构而言，通过采用AlGaN沟槽的垂直器件CAVET结构，解决了现有GaN HEMT器件为耗尽型器件的问题，且提升了反向击穿电压，并且没有电流崩塌现象。
本发明与传统的CAVET结构通过对比实验性能验证：
如图3所示，当漏极电流为1e-9A时，漏极电压为反向击穿电压，传统结构反向击穿电压BV＝631V，本发明提供的新型结构的反向击穿电压BV＝1452V，，可知其反向击穿电压提升了提高了120％；
如图4所示，当Ids(漏极电流)为100μA/mm时的Vgs是阈值电压。传统结构的阈值电压为-3.46V，本发明提供的新型结构的阈值电压为4.02V，可知这种新结构是一个增强型器件；
如图5所示，由于电流崩塌效应定义为当漏极电压变高时，漏极电流减小的情况，可知虽然本发明提供的新型结构中不会发生电流崩塌效应。
本发明中应用了具体实施例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理，应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。

Claims (4)

1.一种AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置，其特征在于，包括：GaN衬底(101)、外延层以及SiN钝化层(107)；所述外延层设置在所述GaN衬底(101)的上方；所述SiN钝化层(107)设置在所述外延层的上方；
所述外延层采用纵向结构，从下到上依次包括：GaN缓冲层(102)、AlGaN沟槽(104)、AlGaN势垒层(105)；
所述AlGaN沟槽(104)与所述AlGaN势垒层(105)构成T字结构，所述GaN缓冲层(102)上且所述AlGaN沟槽(104)的两侧对称设置有P型电流阻挡层(103)，P型电流阻挡层(103)上方设置有GaN沟道层(106)；所述AlGaN沟槽(104)两侧设置有栅极(110)；所述栅极(110)的两侧分别与P型电流阻挡层(103)和GaN沟道层(106)接触；所述栅极(110)的上、下方分别与AlGaN势垒层(105)和GaN缓冲层(102)接触；
所述SiN钝化层(107)设置在AlGaN势垒层(105)上方；所述P型电流阻挡层(103)的上方且GaN沟道层(106)的侧面设置有源极(108)；SiN钝化层(107)的左右两端均与源极(108)接触；
漏极(109)设置在所述GaN衬底(101)的底部。
2.根据权利要求1所述的AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置，其特征在于，所述源极(108)与所述GaN沟道层(106)形成欧姆接触；所述漏极(109)与所述GaN衬底(101)形成欧姆接触；所述栅极(110)与金属形成肖特基接触。
3.根据权利要求1所述的AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置，其特征在于，所述AlGaN沟槽(104)分布在与所述GaN缓冲层(102)的接触面上，并与所述GaN缓冲层(102)形成均匀分布于PN结处大电场的异质结。
4.根据权利要求3所述的AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置，其特征在于，所述AlGaN沟槽(104)采用氮化镓铝AlGaN材料。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014192167A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Toyota Central R&D Labs Inc 半導体装置とその製造方法
CN111933708A (zh) * 2020-07-30 2020-11-13 华中科技大学 一种氮化镓mis-hemt钝化设计及其制备方法
CN112635544A (zh) * 2020-12-18 2021-04-09 华南师范大学 具有偶极子层的增强型AlGaN-GaN垂直型超结HEMT及其制备方法
CN113178485A (zh) * 2020-10-22 2021-07-27 西南交通大学 一种P型槽栅结合极化层结构的GaN HEMT器件
CN113611731A (zh) * 2021-06-17 2021-11-05 西安电子科技大学广州研究院 一种GaN基增强型垂直HEMT器件及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014192167A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Toyota Central R&D Labs Inc 半導体装置とその製造方法
CN111933708A (zh) * 2020-07-30 2020-11-13 华中科技大学 一种氮化镓mis-hemt钝化设计及其制备方法
CN113178485A (zh) * 2020-10-22 2021-07-27 西南交通大学 一种P型槽栅结合极化层结构的GaN HEMT器件
CN112635544A (zh) * 2020-12-18 2021-04-09 华南师范大学 具有偶极子层的增强型AlGaN-GaN垂直型超结HEMT及其制备方法
CN113611731A (zh) * 2021-06-17 2021-11-05 西安电子科技大学广州研究院 一种GaN基增强型垂直HEMT器件及其制备方法

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