KR102645912B1 - 유지 장치 - Google Patents

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니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤
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Abstract

세라믹스제 관상 부재의 결손의 발생을 억제한다.
유지 장치는, 판상 부재와, 관상 부재와, 접속 부재를 구비하고, 판상 부재의 유지면 상에 대상물을 유지하는 장치이다. 관상 부재는, 세라믹스에 의해 형성되고, 상기 유지면에 직교하는 제 1 방향의 일방측의 단부에 있어서 판상 부재의 제 2 표면에 접합되어 있다. 관상 부재는, 제 1 방향의 타방측의 단부에, 제 1 관통공이 형성된 플랜지부를 갖는다. 접속 부재는, 관상 부재에 있어서의 제 1 방향의 타방측에 배치되고, 제 1 방향의 일방측의 단면인 제 3 표면에 개구하도록, 플랜지부의 제 1 관통공에 삽입 통과된 체결 부재가 나사 결합하는 구멍이 형성되어 있다. 관상 부재의 제 4 표면의 외연선 중, 제 4 표면을 포함하는 최소의 가상 원에 겹쳐지는 부분인 특정 부분은, 접속 부재의 제 3 표면에 접해 있지 않다.

Description

유지 장치
본 명세서에 개시되는 기술은, 대상물을 유지하는 유지 장치에 관한 것이다.
대상물 (예를 들어, 반도체 웨이퍼) 을 유지하면서 소정의 온도 (예를 들어, 400 ∼ 800 ℃ 정도) 로 가열하는 가열 장치 (「서스셉터」 라고도 불린다.) 가 알려져 있다. 가열 장치는, 예를 들어, 성막 장치 (CVD 성막 장치, 스퍼터링 성막 장치 등) 나 에칭 장치 (플라즈마 에칭 장치 등) 와 같은 반도체 제조 장치의 일부로서 사용된다.
일반적으로, 가열 장치는, 판상 부재와 관상 부재를 구비한다. 판상 부재는, 소정의 방향 (이하, 「제 1 방향」 이라고 한다.) 으로 대략 직교하는 표면 (이하, 「유지면」 이라고 한다.) 과, 유지면과는 반대측의 표면 (이하, 「이면」 이라고 한다.) 을 갖는 판상의 부재이다. 관상 부재 (「샤프트」 라고도 불린다.) 는, 상기 제 1 방향으로 연장되는 관상의 부재이며, 상기 제 1 방향의 일방측의 단부 (端部) 에 있어서 판상 부재의 이면에 접합되어 있다. 판상 부재의 내부에는, 저항 발열체인 히터 전극이 배치되어 있고, 히터 전극에 전압이 인가되면, 히터 전극이 발열하여, 판상 부재의 유지면 상에 유지된 대상물이 가열된다.
가열 장치는, 또한, 관상 부재에 있어서의 상기 제 1 방향의 타방측 (판상 부재에 대향하는 측과는 반대측) 에 배치된 접속 부재 (「어댑터」 라고도 불린다.) 를 구비한다. 접속 부재는, 관상 부재를 다른 부재 (예를 들어, 진공 챔버) 에 장착하기 위한 부재이다. 접속 부재는, 예를 들어 알루미늄 등의 금속 재료에 의해 형성되어 있다.
가열 장치의 관상 부재와 접속 부재는, 볼트 등의 체결 부재에 의해 접합된다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 보다 상세하게는, 관상 부재에 있어서의 접속 부재에 대향하는 측의 단부에는, 플랜지부가 형성되어 있고, 그 플랜지부에는, 관통공이 형성되어 있다. 그 플랜지부의 관통공에 삽입 통과된 체결 부재가, 접속 부재에 있어서의 관상 부재에 대향하는 측의 표면에 형성된 구멍에 나사 결합함으로써, 관상 부재와 접속 부재가 접합된다.
일본 공개특허공보 평10-298767호
일반적으로, 가열 장치의 관상 부재는, 결손이 발생하기 쉬운 세라믹스에 의해 형성되어 있다. 그 때문에, 관상 부재와 접속 부재를 체결 부재에 의해 체결할 때에, 2 개의 부재 사이에 약간의 기울기가 발생한 경우에, 관상 부재의 단면 (端面) (접속 부재에 대향하는 면) 에 있어서의 외연선 부근에 접속 부재가 접촉하고, 그 외연선 부근에 결손이 발생할 우려가 있다.
또한, 이와 같은 과제는, 가열 장치에 한정되지 않고, 판상 부재와, 세라믹스제 관상 부재와, 접속 부재를 구비하고, 판상 부재의 표면 상에 대상물을 유지하는 유지 장치 일반에 공통된 과제이다.
본 명세서에서는, 상기 서술한 과제를 해결하는 것이 가능한 기술을 개시한다.
본 명세서에 개시되는 기술은, 예를 들어, 이하의 형태로서 실현하는 것이 가능하다.
(1) 본 명세서에 개시되는 유지 장치는, 제 1 방향으로 대략 직교하는 제 1 표면과, 상기 제 1 표면과는 반대측의 제 2 표면, 을 갖는 판상 부재와, 상기 제 1 방향으로 연장되고, 세라믹스에 의해 형성된 관상 부재로서, 상기 제 1 방향의 일방측의 단부에 있어서 상기 판상 부재의 상기 제 2 표면에 접합되고, 상기 제 1 방향의 타방측의 단부에, 상기 제 1 방향으로 대략 직교하는 방향으로 돌출하고, 또한, 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 1 관통공이 형성된 플랜지부를 갖는 관상 부재, 를 구비하고, 상기 판상 부재의 상기 제 1 표면 상에 대상물을 유지하는 유지 장치에 있어서, 또한, 상기 관상 부재에 있어서의, 상기 제 1 방향의 상기 타방측에 배치된 접속 부재로서, 상기 제 1 방향의 상기 일방측의 단면인 제 3 표면에 개구하도록, 상기 플랜지부의 상기 제 1 관통공에 삽입 통과된 체결 부재가 나사 결합하는 구멍이 형성된 접속 부재를 구비하고, 상기 관상 부재에 있어서의 상기 제 1 방향의 상기 타방측의 단면인 제 4 표면의 일부분은, 상기 접속 부재의 상기 제 3 표면에 접해 있으며, 또한, 상기 관상 부재의 상기 제 4 표면의 외연선 중, 상기 제 4 표면을 포함하는 최소의 가상 원에 겹쳐지는 부분인 특정 부분은, 상기 접속 부재의 상기 제 3 표면에 접해 있지 않다.
상기 서술한 관상 부재의 제 4 표면 (접속 부재에 대향하는 측의 단면) 의 외연선의 부분은, 관상 부재와 접속 부재를 체결 부재에 의해 체결할 때에, 관상 부재와 접속 부재의 사이에 약간의 기울기가 발생한 경우에, 접속 부재와의 접촉에 의한 관상 부재의 결손이 발생하기 쉬운 지점이다. 특히, 관상 부재의 제 4 표면의 외연선 중, 그 제 4 표면을 포함하는 최소의 가상 원에 겹쳐지는 부분인 특정 부분 (즉, 외연선 중 최외주측의 부분) 은, 상기 결손이 가장 발생하기 쉬운 지점이다. 상기 서술한 바와 같이, 본 유지 장치에서는, 관상 부재의 제 4 표면의 외연선에 있어서의 특정 부분이, 접속 부재의 제 3 표면에 접해 있지 않다. 그 때문에, 본 유지 장치에 의하면, 상기 서술한 2 개의 부재 사이의 약간의 기울기가 발생한 경우이더라도, 관상 부재의 제 4 표면의 외연선에 있어서의 특정 부분이 접속 부재와 접촉하는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 관상 부재의 결손의 발생을 억제할 수 있다.
(2) 상기 유지 장치에 있어서, 상기 관상 부재의 상기 제 4 표면의 상기 외연선의 전체가, 상기 접속 부재의 상기 제 3 표면에 접해 있지 않은 구성으로 해도 된다. 이와 같은 구성에 의하면, 관상 부재의 결손의 발생을 보다 확실하게 억제할 수 있다.
(3) 상기 유지 장치에 있어서, 상기 접속 부재의 상기 제 3 표면에는, 상기 제 1 방향에서 보았을 때 상기 관상 부재의 상기 제 4 표면의 상기 외연선의 상기 특정 부분에 겹쳐지는 부분이 존재하고, 상기 제 1 방향에 있어서, 상기 접속 부재의 상기 제 3 표면과, 상기 관상 부재의 상기 제 4 표면의 상기 외연선의 상기 특정 부분은, 이간되어 있는 구성으로 해도 된다. 이와 같은 구성에 의하면, 관상 부재의 플랜지부와 접속 부재의 사이의 외경의 대소 관계 등에 관계없이, 관상 부재의 결손의 발생을 억제할 수 있다.
(4) 상기 유지 장치에 있어서, 또한, 상기 플랜지부에 대하여 상기 제 1 방향의 상기 일방측에 배치된 스페이서로서, 상기 플랜지부의 상기 제 1 관통공에 연통하고, 또한, 상기 체결 부재가 삽입 통과되는 제 2 관통공이 형성된 스페이서를 구비하고, 상기 플랜지부에 있어서의 상기 제 1 방향의 상기 일방측의 단면인 제 5 표면의 일부분은, 상기 스페이서에 있어서의 상기 제 1 방향의 상기 타방측의 단면인 제 6 표면에 접해 있으며, 또한, 상기 플랜지부의 상기 제 5 표면의 외연선의 전체가, 상기 스페이서의 상기 제 6 표면에 접해 있지 않은 구성으로 해도 된다. 스페이서를 사용하여 관상 부재와 접속 부재를 체결하는 형태에 있어서, 상기 서술한 관상 부재의 플랜지부의 제 5 표면 (스페이서에 대향하는 측의 단면) 의 외연선의 부분은, 스페이서와 관상 부재의 사이에 약간의 기울기가 발생한 경우에, 스페이서와의 접촉에 의해 관상 부재의 결손이 발생하기 쉬운 지점이다. 상기 구성에서는, 관상 부재의 플랜지부의 제 5 표면의 외연선의 전체가, 스페이서의 제 6 표면에 접해 있지 않다. 그 때문에, 상기 구성에 의하면, 상기 서술한 2 개의 부재 사이의 약간의 기울기가 발생한 경우이더라도, 관상 부재의 플랜지부의 제 5 표면의 외연선의 부분이 스페이서와 접촉하는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 관상 부재의 결손의 발생을 억제할 수 있다.
(5) 상기 유지 장치에 있어서, 상기 관상 부재의 상기 플랜지부에는, 복수의 상기 제 1 관통공이 형성되어 있고, 상기 접속 부재에는, 상기 플랜지부의 복수의 상기 제 1 관통공에 삽입 통과된 복수의 상기 체결 부재가 나사 결합하는 복수의 상기 구멍이 형성되어 있는 구성으로 해도 된다. 이와 같은 구성에서는, 관상 부재와 접속 부재를 복수의 체결 부재에 의해 체결할 때에, 각 체결 부재의 체결력의 편차에 기인하여 관상 부재와 접속 부재의 사이에 약간의 기울기가 발생하기 쉽고, 상기 결손이 발생하기 쉽다. 그러나, 본 유지 장치에서는, 관상 부재의 제 4 표면의 외연선에 있어서의 특정 부분이, 접속 부재의 제 3 표면에 접해 있지 않기 때문에, 관상 부재의 제 4 표면의 외연선에 있어서의 특정 부분이 접속 부재와 접촉하는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 관상 부재의 결손의 발생을 억제할 수 있다.
(6) 상기 유지 장치에 있어서, 또한, 상기 체결 부재를 구비하는 구성으로 해도 된다. 이와 같은 구성에 의하면, 관상 부재와 접속 부재를 체결하는 체결 부재를 구비하는 유지 장치에 있어서, 관상 부재의 제 4 표면의 외연선에 있어서의 특정 부분이 접속 부재와 접촉하는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 관상 부재의 결손의 발생을 억제할 수 있다.
(7) 상기 유지 장치에 있어서, 또한, 상기 판상 부재의 내부에 배치된 내부 전극을 구비하는 구성으로 해도 된다. 이와 같은 구성에 의하면, 판상 부재의 내부에 배치된 내부 전극을 구비하는 유지 장치에 있어서, 관상 부재의 제 4 표면의 외연선에 있어서의 특정 부분이 접속 부재와 접촉하는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 관상 부재의 결손의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 본 명세서에 개시되는 기술은, 여러 가지 형태로 실현하는 것이 가능하며, 예를 들어, 가열 장치, 유지 장치, 그들의 제조 방법 등의 형태로 실현되는 것이 가능하다.
도 1 은, 본 실시형태에 있어서의 가열 장치 (100) 의 외관 구성을 개략적으로 나타내는 사시도
도 2 는, 본 실시형태에 있어서의 가열 장치 (100) 의 단면 구성을 개략적으로 나타내는 설명도
도 3 은, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 구성을 나타내는 설명도
도 4 는, 관상 부재 (20) 의 단면 구성을 나타내는 설명도
도 5 는, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 의 구성을 나타내는 설명도
도 6 은, 접속 부재 (80) 의 단면 구성을 나타내는 설명도
도 7 은, 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 의 구성을 나타내는 설명도
도 8 은, 스페이서 (90) 의 단면 구성을 나타내는 설명도
A. 실시형태 :
A-1. 가열 장치 (100) 의 구성 :
도 1 은, 본 실시형태에 있어서의 가열 장치 (100) 의 외관 구성을 개략적으로 나타내는 사시도이며, 도 2 는, 본 실시형태에 있어서의 가열 장치 (100) 의 단면 (斷面) 구성을 개략적으로 나타내는 설명도이다. 도 2 에는, 후술하는 도 3 ∼ 도 8 의 II-II 의 위치에 있어서의 가열 장치 (100) 의 XZ 단면 구성이 도시되어 있다. 각 도면에는, 방향을 특정하기 위한 서로 직교하는 XYZ 축이 도시되어 있다. 본 명세서에서는, 편의적으로, Z 축 정 (正) 방향을 상방향이라고 하고, Z 축 부 (負) 방향을 하방향이라고 하는 것으로 하지만, 가열 장치 (100) 는 실제로는 그러한 방향과는 상이한 방향에서 설치되어도 된다.
가열 장치 (100) 는, 대상물 (예를 들어, 반도체 웨이퍼 (W)) 을 유지하면서 소정의 온도 (예를 들어, 400 ∼ 800 ℃ 정도) 로 가열하는 장치이며, 서스셉터라고도 불린다. 가열 장치 (100) 는, 예를 들어, 성막 장치 (CVD 성막 장치, 스퍼터링 성막 장치 등) 나 에칭 장치 (플라즈마 에칭 장치 등) 와 같은 반도체 제조 장치의 일부로서 사용된다. 가열 장치 (100) 는, 특허 청구의 범위에 있어서의 유지 장치의 일례이다.
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 가열 장치 (100) 는, 판상 부재 (10) 와, 관상 부재 (20) 와, 접속 부재 (80) 를 구비한다.
판상 부재 (10) 는, 소정의 방향 (본 실시형태에서는 Z 축 방향) 으로 대략 직교하는 표면 (이하, 「유지면 (S1)」 이라고 한다.) 과, 유지면 (S1) 과는 반대측의 표면 (이하, 「이면 (S2)」 이라고 한다.) 을 갖는 대략 원판상의 부재이다. 판상 부재 (10) 는, 질화알루미늄 (AlN) 이나 알루미나 (Al2O3) 등의 세라믹스에 의해 형성되어 있다. 판상 부재 (10) 의 직경은, 예를 들어 100 ㎜ 이상, 500 ㎜ 이하 정도이며, 판상 부재 (10) 의 두께 (상하 방향에 있어서의 길이) 는, 예를 들어 3 ㎜ 이상, 20 ㎜ 이하 정도이다. 판상 부재 (10) 의 유지면 (S1) 은, 특허 청구의 범위에 있어서의 제 1 표면에 상당하고, 이면 (S2) 은, 특허 청구의 범위에 있어서의 제 2 표면에 상당하고, Z 축 방향은, 특허 청구의 범위에 있어서의 제 1 방향에 상당하고, Z 축 방향을 따른 상측은, 특허 청구의 범위에 있어서의 제 1 방향의 일방측에 상당하고, Z 축 방향을 따른 하측은, 특허 청구의 범위에 있어서의 제 1 방향의 타방측에 상당한다.
관상 부재 (20) 는, 상기 소정의 방향 (Z 축 방향) 으로 연장되는 대략 원관상 (圓管狀) 의 부재이다. 관상 부재 (20) 는, 판상 부재 (10) 와 마찬가지로, 질화알루미늄이나 알루미나 등의 세라믹스에 의해 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 관상 부재 (20) 는, 상측 (판상 부재 (10) 에 대향하는 측) 의 단부에, Z 축 방향으로 직교하는 방향 (이하, 「면 방향」 이라고 한다.) 으로 돌출하는 상측 플랜지부 (22) 를 갖고, 또, 하측 (접속 부재 (80) 에 대향하는 측) 의 단부에, 면 방향으로 돌출하는 하측 플랜지부 (23) 를 갖는다. 상측 플랜지부 (22) 및 하측 플랜지부 (23) 는, 관상 부재 (20) 의 둘레 방향의 전체에 걸쳐서 형성되어 있다. 또한, 이하에서는, 관상 부재 (20) 에 있어서의 상측 플랜지부 (22) 및 하측 플랜지부 (23) 이외의 부분을, 본체부 (21) 라고 한다. 관상 부재 (20) 의 본체부 (21) 의 외경은, 예를 들어 30 ㎜ 이상, 90 ㎜ 이하 정도이며, 관상 부재 (20) 의 높이 (상하 방향에 있어서의 길이) 는, 예를 들어 100 ㎜ 이상, 300 ㎜ 이하 정도이다. 하측 플랜지부 (23) 는, 특허 청구의 범위에 있어서의 플랜지부에 상당한다.
판상 부재 (10) 와 관상 부재 (20) 는, 판상 부재 (10) 의 이면 (S2) 과 관상 부재 (20) 의 상면 (S3) 이 상하 방향으로 대향하도록 배치되어 있다. 관상 부재 (20) 는, 판상 부재 (10) 의 이면 (S2) 의 중심부 부근에, 공지된 접합 재료에 의해 형성된 접합부 (30) 를 개재하여 접합되어 있다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 판상 부재 (10) 의 내부에는, 발열 저항체인 히터 전극 (50) 이 배치되어 있다. 히터 전극 (50) 은, 예를 들어, 텅스텐 또는 몰리브덴 등의 금속을 함유하는 재료에 의해 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 히터 전극 (50) 은, Z 축 방향에서 보았을 때 대략 동심원상으로 연장되는 선상의 패턴을 구성하고 있다. 히터 전극 (50) 의 선상 패턴의 양단부는, 판상 부재 (10) 의 중심부 근방에 배치되어 있으며, 각 단부에는 비아 도체 (52) 의 상단부가 접속되어 있다. 또, 판상 부재 (10) 의 이면 (S2) 에는, 1 쌍의 오목부 (12) 가 형성되어 있으며, 각 오목부 (12) 의 위치에는, 도전성의 급전 전극 (전극 패드) (54) 이 설치되어 있다. 본 실시형태에서는, 급전 전극 (54) 은, Z 축 방향에서 보았을 때 대략 원형이며, 텅스텐을 함유하는 재료 (예를 들어, 텅스텐과 질화알루미늄의 혼합 재료) 에 의해 형성되어 있다. 비아 도체 (52) 의 하단부는, 급전 전극 (54) 에 접속되어 있다. 그 결과, 히터 전극 (50) 과 급전 전극 (54) 이 비아 도체 (52) 를 개재하여 전기적으로 접속된 상태로 되어 있다.
또, 관상 부재 (20) 에는, 관상 부재 (20) 의 전체 길이에 걸쳐서 Z 축 방향으로 연장되는 관통공 (24) 이 형성되어 있다. 관통공 (24) 에는, 복수의 단자 부재 (70) 가 수용되어 있다. 단자 부재 (70) 는, 예를 들어 Z 축 방향에서 보았을 때 대략 원형의 기둥 형상 부재이며, 니켈 (Ni) 을 함유하는 재료 (예를 들어, 순니켈이나 니켈을 함유하는 합금 (예를 들어 코발)) 에 의해 형성되어 있다. 단자 부재 (70) 의 상단부는, 금속 납재 (56) (예를 들어 금 납재) 를 개재하여 급전 전극 (54) 에 접합되어 있다.
도시하지 않는 전원으로부터 각 단자 부재 (70), 각 급전 전극 (54), 각 비아 도체 (52) 등을 통하여 히터 전극 (50) 에 전압이 인가되면, 히터 전극 (50) 이 발열하고, 판상 부재 (10) 의 유지면 (S1) 상에 유지된 대상물 (예를 들어, 반도체 웨이퍼 (W)) 이 소정의 온도 (예를 들어, 400 ∼ 800 ℃ 정도) 로 가열된다.
접속 부재 (80) 는, 관상 부재 (20) 의 하측에 배치되어 있으며, 관상 부재 (20) 를 다른 부재 (예를 들어, 진공 챔버 (도시하지 않음)) 에 장착하기 위한 부재이다. 접속 부재 (80) 는, 예를 들어, 상기 소정의 방향 (Z 축 방향) 으로 연장되는 대략 원기둥 형상이며, 예를 들어 알루미늄 등의 금속 재료에 의해 형성되어 있다. 접속 부재 (80) 와 관상 부재 (20) 는, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 과 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 이 Z 축 방향으로 대향하도록 배치되어 있으며, 후술하는 바와 같이, 복수의 볼트 (99) 에 의해 서로 접합되어 있다. 접속 부재 (80) 에는, 관상 부재 (20) 의 관통공 (24) 에 연통하는 관통공 (84) 이 형성되어 있고, 상기 서술한 단자 부재 (70) 는, 관상 부재 (20) 의 관통공 (24) 과 접속 부재 (80) 의 관통공 (84) 에 의해 형성된 공간에 배치되어 있다. 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 은, 특허 청구의 범위에 있어서의 제 3 표면에 상당하고, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 은, 특허 청구의 범위에 있어서의 제 4 표면에 상당한다.
또한, 후술하는 도 3 ∼ 도 6 에 나타내는 바와 같이, 관상 부재 (20) 의 본체부 (21) 에는, Z 축 방향으로 연장되는 복수의 관통공 (26) 이 형성되어 있고, 접속 부재 (80) 에는, Z 축 방향으로 연장되고, 또한, 각각 관상 부재 (20) 의 관통공 (26) 에 연통하는 복수의 관통공 (86) 이 형성되어 있다. 관상 부재 (20) 의 관통공 (26) 및 접속 부재 (80) 의 관통공 (86) 에 의해 형성된 공간 (Z 축 방향으로 연장되는 공간) 은, 예를 들어, 판상 부재 (10) 의 유지면 (S1) 이나 반도체 웨이퍼 (W) 등을 둘러싸는 에어 커튼 (도시하지 않음) 을 형성하기 때문에, 질소나 아르곤 등의 불활성 가스가 공급되는 가스 유로나, 판상 부재 (10) 에 배치된 고주파 전극 (도시하지 않음) 에 접속된 고주파체 (도시하지 않음) 를 수용하기 위한 공간으로서 이용된다.
A-2. 관상 부재 (20) 와 접속 부재 (80) 의 접합 지점 부근의 상세 구성 :
다음으로, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에 있어서의 관상 부재 (20) 와 접속 부재 (80) 의 접합 지점 부근의 상세 구성에 대해서 설명한다. 도 3 은, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 구성을 나타내는 설명도이고, 도 4 는, 관상 부재 (20) 의 단면 구성을 나타내는 설명도이고, 도 5 는, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 의 구성을 나타내는 설명도이고, 도 6 은, 접속 부재 (80) 의 단면 구성을 나타내는 설명도이고, 도 7 은, 후술하는 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 의 구성을 나타내는 설명도이며, 도 8 은 스페이서 (90) 의 단면 구성을 나타내는 설명도이다. 도 4 에는, 도 2 의 IV-IV 의 위치에 있어서의 관상 부재 (20) 의 XY 단면 구성이 도시되어 있고, 도 6 에는, 도 2 의 VI-VI 의 위치에 있어서의 접속 부재 (80) 의 XY 단면 구성이 도시되어 있으며, 도 8 에는, 도 2 의 VIII-VIII 의 위치에 있어서의 스페이서 (90) 의 XY 단면 구성이 도시되어 있다.
상기 서술한 바와 같이, 관상 부재 (20) 는, 하측의 단부에, 면 방향으로 돌출하는 하측 플랜지부 (23) 를 갖는다 (도 2 ∼ 도 4 참조). 하측 플랜지부 (23) 는, 관상 부재 (20) 의 둘레 방향의 전체에 걸쳐서 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 하측 플랜지부 (23) 에, 둘레 방향을 따라서 대략 균등하게 배치된 8 개의 관통공 (25) 이 형성되어 있다. 하측 플랜지부 (23) 에 형성된 각 관통공 (25) 은, 볼트 (99) 를 삽입 통과하기 위한 구멍이다. 또한, 본 실시형태에서는, 하측 플랜지부 (23) 에 형성된 각 관통공 (25) 은, 닫힌 구멍이 아니라, 하측 플랜지부 (23) 의 외주면에 개구된 구멍 (절결) 이다. 즉, 본 명세서에 있어서, 어느 부재에 형성된, 어느 방향으로 연장되는 관통공은, 그 부재의 그 방향 둘레의 외주면에 개구되지 않고 닫힌 구멍 외에, 그 외주면에 개구된 구멍 (절결) 을 포함한다. 관통공 (25) 은, 특허 청구의 범위에 있어서의 제 1 관통공에 상당하고, 볼트 (99) 는, 특허 청구의 범위에 있어서의 체결 부재에 상당한다.
또, 도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 접속 부재 (80) 에는, 상면 (S3) 에 개구하는 8 개의 볼트공 (85) 이 형성되어 있다. 각 볼트공 (85) 은, 둘레 방향을 따라서 대략 균등하게 배치되어 있다. 접속 부재 (80) 의 볼트공 (85) 에는, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 관통공 (25) 에 삽입 통과된 복수의 볼트 (99) 가 나사 결합되어 있다 (도 2 참조). 이에 따라, 관상 부재 (20) 와 접속 부재 (80) 가 서로 접합된다. 볼트공 (85) 은, 특허 청구의 범위에 있어서의 접속 부재 (80) 에 형성된 구멍에 상당한다.
또한, 도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에는, 관통공 (84) 을 둘러싸는 대략 원환상 (圓環狀) 의 오목부 (홈) (88) 가 형성되어 있고, 오목부 (88) 에는, O 링 (89) 이 배치되어 있다 (도 2 참조). 또한, 도 5 및 도 6 에서는, 도면의 번잡함을 회피하기 위해서, O 링 (89) 을 간이적으로 일점 쇄선으로 나타내고 있다. O 링 (89) 의 존재에 의해, 관통공 (84) 에 의해 형성된 공간이 시일된다. 또한, 본 실시형태에서는, 오목부 (88) 가, 각 관통공 (86) 이 형성된 지점에도 연속적으로 형성되어 있고, O 링 (89) 이 각 관통공 (86) 을 둘러싸는 형상으로 되어 있어, 그 결과, 각 관통공 (86) 에 의해 형성된 공간도 시일되어 있다.
또, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 는, 또한, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상측에 배치된 2 개의 스페이서 (90) 를 구비하고 있다 (도 2 참조). 도 7 및 도 8 에 나타내는 바와 같이, 각 스페이서 (90) 는, Z 축 방향에서 보았을 때 대략 반원호상의 판상 부재이며, 예를 들어 알루미늄 등의 금속 재료에 의해 형성되어 있다. 2 개의 스페이서 (90) 는, 2 개의 스페이서 (90) 를 합치면 Z 축 방향에서 보았을 때 대략 원형으로 되도록 배치되어 있다. 이와 같이 배치된 2 개의 스페이서 (90) 세트에는, 둘레 방향을 따라서 대략 균등하게 배치된 8 개의 관통공 (95) (즉, 1 개의 스페이서 (90) 당 4 개의 관통공 (95)) 이 형성되어 있다. 각 관통공 (95) 은, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 에 형성된 각 관통공 (25) 에 연통하고 있고, 볼트 (99) 가 삽입 통과된다 (도 2 참조). 2 개의 스페이서 (90) 는, 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 에 접함과 함께, 볼트 (99) 의 베어링면에 접해 있고, 좌금 (座金) (와셔) 으로서 기능한다. 관통공 (95) 은, 특허 청구의 범위에 있어서의 제 2 관통공에 상당한다.
(관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 과 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 의 관계)
본 실시형태의 가열 장치 (100) 에서는, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에 요철이 형성되어 있고, 그 결과, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 일부분은, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에 접해 있으며, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 나머지 일부분은, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에 접해 있지 않다. 이하, 이 점에 대해서, 상세하게 설명한다.
도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 은, 그 하면 (S4) 을 포함하는 최소의 가상 원 (VC) 에 겹쳐지는 부분 (이하, 「외주 부분 (Lx1)」 이라고 한다.) 과, 외주 부분 (Lx1) 이외의 부분 (관통공 (25) 의 내주면을 구성하는 부분이며, 이하, 「내측 부분 (Lx2)」 이라고 한다.) 으로 구성되어 있다. 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 중, 외주 부분 (Lx1) 은, 하측 플랜지부 (23) 의 최외주면을 규정하는 부분이며, 내측 부분 (Lx2) 은, 관통공 (25) 의 내주면을 규정하는 부분이다. 또한, 도 5 및 도 6 에는, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 과 접속 부재 (80) 의 위치 관계를 나타내기 위해서, Z 축 방향에서 보았을 때의 외연선 (Lx) 의 위치를 파선으로 나타내고 있다. 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 에 있어서의 외주 부분 (Lx1) 은, 특허 청구의 범위에 있어서의 특정 부분에 상당한다.
도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에서는, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 의 외경은, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외경보다 크다. 그 때문에, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에는, Z 축 방향에서 보았을 때 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) (외주 부분 (Lx1) 및 내측 부분 (Lx2)) 에 겹쳐지는 부분이 존재한다.
또, 도 2, 도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에는, 오목부 (하방으로 후퇴한 부분) (87) 가 형성되어 있다. 오목부 (87) 는, Z 축 방향에서 보았을 때, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 의 외주 전체 둘레를 따라서 대략 일정한 폭을 갖는 띠상의 외주 부분 (87a) 과, 외주 부분 (87a) 으로부터 각 볼트공 (85) 이 형성된 위치를 향해서 내측으로 연장되는 대략 반원형의 내측 부분 (87b) 으로 구성되어 있다. 도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, Z 축 방향에서 보았을 때, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 중 외주 부분 (Lx1) 은, 그 전체가, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에 형성된 오목부 (87) 의 외주 부분 (87a) 에 겹쳐져 있다. 그 때문에, 그 외주 부분 (Lx1) 의 전체는, Z 축 방향에 있어서 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 과 이간되어 있고, 그 상면 (S3) 에 접해 있지 않다. 한편, Z 축 방향에서 보았을 때, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 중 내측 부분 (Lx2) 은, 그 일부분은, 오목부 (87) 의 외주 부분 (87a) 에 겹쳐져 있지만, 나머지 일부분은, 오목부 (87) 의 외주 부분 (87a) 에 겹쳐져 있지 않다. 단, 그 나머지 일부분은, 오목부 (87) 의 내측 부분 (87b) 에 겹쳐져 있다. 그 때문에, 그 내측 부분 (Lx2) 의 전체도, Z 축 방향에 있어서 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 과 이간되어 있고, 그 상면 (S3) 에 접해 있지 않다. 이상으로부터, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에서는, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 의 전체가, Z 축 방향에 있어서 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 과 이간되어 있고, 그 상면 (S3) 에 접해 있지 않다.
(관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 과 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 의 관계)
본 실시형태의 가열 장치 (100) 에서는, 각 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 에 요철이 형성되어 있고, 그 결과, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 의 일부분은, 각 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 에 접해 있으며, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 의 나머지 일부분은, 각 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 에 접해 있지 않다. 이하, 이 점에 대해서, 상세하게 설명한다. 또한, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 은, 특허 청구의 범위에 있어서의 제 5 표면에 상당하고, 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 은, 특허 청구의 범위에 있어서의 제 6 표면에 상당한다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 측 면은, Z 축 방향으로 평행하다. 그 때문에, 도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 의 외연선 (Ly) 은, Z 축 방향에서 보았을 때, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 과 일치한다. 즉, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 의 외연선 (Ly) 은, 그 상면 (S5) 을 포함하는 최소의 가상 원 (VC) 에 겹쳐지는 부분 (이하, 「외주 부분 (Ly1)」 이라고 한다.) 과, 외주 부분 (Ly1) 이외의 부분 (관통공 (25) 의 내주면을 구성하는 부분이며, 이하, 「내측 부분 (Ly2)」 이라고 한다.) 으로 구성되어 있다. 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 의 외연선 (Ly) 중, 외주 부분 (Ly1) 은, 하측 플랜지부 (23) 의 최외주면을 규정하는 부분이며, 내측 부분 (Ly2) 은, 관통공 (25) 의 내주면을 규정하는 부분이다. 또한, 도 7 및 도 8 에는, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 의 외연선 (Ly) 과 스페이서 (90) 의 위치 관계를 나타내기 위해서, Z 축 방향에서 보았을 때의 외연선 (Ly) 의 위치를 파선으로 나타내고 있다.
도 7 및 도 8 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에서는, 2 개의 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 에 의해 구성되는 영역의 외경은, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 의 외경보다 크다. 그 때문에, 각 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 에는, Z 축 방향에서 보았을 때 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 의 외연선 (Ly) (외주 부분 (Ly1) 및 내측 부분 (Ly2)) 에 겹쳐지는 부분이 존재한다.
또, 도 2, 도 7 및 도 8 에 나타내는 바와 같이, 각 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 에는, 오목부 (상방으로 후퇴한 부분) (97) 가 형성되어 있다. 오목부 (97) 는, Z 축 방향에서 보았을 때, 각 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 의 외주 전체 둘레를 따라서 대략 일정한 폭을 갖는 띠상의 외주 부분 (97a) 과, 외주 부분 (97a) 으로부터 각 관통공 (95) 이 형성된 위치를 향해서 내측으로 연장되는 대략 직사각형의 내측 부분 (97b) 으로 구성되어 있다. 도 7 및 도 8 에 나타내는 바와 같이, Z 축 방향에서 보았을 때, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 의 외연선 (Ly) 중 외주 부분 (Ly1) 은, 그 전체가, 각 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 에 형성된 오목부 (97) 의 외주 부분 (97a) 에 겹쳐져 있다. 그 때문에, 그 외주 부분 (Ly1) 의 전체는, Z 축 방향에 있어서 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 과 이간되어 있고, 그 하면 (S6) 에 접해 있지 않다. 한편, Z 축 방향에서 보았을 때, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 의 외연선 (Ly) 중 내측 부분 (Ly2) 은, 그 일부분은, 오목부 (97) 의 외주 부분 (97a) 에 겹쳐져 있지만, 나머지 일부분은, 오목부 (97) 의 외주 부분 (97a) 에 겹쳐져 있지 않다. 단, 그 나머지 일부분은, 오목부 (97) 의 내측 부분 (97b) 에 겹쳐져 있다. 그 때문에, 그 내측 부분 (Ly2) 의 전체도, Z 축 방향에 있어서 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 과 이간되어 있고, 그 하면 (S6) 에 접해 있지 않다. 이상으로부터, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에서는, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 의 외연선 (Ly) 의 전체가, Z 축 방향에 있어서 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 과 이간되어 있고, 그 하면 (S6) 에 접해 있지 않다.
A-3. 본 실시형태의 효과 :
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 는, Z 축 방향으로 대략 직교하는 유지면 (S1) 과 유지면 (S1) 과는 반대측의 이면 (S2) 을 갖는 판상 부재 (10) 와, Z 축 방향으로 연장되고, 세라믹스에 의해 형성된 관상 부재 (20) 를 구비하고, 판상 부재 (10) 의 유지면 (S1) 상에 대상물을 유지하는 유지 장치이다. 관상 부재 (20) 는, 상측의 단부에 있어서 판상 부재 (10) 의 이면 (S2) 에 접합되고, 하측의 단부에, 면 방향으로 돌출하는 하측 플랜지부 (23) 를 갖는다. 하측 플랜지부 (23) 에는, Z 축 방향으로 연장되는 관통공 (25) 이 형성되어 있다. 또, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 는, 또한, 관상 부재 (20) 의 하측에 배치된 접속 부재 (80) 를 구비한다. 접속 부재 (80) 에는, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에 개구하도록 볼트공 (85) 이 형성되어 있다. 이 볼트공 (85) 에는, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 관통공 (25) 에 삽입 통과된 볼트 (99) 가 나사 결합한다. 또, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에서는, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 일부분은, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에 접해 있고, 또한, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 중, 그 하면 (S4) 을 포함하는 최소의 가상 원 (VC) 에 겹쳐지는 부분인 외주 부분 (Lx1) 은, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에 접해 있지 않다.
상기 서술한 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) (접속 부재 (80) 에 대향하는 측의 단면) 의 외연선 (Lx) 의 부분은, 관상 부재 (20) 와 접속 부재 (80) 를 볼트 (99) 에 의해 체결할 때에, 관상 부재 (20) 와 접속 부재 (80) 의 사이에 약간의 기울기가 발생한 경우에, 접속 부재 (80) 와의 접촉에 의한 관상 부재 (20) 의 결손이 발생하기 쉬운 지점이다. 특히, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 중, 그 하면 (S4) 을 포함하는 최소의 가상 원 (VC) 에 겹쳐지는 부분인 외주 부분 (Lx1) (즉, 외연선 (Lx) 중 최외주측의 부분) 은, 상기 결손이 가장 발생하기 쉬운 지점이다. 상기 서술한 바와 같이, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에서는, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 에 있어서의 외주 부분 (Lx1) 이, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에 접해 있지 않다. 그 때문에, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에 의하면, 상기 서술한 2 개의 부재 사이의 약간의 기울기가 발생한 경우이더라도, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 에 있어서의 외주 부분 (Lx1) 이 접속 부재 (80) 와 접촉하는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 관상 부재 (20) 의 결손의 발생을 억제할 수 있다.
또, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에서는, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 의 전체가, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에 접해 있지 않다. 그 때문에, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에 의하면, 관상 부재 (20) 의 결손의 발생을 보다 확실하게 억제할 수 있다.
또, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에서는, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에는, Z 축 방향에서 보았을 때 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 의 외주 부분 (Lx1) 에 겹쳐지는 부분이 존재하고, Z 축 방향에 있어서, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 과, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 의 외주 부분 (Lx1) 은 이간되어 있다. 그 때문에, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에 의하면, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 와 접속 부재 (80) 의 사이의 외경의 대소 관계 등에 관계없이, 관상 부재 (20) 의 결손의 발생을 억제할 수 있다.
또, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 는, 또한, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상측에 배치된 스페이서 (90) 를 구비한다. 스페이서 (90) 에는, 관통공 (95) 이 형성되어 있다. 스페이서 (90) 의 관통공 (95) 은, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 관통공 (25) 에 연통하고, 또한, 볼트 (99) 가 삽입 통과되는 구멍이다. 또, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에서는, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 의 일부분은, 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 에 접해 있으며, 또한, 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 의 외연선 (Ly) 의 전체가, 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 에 접해 있지 않다. 스페이서 (90) 를 사용하여 관상 부재 (20) 와 접속 부재 (80) 를 체결하는 형태에 있어서, 상기 서술한 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) (스페이서 (90) 에 대향하는 측의 단면) 의 외연선 (Ly) 의 부분은, 스페이서 (90) 와 관상 부재 (20) 의 사이에 약간의 기울기가 발생한 경우에, 스페이서 (90) 와의 접촉에 의해 관상 부재 (20) 의 결손이 발생하기 쉬운 지점이다. 상기 서술한 바와 같이, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에서는, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 의 외연선 (Ly) 의 전체가, 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 에 접해 있지 않다. 그 때문에, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에 의하면, 상기 서술한 2 개의 부재 사이의 약간의 기울기가 발생한 경우이더라도, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 의 외연선 (Ly) 의 부분이 스페이서 (90) 와 접촉하는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 관상 부재 (20) 의 결손의 발생을 억제할 수 있다.
또, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에서는, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 에는, 복수의 관통공 (25) 이 형성되어 있고, 접속 부재 (80) 에는, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 복수의 관통공 (25) 에 삽입 통과된 복수의 볼트 (99) 가 나사 결합하는 복수의 볼트공 (85) 이 형성되어 있다. 그 때문에, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 는, 관상 부재 (20) 와 접속 부재 (80) 를 복수의 볼트 (99) 에 의해 체결할 때에, 각 볼트 (99) 의 체결력의 편차에 기인하여 관상 부재 (20) 와 접속 부재 (80) 의 사이에 약간의 기울기가 발생하기 쉽고, 상기 결손이 발생하기 쉬운 구성이다. 그러나, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에서는, 상기 서술한 바와 같이, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 에 있어서의 외주 부분 (Lx1) 이, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에 접해 있지 않기 때문에, 상기 서술한 2 개의 부재 사이의 약간의 기울기가 발생한 경우이더라도, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 에 있어서의 외주 부분 (Lx1) 이 접속 부재 (80) 와 접촉하는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 관상 부재 (20) 의 결손의 발생을 억제할 수 있다.
또, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 는, 또한, 볼트 (99) 를 구비한다. 그 때문에, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에 의하면, 관상 부재 (20) 와 접속 부재 (80) 를 체결하는 볼트 (99) 를 구비하는 가열 장치 (100) 에 있어서, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 에 있어서의 외주 부분 (Lx1) 이 접속 부재 (80) 와 접촉하는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 관상 부재 (20) 의 결손의 발생을 억제할 수 있다.
또, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 는, 또한, 판상 부재 (10) 의 내부에 배치된 내부 전극인 히터 전극 (50) 을 구비한다. 그 때문에, 본 실시형태의 가열 장치 (100) 에 의하면, 판상 부재 (10) 의 내부에 배치된 내부 전극을 구비하는 가열 장치 (100) 에 있어서, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 에 있어서의 외주 부분 (Lx1) 이 접속 부재 (80) 와 접촉하는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 관상 부재 (20) 의 결손의 발생을 억제할 수 있다.
B. 변형예 :
본 명세서에서 개시되는 기술은, 상기 서술한 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 예를 들어 다음과 같은 변형도 가능하다.
상기 실시형태에 있어서의 가열 장치 (100) 의 구성은, 어디까지나 예시이며, 여러 가지 변형 가능하다. 예를 들어, 상기 실시형태에서는, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 의 전체가 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에 접해 있지 않지만, 그 외연선 (Lx) 중, 외주 부분 (Lx1) 은 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에 접해 있지 않지만, 내측 부분 (Lx2) (의 적어도 일부) 은 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에 접해 있는 것으로 해도 된다.
또, 상기 실시형태에서는, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에 오목부 (87) 가 형성됨으로써, 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외연선 (Lx) 중 외주 부분 (Lx1) 이 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 에 접해 있지 않은 구성이 실현되어 있지만, 접속 부재 (80) 의 상면 (S3) 의 외경이 관상 부재 (20) 의 하면 (S4) 의 외경보다 작은 것에 의해 그 구성이 실현되어도 된다.
또, 상기 실시형태에서는, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 의 외연선 (Ly) 의 전체가 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 에 접해 있지 않지만, 그 외연선 (Ly) 중, 외주 부분 (Ly1) 은 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 에 접해 있지 않지만, 내측 부분 (Ly2) (의 적어도 일부) 은 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 에 접해 있는 것으로 해도 된다. 또, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 상면 (S5) 의 외연선 (Ly) 의 전체가 스페이서 (90) 의 하면 (S6) 에 접해 있는 것으로 해도 된다. 또, 가열 장치 (100) 가 스페이서 (90) 를 구비하지 않는 것으로 해도 된다.
또, 상기 실시형태에서는, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 에 복수의 관통공 (25) 이 형성되어 있고, 접속 부재 (80) 에, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 복수의 관통공 (25) 에 삽입 통과된 복수의 볼트 (99) 가 나사 결합하는 복수의 볼트공 (85) 이 형성되어 있지만, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 에 1 개의 관통공 (25) 이 형성되어 있고, 접속 부재 (80) 에, 관상 부재 (20) 의 하측 플랜지부 (23) 의 1 개의 관통공 (25) 에 삽입 통과된 1 개의 볼트 (99) 가 나사 결합하는 1 개의 볼트공 (85) 이 형성되어 있는 것으로 해도 된다.
또, 상기 실시형태에서는, 가열 장치 (100) 가, 판상 부재 (10) 의 내부에 배치된 내부 전극으로서, 히터 전극 (50) 을 구비하고 있지만, 가열 장치 (100) 가, 판상 부재 (10) 의 내부에 배치된 내부 전극으로서, 다른 전극 (예를 들어, RF 전극) 을 구비하고 있어도 된다.
또, 상기 실시형태에 있어서의 가열 장치 (100) 를 구성하는 각 부재의 형성 재료는, 어디까지나 예시이며, 각 부재가 다른 재료에 의해 형성되어도 된다. 예를 들어, 상기 실시형태에서는, 판상 부재 (10) 가 세라믹스제인 것으로 하고 있지만, 판상 부재 (10) 가 세라믹스 이외의 재료제 (예를 들어, 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 금속제) 인 것으로 해도 된다. 또, 상기 실시형태에서는, 접속 부재 (80) 나 스페이서 (90) 가 금속제인 것으로 하고 있지만, 접속 부재 (80) 나 스페이서 (90) 가 금속 이외의 재료제인 것으로 해도 된다.
또, 상기 실시형태의 가열 장치 (100) 에서는, 퍼지 가스를 공급하기 위한 가스 유로나 고주파체를 수용하기 위한 공간으로서 이용되는 공간을 형성하기 위해서, 관상 부재 (20) 의 관통공 (26) 및 접속 부재 (80) 의 관통공 (86) 이 형성되어 있지만, 이들 구멍은 없어도 되고, 추가로 다른 공간을 형성하기 위한 구멍이 형성되어 있어도 된다.
또, 본 명세서에 개시되는 기술은, 가열 장치에 한정되지 않고, 판상 부재와, 세라믹스제 관상 부재와, 접속 부재를 구비하고, 판상 부재의 표면 상에 대상물을 유지하는 다른 유지 장치에도 동일하게 적용 가능하다.
10 : 판상 부재
12 : 오목부
20 : 관상 부재
21 : 본체부
22 : 상측 플랜지부
23 : 하측 플랜지부
24 : 관통공
25 : 관통공
26 : 관통공
30 : 접합부
50 : 히터 전극
52 : 비아 도체
54 : 급전 전극
56 : 금속 납재
70 : 단자 부재
80 : 접속 부재
84 : 관통공
85 : 볼트공
86 : 관통공
87 : 오목부
87a : 외주 부분
87b : 내측 부분
88 : 오목부
89 : O 링
90 : 스페이서
95 : 관통공
97 : 오목부
97a : 외주 부분
97b : 내측 부분
99 : 볼트
100 : 가열 장치
Lx1 : 외주 부분
Lx2 : 내측 부분
Lx : 외연선
Ly1 : 외주 부분
Ly2 : 내측 부분
Ly : 외연선
S1 : 유지면
S2 : 이면
S3 : 상면
S4 : 하면
S5 : 상면
S6 : 하면
VC : 가상 원
W : 반도체 웨이퍼

Claims (13)

  1. 제 1 방향으로 직교하는 제 1 표면과, 상기 제 1 표면과는 반대측의 제 2 표면을 갖는 판상 부재와,
    상기 제 1 방향으로 연장되고, 세라믹스에 의해 형성된 관상 부재로서, 상기 제 1 방향의 일방측의 단부 (端部) 에 있어서 상기 판상 부재의 상기 제 2 표면에 접합되고, 상기 제 1 방향의 타방측의 단부에, 상기 제 1 방향으로 직교하는 방향으로 돌출하고, 또한, 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 1 관통공이 형성된 플랜지부를 갖는 관상 부재,
    를 구비하고, 상기 판상 부재의 상기 제 1 표면 상에 대상물을 유지하는 유지 장치에 있어서, 또한,
    상기 관상 부재에 있어서의, 상기 제 1 방향의 상기 타방측에 배치된 접속 부재로서, 상기 제 1 방향의 상기 일방측의 단면 (端面) 인 제 3 표면에 개구하도록, 상기 플랜지부의 상기 제 1 관통공에 삽입 통과된 체결 부재가 나사 결합하는 구멍이 형성된 접속 부재를 구비하고,
    상기 관상 부재에 있어서의 상기 제 1 방향의 상기 타방측의 단면인 제 4 표면의 일부분은, 상기 접속 부재의 상기 제 3 표면에 접해 있으며, 또한, 상기 관상 부재의 상기 제 4 표면의 외연선 중, 상기 제 4 표면을 포함하는 최소의 가상 원에 겹쳐지는 부분인 특정 부분은, 상기 접속 부재의 상기 제 3 표면에 접해 있지 않고,
    상기 접속 부재의 상기 제 3 표면에는, 상기 제 1 방향에서 보았을 때 상기 관상 부재의 상기 제 4 표면의 상기 외연선의 상기 특정 부분에 겹쳐지는 부분이 존재하고,
    상기 제 1 방향에 있어서, 상기 접속 부재의 상기 제 3 표면과, 상기 관상 부재의 상기 제 4 표면의 상기 외연선의 상기 특정 부분은, 이간되어 있는 것을 특징으로 하는 유지 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 관상 부재의 상기 제 4 표면의 상기 외연선의 전체가, 상기 접속 부재의 상기 제 3 표면에 접해 있지 않은 것을 특징으로 하는 유지 장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    또한,
    상기 플랜지부에 대하여 상기 제 1 방향의 상기 일방측에 배치된 스페이서로서, 상기 플랜지부의 상기 제 1 관통공에 연통하고, 또한, 상기 체결 부재가 삽입 통과되는 제 2 관통공이 형성된 스페이서를 구비하고,
    상기 플랜지부에 있어서의 상기 제 1 방향의 상기 일방측의 단면인 제 5 표면의 일부분은, 상기 스페이서에 있어서의 상기 제 1 방향의 상기 타방측의 단면인 제 6 표면에 접해 있으며, 또한, 상기 플랜지부의 상기 제 5 표면의 외연선의 전체가, 상기 스페이서의 상기 제 6 표면에 접해 있지 않은 것을 특징으로 하는 유지 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 관상 부재의 상기 플랜지부에는, 복수의 상기 제 1 관통공이 형성되어 있고,
    상기 접속 부재에는, 상기 플랜지부의 복수의 상기 제 1 관통공에 삽입 통과된 복수의 상기 체결 부재가 나사 결합하는 복수의 상기 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유지 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    또한,
    상기 체결 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 유지 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    또한,
    상기 판상 부재의 내부에 배치된 내부 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 유지 장치.
  8. 삭제
  9. 제 2 항에 있어서,
    또한,
    상기 플랜지부에 대하여 상기 제 1 방향의 상기 일방측에 배치된 스페이서로서, 상기 플랜지부의 상기 제 1 관통공에 연통하고, 또한, 상기 체결 부재가 삽입 통과되는 제 2 관통공이 형성된 스페이서를 구비하고,
    상기 플랜지부에 있어서의 상기 제 1 방향의 상기 일방측의 단면인 제 5 표면의 일부분은, 상기 스페이서에 있어서의 상기 제 1 방향의 상기 타방측의 단면인 제 6 표면에 접해 있으며, 또한, 상기 플랜지부의 상기 제 5 표면의 외연선의 전체가, 상기 스페이서의 상기 제 6 표면에 접해 있지 않은 것을 특징으로 하는 유지 장치.
  10. 삭제
  11. 제 2 항에 있어서,
    상기 관상 부재의 상기 플랜지부에는, 복수의 상기 제 1 관통공이 형성되어 있고,
    상기 접속 부재에는, 상기 플랜지부의 복수의 상기 제 1 관통공에 삽입 통과된 복수의 상기 체결 부재가 나사 결합하는 복수의 상기 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유지 장치.
  12. 삭제
  13. 제 4 항에 있어서,
    상기 관상 부재의 상기 플랜지부에는, 복수의 상기 제 1 관통공이 형성되어 있고,
    상기 접속 부재에는, 상기 플랜지부의 복수의 상기 제 1 관통공에 삽입 통과된 복수의 상기 체결 부재가 나사 결합하는 복수의 상기 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유지 장치.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016109301A (ja) 2014-12-09 2016-06-20 株式会社清水合金製作所 補修弁と補修弁付き簡易分解式空気弁

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08200956A (ja) * 1995-01-23 1996-08-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 気密容器のシ−ル装置
US5968379A (en) * 1995-07-14 1999-10-19 Applied Materials, Inc. High temperature ceramic heater assembly with RF capability and related methods
KR19980071011A (ko) 1997-01-24 1998-10-26 조셉 제이. 스위니 고온 및 고 흐름 속도의 화학적 기상 증착 장치 및 관련증착 방법
US6219219B1 (en) * 1998-09-30 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Cathode assembly containing an electrostatic chuck for retaining a wafer in a semiconductor wafer processing system
JP4680350B2 (ja) * 2000-06-26 2011-05-11 東京エレクトロン株式会社 枚葉式処理装置
JP4060684B2 (ja) * 2002-10-29 2008-03-12 日本発条株式会社 ステージ
US7718930B2 (en) * 2003-04-07 2010-05-18 Tokyo Electron Limited Loading table and heat treating apparatus having the loading table
US7126093B2 (en) * 2005-02-23 2006-10-24 Ngk Insulators, Ltd. Heating systems
JP5025109B2 (ja) * 2005-08-26 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 基板載置機構、基板処理装置、および基板載置機構の製造方法
JP2009054871A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
JP2011061040A (ja) * 2009-09-10 2011-03-24 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
CN104465453B (zh) * 2013-09-20 2018-10-30 住友电气工业株式会社 等离子体cvd装置用的晶片加热器
WO2016117424A1 (ja) * 2015-01-20 2016-07-28 日本碍子株式会社 シャフト端部取付構造
US9738975B2 (en) * 2015-05-12 2017-08-22 Lam Research Corporation Substrate pedestal module including backside gas delivery tube and method of making
JP6674800B2 (ja) * 2016-03-07 2020-04-01 日本特殊陶業株式会社 基板支持装置
CN208138644U (zh) * 2017-10-31 2018-11-23 河南森源重工有限公司 一种管路转换接头
JP7037379B2 (ja) * 2018-02-06 2022-03-16 ローツェ株式会社 薄板状基板保持装置、及び保持装置を備える搬送ロボット
TWI811307B (zh) * 2019-03-12 2023-08-11 鴻創應用科技有限公司 陶瓷電路複合結構及其製造方法
JP2021088735A (ja) * 2019-12-03 2021-06-10 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016109301A (ja) 2014-12-09 2016-06-20 株式会社清水合金製作所 補修弁と補修弁付き簡易分解式空気弁

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