CN113939904A - 保持装置 - Google Patents

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CN113939904A
CN113939904A CN202080041982.2A CN202080041982A CN113939904A CN 113939904 A CN113939904 A CN 113939904A CN 202080041982 A CN202080041982 A CN 202080041982A CN 113939904 A CN113939904 A CN 113939904A
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驹津贵久
田中和孝
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NGK Spark Plug Co Ltd
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Abstract

抑制陶瓷制的管状构件产生缺损。保持装置为具备板状构件、管状构件、连接构件,并在板状构件的保持面上保持对象物的装置。管状构件由陶瓷形成,该管状构件在与上述保持面正交的第1方向的一侧的端部与板状构件的第2表面接合。管状构件在第1方向的另一侧的端部具有形成有第1贯通孔的凸缘部。连接构件配置于管状构件的第1方向的另一侧,以在作为第1方向的一侧的端面的第3表面开口的方式形成有供贯穿于凸缘部的第1贯通孔的紧固构件螺纹结合的孔。管状构件的第4表面的外缘线中的作为与将第4表面包含在内的最小的假想圆重叠的部分的特定部分不与连接构件的第3表面接触。

Description

保持装置
技术领域
本说明书中公开的技术涉及一种保持对象物的保持装置。
背景技术
公知有一种保持对象物(例如,半导体晶圆)并且将其加热到规定的温度(例如,400~800℃左右)的加热装置(也称作“基座”。)。加热装置例如作为成膜装置(CVD成膜装置、溅射成膜装置等)、蚀刻装置(等离子体蚀刻装置等)这样的半导体制造装置的一部分被使用。
通常,加热装置具备板状构件和管状构件。板状构件为具有与规定的方向(以下称作“第1方向”。)大致正交的表面(以下称作“保持面”。)和位于与保持面相反的一侧的表面(以下称作“背面”。)的板状的构件。管状构件(也称作“轴”。)为沿上述第1方向延伸的管状的构件,并在上述第1方向的一侧的端部与板状构件的背面接合。在板状构件的内部配置有作为电阻发热体的加热器电极,在对加热器电极施加电压时,加热器电极发热,而加热保持于板状构件的保持面上的对象物。
加热装置还具备配置于管状构件的上述第1方向的另一侧(与板状构件相对的一侧的相反侧)的连接构件(也称作“适配器”。)。连接构件为用于将管状构件安装于其他构件(例如,真空腔室)的构件。连接构件例如由铝等金属材料形成。
加热装置的管状构件和连接构件利用螺纹件等紧固构件接合(例如,参照专利文献1)。更详细而言,在管状构件的与连接构件相对的一侧的端部形成有凸缘部,在该凸缘部形成有贯通孔。通过贯穿于该凸缘部的贯通孔的紧固构件与形成于连接构件的与管状构件相对的一侧的表面的孔螺纹结合,从而接合管状构件和连接构件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平10-298767号公报
发明内容
发明要解决的问题
通常,加热装置的管状构件由容易产生缺损的陶瓷形成。因此,在将管状构件和连接构件利用紧固构件紧固时,在两个构件之间产生了稍微的倾斜的情况下,连接构件与管状构件的端面(与连接构件相对的面)上的外缘线附近的部分接触,而可能导致在该外缘线附近产生缺损。
此外,这样的课题并不限定于加热装置,而是通常在具备板状构件、陶瓷制的管状构件、连接构件,并在板状构件的表面上保持对象物的保持装置中共同的课题。
在本说明书中,公开一种能够解决上述课题的技术。
用于解决问题的方案
本说明书所公开的技术例如能够作为以下的形态来实现。
本说明书所公开的保持装置具备:板状构件,其具有与第1方向大致正交的第1表面和位于与所述第1表面相反的一侧的第2表面;以及管状构件,其沿所述第1方向延伸,由陶瓷形成,该管状构件在所述第1方向的一侧的端部与所述板状构件的所述第2表面接合,在所述第1方向的另一侧的端部具有沿与所述第1方向大致正交的方向突出且形成有沿所述第1方向延伸的第1贯通孔的凸缘部,该保持装置在所述板状构件的所述第1表面上保持对象物,该保持装置还具备连接构件,该连接构件配置于所述管状构件的所述第1方向的所述另一侧,该连接构件以在作为所述第1方向的所述一侧的端面的第3表面开口的方式形成有供贯穿于所述凸缘部的所述第1贯通孔的紧固构件螺纹结合的孔,所述管状构件的作为所述第1方向的所述另一侧的端面的第4表面的一部分与所述连接构件的所述第3表面接触,并且,所述管状构件的所述第4表面的外缘线中的作为与将所述第4表面包含在内的最小的假想圆重叠的部分的特定部分不与所述连接构件的所述第3表面接触。
上述的管状构件的第4表面(与连接构件相对的一侧的端面)的外缘线的部分为,在将管状构件和连接构件利用紧固构件紧固时,在管状构件与连接构件之间产生稍微的倾斜的情况下,容易产生由于管状构件与连接构件的接触导致的管状构件的缺损的部位。特别是,管状构件的第4表面的外缘线中的作为与将该第4表面包含在内的最小的假想圆重叠的部分的特定部分(即,外缘线中的最外周侧的部分)为最容易产生上述缺损的部位。如上所述,在本保持装置中,管状构件的第4表面的外缘线中的特定部分不与连接构件的第3表面接触。因此,根据本保持装置,即使在上述的两个构件之间产生了稍微的倾斜的情况下,也能够抑制管状构件的第4表面的外缘线中的特定部分与连接构件接触,其结果,能够抑制管状构件的缺损的产生。
(2)在上述保持装置中,可以设为以下结构:所述管状构件的所述第4表面的整个所述外缘线不与所述连接构件的所述第3表面接触。根据这样的结构,能够更可靠地抑制管状构件的缺损的产生。
(3)在上述保持装置中,可以设为以下结构:在所述连接构件的所述第3表面具有在所述第1方向上观察时与所述管状构件的所述第4表面的所述外缘线的所述特定部分重叠的部分,在所述第1方向上,所述连接构件的所述第3表面与所述管状构件的所述第4表面的所述外缘线的所述特定部分分开。根据这样的结构,无论管状构件的凸缘部与连接构件之间的外径的大小关系等如何,都能够抑制管状构件的缺损的产生。
(4)在上述保持装置中,可以设为以下结构:该保持装置还具备间隔件,该间隔件相对于所述凸缘部配置于所述第1方向的所述一侧,该间隔件形成有与所述凸缘部的所述第1贯通孔连通且供所述紧固构件贯穿的第2贯通孔,所述凸缘部中的作为所述第1方向的所述一侧的端面的第5表面的一部分与所述间隔件的作为所述第1方向的所述另一侧的端面的第6表面接触,并且,所述凸缘部的所述第5表面的整个外缘线不与所述间隔件的所述第6表面接触。在使用间隔件紧固管状构件和连接构件的形态中,上述的管状构件的凸缘部的第5表面(与间隔件相对的一侧的端面)的外缘线的部分为,在间隔件与管状构件之间产生了稍微的倾斜的情况下,容易由于管状构件与间隔件的接触而产生管状构件的缺损的部位。在上述结构中,管状构件的凸缘部的第5表面的整个外缘线不与间隔件的第6表面接触。因此,根据上述结构,即使在上述的两个构件之间产生了稍微的倾斜的情况下,也能够抑制管状构件的凸缘部的第5表面的外缘线的部分与间隔件接触,其结果,能够抑制管状构件的缺损的产生。
(5)在上述保持装置中,可以设为以下结构:在所述管状构件的所述凸缘部形成有多个所述第1贯通孔,在所述连接构件形成有供贯穿于所述凸缘部的多个所述第1贯通孔的多个所述紧固构件螺纹结合的多个所述孔。在这样的结构中,在将管状构件和连接构件利用多个紧固构件紧固时,容易因各紧固构件的紧固力的偏差而在管状构件与连接构件之间产生稍微的倾斜,而容易产生上述缺损。然而,在本保持装置中,由于管状构件的第4表面的外缘线中的特定部分不与连接构件的第3表面接触,因此能够抑制管状构件的第4表面的外缘线的特定部分与连接构件接触,其结果,能够抑制管状构件的缺损的产生。
(6)在上述保持装置中,可以设为以下结构:该保持装置还具备所述紧固构件。根据这样的结构,在具备紧固管状构件和连接构件的紧固构件的保持装置中,能够抑制管状构件的第4表面的外缘线的特定部分与连接构件接触,其结果,能够抑制管状构件的缺损的产生。
(7)在上述保持装置中,可以设为以下结构:该保持装置还具备配置于所述板状构件的内部的内部电极。根据这样的结构,在具备配置于板状构件的内部的内部电极的保持装置中,能够抑制管状构件的第4表面的外缘线的特定部分与连接构件接触,其结果,能够抑制管状构件的缺损的产生。
此外,本说明书所公开的技术能够由各种形态来实现,例如,能够由加热装置、保持装置、它们的制造方法等形态来实现。
附图说明
图1是概略地表示本实施方式的加热装置100的外观结构的立体图。
图2是概略地表示本实施方式的加热装置100的剖面结构的说明图。
图3是表示管状构件20的下表面S4的结构的说明图。
图4是表示管状构件20的剖面结构的说明图。
图5是表示连接构件80的上表面S3的结构的说明图。
图6是表示连接构件80的剖面结构的说明图。
图7是表示间隔件90的下表面S6的结构的说明图。
图8是表示间隔件90的剖面结构的说明图。
具体实施方式
A.实施方式:
A-1.加热装置100的结构:
图1是概略地表示本实施方式的加热装置100的外观结构的立体图,图2是概略地表示本实施方式的加热装置100的剖面结构的说明图。在图2中示出后述的图3~图8的II-II的位置处的加热装置100的XZ剖面结构。在各图中示出用于指定方向的互相正交的XYZ轴。在本说明书中,为了方便,将Z轴正方向称作上方向,将Z轴负方向称作下方向,但加热装置100实际上也可以按照与这样的朝向不同的朝向设置。
加热装置100为保持对象物(例如,半导体晶圆W)并且将其加热到规定的温度(例如,400~800℃左右)的装置,也被称作基座。加热装置100例如作为成膜装置(CVD成膜装置、溅射成膜装置等)、蚀刻装置(等离子体蚀刻装置等)这样的半导体制造装置的一部分被使用。加热装置100为权利要求书中的保持装置的一个例子。
如图1和图2所示,加热装置100具备板状构件10、管状构件20、连接构件80。
板状构件10为具有与规定的方向(本实施方式中为Z轴方向)大致正交的表面(以下称作“保持面S1”。)和位于与保持面S1相反的一侧的表面(以下称作“背面S2”。)的大致圆板状的构件。板状构件10由氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)等陶瓷形成。板状构件10的直径例如为100mm以上且500mm以下的程度,板状构件10的厚度(上下方向上的长度)例如为3mm以上且20mm以下的程度。板状构件10的保持面S1相当于权利要求书中的第1表面,背面S2相当于权利要求书中的第2表面,Z轴方向相当于权利要求书中的第1方向,沿着Z轴方向的上侧相当于权利要求书中的第1方向的一侧,沿着Z轴方向的下侧相当于权利要求书中的第1方向的另一侧。
管状构件20为沿上述规定的方向(Z轴方向)延伸的大致圆管状的构件。管状构件20与板状构件10相同地由氮化铝、氧化铝等陶瓷形成。在本实施方式中,管状构件20在上侧(与板状构件10相对的一侧)的端部具有沿与Z轴方向正交的方向(以下称作“面方向”。)突出的上侧凸缘部22,另外,在下侧(与连接构件80相对的一侧)的端部具有沿面方向突出的下侧凸缘部23。上侧凸缘部22和下侧凸缘部23遍及管状构件20的整个周向地形成。此外,以下将管状构件20的除上侧凸缘部22和下侧凸缘部23以外的部分称作主体部21。管状构件20的主体部21的外径例如为30mm以上且90mm以下的程度,管状构件20的高度(上下方向上的长度)例如为100mm以上且300mm以下的程度。下侧凸缘部23相当于权利要求书中的凸缘部。
板状构件10和管状构件20以板状构件10的背面S2与管状构件20的上表面S3在上下方向上相对的方式配置。管状构件20借助由公知的接合材料形成的接合部30接合于板状构件10的背面S2的中心部附近。
如图2所示,在板状构件10的内部配置有作为发热电阻体的加热器电极50。加热器电极50例如由含有钨或钼等金属的材料形成。在本实施方式中,加热器电极50构成在Z轴方向上观察时呈大致同心圆状延伸的线状的图案。加热器电极50的线状图案的两端部配置于板状构件10的中心部附近,在各端部连接有通孔导体52的上端部。另外,在板状构件10的背面S2形成有一对凹部12,在各凹部12的位置设有导电性的供电电极(电极焊盘)54。在本实施方式中,供电电极54在Z轴方向上观察时呈大致圆形,由含有钨的材料(例如,钨和氮化铝的混合材料)形成。通孔导体52的下端部连接于供电电极54。其结果,成为加热器电极50和供电电极54经由通孔导体52电连接的状态。
另外,在管状构件20形成有跨管状构件20的整个长度地沿Z轴方向延伸的贯通孔24。在贯通孔24收纳有多个端子构件70。端子构件70例如为在Z轴方向上观察时呈大致圆形的柱状构件,由含有镍(Ni)的材料(例如,纯镍、含镍的合金(例如可伐合金))形成。端子构件70的上端部借助金属钎焊材料56(例如金钎焊材料)与供电电极54接合。
在自未图示的电源经由各端子构件70、各供电电极54、各通孔导体52等向加热器电极50施加电压时,加热器电极50发热,将保持于板状构件10的保持面S1上的对象物(例如,半导体晶圆W)加热到规定的温度(例如,400~800℃左右)。
连接构件80配置于管状构件20的下侧,为用于将管状构件20安装于其他构件(例如,真空腔室(未图示))的构件。连接构件80例如为沿上述规定的方向(Z轴方向)延伸的大致圆柱状,例如由铝等金属材料形成。连接构件80和管状构件20以连接构件80的上表面S3与管状构件20的下表面S4在Z轴方向上相对的方式配置,并如下所述利用多个螺纹件99互相接合。在连接构件80形成有与管状构件20的贯通孔24连通的贯通孔84,上述的端子构件70配置于由管状构件20的贯通孔24和连接构件80的贯通孔84形成的空间。连接构件80的上表面S3相当于权利要求书中的第3表面,管状构件20的下表面S4相当于权利要求书中的第4表面。
此外,如后述的图3~图6所示,在管状构件20的主体部21形成有沿Z轴方向延伸的多个贯通孔26,在连接构件80形成有沿Z轴方向延伸且分别与管状构件20的贯通孔26连通的多个贯通孔86。由管状构件20的贯通孔26和连接构件80的贯通孔86形成的空间(沿Z轴方向延伸的空间)例如作为为了形成包围板状构件10的保持面S1、半导体晶圆W等的气帘(未图示)而供给氮气、氩气等非活性气体的气体流路、用于收纳与配置于板状构件10的高频电极(未图示)连接的高频体(未图示)的空间被利用。
A-2.管状构件20与连接构件80之间的接合部位附近的详细结构:
接着,说明本实施方式的加热装置100的管状构件20与连接构件80之间的接合部位附近的详细结构。图3是表示管状构件20的下表面S4的结构的说明图,图4是表示管状构件20的剖面结构的说明图,图5是表示连接构件80的上表面S3的结构的说明图,图6是表示连接构件80的剖面结构的说明图,图7是表示后述的间隔件90的下表面S6的结构的说明图,图8是表示间隔件90的剖面结构的说明图。在图4中示出图2的IV-IV的位置处的管状构件20的XY剖面结构,在图6中示出图2的VI-VI的位置处的连接构件80的XY剖面结构,在图8中示出图2的VIII-VIII的位置处的间隔件90的XY剖面结构。
如上所述,管状构件20在下侧的端部具有沿面方向突出的下侧凸缘部23(参照图2~图4)。下侧凸缘部23遍及管状构件20的整个周向地形成。在本实施方式中,在下侧凸缘部23形成有沿着周向大致均等地配置的8个贯通孔25。形成于下侧凸缘部23的各贯通孔25为供螺纹件99贯穿的孔。此外,在本实施方式中,形成于下侧凸缘部23的各贯通孔25不是封闭的孔,而是在下侧凸缘部23的外周面开口的孔(缺口)。即,在本说明书中,形成于某一构件的、沿某一方向延伸的贯通孔除了包含在该构件的绕该方向的外周面未开口而封闭的孔以外,还包含在该外周面开口的孔(缺口)。贯通孔25相当于权利要求书中的第1贯通孔,螺纹件99相当于权利要求书中的紧固构件。
另外,如图5和图6所示,在连接构件80形成有在上表面S3开口的8个螺纹孔85。各螺纹孔85沿着周向大致均等地配置。在连接构件80的螺纹孔85螺纹结合有贯穿于管状构件20的下侧凸缘部23的贯通孔25的多个螺纹件99(参照图2)。由此,管状构件20与连接构件80被互相接合。螺纹孔85相当于权利要求书中的形成于连接构件80的孔。
此外,如图5和图6所示,在连接构件80的上表面S3形成有包围贯通孔84的大致圆环状的凹部(槽)88,在凹部88配置有O形环89(参照图2)。此外,在图5和图6中,为了避免附图的繁杂,简单地由单点划线示出O形环89。由于O形环89的存在,而将由贯通孔84形成的空间密封。此外,在本实施方式中,在形成有各贯通孔86的部位也连续地形成有凹部88,O形环89成为包围各贯通孔86的形状,其结果,由各贯通孔86形成的空间也被密封。
另外,本实施方式的加热装置100还具备配置于管状构件20的下侧凸缘部23的上侧的两个间隔件90(参照图2)。如图7和图8所示,各间隔件90为在Z轴方向上观察时呈大致半圆弧状的板状构件,例如由铝等金属材料形成。两个间隔件90以在将两个间隔件90合在一起时在Z轴方向上观察时成为大致圆形的方式配置。在这样配置的两个间隔件90的组形成有沿着周向大致均等地配置的8个贯通孔95(即,每一个间隔件90形成有四个贯通孔95)。各贯通孔95与形成于管状构件20的下侧凸缘部23的各贯通孔25连通,供螺纹件99贯穿(参照图2)。两个间隔件90与下侧凸缘部23的上表面S5接触,并且与螺纹件99的基座面接触,而作为垫片(垫圈)发挥功能。贯通孔95相当于权利要求书中的第2贯通孔。
(管状构件20的下表面S4与连接构件80的上表面S3之间的关系)
在本实施方式的加热装置100中,在连接构件80的上表面S3形成有凹凸,其结果,管状构件20的下表面S4的一部分与连接构件80的上表面S3接触,管状构件20的下表面S4的剩余的一部分不与连接构件80的上表面S3接触。以下,关于这一点,详细地进行说明。
如图3和图4所示,管状构件20的下表面S4的外缘线Lx由与将该下表面S4包含在内的最小的假想圆VC重叠的部分(以下称作“外周部分Lx1”。)和外周部分Lx1以外的部分(构成贯通孔25的内周面的部分,以下称作“内侧部分Lx2”。)构成。在管状构件20的下表面S4的外缘线Lx中,外周部分Lx1为规定下侧凸缘部23的最外周面的部分,内侧部分Lx2为规定贯通孔25的内周面的部分。此外,在图5和图6中,为了表示管状构件20的下表面S4的外缘线Lx与连接构件80之间的位置关系,由虚线表示在Z轴方向观察时的外缘线Lx的位置。管状构件20的下表面S4的外缘线Lx中的外周部分Lx1相当于权利要求书中的特定部分。
如图5和图6所示,在本实施方式的加热装置100中,连接构件80的上表面S3的外径大于管状构件20的下表面S4的外径。因此,在连接构件80的上表面S3具有在Z轴方向观察时与管状构件20的下表面S4的外缘线Lx(外周部分Lx1和内侧部分Lx2)重叠的部分。
另外,如图2、图5以及图6所示,在连接构件80的上表面S3形成有凹部(向下方后退的部分)87。凹部87由在Z轴方向上观察时沿着连接构件80的上表面S3的整个外周具有大致一定的宽度的带状的外周部分87a和自外周部分87a朝向形成有各螺纹孔85的位置向内侧延伸的大致半圆形的内侧部分87b构成。如图5和图6所示,在Z轴方向上观察时,管状构件20的下表面S4的外缘线Lx中的整个外周部分Lx1与形成于连接构件80的上表面S3的凹部87的外周部分87a重叠。因此,整个该外周部分Lx1在Z轴方向上与连接构件80的上表面S3分开,而不与该上表面S3接触。另外,在Z轴方向上观察时,管状构件20的下表面S4的外缘线Lx中的内侧部分Lx2的一部分与凹部87的外周部分87a重叠,而剩余的一部分不与凹部87的外周部分87a重叠。不过,该剩余的一部分与凹部87的内侧部分87b重叠。因此,整个该内侧部分Lx2也在Z轴方向上与连接构件80的上表面S3分开,而不与该上表面S3接触。由上所述,在本实施方式的加热装置100中,管状构件20的下表面S4的整个外缘线Lx在Z轴方向上与连接构件80的上表面S3分开,而不与该上表面S3接触。
(管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5与间隔件90的下表面S6之间的关系)
在本实施方式的加热装置100中,在各间隔件90的下表面S6形成有凹凸,其结果,管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5的一部分与各间隔件90的下表面S6接触,管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5的剩余的一部分不与各间隔件90的下表面S6接触。以下,关于这一点,详细地进行说明。此外,管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5相当于权利要求书中的第5表面,间隔件90的下表面S6相当于权利要求书中的第6表面。
如图2所示,管状构件20的下侧凸缘部23的侧面与Z轴方向平行。因此,如图3和图4所示,管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5的外缘线Ly在Z轴方向上观察时与管状构件20的下表面S4的外缘线Lx一致。即,管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5的外缘线Ly由与将该上表面S5包含在内的最小的假想圆VC重叠的部分(以下称作“外周部分Ly1”。)和外周部分Ly1以外的部分(构成贯通孔25的内周面的部分,以下称作“内侧部分Ly2”。)构成。在管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5的外缘线Ly中,外周部分Ly1为规定下侧凸缘部23的最外周面的部分,内侧部分Ly2为规定贯通孔25的内周面的部分。此外,在图7和图8中,为了表示管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5的外缘线Ly与间隔件90之间的位置关系,由虚线表示在Z轴方向上观察时的外缘线Ly的位置。
如图7和图8所示,在本实施方式的加热装置100中,由两个间隔件90的下表面S6构成的区域的外径大于管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5的外径。因此,在各间隔件90的下表面S6具有在Z轴方向上观察时与管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5的外缘线Ly(外周部分Ly1和内侧部分Ly2)重叠的部分。
另外,如图2、图7以及图8所示,在各间隔件90的下表面S6形成有凹部(向上方后退的部分)97。凹部97由在Z轴方向上观察时沿着各间隔件90的下表面S6的整个外周具有大致一定的宽度的带状的外周部分97a和自外周部分97a朝向形成有各贯通孔95的位置向内侧延伸的大致矩形的内侧部分97b构成。如图7和图8所示,在Z轴方向上观察时,管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5的外缘线Ly中的整个外周部分Ly1与形成于各间隔件90的下表面S6的凹部97的外周部分97a重叠。因此,整个该外周部分Ly1在Z轴方向上与间隔件90的下表面S6分开,而不与该下表面S6接触。另外,在Z轴方向上观察时,管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5的外缘线Ly中的内侧部分Ly2的一部分与凹部97的外周部分97a重叠,而剩余的一部分不与凹部97的外周部分97a重叠。不过,该剩余的一部分与凹部97的内侧部分97b重叠。因此,整个该内侧部分Ly2也在Z轴方向上与间隔件90的下表面S6分开,而不与该下表面S6接触。由上所述,在本实施方式的加热装置100中,管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5的整个外缘线Ly在Z轴方向上与间隔件90的下表面S6分开,而不与该下表面S6接触。
A-3.本实施方式的效果:
如以上说明那样,本实施方式的加热装置100具备:板状构件10,其具有与Z轴方向大致正交的保持面S1和位于与保持面S1相反的一侧的背面S2;以及管状构件20,其沿Z轴方向延伸,由陶瓷形成,该加热装置100为在板状构件10的保持面S1上保持对象物的保持装置。管状构件20在上侧的端部与板状构件10的背面S2接合,在下侧的端部具有沿面方向突出的下侧凸缘部23。在下侧凸缘部23形成有沿Z轴方向延伸的贯通孔25。另外,本实施方式的加热装置100还具备连接构件80,该连接构件80配置于管状构件20的下侧。在连接构件80以在连接构件80的上表面S3开口的方式形成有螺纹孔85。在该螺纹孔85螺纹结合有贯穿于管状构件20的下侧凸缘部23的贯通孔25的螺纹件99。另外,在本实施方式的加热装置100中,管状构件20的下表面S4的一部分与连接构件80的上表面S3接触,并且,在管状构件20的下表面S4的外缘线Lx中的作为与将该下表面S4包含在内的最小的假想圆VC重叠的部分的外周部分Lx1不与连接构件80的上表面S3接触。
上述的管状构件20的下表面S4(与连接构件80相对的一侧的端面)的外缘线Lx的部分为,在将管状构件20和连接构件80利用螺纹件99紧固时,在管状构件20与连接构件80之间产生了稍微的倾斜的情况下,容易产生由于管状构件20与连接构件80的接触导致的管状构件20的缺损的部位。特别是,管状构件20的下表面S4的外缘线Lx中的作为与将该下表面S4包含在内的最小的假想圆VC重叠的部分的外周部分Lx1(即,外缘线Lx中的最外周侧的部分)为最容易产生上述缺损的部位。如上所述,在本实施方式的加热装置100中,管状构件20的下表面S4的外缘线Lx中的外周部分Lx1不与连接构件80的上表面S3接触。因此,根据本实施方式的加热装置100,即使在上述的两个构件之间产生了稍微的倾斜的情况下,也能够抑制管状构件20的下表面S4的外缘线Lx中的外周部分Lx1与连接构件80接触,其结果,能够抑制管状构件20的缺损的产生。
另外,在本实施方式的加热装置100中,管状构件20的下表面S4的整个外缘线Lx不与连接构件80的上表面S3接触。因此,根据本实施方式的加热装置100,能够更可靠地抑制管状构件20的缺损的产生。
另外,在本实施方式的加热装置100中,在连接构件80的上表面S3具有在Z轴方向上观察时与管状构件20的下表面S4的外缘线Lx的外周部分Lx1重叠的部分,在Z轴方向上,连接构件80的上表面S3与管状构件20的下表面S4的外缘线Lx的外周部分Lx1分开。因此,根据本实施方式的加热装置100,无论管状构件20的下侧凸缘部23与连接构件80之间的外径的大小关系等如何,都能够抑制管状构件20的缺损的产生。
另外,本实施方式的加热装置100还具备配置于管状构件20的下侧凸缘部23的上侧的间隔件90。在间隔件90形成有贯通孔95。间隔件90的贯通孔95与管状构件20的下侧凸缘部23的贯通孔25连通,并且为供螺纹件99贯穿的孔。另外,在本实施方式的加热装置100中,管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5的一部分与间隔件90的下表面S6接触,并且下侧凸缘部23的上表面S5的整个外缘线Ly不与间隔件90的下表面S6接触。在使用间隔件90紧固管状构件20和连接构件80的形态中,上述的管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5(与间隔件90相对的一侧的端面)的外缘线Ly的部分为,在间隔件90与管状构件20之间产生了稍微的倾斜的情况下,容易由于管状构件20与间隔件90的接触而产生管状构件20的缺损的部位。如上所述,在本实施方式的加热装置100中,管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5的整个外缘线Ly不与间隔件90的下表面S6接触。因此,根据本实施方式的加热装置100,即使在上述的两个构件之间产生了稍微的倾斜的情况下,也能够抑制管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5的外缘线Ly的部分与间隔件90接触,其结果,能够抑制管状构件20的缺损的产生。
另外,在本实施方式的加热装置100中,在管状构件20的下侧凸缘部23形成有多个贯通孔25,在连接构件80形成有供贯穿于管状构件20的下侧凸缘部23的多个贯通孔25的多个螺纹件99螺纹结合的多个螺纹孔85。因此,本实施方式的加热装置100为,在将管状构件20和连接构件80利用多个螺纹件99紧固时,容易因各螺纹件99的紧固力的偏差而在管状构件20与连接构件80之间产生稍微的倾斜,而容易产生上述缺损的结构。然而,在本实施方式的加热装置100中,如上所述,由于管状构件20的下表面S4的外缘线Lx中的外周部分Lx1不与连接构件80的上表面S3接触,因而即使在上述的两个构件之间产生了稍微的倾斜的情况下,也能够抑制管状构件20的下表面S4的外缘线Lx中的外周部分Lx1与连接构件80接触,其结果,能够抑制管状构件20的缺损的产生。
另外,本实施方式的加热装置100还具备螺纹件99。因此,根据本实施方式的加热装置100,在具备将管状构件20和连接构件80紧固的螺纹件99的加热装置100中,能够抑制管状构件20的下表面S4的外缘线Lx中的外周部分Lx1与连接构件80接触,其结果,能够抑制管状构件20的缺损的产生。
另外,本实施方式的加热装置100还具备加热器电极50,该加热器电极50为配置于板状构件10的内部的内部电极。因此,根据本实施方式的加热装置100,在具备配置于板状构件10的内部的内部电极的加热装置100中,能够抑制管状构件20的下表面S4的外缘线Lx中的外周部分Lx1与连接构件80接触,其结果,能够抑制管状构件20的缺损的产生。
B.变形例:
本说明书中公开的技术并不限定于上述的实施方式,在不脱离其主旨的范围内能够以各种形态进行变形,例如还能够进行以下这样的变形。
上述实施方式的加热装置100的结构仅为例示,能够进行各种变形。例如,在上述实施方式中,管状构件20的下表面S4的整个外缘线Lx不与连接构件80的上表面S3接触,但也可以设为,在该外缘线Lx中,外周部分Lx1不与连接构件80的上表面S3接触,而内侧部分Lx2(的至少一部分)与连接构件80的上表面S3接触。
另外,在上述实施方式中,通过在连接构件80的上表面S3形成凹部87,从而实现管状构件20的下表面S4的外缘线Lx中的外周部分Lx1不与连接构件80的上表面S3接触的结构,但也可以通过使连接构件80的上表面S3的外径小于管状构件20的下表面S4的外径,从而实现该结构。
另外,在上述实施方式中,管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5的整个外缘线Ly不与间隔件90的下表面S6接触,但也可以设为,在该外缘线Ly中,外周部分Ly1不与间隔件90的下表面S6接触,而内侧部分Ly2(的至少一部分)与间隔件90的下表面S6接触。另外,还可以设为管状构件20的下侧凸缘部23的上表面S5的整个外缘线Ly与间隔件90的下表面S6接触。另外,还可以设为加热装置100不具备间隔件90。
另外,在上述实施方式中,在管状构件20的下侧凸缘部23形成有多个贯通孔25,在连接构件80形成有供贯穿于管状构件20的下侧凸缘部23的多个贯通孔25的多个螺纹件99螺纹结合的多个螺纹孔85,但也可以设为,在管状构件20的下侧凸缘部23形成有一个贯通孔25,在连接构件80形成有供贯穿于管状构件20的下侧凸缘部23的一个贯通孔25的一个螺纹件99螺纹结合的一个螺纹孔85。
另外,在上述实施方式中,加热装置100作为配置于板状构件10的内部的内部电极而具备加热器电极50,但加热装置100也可以作为配置于板状构件10的内部的内部电极而具备其他的电极(例如,RF电极)。
另外,上述实施方式中的构成加热装置100的各构件的形成材料仅为例示,各构件也可以由其他的材料形成。例如,在上述实施方式中,板状构件10为陶瓷制,但板状构件10也可以为陶瓷以外的材料制(例如,铝、铝合金等的金属制)。另外,在上述实施方式中,连接构件80、间隔件90为金属制,但连接构件80、间隔件90也可以为金属以外的材料制。
另外,在上述实施方式的加热装置100中,为了形成作为用于供给吹扫气体的气体流路、用于收纳高频体的空间被利用的空间,而形成有管状构件20的贯通孔26和连接构件80的贯通孔86,但也可以没有这些孔,还可以进一步形成有用于形成其他空间的孔。
另外,本说明书所公开的技术并不限定于加热装置,同样地还能够应用于具备板状构件、陶瓷制的管状构件、连接构件并在板状构件的表面上保持对象物的其他的保持装置。
附图标记说明
10、板状构件;12、凹部;20、管状构件;21、主体部;22、上侧凸缘部;23、下侧凸缘部;24、贯通孔;25、贯通孔;26、贯通孔;30、接合部;50、加热器电极;52、通孔导体;54、供电电极;56、金属钎焊材料;70、端子构件;80、连接构件;84、贯通孔;85、螺纹孔;86、贯通孔;87、凹部;87a、外周部分;87b、内侧部分;88、凹部;89、O形环;90、间隔件;95、贯通孔;97、凹部;97a、外周部分;97b、内侧部分;99、螺纹件;100、加热装置;Lx1、外周部分;Lx2、内侧部分;Lx、外缘线;Ly1、外周部分;Ly2、内侧部分;Ly、外缘线;S1、保持面;S2、背面;S3、上表面;S4、下表面;S5、上表面;S6、下表面;VC、假想圆;W、半导体晶圆。

Claims (7)

1.一种保持装置,其特征在于,
该保持装置具备:
板状构件,其具有与第1方向大致正交的第1表面和位于与所述第1表面相反的一侧的第2表面;以及
管状构件,其沿所述第1方向延伸,由陶瓷形成,该管状构件在所述第1方向的一侧的端部与所述板状构件的所述第2表面接合,在所述第1方向的另一侧的端部具有沿与所述第1方向大致正交的方向突出且形成有沿所述第1方向延伸的第1贯通孔的凸缘部,
该保持装置在所述板状构件的所述第1表面上保持对象物,
该保持装置还具备连接构件,该连接构件配置于所述管状构件的所述第1方向的所述另一侧,该连接构件以在作为所述第1方向的所述一侧的端面的第3表面开口的方式形成有供贯穿于所述凸缘部的所述第1贯通孔的紧固构件螺纹结合的孔,
所述管状构件的作为所述第1方向的所述另一侧的端面的第4表面的一部分与所述连接构件的所述第3表面接触,并且,所述管状构件的所述第4表面的外缘线中的作为与将所述第4表面包含在内的最小的假想圆重叠的部分的特定部分不与所述连接构件的所述第3表面接触。
2.根据权利要求1所述的保持装置,其特征在于,
所述管状构件的所述第4表面的整个所述外缘线不与所述连接构件的所述第3表面接触。
3.根据权利要求1或2所述的保持装置,其特征在于,
在所述连接构件的所述第3表面具有在所述第1方向上观察时与所述管状构件的所述第4表面的所述外缘线的所述特定部分重叠的部分,
在所述第1方向上,所述连接构件的所述第3表面与所述管状构件的所述第4表面的所述外缘线的所述特定部分分开。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的保持装置,其特征在于,
该保持装置还具备间隔件,该间隔件相对于所述凸缘部配置于所述第1方向的所述一侧,该间隔件形成有与所述凸缘部的所述第1贯通孔连通且供所述紧固构件贯穿的第2贯通孔,
所述凸缘部中的作为所述第1方向的所述一侧的端面的第5表面的一部分与所述间隔件的作为所述第1方向的所述另一侧的端面的第6表面接触,并且,所述凸缘部的所述第5表面的整个外缘线不与所述间隔件的所述第6表面接触。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的保持装置,其特征在于,
在所述管状构件的所述凸缘部形成有多个所述第1贯通孔,
在所述连接构件形成有供贯穿于所述凸缘部的多个所述第1贯通孔的多个所述紧固构件螺纹结合的多个所述孔。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的保持装置,其特征在于,
该保持装置还具备所述紧固构件。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的保持装置,其特征在于,
该保持装置还具备内部电极,该内部电极配置于所述板状构件的内部。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08200956A (ja) * 1995-01-23 1996-08-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 気密容器のシ−ル装置
US5968379A (en) * 1995-07-14 1999-10-19 Applied Materials, Inc. High temperature ceramic heater assembly with RF capability and related methods
KR19980071011A (ko) 1997-01-24 1998-10-26 조셉 제이. 스위니 고온 및 고 흐름 속도의 화학적 기상 증착 장치 및 관련증착 방법
US6219219B1 (en) * 1998-09-30 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Cathode assembly containing an electrostatic chuck for retaining a wafer in a semiconductor wafer processing system
JP4680350B2 (ja) * 2000-06-26 2011-05-11 東京エレクトロン株式会社 枚葉式処理装置
JP4060684B2 (ja) * 2002-10-29 2008-03-12 日本発条株式会社 ステージ
US7718930B2 (en) * 2003-04-07 2010-05-18 Tokyo Electron Limited Loading table and heat treating apparatus having the loading table
US7126093B2 (en) * 2005-02-23 2006-10-24 Ngk Insulators, Ltd. Heating systems
JP5025109B2 (ja) * 2005-08-26 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 基板載置機構、基板処理装置、および基板載置機構の製造方法
JP2009054871A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
JP2011061040A (ja) * 2009-09-10 2011-03-24 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
CN104465453B (zh) * 2013-09-20 2018-10-30 住友电气工业株式会社 等离子体cvd装置用的晶片加热器
JP2016109301A (ja) * 2014-12-09 2016-06-20 株式会社清水合金製作所 補修弁と補修弁付き簡易分解式空気弁
WO2016117424A1 (ja) * 2015-01-20 2016-07-28 日本碍子株式会社 シャフト端部取付構造
US9738975B2 (en) * 2015-05-12 2017-08-22 Lam Research Corporation Substrate pedestal module including backside gas delivery tube and method of making
JP6674800B2 (ja) * 2016-03-07 2020-04-01 日本特殊陶業株式会社 基板支持装置
CN208138644U (zh) * 2017-10-31 2018-11-23 河南森源重工有限公司 一种管路转换接头
JP7037379B2 (ja) * 2018-02-06 2022-03-16 ローツェ株式会社 薄板状基板保持装置、及び保持装置を備える搬送ロボット
TWI811307B (zh) * 2019-03-12 2023-08-11 鴻創應用科技有限公司 陶瓷電路複合結構及其製造方法
JP2021088735A (ja) * 2019-12-03 2021-06-10 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および処理装置

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